JP2021068834A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施の形態1における基板処理システム100の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理システム100は、ロードポートLPと、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、制御部90と、少なくとも1つの処理ユニットDP(図1においては4つの処理ユニット)とを含む。複数の処理ユニットDPは、基板WFを処理するためのものであり、そのうちの少なくとも1つが、基板処理装置101(後述する実施の形態2および3のそれぞれにおいては基板処理装置102および基板処理装置103)に対応する。基板処理装置101は、基板WFに付着した有機物を除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。この有機物は、典型的には、使用済のレジスト膜である。このレジスト膜は、例えば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。
図5は、本実施の形態2における基板処理装置102の構成を概略的に示す側面図である。図6は、図5の一部断面図である。図中、説明の便宜上、基板処理装置102によって処理されることになる基板WFも図示されている。
図7は、本実施の形態3における基板処理装置103の構成を概略的に示す断面図である。図中、説明の便宜上、基板処理装置103によって処理されることになる基板WFも図示されている。以下、主に基板処理装置101(図3:実施の形態1)との相違について説明する。
31,33 :圧力カップ(圧力保持部)
32 :圧力ノズル(圧力保持部)
33h :温水経路
33o :導入路
40 :処理液源
41 :純水源
42 :オゾン気泡混合器
47 :オゾンガス源
50 :圧力制御部
60 :液位計
80 :加熱部
81C :伝導ヒータ
82C :伝導ヒータ
82L :ランプヒータ
83 :温水源
90 :制御部
100 :基板処理システム
101〜103:基板処理装置
GP :空間
LQ :処理液
S1 :裏面(第1の面)
S2 :処理面(第2の面)
SS :対向面
WF :基板
Claims (16)
- 第1の面と前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板を、前記第2の面が下方を向くように保持する工程と、
前記基板の前記第2の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、
前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、
前記基板の前記第2の面と前記空間との界面を加熱する工程と、
を備える、基板処理方法。 - 前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程は、前記処理液に混入されているオゾンガスを前記空間中へ放出する工程を含む、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記処理液に混入されているオゾンガスの少なくとも一部は、粒径50nm以下の気泡として混入されている、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記基板の前記第2の面と前記空間との界面を加熱する工程は、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板の前記第2の面から前記空間へ熱を与える工程と、
を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第2の面から加熱する工程を含む、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第1の面から加熱する工程を含む、請求項4または5に記載の基板処理方法。
- 前記基板の前記第2の面と前記空間との界面を加熱する工程は、第1の温度を有する前記処理液に、前記第1の温度よりも高い第2の温度を有する温水を混合する工程を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程をさらに備える、請求項1から7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の前記第2の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程をさらに備え、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部上に前記処理液を供給する工程を含む、
請求項1から8のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記圧力保持部は、
前記基板の前記第2の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第2の面へ向かって延び、前記基板の前記第2の面に対向するウイング部と、
を含む、請求項9に記載の基板処理方法。 - 前記ウイング部は、前記基板の前記第2の面にギャップ長HGを空けて対向しており、かつ内周長LIの筒形状を有しており、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第2の面と前記主部との間へ前記処理液を供給し断面積SCを有する供給部を含み、
SC > LI・HG
が満たされている、請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記圧力保持部は、前記処理液を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記処理液を導入する工程を含む、請求項9から11のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記処理液を導入する工程は、前記複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から前記複数の導入路へ前記処理液を分岐させる工程を含む、請求項12に記載の基板処理方法。
- 第1の面と前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板を、前記第2の面が下方を向くように保持する工程と、
前記基板の前記第2の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、
前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、
前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程と、
を備える、基板処理方法。 - 第1の面と前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を、前記第2の面が下方を向くように保持する基板保持部と、
前記基板の前記第2の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する圧力保持部と、
前記基板の前記第2の面と前記空間との界面を加熱する加熱部と、
を備える、基板処理装置。 - 第1の面と前記第1の面と反対の第2の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を、前記第2の面が下方を向くように保持する基板保持部と、
前記基板の前記第2の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する圧力保持部と、
前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する圧力制御部と、
を備える、基板処理装置。
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