JP2021093472A - 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 - Google Patents
有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021093472A JP2021093472A JP2019224170A JP2019224170A JP2021093472A JP 2021093472 A JP2021093472 A JP 2021093472A JP 2019224170 A JP2019224170 A JP 2019224170A JP 2019224170 A JP2019224170 A JP 2019224170A JP 2021093472 A JP2021093472 A JP 2021093472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- emitting layer
- organic
- functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 585
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 119
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 94
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 23
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 90
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 90
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 73
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 2
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical class N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical class [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC Chemical class COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical class C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005334 azaindolyl group Chemical class N1N=C(C2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Chemical class C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O hydron;quinoline Chemical compound [NH+]1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000001566 impedance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N trans-stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
有機EL素子を発光素子として使用するためには、発光の始状態となる励起子の生成が不可欠である。したがって、従来、正孔輸送層から発光層への正孔注入性と電子輸送層から発光層への電子注入性を高め、発光層内のキャリア密度を向上させて電子とホールの再結合確率を高めている。また、発光層内のキャリア密度をさらに向上させる構成として、発光層から電子輸送層への正孔漏出と発光層から正孔輸送層への電子漏出を抑制することができるように、電子輸送層のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)準位、および/または、正孔輸送層のLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位を調整した機能層を選定する。このような構成により、発光層内のキャリア密度を向上させて電子と正孔の再結合確率を高めることができるからである。
本開示の一態様に係る有機EL素子は、陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道(LUMO)準位は、前記発光層に含まれる機能層のLUMO準位より0.3eV以上高いことを特徴とする。
以下、実施の形態に係る有機EL素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
図1は、本実施の形態に係る有機EL素子1の断面構造を模式的に示す図である。有機EL素子1は、陽極13、正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17、第1電子輸送層18、第2電子輸送層19、電子注入層20、および、陰極21を備える。
<陽極>
陽極13は、層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層12に設けられたコンタクトホールを通じてTFT層112と電気的に接続されている。
正孔注入層15は、陽極13から発光層17へのホール(正孔)の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層15は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔注入材料と溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。正孔注入層15は蒸着膜で形成されていてもよい。正孔注入層15は、例えば、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの導電性ポリマー材料、あるいは、Ag、Mo、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる。
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入されたホールを発光層17へ輸送する機能を有する。正孔輸送層16は、例えば、塗布膜であり、具体的には、正孔輸送材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、正孔輸送層16は蒸着膜で形成されていてもよい。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
発光層17は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層中でのホールと電子の再結合位置は分布を持つため、発光層膜厚は再結合分布幅よりも大きいことが好ましく、実施の一態様において、発光層17の膜厚は30nm以上である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は40nm以上である。また、一般に発光材料の移動度は電荷輸送材料の移動度に比べて小さく、発光層膜厚を薄く設計することが素子の駆動電圧低減に寄与するため、実施の一態様において、発光層17の膜厚は80nm以下である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は120nm以下である。
第1電子輸送層18は、発光層17から第1電子輸送層18へのホールの流出を制限するとともに、第1電子輸送層18から発光層17への電子の注入を制御する機能を有する。発光層17から第1電子輸送層18へのホールの流出を制限する機能は、例えば、第1電子輸送層18の機能性材料のHOMO準位が、発光層17の機能性材料のHOMO準位より低く、その差が0.2eV以上、好ましくは0.3eV以上であることにより実現される。また、第1電子輸送層18から発光層17への電子の注入を制御する機能は、例えば、第1電子輸送層18の電子移動度が低く、これにより第1電子輸送層18と第2電子輸送層19とを併せた電子輸送層全体の実効的電子移動度が発光層17の電子移動度より低いことにより実現される。
第2電子輸送層19は、陰極21からの電子を、第1電子輸送層18を経て発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層19は、電子輸送性が高い有機材料からなる。電子輸送層19は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子輸送層19に用いられる有機材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入層20は、陰極21から供給される電子を発光層17側へと注入する機能を有する。電子注入層20は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子注入層20は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または、希土類金属等から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。なお、ドープ金属は、金属単体に限られず、フッ化物(例えば、NaF)やキノリニウム錯体(例えば、Alq3、Liq)など化合物としてドープされてもよい。実施の形態では、LiがLiqとしてドープされている。ドープ金属としては、例えば、アルカリ金属に該当するリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、フランシウム(Fr)、アルカリ土類金属に該当するカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ラジウム(Ra)、希土類金属に該当するイットリウム(Y)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等である。
陰極21は、光透過性の導電性材料からなり、電子注入層20上に形成されている。
有機EL素子1は基板11上に形成される。基板11は、絶縁材料である基材111からなる。あるいは、絶縁材料である基材111上に配線層112を形成してもよい。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。配線層112を構成する材料としては、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属材料、窒化ガリウム、ガリウム砒素などの無機半導体材料、アントラセン、ルブレン、ポリパラフェニレンビニレンなどの有機半導体材料等が挙げられ、これらを複合的に用いて形成したTFT(Thin Film Transistor)層としてもよい。
有機EL素子1は、発光層17、第1電子輸送層18、および、第2電子輸送層19のエネルギーバンド構造に特徴を有する。なお、説明の簡略化のために、「層のエネルギー準位」と記載するが、これは、当該層を形成する有機材料のエネルギー準位を略記したものである。なお、複数の種類の材料からなる層については、電子および/またはホールの輸送を担っている代表的な有機材料のエネルギー準位を「層のエネルギー準位」として表記する。
陰極21側から発光層17へ電子を注入するためのエネルギー障壁が、陰極21から発光層17までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陽極13側の層と陰極21側の層とのLUMO準位の差に起因する。以下、隣り合う2つの層の界面において陰極21側から陽極13側へ電子を注入するためのエネルギー障壁を「電子注入障壁」という。
正孔輸送層16から発光層17へのホール注入障壁Hg(eml)は、発光層17の有機材料のHOMO準位172と正孔輸送層16の有機材料のHOMO準位162の際によって規定される。本実施の形態では、ホール注入障壁Hg(eml)が0.11eVである。
有機EL素子1は、発光層17のキャリア移動度およびに電子とホールの再結合レートに特徴を有する。
μh(eml)>μe(eml) …式(2)
また、時刻t、膜厚方向位置zにおける発光層17における電子の再結合レートR(z,t)は、時刻t、膜厚方向位置zにおける発光層17における再結合定数r(z,t)を用いて式(3)により示される。
R(z,t)=r(z,t){n(z,t)・p(z,t)−ni 2} …式(3)
ここで、n(z,t)、p(z,t)はそれぞれ、時刻t、膜厚方向位置zにおける電子密度とホール密度である。また、niは真正半導体状態のキャリア密度である。
なお、Langevinの再結合定数rLは、発光層17の電子移動度μe(eml)、ホール移動度μh(eml)、比誘電率εrを用いて、式(5)により示される。
[4.1 設計から予測される効果]
図3(a)〜(b)、および、(c)は、それぞれ、実施例および比較例に係る、正孔輸送層16、発光層17、第1電子輸送層18のバンドダイアグラム及び電子と正孔の再結合を示した簡易模式図である。
図5(a)は、発光層17における再結合定数r(z,t)ごとの、発光層17から正孔輸送層16への電子注入障壁Eg(htl)と再結合効率との関係を示すグラフである。ここで、再結合効率とは、発光層17内の電子とホールの再結合レートを積算し(空間積分し)、流れた電流量で除したものである。また、図5(b)は、発光層17における再結合定数r(z,t)ごとの、発光層17から正孔輸送層16への電子注入障壁Eg(htl)と一重項励起子の生成効率との関係を示すものである。ここで、一重項励起子の生成効率は、発光層17内の一重項励起子数を積算し(空間積分し)、流れた電流量で除したものである。なお、図5(a)、(b)ともに、再結合定数r(z,t)を、再結合定数r(z,t)のLangevinの再結合定数rLに対する比率r(z,t)/rLで示している。
ここで、発光層における発光中心について説明する。発光中心とは、以下に説明する発光のピークとなる代表位置を指す。発光ピークの位置は、発光材料の励起子が集中する位置であり、一般に、発光層の陰極側の界面と、発光層の陽極側の界面との、いずれか一方、または、両方である。発光層におけるホールの移動度が電子の移動度より十分に高い場合、ホールは発光層の陰極側の界面まで移動する一方で、電子は発光層の陰極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陰極側の界面付近で集中的に生成する。一方、発光層における電子の移動度がホールの移動度より十分に高い場合、電子は発光層の陽極側の界面まで移動する一方で、ホールは発光層の陽極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陽極側の界面付近で集中的に生成する。また、発光層におけるホールの移動度と電子の移動度との関係によっては、励起子が、発光層の陰極側の界面付近と陽極側の界面付近の双方で集中的に生成することもある。一般には、励起子が集中的に生成した位置が、そのまま発光ピークの位置となる。
以上説明したように、本実施の形態に係る有機EL素子は、発光層17においてホール移動度が電子移動度より高い。そのため、発光層17における電子とホールの再結合領域が発光層17の電子輸送層との界面付近の狭い領域とすることができ、励起子密度を向上させてTTFによる発光効率の向上を得ることができる。
有機EL素子の製造方法について、図面を用いて説明する。図7(a)〜図10(c)は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図11は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
まず、図7(a)に示すように、基材111上にTFT層112を成膜して基板11を形成する(図11のステップS10)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により成膜することができる。
次に、図7(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する(図11のステップS31)。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図7(d)に示すように、画素電極材料層130をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極13を形成する(図11のステップS32)。この画素電極13は、各有機EL素子の陽極として機能する。
次に、図7(e)に示すように、画素電極13および層間絶縁層12上に、隔壁14の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層140を形成する。隔壁材料層140は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を画素電極13上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される(図11のステップS41)。そして、隔壁材料層140にパターン露光と現像を行うことで隔壁14を形成し(図8(a)、図11のステップS42)、隔壁14を焼成する。これにより、発光層17の形成領域となる開口部14aが規定される。隔壁14の焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で60分間行う。
次に、図8(b)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔注入層15の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズルから吐出して開口部14a内の画素電極13上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔注入層15を形成する(図11のステップS50)。
次に、図8(c)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド402のノズルから吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図11のステップS60)。
次に、図9(a)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド403のノズルから吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(図11のステップS70)。
次に、図9(b)に示すように、発光層17および隔壁14上に、第1電子輸送層18を形成する(図11のステップS80)。第1電子輸送層18は、例えば、第1電子輸送層18の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図9(c)に示すように、第1電子輸送層18上に、第2電子輸送層19を形成する(図11のステップS90)。第2電子輸送層19は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図10(a)に示すように、第2電子輸送層19上に、電子注入層20を形成する(図11のステップS100)。電子注入層20は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図10(b)に示すように、電子注入層20上に、対向電極21を形成する(図11のステップS110)。対向電極21は、ITO、IZO、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極21は、各有機EL素子の陰極として機能する。
最後に、図10(c)に示すように、対向電極21上に、封止層22を形成する(図11のステップS120)。封止層22は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。なお、SiON、SiNなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
図12は、有機EL表示パネル100を備えた有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図12に示すように、有機EL表示装置1000は、有機EL表示パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210〜240と、制御回路250とから構成されている。
(1)上記実施の形態において、発光層17においてホール輸送性が電子輸送性より高いとしたが、発光層17において電子輸送性がホール輸送性より高い場合においても、本開示に係る構成が可能である。
上記構成によれば、発光層17から第1電子輸送層181へのホール流出を抑止することができ、発光効率を向上させるとともに第1電子輸送層181等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。また、実施の形態と同様、発光層17における再結合定数r(z,t)が、Langevinの再結合定数rLの1/100以上であることがより好ましい。本構成により、発光層17内の励起子密度が向上し発光効率が向上するとともに、発光層17の正孔輸送層16との界面付近において電子密度の上昇を抑止することができ、第1電子輸送層181等のホールや励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極(陽極)
14 隔壁
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 第1電子輸送層
19 第2電子輸送層
20 電子注入層
21 対向電極(陰極)
22 封止層
100 有機EL表示パネル
200 駆動制御部
210〜240 駆動回路
250 制御回路
1000 有機EL表示装置
Claims (10)
- 陽極と、機能層と、発光層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記発光層と前記機能層とは接しており、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道(LUMO)準位は、前記発光層に含まれる機能層のLUMO準位より0.3eV以上高い
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記発光層における電子と正孔の再結合定数が、Langevin再結合係数の1/100以上である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陰極側の表面との距離は、前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陽極側の表面との距離より短い
ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における一重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる一重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における三重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料に含まれる三重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 陽極と、発光層と、機能層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記発光層と前記機能層とは接しており、
前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道(HOMO)準位は、前記発光層に含まれる機能層のHOMO準位より0.3eV以上低い
ことを特徴とする有機EL素子。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の有機EL素子を基板上に複数備える
有機EL表示パネル。 - 基板を準備し、
前記基板の上方に画素電極を形成し、
前記画素電極の上方に、蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、
前記発光層上に機能層を形成し、
前記機能層の上方に陰極を形成する有機EL素子の製造方法であって、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最低空軌道(LUMO)準位は、前記発光層に含まれる機能層のLUMO準位より0.3eV以上高い
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記発光層における電子と正孔の再結合定数が、Langevin再結合係数の1/100以上である
ことを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子の製造方法。 - 基板を準備し、
前記基板の上方に画素電極を形成し、
前記画素電極の上方に、機能層を形成し、
前記機能層上に蛍光材料を発光材料として含む発光層を形成し、
前記発光層の上方に陰極を形成する有機EL素子の製造方法であって、
前記発光層の電子移動度は、前記発光層の正孔移動度より大きく、
前記機能層に含まれる機能材料の最高被占有軌道(HOMO)準位は、前記発光層に含まれる機能層のHOMO準位より0.3eV以上低い
ことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019224170A JP7493931B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019224170A JP7493931B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021093472A true JP2021093472A (ja) | 2021-06-17 |
JP2021093472A5 JP2021093472A5 (ja) | 2022-12-19 |
JP7493931B2 JP7493931B2 (ja) | 2024-06-03 |
Family
ID=76312765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019224170A Active JP7493931B2 (ja) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7493931B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007191465A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Canon Inc | アミン化合物および有機発光素子および青色有機発光素子 |
WO2008015949A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Composant organique électroluminescent |
WO2012032913A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 日本精機株式会社 | 有機el素子 |
WO2012039213A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置及びこれを用いた光源装置 |
JP2018073914A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018206984A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社Joled | 有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器 |
-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224170A patent/JP7493931B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007191465A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Canon Inc | アミン化合物および有機発光素子および青色有機発光素子 |
WO2008015949A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Composant organique électroluminescent |
WO2012032913A1 (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-15 | 日本精機株式会社 | 有機el素子 |
WO2012039213A1 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置及びこれを用いた光源装置 |
JP2018073914A (ja) * | 2016-10-26 | 2018-05-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP2018206984A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社Joled | 有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7493931B2 (ja) | 2024-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7492820B2 (ja) | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 | |
JP4837958B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
US10297776B2 (en) | Organic EL element | |
US9111891B2 (en) | EL display apparatus and manufacturing method thereof | |
WO2009110186A1 (ja) | 発光素子及びディスプレイデバイス | |
JP6060361B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP2005100921A (ja) | 有機el素子および表示装置 | |
US10381589B2 (en) | Organic EL element and organic EL display panel | |
US10665806B2 (en) | Organic EL element and organic EL display panel | |
US20110210323A1 (en) | Organic electroluminescent element and display device | |
US20150108458A1 (en) | Organic el element, method for manufacturing the same, organic el display panel, and organic el display device | |
JP7493931B2 (ja) | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 | |
JP2019009331A (ja) | 有機el素子、および、有機el素子を用いた有機el表示パネル | |
CN111952465B (zh) | 有机el元件及其制造方法、有机el显示面板 | |
US20220199930A1 (en) | Organic el element, organic el display panel, and organic el element manufacturing method | |
JP2022030017A (ja) | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 | |
JP2022098473A (ja) | 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 | |
US20220158112A1 (en) | Organic el element, organic el panel, and organic el element manufacturing method | |
JP2022080879A (ja) | 有機el素子、有機elパネル、および、有機el素子の製造方法 | |
JP2022075153A (ja) | 有機el素子、有機elパネル、および、有機el素子の製造方法 | |
US11462707B2 (en) | Display panel utilizing self-luminous elements and method of manufacturing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230905 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20231031 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231102 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20240116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240329 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240405 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7493931 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |