JP2021076497A - センサ装置及びセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本実施形態に係るセンサ装置について、図1A〜図5Bを用いて説明する。
本実施形態に係るセンサ装置1は、図1A〜図1Cに示すように、センサ素子2と、基板3と、支持部材4と、連結部材5と、を備えている。図1Bは、図1Aの領域Z1の拡大図、図1Cは図1Aの領域Z2の拡大図である。
以下に、本実施形態に係るセンサ装置1の詳細な構成について、図1A〜図5Bを参照して詳細に説明する。
次に、センサ素子2の構成について、図5A及び図5Bを参照して説明する。図5A及び図5Bは、センサ素子2の動作原理を説明するための概念図である。
形状又は寸法の自由度の向上を図りやすいセンサ装置を提供することができる。また、センサ素子2と支持部材4とを分離したことで、分離していない場合と比較すると低背化を図ることができる。この結果、ボンディングワイヤ6の長さを短くすることができ、ボンディングワイヤ6の振動や変形を緩和することができる。また、ASICにセンサ素子2をつけることによるASICへの影響をなくすことができる。
実施形態1は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。実施形態1で参照する図面は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。実施形態1は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
実施形態1の変形例1に係るセンサ装置1Aは、図6に示すように、センサ素子2におけるセンサ側電極604の位置が実施形態1に係るセンサ装置1と相違する。すなわち、実施形態1に係るセンサ装置1では、センサ側電極604はセンサ素子2の基板3側に位置しているのに対し、本変形例では、センサ側電極604は、センサ素子2から見て基板3とは反対側に位置する。
以下、変形例1以外の変形例を列挙する。
本実施形態に係るセンサ装置1Bは、図7Aに示すように、連結部材5の形状が実施形態1に係るセンサ装置1と相違する。以下、実施形態1と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
図11は、実施形態2の変形例に係るセンサ装置1Cを示している。本変形例に係るセンサ装置1Cでは、連結部材5が省略されている。そのため、支持面41に搭載される縦型部材50は、センサ素子2のみからなる。以下、実施形態2と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
本実施形態に係るセンサ装置1Dは、図9に示すように、基板3と、支持部材4及びセンサ素子2との相対的な位置関係が、実施形態1に係るセンサ装置1と相違する。以下実施形態1と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記各実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
本実施形態に係るセンサ100aは、図10Aに示すように、実装基板10aの成形樹脂による台座にセンサ装置1を実装する点が、実施形態1に係るセンサ装置1と相違する。以下、実施形態1と同様の構成については、共通の符号を付して適宜説明を省略する。
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記各実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
本変形例に係る実装基板10cは、実装基板10cの四隅に成形前には端子を固定するためにインサート端子を形成し、成形後にはインサート端子を引き抜かれている点が、実施形態3とは異なる。
本実施形態5に係るセンサ100dは、図13Aに示すように、センサ装置1と実装基板10との設置状態が実施形態4と相違する。本実施形態では、センサ装置1と実装基板10との接続において、後述する突起部121を設ける点が実施形態4とは異なる。本実施形態のセンサ100dは、センサ装置1と、実装基板10と、突起部121と、接着剤133と、を有する。
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記各実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
本変形例では、4つの突起部121における実装基板10の中心側の周縁に沿って、更に溝部129を設ける点が実施形態5とは異なる。溝部129は、はんだを用いて接着している領域に接着剤133が流れ込むことを抑制する。接着剤133は、突起部121と溝部129を設けることにより、はんだで接続している領域に流れ込みにくくなる。
実施形態6に係るセンサ100eは、図14Aに示すように、実装基板10にリード端子を追加する点が実施形態4と相違する。本実施形態のセンサ100eは、センサ装置1と、実装基板10eと、リード端子124,130と、を有する。図14Bに図14AのY−Y断面図を示す。略正方形状の実装基板10eにおいて、1つの辺について最も外に位置する4本ずつ、合計16本のリード端子を追加している。具体的には、実装基板10eの各辺の最外部にリード端子124、最外部から2本目の位置にリード端子130を追加している。実装基板10eの1つの辺の両端部に2本ずつ、リード端子が追加して配置されている。最外部に位置するリード端子124は、隣接する辺の最外部のリード端子124とはんだによって電気的に接続されている。また、最外部から2番目に位置するリード端子130は、隣接する辺の最外部から2番目のリード端子130と、はんだによって電気的に接続されている。追加したリード端子はダミー端子である。以下、リード端子124,130をダミー端子124,130と記載する場合がある。
以下に、変形例について記載する。なお、以下に説明する変形例は、上記各実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。
以上、説明したように、第1の態様に係るセンサ装置(1,1A〜1D)は、センサ装置(1,1A〜1D)と、支持部材(4)と、基板(3)と、ボンディングワイヤ(6,6A,6D)と、を備える。支持部材(4)は、センサ素子(2)と電気的に接続される。基板(3)は支持部材(4)と電気的に接続される。ボンディングワイヤ(6,6A,6D)は、センサ素子(2)と支持部材(4)とを電気的に接続する接続経路(60)の少なくとも一部を構成する。基板(3)とセンサ素子(2)が設置される設置部材とは互いに交差し、センサ素子(2)と支持部材(4)とは分離している。
2 センサ素子
3 基板
4 支持部材
5 連結部材
6 ボンディングワイヤ
50 縦型部材
31 搭載面
24 電極面
L1 電極面の法線
41 支持面
10,10a,10b,10c,10d,10e 実装基板
100,100a,100b,100c,100d,100e センサ
121 突起部
127 端子
128 基準面
134 別の面
129 溝部
124,130 リード端子(ダミー端子、第1ダミー端子、第2ダミー端子)
43 処理回路
C1 隅
D1 第1方向
D2 第2方向
Claims (15)
- センサ素子と、
前記センサ素子と電気的に接続される支持部材と、
前記支持部材と電気的に接続される基板と、
前記センサ素子と前記支持部材とを電気的に接続する接続経路の少なくとも一部を構成するボンディングワイヤと、を備え、
前記基板と、前記センサ素子が設置される設置部材とは互いに交差し、
前記センサ素子と、前記支持部材とは分離している、
センサ装置。 - 前記センサ素子が設置される設置部材と、前記基板とは直交する、
請求項1に記載のセンサ装置。 - 前記ボンディングワイヤは、互いに交差する前記支持部材と前記センサ素子とを接続する、
請求項1又は2に記載のセンサ装置。 - 前記設置部材を含み、前記基板に設けられる連結部材を更に備え、
前記センサ素子は、前記連結部材を介して間接的に、前記基板に搭載される、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のセンサ装置。 - 前記連結部材は、前記基板に積層される第1部材と、前記設置部材としての第2部材とを有し、前記第1部材と、前記第2部材とは交差する、
請求項4に記載のセンサ装置。 - 前記センサ素子と、前記支持部材とは、前記連結部材の同一面上にある、
請求項4又は5に記載のセンサ装置。 - 前記基板は、前記センサ素子を含む縦型部材が搭載される搭載面を有し、
前記縦型部材は、前記センサ素子の電極面の法線が前記支持部材の支持面に沿った位置関係となるように、前記搭載面に固定されている、
請求項1〜6のいずれか1項に記載のセンサ装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のセンサ装置と、
前記センサ装置を搭載する実装基板と、を備え、
前記実装基板は、位置決めをするときの基準面とは別の面に成形バリが存在する、
センサ。 - 前記実装基板が有する端子は、前記別の面から露出する、
請求項8に記載のセンサ。 - 前記実装基板に少なくとも3つ以上の突起部を設け、
前記センサ装置は、前記少なくとも3つ以上の突起部と接合されることで前記実装基板に搭載される、
請求項8又は9に記載のセンサ。 - 前記少なくとも3つ以上の突起部は、前記実装基板の少なくとも3つ以上の隅にそれぞれ対応するように設けられている、
請求項10に記載のセンサ。 - 前記少なくとも3つ以上の突起部の各々は、当該突起部における前記実装基板の中心側の周縁に沿って溝部を有する、
請求項10又は11に記載のセンサ。 - 前記センサ装置と前記実装基板とは、はんだと接着剤との少なくとも一方にて固定されている、
請求項8〜12のいずれか1項に記載のセンサ。 - 前記実装基板において、第1方向に1つ以上の第1端子と第1ダミー端子とが、前記第1方向と直交する第2方向に1つ以上の第2端子と第2ダミー端子とが、設けられており、
前記第1ダミー端子は、前記1つ以上の第1端子の最外部に配置され、
前記第2ダミー端子は、前記1つ以上の第2端子の最外部に配置され、
前記第1ダミー端子と前記第2ダミー端子とは、前記実装基板を介して接続されている、
請求項8〜13のいずれか1項に記載のセンサ。 - 前記第1ダミー端子と前記第2ダミー端子とは、前記実装基板を介して、処理回路に接続されている、
請求項14に記載のセンサ。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6235476U (ja) * | 1985-05-17 | 1987-03-02 | ||
JPH11211750A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体センサおよび半導体センサ用パッケージ |
JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2009122049A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 地磁気センサ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8100010B2 (en) * | 2008-04-14 | 2012-01-24 | Honeywell International Inc. | Method and system for forming an electronic assembly having inertial sensors mounted thereto |
JP2012193971A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | センサーモジュール、センサーデバイス、センサーデバイスの製造方法及び電子機器 |
US8963398B2 (en) | 2011-10-28 | 2015-02-24 | Illinois Tool Works Inc. | Current control brush assembly |
JP6502757B2 (ja) * | 2015-06-15 | 2019-04-17 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | 電気コネクタ |
-
2019
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6235476U (ja) * | 1985-05-17 | 1987-03-02 | ||
JPH11211750A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体センサおよび半導体センサ用パッケージ |
JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2009122049A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Alps Electric Co Ltd | 地磁気センサ |
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