JP2021103733A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021103733A
JP2021103733A JP2019234255A JP2019234255A JP2021103733A JP 2021103733 A JP2021103733 A JP 2021103733A JP 2019234255 A JP2019234255 A JP 2019234255A JP 2019234255 A JP2019234255 A JP 2019234255A JP 2021103733 A JP2021103733 A JP 2021103733A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
wiring board
printed wiring
metal bump
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019234255A
Other languages
English (en)
Inventor
智明 篠塚
Tomoaki Shinozuka
智明 篠塚
幸信 三門
Yukinobu Mikado
幸信 三門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2019234255A priority Critical patent/JP2021103733A/ja
Publication of JP2021103733A publication Critical patent/JP2021103733A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】 高い信頼性を有する金属バンプ付プリント配線板の提供【解決手段】 実施形態のプリント配線板は、導体層38と、第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有し、第2面Sが導体層38と向かい合うように導体層38上に積層されている最外の樹脂絶縁層50と、最外の樹脂絶縁層50を貫通し導体層38に至る金属バンプ80と、金属バンプ80上に形成されている金属膜78、とを有する。そして、金属バンプ80は上面80Tと上面80Tから延びる側面90Sを有し、上面80Tは、平坦部80Tfと平坦部80Tfと側面90Sとの間の外周部90Toを有し、上面80Tを形成している外周部90Toは、平坦部80Tfから側面90Sに向かって下がっており、金属膜78は上面80T上に形成されていて側面90S上に形成されていない。【選択図】 図1

Description

本発明は、金属バンプを有するプリント配線板、及び、そのプリント配線板の製造方法に関する。
特許文献1は、導電バンプを有する配線基板を開示している。
特開2004−140248号公報
[特許文献1の課題]
特許文献1(文献1)の図2によれば、耐半田樹脂層から突出している導電バンプの部位(導電バンプの突出部位)は半田層で覆われている。つまり、文献1では、導電バンプの突出部位の側面は半田層で覆われている。導電バンプの突出部位の側面を覆っている半田層は、隣接する導電バンプ間の絶縁信頼性に影響を与えると考えられる。隣接する導電バンプ間の距離が短いと、隣接する導電バンプ間の絶縁信頼性が低下すると予想される。例えば、隣接する導電バンプ間の距離が25μm以下であると、絶縁信頼性が低下すると予測される。
本発明に係るプリント配線基板は、導体層と、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有し、前記第2面が前記導体層と向かい合うように前記導体層上に積層されている最外の樹脂絶縁層と、前記最外の樹脂絶縁層を貫通し前記導体層に至る金属バンプと、前記金属バンプ上に形成されている金属膜、とを有する。そして、前記金属バンプは上面と前記上面から延びる側面を有し、前記上面は、平坦部と前記平坦部と前記側面との間の外周部を有し、前記上面を形成している前記外周部は、前記平坦部から前記側面に向かって下がっており、前記金属膜は前記上面上に形成されていて前記側面上に形成されていない。
本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、導体層を形成することと、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する最外の樹脂絶縁層を前記第2面が前記導体層と向かい合うように前記導体層上に形成することと、前記最外の樹脂絶縁層を貫通し前記導体層に至る第1開口を前記最外の樹脂絶縁層に形成することと、前記最外の樹脂絶縁層上に、前記第1開口を露出する第2開口を有するめっきレジストを形成することと、前記第1開口と前記第2開口で形成される導体用開口内に導体を形成することと、前記めっきレジストと前記導体を研磨すること、前記導体用開口から露出する前記導体の露出面をエッチングで除去することで、上面を有する金属バンプを形成することと、前記金属バンプの前記上面上に金属膜を形成することと、前記めっきレジストを除去すること、とを有する。そして、前記金属バンプは、前記上面から延びる側面を有し、前記上面は、平坦部と前記平坦部と前記側面との間に形成されている外周部で形成されていて、前記外周部を形成する前記上面は前記平坦部から前記側面に向かって下がっている。
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、金属バンプの上面は金属膜で覆われている。しかしながら、金属バンプの側面は金属膜で完全に覆われていない。あるいは、金属バンプの全側面は金属膜で完全に覆われていない。そのため、隣接する金属バンプ間の距離(絶縁距離)が小さくても、隣接する金属バンプ間の絶縁信頼性が低下し難い。例えば、絶縁距離が25μm以下であっても、隣接する金属バンプ間の絶縁抵抗が低下し難い。絶縁距離が20μm以下であっても、隣接する金属バンプ間の絶縁信頼性を長期間に渡って維持することができる。実施形態の金属バンプは、1つの部材で形成されている。金属バンプ内に界面が存在しない。そのため、金属バンプが大きなストレスを受けても、金属バンプの接続信頼性が低下しがたい。金属バンプの抵抗が変化し難い。そのため、絶縁距離が17μm以下であっても、隣接する金属バンプ間の絶縁信頼性と金属バンプを介する接続信頼性を長期間に渡って維持することができる。
図1(A)は本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図1(B)は第1実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図であり、図1(C)は第1実施形態のプリント配線板の断面の拡大図であり、図1(D)は第2実施形態のプリント配線板の断面の拡大図である。 第1実施形態のプリント配線板の製造工程図 第1実施形態のプリント配線板の製造工程図
図1(A)は本発明の第1実施形態に係るプリント配線板10の断面図である。
プリント配線板10は、導体層38と導体層38上に形成されている最外の樹脂絶縁層50と最外の樹脂絶縁層50を貫通し導体層38に至る複数の金属バンプ80とを有する。最外の樹脂絶縁層50は、第1面Fと第1面Fと反対側の第2面Sとを有する。第2面Sと導体層38が向かい合っている。最外の樹脂絶縁層50は導体層38に至る開口51を有する。金属バンプ80は開口51内に形成されている導体部(ビア導体部)60と最外の樹脂絶縁層50の第1面Fから突出している導体部(突出部)90で形成されている。開口51とビア導体部60の形状は略切頭錐体である。導体層38上の開口51の径は、第1面F上の開口51の径より小さい。突出部90の形状は略円柱である。ビア導体部60と突出部90は連続していて、両者は一体化されている。
ビア導体部60は導体層38と対向する下面と下面と反対側の上面を有する。ビア導体部60の上面と第1面Fは同じ面を形成する。ビア導体部60の径はビア導体部60の上面の径で代表される。
突出部90は、ビア導体部60の上面と対向する下面と下面と反対側の上面を有する。突出部90の下面と第1面Fは同じ面を形成する。突出部90の径は突出部90の下面の径で代表される。金属バンプ80の径は突出部90の径で代表される。突出部90の上面は第1面Fより上に位置している。
突出部90の径はビア導体部60の径より大きい。突出部90の下面はビア導体部60の上面を完全に覆う。突出部90の下面の外周はビア導体部60の上面の外周より完全に外側に位置する。
突出部90の上面は金属バンプ80の上面80Tを形成する。上面80Tの一部が平坦である。上面80Tの平坦な部分は平坦面(平坦部)80Tfと称される。平坦部80Tfは、上面80Tの中央に形成されている。
上面80T上に金属膜78が形成されている。金属膜78の例は、スズ層やNi/Pd/Au層である。
図1(C)は第1実施形態のプリント配線板10の断面の拡大図である。
金属バンプ80は、上面80Tから延びる側面90Sを有する。上面80Tは平坦部80Tfと側面90Sとの間に外周部90Toを有する。外周部90Toは平坦部80Tfから側面90Sに向かって下がっている。図1(C)に示されるように、外周部90Toは曲がっている。外周部90Toを形成する曲面は外側に膨らんでいる。
図1(B)は第1実施形態に係るプリント配線板10の応用例の断面図である。プリント配線板10上に第1電子部品102と第2電子部品104が実装される。第1電子部品102と第2電子部品104は金属バンプ80を介しプリント配線板10に実装されている。第1電子部品102と第2電子部品104間のデータ伝送は、第1電子部品102に接続している金属バンプ80と第2電子部品104に接続している金属バンプ80を介して行われる。
第1実施形態のプリント配線板10では、金属バンプ80が最外の樹脂絶縁層50から突出するので、隣接する金属バンプ80間の距離を小さくすることができる。隣接する金属バンプ80間の距離が小さくても、隣接する金属バンプ80間で短絡が生じ難い。
導体層38は最外の樹脂絶縁層50の第1面F上に形成されているシード層56とシード層56上に形成されている電解めっき膜(第1電解めっき膜)58で形成されている。シード層56は第1面Fに接している。第1電解めっき膜58はシード層56に接している。第1電解めっき膜58は電解銅めっき膜である。
金属バンプ80は第1電解めっき膜58上に直接形成されている。金属バンプ80と第1電解めっき膜58は異なるプロセスで形成される。そのため、金属バンプ80は導体層38に接しているが、金属バンプ80と導体層38は一体的に形成されていない。金属バンプ80と導体層38との間に界面が存在する。
金属バンプ80の側面90S上に、金属膜が形成されていない。金属バンプ80を形成する第2電解めっき膜54が露出している。このため、金属膜78を介して、隣接する金属バンプ80間で短絡が発生し難い。プリント配線板10の絶縁信頼性が高い。
金属バンプ80が外周部90Toを有すると、上面80Tの面積を大きくすることができる。そのため、上面80T上に金属膜78が形成されても、上面80Tと金属膜78間の密着性を高くすることができる。上面80T上にバンプが形成されても、上面80Tとバンプ間の密着性を高くすることができる。
[製造方法]
図2と図3に第1実施形態のプリント配線板10の製造方法が示される。
導体回路34上に樹脂絶縁層30が形成される。樹脂絶縁層30上にシード層56と第1電解めっき膜58からなる導体層38が形成される。その時、樹脂絶縁層30を貫通し導体回路34に至るビア導体36が形成される。樹脂絶縁層30と導体層38上に最外の樹脂絶縁層50が形成される(図2(A))。最外の樹脂絶縁層50は第1面Fと第1面Fとの反対面の第2面Sとを有する。第2面Sと導体層38が向かい合うように、最外の樹脂絶縁層50は形成されている。最外の樹脂絶縁層50に、レーザで導体層38に至る開口(第1開口)51が形成される(図2(B))。最外の樹脂絶縁層50の第1面Fと第1開口51内に無電解めっきによりシード層52が形成される(図2(C))。
最外の樹脂絶縁層50の第1面F上に第2開口71を有するめっきレジスト70が形成される(図2(D))。第2開口71は第1開口51に繋がっている。第2開口71の径は第1開口51の径より大きい。第2開口71と第1開口51で導体用開口53が形成される。シード層52を用いて第2電解めっき膜54を形成することで、導体用開口53内に導体8が形成される(図2(E))。図2(E)に導体8の頂部8Tの断面形状の例が示されている。頂部8Tは第2開口71により露出される面である。導体8の頂部8Tは平坦である。あるいは、導体8の頂部8Tは凹んでいる。あるいは、導体8の頂部8Tは膨らんでいる。導体8の側面90Sはめっきレジスト70に接している。
めっきレジスト70と導体8が研磨される。めっきレジスト70の厚みが薄くなる。導体8の高さが低くなる。研磨により、導体8の上面7Tが形成される。頂部8Tから上面7Tが形成される。平坦な上面7Tを有する導体8が形成される(図3(A))。
めっきレジスト70の第2開口71から露出する導体8の上面7Tがエッチングで溶かされる(図3(B))。上面80Tを有する金属バンプ80が形成される。突出部90とビア導体部60とからなる金属バンプ80が形成される。導体8の上面7Tが溶解されるとき、上面7Tの外周部分は上面7Tの中央部分より大きく溶解される。上面7Tの中央部分はほぼ均一に溶解される。中央部分の平坦性は維持される。そのため、金属バンプ80の上面80Tの中央部は平坦である。平坦な部分は平坦部80Tfと称される。図1(C)に示されるように、平坦部80Tfの周りに、外周部90Toが形成される。外周部90Toは平坦部80Tfと側面90Sとの間に形成されている。外周部90Toは平坦部80Tfから側面90Sに向かって下がっている。外周部90Toはエッチングにより形成される。突出部90の側面90Sはめっきレジスト70に接している。
めっきレジスト70から露出する金属バンプ80の上面80T上に金属膜78が形成される(図3(C))。めっきレジストが除去され、金属バンプ80側面90Sが露出される。側面90S上に金属膜は形成されていない。金属バンプ80から露出するシード層52が除去される(図3(D))。プリント配線板10が完成する(図1(A))。
プリント配線板10上に第1電子部品102と第2電子部品104とが実装される(図1(B))。
図1(D)は、第2実施形態のプリント配線板10の断面の拡大図である。
金属バンプ80の上面80Tの形状が、第1実施形態のプリント配線板10と第2実施形態のプリント配線板10との間で異なる。特に、外周部90Toの形状が異なる。それ以外、両者は同様である。図1(D)に示されるように、第2実施形態では、金属バンプ80の外周部90Toの断面形状がSに似ている。外周部90Toの断面は、平坦部80Tfから側面90Sに向かって2度曲がっている。
[第2実施形態の製造方法]
第1実施形態のプリント配線板10の製造方法と第2実施形態のプリント配線板10の製造方法はほぼ同様である。
[第1製造方法]
第1製造方法と第1実施形態のプリント配線板10の製造方法との間で、図3(B)に示されるステップのやり方が違う。例えば、導体8の上面7Tを溶かす力(エッチング力)が異なる。第1製造方法のエッチング力は第1実施形態のエッチング力より強い。第1実施形態では、導体8をエッチング液に浸漬することで、導体8の上面7Tが溶解される。第1製造方法では、エッチング液を導体8にスプレーすることで、導体8の上面7Tが溶解される。スプレーの力を変えることで、エッチング力を変えることができる。エッチング力を大きくすることで、図1(D)に示される金属バンプ80を形成することができる。
[第2製造方法]
第2製造方法と第1実施形態のプリント配線板10の製造方法との間で、図3(A)に示されるステップのやり方が違う。第1実施形態では、導体8の上面7Tが平坦になるまで、研磨が行われている。第2製造方法では、研磨後、導体8の上面の中央部分のみが平坦である。平坦な部分以外の部分は平坦な部分より下に位置する。その後、導体8の上面7Tが溶解される。図1(D)に示される金属バンプ80を形成される。
プリント配線板は、3以上の樹脂絶縁層やコア基板を有することができる。
平坦部80Tfは完全に平坦な面ではない。平坦部80Tfはほぼ平坦な面を含む。
10 プリント配線板
50 最外の樹脂絶縁層
38 導体層
78 金属膜
80 金属バンプ
80T 上面
80Tf 平坦部
90To 外周部
90S 側面

Claims (8)

  1. 導体層と、
    第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有し、前記第2面が前記導体層と向かい合うように前記導体層上に積層されている最外の樹脂絶縁層と、
    前記最外の樹脂絶縁層を貫通し前記導体層に至る金属バンプと、
    前記金属バンプ上に形成されている金属膜、とを有するプリント配線板であって、
    前記金属バンプは上面と前記上面から延びる側面を有し、前記上面は、平坦部と前記平坦部と前記側面との間の外周部を有し、前記上面を形成している前記外周部は、前記平坦部から前記側面に向かって下がっており、前記金属膜は前記上面上に形成されていて前記側面上に形成されていない。
  2. 請求項1のプリント配線板であって、前記外周部は曲がっている。
  3. 請求項1のプリント配線板であって、前記金属膜は、Ni/Pd/Au膜である。
  4. 請求項1のプリント配線板であって、前記金属バンプは銅めっきで形成されている。
  5. 導体層を形成することと、
    第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する最外の樹脂絶縁層を前記第2面が前記導体層と向かい合うように前記導体層上に形成することと、
    前記最外の樹脂絶縁層を貫通し前記導体層に至る第1開口を前記最外の樹脂絶縁層に形成することと、
    前記最外の樹脂絶縁層上に、前記第1開口を露出する第2開口を有するめっきレジストを形成することと、
    前記第1開口と前記第2開口で形成される導体用開口内に導体を形成することと、
    前記めっきレジストと前記導体を研磨すること、
    前記導体用開口から露出する前記導体の露出面をエッチングで除去することで、上面を有する金属バンプを形成することと、
    前記金属バンプの前記上面上に金属膜を形成することと、
    前記めっきレジストを除去すること、とを有するプリント配線板の製造方法であって、
    前記金属バンプは、前記上面から延びる側面を有し、前記上面は、平坦部と前記平坦部と前記側面との間に形成されている外周部で形成されていて、前記外周部を形成する前記上面は前記平坦部から前記側面に向かって下がっている。
  6. 請求項5のプリント配線板の製造方法であって、前記めっきレジストを除去することは、前記側面を露出することを含み、前記側面上に前記金属膜は形成されていない。
  7. 請求項6のプリント配線板の製造方法であって、前記めっきレジストと前記側面は接している。
  8. 請求項5のプリント配線板の製造方法であって、前記エッチングで除去することは前記外周部を形成することを含む。
JP2019234255A 2019-12-25 2019-12-25 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 Pending JP2021103733A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019234255A JP2021103733A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019234255A JP2021103733A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021103733A true JP2021103733A (ja) 2021-07-15

Family

ID=76755367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019234255A Pending JP2021103733A (ja) 2019-12-25 2019-12-25 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021103733A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101376265B1 (ko) 배선 기판 및 그 제조 방법
JP2008141170A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US7698813B2 (en) Method for fabricating conductive blind via of circuit substrate
US20150245485A1 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2009253294A (ja) 配線基板及び配線基板の製造方法
CN110972414A (zh) 复合电路板及其制造方法
JP2020188209A (ja) プリント配線板とプリント配線板の製造方法
JP2011014644A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2014504034A (ja) リードクラックが強化された電子素子用テープ
JP4759041B2 (ja) 電子部品内蔵型多層基板
JP2011040720A (ja) プリント回路基板及びその製造方法
JP2021103733A (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2015050307A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2016143810A (ja) 配線基板及び電子部品装置とそれらの製造方法
US9974166B2 (en) Circuit board and manufacturing method thereof
JP4238242B2 (ja) 配線基板
JP6644978B2 (ja) 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法
US7807034B2 (en) Manufacturing method of non-etched circuit board
KR20140029241A (ko) 프린트 배선판 및 프린트 배선판의 제조 방법
CN108666293B (zh) 线路载板及其制造方法
KR101558579B1 (ko) 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2016225430A (ja) 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法
TW201720258A (zh) 焊墊及焊墊製作方法
JP2021125571A (ja) 配線基板及び配線基板の製造方法
JP5511922B2 (ja) 配線基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221020

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230919

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20240312