JP2021089154A - ガラス板の熱収縮率測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス板の熱収縮率を精度良く測定する。【解決手段】熱収縮率の測定方法は、第一マークＭ１と第二マークＭ２とを離間させてガラス板Ｇに形成するマーキング工程Ｓ２と、マーキング工程Ｓ２後にガラス板Ｇに熱処理を施す加熱工程Ｓ３と、ガラス板Ｇの熱収縮率Ｃを測定する測定工程Ｓ４と、を備える。マーキング工程Ｓ２では、金属ナノ粒子を含有するインクによって第一マークＭ１及び第二マークＭ２をガラス板Ｇに形成する。【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス板の熱収縮率を測定する方法に関する。

近年、ディスプレイパネルの分野では、画質の向上のために画素の高精細化が進展している。この高精細化の進展に伴って、ディスプレイパネルに用いられるガラス板においても高い寸法精度が求められる。このため、ディスプレイパネルの製造工程中に、高温で熱処理されても寸法が変化しにくい、すなわち熱収縮率の小さなガラス板が必要となる。

熱収縮率の小さなガラス板を製造するにあたり、当該ガラス板の熱収縮率を精度良く測定する必要がある。例えば特許文献１に開示される熱収縮率の測定方法では、まずガラス板上の両端部にレーザを照射することで、二本の平行なマーキング線を形成する。次に、これら二本のマーキング線に対して垂直な方向に沿ってガラス板を二分割する。

その後、分割された一方のガラス板に熱処理を施し、このガラス板と、熱処理を施していない他方のガラス板とを密着させて測定台に固定する。そして、熱処理前および熱処理後におけるガラス板上のマーキング線のずれを測定し、その測定値に基づいて熱収縮率が算出されることとなる。

特開２０１７−６５９８１号公報

しかしながら、従来の熱収縮率測定方法では、レーザの照射によってガラス板にマーキング線を形成すると、当該マーキング線の線幅が一定にならないため、当該マーキング線のずれを精度良く測定することができず、熱収縮率の測定精度を高めることができなかった。また、フォトリソグラフィによってマーキング線をガラス板に形成することも考えられるが、マークの形成に長時間を要するため、好ましくない。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、ガラス板の熱収縮率を精度良く測定することを技術的課題とする。

本発明は上記の課題を解決するためのものであり、第一マークと第二マークとを離間させてガラス板に形成するマーキング工程と、前記マーキング工程後に前記ガラス板に対して熱処理を施す加熱工程と、前記熱処理が施されていない前記ガラス板の前記第一マークと前記第二マークとの距離と、前記熱処理が施された前記ガラス板の前記第一マークと前記第二マークとの距離とに基づいて、前記ガラス板の熱収縮率を測定する測定工程と、を備えるガラス板の熱収縮率測定方法であって、前記マーキング工程では、金属ナノ粒子を含有するインクによって前記第一マーク及び前記第二マークを前記ガラス板に形成することを特徴とする。

かかる構成によれば、金属ナノ粒子を含有するインクによってガラス板にマークを形成することで、レーザによってマークを形成した場合と比較して、当該マークの幅及び長さの寸法精度を高めることができる。これにより、第一マークと第二マークとの距離の変化に基づくガラス板の熱収縮率の測定を精度良く行うことが可能になる。また、フォトリソグラフィによってガラス板にマークを形成する場合と比較して、より短時間でマークをガラス板に形成することが可能になる。

前記マーキング工程では、インクジェット印刷によって前記第一マーク及び前記第二マークを前記ガラス板に形成してもよい。インクジェット印刷では、少量のインクの塗布によって第一マーク及び第二マークを形成できることから、ガラス板に対する高精細なマーキングが可能となる

金属ナノ粒子は、銅ナノ粒子を含み得る。金属ナノ粒子を銅によって構成することで、ガラス板を高温で加熱した場合であっても、熱収縮率の高精度な測定が可能となる

本方法において、前記マーキング工程では、第一の方向において前記第一マーク及び前記第二マークを離間させてもよい。これにより、第一の方向におけるガラス板の熱収縮率を精度良く測定できる。

本方法において、前記ガラス板は、四角形状に構成されており、前記第一の方向は、前記ガラス板の一辺に沿う方向であってもよい。これにより、四角形状のガラス板において、一辺に沿う方向の熱収縮率を精度良く測定できる。

前記マーキング工程では、前記第一の方向に交差する第二の方向において、第三マークを前記第一マークから離間させて前記ガラス板に形成し、前記測定工程では、前記熱処理が施されていない前記ガラス板の前記第一マークと前記第三マークとの距離と、前記熱処理が施された前記ガラス板の前記第一マークと前記第三マークとの距離とに基づいて、前記ガラス板の熱収縮率を測定してもよい。

かかる構成によれば、第一の方向におけるガラス板の熱収縮率のみならず、第二の方向におけるガラス板の熱収縮率をも精度良く測定することが可能となる。

前記ガラス板は、ＬＴＰＳディスプレイ用ガラス板、又は酸化物半導体ＴＦＴディスプレイ用ガラス板であってもよい。上記用途のガラス板では、熱収縮率が低くかつそのばらつきが小さいことが要求されることから、本方法を実施することで、上記用途のガラス板の熱伝導率を精度良く測定することができる。

本発明によれば、ガラス板の熱収縮率を精度良く測定できる。

第一実施形態に係る熱収縮率測定方法のフローチャートである。 マーキング工程を示す概念図である。 マークが形成されたガラス板の平面図である。 第二実施形態に係る熱収縮率測定方法のフローチャートである。 マークが形成されたガラス板の平面図である。 マークが形成されたガラス板の平面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図３は、本発明に係るガラス板の熱収縮率測定方法の第一実施形態を示す。

本発明に使用される測定用のガラス板は、例えばオーバーフローダウンドロー法によって成形される長尺状のガラスリボンを所定の寸法に切断することにより製造される。オーバーフローダウンドロー法は、断面が略くさび形の成形体の上部に設けられたオーバーフロー溝に溶融ガラスを流し込み、このオーバーフロー溝から両側に溢れ出た溶融ガラスを成形体の両側の側壁部に沿って流下させながら、成形体の下端部で融合一体化し、一枚のガラスリボンを連続成形するというものである。

ガラス板は、オーバーフローダウンドロー法に限定されず、他の方法、例えば、スロットダウンドロー法、ロールアウト法又はフロート法、アップドロー法、リドロー法等により形成され得る。必要に応じ、製造されたガラス板には、端面の研削、研磨処理、及び洗浄処理が施される。

ガラス板は、無アルカリガラスにより構成されることが好ましい。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスのことであって、アルカリ成分が３０００ｐｐｍ以下のガラスのことである。アルカリ成分の含有量は、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、最も好ましくは３００ｐｐｍ以下である。

本方法は、図１に示すように、ガラス板を用意する準備工程Ｓ１と、ガラス板にマークを形成するマーキング工程Ｓ２と、ガラス板に熱処理を施す加熱工程Ｓ３と、ガラス板の熱収縮率を測定する測定工程Ｓ４と、を備える。

準備工程Ｓ１は、例えばガラス板の表面を清浄化する清浄化工程を備えてもよい。この清浄化工程では、プラズマ照射装置又は紫外線照射装置により、プラズマ又は紫外線をガラス板の表面に照射する。次に、プラズマ照射処理または紫外線照射処理を施したガラス板の表面を洗剤にて洗浄する。さらに、ガラス板の表面に帯電防止剤を塗布し、当該ガラス板を乾燥させることで、準備工程Ｓ１（清浄化工程）が終了する。

マーキング工程Ｓ２では、図２に示す塗布装置１を使用し、インクジェット印刷により、金属ナノ粒子を含有するインク（以下、「金属インク」ともいう）をガラス板Ｇの表面に線状に塗布する。金属インクは、金属ナノ粒子に分散剤を吸着させて溶媒中に分散させた溶液である。金属インクは、例えば質量％で４５〜７５％の金属ナノ粒子を含有する。金属インクの粘度は、例えば２５℃の環境下において、４５〜９０ｍＰａ・ｓである。

金属ナノ粒子としては、耐熱性に優れた銅ナノ粒子が使用されるが、これに限らず、金、銀、白金、パラジウム、タングステン、タンタル、ビスマス、鉛、錫、インジウム、亜鉛、チタン、ニッケル、鉄、コバルト、アルミニウム等の粒子が使用されてもよい。

塗布装置１は静電吸引式であり、ノズル（インクジェットヘッド）２と、圧力調整器３と、電圧発生装置４と、制御装置５とを主に備える。

ノズル２は、例えばガラス製のキャピラリチューブからなり、先細り形状を有する。ノズル２は、先端部に超微細の吐出口２ａを有する。この吐出口２ａの開口径は０．０１μｍ〜１０μｍとされている。ノズル２の内部には、金属線が電極として挿入されており、電極は電圧発生装置４に接続されている。

塗布装置１は、制御装置５の制御信号に基づき、電圧発生装置４により所定の波形を有する電圧を発生させ、この電圧を高電圧アンプによって増幅して電極に印加する。これにより、ノズル２内部の金属インクに電荷が付与される。

塗布装置１は、圧力調整器３によってノズル２の吐出圧力を調整しつつ、金属インクをノズル２の吐出口２ａから帯電した微小流体としてガラス板Ｇに向けて噴射し、ノズル２の先端部における電界の集中効果と、ガラス板Ｇに誘起される鏡像力により、当該金属インクをガラス板Ｇに付着させる。これにより、直線状で一定の線幅を有するマークＭ１，Ｍ２がガラス板Ｇに形成される。

具体的には、図３（ａ）に示すように、ガラス板Ｇには、一対のマーク、すなわち第一マークＭ１及び第二マークＭ２が形成される。第一マークＭ１と第二マークＭ２は、長方形状のガラス板Ｇの長辺に沿う第一の方向（長手方向）Ｘに離間してガラス板Ｇに形成されている。第一マークＭ１と第二マークＭ２は、第一の方向Ｘと交差（例えば直交）する第二の方向Ｙに沿って直線状に形成される。第一マークＭ１と第二マークＭ２はほぼ平行に形成されている。

マークＭ１，Ｍ２が形成されると、ガラス板Ｇは、仮想線で示す切断線ＣＬに沿って切断される（切断工程）。これによりガラス板Ｇは、図３（ｂ）に示すように、第一ガラス板Ｇ１と第二ガラス板Ｇ２とに分割される。

加熱工程Ｓ３では、例えば管状炉、ＲＴＡ炉（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｅｒ）等の加熱炉によって第二ガラス板Ｇ２に熱処理が施される。加熱工程Ｓ３では、加熱温度を一定に維持した状態で第二ガラス板Ｇ２及び第一マークＭ１及び第二マークＭ２を一定時間、加熱・焼成する。加熱工程Ｓ３における第二ガラス板Ｇ２の加熱温度は、３００〜８００℃とすることができる。加熱工程Ｓ３における加熱時間は１〜１０時間とすることができる。

この加熱工程Ｓ３によって、第二ガラス板Ｇ２は収縮する。このため、熱処理後における第二ガラス板Ｇ２の第一マークＭ１と第二マークＭ２の距離Ｌ１ａは、熱処理が施されていない第一ガラス板Ｇ１の第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１よりも小さくなる。

測定工程Ｓ４では、第一ガラス板Ｇ１の第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１と、第二ガラス板Ｇ２における第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１ａとを測定する。マークＭ１，Ｍ２の距離Ｌ１，Ｌ１ａの測定には、例えば測定顕微鏡、線幅測定機、座標測定機等が使用され得る。

各距離Ｌ１，Ｌ１ａの測定が終了すると、その測定値に基づいて第二ガラス板Ｇ２の熱収縮率Ｃが次式（１）により算出される。
Ｃ＝（Ｌ１−Ｌ１ａ）／Ｌ１ ・・・（１）

熱収縮率Ｃは、マークＭ１，Ｍ２の距離Ｌ１，Ｌ１ａの測定値に基づいて、演算処理装置により算出されてもよく、測定者により算出されてもよい。また、測定工程Ｓ４では、図３（ｃ）に示すように、第一ガラス板Ｇ１と第二ガラス板Ｇ２とを、第二マークＭ２同士が一致するように並べて配置し、第一ガラス板Ｇ１の第一マークＭ１と、第二ガラス板Ｇ２の第一マークＭ１とのずれ量ΔＬを測定装置によって直接測定し、その測定値に基づいて熱収縮率Ｃを算出してもよい。これに限らず、第二マークＭ２同士を一致させることなく第一ガラス板Ｇ１と第二ガラス板Ｇ２とを並べて配置し、第一マークＭ１同士のずれ量、及び第二マークＭ２同士のずれ量を測定し、これらのずれ量の和（ΔＬ）に基づいて、熱収縮率Ｃを算出してもよい。

以上説明した本実施形態に係る熱収縮率測定方法によれば、マーキング工程Ｓ２において金属ナノ粒子をインクジェット印刷によってガラス板ＧにマークＭ１，Ｍ２を形成することで、そのマークＭ１，Ｍ２の線幅及び長さの寸法精度を高めることができる。これにより、従来のようにレーザによってマークを形成する場合と比較して、ガラス板Ｇの熱収縮率Ｃを精度良く測定することが可能となる。また、本方法では、フォトリソグラフィによってマークをガラス板に形成する場合と比較して、マークの形成に要する時間を短縮することが可能となる。

熱収縮率を精度良く測定する効果を向上させる観点から、ガラス板Ｇは低熱収縮率のガラス板Ｇであることが望ましく、ガラス板Ｇの熱収縮率Ｃは、１×１０^-6〜２０×１０^-6であることが望ましい。より具体的には、ガラス板Ｇは、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙ Ｓｉｌｉｃｏｎ）ディスプレイ用ガラス板、又は酸化物半導体ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ディスプレイ用ガラス板であることが望ましい。このような低熱収縮率のガラス板Ｇであっても、本発明によれば、誤差を±１×１０^-6以内に抑えることができる。

図４乃至図６は、本発明の第二実施形態を示す。図４に示すように、本実施形態に係るガラス板の熱収縮率測定方法は、準備工程Ｓ１１と、マーキング工程Ｓ１２と、加熱工程Ｓ１４とを備える。また、本実施形態に係る熱収縮率の測定工程は、加熱工程Ｓ１４前にガラス板のマークの距離を測定する第一測定工程Ｓ１３と、加熱工程Ｓ１４後にガラス板のマークの距離を測定する第二測定工程Ｓ１５とを含む。

本実施形態に係るガラス板の熱収縮率測定方法では、第一実施形態と同様に準備工程Ｓ１１を実行する。その後のマーキング工程Ｓ１２では、インクジェット印刷により、ガラス板Ｇに対して複数のマークＭ１〜Ｍ４が形成される。すなわち、図５（ａ）に示すように、ガラス板Ｇには、第一マークＭ１、第二マークＭ２、第三マークＭ３及び第四マークＭ４が形成される。

各マークＭ１〜Ｍ４は、交差する第一直線部ＳＬ１および第二直線部ＳＬ２を有する。本実施形態における第一直線部ＳＬ１と第二直線部ＳＬ２との交差角度は９０°であるが、この角度に限定されるものではない。

第一マークＭ１と第二マークＭ２は、ガラス板Ｇの第一の方向Ｘにおいて離間してガラス板Ｇに形成されており、対のマークを構成する。第三マークＭ３と第四マークＭ４も同様に、第一の方向Ｘにおいて対のマークを構成する。また、第一マークＭ１と第三マークＭ３は、第二の方向Ｙにおいて離間してガラス板Ｇに形成されており、対のマークを構成する。第二マークＭ２と第四マークＭ４も同様に、第二の方向Ｙにおいて対のマークを構成する。

第一測定工程Ｓ１３では、加熱工程Ｓ１４による熱処理が施される前に、ガラス板Ｇの第一の方向Ｘにおける、第一マークＭ１（第一直線部ＳＬ１）と第二マークＭ２（第一直線部ＳＬ１）との距離Ｌ１、及び第三マークＭ３（第一直線部ＳＬ１）と第四マークＭ４（第一直線部ＳＬ１）との距離Ｌ１が測定される。同様に、ガラス板Ｇの第二の方向Ｙにおける、第一マークＭ１（第二直線部ＳＬ２）と第三マークＭ３（第二直線部ＳＬ２）との距離Ｌ２、及び第二マークＭ２（第二直線部ＳＬ２）と第四マークＭ４（第二直線部ＳＬ２）との距離Ｌ２が測定される。

加熱工程Ｓ１４では、第一実施形態と同様に、加熱炉によってガラス板Ｇに熱処理が施される。図５（ｂ）に示すように、熱処理後のガラス板Ｇは、その熱収縮により、熱処理が施される前のガラス板Ｇよりも小さくなる。

第二測定工程Ｓ１５では、加熱工程Ｓ１４によって収縮したガラス板Ｇにおいて、第一の方向Ｘにおける、第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１ａ、及び第三マークＭ３と第四マークとの距離Ｌ１ａが測定される。同様に、熱処理が施されたガラス板Ｇの第二の方向Ｙにおける、第一マークＭ１と第三マークＭ３との距離Ｌ２ａ、及び第二マークＭ２と第四マークＭ４との距離Ｌ２ａが測定される。

その後、熱処理前の第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１と、熱処理後の第一マークＭ１と第二マークＭ２との距離Ｌ１ａとに基づいて、第一の方向Ｘにおけるガラス板Ｇの熱収縮率Ｃが算出される。さらに、熱処理前の第一マークＭ１と第三マークＭ３との距離Ｌ２と、熱処理後の第一マークＭ１と第三マークＭ３との距離Ｌ２ａとに基づいて、第二の方向Ｙにおけるガラス板Ｇの熱収縮率Ｃが算出される（Ｃ＝（Ｌ２−Ｌ２ａ）／Ｌ２）。

同様に、熱処理前及び熱処理後における第三マークＭ３と第四マークＭ４との距離Ｌ１，Ｌ１ａの差（ΔＬ）に基づいて、第一の方向Ｘにおけるガラス板Ｇの熱収縮率Ｃが算出される。また、熱処理前及び熱処理後における第二マークＭ２と第四マークＭ４との距離Ｌ２，Ｌ２ａの差（ΔＬ）に基づいて、第二の方向Ｙにおけるガラス板Ｇの熱収縮率Ｃが算出される。

図６は、マークが形成されたガラス板の他の例を示す。図６（ａ）は熱処理が施される前のガラス板を示し、図６（ｂ）は熱処理が施された後のガラス板を示す。

図６（ａ）（ｂ）に示すように、ガラス板Ｇには、図５の例と同様に第一マークＭ１乃至第四マークＭ４が形成されている。さらに、ガラス板Ｇには、第一マークＭ１と第二マークＭ２との間、及び第三マークＭ３と第四マークＭ４との間に、第一の方向Ｘに間隔をおいて複数のマークＭａ，Ｍｂが形成されている。同様に、第一マークＭ１と第三マークＭ３との間、及び第二マークＭ２と第四マークＭ４との間に、第二の方向Ｙに間隔をおいて複数のマークＭｃ，Ｍｄが形成されている。

第一マークＭ１と第二マークＭ２との間に形成されるマークＭａと、第三マークと第四マークＭ４との間に形成されるマークＭｂとは、第二の方向Ｙにおいて対を為すように離間して形成されている。同様に、第一マークＭ１と第三マークＭ３との間に形成されるマークＭｃと、第二マークＭ２と第四マークＭ４との間に形成されるマークＭｄとは、第一の方向Ｘにおいて対を為すように離間して形成されている。

本例では、第一測定工程Ｓ１３において、第一の方向Ｘで対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍｃ，Ｍｄの距離Ｌ１（図６（ａ）参照）が測定される。同様に、第二の方向Ｙにおいて対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ，Ｍｂの距離Ｌ２が測定される。

次に、加熱工程Ｓ１４によって、ガラス板Ｇに熱処理が施される。その後の第二測定工程Ｓ１５では、熱収縮したガラス板Ｇについて、第一の方向Ｘで対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍｃ，Ｍｄの距離Ｌ１ａが測定される（図６（ｂ）参照）。同様に、第二の方向Ｙで対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ，Ｍｂの距離Ｌ２ａが測定される。その後、各距離Ｌ１，Ｌ１ａ，Ｌ２，Ｌ２ａの測定値に基づいて、対のマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ〜Ｍｄが形成されたガラス板Ｇの各所における熱収縮率Ｃが算出される。

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

上記の実施形態では、四角形状に構成されたガラス板Ｇの熱収縮率Ｃを測定する例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。ガラス板Ｇは、円形、四角形以外の多角形、異形形状等の各種形状に形成されてもよい。

上記の第二実施形態では、複数のマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ〜Ｍｄを第一の方向Ｘ又は第二の方向Ｙに沿って、直線上に位置するように形成したガラス板Ｇを例示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。複数のマークは、円環状に配されてもよく、曲線上に位置するようにガラス板Ｇに形成されてもよい。

上記の第二実施形態では、第一の方向Ｘで対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍｃ，Ｍｄの距離と、第二の方向Ｙにおいて対を為すマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ，Ｍｂの距離を測定する第一測定工程Ｓ１３及び第二測定工程Ｓ１５を例示したが、本発明はこの態様に限定されるものではない。第一測定工程Ｓ１３及び第二測定工程Ｓ１５では、複数のマークＭ１〜Ｍ４，Ｍｃ，Ｍｄから選択された任意の２個のマークについて距離を測定してもよい。

上記の第二実施形態では、第一の方向は、長方形状のガラス板Ｇの長辺に沿う方向Ｘとし、第二の方向は、第一の方向Ｘと直交する方向Ｙとする構成を例示したが、本発明はこの態様に限定されるものではない。第一の方向は、例えばガラス板Ｇの一辺に対して角度を有する方向であってもよい。また、第二の方向は、第一の方向と直交することがない斜め方向であってもよい。

上記の実施形態では、インクジェット印刷により、ガラス板Ｇに対してマークＭ１〜Ｍ４，Ｍａ〜Ｍｄを形成するマーキング工程Ｓ２，Ｓ１２を例示したが、本発明はこの態様に限定されるものではない。マーキング工程では、スクリーン印刷、グラビア印刷その他の各種印刷法によってマークをガラス板に形成してもよい。

上記の実施形態では、準備工程Ｓ１の実行後にマーキング工程Ｓ２を実行する方法を例示したが、本発明はこの構成に限定されない。本方法では、ガラス板の表面の状態に応じて準備工程Ｓ１を省略してもよい。

上記の第一実施形態では、熱処理が施されていない第一ガラス板Ｇ１のマークＭ１，Ｍ２の距離Ｌ１を加熱工程Ｓ３後に測定する例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。第一ガラス板Ｇ１に係るマークＭ１，Ｍ２の距離Ｌ１は、加熱工程Ｓ３前に測定されてもよい。

上記の第一実施形態では、直線状のマークＭ１，Ｍ２を用い、第二実施形態では、交差する第一直線部ＳＬ１および第二直線部ＳＬ２を有するマークＭ１〜Ｍ４を用いる例を示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。マークの座標或いはマーク同士間の距離を測定できる限り、他の形状のマークを用いてもよい。例えば円形状や多角形状のマークを用いてもよい。

Ｃ 熱収縮率
Ｇ ガラス板
Ｇ１ 第一ガラス板
Ｇ２ 第二ガラス板
Ｌ１ 熱処理が施されていないガラス板の第一マークと第二マークとの距離
Ｌ１ａ 熱処理が施されたガラス板の第一マークと第二マークとの距離
Ｌ２ 熱処理が施されていないガラス板の第一マークと第三マークとの距離
Ｌ２ａ 熱処理が施されたガラス板の第一マークと第三マークとの距離
Ｍ１ 第一マーク
Ｍ２ 第二マーク
Ｍ３ 第三マーク
Ｓ２ マーキング工程
Ｓ３ 加熱工程
Ｓ４ 測定工程
Ｓ１２ マーキング工程
Ｓ１３ 第一測定工程
Ｓ１４ 加熱工程
Ｓ１５ 第二測定工程
Ｘ 第一の方向
Ｙ 第二の方向

Claims (7)

1. 第一マークと第二マークとを離間させてガラス板に形成するマーキング工程と、
   前記マーキング工程後に前記ガラス板に対して熱処理を施す加熱工程と、
   前記熱処理が施されていない前記ガラス板の前記第一マークと前記第二マークとの距離と、前記熱処理が施された前記ガラス板の前記第一マークと前記第二マークとの距離とに基づいて、前記ガラス板の熱収縮率を測定する測定工程と、を備えるガラス板の熱収縮率測定方法であって、
   前記マーキング工程では、金属ナノ粒子を含有するインクによって前記第一マーク及び前記第二マークを前記ガラス板に形成することを特徴とするガラス板の熱収縮率測定方法。
2. 前記マーキング工程では、インクジェット印刷によって前記第一マーク及び前記第二マークを前記ガラス板に形成する請求項１に記載のガラス板の熱収縮率測定方法。
3. 前記金属ナノ粒子は、銅ナノ粒子を含む請求項１又は２に記載のガラス板の熱収縮率測定方法。
4. 前記マーキング工程では、第一の方向において前記第一マーク及び前記第二マークを離間させる請求項１から３のいずれか一項に記載のガラス板の熱収縮率測定方法。
5. 前記ガラス板は、四角形状に構成されており、
   前記第一の方向は、前記ガラス板の一辺に沿う方向である請求項４に記載の熱収縮率測定方法。
6. 前記マーキング工程では、前記第一の方向に交差する第二の方向において、第三マークを前記第一マークから離間させて前記ガラス板に形成し、
   前記測定工程では、前記熱処理が施されていない前記ガラス板の前記第一マークと前記第三マークとの距離と、前記熱処理が施された前記ガラス板の前記第一マークと前記第三マークとの距離とに基づいて、前記ガラス板の熱収縮率を測定する請求項４又は５に記載の熱収縮率測定方法。
7. 前記ガラス板は、ＬＴＰＳディスプレイ用ガラス板、又は酸化物半導体ＴＦＴディスプレイ用ガラス板である請求項１から６のいずれか一項に記載のガラス板の熱収縮率測定方法。
   

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