JP2021034581A - カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 - Google Patents
カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034581A JP2021034581A JP2019153660A JP2019153660A JP2021034581A JP 2021034581 A JP2021034581 A JP 2021034581A JP 2019153660 A JP2019153660 A JP 2019153660A JP 2019153660 A JP2019153660 A JP 2019153660A JP 2021034581 A JP2021034581 A JP 2021034581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon nanotube
- adhesive layer
- heating element
- array
- cnt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 90
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710186856 Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
Abstract
【課題】優れた放熱性能を有するカーボンナノチューブ構造体、および、製造効率のよいカーボンナノチューブ構造体の製造方法を提供すること。【解決手段】ＣＮＴ構造体１に、複数のＣＮＴ２５が所定方向に配向されるＣＮＴアレイ２と、ＣＮＴアレイ２に対して所定方向の一方から接触する発熱体３と、ＣＮＴアレイ２に対して所定方向の他方から接触する放熱体４と、発熱体３と放熱体４とを接着する接着剤層５とを備える。接着剤層５は、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間を形成する。【選択図】図１
Description
本発明は、カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法に関する。
電子部品と放熱部材との間に熱伝導性材料（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ：以下、ＴＩＭとする。）を配置して、電子部品から発生する熱を効率よく放熱部材に伝導することが知られている。そのようなＴＩＭに、優れた熱伝導率を有するカーボンナノチューブを利用することが検討されている。
例えば、カーボンナノチューブ集合体と、カーボンナノチューブ集合体の中央領域に形成された熱可塑性樹脂部と、熱可塑性樹脂部を取り囲むようにカーボンナノチューブ集合体の外周領域に形成される未硬化の熱硬化性樹脂部とを有するカーボンナノチューブシートが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
そのようなカーボンナノチューブシートをＴＩＭとして利用するには、まず、カーボンナノチューブシートを、配線基板に接続される半導体素子上に配置する。また、平板部と、平板部の周縁から突き出る環状の突出部とを有するヒートスプレッダを準備する。そして、ヒートスプレッダを、カーボンナノチューブシートが平板部と半導体素子との間に位置するように、配線基板上に配置する。また、ヒートスプレッダの突出部と配線基板との間に、熱硬化性の接着剤を配置する。
その後、ヒートスプレッダを配線基板に向かって押圧しながら加熱処理する。これによって、カーボンナノチューブシートとヒートスプレッダおよび半導体素子とが、熱可塑性樹脂部および熱硬化性樹脂部によって接着されるとともに、突出部と配線基板とが、接着剤によって接着される。
しかし、特許文献１に記載のカーボンナノチューブシートでは、カーボンナノチューブ集合体が熱可塑性樹脂部および熱硬化樹脂部に埋め込まれているので、カーボンナノチューブシートとヒートスプレッダおよび／または半導体素子との界面において、樹脂が干渉して、カーボンナノチューブがヒートスプレッダおよび／または半導体素子と安定して接触できず、半導体素子から発生する熱をヒートスプレッダに効率よく伝導できない場合がある。また、カーボンナノチューブ集合体内の隙間に各樹脂を流し込んで含浸させるのは、困難であった。
本発明は、優れた放熱性能を有するカーボンナノチューブ構造体、および、製造効率のよいカーボンナノチューブ構造体の製造方法を提供する。
本発明［１］は、複数のカーボンナノチューブが所定方向に配向されるカーボンナノチューブアレイと、前記カーボンナノチューブアレイに対して前記所定方向の一方から接触する第１部材と、前記カーボンナノチューブアレイに対して前記所定方向の他方から接触する第２部材と、前記第１部材と前記第２部材とを接着する接着剤層とを備え、前記接着剤層は、前記カーボンナノチューブアレイを囲むことにより、前記カーボンナノチューブアレイが配置される空間を形成する、カーボンナノチューブ構造体を含んでいる。
このような構成によれば、接着剤層が、カーボンナノチューブアレイを囲むことにより、カーボンナノチューブアレイが配置される空間を形成し、かつ、第１部材と第２部材とを接着する。そのため、接着剤層が、カーボンナノチューブアレイと第１部材との界面、および、カーボンナノチューブアレイと第２部材との界面に干渉することを抑制できながら、接着剤層が、第１部材と第２部材とを接着する。その結果、カーボンナノチューブアレイに含まれる複数のカーボンナノチューブが、第１部材および／または第２部材と安定して接触できる。これによって、優れた放熱性能を確保することができる。
本発明［２］は、前記接着剤層は、硬化性接着剤を含む、上記［１］に記載のカーボンナノチューブ構造体を含んでいる。
このような構成によれば、接着剤層を硬化させることができる。そのため、接着剤層が、第１部材と第２部材とを強固に接着できる。
本発明［３］は、複数のカーボンナノチューブが所定方向に配向されるカーボンナノチューブアレイを、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの一方面が第１部材に接触するように配置する工程と、前記カーボンナノチューブアレイを囲むことにより、前記カーボンナノチューブアレイが配置される空間を形成して、接着剤層を前記第１部材に配置する工程と、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの他方面に第２部材を接触させ、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程と、を含む、カーボンナノチューブ構造体の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、カーボンナノチューブアレイをそのままカーボンナノチューブ構造体の製造に用いることができる。その結果、複数のカーボンナノチューブが第１部材および／または第２部材と安定して接触できるとともに、カーボンナノチューブ構造体の製造効率の向上を図ることができる。
また、接着剤層が、第１部材と第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、第１部材と第２部材とを接着する。そのため、複数のカーボンナノチューブを第１部材および／または第２部材の表面の凹凸に安定して追従させることができながら、第１部材と第２部材とが互いに近づくように圧力を付与する部材を別途設ける場合と比較して、部品点数の低減を図ることができる。
本発明［４］は、前記第１部材と、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの一方面の一部とは、接合している、上記［３］に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、第１部材に対してカーボンナノチューブアレイがずれることを抑制できる。そのため、接着剤層を、カーボンナノチューブアレイを囲むように、第１部材に円滑に配置できる。
本発明［５］は、前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程において、前記第２部材と接触する前の前記カーボンナノチューブアレイの厚みに対して、前記カーボンナノチューブアレイの厚みが２／３以下となるように、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、前記第１部材と前記第２部材とを接着する、上記［３］または［４]に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、接着剤層が第１部材と第２部材とを接着した状態において、カーボンナノチューブアレイの厚みが２／３以下となるので、複数のカーボンナノチューブを第１部材および／または第２部材の表面に押し当てることができる。そのため、複数のカーボンナノチューブを第１部材および／または第２部材の表面の凹凸により一層安定して追従させることができる。
本発明［６］は、前記接着剤層は、光硬化性接着剤を含み、前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程において、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの他方面に第２部材を接触させ、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、特定の波長の光によって前記接着剤層を硬化させて、前記第１部材と前記第２部材とを接着する、上記[３]〜[５]のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法を含んでいる。
このような方法によれば、光硬化性接着剤を含む接着剤層を、特定の波長の光によって硬化できるので、第１部材と第２部材とを円滑に接着することができる。
本発明のカーボンナノチューブ構造体は、優れた放熱性能を有する。本発明のカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、カーボンナノチューブ構造体を効率よく製造できる。
＜第１実施形態＞
１．カーボンナノチューブ構造体
本発明の第１実施形態としてのカーボンナノチューブ構造体１（以下、ＣＮＴ構造体１とする。）を、図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。
１．カーボンナノチューブ構造体
本発明の第１実施形態としてのカーボンナノチューブ構造体１（以下、ＣＮＴ構造体１とする。）を、図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、ＣＮＴ構造体１は、カーボンナノチューブアレイ２（以下、ＣＮＴアレイ２とする。）と、第１部材の一例としての放熱体４と、第２部材の一例としての発熱体３と、接着剤層５とを備える。なお、第１部材を発熱体３とし、第２部材を放熱体４としてもよい。
１−１．カーボンナノチューブアレイ
ＣＮＴアレイ２は、基板２０（後述；図２Ｃ参照）から剥離された垂直配向カーボンナノチューブ群２６（後述；Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ；以下、ＶＡＣＮＴｓ２６とする。）であって、複数のカーボンナノチューブ２５（以下、ＣＮＴ２５とする。）からシート形状に形成されるカーボンナノチューブ集合体である。
ＣＮＴアレイ２は、基板２０（後述；図２Ｃ参照）から剥離された垂直配向カーボンナノチューブ群２６（後述；Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ；以下、ＶＡＣＮＴｓ２６とする。）であって、複数のカーボンナノチューブ２５（以下、ＣＮＴ２５とする。）からシート形状に形成されるカーボンナノチューブ集合体である。
より詳しくは、ＣＮＴアレイ２において、複数のＣＮＴ２５が、ＣＮＴアレイ２の厚み方向（所定方向）に配向されており、厚み方向と直交する面方向（縦方向および横方向）に互いに隣接してシート形状となるように配列されている。
また、ＣＮＴアレイ２は、基板２０（後述）から剥離された状態で、複数のＣＮＴ２５が面方向に互いに接触するように形状を保持している。ＣＮＴアレイ２の形状は特に制限されないが、本実施形態では、ＣＮＴアレイ２は、平面視矩形状を有する。ＣＮＴアレイ２は、可撓性を有している。なお、複数のＣＮＴ２５のうち、互いに隣接するＣＮＴ２５間には、ファンデルワールス力が作用している。
ＣＮＴ２５は、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブおよび多層カーボンナノチューブのいずれであってもよく、好ましくは、多層カーボンナノチューブである。これらＣＮＴ２５は、単独使用または２種類以上併用することができる。
ＣＮＴ２５の平均外径は、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上、例えば、１００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下、さらに好ましくは、２０ｎｍ以下である。ＣＮＴ２５の平均長さ（平均軸線方向寸法）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。なお、ＣＮＴ２５の層数、平均外径および平均長さは、例えば、ラマン分光分析や、電子顕微鏡観察などの公知の方法により測定される。
ＣＮＴアレイ２の厚みの範囲は、上記したＣＮＴ２５の平均長さの範囲と同じである。
ＣＮＴアレイ２の平均嵩密度は、例えば、１０ｍｇ／ｃｍ３以上、好ましくは、２０ｍｇ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは、５０ｍｇ／ｃｍ３以上、例えば、５００ｍｇ／ｃｍ３以下、好ましくは、３００ｍｇ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは、２００ｍｇ／ｃｍ３以下である。なお、ＣＮＴアレイ２の平均嵩密度は、例えば、単位面積当たり質量（目付量：単位 ｍｇ／ｃｍ２）と、カーボンナノチューブの平均長さ（ＳＥＭ（日本電子社製）または非接触膜厚計（キーエンス社製）により測定）とから算出される。
ＣＮＴアレイ２の平均嵩密度が上記範囲であれば、ＣＮＴアレイ２の熱伝導率を十分に確保することができる。
このようなＣＮＴアレイ２を準備するには、図２Ａに示すように、まず、基板２０を準備する。基板２０は、特に限定されず、例えば、ＣＶＤ法に用いられる公知の基板が挙げられ、市販品を用いることができる。基板２０として、具体的には、シリコン基板や、二酸化ケイ素膜２２が積層されるステンレス基板２１などが挙げられ、好ましくは、二酸化ケイ素膜２２が積層されるステンレス基板２１が挙げられる。なお、図２Ａ〜図２Ｃでは、基板２０が、二酸化ケイ素膜２２が積層されるステンレス基板２１である態様について示す。
そして、図２Ａに示すように、二酸化ケイ素膜２２（基板２０）上に触媒層２３を形成する。二酸化ケイ素膜２２上に触媒層２３を形成するには、金属触媒を、公知の成膜方法により、二酸化ケイ素膜２２上に成膜する。
金属触媒として、例えば、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられ、好ましくは、鉄が挙げられる。このような金属触媒は、単独使用または２種類以上併用することができる。成膜方法として、例えば、真空蒸着およびスパッタリングが挙げられ、好ましくは、真空蒸着が挙げられる。
次いで、図２Ｂに示すように、触媒層２３が配置される基板２０を、例えば、７００℃以上９００℃以下に加熱する。これにより、触媒層２３が、凝集して、複数の粒状体２３Ａとなる。
そして、図２Ｃに示すように、加熱された基板２０に、例えば、１分以上３０分以下、原料ガスを供給する。
原料ガスは、炭素数１〜４の炭化水素ガス（低級炭化水素ガス）を含んでいる。炭素数１〜４の炭化水素ガスとしては、例えば、メタンガス、エタンガス、プロパンガス、ブタンガス、エチレンガス、アセチレンガスなどが挙げられ、好ましくは、アセチレンガスが挙げられる。また、原料ガスは、必要により、水素ガスや、不活性ガス（例えば、ヘリウム、アルゴンなど）、水蒸気などを含むこともできる。
これによって、複数の粒状体２３Ａのそれぞれを起点として、複数のＣＮＴ２５が成長する。なお、図２Ｃでは、便宜上、１つの粒状体２３Ａから、１つのＣＮＴ２５が成長するように記載されているが、これに限定されず、１つの粒状体２３Ａから、複数のＣＮＴ２５が成長してもよい。
複数のＣＮＴ２５は、基板２０上において、互いに略平行となるように、基板２０の厚み方向に延びており、基板２０に対して直交するように配向（垂直に配向）されている。これによって、複数のＣＮＴ２５からなるＶＡＣＮＴｓ２６が、基板２０上に成長する。
ＶＡＣＮＴｓ２６において、複数のＣＮＴ２５は、基板２０の面方向に互いに密集している。ＶＡＣＮＴｓ２６の嵩密度は、例えば、１０ｍｇ／ｃｍ３以上、好ましくは、２０ｍｇ／ｃｍ３以上、例えば、６０ｍｇ／ｃｍ３以下、好ましくは、５０ｍｇ／ｃｍ３以下である。
次いで、図２Ｄに示すように、基板２０からＶＡＣＮＴｓ２６を剥離して、ＣＮＴアレイ２とする。
例えば、図示しない切断刃（例えば、カッター刃、剃刀など）を基板２０の上面に沿ってスライド移動させて、複数のＣＮＴ２５の基端部（基板２０側端部）を一括して切断する。これによって、ＶＡＣＮＴｓ２６が基板２０から分離される。
次いで、分離されたＶＡＣＮＴｓ２６を基板２０から引き上げる。以上によって、ＶＡＣＮＴｓ２６が、基板２０から剥離されて、ＣＮＴアレイ２が調製される。
また、ＣＮＴアレイ２は、そのままＣＮＴ構造体１に利用できるが、種々の特性（例えば、熱伝導率など）を向上させる観点から、高密度化処理されてもよい。
高密度化処理としては、例えば、ＣＮＴアレイ２を加熱処理する方法、ＣＮＴアレイ２に揮発性の液体（例えば、水、有機溶媒など）を供給して気化させる方法、ＣＮＴアレイ２を機械的に圧縮する方法などが挙げられる。
高密度化処理は、少なくとも１回実施され、複数回繰り返すこともできる。同一の高密度化処理を複数回繰り返してもよく、複数種類の高密度化処理を組み合わせて実施してもよい。
高密度化処理のなかでは、好ましくは、ＣＮＴアレイ２を加熱処理する方法が挙げられる。具体的には、ＣＮＴアレイ２を、不活性ガス雰囲気において下記条件で加熱する。
不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴンなどが挙げられ、好ましくは、アルゴンが挙げられる。高密度化のための加熱温度は、例えば、２６００℃以上、好ましくは、２７００℃以上、さらに好ましく、２８００℃以上である。また、加熱温度は、複数のＣＮＴ２５の昇華温度未満であればよく、好ましくは、３０００℃以下である。高密度化のための加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、１時間以上、例えば、５時間以下、好ましくは、３時間以下である。
ＣＮＴアレイ２が、加熱処理されると、ＣＮＴアレイ２において、互いに隣接するＣＮＴ２５は、それらの間に作用するファンデルワールス力などにより、配向性（直線性）を維持したまま、束状となるように密集する。これによって、ＣＮＴアレイ２の全体が均一に密集され、ＣＮＴアレイ２が高密度化する。その後、ＣＮＴアレイ２を必要により冷却（例えば、自然冷却）する。
なお、加熱処理後のＣＮＴアレイ２のＧ／Ｄ比は、例えば、２以上、好ましくは、５以上、さらに好ましくは、１０を超過し、例えば、２０以下、好ましくは、１５以下である。Ｇ／Ｄ比とは、カーボンナノチューブのラマンスペクトルにおいて、１３５０ｃｍ−１付近に観測されるＤバンドと呼ばれるピークのスペクトル強度に対する、１５９０ｃｍ−１付近に観測されるＧバンドと呼ばれるピークのスペクトル強度の比である。Ｄバンドのスペクトルは、カーボンナノチューブの欠陥に由来し、Ｇバンドのスペクトルは、炭素の六員環の面内振動に由来する。
ＣＮＴアレイ２のＧ／Ｄ比が上記の範囲であると、ＣＮＴ２５の結晶性の向上を図ることができ、ＣＮＴアレイ２の熱伝導率の向上を図ることができる。
１−２．放熱体
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、放熱体４は、ＣＮＴアレイ２に対して、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の一方から接触する。言い換えれば、ＣＮＴアレイ２は、放熱体４上に配置されている。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、放熱体４は、ＣＮＴアレイ２に対して、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の一方から接触する。言い換えれば、ＣＮＴアレイ２は、放熱体４上に配置されている。
放熱体４として、例えば、ヒートシンク、ヒートスプレッダなどが挙げられる。放熱体４の形状は特に制限されないが、本実施形態において、放熱体４は、平面視矩形の平板形状を有する。放熱体４のサイズは、ＣＮＴアレイ２のサイズよりも大きく、発熱体３のサイズよりも大きい。つまり、ＣＮＴアレイ２は、平面視において、放熱体４に含まれる。
放熱体４の表面は、不可避的に微細な凹凸（表面粗さ）を有している。それらの表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ０６０１−２０１３に準拠する十点平均粗さ）は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。
１−３．発熱体
発熱体３は、ＣＮＴアレイ２に対して、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の他方から接触する。言い換えると、発熱体３は、ＣＮＴアレイ２に対して放熱体４の反対側に位置する。ＣＮＴアレイ２は、発熱体３と放熱体４との間に配置される。
発熱体３は、ＣＮＴアレイ２に対して、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の他方から接触する。言い換えると、発熱体３は、ＣＮＴアレイ２に対して放熱体４の反対側に位置する。ＣＮＴアレイ２は、発熱体３と放熱体４との間に配置される。
発熱体３として、例えば、半導体素子（ＩＣ（集積回路）チップなど）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、高出力レーザ発振素子、高出力ランプ、パワー半導体素子などの発熱素子などが挙げられる。
発熱体３の形状は特に制限されないが、本実施形態において、発熱体３は、平面視矩形の平板形状を有する。発熱体３のサイズは、ＣＮＴアレイ２のサイズよりも大きい。つまり、ＣＮＴアレイ２は、平面視において、発熱体３に含まれる。
発熱体３の表面は、放熱体４の表面と同様に、不可避的に微細な凹凸（表面粗さ）を有している。それらの表面粗さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ０６０１−２０１３に準拠する十点平均粗さ）は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。
１−４．接着剤層
接着剤層５は、放熱体４と発熱体３との間に位置する。接着剤層５は、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間Ｓが形成する。
接着剤層５は、放熱体４と発熱体３との間に位置する。接着剤層５は、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間Ｓが形成する。
空間Ｓは、接着剤層５によって囲まれて画定される空間である。空間Ｓは、接着剤が充填されることなく、ＣＮＴアレイ２に含まれる複数のＣＮＴ２５が配置される。
本実施形態において、接着剤層５は、平面視矩形枠状を有し、ＣＮＴアレイ２の周縁部と接触している。接着剤層５は、ＣＮＴアレイ２に含浸しておらず、接着剤層５には、ＣＮＴアレイ２が埋め込まれていない。なお、接着剤層５には、ＣＮＴアレイ２の一部（周縁部）が埋め込まれていてもよい。
図１Ｂに示すように、接着剤層５は、放熱体４と発熱体３とを接着する。詳しくは、接着剤層５は、放熱体４と発熱体３とが互いに近づく方向に所定の圧力がかかるように、発熱体３と放熱体４とを接着する。これによって、ＣＮＴアレイ２は、発熱体３と放熱体４との間に挟まれる。
そのため、スタック冶具などの部材を別途設けることなく、ＣＮＴアレイ２に所定の圧力（例えば、１ＭＰａ以上）を継続的に付与することができる。その結果、ＣＮＴアレイ２の複数のＣＮＴ２５は、発熱体３の表面の微細な凹凸に追従して、発熱体３の表面と安定して接触できるとともに、放熱体４の表面の微細な凹凸に追従して、放熱体４の表面と安定して接触できる。
接着剤層５は、接着剤を含有する。接着剤として、例えば、感圧接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤などが挙げられ、好ましくは、硬化性接着剤が挙げられる。
硬化性接着剤として、例えば、熱硬化性接着剤（例えば、エポキシ系接着剤など）、光硬化性接着剤（例えば、アクリル系接着剤など）などが挙げられる。例えば、発熱体３の耐熱温度が比較的高い場合、接着剤層５は、例えば、熱硬化性接着剤を含む。また、発熱体３の耐熱温度が比較的低い場合、接着剤層５は、例えば、光硬化性接着剤を含む。
接着剤層５が光硬化性接着剤を含有すると、後述するＣＮＴ構造体１の製造方法において、接着剤層５を特定の波長の光を照射することによって、接着剤層５を硬化させることができる。そのため、発熱体３に対する熱によるダメージを抑制できる。
接着剤層５の厚みは、発熱体３と放熱体４とを接着した状態において、ＣＮＴアレイ２の厚みに対して、例えば、３０％以上、好ましくは、４０％以上、例えば、１００％未満、好ましくは、７０％以下、さらに好ましくは、５０％以下である。これは、ＣＮＴアレイ２の熱抵抗（放熱特性）をしっかりと発揮するには、ＣＮＴ２５の平均長さに対して圧縮することが好ましいためである。
接着剤層５の厚みが、上記下限以上であれば、発熱体３と放熱体４とを安定して接着できる。接着剤層５の厚みが、上記上限以上であれば、ＣＮＴ構造体１の薄厚化を図ることができる。
２．カーボンナノチューブ構造体の製造方法
次に、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、ＣＮＴ構造体１の製造方法について説明する。
次に、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、ＣＮＴ構造体１の製造方法について説明する。
ＣＮＴ構造体１の製造方法は、ＣＮＴアレイ２を放熱体４に配置する工程（図３Ａ参照）と、接着剤層５を放熱体４に配置する工程（図３Ｂ参照）と、接着剤層５が発熱体３と放熱体４とを接着する工程（図３Ｃ参照）とを含む。
ＣＮＴアレイ２を放熱体４に配置する工程では、上記したＣＮＴアレイ２を、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の一方面が放熱体４に接触するように配置する。例えば、ＣＮＴアレイ２を、放熱体４の表面における中央部分に配置する。
次いで、接着剤層５を放熱体４に配置する工程では、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間Ｓを形成するように、接着剤層５を放熱体４上に配置する。なお、以下では、接着剤層５が硬化性接着剤を含有する態様について詳述する。接着剤層５を放熱体４に配置する工程において、硬化性接着剤は、硬化前の状態である。
このとき、接着剤層５の厚みは、ＣＮＴアレイ２の厚みよりも小さい。接着剤層５の厚みは、ＣＮＴアレイ２の厚みに対して、例えば、３０％以上、好ましくは、４０％以下、例えば、１００％未満、好ましくは、７０％以下、さらに好ましくは、５０％以下である。
接着剤層５の厚みが上記下限以上であると、発熱体３と放熱体４とを安定して接着できる。接着剤層５の厚みが上記上限以下であると、後述する接着剤層５が発熱体３と放熱体４とを接着する工程において、ＣＮＴアレイ２に圧力を安定して付与することができる。
次いで、接着剤層５が発熱体３と放熱体４とを接着する工程では、まず、ＣＮＴアレイ２の厚み方向の他方面に発熱体３を接触させる。そして、図示しない平板プレスなどにより、発熱体３が放熱体４に近づく方向に圧力をかけて、発熱体３と接着剤層５とを接触させるとともに、接着剤層５を硬化させる。
より詳しくは、接着剤層５が熱硬化性接着剤を含有する場合、発熱体３が放熱体４に近づく方向に圧力をかけながら、熱硬化性接着剤の硬化温度に加熱して、接着剤層５を硬化させる。この場合、例えば、平板プレスにヒータが内蔵される。
また、接着剤層５が光硬化性接着剤を含有する場合、発熱体３を放熱体４に向かって押圧するとともに、接着剤層５を特定の波長の光（例えば、紫外線など）によって硬化させる。この場合、例えば、透明の平板プレスを用いるか、２枚の平板プレスの間から光を照射する。
また、発熱体３は、発熱体３と接触する前のＣＮＴアレイ２の厚みに対して、ＣＮＴアレイ２の厚みが、例えば、２／３以下、好ましくは、１／２以下となるように、放熱体４に向かって押圧される。
これによって、発熱体３と放熱体４とが互いに近づく方向に所定の圧力で付与された状態で、接着剤層５が放熱体４と発熱体３とを接着する。以上によって、ＣＮＴ構造体１が製造される。
３．作用効果
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、ＣＮＴ構造体１では、接着剤層５が、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間Ｓを形成するとともに、放熱体４と発熱体３とを接着する。そのため、接着剤層５が、ＣＮＴアレイ２と放熱体４との界面、および、ＣＮＴアレイ２と発熱体３との界面に干渉することを抑制できながら、接着剤層５が放熱体４と発熱体３とを接着する。その結果、ＣＮＴアレイ２に含まれる複数のＣＮＴ２５が、放熱体４および／または発熱体３と安定して接触できる。これによって、優れた放熱性能を確保することができる。
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、ＣＮＴ構造体１では、接着剤層５が、ＣＮＴアレイ２を囲むことにより、ＣＮＴアレイ２が配置される空間Ｓを形成するとともに、放熱体４と発熱体３とを接着する。そのため、接着剤層５が、ＣＮＴアレイ２と放熱体４との界面、および、ＣＮＴアレイ２と発熱体３との界面に干渉することを抑制できながら、接着剤層５が放熱体４と発熱体３とを接着する。その結果、ＣＮＴアレイ２に含まれる複数のＣＮＴ２５が、放熱体４および／または発熱体３と安定して接触できる。これによって、優れた放熱性能を確保することができる。
また、接着剤層５は、好ましくは、硬化性接着剤を含む。そのため、接着剤層５を硬化させることができ、放熱体４と発熱体３とを強固に接着できる。
図３Ａに示すように、ＣＮＴ構造体１の製造方法では、ＣＮＴアレイ２をそのままＣＮＴ構造体１の製造に用いることができる。その結果、複数のＣＮＴ２５が放熱体４および／または発熱体３と安定して接触できるとともに、ＣＮＴ構造体１の製造効率の向上を図ることができる。
また、接着剤層５が、発熱体３と放熱体４とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、放熱体４と発熱体３とを接着する。そのため、別途部材（例えば、万力など）を設けることなく、複数のＣＮＴ２５を放熱体４および／または発熱体３の表面の凹凸に安定して追従させることができる。
また、接着剤層５が放熱体４と発熱体３とを接着した状態において、ＣＮＴアレイ２の厚みは、発熱体３と接触前のＣＮＴアレイ２の厚みに対して、好ましくは、２／３以下となる。そのため、複数のＣＮＴ２５を放熱体４および／または発熱体３の表面に押し当てることができる。その結果、複数のＣＮＴ２５を放熱体４および／または発熱体３の表面の凹凸により一層安定して追従させることができる。
また、接着剤層５が光硬化性接着剤を含む場合、接着剤層５を、特定の波長の光によって硬化できる。そのため、放熱体４と発熱体３とを円滑に接着することができながら、発熱体３に対する熱によりダメージを抑制できる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態としてのＣＮＴ構造体１０を、図４を参照して説明する。
次に、第２実施形態としてのＣＮＴ構造体１０を、図４を参照して説明する。
図４に示すように、ＣＮＴ構造体１０では、発熱体３におけるＣＮＴアレイ２の他方面に対向する表面が、段差３Ａを有している。このような第２実施形態においても、接着剤層５が、発熱体３と放熱体４とが互いに近づく方向に所定の圧力がかかるように、発熱体３と放熱体４とを接着しているので、複数のＣＮＴ２５が、発熱体３の段差３Ａに追従して、発熱体３の表面と安定して接触できる。
なお、図示しないが、放熱体４におけるＣＮＴアレイ２の一方面に対向する表面も、発熱体３と同様に段差を有していてもよい。この場合、複数のＣＮＴ２５が、放熱体４の段差に追従して、放熱体４の表面と安定して接触できる。このような第２実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態としてのＣＮＴ構造体１１を、図５を参照して説明する。
次に、第３実施形態としてのＣＮＴ構造体１１を、図５を参照して説明する。
図５に示すように、ＣＮＴ構造体１１では、放熱体４と、ＣＮＴアレイ２の厚み方向一方面の少なくとも一部とが接合している。ＣＮＴ構造体１１は、ＣＮＴアレイ２と放熱体４とを接着する第２接着剤層６を有する。
第２接着剤層６は、接着剤層５の空間Ｓ内において、放熱体４上に配置される。第２接着剤層６は、複数のＣＮＴ２５が放熱体４に接触した状態で、ＣＮＴアレイ２の少なくとも一部を放熱体４に接着する。第２接着剤層６は、上記した接着剤を含有する。第２接着剤層６が含有する接着剤は、特に制限されない。
第２接着剤層６の厚みは、接着剤層５の厚みよりも小さく、発熱体３および放熱体４と接触した状態のＣＮＴアレイ２の厚みよりも小さい。第２接着剤層６の厚みは、発熱体３および放熱体４と接触した状態のＣＮＴアレイ２の厚みに対して、例えば、２０％以下、好ましくは、１０％以下である。
第２接着剤層６の厚みが上記上限以下であると、第２接着剤層６から突出（露出）するＣＮＴ２５の長さを十分に確保でき、ＣＮＴ２５の発熱体３に対する追従性を確保することができる。
第３実施形態では、ＣＮＴアレイ２を放熱体４に配置する工程において、まず、第２接着剤層６が放熱体４上に配置される。そして、ＣＮＴアレイ２に含まれる複数のＣＮＴ２５の端部が、放熱体４と接触するように第２接着剤層６に埋め込まれる。これによって、ＣＮＴアレイ２が放熱体４に接着される。
そのため、接着剤層５を放熱体４に配置する工程において、ＣＮＴアレイ２が放熱体４に対してずれることを抑制でき、接着剤層５を、ＣＮＴアレイ２を囲むように、放熱体４に円滑に配置できる。
また、第３実施形態によっても、上記した第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。これら第１実施形態〜第３実施形態は、適宜組み合わせることができる。
１ ＣＮＴ構造体
２ ＣＮＴアレイ
２５ ＣＮＴ
３ 発熱体
４ 放熱体
５ 接着剤層
２ ＣＮＴアレイ
２５ ＣＮＴ
３ 発熱体
４ 放熱体
５ 接着剤層
Claims (6)
- 複数のカーボンナノチューブが所定方向に配向されるカーボンナノチューブアレイと、
前記カーボンナノチューブアレイに対して前記所定方向の一方から接触する第１部材と、
前記カーボンナノチューブアレイに対して前記所定方向の他方から接触する第２部材と、
前記第１部材と前記第２部材とを接着する接着剤層とを、備え、
前記接着剤層は、前記カーボンナノチューブアレイを囲むことにより、前記カーボンナノチューブアレイが配置される空間を形成することを特徴とする、カーボンナノチューブ構造体。 - 前記接着剤層は、硬化性接着剤を含むことを特徴とする、請求項１に記載のカーボンナノチューブ構造体。
- 複数のカーボンナノチューブが所定方向に配向されるカーボンナノチューブアレイを、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの一方面が第１部材に接触するように配置する工程と、
前記カーボンナノチューブアレイを囲むことにより、前記カーボンナノチューブアレイが配置される空間を形成するとともに、接着剤層を前記第１部材に配置する工程と、
前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの他方面に第２部材を接触させ、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする、カーボンナノチューブ構造体の製造方法。 - 前記第１部材と、前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの一方面の一部とは、接合していることを特徴とする、請求項３に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
- 前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程において、
前記第２部材と接触する前の前記カーボンナノチューブアレイの厚みに対して、前記カーボンナノチューブアレイの厚みが２／３以下となるように、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、前記第１部材と前記第２部材とを接着することを特徴とする、請求項３または４に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法。 - 前記接着剤層は、光硬化性接着剤を含み、
前記接着剤層が前記第１部材と前記第２部材とを接着する工程において、
前記所定方向における前記カーボンナノチューブアレイの他方面に第２部材を接触させ、前記第１部材と前記第２部材とが互いに近づく方向に所定の圧力が付与された状態で、特定の波長の光によって前記接着剤層を硬化させて、前記第１部材と前記第２部材とを接着することを特徴とする、請求項３〜５のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ構造体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019153660A JP2021034581A (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
| PCT/JP2020/030606 WO2021039383A1 (ja) | 2019-08-26 | 2020-08-11 | カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019153660A JP2021034581A (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021034581A true JP2021034581A (ja) | 2021-03-01 |
Family
ID=74677594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019153660A Pending JP2021034581A (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021034581A (ja) |
| WO (1) | WO2021039383A1 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305977A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US20080001284A1 (en) * | 2006-05-26 | 2008-01-03 | The Hong Kong University Of Science And Technolgoy | Heat Dissipation Structure With Aligned Carbon Nanotube Arrays and Methods for Manufacturing And Use |
| JP2011222746A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujitsu Ltd | 電子機器の製造方法 |
| JP2012151172A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2017115832A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ複合材およびカーボンナノチューブ複合材の製造方法 |
| JP2018111814A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 積水化学工業株式会社 | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シート及び積層体 |
| JP2019021657A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | 富士通株式会社 | 電子装置、及び電子装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-08-26 JP JP2019153660A patent/JP2021034581A/ja active Pending
-
2020
- 2020-08-11 WO PCT/JP2020/030606 patent/WO2021039383A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305977A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US20080001284A1 (en) * | 2006-05-26 | 2008-01-03 | The Hong Kong University Of Science And Technolgoy | Heat Dissipation Structure With Aligned Carbon Nanotube Arrays and Methods for Manufacturing And Use |
| JP2011222746A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Fujitsu Ltd | 電子機器の製造方法 |
| JP2012151172A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2017115832A1 (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ複合材およびカーボンナノチューブ複合材の製造方法 |
| JP2018111814A (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 積水化学工業株式会社 | 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シート及び積層体 |
| JP2019021657A (ja) * | 2017-07-11 | 2019-02-07 | 富士通株式会社 | 電子装置、及び電子装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021039383A1 (ja) | 2021-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108473312B (zh) | 碳纳米管复合材料以及碳纳米管复合材料的制造方法 | |
| US8809208B2 (en) | Nano-tube thermal interface structure | |
| US8080871B2 (en) | Carbon nanotube-based structures and methods for removing heat from solid-state devices | |
| TWI725130B (zh) | 奈米碳管結構體的起毛方法、奈米碳管結構體的製造方法及奈米碳管結構體 | |
| TWI725099B (zh) | 奈米碳管接合片的製造方法 | |
| JP6127417B2 (ja) | 放熱材料の製造方法 | |
| JP6353262B2 (ja) | 多層グラフェンの製造方法 | |
| JP2018067581A (ja) | カーボンナノチューブ構造、放熱シート及びカーボンナノチューブ構造の製造方法 | |
| JP6917725B2 (ja) | カーボンナノチューブ複合材の製造方法、カーボンナノチューブ複合材および異方性カーボンナノチューブ複合材 | |
| WO2021039383A1 (ja) | カーボンナノチューブ構造体およびカーボンナノチューブ構造体の製造方法 | |
| US8298841B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode package | |
| KR102095815B1 (ko) | 열 확산 시트 | |
| JP6459407B2 (ja) | シート状部材、その製造方法、基板ユニット及び電子機器 | |
| JP2023174240A (ja) | 基板 | |
| CN117124658A (zh) | 导热构件 | |
| TW200808647A (en) | Carbon nanotube composition and method for making same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221101 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230110 |