JP2021034656A - 化学的気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、成膜時のウェハの温度分布が均一となる化学的気相成長装置を提供することを課題とする。
上面に前記ウェハが載置される突起を有するサセプタと、
前記サセプタ上に設置されたカバー部材とを有し、
前記カバー部材には、前記突起に載置された前記ウェハが収容される開口部が設けられ、前記開口部の内壁面が前記突起と離間していることを特徴とする化学的気相成長装置。
前記ウェハ対向面の半径が、前記突起対向面の半径未満の寸法であることを特徴とする(1)に記載の化学的気相成長装置。
(4)前記内壁面が、前記サセプタの上面と等間隔で対向配置されるサセプタ対向面を有することを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の化学的気相成長装置。
本実施形態のCVD装置30は、ウェハWを収容し、ウェハW上にSiC単結晶エピタキシャル膜を成長させる反応炉31と、反応炉31に反応ガスを供給するガス供給機構32と、ウェハWを保持するサセプタ1と、サセプタ1上に設置されたカバー部材21と、ウェハWをサセプタ10の下部より加熱するヒータ33と、ウェハWを回転させる回転機構38とを備える。さらに、本実施形態のCVD装置30は、反応炉31から反応ガスを排出するガス排出部35と、ウェハWを反応炉31内に搬入するための開口部となるゲートバルブ36とを有する。
なお、本実施形態では、突起1aの数が3個である場合を例に挙げて説明するが、サセプタ1の有する突起1aの数は、特に限定されるものではなく、例えば、サセプタ1に載置されるウエハWと同心円の円周上に等間隔で離間して4〜10個設けられていてもよい。
サセプタ1の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により製造できる。
サセプタ対向面21cは、サセプタ1の上面と等間隔で対向配置されている。
カバー部材21の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の方法により製造できる。
次に、本実施形態のCVD装置30を用いて、化学的気相成長法によって、ウェハW上にSiC単結晶エピタキシャル膜を成長させる方法について説明する。
まず、サセプタ1の有する3個の突起1aの上面に、ウェハWを載置して、突起1aにウェハWの下面を支持させる。本実施形態では、ウェハWとして、SiC単結晶ウェハを用いる。
(変形例)
図4〜図8は、本発明の化学的気相成長装置の他の例を模式的に示した断面図である。
図4〜図8に示す化学的気相成長装置が、図1〜図3に示す上述したCVD装置30と異なるところは、カバー部材の形状のみである。
したがって、図4〜図8に示す化学的気相成長装置において、カバー部材以外の部材は、図1〜図3に示す上述したCVD装置30と同一であり、同じ符号を付し、説明を省略する。
ウェハ対向面22aは、ウェハWの側面Waと等間隔で対向配置される平面視円形のものである。本実施形態では、図2(B)に示すウェハ対向面21aと同様に、ウェハ対向面22aの下端が、突起1aの上面よりも上側に位置している。したがって、例え、半径方向におけるウェハ対向面22aの位置が、平面視で突起1aの上面と重なる位置に存在していたとしても、突起対向面22bの高さが突起1aの上面よりも上側に位置している領域内では、開口部2aの内壁面と突起1aとの間には隙間が存在しており、開口部2aの内壁面と突起1aとが接触することはない。
ウェハ対向面23aは、ウェハWの側面Waと等間隔で対向配置される平面視円形のものである。本実施形態では、図2(B)に示すウェハ対向面21aと同様に、ウェハ対向面23aの下端が、突起1aの上面よりも上側に位置している。
サセプタ対向面23cは、サセプタ1の上面と等間隔で対向配置されている。
ウェハ対向面24aは、ウェハWの側面Waと等間隔で対向配置される平面視円形のものである。本実施形態では、図2(B)に示すウェハ対向面21aと同様に、ウェハ対向面24aの下端が、突起1aの上面よりも上側に位置している。
ウェハ対向面25aは、ウェハWの側面Waと等間隔で対向配置される平面視円形のものである。本実施形態では、図2(B)に示すウェハ対向面21aと同様に、ウェハ対向面25aの下端が、突起1aの上面よりも上側に位置している。
サセプタ対向面25cは、サセプタ1の上面と等間隔で対向配置されている。
ウェハ対向面26aは、ウェハWの側面Waと等間隔で対向配置される平面視円形のものである。本実施形態では、図2(B)に示すウェハ対向面21aと同様に、ウェハ対向面26aの下端が、突起1aの上面よりも上側に位置している。
1a 突起
1b 側面
2a 開口部
21、22、23、24、25、26 カバー部材
21a、22a、23a、24a、25a、26a ウェハ対向面
21b、22b、23b、24b、25b、26b 突起対向面
21c、23c、25c サセプタ対向面
30 化学的気相成長装置(CVD装置)
31 反応炉
32 ガス供給機構
33 ヒータ
35 ガス排出部
36 ゲートバルブ
38 回転機構
W ウェハ
Wa 側面
Claims (4)
- 化学的気相成長法によって、ウェハ上にSiC単結晶エピタキシャル膜を成長させる化学的気相成長装置であって、
上面に前記ウェハが載置される突起を有するサセプタと、
前記サセプタ上に設置されたカバー部材とを有し、
前記カバー部材には、前記突起に載置された前記ウェハが収容される開口部が設けられ、前記開口部の内壁面が前記突起と離間していることを特徴とする化学的気相成長装置。 - 前記内壁面は、前記ウェハの側面と等間隔で対向配置される平面視円形のウェハ対向面と、前記突起の側面との対向面を含む平面視円形の突起対向面とを有し、
前記ウェハ対向面の半径が、前記突起対向面の半径未満の寸法であることを特徴とする請求項1に記載の化学的気相成長装置。 - 前記突起対向面の半径が、前記サセプタの上面に近い位置に向かって徐々に長くなっていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の化学的気相成長装置。
- 前記内壁面が、前記サセプタの上面と等間隔で対向配置されるサセプタ対向面を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の化学的気相成長装置。
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US20170175265A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Applied Materials, Inc. | Flat susceptor with grooves for minimizing temperature profile across a substrate |
JP2018037537A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
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JP2017076652A (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | 大陽日酸株式会社 | 基板載置台及び気相成長装置 |
US20170175265A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Applied Materials, Inc. | Flat susceptor with grooves for minimizing temperature profile across a substrate |
JP2018037537A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
JP2018107289A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | サセプタ、気相成長装置及び気相成長方法 |
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