JP2021072347A - 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 99
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 92
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011896 sensitive detection Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る光検出器の一部を例示する模式的平面図である。
図2は、図1のA1−A2断面図である。
図3は、第1実施形態に係る光検出器を例示する模式的平面図である。
図1に示すように、第1実施形態に係る光検出器100は、複数の素子1を含む。複数の素子1は、互いに交差する第1方向及び第2方向に沿って配列されている。
図3に示すように、構造体21は、Z方向から見たときに、5角以上の多角形である。図3の例では、構造体21は、Z方向から見たときに、八角形である。例えば、構造体21は、Y方向に延びる一対の第1延在部21−1、X方向に延びる一対の第2延在部21−2、及び複数の連結部21Cを含んでも良い。第1半導体層11(フォトダイオードPD)は、X方向において、一対の第1延在部21−1の間に設けられる。第1半導体層11は、Y方向において、一対の第2延在部21−2の間に設けられる。各連結部21Cは、第1延在部21−1の一端と、第2延在部21−2の一端と、を連結している。
第1半導体層11、第2半導体層12、第3半導体層13、及び半導体領域25は、シリコン、炭化シリコン、ガリウムヒ素、及び窒化ガリウムからなる群より選択される少なくとも1つの半導体材料を含む。これらの半導体領域がシリコンを含むとき、リン、ヒ素、又はアンチモンがn形不純物として用いられる。ボロンがp形不純物として用いられる。
第2半導体層12におけるp形不純物濃度は、例えば1.0×1016atom/cm3以上、1.0×1018atom/cm3以下である。この濃度範囲に設定することで、第2半導体層12を、第1半導体層11とpn接合させ、且つ第2半導体層12において空乏層を広がり易くできる。
第3半導体層13におけるp形不純物濃度は、例えば1.0×1013atom/cm3以上、1.0×1016atom/cm3以下である。この濃度範囲に設定することで、第3半導体層13で空乏層を十分に広げ、光子検出効率又は受光感度を高めることができる。
図6(a)〜図18(a)は、図6(b)〜図18(b)のB1−B2断面をそれぞれ示す。図6〜図19を参照して、第1実施形態に係る光検出器の製造工程の一例を説明する。
光検出器100では、各素子1に、構造体21が設けられる。構造体21の屈折率は、フォトダイオードPDの屈折率と異なる。フォトダイオードPDに光が入射し、二次光子が発生したとき、隣り合うフォトダイオードPDへ進む二次光子は、構造体21の界面で反射される。構造体21が設けられることで、クロストークノイズを低減できる。
さらに、光検出器100では、構造体21の少なくとも一部同士が、互いに離れている。これにより、隣り合う素子1同士の間に1つの分離構造が設けられる場合に比べて、隣り合うフォトダイオードPD同士の間において、構造体21の界面の数が増加する。界面の数の増加により、フォトダイオードPDで二次光子が発生したとき、隣り合うフォトダイオードPDに向けて進む二次光子がより反射され易くなる。これにより、クロストークノイズをさらに低減できる。クロストークノイズのさらなる低減のためには、構造体21の全体同士が、互いに離れていることが好ましい。
図20は、第1実施形態の変形例に係る光検出器を例示する模式的平面図である。
図21は、図20のA1−A2断面図である。
図20では、素子1、クエンチ抵抗30、及び第1配線51などを示すために、絶縁層41〜44が省略されている。
本変形例では、クエンチ抵抗30が構造体21とZ方向において並ぶ。クエンチ抵抗30が構造体21とZ方向において並ぶと、図2に示すようにクエンチ抵抗30が半導体領域25とZ方向において並ぶ場合に比べて、半導体領域25とクエンチ抵抗30との間の距離が長くなる。半導体領域25とクエンチ抵抗30との間には、絶縁層41よりも厚い構造体21が存在する。このため、クエンチ抵抗30の電圧が上昇した際に絶縁破壊が生じる可能性を低減できる。例えば、フォトダイオードPDにおけるブレークダウン電圧の設計自由度が上がる。
図22は、第2実施形態に係る光検出器の一部を例示する模式的平面図である。
図23は、図22のA1−A2断面図である。
図24は、図22のB1−B2断面図である。
図22では、素子1、クエンチ抵抗30、第1配線51、及び第2配線52などを示すために、絶縁層41〜44が省略されている。
図25は、第2実施形態の第1変形例に係る光検出器の一部を例示する模式的平面図である。
図25では、素子1、クエンチ抵抗30、第1配線51、及び第2配線52などを示すために、絶縁層41〜44が省略されている。
図25に示す光検出器210では、第1クエンチ抵抗30aは、Z方向において構造体21と並ぶ。第2クエンチ抵抗30bは、Z方向において構造体21と並ばない。換言すると、Z方向から見たときに、第2クエンチ抵抗30bは、構造体21と異なる位置に設けられる。第2クエンチ抵抗30bは、Z方向においてフォトダイオードPDと並ぶ。
図26において、横軸は、光子を検出してから経過した時間を示す。縦軸は、光子を検出したときの出力を表す。実線で示されるパルスP1は、第1素子1aからの出力パルスを示す。破線で示されるパルスP2は、第2素子1bからの出力パルスを示す。
図27〜図29は、第2実施形態の第2変形例に係る光検出器の一部を例示する模式的平面図である。
なお、図27〜図29では、各クエンチ抵抗及び各コンタクトの配置を示すために、これらを第1配線51及び第2配線52よりも紙面手前側に図示している。また、素子1、クエンチ抵抗30、第1配線51、及び第2配線52などを示すために、絶縁層41〜44が省略されている。
図30は、第3実施形態に係るライダー(Laser Imaging Detection and Ranging:LIDAR)装置を例示する模式図である。
この実施形態は、ライン光源、レンズと構成され長距離被写体検知システム(LIDAR)などに応用できる。ライダー装置5001は、対象物411に対してレーザ光を投光する投光ユニットTと、対象物411からのレーザ光を受光しレーザ光が対象物411までを往復してくる時間を計測し距離に換算する受光ユニットR(光検出システムともいう)と、を備えている。
光源3000は、検出対象となる物体600に光412を発する。光検出器3001は、物体600を透過あるいは反射、拡散した光413を検出する。
本実施形態に係る車両700は、車体710の4つの隅にライダー装置5001を備えている。本実施形態に係る車両は、車体の4つの隅にライダー装置を備えることで、車両の全方向の環境をライダー装置によって検出することができる。
Claims (37)
- フォトダイオードを含む複数の素子を備え、
前記複数の素子の少なくとも一部は、前記フォトダイオードを囲み、且つ前記フォトダイオードと異なる屈折率を有する構造体をそれぞれ含み、
それぞれの前記構造体の少なくとも一部は、互いに離れた光検出器。 - 隣り合う前記素子同士の間に設けられた半導体領域をさらに備えた請求項1記載の光検出器。
- 前記複数の素子は、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向と、に沿って並び、
前記構造体は、
前記第1方向に延びる一対の第1延在部と、
前記第2方向に延びる一対の第2延在部と、
前記一対の第1延在部と前記一対の第2延在部をそれぞれ連結する複数の連結部と、
を含み、
前記フォトダイオードは、前記第1方向において前記一対の第2延在部の間に設けられ、且つ前記第2方向において前記一対の第1延在部の間に設けられ、
前記第1延在部と前記連結部との間の角度、及び前記第2延在部と前記連結部との間の角度は、135度以上である請求項1又は2に記載の光検出器。 - それぞれの前記連結部の前記第1方向における長さ及び前記第2方向における長さは、1μmである請求項3記載の光検出器。
- 前記構造体及び前記第2構造体は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、八角形である請求項3又は4に記載の光検出器。
- 前記複数の素子は、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向と、に沿って並び、
前記構造体は、
前記第1方向に延びる一対の第1延在部と、
前記第2方向に延びる一対の第2延在部と、
前記一対の第1延在部と前記一対の第2延在部をそれぞれ連結する複数の連結部と、
を含み、
前記フォトダイオードは、前記第1方向において前記一対の第2延在部の間に設けられ、且つ前記第2方向において前記一対の第1延在部の間に設けられ、
それぞれの前記連結部は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、湾曲している請求項1又は2に記載の光検出器。 - 前記複数の素子は、前記構造体を含む第1素子と、第2素子と、を含み、
複数の前記第1素子及び複数の前記第2素子が、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向と、に沿って交互に設けられ、
互いに隣り合う前記第2素子同士の間には、前記隣り合う第2素子に接する半導体領域が設けられた請求項1記載の光検出器。 - 前記複数の第1素子の少なくとも一部と電気的に接続された第1配線と、
前記複数の第2素子の少なくとも一部と電気的に接続された第2配線と、
をさらに備えた請求項7記載の光検出器。 - 前記第1配線及び前記第2配線には、互いに異なる動作電圧を印加可能である請求項8記載の光検出器。
- 前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、前記複数の第1素子の前記フォトダイオードの形状は、前記複数の第2素子の前記フォトダイオードの形状と異なる、又は、
前記第3方向から見たときに、前記複数の第1素子の前記フォトダイオードの面積は、前記複数の第2素子の前記フォトダイオードの面積と異なる請求項7〜9のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記複数の第1素子は、複数の第1クエンチ抵抗をそれぞれ含み、
前記複数の第2素子は、複数の第2クエンチ抵抗をそれぞれ含み、
それぞれの前記第1クエンチ抵抗の電気抵抗は、それぞれの前記第2クエンチ抵抗の電気抵抗と異なる請求項7〜10のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記複数の素子は、第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向と、に沿って並び、
前記複数の素子は、前記フォトダイオードと電気的に接続されたクエンチ抵抗をそれぞれ含み、
前記複数のクエンチ抵抗の一部は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、前記複数のクエンチ抵抗の前記一部と接続された前記フォトダイオードと異なる位置に存在し、
前記複数のクエンチ抵抗の別の一部は、前記第3方向から見たときに、前記複数のクエンチ抵抗の前記別の一部と接続された前記フォトダイオードとそれぞれ重なる請求項1〜10のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記複数のクエンチ抵抗の前記一部と電気的に接続された第1配線と、
前記複数のクエンチ抵抗の前記別の一部と電気的に接続された第2配線と、
をさらに備えた請求項12記載の光検出器。 - それぞれの前記フォトダイオードは、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードである請求項1〜13のいずれか1つに記載の光検出器。
- フォトダイオードと、前記フォトダイオードに電気的に接続されたクエンチ抵抗と、第1方向と前記第1方向に交差する第2方向とを含む面に沿って前記フォトダイオードを囲み且つ前記フォトダイオードと異なる屈折率を有する構造体と、を含む素子を備え、
前記構造体は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、5角以上の多角形又は角丸の多角形である光検出器。 - 前記多角形のそれぞれの内角の角度は135度以下である、又は、
前記多角形の少なくとも一部の角は湾曲している請求項15記載の光検出器。 - 前記構造体は、
前記第1方向に延びる一対の第1延在部と、
前記第2方向に延びる一対の第2延在部と、
前記一対の第1延在部と前記一対の第2延在部をそれぞれ連結する複数の連結部と、
を含み、
前記フォトダイオードは、前記第1方向において前記一対の第2延在部の間に設けられ、且つ前記第2方向において前記一対の第1延在部の間に設けられ、
前記第1延在部と前記連結部との間の角度、及び前記第2延在部と前記連結部との間の角度は、135度以上である、又は、
それぞれの前記連結部は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、湾曲している請求項15記載の光検出器。 - それぞれの前記第1延在部の前記第1方向における長さは、それぞれの前記連結部の前記第1方向における長さよりも長く、
それぞれの前記第2延在部の前記第2方向における長さは、それぞれの前記連結部の前記第2方向における長さよりも長い請求項17記載の光検出器。 - それぞれの前記連結部の前記第1方向における長さ及び前記第2方向における長さは、1μmである請求項17又は18に記載の光検出器。
- 第1フォトダイオードと、
第1方向と、前記第1方向に交差する第2方向とを含む面に沿って前記第1フォトダイオードを囲む第1構造体と、
第2フォトダイオードと、
前記面に沿って前記第2フォトダイオードを囲む第2構造体と、
を備え、
前記第1構造体と前記第2構造体は、前記第1方向又は前記第2方向において離れた光検出器。 - 前記第1構造体と前記第2構造体との間に設けられた半導体領域をさらに備え、
前記半導体領域は、前記第1構造体及び前記第2構造体と接触する請求項20記載の光検出器。 - 前記第1構造体及び前記第2構造体は、前記面と交差する第3方向から見たときに、5角以上の多角形である請求項20又は21に記載の光検出器。
- 前記第1構造体及び前記第2構造体は、前記第3方向から見たときに、八角形である請求項22記載の光検出器。
- 前記第1構造体は、
前記第1方向に延びる一対の第1延在部と、
前記第2方向に延びる一対の第2延在部と、
前記一対の第1延在部と前記一対の第2延在部をそれぞれ連結する複数の連結部と、
を含み、
前記第1フォトダイオードは、前記第1方向において前記一対の第2延在部の間に設けられ、且つ前記第2方向において前記一対の第1延在部の間に設けられ、
前記第1延在部と前記連結部との間の角度、及び前記第2延在部と前記連結部との間の角度は、135度以上である請求項20〜23のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記第1構造体及び前記第2構造体は、前記面と交差する第3方向から見たときに、前記多角形の少なくとも一部の角は湾曲している請求項20又は21に記載の光検出器。
- 前記第1構造体は、
前記第1方向に延びる一対の第1延在部と、
前記第2方向に延びる一対の第2延在部と、
前記一対の第1延在部と前記一対の第2延在部をそれぞれ連結する複数の連結部と、
を含み、
前記第1フォトダイオードは、前記第1方向において前記一対の第2延在部の間に設けられ、且つ前記第2方向において前記一対の第1延在部の間に設けられ、
それぞれの前記連結部は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、湾曲している請求項20又は21に記載の光検出器。 - それぞれの前記連結部の前記第1方向における長さ及び前記第2方向における長さは、1μmである請求項24又は26に記載の光検出器。
- 前記第1フォトダイオードと電気的に接続された第1配線と、
前記第2フォトダイオードと電気的に接続された第2配線と、
をさらに備え、
前記第1配線及び前記第2配線には、互いに異なる動作電圧を印加可能である請求項20〜27のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、前記第1フォトダイオードの形状は、前記第2フォトダイオードの形状と異なる、又は、
前記第3方向から見たときに、前記第1フォトダイオードの面積は、前記第2フォトダイオードの面積と異なる請求項20〜28のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記第1フォトダイオードは、第1クエンチ抵抗と電気的に接続され、
前記第2フォトダイオードは、第2クエンチ抵抗と電気的に接続され、
前記第1クエンチ抵抗の電気抵抗は、前記第2クエンチ抵抗の電気抵抗と異なる請求項20〜29のいずれか1つに記載の光検出器。 - 前記第1クエンチ抵抗の一部は、前記第1方向及び前記第2方向を含む面と交差する第3方向から見たときに、前記第1フォトダイオードと異なる位置に存在し、
前記第2クエンチ抵抗の一部は、前記第3方向から見たときに、前記第2フォトダイオードと重なる請求項30記載の光検出器。 - 前記第1フォトダイオード及び前記第2フォトダイオードは、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードである請求項20〜31のいずれか1つに記載の光検出器。
- 請求項1〜32のいずれか1つに記載の光検出器と、
前記光検出器の出力信号から光の飛行時間を算出する距離計測回路と、
を備えた光検出システム。 - 物体に光を照射する光源と、
前記物体に反射された光を検出する請求項33記載の光検出システムと、
を備えたライダー装置。 - 前記光源と前記光検出器の配置関係に基づいて、三次元画像を生成する画像認識システムと、を備える請求項34記載のライダー装置。
- 請求項34又は35に記載のライダー装置を備えた車。
- 車体の4つの隅に請求項34又は35に記載のライダー装置を備えた車。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019197576A JP7328868B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車 |
EP20195260.3A EP3816659A3 (en) | 2019-10-30 | 2020-09-09 | Light detector with reduced crosstalk, corresponding light detection system, lidar device, and vehicle |
US17/015,165 US20210132230A1 (en) | 2019-10-30 | 2020-09-09 | Light detector, light detection system, lidar device, and vehicle |
CN202010944839.6A CN112820794A (zh) | 2019-10-30 | 2020-09-10 | 光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019197576A JP7328868B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021072347A true JP2021072347A (ja) | 2021-05-06 |
JP7328868B2 JP7328868B2 (ja) | 2023-08-17 |
Family
ID=72432840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019197576A Active JP7328868B2 (ja) | 2019-10-30 | 2019-10-30 | 光検出器、光検出システム、ライダー装置、及び車 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210132230A1 (ja) |
EP (1) | EP3816659A3 (ja) |
JP (1) | JP7328868B2 (ja) |
CN (1) | CN112820794A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11598858B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light detector, light detection system, lidar device, and vehicle |
WO2023157497A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置およびその製造方法 |
US11996419B2 (en) | 2021-01-08 | 2024-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light detector, light detection system, lidar device, mobile body, and vehicle |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113299787B (zh) * | 2021-05-21 | 2022-04-29 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
EP4307396A1 (en) * | 2022-07-11 | 2024-01-17 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Single photon avalanche diode |
EP4307397A1 (en) * | 2022-07-11 | 2024-01-17 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Single photon avalanche diode |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008004547A1 (fr) * | 2006-07-03 | 2008-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Ensemble photodiode |
JP2017117835A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
JP2017117834A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
WO2018021413A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
WO2018108981A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | Sensl Technologies Ltd. | A lidar apparatus |
JP2019161047A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4841834B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-12-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | ホトダイオードアレイ |
US20100108893A1 (en) * | 2008-11-04 | 2010-05-06 | Array Optronix, Inc. | Devices and Methods for Ultra Thin Photodiode Arrays on Bonded Supports |
IT1392366B1 (it) * | 2008-12-17 | 2012-02-28 | St Microelectronics Rousset | Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione |
KR101648023B1 (ko) * | 2010-12-21 | 2016-08-12 | 한국전자통신연구원 | 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어 |
WO2017094362A1 (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2017190994A (ja) * | 2016-04-13 | 2017-10-19 | 株式会社東芝 | 光検出器およびライダー装置 |
US20170357000A1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Processing techniques for lidar receiver using spatial light modulators |
WO2018021411A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
GB2557303B (en) * | 2016-12-05 | 2020-08-12 | X Fab Semiconductor Foundries Gmbh | Photodiode device and method of manufacture |
-
2019
- 2019-10-30 JP JP2019197576A patent/JP7328868B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-09 EP EP20195260.3A patent/EP3816659A3/en active Pending
- 2020-09-09 US US17/015,165 patent/US20210132230A1/en active Pending
- 2020-09-10 CN CN202010944839.6A patent/CN112820794A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008004547A1 (fr) * | 2006-07-03 | 2008-01-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Ensemble photodiode |
JP2017117835A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
JP2017117834A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電変換素子 |
WO2018021413A1 (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
WO2018108981A1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | Sensl Technologies Ltd. | A lidar apparatus |
JP2019161047A (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 株式会社東芝 | 受光装置および受光装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11598858B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-03-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light detector, light detection system, lidar device, and vehicle |
US11996419B2 (en) | 2021-01-08 | 2024-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light detector, light detection system, lidar device, mobile body, and vehicle |
WO2023157497A1 (ja) * | 2022-02-17 | 2023-08-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112820794A (zh) | 2021-05-18 |
JP7328868B2 (ja) | 2023-08-17 |
US20210132230A1 (en) | 2021-05-06 |
EP3816659A3 (en) | 2021-06-23 |
EP3816659A2 (en) | 2021-05-05 |
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