JP2021110814A - ミラー表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ミラー光学素子をパルス電圧駆動して、該パルス電圧のデューティ比によりミラーモードの反射率を段階的にまたは無段階に変化できるようにしたミラー表示装置を提供する。【解決手段】ミラー表示装置１０はモニター表示装置２０とその前面側に配置されたミラー光学素子２２を有する。ミラー光学素子２２は反射型偏光板Ｐ１を背面側に配置した液晶パネルを有する。ミラー光学素子２２は該液晶パネルに印加される電圧により電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化する。制御回路９２は該液晶パネルをパルス電圧で駆動し、該パルス電圧のデューティ比を変化させてミラー光学素子の反射率および透過率を可変制御する。【選択図】図１

Description

この発明は、モニター表示装置の前面側にミラー光学素子を配置して、モニターモードとミラーモードを切り替えて使用できるようにしたミラー表示装置に関する。

モニター表示装置の前面側にミラー光学素子を配置して、モニターモードとミラーモードを切り替えて使用できるようにしたミラー表示装置として、特許文献１〜３に記載されたものがある。ここでミラー光学素子は、電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化して、相対的に、低反射率で高透過率の透過状態と、高反射率で低透過率の反射鏡状態と、該両状態の間の反射率低減反射鏡状態に、段階的にまたは無段階に、かつ可逆的に変化可能な素子である。

特許第４３４８０６１号公報 特開２００９−００８８８１号公報 国際公開第ＷＯ２０１８／０６１６７６号パンフレット 特開２０００−２６７６２９号公報 特開２００４−３１７９０８号公報

この発明は、ミラー光学素子をパルス電圧駆動して、該パルス電圧のデューティ比によりミラーモードの反射率を段階的にまたは無段階に変化できるようにしたミラー表示装置を提供するものである。

この発明のミラー表示装置は、モニター表示装置と、該モニター表示装置の表示面の前面側に配置されたミラー光学素子とを有するミラー表示装置において、前記ミラー光学素子は、反射型偏光板を背面側に配置した液晶パネルを有し、前記ミラー光学素子は、前記液晶パネルに印加される電圧により電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化して、相対的に、低反射率で高透過率の透過状態と、高反射率で低透過率の反射鏡状態と、該両状態の中間の反射率低減反射鏡状態とに、段階的にまたは無段階に、かつ可逆的に変化可能な素子であり、前記ミラー表示装置は制御回路を有し、前記制御回路は、前記ミラー表示装置の動作モードとしてモニターモードとミラーモードとを切り替えて設定する動作モード切替制御を実行可能に構成されており、前記モニターモードは、少なくとも、前記モニター表示装置を表示状態に設定し、かつ前記ミラー光学素子を前記透過状態に設定する動作状態を含む動作モードであり、前記ミラーモードは、少なくとも、前記モニター表示装置を非表示状態に設定し、かつ前記ミラー光学素子を前記反射鏡状態または前記反射率低減反射鏡状態に設定する動作状態を含む動作モードであり、前記制御回路は、前記液晶パネルに印加する電圧をパルス電圧で印加して、該パルス電圧のデューティ比を変化させて前記ミラー光学素子の反射率および透過率を変化させる反射率および透過率可変制御を実行可能に構成されているものである。これによれば、ミラー表示装置の反射率を、ミラー光学素子の液晶パネルに印加するパルス電圧のデューティ比により変化させることができる。

この発明において、前記ミラー表示装置は温度センサを有し、前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記反射率低減反射鏡状態に設定する前記ミラーモードにおいて、前記温度センサで検出される温度に応じて前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を調整して、温度による前記ミラー表示装置の反射率の変動を抑制する温度補償制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、ミラー光学素子を反射率低減反射鏡状態に設定するミラーモード時に、ミラー表示装置の反射率が温度によって変動するのを抑制することができる。

この発明は、デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、温度に応じた複数の該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶する（ルックアップテーブル（以下「テーブル」という）または演算式等として記憶する）デューティ比特性メモリを有し、前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度に応じて、該当する温度の前記デューティ比対反射率または透過率特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、検出される温度に応じたデューティ比対反射率または透過率特性を参照してパルス電圧のデューティ比を調整することにより、ミラー光学素子を反射率低減反射鏡状態に設定するミラーモード時に、ミラー表示装置の反射率が温度によって変動するのを抑制することができる。

この発明は、デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、所定の基準温度における該デューティ比対反射率または透過率特性である基準特性を記憶する（テーブルまたは演算式等として記憶する）デューティ比特性メモリと、前記基準特性に対して、温度変化による該基準特性のデューティ比のシフト量を補正する温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度に対するデューティ比の補正量の特性を記憶する（テーブルまたは演算式等として記憶する）デューティ比補正量特性メモリとを有し、前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度に応じて前記温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を求めて、前記基準特性のデューティ比を該求められた補正量でシフトした特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、基準特性のデューティ比を、検出される温度に応じて温度対デューティ比補正量特性から求められる補正量でシフトした特性に基づいてパルス電圧のデューティ比を調整することにより、ミラー光学素子を反射率低減反射鏡状態に設定するミラーモード時に、ミラー表示装置の反射率が温度によって変動するのを抑制することができる。

この発明は、デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、温度に応じた複数の該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶する（テーブルまたは演算式等として記憶する）デューティ比特性メモリと、前記デューティ比対反射率または透過率特性の基準特性、すなわち所定の基準温度における該デューティ比対反射率または透過率特性に対して、温度変化による該基準特性のデューティ比のシフト量を補正する温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度に対するデューティ比の補正量の特性を記憶する（テーブルまたは演算式等として記憶する）デューティ比補正量特性メモリとを有し、前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度が所定の第１の温度領域にあるときは、該温度センサで検出される温度に応じて、該当する温度の前記デューティ比対反射率または透過率特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する第１の温度補償制御を実行し、前記温度センサで検出される温度が前記第１の温度領域よりも低い所定の第２の温度領域にあるときは、前記温度センサで検出される温度に応じて前記温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を求めて、前記基準特性のデューティ比を該求められた補正量でシフトした特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する第２の温度補償制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、検出される温度が所定の第１の温度領域にあるときは第１の温度補償制御によりパルス電圧のデューティ比を調整し、検出される温度が第１の温度領域よりも低い第２の温度領域にあるときは第２の温度補償制御によりパルス電圧のデューティ比を調整することにより、ミラー光学素子を反射率低減反射鏡状態に設定するミラーモード時に、ミラー表示装置の反射率が温度によって変動するのを抑制することができる。

この発明において、前記制御回路は、前記温度センサで検出される温度が所定の制御切替温度以上のときは前記第１の温度補償制御を実行し、該温度センサで検出される温度が前記制御切替温度よりも低いときは、前記第２の温度補償制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、制御切替温度を境に、相対的に高温の第１の温度領域では第１の温度補償制御を実行し、相対的に低温の第２の温度領域では第２の温度補償制御を実行することができる。

この発明において、前記制御切替温度は前記基準温度に等しく設定されているものとすることができる。これによれば、基準温度を境に第１の温度補償制御と第２の温度補償制御を切り替えることができる。

この発明において、前記デューティ比特性メモリは、前記第１の温度領域の温度について前記デューティ比対反射率または透過率特性を記憶し（テーブルまたは演算式等として記憶する）、前記第２の温度領域の温度について該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶しないものとすることができる。これによれば、デューティ比特性メモリは、第２の温度領域の温度についてデューティ比対反射率または透過率特性を記憶しないので、全温度領域の温度についてデューティ比対反射率または透過率特性を記憶する場合に比べてデューティ比特性メモリのデータ記憶量を削減することができる。

この発明において、前記制御回路は、前記第２の温度補償制御を、前記デューティ比対反射率または透過率特性どうしがデューティ比を相互にシフトした特性と見なせる温度領域内に限り実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、デューティ比対反射率または透過率特性どうしがデューティ比を相互にシフトした特性と見なせる温度領域内で、第２の温度補償制御により、ミラー表示装置の反射率が温度によって変動するのを抑制することができる。

この発明において、前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記反射鏡状態に設定する前記ミラーモードにおいて、前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を、前記温度センサで検出される温度に関係なく該ミラー光学素子を該反射鏡状態に維持できる固定のデューティ比に設定する制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、ミラー光学素子を反射鏡状態に設定するミラーモードにおいて、温度に応じて液晶パネルに印加するパルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を行わないようにすることができるので、制御回路の処理負荷を軽くすることができる。

この発明において、前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記透過状態に設定する前記モニターモードにおいて、前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を、前記温度センサで検出される温度に関係なく該ミラー光学素子を該透過状態に維持できる固定のデューティ比に設定する制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、ミラー光学素子を透過状態に設定するモニターモードにおいて、温度に応じて液晶パネルに印加するパルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を行わないようにすることができるので、制御回路の処理負荷を軽くすることができる。

この発明において、前記制御回路は、前記モニターモードにおいて、前記温度センサで検出される温度に基づいて前記モニター表示装置の輝度を調整して該モニター表示装置の温度制御を実行可能に構成され、もしくは前記温度センサで検出される温度に基づいて、表示信号による前記モニター表示装置の駆動状態を調整して該モニター表示装置の表示品位に関する温度補償制御を実行可能に構成され、または前記温度制御および前記表示品位に関する温度補償制御の両方の制御を実行可能に構成されているものとすることができる。これによれば、温度センサを、モニターモード時はモニター表示装置の温度制御と表示品位に関する温度補償制御のいずれか一方または両方の制御に使用し、ミラー光学素子を反射率低減反射鏡状態に設定するミラーモード時はミラー光学素子の反射率または透過率の温度補償制御に使用することができる。なお、環境温度に応じて表示装置の駆動状態を調整することにより、表示装置の表示品位を維持するようにした先行技術として、例えば特許文献４，５に記載された技術がある。

図２のミラー表示装置の制御システム構成の実施の形態を示すブロック図である。 この発明のミラー表示装置を車両用インナーミラーに適用した場合の、該車両用インナーミラーの物理的なシステム構成の実施の形態を示す模式図で、同ミラー表示装置をそのミラー面および表示面に直交する平面で切断した概略構成を示す縦断面図である。 図２におけるミラー光学素子の分解斜視図である。 図２における電子ミラー素子の層構造の一例を模式的に示す断面図である。 図４におけるミラー光学素子の液晶パネルの対向電極間に印加する駆動パルス電圧の一例を示す波形図である。 ミラー光学素子の反射率を駆動電圧の電圧制御で変化させる場合の印加電圧対反射率特性の一例を示す線図で、複数の温度における該特性を示す。 ミラー光学素子の反射率を駆動電圧の電圧制御で変化させる場合の、温度補償方法の一例を説明する線図である。 ミラー光学素子の反射率を駆動交流電圧の電圧値で変化させる場合の温度対印加電圧補正量特性、すなわち温度が所定の基準温度から変化した場合の該基準温度における印加電圧対反射率特性に対する印加電圧の補正量（シフト量）の特性の一例を示す線図である。 ミラー光学素子の反射率を駆動パルスのデューティ比で変化させる場合のデューティ比対反射率特性の一例を示す線図で、複数の温度における該特性を示す。 ミラー光学素子の反射率を駆動パルスのデューティ比で変化させる場合の温度補償方法の一例を説明する線図である。 ミラー光学素子の反射率を駆動パルスのデューティ比で変化させる場合の温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度が所定の基準温度から変化した場合の該基準温度におけるデューティ比対反射率特性に対するデューティ比の補正量（シフト量）の特性の一例を示す線図であり、特にパルス電圧駆動におけるシフト法（後述）で使用する温度対デューティ比補正量特性を示す。 ミラー光学素子の反射率を駆動パルスのデューティ比で変化させる場合の温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度が所定の基準温度から変化した場合の該基準温度におけるデューティ比対反射率特性に対するデューティ比の補正量（シフト量）の特性の一例を示す線図であり、特にパルス電圧駆動における複合法（後述）で使用する温度対デューティ比補正量特性を示す。 図１のマイコン（制御回路）による制御内容を示すフローチャートである。

この発明のミラー表示装置を車両用インナーミラーに適用した場合の、この発明の実施の形態を説明する。この車両用インナーミラーは、被視認面上に、物理ミラー（反射鏡によるミラー）と、該物理ミラーの背後に電子ミラー（液晶等の発光式のモニター表示装置）を重ねて配置したものである。該物理ミラーは、ミラー光学素子を用いた反射率・透過率可変式である。また、該モニター表示装置は、後方カメラのカメラモニターとして機能するものである。この車両用インナーミラーは、物理ミラーの反射率と透過率を相互に逆方向に変化させることにより、両ミラーの機能を切り替えて使用できるようにしたものである。ここでは、この車両用インナーミラーを「電子インナーミラー」というものとする。この電子インナーミラーの動作モードは、運転者による切替操作（手動操作、音声操作等）でまたは自動切替で、「ミラーモード」と「モニターモード」に切り替えることができる。ミラーモードは物理ミラーを使用する動作モードである。モニターモードはモニター表示装置を使用する動作モードである。

ミラーモードは、さらに、運転者による切替操作（手動操作、音声操作等）により、「自動防眩モード」「マニュアル防眩モード」「防眩オフモード」に切り替えることができる。なお、以下の説明では自動防眩モードとマニュアル防眩モードの両方を含んで単に「防眩モード」という場合がある。自動防眩モードは、周囲光量（車両の周囲の光量）と後方光量（車両の後方の光量）の関係に応じて、物理ミラーの反射率を、非防眩状態（例えば、反射率を最も高めて透過率を最も低めた状態）と防眩状態（非防眩状態に対して反射率を低下させた状態）とに、自動で段階的（２段階またはより多段階）にまたは無段階に可変制御する動作モードである。この自動防眩モードにより、夜間に、物理ミラーの反射率を、運転者に対して、後方像の視認性を阻害しすぎずかつ反射光の眩しさを軽減できる適正な反射率に自動調整することができる。マニュアル防眩モードは、運転者による任意の可変操作（手動操作、音声操作等）により、物理ミラーの反射率を、非防眩状態と防眩状態とに、段階的（２段階またはより多段階）にまたは無段階に変化させる動作モードである。このマニュアル防眩モードにより、運転者は物理ミラーの反射率を、自身の好みに応じた反射率に調整することができる。防眩オフモードは、自動防眩機能およびマニュアル防眩機能をオフして、物理ミラーの反射率を非防眩状態に固定する動作モードである。なお、車両のイグニッションキー位置がオフ位置のときおよび車両用インナーミラーの電源が喪失したしたときも、車両用インナーミラーに電源が供給されないことにより、実質的に防眩オフモードと同じ状態となり、物理ミラーによる後方視認機能が確保される。

モニターモード時は、モニター表示装置はオン（発光かつ表示）にされ、物理ミラーは反射率を反射率低減反射鏡状態よりも低減させた透過状態（例えば、反射率を最も低めて透過率を最も高めた状態）にされる。これにより、電子インナーミラーの被視認面上に、後方カメラで撮像されてモニター表示装置に表示された映像が現れる。一方、ミラーモード時は、モニター表示装置はオフ（非発光かつ非表示）にされ、物理ミラーは非防眩状態または防眩状態にされる。これにより、電子インナーミラーの被視認面上に、物理ミラーによる非防眩状態または防眩状態の反射像が現れる。

図２は、この発明による電子インナーミラー１０（ミラー表示装置）の物理的なシステム構成の概略構成を示す。電子インナーミラー１０は、一般的なインナーミラーと同様に、図示しないステーにより、車両室内の前上部の左右中央位置で、天井またはウインドシールドに吊り下げ支持される。電子インナーミラー１０において、ハウジング１２の内部空間１２ａには、電子ミラー素子１４および回路基板１６が収容され固定支持されている。電子ミラー素子１４は内部空間１２ａの開口部１２ｂを塞ぐ位置に配置されている。この状態で、電子ミラー素子１４の被視認面１４ａはハウジング１２の外部空間に臨み、運転者の視点１８から視認される。被視認面１４ａには、電子インナーミラー１０の動作モードに応じて、ミラーモード時には物理ミラーによる反射面が、モニターモード時にはモニター表示装置に表示された映像が択一的に現れる。回路基板１６は電子ミラー素子１４の背後位置に配置され、ハウジング１２の外部空間からは見えない。電子ミラー素子１４および回路基板１６は、ハウジング１２の、内部空間１２ａに臨む内壁面に形成された構造部分（図示せず）にそれぞれ固定支持されている。

電子ミラー素子１４の構成部品を図３に示す。電子ミラー素子１４は、モニター表示装置２０と、モニター表示装置２０の表示面２０ａの前面側に配置されるミラー光学素子２２を有する。モニター表示装置２０とミラー光学素子２２は、対面する周縁部どうしを両面テープ２１で相互に貼り付けて一体化されて（両面テープ２１を使わずに、モニター表示装置２０の表面に直接ミラー光学素子２２を接着剤等で貼り付けて一体化することもできる）、電子ミラー素子１４を構成する。

一体化された電子ミラー素子１４の構造を図２を参照して説明する。モニター表示装置２０は高精細な動画像表示が可能なフルカラーモニターＬＣＤで構成されている。すなわち、モニター表示装置２０は、フルカラーＴＦＴ液晶等によるカラー液晶パネル２４と、カラー液晶パネル２４の背面側に積層配置されたバックライト２６を有する。バックライト２６の光源には例えば白色発光ダイオードが用いられている。バックライト２６は、モニター表示装置２０がオン（動作、表示）のときは点灯され、オフ（非動作、非表示）のときは消灯される。カラー液晶パネル２４とバックライト２６の積層体２５には、金属製（例えば鉄製）の枠体２８が被せて装着されている。枠体２８は積層体２５の背面全面および側面全面および正面周縁部全周を覆っている（図３参照）。枠体２８の内周側の適宜の箇所には温度センサ３０が収容配置されている。温度センサ３０は例えば可変抵抗型温度センサ（サーミスタ）で構成される。この実施の形態では、温度センサ３０は、図２および図３に示すように、枠体２８の上辺部の長手方向中央部において、枠体２８の内周面と積層体２５の上端面との間に形成された空間３２に収容され固定配置されている。ミラー光学素子２２は、背面側に反射型偏光板を配置したＴＮ（ねじれネマティック）型液晶パネルで構成される。ミラー光学素子２２は、実効駆動電圧（電圧駆動の場合は交流電圧値、ＰＷＭ（パルス幅変調）駆動の場合はデューティ比に応じた交流電圧相当値）に応じて反射率と透過率が相互に逆方向に変化する。すなわち、実効駆動電圧がゼロ（ゼロ電圧印加、すなわち電圧が印加されない状態）のときは反射率が最高値で透過率が最低値である（反射鏡状態）。実効駆動電圧を上げていくと反射率が徐々に低下し、透過率が徐々に上昇する（反射率低減反射鏡状態）。そして、実効駆動電圧が所定値以上になると反射率が概ね最低値、透過率が概ね最高値に達して飽和する（透過状態）。モニター表示装置２０とミラー光学素子２２は、対向面の周縁部（枠体２８の正面周縁部を構成するベゼル部２８ａの位置）どうしを両面テープ２１で相互に貼り付けることにより、密着状態に一体化されている。

この実施の形態では、ミラー光学素子２２をＰＷＭ駆動し、そのＰＷＭ電圧（ミラー光学素子２２に印加して駆動するＰＷＭ方式パルス電圧）のデューティ比により、ミラー光学素子２２の反射率と透過率を相互に逆方向に変化させるようにしている。このＰＷＭ電圧は、液晶を劣化させる直流成分が生じないように、所定周期で正負両極性に交互に変動するパルス電圧である（図５参照）。このパルス電圧は、正負両極性の波形について、振幅とパルス幅が同一である。振幅は固定であり、パルス幅は変動する。デューティ比は０％〜５０％の範囲で変化することができる。デューティ比を低くするとミラー光学素子２２の反射率は高くなり、デューティ比を高くするとミラー光学素子２２の反射率は低くなる。デューティ比が０％（ゼロ電圧印加状態）のとき、ミラー光学素子２２は最高反射率（例えば反射率４２％）で最低透過率の反射鏡状態（防眩オフモード時の状態）となる。デューティ比が５０％のとき、ミラー光学素子２２は最低反射率（例えば反射率１０％）で最高透過率の透過状態（モニターモード時の状態）となる。デューティ比が０％と５０％の間のデューティ比のとき、ミラー光学素子２２は最高反射率と最低反射率の間の反射率（例えば反射率４２％未満、１０％超）となる。防眩モード時のデューティ比は、例えば０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化可能とすることができる。これにより、防眩モード時のミラー光学素子２２の反射率は、最高反射率（例えば反射率４２％）から最低反射率（例えば反射率１０％）まで（または、より狭い範囲で）変化することができる。ＰＷＭ電圧の振幅は、この実施の形態ではデューティ比にかかわらず固定である（ただし、デューティ比が０％のときは振幅無し、つまりゼロ電圧を維持）。すなわち、ＰＷＭ電圧の振幅は、デューティ比が５０％のときに、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）内での温度変化に関わらず最低反射率（最高透過率）を維持するのに十分な振幅（正負両方向に同一振幅）に設定されている。

図２において、電子ミラー素子１４のモニター表示装置２０とミラー光学素子２２は、電子インナーミラー１０の動作モードに応じて次のように動作状態が切り替えられる。

《モニターモード》
モニター表示装置２０はオン（バックライト２６は点灯）される。ミラー光学素子２２には、デューティ比が５０％に固定されたパルス電圧が印加される。これにより、モニター表示装置２０は映像を発光表示し、ミラー光学素子２２は透過状態となる。その結果、運転者の視点１８からは、モニター表示装置２０の映像がミラー光学素子２２を透過して視認される。モニターモードではバックライト２６の点灯によりモニター表示装置２０が発熱する。このときモニター表示装置２０の温度は温度センサ３０で検出される。この温度検出に基づき、モニター表示装置２０のカラー液晶パネル２４の駆動について、表示品位に関する温度補償制御が行われる。また、検出される温度が所定値以上に達すると、バックライト２６の輝度が自動的に低減されて過度の温度上昇が抑制される。モニターモードではミラー光学素子２２には、デューティ比が５０％に固定されたパルス電圧を印加すればよいので、ミラー光学素子２２の温度補償制御は不要である。

《ミラーモード》
モニター表示装置２０はオフ（バックライト２６は消灯）される。ミラー光学素子２２には、防眩オフモード時にはデューティ比が０％に固定されたパルス電圧が印加され、防眩モード時にはデューティ比が０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化するパルス電圧が印加される。これにより、モニター表示装置２０は非表示となり、ミラー光学素子２２の反射率は、防眩オフモード時は反射鏡状態（最高反射率）に固定された状態となり、防眩モード時は反射鏡状態（最高反射率）から透過状態（最低反射率）まで（または、より狭い範囲で）変化する状態となる。その結果、運転者の視点１８からは、防眩オフモード時は非防眩の反射像が視認され、防眩モード時は防眩された（ミラー光学素子２２の反射率が最高反射率よりも低く設定された場合）反射像が視認される。このとき、モニター表示装置２０はオフでバックライト２６による発熱がないので、温度センサ３０で検出される温度はモニター表示装置２０の周囲の環境温度となり、ミラー光学素子２２の温度と見なせる。防眩モードでは、環境温度にかかわらず、指示された反射率（運転者の可変操作により任意に可変指示される反射率、または周囲光量および後方光量の関係に応じて自動で可変指示される反射率）が維持されるように、温度センサ３０で検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて、ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧のデューティ比が可変制御されて、温度補償制御が行われる。すなわち、デューティ比を０％と５０％の間の中間のデューティ比に固定すると、温度が低いときはミラー光学素子２２の反射率は高くなり、温度が高いときはミラー光学素子２２の反射率は低くなる（図８Ａ参照）。したがって、防眩モードでは、温度センサ３０で検出される温度が低いときは該パルス電圧のデューティ比を高くし、該検出される温度が高くなるに従って該パルス電圧のデューティ比を低くしていく。このデューティ比の温度補償制御を実時間で行うことにより、防眩モードでは、ミラー光学素子２２の温度に関わらず、自動またはマニュアル操作で指示された反射率が維持される。防眩オフモードではミラー光学素子２２にはデューティ比が０％に固定されたパルス電圧を印加（すなわち電圧印加無しに）すればよいので、ミラー光学素子２２の温度補償制御は不要である。また、ミラーモードでは、防眩オフモード、防眩モードのいずれの場合も、モニター表示装置２０はオフなので、モニター表示装置２０の温度補償制御は不要である。

以上の動作によれば、温度センサ３０は、モニター表示装置２０の制御に使用される期間はミラー光学素子２２の制御に使用されず、ミラー光学素子２２の制御に使用される期間はモニター表示装置２０の制御に使用されない。すなわち、温度センサ３０をモニター表示装置２０の制御とミラー光学素子２２の制御に同時に使用する期間は存在しない。したがって、温度センサ３０をモニター表示装置２０の制御とミラー光学素子２２の制御で共用することによる問題は生じない。また、制御回路（図１のマイコン９２）は温度センサ３０を利用した両制御を同時並行して実施する必要がないので、処理負荷が軽くてすむ。

ここで、電子ミラー素子１４の層構造の詳細例を図４を参照して説明する。なお、図４では、枠体２８および温度センサ３０の図示は省略している。図４において、電子ミラー素子１４の左側は電子ミラー素子１４の正面側であり、右側は同背面側である。運転者の視点１８は電子ミラー素子１４の正面側に配置される。ミラー光学素子２２は、２枚のガラス基板４６，４８をスペーサ４９を挟んで対向させることにより、ガラス基板４６，４８の間に空隙５２を形成した構造を有する。空隙５２にはＴＮ型液晶５４が封入されている。空隙５２の外周部全周は封止材５５（接着剤）で封止されている。ガラス基板４６，４８の互いの内側の面（対向面）の全面にはＩＴＯ透明電極膜５６，５８がそれぞれ成膜されている。ＩＴＯ透明電極膜５６，５８の表面には配向膜５７，５９がそれぞれ形成されている。正面側（表側）のガラス基板４６の正面側の面には吸収型偏光板Ｐ１が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ１は水平偏光（水平方向すなわち横方向の偏光をいうものとする）を吸収し、垂直偏光（垂直方向すなわち縦方向の偏光をいうものとする）を透過するように、構成されかつ吸収偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。背面側（裏側）のガラス基板４８の背面側の面には反射型偏光板Ｐ２が貼着されている。反射型偏光板Ｐ２は水平偏光を反射し、垂直偏光を透過するように、構成されかつ反射偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。反射型偏光板Ｐ２としては例えばスリーエム社製ＤＢＥＦ（登録商標）を使用することができる。

ミラー光学素子２２の前面には、高リタデーション位相差板３４が粘着剤等で貼り付けられている。高リタデーション位相差板３４を配置することにより、運転者が偏光メガネを着用した場合に、その観察角度によらず、モニターモード時の映像およびミラーモード時の反射像について、良好な視認性を確保することができる。すなわち、高リタデーション位相差板３４は、電子ミラー素子１４から運転者の視点１８に向けて出射される、いずれも垂直偏光の映像または反射像を無偏光に変換することにより、偏光メガネを着用した運転者はその観察角度によらず該映像または該反射像を良好に視認することができる。高リタデーション位相差板３４の垂直入射時の位相差R(0)は例えば３０００nm程度に設定することができる。

高リタデーション位相差板３４の前面には、高リタデーション位相差板３４を傷つき、破損等から保護する保護層３６が形成されている。保護層３６は、ハードコート層またはガラス板等で構成される。ハードコート層による保護層３６は、例えば、高リタデーション位相差板３４の前面にハードコート材料（アクリル系ハードコート樹脂等）を塗布し、成膜して形成することができる。ガラス板による保護層３６は、例えば、高リタデーション位相差板３４の前面にガラス板を粘着剤等で貼り付けて形成することができる。

一方、モニター表示装置２０はカラーモニターＬＣＤで構成される。すなわち、モニター表示装置２０は、カラー液晶パネル２４と、カラー液晶パネル２４の背面側に配置されたバックライト２６を有する。カラー液晶パネル２４は２枚のガラス基板６４，６６をスペーサ６８を挟んで対向させることにより、ガラス基板６４，６６の間に空隙７０を形成した構造を有する。空隙７０にはＩＰＳ（In Plane Switching）型液晶７２が封入されている。空隙７０の外周部全周は封止材７４で封止されている。正面側のガラス基板６４（カラーフィルター基板）の正面側の面には吸収型偏光板Ｐ３が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ３は水平偏光を吸収し、垂直偏光を透過するように、構成されかつ吸収偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。ガラス基板６４の背面側の面（ガラス基板６６との対向面）には、カラーフィルター７６、配向膜８０が順次積層されている。背面側のガラス基板６６（アレイ基板）の正面側の面（ガラス基板６４との対向面）には、ＴＦＴ回路およびＩＴＯ透明電極膜（画素電極）を含むアレイ膜８２、配向膜８４が順次積層されている。ガラス基板６６の背面側の面には吸収型偏光板Ｐ４が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ４は水平偏光を透過し、垂直偏光を吸収するように、構成されかつ透過偏光軸の方向および吸収偏光軸の方向が設定されている。偏光板Ｐ１〜Ｐ４の、水平偏光、垂直偏光に対する透過、吸収、反射の関係をまとめると次表のとおりである。なお、この表で偏光板Ｐ４についてカッコ書きの「又は吸収」「又は透過」は、モニター表示装置２０の背面側のガラス基板６６の背面側に配置される偏光板Ｐ４には、偏光軸の方向がガラス基板６６の前面側に配置される偏光板Ｐ３に対して直交ニコル配置されるものと平行ニコル配置されるものがあることを意味する。

Ｐ１(吸収型) Ｐ２(反射型) Ｐ３(吸収型) Ｐ４(吸収型)
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
水平偏光： 吸収 反射 吸収 透過（又は吸収）
垂直偏光： 透過 透過 透過 吸収（又は透過）

図４の層構造を有する電子ミラー素子１４の各動作モードにおける動作を説明する。

《モニターモード》
ミラー光学素子２２にデューティ比５０％のパルス電圧を印加する。すなわち、ＴＮ型液晶５４中の液晶分子が完全に立ち上がった状態となるＰＷＭ信号を印加する。また、モニター表示装置２０をオンする。すなわち、バックライト２６を点灯し、ＩＰＳ型液晶７２に画素単位で映像の画素に応じた駆動信号を印加する。このとき、モニター表示装置２０の最表面の吸収型偏光板Ｐ３からは垂直偏光の映像光が出射される。この映像光はミラー光学素子２２をそのまま透過して運転者の視点１８に導かれて該視認者に視認される。このときミラー光学素子２２に入射される外光は吸収型偏光板Ｐ１に入射される。入射された外光の水平偏光は吸収型偏光板Ｐ１で吸収される。また、該外光の垂直偏光はミラー光学素子２２を透過し、モニター表示装置２０に入射され、吸収型偏光板Ｐ３を透過して、吸収型偏光板Ｐ４で吸収される。したがって、該垂直偏光は運転者の視点１８には戻ってこない。

《ミラーモードの防眩オフモード》
ミラー光学素子２２にデューティ比０％のパルス電圧を印加する。すなわち、ＴＮ型液晶５４に対する電圧印加を無し（すなわち、ゼロ電圧印加）にする。また、モニター表示装置２０をオフする。すなわち、バックライト２６を消灯し、ＩＰＳ型液晶７２に対する駆動信号印加を無しとする。このとき、ミラー光学素子２２に入射される外光は吸収型偏光板Ｐ１に入射される。入射された外光の垂直偏光成分は吸収型偏光板Ｐ１を透過する。透過した垂直偏光はＴＮ型液晶５４で偏光方向が９０度回転されて水平偏光となる。この水平偏光は反射偏光軸が水平方向に設定されている反射型偏光板Ｐ２で反射される。反射された水平偏光はＴＮ型液晶５４で偏光方向が９０度回転されて垂直偏光となる。この垂直偏光は透過偏光軸が垂直方向に設定されている吸収型偏光板Ｐ１を透過して運転者の視点１８に導かれる。これにより高反射率の反射鏡状態が得られる。

《ミラーモードの防眩モード》
ミラー光学素子２２に、デューティ比が０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化するＰＷＭ変調パルス電圧が印加される。ＴＮ型液晶５４中の液晶分子が完全には立ち上がらない状態となる実効駆動電圧に相当する、０％と５０％中間のデューティ比を有するＰＷＭ信号を印加することにより、防眩オフモード時よりも反射率を低減させた反射率低減反射鏡状態が得られる。また、モニター表示装置２０をオフする。すなわち、バックライト２６を消灯し、ＩＰＳ型液晶７２に対する駆動信号印加を無しとする。このとき、ミラー光学素子２２に入射される外光は吸収型偏光板Ｐ１に入射される。入射された外光の垂直偏光成分は吸収型偏光板Ｐ１を透過する。透過した垂直偏光はＴＮ型液晶５４に入射されるが、ＴＮ型液晶５４に、その液晶分子が完全には立ち上がらない状態となる０％と５０％の中間のデューティ比のパルス電圧が印加されているときは、入射した垂直偏光は完全な水平偏光とはならず、一部が反射型偏光板Ｐ２を透過し、残りの一部が反射型偏光板Ｐ２で反射される。反射された偏光はＴＮ型液晶５４を透過し、該偏光の一部が吸収型偏光板Ｐ１を透過して運転者の視点１８に導かれる。これにより防眩オフモード時よりも反射率を低減させた反射率低減反射鏡状態が得られる。温度センサ３０で検出されるミラー光学素子２２の温度に応じてパルス電圧のデューティ比を実時間で補正して温度補償制御を行うことにより、温度変化があっても、自動またはマニュアル操作で指示された反射率が維持される。

ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧の一例について図５を参照して説明する。図５は、ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧のデューティ比が、(1)１５％、(2)３０％、(3)５０％の各場合について示している。これら各デューティ比において、「セグメントＡ電極駆動波形」は、図４のミラー光学素子２２の対向電極の一方を構成するＩＴＯ透明電極膜５６に印加する駆動電圧の波形である。「セグメントＢ電極駆動波形」は、同対向電極の他方を構成するＩＴＯ透明電極膜５８に印加する駆動電圧の波形である。「ミラー光学素子印加電圧」は、これら両駆動電圧により、ＩＴＯ透明電極膜５６，５８間に印加されるミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の波形である。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧は、セグメントＡ電極駆動波形とセグメントＢ電極駆動波形の差分の電圧となる。すなわち、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧は、電圧０Ｖを中心に±６Ｖの固定の振幅で正負両方向に振れるパルス電圧である。パルス幅は正負両パルスで同じパルス幅を維持して、デューティ比が０％〜５０％に変化する。したがって、ミラー光学素子２２の液晶（図４の空隙５２に封入されているＴＮ型液晶５４）を劣化させる直流成分は生じない。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数は例えば６０Hz〜１kHzである。この程度の周波数であれば、この駆動電圧に追従してミラー光学素子２２の液晶を駆動することができる。すなわち、駆動電圧が＋６Ｖおよび−６Ｖに維持されている期間はミラー光学素子２２は最低反射率でかつ最高透過率となり、駆動電圧が０Ｖの期間はミラー光学素子２２は最高反射率でかつ最低透過率となる。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数は、例えばこの６０Hz〜１kHzの周波数の範囲内で、モニター表示装置２０の駆動周波数等と干渉がなく、かつフリッカーなどが発生しない周波数を選択することができる。その結果、人の目には、駆動電圧が＋６Ｖおよび−６Ｖの期間と、駆動電圧が０Ｖの期間の長さの比率に応じた反射率および透過率が得られる。図５はミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数が１００Hz（周期が１０ミリ秒）の場合を示している。

ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比が図５に図示しない０％のとき（セグメントＡ電極駆動波形、セグメントＢ電極駆動波形、ミラー光学素子印加電圧は、いずれもに０Ｖで一定でありパルスは生じない）は、ミラー光学素子２２は最高反射率でかつ最低透過率の反射鏡状態となる。これは、ミラーモードの防眩オフモード時の状態である。車両のイグニッションキー位置がオフ位置のときおよび車両用インナーミラーの電源が喪失したしたときも、これと同じ状態となる。

ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比が図５(1)の１５％のときは、デューティ比が０％のときに比べて、ミラー光学素子２２の反射率は少し低下し、透過率は少し上昇する。

ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比が図５(2)の３０％のときは、デューティ比が１５％のときに比べて、ミラー光学素子２２の反射率がさらに低下し、透過率はさらに上昇する。

ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比が図５(3)の５０％のときは、ミラー光学素子２２は最低反射率でかつ最高透過率となる。これは、モニターモード時の状態である。

ミラーモードの防眩モード時は、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比は、自動またはマニュアル操作で、０％から５０％の範囲で（または、０％から５０％の範囲内のより狭い範囲で）段階的（２段階またはより多段階）にまたは無段階に変化して、ミラー光学素子２２の反射率が変化する。すなわち、デューティ比が０％のときは、ミラー光学素子２２はミラーモードの防眩オフモード時と同じ状態、すなわち最高反射率となる。デューティ比が５０％のときは、ミラー光学素子２２はモニターモード時と同じ状態、すなわち最低反射率となる。デューティ比が０％より大、５０％より小のときは、ミラー光学素子２２の反射率はデューティ比に応じて変化し、デューティ比が高くなるほど反射率は低くなる。

ミラー光学素子２２の、駆動信号に対する反射率の特性（駆動信号対反射率特性）および該特性の、温度による変化について説明する。はじめに、ミラー光学素子２２を電圧駆動する場合の特性を説明する。図６Ａは、ミラー光学素子２２の反射率を駆動交流電圧の電圧制御で変化させる場合の印加電圧対反射率特性（この実施の形態で「反射率」は全光線反射率である場合を示す）であり、複数の温度における特性を示す。摂氏−３０度、２５度、８０度の特性を、ＲＶ(-30)、ＲＶ(25)、ＲＶ(80)でそれぞれ示す。ミラー光学素子２２の温度が摂氏２５度のときは（特性ＲＶ(25)）、ミラー光学素子２２の反射率は、印加電圧が概ね０Ｖ〜２Ｖのときに最高反射率を維持し、印加電圧が概ね２Ｖ〜４Ｖのときに電圧の上昇とともに反射率が低下し、印加電圧が概ね４Ｖ〜６Ｖのときに最低反射率を維持する。この特性ＲＶ(25)は、ミラー光学素子２２の温度変化に応じて印加電圧方向にシフトする。すなわち、所定の中間反射率（最高反射率と最低反射率の間の反射率）を維持するための印加電圧は、ミラー光学素子２２の温度が上昇すると低くなり（例えば特性ＲＶ(80)）、温度が低下すると高くなる（例えば特性ＲＶ(-30)）。

このように温度に応じて変化する特性に対応して、例えば次の温度制御方法を実行することができる。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとの印加電圧対反射率特性を求めてテーブルに記憶しておき、防眩モード時に、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて、該当する温度の印加電圧対反射率特性から、自動またはマニュアル操作で指示された反射率指令値に応じた印加電圧値を読み出して、ミラー光学素子２２の印加電圧値を該読み出された値に制御する（「電圧駆動におけるテーブル法」という）。これにより、防眩モード時に、温度変化にかかわらず、反射率指令値で指令された反射率を維持することができる。

別の温度補償制御方法として次の方法を実行することもできる。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとに求められた印加電圧対反射率特性のうち、所定の温度（基準温度）における印加電圧対反射率特性を基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておくとともに、温度に対する印加電圧のシフト量を補正する特性を温度対印加電圧補正量特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。そして、防眩モード時に、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて温度対印加電圧補正量特性から印加電圧の補正量を読み出してまたは算出して、該補正量で基準特性を印加電圧方向にシフトした特性に応じて、印加電圧を制御してミラー光学素子２２の反射率を制御する（「電圧駆動におけるシフト法」という）。

電圧駆動におけるシフト法による具体例として、図６Ａの印加電圧対反射率特性に基づく基準特性と温度対印加電圧補正量特性、および両特性に基づく防眩モード時のミラー光学素子２２の反射率制御の一例を説明する。図６Ａの摂氏２５度の特性を温度対印加電圧補正量特性の基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。一方、該基準特性に対する温度対印加電圧補正量特性として、前記実験結果に基づき求められる例えば図７に示す温度対印加電圧補正量特性をメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。

図６Ｂは防眩モード時の温度対印加電圧補正量特性の温度補償動作の一例を模式的に示す。ミラー光学素子２２の検出温度に応じて、図７の温度対印加電圧補正量特性から、該当する温度における印加電圧の補正量を求め、温度対印加電圧補正量特性の基準特性ＲＶ(25)を該補正量で印加電圧方向にシフトした特性に基づき、反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。例えば、摂氏−３０度のときは、図７の温度対印加電圧補正量特性から、摂氏−３０度における印加電圧の補正量ΔＶ(-30)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてプラス方向にΔＶ(-30)シフトした図６Ｂの特性ＲＶ(-30)’を利用して、該特性ＲＶ(-30)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。また、摂氏８０度のときは、図７の温度対印加電圧補正量特性から、摂氏８０度における印加電圧の補正量ΔＶ(80)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてマイナス方向にΔＶ(80)シフトした図６Ｂの特性ＲＶ(80)’を利用して、該特性ＲＶ(80)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。摂氏−３０度〜摂氏８０度の間の温度ｔのときも同様に、図７の温度対印加電圧補正量特性から、温度ｔにおける印加電圧の補正量ΔＶ(t)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてΔＶ(t)シフトした特性ＲＶ(t)’を利用して、該特性ＲＶ(t)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。これにより、ミラー光学素子２２について、温度変化にかかわらず、反射率指令値で指令された反射率が概ね実現される。

次に、ミラー光学素子２２をパルス電圧駆動（ＰＷＭ駆動）する場合の特性を説明する。図８Ａは、ミラー光学素子２２の反射率を駆動パルス電圧のデューティ比制御で変化させる場合のデューティ比対反射率特性であり、複数の温度における特性を示す。摂氏−３０度、２５度、８０度の特性を、ＲＤ(-30)、ＲＤ(25)、ＲＤ(80)でそれぞれ示す。パルス電圧の波形は図５のとおりで、±６Ｖの固定振幅でデューティ比が変化する波形である。図８Ａにおいて、ミラー光学素子２２の温度が摂氏２５度のときは（特性ＲＤ(25)）、ミラー光学素子２２の反射率は、デューティ比が概ね０％〜３％のときに最高反射率を維持し、デューティ比が概ね３％〜２０％のときにデューティ比の上昇とともに反射率が低下し、デューティ比が概ね２０％〜５０％のときに最低反射率を維持する。この特性は、ミラー光学素子２２の温度に応じて変化する。すなわち、所定の中間反射率を維持するためのデューティ比は、ミラー光学素子２２の温度が上昇すると低くなり（例えば特性ＲＤ(80)）、温度が低下すると高くなる（例えば特性ＲＤ(-30)）。ただし、電圧駆動の場合と異なり、温度に応じて単純にデューティ比方向にシフトした特性とはならない。具体的には、温度が摂氏−３０度のときの特性は、摂氏２５度のときの特性をデューティー比についてプラス方向にシフトした特性となる。これに対し、温度が摂氏８０度のときの特性は、摂氏２５度のときの特性をデューティー比について単純にマイナス方向にシフトした特性とはならず、特性形状自体が摂氏２５度のときの特性とは異なる特性となる。すなわち、摂氏８０度のときの特性は、摂氏２５度のときの特性に比べて、反射率が概ね２５％よりも低い領域で、デューティ比の変化に対する反射率の変化が小さい（特性グラフの勾配が小さい）特性となる。

このように温度に応じて変化する特性に対応して、例えば次の温度制御方法を実行することができる。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとのデューティ比対反射率特性を求めてテーブルに記憶しておき、防眩モード時に、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて、該当する温度のデューティ比対反射率特性から、自動またはマニュアル操作で指示された反射率指令値に応じたデューティ比を読み出して、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該読み出された値に制御する（「パルス電圧駆動におけるテーブル法」という）。これにより、防眩モード時に、温度変化にかかわらず、反射率指令値で指令された反射率を維持することができる。

別の温度補償制御方法として次の方法を実行することができる。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとに求められたデューティ比対反射率特性のうち、所定の温度（基準温度）におけるデューティ比対反射率特性を基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておくとともに、温度に対するデューティ比のシフト量を補正する特性を温度対デューティ比補正量特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。そして、防眩モード時に、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を読み出してまたは算出して、該補正量で基準特性をデューティ比方向にシフトした特性に応じて、デューティ比を制御してミラー光学素子２２の反射率を制御する（「パルス電圧駆動におけるシフト法」という）。パルス電圧駆動におけるシフト法で使用する温度対デューティ比補正量特性の一例を図９に示す。この温度対デューティ比補正量特性の設定方法として例えば次の２つの方法が考えられる。
・設定方法１：温度ごとのデューティ比補正量をテーブルとしてメモリに記憶する。
・設定方法２：温度対デューティ比補正量の特性を演算式（例えば、所定の温度区分ごとの演算式の組合せ）としてメモリに記憶する。例えば、摂氏−３０度〜摂氏４０度直前までを１つの演算式として設定し、摂氏４０度〜摂氏８０度までを摂氏１０度刻みの複数の演算式で設定することができる。
ただし、パルス電圧駆動の場合は、前述のとおり、温度が高い領域の温度対デューティ比補正量特性は、温度が低いときの温度対デューティ比補正量特性をデューティー比について単純にシフトした特性とはならず、特性形状自体が、温度が低いときの特性形状とは異なる形状となる。すなわち、温度が高いときの温度対デューティ比補正量特性は、温度が低いときの特性に比べて、反射率が低い領域で、デューティ比の変化に対する反射率の変化が小さい（特性グラフの勾配が小さい）特性となる。したがって、パルス電圧駆動におけるシフト法によれば、反射率指令値が低いときに、反射率指令値が変わらなくても、温度変化（低い温度から高い温度への変化またはその逆の変化）によってミラー光学素子２２の反射率が多少変動する。

そこで、このような温度変化による反射率の変動を抑制するために、温度が高い領域と低い領域とで温度補償制御方法を切り替えることが考えられる（「パルス電圧駆動における複合法」という）。すなわち、予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとのデューティ比対反射率特性を求める。そして、デューティ比対反射率特性が温度に応じてデューティ比方向に単純にシフトした特性とならない、温度が高い領域（第１の温度領域）については、単位温度ごとのデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶しておき、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて、該当する温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に応じたデューティ比を読み出して、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該読み出された値に制御する（第１の温度補償制御）。これに対し、デューティ比対反射率特性が、概ね、温度に応じてデューティ比方向にシフトした特性となる、温度が低い領域（第２の温度領域）については、該温度領域内の所定の温度（基準温度）におけるデューティ比対反射率特性を基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておくとともに、温度に対するデューティ比のシフト量を補正する特性を温度対デューティ比補正量特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。そして、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を読み出してまたは算出して、該補正量で基準特性をデューティ比方向にシフトした特性に応じて、デューティ比を制御してミラー光学素子２２の反射率を制御する（第２の温度補償制御）。このようにして、パルス電圧駆動における複合法によれば、温度が高い領域と低い領域とで温度補償制御方法を切り替えることにより（この制御方法を切り替える温度を「制御切替温度」という）、パルス電圧駆動におけるシフト法に比べて温度変化による反射率の変動を抑制することができる。

パルス電圧駆動における複合法による具体例として、図８Ａのデューティ比対反射率特性に基づく基準特性と温度対デューティ比補正量特性および両特性に基づくミラー光学素子２２の反射率制御の一例を説明する。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとのデューティ比対反射率特性を求める。その結果、例えば摂氏２５度以下の特性が、概ね、摂氏２５度の特性をデューティ比方向にシフトした特性であれは、摂氏２５度を基準温度とすることができる。摂氏２５度を基準温度とした場合は、動作保証温度範囲のうち摂氏２５度以上の温度範囲（第１の温度領域）について、単位温度ごとのデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶しておく。このうち、図８Ａの摂氏２５度の特性ＲＤ(25)が温度対デューティ比補正量特性が基準特性である。一方、動作保証温度範囲のうち摂氏２５度よりも低い温度範囲（第２の温度領域）について、基準特性ＲＤ(25)に対する温度対デューティ比補正量特性として、前記実験結果に基づき求められる例えば図１０に示す温度対デューティ比補正量特性をメモリに設定しておく。この温度対デューティ比補正量特性の設定方法としては、例えば前述した設定方法１、設定方法２が考えられる。

図８Ｂは温度対デューティ比補正量特性の温度補償動作の一例を模式的に示す。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度以上のときは、ミラー光学素子２２の検出温度に応じて、該当する温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に応じたデューティ比を読み出して、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該読み出された値に制御する。例えば、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏８０度のときは、図８Ｂの摂氏８０度におけるデューティ比対反射率特性ＲＤ(80)から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する（第１の温度補償制御）。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度〜摂氏８０度の間の温度ｔのときも同様に、ミラー光学素子２２の検出温度におけるデューティ比対反射率特性ＲＤ(t)から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する。

一方、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度よりも低いときは、ミラー光学素子２２の検出温度に応じて温度対デューティ比補正量特性から、該当する温度におけるデューティ比の補正量を求め（テーブルからの読み出しまたは演算式からの算出で求める）、温度対デューティ比補正量特性の基準特性を該補正量でデューティ比方向にシフトした特性に基づき、反射率指令値を実現するデューティ比を求めて、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する。例えば、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏−３０度のときは、図１０の温度対デューティ比補正量特性から、摂氏−３０度におけるデューティ比の補正量ΔＤ(-30)を求め、図８Ｂの基準特性ＲＤ(25)をデューティ比についてプラス方向にΔＤ(-30)シフトした図８Ｂの特性ＲＤ(-30)’を利用して、該特性ＲＤ(-30)’から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する（第２の温度補償制御）。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏−３０度〜摂氏２５度の間の温度ｔのときも同様に、図１０の温度対デューティ比補正量特性から、温度ｔにおけるデューティ比の補正量ΔＤ(t)を求め、図８Ｂの基準特性ＲＤ(25)をデューティ比についてマイナス方向にΔＤ(t)シフトした特性ＲＤ(t)’を利用して、該特性ＲＤ(t)’から反射率指令値を実現するデューティ比を求める。

以上のパルス電圧駆動における複合法によるデューティ比制御により、ミラー光学素子２２について、全動作保証温度範囲で温度変化にかかわらず、反射率指令値で指令された反射率が概ね実現される。

電子インナーミラー１０の制御システム構成を図１を参照して説明する。この実施の形態では、パルス電圧駆動における複合法を利用して、図８Ａ、図８Ｂ、図１０の特性に基づき、基準温度を摂氏２５度に設定してミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を制御する場合について説明する。この実施の形態では、制御切替温度を基準温度に等しく設定している。後方カメラ８６は車両の車外後部の左右中央位置に、光軸を車両後方水平方向に向けて設置されたカラービデオカメラである。モニターモード時に後方カメラ８６で撮像された車両後方の映像は、描画回路８８で、必要な信号処理が施された後に、モニター表示装置２０に供給されて、モニター表示装置２０にリアルタイムで表示される。温度センサ３０はここではサーミスタで構成されている。温度検出回路９０は温度センサ３０の抵抗値を、該抵抗値に対応する値（すなわち、検出温度に対応する値）の電圧に変換する。マイコン９２は、運転者による任意の動作モード切替操作に基づき動作モードの切替制御（自動防眩／マニュアル防眩／防眩オフ）を行う。すなわち、マイコン９２（制御回路）は各種信号を入力して、モニター表示装置２０のオン／オフ制御および輝度制御およびミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比制御等を行う。温度検出回路９０の出力電圧はマイコン９２のアナログポートに入力されてＡ／Ｄ変換される。該Ａ／Ｄ変換された信号は、モニターモード時はモニター表示装置２０の温度制御および表示品位に関する温度補償制御に使用される。また、該Ａ／Ｄ変換された信号は、ミラーモードの防眩モード時はミラー光学素子２２の反射率の温度補償制御に使用される。周囲光センサ９４は車両の周囲の光量を検出する。後方光センサ９６は車両の後方の光量を検出する。周囲光センサ９４および後方光センサ９６は、例えば電子インナーミラー１０のハウジング１２（図２）に搭載される。すなわち、周囲光センサ９４は車両前方に向けてハウジング１２に搭載され、後方光センサ９６は車両後方に向けてハウジング１２に搭載される。信号処理回路９８は、検出された周囲光量および後方光量に基づき、防眩要否判定処理および、該処理で「防眩要」と判定されたときの反射率指令値情報の出力処理を行う。すなわち、周囲光量が所定値以上のとき（昼間と見なせるとき）は、防眩は不要なので、後方光量の大小にかかわらず「防眩不要」の判定信号を出力する。周囲光量が所定値よりも小さいとき（夜間と見なせるとき）は、後方光量に応じて判定が切り替わる。すなわち、後方光量が所定値よりも小さいときは防眩は不要なので、「防眩不要」の判定信号を出力する。後方光量が所定値以上のとき（例えば、後続車の前照灯の強い光を受けているとき）は防眩が必要なので「防眩要」の判定信号を出力する。さらに、「防眩要」と判定されたときは、検出された周囲光量および後方光量に基づき、両光量の組合せに応じて適正な防眩状態が得られる反射率の指令値（調整目標の反射率値）を示す情報（反射率指令値情報）を所定に演算により、または予め用意されたテーブルを参照して求め、出力する。両光量の組合せに応じた適正な防眩状態とは、周囲光量が一定であれば後方光量が大きくなるに従いミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を高めて反射率を低下させ、後方光量が一定であれば周囲光量が小さくなるに従いデューティ比を高めて反射率を低下させるようにする状態である。これにより、運転者に対して、後方像の視認性を阻害しすぎずかつ反射光の眩しさを軽減できる防眩状態を提供できる。防眩要否判定信号は、マイコン９２に入力されて、ミラーモードの自動防眩モードにおいて、非防眩状態（パルス電圧のデューティ比を０％に固定した状態）と防眩状態（パルス電圧のデューティ比を０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化させる状態）の自動切替制御に利用される。また、反射率指令値情報は、マイコン９２に入力されて、ミラーモードの自動防眩モードにおいて、反射率の可変制御の反射率指令値の情報として利用される。

デューティ比特性メモリ１００は、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）のうち摂氏２５度以上の温度範囲について、単位温度ごとのデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶している。摂氏２５度より低い温度範囲についてはデューティ比対反射率特性を記憶していない。これにより、防眩モード時（自動防眩モード時およびマニュアル防眩モード時）に、摂氏２５度以上の温度範囲について、ミラー光学素子２２の温度に関わらず反射率指令値情報で指令されたミラー光学素子２２の反射率を実現することができる。なお、この実施の形態では、摂氏２５度のデューティ比対反射率特性をデューティ比対反射率特性の基準特性として利用する。

デューティ比補正量特性メモリ１０１は、動作保証温度範囲のうち摂氏２５度より低い温度範囲について、基準温度（摂氏２５度）におけるデューティ比対反射率特性に対する（つまり、基準温度におけるデューティ比補正量を０％とした）温度対デューティ比補正量特性を記憶（テーブルまたは演算式として記憶）している。摂氏２５度以上の温度範囲については、温度対デューティ比補正量特性を記憶していない。

防眩モード時のマイコン９２によるミラー光学素子２２の反射率制御を説明する。
（反射率指令値の出力制御）
・自動防眩モード時：信号処理回路９８から周囲光量と後方光量の組み合わせに応じた反射率指令値が出力される。
・マニュアル防眩モード時：運転者の可変操作（手動操作、音声操作等）に応じた反射率指令値が入力される。
（反射率制御）
・温度センサ３０で検出された温度が基準温度（摂氏２５度）以上のとき：第１の温度補償制御として、次が実行される。温度センサ３０で検出される温度に応じて、デューティ比特性メモリ１００に記憶されている該当する温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に応じたデューティ比の情報がリアルタイムで読み出される。ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧のデューティ比が、該読み出された情報によるデューティ比にリアルタイムで設定される。ミラー光学素子２２は該パルス電圧で駆動される。その結果、ミラー光学素子２２の反射率は、温度変化に関わらず、指令された値に制御される。
・温度センサ３０で検出された温度が基準温度よりも低いとき：第２の温度補償制御として、次が実行される。デューティ比特性メモリ１００に記憶されている基準温度（摂氏２５度）におけるデューティ比対反射率特性から、反射率指令値に応じたデューティ比の情報を読み出す。あわせて、デューティ比補正量特性メモリ１０１から温度センサ３０で検出された温度に応じたデューティ比補正量の情報を読み出しまたは算出する。デューティ比特性メモリ１００から読み出されたデューティ比の情報を、デューティ比補正量特性メモリ１０１から読み出されまたは算出されたデューティ比補正量の情報でシフト（増減）した補正デューティ比の情報を求める。ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧のデューティ比が該補正デューティ比の情報によるデューティ比に設定される。ミラー光学素子２２は該パルス電圧で駆動される。その結果、ミラー光学素子２２の反射率は、温度変化に関わらず、指令された値に制御される。

表示品位に関する温度補償特性メモリ１０２は、モニターモード時にモニター表示装置２０の温度に関わらず所定の表示品位（色度等）を得るための特性を記憶（テーブルまたは演算式として記憶）している。この特性は、表示信号によるカラー液晶パネルの駆動電圧（すなわち、表示信号に応じた駆動信号のレベル）を、温度に応じて調整する特性である。表示品位に関する温度補償特性メモリ１０２からは、モニターモード時に、温度検出回路９０から得られる温度検出信号に基づき、マイコン９２により、該当する調整量が読み出されまたは算出される。マイコン９２には、このほかに、動作モード切替信号、防眩モード切替信号、ライト点灯信号等が入力される。動作モード切替信号は、モニターモードとミラーモードを切り替える信号で、運転者による動作モード切替操作に応じた信号である。防眩モード切替信号は、動作モードとして、自動防眩、マニュアル防眩、防眩オフを切り替える信号で、運転者による防眩モード切替操作に応じた信号である。ライト点灯信号は、車幅灯またはヘッドランプが点灯されていることを示す信号である。モニター表示制御部１０４は、マイコン９２から出力されるモニター表示装置２０の制御信号に基づき、モニター表示装置２０のオン／オフ制御および輝度制御（温度制御）および表示品位に関する温度補償制御を行う。ミラー光学素子駆動回路１０６は、マイコン９２から出力されるミラー光学素子２２の制御信号に基づき、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比制御を行う。なお、デューティ比特性メモリ１００、デューティ比補正量特性メモリ１０１、表示品位に関する温度補償特性メモリ１０２は同一メモリ素子内に用意することができる。

バックライト駆動回路１０５は、モニター表示装置２０のバックライト２６（図２）のオン、オフ制御およびオン時の輝度制御を、バックライト２６（白色発光ダイオード）の駆動電流のＰＷＭ制御で行う。すなわち、ミラーモードでは該駆動電流のデューティ比を０％に設定してバックライト２６を消灯する。モニターモードでは、該駆動電流のデューティ比を所定値以上に高めて点灯する。また、モニターモードでは、夜間／中間の切替え（ランプ（車幅灯およびヘッドランプ）の点灯の有無）および温度センサ３０で検出される温度に応じて該駆動電流のデューティ比の切替えを行う。すなわち、夜間はデューティ比を低下させてモニター映像の眩しさを軽減し、昼間はデューティ比を上昇させてモニター映像の視認性を向上させる。また、温度センサ３０で検出される温度が所定値を超えたときは、デューティ比を例えば夜間用のデューティ比に低下させて更なる温度上昇を抑制する。

図１の制御システム構成におけるマイコン９２による電子インナーミラー１０の各動作時の制御内容を図１１を参照して説明する。車両のイグニッション電源がオンされると（Ｓ１）、現在設定されている動作モードが判定される（Ｓ２）。その結果、モニターモードに設定されている場合は（Ｓ２で“ＹＥＳ”）、モニター表示装置２０がオン（バックライト２６は点灯）される（Ｓ３）。また、ミラー光学素子２２がデューティ比５０％固定で駆動されて透過状態にされる（Ｓ４）。このときミラー光学素子２２はデューティ比５０％固定で駆動すればよいので、ミラー光学素子２２について反射率の温度補償制御は不要であり行われない。後方カメラ８６で撮像された車両後方の映像がモニター表示装置２０に表示され、該映像はミラー光学素子２２を透過して運転者の視点１８に達する。これにより、運転者はこの映像を確認しながら車両を運転することができる。モニターモードでは温度センサ３０による温度検出が繰り返し行われる（Ｓ５）。そして、検出された温度に応じて、周知の表示品位に関する温度補償制御が行われる（Ｓ６）。この温度補償制御は、例えば、表示信号に対応したモニター表示装置２０の駆動信号のレベルを調整することによる透過率補正制御や、特許文献４に記載の色度補正制御等である。さらに、検出される温度が、過熱状態と判定される温度以下で（Ｓ７で“ＮＯ”）、かつランプ（車幅灯およびヘッドランプ）が消灯のときは（Ｓ８で“ＮＯ”）、バックライト２６の輝度を「高」に設定する（Ｓ９）。これに対し、検出される温度が、過熱状態と判定される温度以下（Ｓ７で“ＮＯ”）で、かつランプ（車幅灯またはヘッドランプ）が点灯（Ｓ８で“ＹＥＳ”）のときは、バックライト２６の輝度を「低」（夜間モード）に設定して（Ｓ１０）、モニター表示の眩しさを軽減させる。また、検出される温度が、過熱状態と判定される温度を超えたときは（Ｓ７で“ＹＥＳ”）、バックライト２６の輝度を「低」（夜間モード時と同じかまたは異なる輝度）に設定して（Ｓ１１）、更なる温度上昇を抑制する。なお、ステップＳ８〜Ｓ１０は、ランプの点灯の有無によるモニター輝度の制御に代えて、周囲光センサ（例えば図１の周囲光センサ９４）で検出される周囲光量に応じてモニター輝度を段階的にまたは連続的に可変する（周囲光量が大きくなるほど輝度を高くする）制御とすることもできる。

運転者によるモード切替操作により動作モードがミラーモードに切り替えられると（Ｓ２で“ＮＯ”）、モニター表示装置２０がオフ（バックライト２６は消灯）される（Ｓ１２）。そして、防眩条件（防眩状態とする条件に）に合致しているか否かが判定される（Ｓ１３）。
すなわち、次の(a)(b)(c)のいずれかに該当するときは、「非防眩」とすべき状態である。
(a) 防眩オフが設定されているとき
(b) 自動防眩が設定され、かつ周囲光量が所定値以上のとき
(c) 自動防眩が設定され、かつ周囲光量が所定値よりも小さく、かつ後方光量が所定値よりも小さいとき
これに対し、次の(d)(e)のいずれかに該当するときは、「防眩」とすべき状態である。
(d) マニュアル防眩が設定されているとき
(e) 自動防眩が設定され、かつ周囲光量が所定値よりも小さく、かつ後方光量が所定値以上のとき

そこで、防眩オフのときは（Ｓ１３で“ＹＥＳ”、上記(a)に該当）、ミラー光学素子２２をデューティ比０％固定で駆動する（Ｓ１６）。このときミラー光学素子２２はデューティ比０％固定で駆動すればよいので、ミラー光学素子２２について反射率の温度補償制御は不要であり行われない。

一方、自動防眩が設定されているときに（Ｓ１３で“ＮＯ”、かつＳ１４で“自動”）、防眩条件に合致しているときは（Ｓ１５で“ＹＥＳ”、上記(e)に該当）、周囲光量と後方光量に応じて反射率指令値が自動で算出される（Ｓ１７）。このとき、温度センサ３０で温度が繰り返し検出される（Ｓ１８）。検出された温度が制御切替温度以上のときは（Ｓ１９で“ＹＥＳ”）、デューティ比特性メモリ１００に記憶されている、検出された温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に対応したデューティ比の情報をリアルタイムで読み出して、ミラー光学素子２２を該当するデューティ比で駆動する（Ｓ２０）。これに対し、検出された温度が制御切替温度よりも低いときは（Ｓ１９で“ＮＯ”）、デューティ比特性メモリ１００に記憶されている基準特性（摂氏２５度のデューティ比対反射率特性）から、反射率指令値に対応したデューティ比の情報を読み出す。また、デューティ比補正量特性メモリ１０１から、検出された温度に対応するデューティ比の補正量をリアルタイムで読み出しまたは算出する。そして、該読み出されたデューティ比を、該読み出されたまたは算出されたデューティ比の補正量で補正したデューティ比をリアルタイムで算出し、ミラー光学素子２２を該補正されたデューティ比で駆動する（Ｓ２１）。以上の制御により、自動防眩時に、温度変化に関わらず、算出された反射率指令値に概ね合致したミラー光学素子２２の反射率が実現される。

また、マニュアル防眩が設定されているときは（Ｓ１４で“マニュアル”）、運転者の可変操作で指示された反射率指令値が入力される（Ｓ２２）。このとき、温度センサ３０で温度が繰り返し検出される（Ｓ１８）。検出された温度が制御切替温度以上のときは（Ｓ１９で“ＹＥＳ”）、デューティ比特性メモリ１００に記憶されている、検出された温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に対応したデューティ比の情報をリアルタイムで読み出して、ミラー光学素子２２を該当するデューティ比で駆動する（Ｓ２０）。これに対し、検出された温度が制御切替温度よりも低いときは（Ｓ１９で“ＮＯ”）、デューティ比特性メモリ１００に記憶されている基準特性から、反射率指令値に対応したデューティ比の情報を読み出す。また、デューティ比補正量特性メモリ１０１から、検出された温度に対応するデューティ比の補正量をリアルタイムで読み出しまたは算出する。そして、読み出されたデューティ比を、読み出されまたは算出されデューティ比の補正量で補正したデューティ比をリアルタイムで算出し、ミラー光学素子２２を該補正されたデューティ比で駆動する（Ｓ２１）。以上の制御により、マニュアル防眩時に、温度変化に関わらず、指示された反射率指令値に概ね合致したミラー光学素子２２の反射率が実現される。なお、図１１はパルス電圧駆動における複合法における制御内容を示したが、パルス電圧駆動におけるテーブル法の場合は、ステップＳ１９〜Ｓ２１に代えて、ステップＳ１８で検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて、該当する温度のデューティ比対反射率特性から、自動またはマニュアル操作で指示された反射率指令値に応じたデューティ比を読み出して、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該読み出された値にする制御する。また、パルス電圧駆動におけるシフト法の場合は、ステップＳ１９〜Ｓ２１に代えて、ステップＳ１８で検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を読み出してまたは算出して、該補正量で基準特性をデューティ比方向にシフトした特性に応じて、デューティ比を制御してミラー光学素子２２の反射率を制御する。

以上の制御は車両のイグニッション電源がオンされている間中、継続される（Ｓ２３で“ＮＯ”）。車両のイグニッション電源がオフされると（Ｓ２３で“ＹＥＳ”）、制御が終了する（Ｓ２４）。車両のイグニッション電源がオフされた状態では、モニター表示装置２０はオフで、ミラー光学素子２２は実質的に防眩オフモードと同じ状態となり、物理ミラーによる後方視認機能が確保される。また、仮に、車両のイグニッション電源がオンであるにもかかわらず、電子インナーミラー１０が故障して電源が供給されなくなったときも、モニター表示装置２０はオフとなり、ミラー光学素子２２は実質的に防眩オフモードと同じ状態となり、物理ミラーによる後方視認機能が確保される。

前記実施の形態では防眩モード時のデューティ比を０％から５０％まで変化させたが、０％から５０％内のより狭い範囲で（例えば、１０％から４０％）変化させることもできる。
前記実施の形態では、ミラー光学素子は、印加するパルス電圧のデューティ比が高くなるほど反射率が低くなるようにしたが、これとは逆に、印加するパルス電圧のデューティ比が高くなるほど反射率が高くなるようにすることもできる。
前記実施の形態ではＰＷＭ電圧の振幅を固定としたが、該振幅を可変（例えば２段階等の複数段階に可変）とすることもできる。
前記実施の形態では、デューティ比特性メモリ１００は、ミラー光学素子２２に印加するパルス信号のデューティ比に対するミラー光学素子２２の反射率の特性を記憶したが、これに代えて、該デューティ比に対する透過率の特性を記憶することもできる。
前記実施の形態では、デューティ比特性メモリ１００がデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶する場合について説明したが、デューティ比特性メモリ１００はデューティ比対反射率特性を演算式として記憶するように構成することもできる。
前記実施の形態では温度センサとして可変抵抗型温度センサ（サーミスタ）を用いたが、これに限らない。すなわち、半導体型温度センサ、その他各種の温度センサを用いることができる。
前記実施の形態では温度センサの設置位置をモニター表示装置の枠体の内側としたが、これに限らない。すなわち、モニター表示装置の枠体の外側、その他モニター表示装置の温度を検出できる箇所に温度センサを設置することができる。
前記実施の形態では温度センサの設置位置を枠体の上辺部としたが、これに限らず、温度センサを枠体の測辺部、下辺部等に設置することもできる。モニター表示装置において最も高温となるバックライトの光源の近くに温度センサを設置すれば、モニター表示装置の一部が局部的に過熱状態となるのを抑制することができる。
前記実施の形態ではミラー光学素子を、背面側に反射型偏光板を配置したＴＮ型液晶パネルで構成したが、この発明で使用するミラー光学素子はこれに限らない。すなわち、電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化するその他のミラー光学素子を用いることができる。
前記実施の形態ではモニター表示装置の検出温度に応じてバックライトの輝度を高、低２段階に切り替えるようにしたが、これに限らない。すなわち、モニター表示装置の検出温度に応じてバックライトの輝度を多段階または無段階に可変制御することもできる。また、使用者による操作でバックライトの輝度を可変調整可能にするように構成することもできる。
前記実施の形態では制御回路をマイコンで構成したが、これに限らず複数の回路素子の組み合わせで構成することもできる。
前記実施の形態ではインナーミラーの被視認面の全面についてモニターモードとミラーモードを切り替えるようにしたが、これに限らない。例えば特許文献１に記載のインナーミラーのように、被視認面の一部の領域に限りモニター表示装置を配置して、その領域についてのみモニターモードとミラーモードを切り替えるようにすることもできる。
前記実施の形態ではモニター表示装置の液晶はＩＰＳ型液晶としたが、これに限定されるものでは無く、ＦＳＳ（Fringe Field Switching）型液晶やＶＡ（Vertical Align）型液晶やＴＮ型液晶であっても良い。
前記実施の形態ではこの発明を車両用インナーミラーに適用した場合について説明したが、この発明はこれに限らず、モニターモードとミラーモードを有する様々な用途のミラー表示装置に適用することができる。

１０…電子インナーミラー（ミラー表示装置）、１２…ハウジング、１２ａ…内部空間、１２ｂ…開口部、１４…電子ミラー素子、１４ａ…被視認面、１６…回路基板、１８…運転者の視点、２０…モニター表示装置（液晶表示装置）、２０ａ…表示面、２１…両面テープ、２２…ミラー光学素子（ＴＮ型液晶パネル）、２４…カラー液晶パネル、２５…積層体、２６…バックライト、２８…枠体、２８ａ…ベゼル部、３０…温度センサ、３４…高リタデーション位相差板、３６…保護層、４６…ガラス基板、４８…ガラス基板、４９…スペーサ、５２…空隙、５４…ＴＮ型液晶、５５…封止材、５６…ＩＴＯ透明電極膜、５７…配向膜、５８…ＩＴＯ透明電極膜、５９…配向膜、６４…ガラス基板、６６…ガラス基板、６８…スペーサ、７０…空隙、７２…ＩＰＳ型液晶、７４…封止材、７６…カラーフィルター、８０…配向膜、８２…アレイ膜、８４…配向膜、８６…後方カメラ、８８…描画回路、９０…温度検出回路、９２…マイコン（制御回路）、９４…周囲光センサ、９６…後方光センサ、９８…信号処理回路、１００…デューティ比特性メモリ、１０１…デューティ比補正量特性メモリ、１０２…表示品位に関する温度補償特性メモリ、１０４…モニター表示制御部、１０５…バックライト駆動回路、１０６…ミラー光学素子駆動回路、Ｐ１…吸収型偏光板、Ｐ２…反射型偏光板、Ｐ３…吸収型偏光板、Ｐ４…吸収型偏光板

ここで、電子ミラー素子１４の層構造の詳細例を図４を参照して説明する。なお、図４では、枠体２８および温度センサ３０の図示は省略している。図４において、電子ミラー素子１４の左側は電子ミラー素子１４の正面側であり、右側は同背面側である。運転者の視点１８は電子ミラー素子１４の正面側に配置される。ミラー光学素子２２は、２枚のガラス基板４６，４８をスペーサ４９を挟んで対向させることにより、ガラス基板４６，４８の間に空隙（液晶封入部）５２を形成した構造を有する。液晶封入部５２にはＴＮ型液晶５４が封入されている。液晶封入部５２の外周部全周は封止材５５（接着剤）で封止されている。ガラス基板４６，４８の互いの内側の面（対向面）の全面にはＩＴＯ透明電極膜５６，５８がそれぞれ成膜されている。ＩＴＯ透明電極膜５６，５８の表面には配向膜５７，５９がそれぞれ形成されている。正面側（表側）のガラス基板４６の正面側の面には吸収型偏光板Ｐ１が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ１は水平偏光（水平方向すなわち横方向の偏光をいうものとする）を吸収し、垂直偏光（垂直方向すなわち縦方向の偏光をいうものとする）を透過するように、構成されかつ吸収偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。背面側（裏側）のガラス基板４８の背面側の面には反射型偏光板Ｐ２が貼着されている。反射型偏光板Ｐ２は水平偏光を反射し、垂直偏光を透過するように、構成されかつ反射偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。反射型偏光板Ｐ２としては例えばスリーエム社製ＤＢＥＦ（登録商標）を使用することができる。

一方、モニター表示装置２０はカラーモニターＬＣＤで構成される。すなわち、モニター表示装置２０は、カラー液晶パネル２４と、カラー液晶パネル２４の背面側に配置されたバックライト２６を有する。カラー液晶パネル２４は２枚のガラス基板６４，６６をスペーサ６８を挟んで対向させることにより、ガラス基板６４，６６の間に空隙（液晶封入部）７０を形成した構造を有する。液晶封入部７０にはＩＰＳ（In Plane Switching）型液晶７２が封入されている。液晶封入部７０の外周部全周は封止材７４で封止されている。正面側のガラス基板６４（カラーフィルター基板）の正面側の面には吸収型偏光板Ｐ３が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ３は水平偏光を吸収し、垂直偏光を透過するように、構成されかつ吸収偏光軸および透過偏光軸の方向が設定されている。ガラス基板６４の背面側の面（ガラス基板６６との対向面）には、カラーフィルター７６、配向膜８０が順次積層されている。背面側のガラス基板６６（アレイ基板）の正面側の面（ガラス基板６４との対向面）には、ＴＦＴ回路およびＩＴＯ透明電極膜（画素電極）を含むアレイ膜８２、配向膜８４が順次積層されている。ガラス基板６６の背面側の面には吸収型偏光板Ｐ４が貼着されている。吸収型偏光板Ｐ４は水平偏光を透過し、垂直偏光を吸収するように、構成されかつ透過偏光軸の方向および吸収偏光軸の方向が設定されている。偏光板Ｐ１〜Ｐ４の、水平偏光、垂直偏光に対する透過、吸収、反射の関係をまとめると次表のとおりである。なお、この表で偏光板Ｐ４についてカッコ書きの「又は吸収」「又は透過」は、モニター表示装置２０の背面側のガラス基板６６の背面側に配置される偏光板Ｐ４には、偏光軸の方向がガラス基板６６の前面側に配置される偏光板Ｐ３に対して直交ニコル配置されるものと平行ニコル配置されるものがあることを意味する。

Ｐ１(吸収型) Ｐ２(反射型) Ｐ３(吸収型) Ｐ４(吸収型)
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
水平偏光： 吸収 反射 吸収 透過（又は吸収）
垂直偏光： 透過 透過 透過 吸収（又は透過）

《ミラーモードの防眩モード》
ミラー光学素子２２に、デューティ比が０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化するＰＷＭ変調パルス電圧が印加される。ＴＮ型液晶５４中の液晶分子が完全には立ち上がらない状態となる実効駆動電圧に相当する、０％と５０％の中間のデューティ比を有するＰＷＭ信号を印加することにより、防眩オフモード時よりも反射率を低減させた反射率低減反射鏡状態が得られる。また、モニター表示装置２０をオフする。すなわち、バックライト２６を消灯し、ＩＰＳ型液晶７２に対する駆動信号印加を無しとする。このとき、ミラー光学素子２２に入射される外光は吸収型偏光板Ｐ１に入射される。入射された外光の垂直偏光成分は吸収型偏光板Ｐ１を透過する。透過した垂直偏光はＴＮ型液晶５４に入射されるが、ＴＮ型液晶５４に、その液晶分子が完全には立ち上がらない状態となる０％と５０％の中間のデューティ比のパルス電圧が印加されているときは、入射した垂直偏光は完全な水平偏光とはならず、一部が反射型偏光板Ｐ２を透過し、残りの一部が反射型偏光板Ｐ２で反射される。反射された偏光はＴＮ型液晶５４を透過し、該偏光の一部が吸収型偏光板Ｐ１を透過して運転者の視点１８に導かれる。これにより防眩オフモード時よりも反射率を低減させた反射率低減反射鏡状態が得られる。温度センサ３０で検出されるミラー光学素子２２の温度に応じてパルス電圧のデューティ比を実時間で補正して温度補償制御を行うことにより、温度変化があっても、自動またはマニュアル操作で指示された反射率が維持される。

ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧の一例について図５を参照して説明する。図５は、ミラー光学素子２２に印加するパルス電圧のデューティ比が、(1)１５％、(2)３０％、(3)５０％の各場合について示している。これら各デューティ比において、「セグメントＡ電極駆動波形」は、図４のミラー光学素子２２の対向電極の一方を構成するＩＴＯ透明電極膜５６に印加する駆動電圧の波形である。「セグメントＢ電極駆動波形」は、同対向電極の他方を構成するＩＴＯ透明電極膜５８に印加する駆動電圧の波形である。「ミラー光学素子印加電圧」は、これら両駆動電圧により、ＩＴＯ透明電極膜５６，５８間に印加されるミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の波形である。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧は、セグメントＡ電極駆動波形とセグメントＢ電極駆動波形の差分の電圧となる。すなわち、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧は、電圧０Ｖを中心に±６Ｖの固定の振幅で正負両方向に振れるパルス電圧である。パルス幅は正負両パルスで同じパルス幅を維持して、デューティ比が０％〜５０％に変化する。したがって、ミラー光学素子２２の液晶（図４の液晶封入部５２に封入されているＴＮ型液晶５４）を劣化させる直流成分は生じない。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数は例えば６０Hz〜１kHzである。この程度の周波数であれば、この駆動電圧に追従してミラー光学素子２２の液晶を駆動することができる。すなわち、駆動電圧が＋６Ｖおよび−６Ｖに維持されている期間はミラー光学素子２２は最低反射率でかつ最高透過率となり、駆動電圧が０Ｖの期間はミラー光学素子２２は最高反射率でかつ最低透過率となる。ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数は、例えばこの６０Hz〜１kHzの周波数の範囲内で、モニター表示装置２０の駆動周波数等と干渉がなく、かつフリッカーなどが発生しない周波数を選択することができる。その結果、人の目には、駆動電圧が＋６Ｖおよび−６Ｖの期間と、駆動電圧が０Ｖの期間の長さの比率に応じた反射率および透過率が得られる。図５はミラー光学素子２２の駆動パルス電圧の周波数が１００Hz（周期が１０ミリ秒）の場合を示している。

電圧駆動におけるシフト法による具体例として、図６Ａの印加電圧対反射率特性に基づく基準特性と温度対印加電圧補正量特性、および両特性に基づく防眩モード時のミラー光学素子２２の反射率制御の一例を説明する。図６Ａの摂氏２５度の特性を印加電圧対反射率特性の基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。一方、該基準特性に対する温度対印加電圧補正量特性として、前記実験結果に基づき求められる例えば図７に示す温度対印加電圧補正量特性をメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。

図６Ｂは防眩モード時の印加電圧対反射率特性の温度補償動作の一例を模式的に示す。ミラー光学素子２２の検出温度に応じて、図７の温度対印加電圧補正量特性から、該当する温度における印加電圧の補正量を求め、印加電圧対反射率特性の基準特性ＲＶ(25)を該補正量で印加電圧方向にシフトした特性に基づき、反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。例えば、摂氏−３０度のときは、図７の温度対印加電圧補正量特性から、摂氏−３０度における印加電圧の補正量ΔＶ(-30)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてプラス方向にΔＶ(-30)シフトした図６Ｂの特性ＲＶ(-30)’を利用して、該特性ＲＶ(-30)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。また、摂氏８０度のときは、図７の温度対印加電圧補正量特性から、摂氏８０度における印加電圧の補正量ΔＶ(80)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてマイナス方向にΔＶ(80)シフトした図６Ｂの特性ＲＶ(80)’を利用して、該特性ＲＶ(80)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。摂氏−３０度〜摂氏８０度の間の温度ｔのときも同様に、図７の温度対印加電圧補正量特性から、温度ｔにおける印加電圧の補正量ΔＶ(t)を求め、図６Ｂの基準特性ＲＶ(25)を印加電圧についてΔＶ(t)シフトした特性ＲＶ(t)’を利用して、該特性ＲＶ(t)’から反射率指令値を実現する印加電圧値を求める。これにより、ミラー光学素子２２について、温度変化にかかわらず、反射率指令値で指令された反射率が概ね実現される。

別の温度補償制御方法として次の方法を実行することができる。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとに求められたデューティ比対反射率特性のうち、所定の温度（基準温度）におけるデューティ比対反射率特性を基準特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておくとともに、温度に対するデューティ比のシフト量を補正する特性を温度対デューティ比補正量特性としてメモリに記憶（テーブルまたは演算式として記憶）しておく。そして、防眩モード時に、検出されるミラー光学素子２２の温度に応じて温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を読み出してまたは算出して、該補正量で基準特性をデューティ比方向にシフトした特性に応じて、デューティ比を制御してミラー光学素子２２の反射率を制御する（「パルス電圧駆動におけるシフト法」という）。パルス電圧駆動におけるシフト法で使用する温度対デューティ比補正量特性の一例を図９に示す。この温度対デューティ比補正量特性の設定方法として例えば次の２つの方法が考えられる。
・設定方法１：温度ごとのデューティ比補正量をテーブルとしてメモリに記憶する。
・設定方法２：温度対デューティ比補正量の特性を演算式（例えば、所定の温度区分ごとの演算式の組合せ）としてメモリに記憶する。例えば、摂氏−３０度〜摂氏４０度直前までを１つの演算式として設定し、摂氏４０度〜摂氏８０度までを摂氏１０度刻みの複数の演算式で設定することができる。
ただし、パルス電圧駆動の場合は、前述のとおり、温度が高い領域のデューティ比対反射率特性は、温度が低いときのデューティ比対反射率特性をデューティー比について単純にシフトした特性とはならず、特性形状自体が、温度が低いときの特性形状とは異なる形状となる。すなわち、温度が高いときのデューティ比対反射率特性は、温度が低いときの特性に比べて、反射率が低い領域で、デューティ比の変化に対する反射率の変化が小さい（特性グラフの勾配が小さい）特性となる。したがって、パルス電圧駆動におけるシフト法によれば、反射率指令値が低いときに、反射率指令値が変わらなくても、温度変化（低い温度から高い温度への変化またはその逆の変化）によってミラー光学素子２２の反射率が多少変動する。

パルス電圧駆動における複合法による具体例として、図８Ａのデューティ比対反射率特性に基づく基準特性と温度対デューティ比補正量特性および両特性に基づくミラー光学素子２２の反射率制御の一例を説明する。予め実験に基づき、動作保証温度範囲（例えば、摂氏−３０度〜摂氏８０度）について、所定の単位温度ごとのデューティ比対反射率特性を求める。その結果、例えば摂氏２５度以下の特性が、概ね、摂氏２５度の特性をデューティ比方向にシフトした特性であれは、摂氏２５度を基準温度とすることができる。摂氏２５度を基準温度とした場合は、動作保証温度範囲のうち摂氏２５度以上の温度範囲（第１の温度領域）について、単位温度ごとのデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶しておく。このうち、図８Ａの摂氏２５度の特性ＲＤ(25)が基準特性である。一方、動作保証温度範囲のうち摂氏２５度よりも低い温度範囲（第２の温度領域）について、基準特性ＲＤ(25)に対する温度対デューティ比補正量特性として、前記実験結果に基づき求められる例えば図１０に示す温度対デューティ比補正量特性をメモリに設定しておく。この温度対デューティ比補正量特性の設定方法としては、例えば前述した設定方法１、設定方法２が考えられる。

図８Ｂはデューティ比対反射率特性の温度補償動作の一例を模式的に示す。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度以上のときは、ミラー光学素子２２の検出温度に応じて、該当する温度のデューティ比対反射率特性から反射率指令値に応じたデューティ比を読み出して、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該読み出された値に制御する。例えば、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏８０度のときは、図８Ｂの摂氏８０度におけるデューティ比対反射率特性ＲＤ(80)から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する（第１の温度補償制御）。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度〜摂氏８０度の間の温度ｔのときも同様に、ミラー光学素子２２の検出温度におけるデューティ比対反射率特性ＲＤ(t)から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する。

一方、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏２５度よりも低いときは、ミラー光学素子２２の検出温度に応じて温度対デューティ比補正量特性から、該当する温度におけるデューティ比の補正量を求め（テーブルからの読み出しまたは演算式からの算出で求める）、デューティ比対反射率特性の基準特性を該補正量でデューティ比方向にシフトした特性に基づき、反射率指令値を実現するデューティ比を求めて、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する。例えば、ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏−３０度のときは、図１０の温度対デューティ比補正量特性から、摂氏−３０度におけるデューティ比の補正量ΔＤ(-30)を求め、図８Ｂの基準特性ＲＤ(25)をデューティ比についてプラス方向にΔＤ(-30)シフトした図８Ｂの特性ＲＤ(-30)’を利用して、該特性ＲＤ(-30)’から反射率指令値を実現するデューティ比を求め、ミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を該求められた値に制御する（第２の温度補償制御）。ミラー光学素子２２の検出温度が摂氏−３０度〜摂氏２５度の間の温度ｔのときも同様に、図１０の温度対デューティ比補正量特性から、温度ｔにおけるデューティ比の補正量ΔＤ(t)を求め、図８Ｂの基準特性ＲＤ(25)をデューティ比についてマイナス方向にΔＤ(t)シフトした特性ＲＤ(t)’を利用して、該特性ＲＤ(t)’から反射率指令値を実現するデューティ比を求める。

電子インナーミラー１０の制御システム構成を図１を参照して説明する。この実施の形態では、パルス電圧駆動における複合法を利用して、図８Ａ、図８Ｂ、図１０の特性に基づき、基準温度を摂氏２５度に設定してミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を制御する場合について説明する。この実施の形態では、制御切替温度を基準温度に等しく設定している。後方カメラ８６は車両の車外後部の左右中央位置に、光軸を車両後方水平方向に向けて設置されたカラービデオカメラである。モニターモード時に後方カメラ８６で撮像された車両後方の映像は、描画回路８８で、必要な信号処理が施された後に、モニター表示装置２０に供給されて、モニター表示装置２０にリアルタイムで表示される。温度センサ３０はここではサーミスタで構成されている。温度検出回路９０は温度センサ３０の抵抗値を、該抵抗値に対応する値（すなわち、検出温度に対応する値）の電圧に変換する。マイコン９２は、運転者による任意の動作モード切替操作に基づき動作モードの切替制御（自動防眩／マニュアル防眩／防眩オフ）を行う。すなわち、マイコン９２（制御回路）は各種信号を入力して、モニター表示装置２０のオン／オフ制御および輝度制御およびミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比制御等を行う。温度検出回路９０の出力電圧はマイコン９２のアナログポートに入力されてＡ／Ｄ変換される。該Ａ／Ｄ変換された信号は、モニターモード時はモニター表示装置２０の温度制御および表示品位に関する温度補償制御に使用される。また、該Ａ／Ｄ変換された信号は、ミラーモードの防眩モード時はミラー光学素子２２の反射率の温度補償制御に使用される。周囲光センサ９４は車両の周囲の光量を検出する。後方光センサ９６は車両の後方の光量を検出する。周囲光センサ９４および後方光センサ９６は、例えば電子インナーミラー１０のハウジング１２（図２）に搭載される。すなわち、周囲光センサ９４は車両前方に向けてハウジング１２に搭載され、後方光センサ９６は車両後方に向けてハウジング１２に搭載される。信号処理回路９８は、検出された周囲光量および後方光量に基づき、防眩要否判定処理および、該処理で「防眩要」と判定されたときの反射率指令値情報の出力処理を行う。すなわち、周囲光量が所定値以上のとき（昼間と見なせるとき）は、防眩は不要なので、後方光量の大小にかかわらず「防眩不要」の判定信号を出力する。周囲光量が所定値よりも小さいとき（夜間と見なせるとき）は、後方光量に応じて判定が切り替わる。すなわち、後方光量が所定値よりも小さいときは防眩は不要なので、「防眩不要」の判定信号を出力する。後方光量が所定値以上のとき（例えば、後続車の前照灯の強い光を受けているとき）は防眩が必要なので「防眩要」の判定信号を出力する。さらに、「防眩要」と判定されたときは、検出された周囲光量および後方光量に基づき、両光量の組合せに応じて適正な防眩状態が得られる反射率の指令値（調整目標の反射率値）を示す情報（反射率指令値情報）を所定の演算により、または予め用意されたテーブルを参照して求め、出力する。両光量の組合せに応じた適正な防眩状態とは、周囲光量が一定であれば後方光量が大きくなるに従いミラー光学素子２２の駆動パルス電圧のデューティ比を高めて反射率を低下させ、後方光量が一定であれば周囲光量が小さくなるに従いデューティ比を高めて反射率を低下させるようにする状態である。これにより、運転者に対して、後方像の視認性を阻害しすぎずかつ反射光の眩しさを軽減できる防眩状態を提供できる。防眩要否判定信号は、マイコン９２に入力されて、ミラーモードの自動防眩モードにおいて、非防眩状態（パルス電圧のデューティ比を０％に固定した状態）と防眩状態（パルス電圧のデューティ比を０％から５０％まで（または、より狭い範囲で）変化させる状態）の自動切替制御に利用される。また、反射率指令値情報は、マイコン９２に入力されて、ミラーモードの自動防眩モードにおいて、反射率の可変制御の反射率指令値の情報として利用される。

バックライト駆動回路１０５は、モニター表示装置２０のバックライト２６（図２）のオン、オフ制御およびオン時の輝度制御を、バックライト２６（白色発光ダイオード）の駆動電流のＰＷＭ制御で行う。すなわち、ミラーモードでは該駆動電流のデューティ比を０％に設定してバックライト２６を消灯する。モニターモードでは、該駆動電流のデューティ比を所定値以上に高めて点灯する。また、モニターモードでは、夜間／昼間の切替え（ランプ（車幅灯およびヘッドランプ）の点灯の有無）および温度センサ３０で検出される温度に応じて該駆動電流のデューティ比の切替えを行う。すなわち、夜間はデューティ比を低下させてモニター映像の眩しさを軽減し、昼間はデューティ比を上昇させてモニター映像の視認性を向上させる。また、温度センサ３０で検出される温度が所定値を超えたときは、デューティ比を例えば夜間用のデューティ比に低下させて更なる温度上昇を抑制する。

前記実施の形態では防眩モード時のデューティ比を０％から５０％まで変化させたが、０％から５０％内のより狭い範囲で（例えば、１０％から４０％）変化させることもできる。
前記実施の形態では、ミラー光学素子は、印加するパルス電圧のデューティ比が高くなるほど反射率が低くなるようにしたが、これとは逆に、印加するパルス電圧のデューティ比が高くなるほど反射率が高くなるようにすることもできる。
前記実施の形態ではＰＷＭ電圧の振幅を固定としたが、該振幅を可変（例えば２段階等の複数段階に可変）とすることもできる。
前記実施の形態では、デューティ比特性メモリ１００は、ミラー光学素子２２に印加するパルス信号のデューティ比に対するミラー光学素子２２の反射率の特性を記憶したが、これに代えて、該デューティ比に対する透過率の特性を記憶することもできる。
前記実施の形態では、デューティ比特性メモリ１００がデューティ比対反射率特性をテーブルとして記憶する場合について説明したが、デューティ比特性メモリ１００はデューティ比対反射率特性を演算式として記憶するように構成することもできる。
前記実施の形態では温度センサとして可変抵抗型温度センサ（サーミスタ）を用いたが、これに限らない。すなわち、半導体型温度センサ、その他各種の温度センサを用いることができる。
前記実施の形態では温度センサの設置位置をモニター表示装置の枠体の内側としたが、これに限らない。すなわち、モニター表示装置の枠体の外側、その他モニター表示装置の温度を検出できる箇所に温度センサを設置することができる。
前記実施の形態では温度センサの設置位置を枠体の上辺部としたが、これに限らず、温度センサを枠体の側辺部、下辺部等に設置することもできる。モニター表示装置において最も高温となるバックライトの光源の近くに温度センサを設置すれば、モニター表示装置の一部が局部的に過熱状態となるのを抑制することができる。
前記実施の形態ではミラー光学素子を、背面側に反射型偏光板を配置したＴＮ型液晶パネルで構成したが、この発明で使用するミラー光学素子はこれに限らない。すなわち、電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化するその他のミラー光学素子を用いることができる。
前記実施の形態ではモニター表示装置の検出温度に応じてバックライトの輝度を高、低２段階に切り替えるようにしたが、これに限らない。すなわち、モニター表示装置の検出温度に応じてバックライトの輝度を多段階または無段階に可変制御することもできる。また、使用者による操作でバックライトの輝度を可変調整可能にするように構成することもできる。
前記実施の形態では制御回路をマイコンで構成したが、これに限らず複数の回路素子の組み合わせで構成することもできる。
前記実施の形態ではインナーミラーの被視認面の全面についてモニターモードとミラーモードを切り替えるようにしたが、これに限らない。例えば特許文献１に記載のインナーミラーのように、被視認面の一部の領域に限りモニター表示装置を配置して、その領域についてのみモニターモードとミラーモードを切り替えるようにすることもできる。
前記実施の形態ではモニター表示装置の液晶はＩＰＳ型液晶としたが、これに限定されるものでは無く、ＦＳＳ（Fringe Field Switching）型液晶やＶＡ（Vertical Align）型液晶やＴＮ型液晶であっても良い。
前記実施の形態ではこの発明を車両用インナーミラーに適用した場合について説明したが、この発明はこれに限らず、モニターモードとミラーモードを有する様々な用途のミラー表示装置に適用することができる。

１０…電子インナーミラー（ミラー表示装置）、１２…ハウジング、１２ａ…内部空間、１２ｂ…開口部、１４…電子ミラー素子、１４ａ…被視認面、１６…回路基板、１８…運転者の視点、２０…モニター表示装置（液晶表示装置）、２０ａ…表示面、２１…両面テープ、２２…ミラー光学素子（ＴＮ型液晶パネル）、２４…カラー液晶パネル、２５…積層体、２６…バックライト、２８…枠体、２８ａ…ベゼル部、３０…温度センサ、３４…高リタデーション位相差板、３６…保護層、４６…ガラス基板、４８…ガラス基板、４９…スペーサ、５２…液晶封入部、５４…ＴＮ型液晶、５５…封止材、５６…ＩＴＯ透明電極膜、５７…配向膜、５８…ＩＴＯ透明電極膜、５９…配向膜、６４…ガラス基板、６６…ガラス基板、６８…スペーサ、７０…液晶封入部、７２…ＩＰＳ型液晶、７４…封止材、７６…カラーフィルター、８０…配向膜、８２…アレイ膜、８４…配向膜、８６…後方カメラ、８８…描画回路、９０…温度検出回路、９２…マイコン（制御回路）、９４…周囲光センサ、９６…後方光センサ、９８…信号処理回路、１００…デューティ比特性メモリ、１０１…デューティ比補正量特性メモリ、１０２…表示品位に関する温度補償特性メモリ、１０４…モニター表示制御部、１０５…バックライト駆動回路、１０６…ミラー光学素子駆動回路、Ｐ１…吸収型偏光板、Ｐ２…反射型偏光板、Ｐ３…吸収型偏光板、Ｐ４…吸収型偏光板

Claims (12)

1. モニター表示装置と、該モニター表示装置の表示面の前面側に配置されたミラー光学素子とを有するミラー表示装置において、
   前記ミラー光学素子は、反射型偏光板を背面側に配置した液晶パネルを有し、
   前記ミラー光学素子は、前記液晶パネルに印加される電圧により電気駆動で反射率と透過率が相互に逆方向に変化して、相対的に、低反射率で高透過率の透過状態と、高反射率で低透過率の反射鏡状態と、該両状態の中間の反射率低減反射鏡状態とに、段階的にまたは無段階に、かつ可逆的に変化可能な素子であり、
   前記ミラー表示装置は制御回路を有し、
   前記制御回路は、前記ミラー表示装置の動作モードとしてモニターモードとミラーモードとを切り替えて設定する動作モード切替制御を実行可能に構成されており、
   前記モニターモードは、少なくとも、前記モニター表示装置を表示状態に設定し、かつ前記ミラー光学素子を前記透過状態に設定する動作状態を含む動作モードであり、
   前記ミラーモードは、少なくとも、前記モニター表示装置を非表示状態に設定し、かつ前記ミラー光学素子を前記反射鏡状態または前記反射率低減反射鏡状態に設定する動作状態を含む動作モードであり、
   前記制御回路は、前記液晶パネルに印加する電圧をパルス電圧で印加して、該パルス電圧のデューティ比を変化させて前記ミラー光学素子の反射率および透過率を変化させる反射率および透過率可変制御を実行可能に構成されている、
   ミラー表示装置。
2. 前記ミラー表示装置は温度センサを有し、
   前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記反射率低減反射鏡状態に設定する前記ミラーモードにおいて、前記温度センサで検出される温度に応じて前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を調整して、温度による前記ミラー表示装置の反射率の変動を抑制する温度補償制御を実行可能に構成されている、
   請求項１に記載のミラー表示装置。
3. デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、温度に応じた複数の該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶するデューティ比特性メモリを有し、
   前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度に応じて、該当する温度の前記デューティ比対反射率または透過率特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を実行可能に構成されている、
   請求項２に記載のミラー表示装置。
4. デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、所定の基準温度における該デューティ比対反射率または透過率特性である基準特性を記憶するデューティ比特性メモリと、
   前記基準特性に対して、温度変化による該基準特性のデューティ比のシフト量を補正する温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度に対するデューティ比の補正量の特性を記憶するデューティ比補正量特性メモリとを有し、
   前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度に応じて前記温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を求めて、前記基準特性のデューティ比を該求められた補正量でシフトした特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する温度補償制御を実行可能に構成されている、
   請求項２に記載のミラー表示装置。
5. デューティ比対反射率または透過率特性、すなわち前記パルス電圧のデューティ比に対する前記ミラー光学素子の反射率または透過率の特性について、温度に応じた複数の該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶するデューティ比特性メモリと、
   前記デューティ比対反射率または透過率特性の基準特性、すなわち所定の基準温度における該デューティ比対反射率または透過率特性に対して、温度変化による該基準特性のデューティ比のシフト量を補正する温度対デューティ比補正量特性、すなわち温度に対するデューティ比の補正量の特性を記憶するデューティ比補正量特性メモリとを有し、
   前記制御回路は、前記温度補償制御として、前記温度センサで検出される温度が所定の第１の温度領域にあるときは、該温度センサで検出される温度に応じて、該当する温度の前記デューティ比対反射率または透過率特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する第１の温度補償制御を実行し、前記温度センサで検出される温度が前記第１の温度領域よりも低い所定の第２の温度領域にあるときは、前記温度センサで検出される温度に応じて前記温度対デューティ比補正量特性からデューティ比の補正量を求めて、前記基準特性のデューティ比を該求められた補正量でシフトした特性に基づいて前記パルス電圧のデューティ比を調整する第２の温度補償制御を実行可能に構成されている、
   請求項２に記載のミラー表示装置。
6. 前記制御回路は、前記温度センサで検出される温度が所定の制御切替温度以上のときは前記第１の温度補償制御を実行し、該温度センサで検出される温度が前記制御切替温度よりも低いときは、前記第２の温度補償制御を実行可能に構成されている、
   請求項５に記載のミラー表示装置。
7. 前記制御切替温度は前記基準温度に等しく設定されている請求項６に記載のミラー表示装置。
8. 前記デューティ比特性メモリは、前記第１の温度領域の温度について前記デューティ比対反射率または透過率特性を記憶し、前記第２の温度領域の温度について該デューティ比対反射率または透過率特性を記憶しない請求項５から７のいずれか１つに記載のミラー表示装置。
9. 前記制御回路は、前記第２の温度補償制御を、前記デューティ比対反射率または透過率特性どうしがデューティ比を相互にシフトした特性と見なせる温度領域内に限り実行可能に構成されている、
   請求項５から８のいずれか１つに記載のミラー表示装置。
10. 前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記反射鏡状態に設定する前記ミラーモードにおいて、前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を、前記温度センサで検出される温度に関係なく該ミラー光学素子を該反射鏡状態に維持できる固定のデューティ比に設定する制御を実行可能に構成されている、
    請求項２から９のいずれか１つに記載のミラー表示装置。
11. 前記制御回路は、前記ミラー光学素子を前記透過状態に設定する前記モニターモードにおいて、前記液晶パネルに印加する前記パルス電圧のデューティ比を、前記温度センサで検出される温度に関係なく該ミラー光学素子を該透過状態に維持できる固定のデューティ比に設定する制御を実行可能に構成されている、
    請求項２から１０のいずれか１つに記載のミラー表示装置。
12. 前記制御回路は、前記モニターモードにおいて、前記温度センサで検出される温度に基づいて前記モニター表示装置の輝度を調整して該モニター表示装置の温度制御を実行可能に構成され、もしくは前記温度センサで検出される温度に基づいて、表示信号による前記モニター表示装置の駆動状態を調整して該モニター表示装置の表示品位に関する温度補償制御を実行可能に構成され、または前記温度制御および前記表示品位に関する温度補償制御の両方の制御を実行可能に構成されている、
    請求項２から１１のいずれか１つに記載のミラー表示装置。

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