JP2021093472A - 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 585
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 94
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 23
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 90
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 90
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 73
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 2
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC Chemical class COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005334 azaindolyl group Chemical class N1N=C(C2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Chemical class C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O hydron;quinoline Chemical compound [NH+]1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000001566 impedance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N trans-stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】蛍光材料を用いた有機ＥＬ素子において、素子寿命を長く保ったまま、発光効率を向上させる。【解決手段】陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高い。【選択図】図２
Description
本開示は、蛍光材料を発光材料として用いる有機ＥＬ素子における発光効率と寿命の改善に関する。
近年、表示装置に有機ＥＬ素子を利用したものが普及しつつある。
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。発光層では、電子と正孔（ホール）との再結合により発生した励起子のエネルギーが光に変換される。有機半導体においては、励起子（励起状態）には電子のスピン状態により、一重項励起子と三重項励起子の２種類が存在し、いわゆる蛍光材料においては、一重項励起子のエネルギーが光に変換される。
従来、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させるため、電子とホールのバランスを調整する（例えば、特許文献１参照）、三重項励起子により発光する燐光材料を用いる（例えば、特許文献２参照）などの工夫がなされている。
本開示は、蛍光材料を用いた有機ＥＬ素子において、発光効率を保ったまま長寿命化を図ることを目的とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする。
なお、本明細書において、ＬＵＭＯ準位ないし最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位が高いとは、当該準位と電子の真空準位との差が小さいこと、すなわち、当該準位に存在する電子のポテンシャルエネルギーが大きいことを指す。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子によれば、発光層の陰極側の領域の励起子密度を上昇させ、発光層から機能層への電子の流出を抑止することができる。したがって、電子や励起子による機能層の機能材料の劣化を抑止しつつ発光層の発光効率を向上させることができ、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。
≪本開示の一態様に至った経緯≫
有機ＥＬ素子を発光素子として使用するためには、発光の始状態となる励起子の生成が不可欠である。したがって、従来、正孔輸送層から発光層への正孔注入性と電子輸送層から発光層への電子注入性を高め、発光層内のキャリア密度を向上させて電子とホールの再結合確率を高めている。また、発光層内のキャリア密度をさらに向上させる構成として、発光層から電子輸送層への正孔漏出と発光層から正孔輸送層への電子漏出を抑制することができるように、電子輸送層のＨＯＭＯ(Highest Occupied Molecular Orbital)準位、および／または、正孔輸送層のＬＵＭＯ(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位を調整した機能層を選定する。このような構成により、発光層内のキャリア密度を向上させて電子と正孔の再結合確率を高めることができるからである。
有機ＥＬ素子を発光素子として使用するためには、発光の始状態となる励起子の生成が不可欠である。したがって、従来、正孔輸送層から発光層への正孔注入性と電子輸送層から発光層への電子注入性を高め、発光層内のキャリア密度を向上させて電子とホールの再結合確率を高めている。また、発光層内のキャリア密度をさらに向上させる構成として、発光層から電子輸送層への正孔漏出と発光層から正孔輸送層への電子漏出を抑制することができるように、電子輸送層のＨＯＭＯ(Highest Occupied Molecular Orbital)準位、および／または、正孔輸送層のＬＵＭＯ(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位を調整した機能層を選定する。このような構成により、発光層内のキャリア密度を向上させて電子と正孔の再結合確率を高めることができるからである。
有機材料中の励起子には、電子のスピン状態によって、一重項励起子と三重項励起子の２つが存在する。蛍光材料では、上述したように、一重項励起子が発光に寄与し、三重項励起子は発光に寄与しない。一方で、一重項励起子と三重項励起子の生成確率はおよそ１：３であり、一重項励起子の密度の向上が課題となっている。
発光効率の低い蛍光材料、特に、発光波長の短い青色発光材料等において、一重項励起子の密度の向上として、複数の三重項励起子を衝突させて一重項励起子を生成するＴＴＦ(Triplet-Triplet Fusion)現象を利用することが検討されている。このＴＴＦを利用するためには、三重項励起子の密度を向上させる必要があり、すなわち、電子とホールの再結合領域を狭くすることで励起子密度を向上させる必要がある。
電子とホールの再結合領域を狭くする方法のひとつとして、発光層内の電子の移動度とホールの移動度との大小関係を調整することにより、再結合領域を発光層中の正孔輸送層側あるいは電子輸送層側のいずれかの界面近傍に局在化させる方法がある。
しかしながら、発明者らは、再結合領域を発光層の正孔輸送層側あるいは電子輸送層側のいずれかの界面近傍に局在化させた場合においても、電子とホールとのうち注入量の少ない側のキャリアが再結合することなく発光層を通過し、発光層以外の機能層において機能性材料がキャリアや励起子により劣化が促進される場合があることを見出した。
そこで、発明者らは、キャリアが発光層を通過することによる機能性材料の劣化を抑止させる技術について検討し、本開示の態様に至った。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板を準備し、前記基板の上方に画素電極を形成し、前記画素電極の上方に、蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、前記発光層上に機能層を形成し、前記機能層の上方に陰極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高いことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子または有機ＥＬ素子の製造方法によれば、発光層の陰極側の領域の励起子密度を上昇させ、発光層から機能層への電子の流出を抑止することができる。したがって、電子や励起子による機能層の機能材料の劣化を抑止しつつ発光層の発光効率を向上させることができ、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、前記発光層における電子と正孔の再結合定数が、Langevin再結合係数の1/100以上である、としてもよい。
これにより、発光層内の励起子を増加させ発光効率をさらに上昇させるとともに、発光層の機能層との界面付近の電子密度を低下させることができるため、電子や励起子による機能層の機能材料の劣化を抑止しつつ発光層の発光効率を向上させることができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陰極側の表面との距離は、前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陽極側の表面との距離より短い、としてもよい。
これにより、発光層の中央より陰極側においてホールと電子との再結合確率を高めることができ、有機ＥＬ素子においてより高い発光効率を得ながら長寿命化を図ることができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、前記機能層に含まれる機能材料における一重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる一重項励起子のエネルギーより大きい、としてもよい。
これにより、発光層の機能材料における一重項励起子のエネルギーが機能層に遷移して発光効率が低下することを抑止するとともに、機能層の機能材料における一部の一重項励起子のエネルギーを発光層に遷移させて励起子を生成し発光に用いることで発光効率の向上を図ることができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、前記機能層に含まれる機能材料における三重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる三重項励起子のエネルギーより大きい、としてもよい。
これにより、発光層の機能材料における三重項励起子のエネルギーが機能層に遷移して発光効率が低下することを抑止するとともに、機能層の機能材料における一部の三重項励起子のエネルギーを発光層に遷移させて励起子を生成し発光に用いることで発光効率の向上を図ることができる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陽極と、発光層と、機能層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＨＯＭＯ準位より０．３ｅＶ以上低いことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板を準備し、前記基板の上方に画素電極を形成し、前記画素電極の上方に、機能層を形成し、前記機能層上に蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、前記発光層の上方に陰極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＨＯＭＯ準位より０．３ｅＶ以上低いことを特徴とする。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子または有機ＥＬ素子の製造方法によれば、発光層の陰極側の領域の励起子密度を上昇させ、発光層から機能層への正孔の流出を抑止することができる。したがって、正孔や励起子による機能層の機能材料の劣化を抑止しつつ発光層の発光効率を向上させることができ、有機ＥＬ素子の長寿命化が期待できる。
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、本開示の一態様に係る有機ＥＬ素子を基板上に複数備える、としてもよい。
≪実施の形態≫
以下、実施の形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
以下、実施の形態に係る有機ＥＬ素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
［１．有機ＥＬ素子の構成］
図１は、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の断面構造を模式的に示す図である。有機ＥＬ素子１は、陽極１３、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８、第２電子輸送層１９、電子注入層２０、および、陰極２１を備える。
図１は、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子１の断面構造を模式的に示す図である。有機ＥＬ素子１は、陽極１３、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８、第２電子輸送層１９、電子注入層２０、および、陰極２１を備える。
有機ＥＬ素子１において、陽極１３と陰極２１とは主面同士が向き合うように互いに対向して配されており、陽極１３と陰極２１との間に発光層１７が形成されている。
発光層１７の陽極１３側には、発光層１７に接して正孔輸送層１６が形成されている。正孔輸送層１６と陽極１３との間には正孔注入層１５が形成されている。
発光層１７の陰極２１側には、発光層１７に接して第１電子輸送層１８が形成されており、第１電子輸送層１８に接して第２電子輸送層１９が形成されている。第２電子輸送層１９と陰極２１との間に電子注入層２０が形成されている。
［１．１ 有機ＥＬ素子の各構成要素］
＜陽極＞
陽極１３は、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
＜陽極＞
陽極１３は、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３は、光反射性の陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
なお、陰極２１を光反射性の陰極とする場合には、陽極１３を光透過性の陽極としてもよい。この場合、陽極１３は、金属材料で形成された金属層および金属酸化物で形成された金属酸化物層の少なくとも一方を含んでいる。陽極１３の膜厚は１ｎｍ〜５０ｎｍ程度に薄く設定されて光透過性を有している。金属材料は光反射性の材料であるが、金属層の薄膜を５０ｎｍ以下と薄くすることによって、光透過性を確保することができる。したがって、発光層１７からの光の一部は陽極１３において反射されるが、残りの一部は陽極１３を透過する。
このとき、陽極１３に含まれる金属層を形成する金属材料としては、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｇは、基本的に低抵抗率を有し、Ａｇ合金は、耐熱性、耐腐食性に優れ、長期にわたって良好な電気伝導性を維持できる点で好ましい。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金（ＭｇＡｌ）、リチウム−アルミニウム合金（ＬｉＡｌ）が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。
陽極１３に含まれる金属層は、例えばＡｇ層あるいはＭｇＡｇ合金層の単層で構成してもよいし、Ｍｇ層とＡｇ層の積層構造（Ｍｇ／Ａｇ）、あるいは、ＭｇＡｇ合金層とＡｇ層の積層構造（ＭｇＡｇ／Ａｇ）にしてもよい。
陽極１３に含まれる金属酸化物層を形成する金属酸化物としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）が挙げられる。
また、陽極１３は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、陽極１３から発光層１７へのホール（正孔）の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層１５は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔注入材料と溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。正孔注入層１５は蒸着膜で形成されていてもよい。正孔注入層１５は、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの導電性ポリマー材料、あるいは、Ａｇ、Ｍｏ、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる。
正孔注入層１５は、陽極１３から発光層１７へのホール（正孔）の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層１５は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔注入材料と溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。正孔注入層１５は蒸着膜で形成されていてもよい。正孔注入層１５は、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの導電性ポリマー材料、あるいは、Ａｇ、Ｍｏ、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入されたホールを発光層１７へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１６は、例えば、塗布膜であり、具体的には、正孔輸送材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、正孔輸送層１６は蒸着膜で形成されていてもよい。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入されたホールを発光層１７へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１６は、例えば、塗布膜であり、具体的には、正孔輸送材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、正孔輸送層１６は蒸着膜で形成されていてもよい。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
＜発光層＞
発光層１７は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層中でのホールと電子の再結合位置は分布を持つため、発光層膜厚は再結合分布幅よりも大きいことが好ましく、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は３０ｎｍ以上である。また、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は４０ｎｍ以上である。また、一般に発光材料の移動度は電荷輸送材料の移動度に比べて小さく、発光層膜厚を薄く設計することが素子の駆動電圧低減に寄与するため、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は８０ｎｍ以下である。また、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は１２０ｎｍ以下である。
発光層１７は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層中でのホールと電子の再結合位置は分布を持つため、発光層膜厚は再結合分布幅よりも大きいことが好ましく、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は３０ｎｍ以上である。また、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は４０ｎｍ以上である。また、一般に発光材料の移動度は電荷輸送材料の移動度に比べて小さく、発光層膜厚を薄く設計することが素子の駆動電圧低減に寄与するため、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は８０ｎｍ以下である。また、実施の一態様において、発光層１７の膜厚は１２０ｎｍ以下である。
発光層１７は、例えば、塗布膜であり、例えば、発光層を形成する材料と溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、発光層１７は蒸着膜で形成されていてもよい。
発光層１７を形成する材料としては、公知の蛍光物質である有機材料を利用することができる。例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物等を用いることができる。
なお、後述するように、発光層１７は、電子移動度よりホール移動度が高いことが好ましく、そのような特性を有する蛍光材料を用いるか、または、そのような特性を有する有機材料をホスト材料として用いることが好ましい。蛍光材料をドーパントとして用いる場合のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物を用いることができる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体を用いることができる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、ペリレン誘導体を用いることができる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フタロシアニン誘導体を用いることができる。
なお、発光層を蛍光材料とホスト材料とから形成する場合において、実施の一態様では、蛍光材料の濃度は１ｗｔ％以上である。また、実施の一態様では、蛍光材料の濃度は１０ｗｔ％以下である。また、実施の一態様では、蛍光材料の濃度は３０ｗｔ％以下である。
発光層１７の膜厚は、例えば、青色発光層の場合は２０ｎｍから６０ｎｍ、赤色発光層、または緑色発光層の場合は、５０ｎｍから１５０ｎｍである。
＜第１電子輸送層＞
第１電子輸送層１８は、発光層１７から第１電子輸送層１８へのホールの流出を制限するとともに、第１電子輸送層１８から発光層１７への電子の注入を制御する機能を有する。発光層１７から第１電子輸送層１８へのホールの流出を制限する機能は、例えば、第１電子輸送層１８の機能性材料のＨＯＭＯ準位が、発光層１７の機能性材料のＨＯＭＯ準位より低く、その差が０．２ｅＶ以上、好ましくは０．３ｅＶ以上であることにより実現される。また、第１電子輸送層１８から発光層１７への電子の注入を制御する機能は、例えば、第１電子輸送層１８の電子移動度が低く、これにより第１電子輸送層１８と第２電子輸送層１９とを併せた電子輸送層全体の実効的電子移動度が発光層１７の電子移動度より低いことにより実現される。
第１電子輸送層１８は、発光層１７から第１電子輸送層１８へのホールの流出を制限するとともに、第１電子輸送層１８から発光層１７への電子の注入を制御する機能を有する。発光層１７から第１電子輸送層１８へのホールの流出を制限する機能は、例えば、第１電子輸送層１８の機能性材料のＨＯＭＯ準位が、発光層１７の機能性材料のＨＯＭＯ準位より低く、その差が０．２ｅＶ以上、好ましくは０．３ｅＶ以上であることにより実現される。また、第１電子輸送層１８から発光層１７への電子の注入を制御する機能は、例えば、第１電子輸送層１８の電子移動度が低く、これにより第１電子輸送層１８と第２電子輸送層１９とを併せた電子輸送層全体の実効的電子移動度が発光層１７の電子移動度より低いことにより実現される。
また、第１電子輸送層１８の材料は、ＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差、（バンドギャップ）、すなわち、一重項励起子のエネルギーが、発光層１７の材料のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差（一重項励起子のエネルギー）より大きいことが好ましい。本構成により、第１電子輸送層１８の材料に一重項励起子が生成した場合に発光層１７の蛍光材料の一重項励起子への遷移が容易に起きるとともに、発光層１７の蛍光材料の一重項励起子が第１電子輸送層１８へ流出することを抑止することができ、発光効率の向上に寄与する。また、同様に、第１電子輸送層１８の材料における三重項励起子のエネルギーは、発光層１７の材料における三重項励起子のエネルギーより大きいことが好ましい。
第１電子輸送層１８は、例えば、蒸着膜から構成されている。第１電子輸送層１８の材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。なお、第１電子輸送層１８は発光層１７および第２電子輸送層１９より電子移動度が低いことが好ましく、格子不整合を有している、および／または、電子トラップを生成する材料をドーパントとして含んでいることが好ましい。
第１電子輸送層１８の膜厚は、例えば、１０ｎｍから３０ｎｍである。
＜第２電子輸送層＞
第２電子輸送層１９は、陰極２１からの電子を、第１電子輸送層１８を経て発光層１７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１９は、電子輸送性が高い有機材料からなる。電子輸送層１９は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子輸送層１９に用いられる有機材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
第２電子輸送層１９は、陰極２１からの電子を、第１電子輸送層１８を経て発光層１７へ輸送する機能を有する。電子輸送層１９は、電子輸送性が高い有機材料からなる。電子輸送層１９は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子輸送層１９に用いられる有機材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
第２電子輸送層１９の膜厚は、例えば、２０ｎｍから６０ｎｍである。
＜電子注入層＞
電子注入層２０は、陰極２１から供給される電子を発光層１７側へと注入する機能を有する。電子注入層２０は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または、希土類金属等から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。なお、ドープ金属は、金属単体に限られず、フッ化物（例えば、ＮａＦ）やキノリニウム錯体（例えば、Ａｌｑ3、Ｌｉｑ）など化合物としてドープされてもよい。実施の形態では、ＬｉがＬｉｑとしてドープされている。ドープ金属としては、例えば、アルカリ金属に該当するリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）、アルカリ土類金属に該当するカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）、希土類金属に該当するイットリウム（Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等である。
電子注入層２０は、陰極２１から供給される電子を発光層１７側へと注入する機能を有する。電子注入層２０は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または、希土類金属等から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。なお、ドープ金属は、金属単体に限られず、フッ化物（例えば、ＮａＦ）やキノリニウム錯体（例えば、Ａｌｑ3、Ｌｉｑ）など化合物としてドープされてもよい。実施の形態では、ＬｉがＬｉｑとしてドープされている。ドープ金属としては、例えば、アルカリ金属に該当するリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）、アルカリ土類金属に該当するカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）、希土類金属に該当するイットリウム（Ｙ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等である。
電子注入層２０に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
＜陰極＞
陰極２１は、光透過性の導電性材料からなり、電子注入層２０上に形成されている。
陰極２１は、光透過性の導電性材料からなり、電子注入層２０上に形成されている。
陰極２１の材料としては、金属材料で形成された金属層および金属酸化物で形成された金属酸化物層の少なくとも一方を含む。
陰極２１に含まれる金属層を形成する金属材料としては、Ａｇ、Ａｇを主成分とする銀合金、Ａｌ、Ａｌを主成分とするＡｌ合金が挙げられる。Ａｇ合金としては、マグネシウム−銀合金、インジウム−銀合金が挙げられる。Ａｌ合金としては、マグネシウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム合金が挙げられる。その他の合金として、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金が挙げられる。
陰極２１に含まれる金属層は、例えばＡｇ層あるいはＭｇＡｇ合金層の単層で構成してもよいし、Ｍｇ層とＡｇ層の積層構造、あるいは、ＭｇＡｇ合金層とＡｇ層の積層構造にしてもよい。
陰極２１に含まれる金属酸化物層を形成する金属酸化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯが挙げられる。
また、陰極２１は、金属層単独、または、金属酸化物層単独で構成してもよいが、金属層の上に金属酸化物層を積層した積層構造、あるいは金属酸化物層の上に金属層を積層した積層構造としてもよい。
なお、陽極１３を光透過性の陽極とする場合には、陰極２１を光反射性の電極としてもよい。このとき、陰極２１は、光反射性の金属材料からなる金属層を含む。光反射性を具備する金属材料の具体例としては、銀、アルミニウム、アルミニウム合金、モリブデン、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＭｏＷ、ＮｉＣｒなどが挙げられる。
＜その他＞
有機ＥＬ素子１は基板１１上に形成される。基板１１は、絶縁材料である基材１１１からなる。あるいは、絶縁材料である基材１１１上に配線層１１２を形成してもよい。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。配線層１１２を構成する材料としては、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属材料、窒化ガリウム、ガリウム砒素などの無機半導体材料、アントラセン、ルブレン、ポリパラフェニレンビニレンなどの有機半導体材料等が挙げられ、これらを複合的に用いて形成したＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層としてもよい。
有機ＥＬ素子１は基板１１上に形成される。基板１１は、絶縁材料である基材１１１からなる。あるいは、絶縁材料である基材１１１上に配線層１１２を形成してもよい。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。配線層１１２を構成する材料としては、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属材料、窒化ガリウム、ガリウム砒素などの無機半導体材料、アントラセン、ルブレン、ポリパラフェニレンビニレンなどの有機半導体材料等が挙げられ、これらを複合的に用いて形成したＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層としてもよい。
また、図示していないが、基板１１上には層間絶縁層１２が形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
有機ＥＬ表示パネル１００がボトムエミッション型である場合には、基材１１１、層間絶縁層１２は光透過性の材料で形成されることが必要となる。さらに、ＴＦＴ層１１２が存在する場合には、ＴＦＴ層１１２において画素電極１３の下方に存在する領域の少なくとも一部分は、光透過性を有する必要がある。
また、有機ＥＬ素子１上には、封止層２２が形成されている。封止層２２は、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８、第２電子輸送層１９、電子注入層２０などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
有機ＥＬ表示パネル１００がトップエミッション型である場合には、封止層２２は光透過性の材料で形成されることが必要となる。なお図１には示されないが、封止層２２の上に、封止樹脂を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８、第２電子輸送層１９、電子注入層２０を水分および空気などから保護できる。
［２．エネルギーバンド構造］
有機ＥＬ素子１は、発光層１７、第１電子輸送層１８、および、第２電子輸送層１９のエネルギーバンド構造に特徴を有する。なお、説明の簡略化のために、「層のエネルギー準位」と記載するが、これは、当該層を形成する有機材料のエネルギー準位を略記したものである。なお、複数の種類の材料からなる層については、電子および／またはホールの輸送を担っている代表的な有機材料のエネルギー準位を「層のエネルギー準位」として表記する。
有機ＥＬ素子１は、発光層１７、第１電子輸送層１８、および、第２電子輸送層１９のエネルギーバンド構造に特徴を有する。なお、説明の簡略化のために、「層のエネルギー準位」と記載するが、これは、当該層を形成する有機材料のエネルギー準位を略記したものである。なお、複数の種類の材料からなる層については、電子および／またはホールの輸送を担っている代表的な有機材料のエネルギー準位を「層のエネルギー準位」として表記する。
図２は、有機ＥＬ素子１のエネルギーバンド構造を示すバンドダイアグラムである。図２では、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８、および、第２電子輸送層１９のＬＵＭＯのエネルギー準位（以下、「ＬＵＭＯ準位」と表記する）とＨＯＭＯのエネルギー準位（以下、「ＨＯＭＯ準位」と表記する）とを示し、他の層は記載を省略している。なお、図２では電子の真空準位を図示していないが、ＬＵＭＯ準位、ＨＯＭＯ準位のそれぞれは、バンドダイアグラムの下側であるほど、電子の真空準位からの差が大きく、エネルギーレベルが低い。
［２．１ 電子注入障壁］
陰極２１側から発光層１７へ電子を注入するためのエネルギー障壁が、陰極２１から発光層１７までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陽極１３側の層と陰極２１側の層とのＬＵＭＯ準位の差に起因する。以下、隣り合う２つの層の界面において陰極２１側から陽極１３側へ電子を注入するためのエネルギー障壁を「電子注入障壁」という。
陰極２１側から発光層１７へ電子を注入するためのエネルギー障壁が、陰極２１から発光層１７までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陽極１３側の層と陰極２１側の層とのＬＵＭＯ準位の差に起因する。以下、隣り合う２つの層の界面において陰極２１側から陽極１３側へ電子を注入するためのエネルギー障壁を「電子注入障壁」という。
第１電子輸送層１８から発光層１７への電子注入障壁Ｅｇ（ｅｍｌ）は、発光層１７の有機材料のＬＵＭＯ準位１７１と第１電子輸送層１８の有機材料のＬＵＭＯ準位１８１との差によって規定される。本実施の形態では、電子注入障壁Ｅｇ（ｅｍｌ）は０．１ｅＶである。
発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）は、正孔輸送層１６の有機材料のＬＵＭＯ準位１６１と発光層１７の有機材料のＬＵＭＯ準位１７１との差によって規定される。Ｅｇ（ｈｔｌ）は下記の式（１）を満たすことが好ましい。本実施の形態では、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）は０．３ｅＶである。
Ｅｇ（ｈｔｌ）≧０．３ｅＶ …式（１）
正孔輸送層１６から発光層１７へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｍｌ）は、発光層１７の有機材料のＨＯＭＯ準位１７２と正孔輸送層１６の有機材料のＨＯＭＯ準位１６２の際によって規定される。本実施の形態では、ホール注入障壁Ｈｇ（ｅｍｌ）が０．１１ｅＶである。
正孔輸送層１６から発光層１７へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｍｌ）は、発光層１７の有機材料のＨＯＭＯ準位１７２と正孔輸送層１６の有機材料のＨＯＭＯ準位１６２の際によって規定される。本実施の形態では、ホール注入障壁Ｈｇ（ｅｍｌ）が０．１１ｅＶである。
発光層１７から第１電子輸送層１８へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｔｌ１）は、第１電子輸送層の有機材料のＨＯＭＯ準位１８２と発光層の有機材料のＨＯＭＯ準位１７２との差によって規定される。本実施の形態では、ホール注入障壁Ｈｇ（ｅｔｌ１）は０．３１ｅＶである。
［３．キャリア移動度および再結合レートの構成］
有機ＥＬ素子１は、発光層１７のキャリア移動度およびに電子とホールの再結合レートに特徴を有する。
有機ＥＬ素子１は、発光層１７のキャリア移動度およびに電子とホールの再結合レートに特徴を有する。
上述したように、発光層１７は電子移動度よりホール移動度が高い。発光層１７の電子移動度をμｅ（ｅｍｌ）とし、ホール移動度をμｈ（ｅｍｌ）としたとき、下記の式（２）を満たすことが好ましい。
μｈ（ｅｍｌ）＞μｅ（ｅｍｌ） …式（２）
また、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける発光層１７における電子の再結合レートＲ（ｚ，ｔ）は、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）を用いて式（３）により示される。
Ｒ（ｚ，ｔ）＝ｒ（ｚ，ｔ）｛ｎ（ｚ，ｔ）・ｐ（ｚ，ｔ）−ｎi 2｝ …式（３）
ここで、ｎ（ｚ，ｔ）、ｐ（ｚ，ｔ）はそれぞれ、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける電子密度とホール密度である。また、ｎiは真正半導体状態のキャリア密度である。
μｈ（ｅｍｌ）＞μｅ（ｅｍｌ） …式（２）
また、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける発光層１７における電子の再結合レートＲ（ｚ，ｔ）は、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）を用いて式（３）により示される。
Ｒ（ｚ，ｔ）＝ｒ（ｚ，ｔ）｛ｎ（ｚ，ｔ）・ｐ（ｚ，ｔ）−ｎi 2｝ …式（３）
ここで、ｎ（ｚ，ｔ）、ｐ（ｚ，ｔ）はそれぞれ、時刻ｔ、膜厚方向位置ｚにおける電子密度とホール密度である。また、ｎiは真正半導体状態のキャリア密度である。
発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）は、Langevinの再結合定数ｒLに対し、式（４）を満たすことが好ましい。
ｒ（ｚ，ｔ）≧０．０１×ｒL …式（４）
なお、Langevinの再結合定数ｒLは、発光層１７の電子移動度μｅ（ｅｍｌ）、ホール移動度μｈ（ｅｍｌ）、比誘電率εrを用いて、式（５）により示される。
なお、Langevinの再結合定数ｒLは、発光層１７の電子移動度μｅ（ｅｍｌ）、ホール移動度μｈ（ｅｍｌ）、比誘電率εrを用いて、式（５）により示される。
ここで、ｅは電子の素電荷、ε0は真空の誘電率である。
なお、発光層１７が上記条件を満たしているか否かは、例えば、インピーダンス分光法を用いて測定することができる。より具体的には、発光層１７を備える有機ＥＬ素子１に対して広帯域の周波数で交流電圧を印加して、抵抗値および電流と電圧の位相差の周波数依存性から有機ＥＬ素子１のインピーダンスを測定する。インピーダンスの周波数特性から、有機ＥＬ素子１と等価な回路、具体的には、抵抗とコンデンサが並列接続された単位回路が複数個、直列に接続された回路（ＲＣ回路）を推測する。これにより、有機ＥＬ素子１の膜厚方向におけるキャリア分布を推測することができ、再結合定数を評価することができる。
［４．構成がもたらす効果］
［４．１ 設計から予測される効果］
図３（ａ）〜（ｂ）、および、（ｃ）は、それぞれ、実施例および比較例に係る、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８のバンドダイアグラム及び電子と正孔の再結合を示した簡易模式図である。
［４．１ 設計から予測される効果］
図３（ａ）〜（ｂ）、および、（ｃ）は、それぞれ、実施例および比較例に係る、正孔輸送層１６、発光層１７、第１電子輸送層１８のバンドダイアグラム及び電子と正孔の再結合を示した簡易模式図である。
図３（ｃ）は、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）を０．３ｅＶ未満とした場合の模式図である。発光層１７の陽極側より注入されたホールは、発光層１７のホール移動度が高いため発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近まで移動する。しかしながら、発光層１７から第１電子輸送層１８へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｔｌ１）は０．２ｅＶ以上と大きいため、ホールは第１電子輸送層１８へとほとんど注入されることなく、発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近にホールが蓄積する。一方で発光層１７の電子移動度は発光層１７のホール移動度より低いため、発光層１７における電子とホールの再結合領域は発光層１７の第１電子輸送層１８との界面近傍の狭い領域に制限される。したがって、励起子密度の向上が容易となりＴＴＦ現象を利用しやすくなる。
しかしながら、比較例では、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近においても電子密度が高いことを発明者らは見出した。図４（ａ）は、比較例に係る、正孔輸送層１６から第１電子輸送層１８までの範囲のキャリア密度であり、実線は電子密度を、破線はホール密度をそれぞれ示す。また、図４（ｂ）は、比較例に係る、再結合レートの分布図である。図４（ｂ）に示すように、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近における再結合レートは、発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近における再結合レートの１／１０程度と大きい。図４（ａ）に示すように、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近では、発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近よりホールの密度は低いため、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近における電子密度が高いことが、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近における再結合レートが高い要因と考えられる。したがって、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が高くない場合、発光層１７から正孔輸送層１６へ電子が流出し、発光効率が低下するだけでなく、正孔輸送層１６や正孔注入層１５等の機能性材料が電子や励起子によって劣化が促進されるおそれがある。
これに対し、実施の形態では、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上である。この場合も、図３（ａ）、（ｂ）の模式図に示すように、発光層１７の陽極側より注入されたホールは、発光層１７のホール移動度が高いため発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近まで移動する。しかしながら、発光層１７から第１電子輸送層１８へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｔｌ１）は０．２ｅＶ以上と大きいため、ホールは第１電子輸送層１８へとほとんど注入されることなく、発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近にホールが蓄積する。一方で発光層１７の電子移動度は発光層１７のホール移動度より低いため、発光層１７における電子とホールの再結合領域は発光層１７の第１電子輸送層１８との界面近傍の狭い領域に制限される。したがって、励起子密度の向上が容易となりＴＴＦ現象を利用しやすくなる。
さらに、実施の形態では発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であるため、図３（ｂ）の模式図に示すように、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近まで移動した電子は、正孔輸送層１６にはほとんど流出しない。したがって、正孔輸送層１６や正孔注入層１５等の機能性材料が電子や励起子によって劣化することを抑止することができる。また、実施の形態では、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近で電子が蓄積するため、正孔輸送層１６との界面付近においても電子とホールの再結合により励起子が生じることを期待でき、発光効率の向上を期待できる。
なお、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）が、Langevinの再結合定数ｒLに対し、上述の式（４）を満たす場合、発光層１７内の電子とホールの再結合によって発光層１７内の励起子密度が向上するとともに、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近まで移動する電子の数を減少させることができる。したがって、発光効率の向上と正孔輸送層１６等の機能性材料が電子や励起子によって劣化することを抑止することができる。
［４．２ 評価結果］
図５（ａ）は、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）ごとの、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）と再結合効率との関係を示すグラフである。ここで、再結合効率とは、発光層１７内の電子とホールの再結合レートを積算し（空間積分し）、流れた電流量で除したものである。また、図５（ｂ）は、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）ごとの、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）と一重項励起子の生成効率との関係を示すものである。ここで、一重項励起子の生成効率は、発光層１７内の一重項励起子数を積算し（空間積分し）、流れた電流量で除したものである。なお、図５（ａ）、（ｂ）ともに、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）を、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）のLangevinの再結合定数ｒLに対する比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLで示している。
図５（ａ）は、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）ごとの、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）と再結合効率との関係を示すグラフである。ここで、再結合効率とは、発光層１７内の電子とホールの再結合レートを積算し（空間積分し）、流れた電流量で除したものである。また、図５（ｂ）は、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）ごとの、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）と一重項励起子の生成効率との関係を示すものである。ここで、一重項励起子の生成効率は、発光層１７内の一重項励起子数を積算し（空間積分し）、流れた電流量で除したものである。なお、図５（ａ）、（ｂ）ともに、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）を、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）のLangevinの再結合定数ｒLに対する比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLで示している。
図５（ａ）に示されるように、比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLの値に係らず、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であれば再結合効率が最大化される。すなわち、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であれば、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近で再結合レートが低い場合であっても、正孔輸送層１６への電子流出を抑制し、再結合効率が向上する。また、図５（ｂ）に示されるように、比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLの値に係らず、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であれば一重項励起子の生成確率が最大化される。すなわち、電子とホールの再結合の過程のみならず一重項励起子の数が平衡状態に達した後についても、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であれば効率が向上していることが分かる。
図６（ａ）は、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）ごとの、発光層１７から正孔輸送層１６への電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）と再結合効率との関係をより詳細に示すグラフである。図６（ａ）においても、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）を、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）のLangevinの再結合定数ｒLに対する比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLで示している。
図６（ａ）に示すとおり、比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLに係らず、再結合効率は電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶで最大化し、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が減少すると再結合効率も低下する。一方で、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が同程度である場合には比率ｒ（ｚ，ｔ）／ｒLが大きいほど再結合効率が大きい。図６（ｂ）は、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）ごとの、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）と再結合効率との関係を示したグラフである。図６（ｂ）に示すように、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）に関わらず、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）がLangevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であれば、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）が再結合効率にもたらす効果が大きい。すなわち、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）がLangevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であれば、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）や再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）の最適化が再結合効率にもたらす効果が大きい。図６（ｃ）は、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）ごとの、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）と一重項励起子の生成効率との関係を示したグラフである。図６（ｃ）に示すように、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）がLangevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であれば、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）や再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）の最適化が一重項励起子の生成効率にもたらす効果も大きい。
すなわち、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）がLangevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であることと、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が０．３ｅＶ以上であることは、いずれも発光効率を向上させるが、再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）がLangevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であることは、電子注入障壁Ｅｇ（ｈｔｌ）が大きいことによる効果をより増大させる効果も有する。
［４．３ 発光中心］
ここで、発光層における発光中心について説明する。発光中心とは、以下に説明する発光のピークとなる代表位置を指す。発光ピークの位置は、発光材料の励起子が集中する位置であり、一般に、発光層の陰極側の界面と、発光層の陽極側の界面との、いずれか一方、または、両方である。発光層におけるホールの移動度が電子の移動度より十分に高い場合、ホールは発光層の陰極側の界面まで移動する一方で、電子は発光層の陰極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陰極側の界面付近で集中的に生成する。一方、発光層における電子の移動度がホールの移動度より十分に高い場合、電子は発光層の陽極側の界面まで移動する一方で、ホールは発光層の陽極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陽極側の界面付近で集中的に生成する。また、発光層におけるホールの移動度と電子の移動度との関係によっては、励起子が、発光層の陰極側の界面付近と陽極側の界面付近の双方で集中的に生成することもある。一般には、励起子が集中的に生成した位置が、そのまま発光ピークの位置となる。
ここで、発光層における発光中心について説明する。発光中心とは、以下に説明する発光のピークとなる代表位置を指す。発光ピークの位置は、発光材料の励起子が集中する位置であり、一般に、発光層の陰極側の界面と、発光層の陽極側の界面との、いずれか一方、または、両方である。発光層におけるホールの移動度が電子の移動度より十分に高い場合、ホールは発光層の陰極側の界面まで移動する一方で、電子は発光層の陰極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陰極側の界面付近で集中的に生成する。一方、発光層における電子の移動度がホールの移動度より十分に高い場合、電子は発光層の陽極側の界面まで移動する一方で、ホールは発光層の陽極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陽極側の界面付近で集中的に生成する。また、発光層におけるホールの移動度と電子の移動度との関係によっては、励起子が、発光層の陰極側の界面付近と陽極側の界面付近の双方で集中的に生成することもある。一般には、励起子が集中的に生成した位置が、そのまま発光ピークの位置となる。
なお、発光材料の励起子の拡散特性が高く、励起子寿命が長い場合は、励起子の拡散により、励起子が集中的に生成する位置と発光ピークの位置が必ずしも一致しない場合がある。この場合は、励起子が集中的に生成する位置ではなく、励起子のエネルギーから光子のエネルギーへの遷移が集中的に発生する位置が発光中心となる。
［５．まとめ］
以上説明したように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層１７においてホール移動度が電子移動度より高い。そのため、発光層１７における電子とホールの再結合領域が発光層１７の電子輸送層との界面付近の狭い領域とすることができ、励起子密度を向上させてＴＴＦによる発光効率の向上を得ることができる。
以上説明したように、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層１７においてホール移動度が電子移動度より高い。そのため、発光層１７における電子とホールの再結合領域が発光層１７の電子輸送層との界面付近の狭い領域とすることができ、励起子密度を向上させてＴＴＦによる発光効率の向上を得ることができる。
また、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、正孔輸送層１６の材料のＨＯＭＯ準位が発光層１７の材料のＬＵＭＯ準位よりも０．３ｅＶ以上高い。そのため、発光層１７から正孔輸送層１６への電子の漏出を抑止し、発光層１７内の励起子密度を向上させることができる。したがって、再結合領域が発光層１７の外部、特に、正孔輸送層１６側へと広がることを抑止することができ、発光効率の向上とともに、電子や励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。
さらに、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子は、発光層における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）が、Langevinの再結合定数ｒLの１／１００以上である。そのため、発光層１７内の電子とホールの再結合によって発光層１７内の励起子密度が向上するとともに、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近まで移動する電子の数を減少させることができる。したがって、発光効率の向上と正孔輸送層１６等の機能性材料が電子や励起子によって劣化することをさらに強く抑止することができる。
［６．有機ＥＬ素子の製造方法］
有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を用いて説明する。図７（ａ）〜図１０（ｃ）は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示パネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図１１は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を用いて説明する。図７（ａ）〜図１０（ｃ）は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示パネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図１１は、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
なお、有機ＥＬ表示パネルにおいて、画素電極（下部電極）は有機ＥＬ素子の陽極として、対向電極（上部電極、共通電極）は有機ＥＬ素子の陰極として、それぞれ機能する。
（１）基板１１の形成
まず、図７（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成する（図１１のステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
まず、図７（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成する（図１１のステップＳ１０）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、図７（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（図１１のステップＳ２０）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ層のソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するように形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
（２）画素電極１３の形成
次に、図７（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（図１１のステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図７（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（図１１のステップＳ３２）。この画素電極１３は、各有機ＥＬ素子の陽極として機能する。
次に、図７（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（図１１のステップＳ３１）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図７（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３を形成する（図１１のステップＳ３２）。この画素電極１３は、各有機ＥＬ素子の陽極として機能する。
なお、画素電極１３の形成方法は上述の方法に限られず、例えば、画素電極材料層１３０上に正孔注入材料層１５０を形成し、画素電極材料層１３０と正孔注入材料層１５０とをエッチングによりパターニングすることで、画素電極１３と正孔注入層１５とをまとめて形成してもよい。
（３）隔壁１４の形成
次に、図７（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（図１１のステップＳ４１）。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで隔壁１４を形成し（図８（ａ）、図１１のステップＳ４２）、隔壁１４を焼成する。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
次に、図７（ｅ）に示すように、画素電極１３および層間絶縁層１２上に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層１４０を形成する。隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を画素電極１３上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される（図１１のステップＳ４１）。そして、隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで隔壁１４を形成し（図８（ａ）、図１１のステップＳ４２）、隔壁１４を焼成する。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１４ａが規定される。隔壁１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
また、隔壁１４の形成工程においては、さらに、隔壁１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１４ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁１４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
（４）正孔注入層１５の形成
次に、図８（ｂ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズルから吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（図１１のステップＳ５０）。
次に、図８（ｂ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔注入層１５の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０１のノズルから吐出して開口部１４ａ内の画素電極１３上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（図１１のステップＳ５０）。
（５）正孔輸送層１６の形成
次に、図８（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０２のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図１１のステップＳ６０）。
次に、図８（ｃ）に示すように、隔壁１４が規定する開口部１４ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０２のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図１１のステップＳ６０）。
（６）発光層１７の形成
次に、図９（ａ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０３のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（図１１のステップＳ７０）。
次に、図９（ａ）に示すように、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド４０３のノズルから吐出して開口部１４ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（図１１のステップＳ７０）。
（７）第１電子輸送層１８の形成
次に、図９（ｂ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、第１電子輸送層１８を形成する（図１１のステップＳ８０）。第１電子輸送層１８は、例えば、第１電子輸送層１８の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図９（ｂ）に示すように、発光層１７および隔壁１４上に、第１電子輸送層１８を形成する（図１１のステップＳ８０）。第１電子輸送層１８は、例えば、第１電子輸送層１８の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（８）第２電子輸送層１９の形成
次に、図９（ｃ）に示すように、第１電子輸送層１８上に、第２電子輸送層１９を形成する（図１１のステップＳ９０）。第２電子輸送層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図９（ｃ）に示すように、第１電子輸送層１８上に、第２電子輸送層１９を形成する（図１１のステップＳ９０）。第２電子輸送層１９は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（９）電子注入層２０の形成
次に、図１０（ａ）に示すように、第２電子輸送層１９上に、電子注入層２０を形成する（図１１のステップＳ１００）。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図１０（ａ）に示すように、第２電子輸送層１９上に、電子注入層２０を形成する（図１１のステップＳ１００）。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（１０）対向電極２１の形成
次に、図１０（ｂ）に示すように、電子注入層２０上に、対向電極２１を形成する（図１１のステップＳ１１０）。対向電極２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極２１は、各有機ＥＬ素子の陰極として機能する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、電子注入層２０上に、対向電極２１を形成する（図１１のステップＳ１１０）。対向電極２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極２１は、各有機ＥＬ素子の陰極として機能する。
（１１）封止層２２の形成
最後に、図１０（ｃ）に示すように、対向電極２１上に、封止層２２を形成する（図１１のステップＳ１２０）。封止層２２は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。なお、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
最後に、図１０（ｃ）に示すように、対向電極２１上に、封止層２２を形成する（図１１のステップＳ１２０）。封止層２２は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。なお、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
なお、封止層２２の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
［７．有機ＥＬ表示装置の全体構成］
図１２は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１２に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
図１２は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１２に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを含む構成である。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０〜２４０と、制御回路２５０とから構成されている。
なお、実際の有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。
［８．その他の変形例］
（１）上記実施の形態において、発光層１７においてホール輸送性が電子輸送性より高いとしたが、発光層１７において電子輸送性がホール輸送性より高い場合においても、本開示に係る構成が可能である。
（１）上記実施の形態において、発光層１７においてホール輸送性が電子輸送性より高いとしたが、発光層１７において電子輸送性がホール輸送性より高い場合においても、本開示に係る構成が可能である。
この場合、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近において電子密度が向上し、電子とホールの再結合領域となる。その一方で、発光層１７の第１電子輸送層１８との界面付近においてホール密度が向上し、ホール流出の恐れがある。したがって、発光層１７から第１電子輸送層１８１へのホール注入障壁Ｈｇ（ｅｔｌ１）は、下記の式（６）を満たすことが好ましい。
Ｈｇ（ｅｔｌ１）≧０．３ｅＶ …式（６）
上記構成によれば、発光層１７から第１電子輸送層１８１へのホール流出を抑止することができ、発光効率を向上させるとともに第１電子輸送層１８１等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。また、実施の形態と同様、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）が、Langevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であることがより好ましい。本構成により、発光層１７内の励起子密度が向上し発光効率が向上するとともに、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近において電子密度の上昇を抑止することができ、第１電子輸送層１８１等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。
上記構成によれば、発光層１７から第１電子輸送層１８１へのホール流出を抑止することができ、発光効率を向上させるとともに第１電子輸送層１８１等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。また、実施の形態と同様、発光層１７における再結合定数ｒ（ｚ，ｔ）が、Langevinの再結合定数ｒLの１／１００以上であることがより好ましい。本構成により、発光層１７内の励起子密度が向上し発光効率が向上するとともに、発光層１７の正孔輸送層１６との界面付近において電子密度の上昇を抑止することができ、第１電子輸送層１８１等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。
（２）上記実施の形態においては、発光層１７が単一の有機発光材料からなるとしたが、これに限られない。例えば、発光層１７が、蛍光材料と、ホスト材料とを含むなど、複数の材料からなるとしてもよい。このとき、バンドダイアグラムとしては、以下の条件を満たすことが好ましい。
発光層１７と正孔輸送層１６との関係においては、発光層１７から正孔輸送層１６にホールが流出する際、発光層１７を構成する主たる材料からホールが流出する。したがって、正孔輸送層１６の材料と、発光層１７を構成する主たる材料との間において、式（１）を満たしていることが好ましい。
なお、上記変形例（１）の場合においては、同様に、第１電子輸送層１８１の材料と、発光層１７を構成する主たる材料との間において、式（６）を満たしていることが好ましい。
（３）上記実施の形態においては、正孔注入層１５や電子注入層２０を必須構成であるとしたが、これに限られない。例えば、正孔注入層１５を有さず、正孔輸送層１６が正孔注入性を兼ね備えてもよい。また、例えば、第１電子輸送層１８と第２電子輸送層１９に替えて単一の電子輸送層を備えてもよいし、電子注入層２０を有さず第２電子輸送層が電子注入性を兼ね備えてもよい。
（４）上記実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネルはトップエミッション構成であるとしたが、陽極を光透過型電極、陰極を光反射型電極とすることでボトムエミッション構成としてもよい。
また、上記実施の形態においては、陽極が画素電極、陰極が対向電極であるとしたが、陰極が画素電極、陽極が対向電極であるとしてもよい。
以上、本開示に係る有機発光パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
本発明は、長寿命の有機ＥＬ素子およびそれを備える有機ＥＬ表示パネル、表示装置を製造するのに有用である。
１ 有機ＥＬ素子
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極（陽極）
１４ 隔壁
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 第１電子輸送層
１９ 第２電子輸送層
２０ 電子注入層
２１ 対向電極（陰極）
２２ 封止層
１００ 有機ＥＬ表示パネル
２００ 駆動制御部
２１０〜２４０ 駆動回路
２５０ 制御回路
１０００ 有機ＥＬ表示装置
１１ 基板
１２ 層間絶縁層
１３ 画素電極（陽極）
１４ 隔壁
１５ 正孔注入層
１６ 正孔輸送層
１７ 発光層
１８ 第１電子輸送層
１９ 第２電子輸送層
２０ 電子注入層
２１ 対向電極（陰極）
２２ 封止層
１００ 有機ＥＬ表示パネル
２００ 駆動制御部
２１０〜２４０ 駆動回路
２５０ 制御回路
１０００ 有機ＥＬ表示装置
Claims (10)
- 陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、
前記発光層と前記機能層とは接しており、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高い
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 前記発光層における電子と正孔の再結合定数が、Langevin再結合係数の1/100以上である
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陰極側の表面との距離は、前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陽極側の表面との距離より短い
ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における一重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる一重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における三重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる三重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 陽極と、発光層と、機能層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子であって、
前記発光層と前記機能層とは接しており、
前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＨＯＭＯ準位より０．３ｅＶ以上低い
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 請求項１から６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子を基板上に複数備える
有機ＥＬ表示パネル。 - 基板を準備し、
前記基板の上方に画素電極を形成し、
前記画素電極の上方に、蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、
前記発光層上に機能層を形成し、
前記機能層の上方に陰極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道（ＬＵＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＬＵＭＯ準位より０．３ｅＶ以上高い
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 前記発光層における電子と正孔の再結合定数が、Langevin再結合係数の1/100以上である
ことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 基板を準備し、
前記基板の上方に画素電極を形成し、
前記画素電極の上方に、機能層を形成し、
前記機能層上に蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、
前記発光層の上方に陰極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ）準位は、前記発光層に含まれる機能層のＨＯＭＯ準位より０．３ｅＶ以上低い
ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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