JP2021101438A

JP2021101438A - 発光装置

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Publication number: JP2021101438A
Application number: JP2021066999A
Authority: JP
Inventors: 平沢　明; Akira Hirasawa; 明平沢
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2019-10-21
Filing date: 2021-04-12
Publication date: 2021-07-08
Also published as: JP2020009789A; JP2022173480A; JP6868669B2

Abstract

【課題】透過型の発光装置において、発光面とは逆の面から光を漏れにくくする。【解決手段】発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０、透光性を有する第２基材２２０、および複数の発光部１４０を備える。発光部１４０は第１基材２１０と第２基材２２０の間に位置する。発光部１４０は第１波長にピークを有する光を発する。また、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は吸収層１７０を含む。吸収層１７０は第１波長の光を特に吸収する層である。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。

有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。

特開２０１１−２３３３６号公報

片面（おもて面）からのみ光を取り出したい透過型の発光装置において、逆側の面（裏面）からも一部の光が漏れ出てしまう場合がある。この場合、裏面側から発光装置を介して反対側を視認しにくくなったり、おもて面での光取り出し効率が低下したりする。

本発明が解決しようとする課題としては、透過型の発光装置において、発光面とは逆の面から光を漏れにくくすることが一例として挙げられる。

第１の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は吸収層を含み、
前記吸収層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均吸収率より前記第１波長の光の吸収率が高い発光装置である。

第２の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は吸収層を含み、
前記ピークにおいてピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記吸収層の吸収率が１０％以上である発光装置である。

第３の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は吸収層を含み、
前記吸収層は、前記ピークにおいてピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に、吸収ピークを有する発光装置である。

第３の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は吸収層を含み、
前記吸収層の光の最大吸収ピークにおいて、ピーク強度の２分の１の吸収強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置である。

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。

第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。発光装置の発光部を拡大した図である。発光部の発光スペクトルの例を示す図である。吸収層の吸収スペクトルの例を示す図である。発光装置における光路の第１の例を示す図である。発光装置の平面図である。第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。発光装置における光路の第２の例を示す図である。第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第４の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第５の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。第５の実施形態に係る発光装置の平面図である。実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。図１３に示した発光装置の平面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。監視者Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。図２は発光装置１０の発光部１４０を拡大した図である。

発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０及び透光性を有する第２基材２２０の間に位置する複数の発光部１４０を備える。発光部１４０は第１波長にピークを有する光を発する。また、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は吸収層１７０を含む。

なお、第２基材２２０が吸収層１７０を含むとは、第１基材２１０と吸収層１７０の間に発光部１４０が位置することを意味する。すなわち、発光装置１０の製造工程等において吸収層１７０は第１基材２１０に対して形成される層であっても良いし、第１基材２１０に一部が接する層であっても良い。

吸収層１７０について、以下に説明する。吸収層１７０は第１波長の光を特に吸収する層であれば特に限定されないが、たとえば以下の第１例から第５例の少なくともいずれかに該当する様な層である。以下において、第１波長とは、発光部１４０の発光スペクトルにおける最大ピークである。ここで、発光部１４０の発光スペクトルはたとえば、発光装置１０の第１基材２１０側の出力面から出力される光を計測することで得られる。また、吸収層１７０の吸収スペクトルは、たとえば発光装置１０の第２基材２２０側に照射した光の反射スペクトルおよび透過スペクトルを取得し、照射光のスペクトルから透過スペクトルおよび反射スペクトルを差し引くことによって得られる。また、第１基材２１０および第２基材２２０は透光性を有するため、吸収層１７０を含む構造を発光装置１０から切り出し、その構造を対象として測定した光の吸収率を、吸収層１７０の光の吸収率とみなしてもよい。本図の例においてたとえば、接着層１８４を切断することで封止部材１８０、吸収層１７０および接着層１８４の一部を含む構造を得、測定対象とすることができる。発光スペクトルや吸収スペクトルの測定範囲はたとえば４００ｎｍから７００ｎｍとする。

第１例において、吸収層１７０は、たとえば４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の吸収率の平均値（平均吸収率）よりも、第１波長における光の吸収率が高い層である。ここで、吸収層１７０の平均吸収率はたとえば、複数の波長の光に対する吸収層１７０の吸収率を波長ごとに計測し、それらの平均値を算出することで得られる。

第２例において、発光部１４０の発光スペクトルの内、第１波長を含むピークにおいて、ピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲を第１範囲とする。そして、第１範囲内の光に対する、吸収層１７０の吸収率が１０％以上である。

図３は、発光部１４０の発光スペクトルの例を示す図である。本図を用いて第２例について説明する。本図に示す発光スペクトルでは、第１波長に最大ピークを有する。第１波長におけるピーク強度はＩ_ａである。そして、本図中、発光強度Ｉ_ｂはＩ_ａの２分の１の大きさである。第１波長のピークの裾は第２波長および第３波長で強度Ｉ_ｂをとる。第２波長は第３波長よりも短い。ここで、第２波長を下限、第３波長を上限とした波長範囲を第１範囲とする。そして、第２例において、吸収層１７０の吸収率は、第１範囲内の全体にわたって、１０％以上である。また、吸収層１７０の吸収率は、第１範囲内の全体にわたって、３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。

なお、発光部１４０の発光スペクトルが、三つ以上の波長で上記の強度Ｉ_ｂをとる場合、それらの波長のうち、第１波長よりも短く且つ最も第１波長に近い波長を第２波長とする。また、それらの波長のうち、第１波長よりも長く且つ最も第１波長に近い波長を第３波長とする。なお、第１範囲の中には、第１波長以外の波長においてさらに他の発光ピークが存在しても良い。

吸収層１７０が、基板１００に垂直な方向から見て光透過領域に重なる領域にも形成される場合、吸収層１７０の光の吸収率は、第１範囲内の全体にわたって、９０％以下であることが好ましく、８０％以下であることがより好ましい。そうすれば、発光装置１０のより高い光透過性を確保することができる。

第３例において、吸収層１７０は、第２例で説明した第１範囲内に吸収ピークを有する層である。特に、吸収層１７０の光の吸収スペクトルのうち最大の吸収ピークが第１範囲内に位置することが好ましい。

第４例において、吸収層１７０の光の最大吸収ピークにおける、ピーク強度の２分の１の吸収強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲を第２範囲とする。そして、第２範囲内に、第１波長が含まれる。

図４は、吸収層１７０の吸収スペクトルの例を示す図である。本図を用いて第４例について説明する。本図に示す吸収スペクトルは、第４波長をピーク波長とする最大吸収ピークを有する。吸収スペクトルにおけるピークの大きさ（強度）は、吸収層１７０の光の吸収率に比例する。第４波長におけるピーク強度はＩ_ｃである。そして、本図中、吸収強度Ｉ_ｄはＩ_ｃの２分の１の大きさである。第４波長のピークの裾は第５波長および第６波長で強度Ｉ_ｄをとる。第５波長は第６波長よりも短い。ここで、第５波長を下限、第６波長を上限とした波長範囲を第２範囲とする。そして、第４例において、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長が、第２範囲内に含まれる。

なお、吸収層１７０の吸収スペクトルが、三つ以上の波長で上記の強度Ｉ_ｄをとる場合、それらの波長のうち、第４波長よりも短く且つ最も第４波長に近い波長を第５波長とする。また、それらの波長のうち、第４波長よりも長く且つ最も第４波長に近い波長を第６波長とする。また、第２範囲の中には、第４波長以外の波長においてさらに他の吸収ピークが存在しても良い。

第５例において、吸収層１７０の吸収スペクトルの最大吸収強度をとる波長と、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長との差は１００ｎｍ以下である。また、吸収層１７０の吸収スペクトルの最大吸収強度をとる波長と、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長との差は５０ｎｍ以下であることがより好ましい。

また、上記した第１例から第５例において、第１波長より１００ｎｍ短い波長、および１００ｎｍ長い波長における吸収層１７０の光の吸収率は、５０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。そうすれば、吸収層１７０は第１波長から離れた波長の光を十分に透過することができる。また、吸収層１７０は、可視光のうち第１波長を含む一部の波長帯の波長の光の透過率が、その一部の波長帯以外の光の透過率よりも低い層であることが好ましい。その一部の波長帯は、たとえば第１波長より５０ｎｍ短い波長以上、第１波長より５０ｎｍ長い波長以下の範囲である。

図５は、発光装置１０における光路の第１の例を示す図である。以下において、発光装置１０の第１基材２１０側を「おもて面」、第２基材２２０側を「裏面」と呼ぶ。発光部１４０から出力され基板１００側に進んだ光Ｌ_１は、基板１００と気相との界面への入射角が臨界角より小さい場合、主に光Ｌ_２のように発光装置１０の外側に出力する。一方、入射角が臨界角より大きい場合、光Ｌ_３のように全反射されて裏面側に進む。そしてたとえば、光Ｌ_３は拡散性のある部材を通過する際に光Ｌ_５の様に進行方向を変えて、発光装置１０の裏面に対して出力されやすい角度になることがある。この場合でも本実施形態の発光装置１０は吸収層１７０を備えるため、通過する光Ｌ_５の一部を吸収し、裏面漏れ光Ｌ_７を小さくすることができる。また本図中、光Ｌ_４およびＬ_６の様に発光装置１０の裏面で全反射される角度の光があり得る。この場合、全反射された光Ｌ_８は再度吸収層１７０に入射することにより強度が低下する。こうして、吸収層１７０により、発光部１４０から出力された光の裏面漏れが低減できる。一方、吸収層１７０は、第１波長の光を選択的に吸収することにより、発光装置１０の裏面側からおもて面側の視認性を確保することができる。

図１および図２に戻り、発光装置１０の各構成について詳しく説明する。本実施形態において、発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０および透光性を有する第２基材２２０を備える。第２基材２２０は、封止膜１８２、接着層１８４、吸収層１７０および封止部材１８０を含む。封止部材１８０は接着層１８４を介して発光部１４０を覆っている。また、本実施形態において吸収層１７０は、封止部材１８０に接している。図１および図２に示す例において吸収層１７０は、封止部材１８０の発光部１４０側の面と接しているが、吸収層１７０は封止部材１８０の発光部１４０とは逆側の面と接していても良い。吸収層１７０が、封止部材１８０に接していることにより、封止部材１８０と発光部１４０との間に光拡散性の部材が存在した場合にもより外側で光を吸収することができる。ただし、吸収層１７０は第２基材２２０に含まれていればよく、その位置を特に限らない。また、第２基材２２０には複数の吸収層１７０が含まれていても良い。

本実施形態の第１基材２１０は、基板１００を含む。基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。この場合第１基材２１０は、基板１００および無機バリア膜を含む。

基板１００の一面には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、透光性の第１電極１１０、遮光性の第２電極１３０および、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を含む。そして、第２電極１３０は第１電極１１０に対し第１基材２１０とは逆側に位置する。このような構成により、発光部１４０からの光は第１基材２１０側に出力される。なお、発光部１４０からの光の一部が第２基材２２０側に、例えば漏れ光として出力されても良いが、第１基材２１０側に出力される光は第２基材２２０側に出力される光よりも高強度になる。

発光装置１０が照明装置の場合、複数の発光部１４０はライン状に延在している。一方、発光装置１０が表示装置の場合、複数の発光部１４０はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示したりするように（例えばアイコンを表示するように）なっていてもよい。そして複数の発光部１４０は、画素別に形成されている。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｕｎｇｓｔｅｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。本図において、基板１００の上には、複数の線状の第１電極１１０が互いに平行に形成されており、第２領域１０４及び第３領域１０６には第１電極１１０は位置していない。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されていてもよく、また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

発光部１４０の発光色が赤色である場合、第１波長はたとえば５９０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下ある。発光部１４０の発光色が緑色である場合、第１波長はたとえば４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である。発光部１４０の発光色が青色である場合、第１波長はたとえば３９０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。

発光部１４０の発光色が赤色である場合、有機層１２０は、たとえばＢＡｌｑおよびＢｔｐＩｒを含む。発光部１４０の発光色が緑色である場合、有機層１２０はたとえばＣＢＰおよびＩｒ（ｐｐｙ）_３を含む。そして、発光部１４０が青色である場合、有機層１２０はたとえばＣＤＢＰおよびＦＩｒｐｉｃを含む。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置１０は複数の線状の第２電極１３０を有している。第２電極１３０は、第１電極１１０のそれぞれに対して設けられており、かつ第１電極１１０よりも幅が広くなっている。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第１電極１１０の全体が第２電極１３０によって重なっており、また覆われている。また、第１電極１１０は、第２電極１３０よりも幅が広く、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第２電極１３０の全体が第１電極１１０によって覆われていてもよい。

第１電極１１０の縁は、絶縁膜１５０によって覆われている。絶縁膜１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０の幅方向の縁は、絶縁膜１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜１５０の一部は第２電極１３０からはみ出ている。また本図に示す例において、有機層１２０は絶縁膜１５０の上及び側面にも形成されている。そして有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されている。ただし、有機層１２０は、隣り合う発光部１４０にわたって連続して設けられていても良い。

発光装置１０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は基板１００に垂直な方向から見て第２電極１３０と重なる領域である。第２領域１０４は、第２電極１３０とは重ならないが、絶縁膜１５０と重なる領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第２領域１０４にも形成されている。第３領域１０６は、第２電極１３０とも絶縁膜１５０とも重ならない領域である。光透過領域は、第２領域１０４および第３領域１０６からなる。すなわち光透過領域は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、第２電極１３０と重ならない領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第３領域１０６の少なくとも一部には形成されていない。そしてたとえば第２領域１０４の幅は、第３領域１０６の幅よりも狭い。また第３領域１０６の幅は第１領域１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。第１領域１０２の幅を１とした場合、第２領域１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．２以下であり、第３領域１０６の幅は例えば０．３以上２以下である。また第１領域１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第２領域１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、第３領域１０６の幅は例えば１５μｍ以上１０００μｍ以下である。

封止膜１８２は、発光部１４０を覆うよう形成されている。図１および図２に示す例において、封止膜１８２は第２電極１３０に接しており、基板１００に垂直な方向から見て第１領域１０２、第２領域１０４、および第３領域１０６の全体を覆っている。

封止膜１８２としては、例えば、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２などの無機バリア膜や、それらを含むバリア積層膜、またはそれらの混合膜を用いることができる。これらは、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、ＥＢ蒸着法などの真空成膜法で形成することができる。

基板１００の平面形状は、例えば矩形などの多角形や円形である。そして封止部材１８０は透光性を有しており、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されている。封止部材１８０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして複数の発光部１４０は、いずれも基板１００と封止部材１８０の間の封止された空間の中に位置している。そして封止された空間には接着剤が充填され、接着層１８４が形成されている。また、封止部材１８０は板状であってもよい。この場合にも、封止部材１８０は接着層１８４で発光部１４０に固定される。接着層１８４としてはたとえばエポキシ樹脂を用いることができる。

さらに、本実施形態において封止部材１８０の一の面には吸収層１７０が形成されている。図１および図２に示す例において、吸収層１７０は、接着層１８４と封止部材１８０の間に位置し、接着層１８４および封止部材１８０と接している。ただし、封止部材１８０には少なくとも一方の面に吸収層１７０が形成されていればよい。すなわち、吸収層１７０は封止部材１８０の両方の面に形成されていても良いし、吸収層１７０は封止部材１８０の、発光部１４０とは反対側の面にのみ設けられていても良い。また、吸収層１７０は発光部１４０を構成しない層である。

本実施形態において吸収層１７０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、第１領域１０２、第２領域１０４および第３領域１０６の全体と重なる様に設けられている。すなわち、吸収層１７０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、発光部１４０と重なる領域に形成されており、光透過領域と重なる領域にさらに形成されている。したがって、吸収層１７０をパターニングする必要が無く、容易に形成できる。

吸収層１７０はたとえば吸光材料を含んで構成される。発光部１４０の発光色が赤色である場合、吸光材料としてはたとえば、銅フタロシアニンや亜鉛フタロシアニン等の金属フタロシアニンを用いることができる。発光部１４０の発光色が緑色である場合、吸光材料としてはたとえば、ルブレンやペンタセンを用いることができる。発光部１４０の発光色が青色である場合、吸光材料としてはたとえば、クマリン６、クマリン３４３等のクマリン系色素やナフタセンを用いることができる。なかでも、有機層１２０がＢｔｐＩｒを含む場合、吸収層１７０は金属フタロシアニンを含むことが好ましい。そうすれば、発光部１４０の発光スペクトルと、吸収層１７０の吸収スペクトルの一致度合いが特に高くなるからである。

吸収層１７０は吸光材料をたとえばインクジェット法、スピンコート法等の塗布法や、蒸着法で成膜することにより形成できる。塗布法を用いる場合、吸光材料を溶解または分散させる溶媒は特に限定されないが、たとえばトルエン、エタノール、アセトン、イソプロピルアルコール、水、硫酸、トリフルオロ酢酸、ドデシルベンゼンスルホン酸を用いることができる。特に、吸光材料が金属フタロシアニンを含む場合、溶媒としてはドデシルベンゼンスルホン酸を用いることが好ましい。また、塗布法を用いる場合、バインダーと吸光材料との混合物を塗布する事により吸収層１７０を形成しても良い。バインダーは例えば樹脂材料であり、この場合、吸収層１７０は、樹脂を含んで構成される。吸収層１７０が樹脂材料を含む場合、吸収層１７０に対する吸光材料の含有量は、たとえば５質量％以上８０質量％以下である。吸収層１７０の厚さは特に限定されないが、たとえば１０ｎｍ以上１００μｍ以下である。

なお、本実施形態において発光装置１０には封止膜１８２が設けられていなくても良い。その場合、接着層１８４が第２電極１３０に接するように設けられる。

図６は発光装置１０の平面図である。なお、図１は図６のＡ−Ａ断面に対応している。本図に示す例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６は、いずれも線状かつ同一方向に延在している。そして本図及び図１に示すように、第２領域１０４、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６が、この順に繰り返し並んでいる。

本図の例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６のうち第１領域１０２は最も光線透過率が低い。また、第２領域１０４は絶縁膜１５０が存在している分、第３領域１０６に対して光線透過率が低くなっている。本実施形態ではたとえば第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭くすることができる。そうすれば、発光装置１０において第２領域１０４の面積占有率は、第３領域１０６の面積占有率よりも低くなり、発光装置１０の光線透過率はより高くなる。

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁膜１５０を形成する。例えば絶縁膜１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。次いで、発光部１４０上に封止膜１８２を成膜する。さらに、吸収層１７０を形成した封止部材１８０を接着層１８４で接着し、発光部１４０を封止する。

以上、本実施形態において、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような吸収層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射され、拡散等された光を吸収し、光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制できる。よって、裏面漏れ光を低減することができる。

（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、光透過領域と重なる領域の少なくとも一部に吸収層１７０が設けられていない点を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同じである。

吸収層１７０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、少なくとも発光部１４０と重なる領域に形成されている。そして、光透過領域と重なる領域の少なくとも一部には吸収層１７０が設けられていない。だたし、吸収層１７０は、少なくとも第１領域１０２の全体と重なるように形成されていることが好ましい。本実施形態において、吸収層１７０は線状かつ同一方向に延在している。

吸収層１７０が、少なくとも第１領域１０２の全体と重なるように形成されている場合、吸収層１７０のうち第１領域１０２からはみ出している部分の幅Ｗは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。そうすれば、効果的に裏面漏れ光を低減できると共に、アライメントに困難がない。ここでＷは、基板１００の表面に垂直かつ発光部１４０の延在方向に垂直な断面（図６のＡ−Ａ断面に相当）における、吸収層１７０のうち第２電極１３０の端部よりも発光部１４０の外側の部分の幅であるとも言える。

図８は、発光装置１０における光路の第２の例を示す図である。本図は、発光部１４０から出力された光Ｌ_９が発光装置１０のおもて面側で全反射し、さらに発光装置１０の裏面側で全反射して光Ｌ_１０、Ｌ_１１の光路をたどる場合を示している。発光装置１０中の光は、発光装置１０のおもて面および裏面で全反射される角度を保ったままであれば発光装置１０の中を伝搬して側面から出射されるため、裏面漏れ光とはならない。しかし、発光装置１０中には発光部１４０が設けられており、特に第２電極１３０の裏面側の凹凸等によって反射された光Ｌ_１２は、発光装置１０の裏面から出射可能な角度となりうる。従って、裏面漏れ光は、発光部１４０に重なる領域において特に大きくなるおそれがある。これに対し、本実施形態に係る発光装置１０では少なくとも発光部１４０と重なる領域に吸収層１７０が設けられている。したがって、Ｌ_１３で示されるような裏面漏れ光を効率良く低減すると共に、光透過領域における光の透過率を向上させることができる。

本実施形態の発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に発光部１４０を形成し、発光部１４０上に封止膜１８２を設けるまでは第１の実施形態と同様に行える。次いで、吸収層１７０を形成した封止部材１８０を接着層１８４で接着し、発光部１４０を封止する。本実施形態において封止部材１８０の面に吸収層１７０を形成する際、たとえばマスクパターン、フォトリソグラフィー、またはインクジェット法等を用いて、吸収層１７０をパターニングする。また、発光部１４０の上に封止部材１８０を固定する際には、吸収層１７０が発光部１４０を覆う位置になるように、アライメントマーク等を用いて位置あわせする。

なお、吸収層１７０は、封止部材１８０の少なくとも一方の面に形成されていればよい。すなわち、吸収層１７０は封止部材１８０の両方の面に形成されていても良いし、吸収層１７０は封止部材１８０の、発光部１４０とは反対側の面にのみ設けられていても良い。

以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような吸収層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射され、拡散等された光を吸収し、光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制できる。よって、裏面漏れ光を低減することができる。

くわえて、吸収層１７０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、少なくとも発光部１４０と重なる領域に形成されている。そして、光透過領域と重なる領域の少なくとも一部には吸収層１７０が設けられていない。したがって、発光装置１０の高い光透過性を確保することができる。

（第３の実施形態）
図９は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１および第２の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同じである。

本実施形態において、吸収層１７０は封止膜１８２と接着層１８４の間に形成されており、本図の例において、吸収層１７０は封止膜１８２および接着層１８４に接している。

本実施形態の発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に発光部１４０を形成し、発光部１４０上に封止膜１８２を設けるまでは第１の実施形態と同様に行える。次いで封止膜１８２の上に吸収層１７０を形成する。吸収層１７０は第１の実施形態で説明したのと同様に、たとえばインクジェット法、スピンコート法等の塗布法や、蒸着法で成膜できる。次いで、封止部材１８０を接着層１８４で吸収層１７０の上に固定する。

なお、封止部材１８０の少なくとも一方の面には第１の実施形態または第２の実施形態のように吸収層１７０がさらに設けられていても良い。また、吸収層１７０は、発光部１４０と封止膜１８２の間に設けられていても良い。

また、発光装置１０は封止膜１８２を有していなくても良い。発光装置１０が封止膜１８２を有しない場合、吸収層１７０は発光部１４０と接着層１８４の間に形成され、吸収層１７０が第２電極１３０に接して設けられる。

（第４の実施形態）
図１０は、第４の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１〜第３の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同じである。

本実施形態において、封止膜１８２、接着層１８４、および封止部材１８０の少なくともいずれかが、吸収層１７０である。図１０では、封止部材１８０が吸収層１７０である例を示している。

本実施形態において、第２基材２２０は、接着層１８４を介して発光部１４０を覆う封止部材１８０を含む。封止部材１８０および接着層１８４の少なくとも一方が吸収層１７０である場合、封止部材１８０または接着層１８４を形成する樹脂材料に吸光材料を混合することで吸収層１７０として機能させることができる。

すなわち、封止部材１８０が吸収層１７０である場合、樹脂材料と吸光材料を混合し、成形することで封止部材１８０を得る。そして、その封止部材１８０を用いて発光部１４０を封止する。また、接着層１８４が吸収層１７０である場合、封止部材１８０と発光部１４０との間を、吸光材料を混合させたエポキシ樹脂等で接着する。

また、本実施形態において、第２基材２２０は、発光部１４０に接して発光部１４０を覆う封止膜１８２を含む。封止膜１８２が吸収層１７０である場合、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機絶縁材料と、上記したような吸光材料とを共蒸着等することで封止膜１８２を形成できる。具体的には無機絶縁材料はＥＢ蒸着法等により、吸収材料は抵抗加熱蒸着法等により蒸着できる。

なお、本実施形態において、発光装置１０は封止部材１８０、接着層１８４、および封止膜１８２のうち少なくともいずれかを備えていなくても良い。

加えて、本実施形態の発光装置１０において、封止部材１８０および接着層１８４の少なくとも一方が吸収層１７０である、または封止膜１８２が吸収層１７０である。従って、封止構造と別途の吸収層１７０を設ける必要が無いため、製造における負担を軽減できる。

（第５の実施形態）
図１１は、第５の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。図１２は第５の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。なお、図１１は図１２のＢ−Ｂ断面に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１〜第４の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同じである。

本実施形態の発光装置１０は、第１発光部１４０ａと、第１発光部１４０ａとは第１波長が異なる第２発光部１４０ｂとを備える。図１１および図１２に示す例において、発光装置１０は発光部１４０として第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを備える。第１発光部１４０ａは第１有機層１２０ａを含み、第２発光部１４０ｂは第２有機層１２０ｂを含み、第３発光部１４０ｃは第３有機層１２０ｃを含む。そして、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃは互いに発光色が異なり、すなわち第１波長が異なる。

例えば、第１発光部１４０ａの発光スペクトルのピーク波長（第１発光部１４０ａの第１波長）は、第２発光部１４０ｂの発光スペクトルのピーク波長（第２発光部１４０ｂの第１波長）よりも長い。また、第２発光部１４０ｂの発光スペクトルのピーク波長は、第３発光部１４０ｃの発光スペクトルのピーク波長（第３発光部１４０ｃの第１波長）よりも長い。第１発光部１４０ａの発光色はたとえば赤色であり、第１発光部１４０ａの第１波長はたとえば５９０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下ある。第２発光部１４０ｂの発光色は、たとえば緑色であり、第２発光部１４０ｂの第１波長はたとえば４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である。第３発光部１４０ｃの発光色は、たとえば青色であり、第３発光部１４０ｃの第１波長はたとえば３９０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下である。

そして図１１および図１２に示すように、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃが、順に繰り返し並んでいる。

このように、発光装置１０が互いに異なる発光色を生じる第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを備えることにより、発光装置１０はたとえば白色やカラーの照明として用いることができる。また、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの発光をそれぞれ独立に調整することにより、発光装置１０全体の色を調整することができる。

本実施形態に係る発光装置１０は吸収層１７０として第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃを含む。第１吸収層１７０ａは第１発光部１４０ａの第１波長の光を特に吸収する層であり、第２吸収層１７０ｂは第２発光部１４０ｂの第１波長の光を特に吸収する層であり、第３吸収層１７０ｃは第３発光部１４０ｃの第１波長の光を特に吸収する層である。第１吸収層１７０ａと第１発光部１４０ａの第１波長との関係、第２吸収層１７０ｂと第２発光部１４０ｂの第１波長との関係、および第３吸収層１７０ｃと第３発光部１４０ｃの第１波長との関係は、それぞれ、第１の実施形態で説明した第１例から第５例の吸収層１７０と発光部１４０の第１波長との関係のうち少なくともいずれかに該当する。

第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃの積層体は第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの第１波長を特に吸収する一方、積層体全体として光透過性を有する。よって、発光装置１０のおもて面側から裏面側、および裏面側からおもて面側の視認性を確保することができる。

図１１に示す例では、第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃがこの順に積層されているが、第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃの積層順は特に限定されない。また、本図に示す例では、第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃが互いに接して設けられているが、第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃの間には他の層が設けられていても良い。

また、図１１に示す例では、第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃは、第１基材２１０に垂直な方向から見て、第１領域１０２、第２領域１０４および第３領域１０６の全体と重なる様に設けられているが、これに限定されない。第２の実施形態と同様、光透過領域と重なる領域の少なくとも一部には第１吸収層１７０ａ、第２吸収層１７０ｂ、および第３吸収層１７０ｃの少なくともいずれかが設けられていなくてもよい。

加えて、本実施形態の発光装置１０は、第１発光部１４０ａと、第１発光部１４０ａとは第１波長が異なる第２発光部１４０ｂとを少なくとも備える。したがって発光装置１０全体の色を調整することができる。

（実施例１）
図１３は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図１４は図１３に示した発光装置１０の平面図である。ただし、図１４において一部の部材は省略されている。図１３は図１４のＣ−Ｃ断面に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第１の実施形態から第５の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同様の構成を有している。なお、図１３および図１４では、発光装置１０が第１の実施形態の構成を有する例を示している。図１は図１４のＡ−Ａ断面図に相当する。

また、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を備えている。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４は、いずれも基板１００のうち発光部１４０と同一面に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は封止部材１８０の外部に位置している。第１引出配線１１４は第１端子１１２と第１電極１１０とを接続しており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と第２電極１３０とを接続している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止部材１８０の内側から外側に延在している。

第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜を有していてもよい。この金属膜は、例えばＭｏ又はＭｏ合金などの第１金属層、Ａｌ又はＡｌ合金などの第２金属層、及びＭｏ又はＭｏ合金などの第３金属層をこの順に積層させた構成を有している。この金属膜は、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４のすべてに形成されている必要はない。

第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。またこれらが金属膜を有している場合、この金属膜は、例えばスパッタリング法などによる成膜およびエッチング等によるパターニングを行って形成される。この場合、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低くなる。

本図に示す例において、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は一つの発光部１４０について一つずつ形成されている。複数の第１引出配線１１４はいずれも同一の第１端子１１２に接続しており、複数の第２引出配線１３４はいずれも同一の第２端子１３２に接続している。そして、第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし、発光装置１０が第５の実施形態の構成を有する場合、発光装置１０は複数の第２端子１３２を備え、第２引出配線１３４がそれぞれ異なる第２端子１３２に接続されていても良い。

以上、本実施例においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような吸収層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射され、拡散等された光を吸収し、光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制できる。よって、裏面漏れ光を低減することができる。

上記の実施形態及び実施例では、ボトムエミッション型の発光装置の例を示したが、それに限定されない。たとえば発光装置はトップエミッション型でもよい。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims

透光性の第１基材と、
前記第１基材の第１面に位置する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、
吸収層と、
を備え、
前記発光部は、前記第１基材と前記吸収層の間に位置する発光装置。