JP2021033283A - 傾斜サポートリブ付きワイヤグリッド偏光子 - Google Patents

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Abstract

【課題】ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）の性能を改善する。ＷＧＰを製造するための低コストの方法を発見する。
【解決手段】ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）は、基板上にサポートリブ９２のアレイを含むことができる。サポートリブ９２の側面は、一側に傾斜されることができる。ワイヤ１３２は、各サポートリブ９２の上側面及び遠位端上に設けられることができ、各ワイヤは、隣接するサポートリブ９２のワイヤ１３２から分離されている。ＷＧＰは、エッチングを減らす又はなしで作成されることができる。
【選択図】図１３

Description

本願は、概して、ワイヤグリッド偏光子に関連する。
ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）は、光を２つの異なる偏光状態へと分割することができる。一方の偏光状態は、主にＷＧＰを透過することができ、他方の偏光状態は、主に吸収又は反射されることができる。ＷＧＰの有効性又は性能は、主として透過される偏波（場合によりＴｐと呼ばれる）の高い透過率及び反対の偏光（場合によりＴｓと呼ばれる）の最小の透過率に基づく。高いコントラスト（Ｔｐ／Ｔｓ）を有することは有益であることができる。コントラストは、主として透過される偏波の透過率を増大すること（例えばＴｐを増大すること）及び反対の偏光の透過率を低下すること（例えばＴｓを低下すること）により向上されることができる。ＷＧＰの性能を改善することは有利であろう。
特に可視又は紫外光の偏光に対する高性能ＷＧＰのリブ及び他の光学デバイスのリブは、ナノメートルサイズのピッチ、ワイヤ幅、及びワイヤ高さで小さく且つ精巧であることができる。そのようなＷＧＰ及び他の光学デバイスを製造するのはコストがかかり得る。光学デバイスの低コストの製造方法を発見することは有利であろう。
パターニング及びエッチングは、ＷＧＰのワイヤを形成することができる。ワイヤグリッド偏光子のいくつかの望ましい材料が、エッチングするのに困難又は非実用的であることができる。ワイヤを形成するためのエッチングのニーズを低減又は排除することは有益であろう。
ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）の性能を改善すること、ＷＧＰを製造するための低コストの方法を発見すること、そのようなＷＧＰをエッチングするニーズを低減又は排除することが有利であろうことは認識されている。本発明は、これらのニーズを満たすＷＧＰの様々な実施形態及びＷＧＰの作成方法に関する。各実施形態は、これらのニーズのうちの１つ、いくつか、又はすべてを満たしてよい。
ＷＧＰは、基板上にサポートリブのアレイを含むことができる。サポートリブの側面は、一側に傾斜されることができる。各サポートリブの上側面及び遠位端にワイヤがあることができ、各ワイヤは、隣接するサポートリブのワイヤから分離されている。
（図面はスケールどおりに描かれていない場合がある。）
本発明の一実施形態に従う、基板１１上に未硬化層１２を設けることを含む、ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）の作成方法におけるステップ１０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化層１２内にサポートリブ２２をインプリントすることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ１０に続くことができる、ステップ２０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化層１２を硬化して硬化層３２を形成することを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ２０に続くことができる、ステップ３０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、モールド又はスタンプ１３を除去すること、隣接するサポートリブ２２の間にチャネル４１を有する硬化層３２内にサポートリブ２２を残すことを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ３０に続くことができる、ステップ４０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、各サポートリブ２２上にキャップ５２を堆積すること、各キャップ５２はサポートリブ２２の側面Ｓの下に延びることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ４０に続くことができる、ステップ５０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、各サポートリブ２２上にワイヤ６２を堆積すること、各ワイヤ６２はサポートリブ２２の側面Ｓの下に延びることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ４０に続くことができる、ステップ６０ａを示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、各キャップ５２上にワイヤ６２を堆積すること、各ワイヤ６２はキャップ５２の側面Ｓの下に延びることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ５０に続くことができる、ステップ６０ｂを示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、各ワイヤ６２上に下部リブ７２を堆積すること、各下部リブ７２はワイヤ６２の側面Ｓの下に延びることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ６０ａ又は６０ｂに続くことができる、ステップ７０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、各下部リブ７２上に上部リブ８２を堆積すること、各上部リブ８２は下部リブ７２の側面Ｓの下に延びることを含む、ＷＧＰの作成方法における、ステップ７０に続くことができる、ステップ８０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、基板１１の表面１１ｆ上の平行で細長いサポートリブ９２のアレイ及び一側に傾斜されたサポートリブ９２の側面９２ｉ及び９２ｕを含む光学デバイス９０の概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、図９の光学デバイス９０の概略斜視図である。
本発明の一実施形態に従う、光学デバイス１１０に対して近位端９２ｐの外角Ａｐｉ及びＡｐｕがそれぞれ遠位端９２ｄの内角Ａｄｉ及びＡｄｕと値が類似していることを除いて、光学デバイス９０と類似の光学デバイス１１０の概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、本明細書に記載される他の光学デバイスと類似の光学デバイス１２０の概略側断面図であり、特に側面９２ｉ及び９２ｕが湾曲する場合、基板１１の表面１１ｆが粗い又は湾曲する場合、遠位端９２ｄが湾曲する場合、又はそれらの組み合わせにおいて、どれだけの角度Ａｐｉ、Ａｐｕ、Ａｄｉ及びＡｄｕが画定又は解釈されるかについてのガイダンスを提供する。
本発明の一実施形態に従う、例えば光学デバイス９０及び１１０と類似のワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）のような光学デバイス１３０であるが、光学デバイス１３０はさらに各サポートリブ９２の上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄ上にワイヤ１３２を備えるものの概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、光学デバイス１３０と類似の光学デバイス１４０であるが、光学デバイス１４０は、サポートリブ９２の内側面９２ｉ上に最大厚さＴｈ１３２ｉのいくつかのワイヤ１３２及びチャネル９３内の基板１１の表面１１ｆ上に最大厚さＴｈ１３２ｓのいくつかワイヤ１３２をさらに備えるものの概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、光学デバイス１３０及び１４０と類似の光学デバイス１５０であるが、光学デバイス１５０は、各サポートリブ９２の上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄ上で、ワイヤ１３２及びサポートリブ９２の間に挟まれたキャップ１５２をさらに備えるものの概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、光学デバイス１５０と類似の光学デバイス１６０であるが、光学デバイス１６０は、サポートリブ９２の内側面９２ｉの少なくとも一部上にいくつかのキャップ１５２をさらに備えるものの概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、基板１１の表面１１ｆ上に未硬化層１７２を設けることを含む、光学デバイスの作成方法におけるステップ１７０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化のサポートリブ１８２のパターンを、一側に傾斜した未硬化のサポートリブ９２の側面１８２ｉ及び１８２ｕを有する未硬化層１７２内にインプリントすることを含む、ステップ１７０に続くことができる、光学デバイスの作成方法におけるステップ１８０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化層１７２を硬化して固体の硬化したサポートリブ９２を形成することを含む、ステップ１８０に続くことができる、光学デバイスの作成方法におけるステップ１９０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、基板１１の表面１１ｆに対する斜角Ａ１７１にてスタンプ１７１を除去することを含む、ステップ１９０に続くことができる、光学デバイスの作成方法におけるステップ２００を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化のサポートリブ１８２のパターンを、一側に傾斜した未硬化のサポートリブ９２の側面１８２ｉ及び１８２ｕを有する未硬化層１７２内にインプリントすることを含む、ステップ１７０に続くことができる（しかし、図１７に例示されるものとは異なる形状のスタンプリブ１７１ｒを有する）、光学デバイスの作成方法におけるステップ２１０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、未硬化層１７２を硬化して固体の硬化したサポートリブ９２を形成することを含む、ステップ２１０に続くことができる、光学デバイスの作成方法におけるステップ２２０を示す概略側断面図である。
本発明の一実施形態に従う、硬化したサポートリブ９２上にコンフォーマル層２３１を設けることを含む、ステップ１９０、２００、又は２２０のいずれかに続くことができる、光学デバイスの作成方法におけるステップ２３０を示す概略側断面図である。
定義。複数の同一を含む次の定義は、本特許出願全体に適用する。
本明細書で使用される場合、用語「コンフォーマル層（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｌａｙｅｒ）」は、機能トポロジの輪郭に一致する薄膜を意味する。例えば、全コンフォーマル層に亘る厚さは、１ｎｍ以上の最小値及び２０ｎｍ以下の最大値を有することができる。別の例のように、コンフォーマル層の厚さの１ｎｍ以上の最小値により分割される最大値は、２０以下、１０以下、５以下、又は３以下であることができる。別の例のように、各ワイヤの遠位端におけるコンフォーマル層は、隣接するワイヤの遠位端にてコンフォーマル層から分離されることができ、遠位端は、基板から最も遠いワイヤの端である。
本明細書で使用される場合、用語「細長い（ｅｌｏｎｇａｔｅｄ）」は、長さ（表面へのリブの長さ）が、幅又は厚さより実質的に大きいことを意味する（例えば、長さは、幅、厚さ、又はそれらの両方の１０倍以上、１００倍以上、１０００倍以上、又は１０，０００倍以上、より大きくすることができる）。
本明細書で使用される場合、用語「ｎｍ」はナノメートル（複数可）を意味する。
本明細書で使用される場合、用語「垂直角堆積（ｎｏｒｍａｌ ａｎｇｌｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）」は、材料が堆積される表面の面１３３に対して９０度±１０度の角度での堆積を意味する。図１３を参照せよ。
本明細書で使用される場合、用語「上（ｏｎ）」は、いくつかの他の固体材料を間に挟んで直接上に配置される又は上方に配置されることを意味する。
本明細書で使用される場合、用語「平行（ｐａｒａｌｌｅｌ）」は、厳密な平行、標準的な製造公差内の平行、又はほぼ平行を意味し、それにより、厳密な平行からのずれは、デバイスの通常の使用に対して無視可能な効果しか及ぼさないであろう。
本明細書で使用される場合、ＷＧＰの異なる部分の間の同一の材料組成は、厳密に同一、標準的な製造公差内で同一、又はほぼ同一を意味し、それにより、厳密に同一からのずれは、デバイスの通常の使用に対して無視可能な効果しか及ぼさないであろう。
本明細書で別段、明示的に留意されない限り、全温度依存値は２５℃でのそのような値である。
光学構造に使用される材料は、ある程度の光を吸収し、ある程度の光を反射し、またある程度の光を透過することができる。次の定義は、主に吸収性、主に反射性、又は主に透過性である材料間を区別する。各材料は、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについて、使用目的の波長範囲で吸収性、反射性、又は透過性であると考えることができ、異なる波長範囲で異なる特性を有することができる。材料は、反射率Ｒ、屈折率ｎの実部、屈折率の虚部／吸光係数ｋに基づいて、吸収性、反射性、及び透過性へと分類される。式１は、垂直入射での空気と材料の一様なスラブとの間のインタフェースの反射率Ｒを決定するのに使用される。
本明細書で別段の明示的な特定がない限り、波長範囲内でｋ≦０．１を有する材料は「透過性（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）」な材料であり、特定の波長範囲でｋ＞０．１及びＲ≦０．６を有する材料は「吸収性（ａｂｓｏｒｐｔｉｖｅ）」材料であり、特定の波長範囲でｋ＞０．１及びＲ＞０．６の材料は、「反射性（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）」材料である。特許請求の範囲において明示的に記載されている場合、特定の波長範囲でｋ＞０．１及びＲ≧０．７、Ｒ≧０．８、又はＲ≧０．９を有する材料は、「反射性（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ）」材料である。
本明細書で使用される場合、紫外線スペクトルは１０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ未満を意味し、可視スペクトルは４００ｎｍ以上且つ７００ｎｍ未満を意味し、赤外線スペクトルは７００ｎｍ以上且つ１ｍｍ以下を意味する。
５つ又は６つのサポートリブ２２又は９２が図面に例示され且つ本明細書に記載されるが、特に光学デバイスが導波管である場合に、６より多くのサポートリブ２２又は９２があることができ、又は例えば２又は３のような５よりより少ないサポートリブ２２又は９２があることができる。
第１の方法、図１〜図８。
図１〜図８に例示されるワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）の第１の作成方法は、次の順序又は特定される場合は他の順序で実行されることができる、次のステップのいくつか又はすべてを備えることができる。以下に記載されていない、追加のステップもあり得る。これらの追加のステップは、記載されているステップの、前、間、又は後であり得る。ＷＧＰは、エッチングを用いないで形成されることができる。
第１の方法は、基板１１上に未硬化層１２を設けるステップ１０（図１）、スタンプ１３を用いて未硬化層１２内にサポートリブ２２をインプリントするステップ２０（図２）、未硬化層１２を硬化して硬化層３２を形成するステップ３０（図３）、スタンプ１３を除去して、隣接するサポートリブ２２の間にチャネル４１を用いて硬化層３２内にサポートリブ２２を残すステップ４０（図４）を備えることができる。各サポートリブ２２は、サポートリブ２２の材料により隣接するサポートリブ２２に結合されることができる。
一実施形態では、未硬化層１２は、連続相全体に亘って分散された固体無機ナノ粒子を有する液体であることができ、硬化層３２は、無機ナノ粒子の固体相互接続ネットワークを含むことができる。別の実施形態では、未硬化層１２は、分散相及び連続相を含むコロイド懸濁液であることができ、未硬化層１２を硬化することは、連続相を除去して硬化層３２を画定する固体を形成することを含むことができる。
別の実施形態では、未硬化層１２は、溶媒内に分子を含む溶液であることができる。溶媒は、水及び有機液体を含むことができる。分子は、反応基と結合する金属原子を含むことができる。各反応基は、−Ｃｌ，−ＯＲ１，−ＯＣＯＲ１，又は−Ｎ（Ｒ１）２であることができる。各Ｒ１は、例えば−ＣＨ３，−ＣＨ２ＣＨ３，又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３のようなアルキル基であることができる。未硬化層１２を硬化することは、分子を反応させて、硬化層３２を画定する互いに連結された金属原子の固体を形成することを含むことができる。
第１の方法は、さらに、サポートリブ２２のそれぞれの遠位端Ｄ上に上部リブ５３、又は上部リブ５３のスタックを堆積することを備えることができる（図５〜図８内のステップ５０、６０ａ又は６０ｂ、７０、８０又はそれらの組み合わせを参照）。ステップ１０、２０、３０、及び４０に続く、これらのステップの例示的な組み合わせは、ステップ５０、ステップ５０次いで６０ｂ、ステップ５０、６０ｂ次いで７０、ステップ５０、６０ｂ、７０次いで８０、ステップ６０ａ、ステップ６０ａ次いで７０、ステップ６０ａ、７０次いで８０を含む。
ステップ５０は、基板１１から最も遠い各サポートリブ２２の遠位端Ｄにて、各サポートリブ２２上にキャップ５２を堆積することを含むことができる。キャップ５２は、スパッタリング堆積されることができる。キャップ５２は、（例えば、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについて）透過性であることができる。
キャップ５２は、チャネル４１の一部又はすべてをブロックするために遠位端Ｄにて又はその近位にてサポートリブ２２より幅広くすることができ、従って、後から堆積された上部リブ５３がチャネル４１内に堆積されるのを最小化又は防止することができる。例えば、１．１≦ＷＣ／ＷＳＲ、１．２≦ＷＣ／ＷＳＲ、１．４≦ＷＣ／ＷＳＲ、１．６≦ＷＣ／ＷＳＲ、１．８≦ＷＣ／ＷＳＲ、又は１．９≦ＷＣ／ＷＳＲ及びＷＣ／ＷＳＲ≦２．１、ＷＣ／ＷＳＲ≦２．４、ＷＣ／ＷＳＲ≦２．８、ＷＣ／ＷＳＲ≦３．５、ＷＣ／ＷＳＲ≦４、又はＷＣ／ＷＳＲ≦６であり、ＷＣは、サポートリブ２２の遠位端Ｄで測定されるキャップ５２の幅であり、ＷＳＲは、サポートリブ２２の遠位端Ｄから基板１１に最も近いサポートリブ２２の近位端Ｐに向かう距離の２０％にて測定されるサポートリブ２２の幅である。
ステップ６０ａは、ステップ４０に続くことができ、基板１１から最も遠い各サポートリブ２２の遠位端Ｄにて、各サポートリブ２２上にワイヤ６２を堆積することを含むことができる。ステップ６０ｂは、ステップ５０に続くことができ、各キャップ５２上にワイヤ６２を堆積することを含むことができる。ワイヤ６２の例示的な堆積法は、スパッタ堆積又は蒸発堆積を含む。ワイヤ６２は、（例えば、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについて）反射性であることができる。ステップ６０ａ及び６０ｂは、次のステップ７０及び８０の前又は後に実行されることができる。
ステップ７０は、ステップ６０ａ又はステップ６０ｂに続くことができ、各ワイヤ６２上に下部リブ７２を堆積することを含むことができる。下部リブ７２は、屈折率の実部ｎＬ≦１．６、ｎＬ≦１．５、ｎＬ≦１．４、ｎＬ≦１．３、又はｎＬ≦１．２及び吸光係数ｋＬ≦０．１、ｋＬ≦０．０１、又はｋＬ≦０．００１を有することができる。ステップ８０は、ステップ７０に続くことができ、各下部リブ７２上に上部リブ８２を堆積することを含むことができる。上部リブ８２は、屈折率の実部ｎＴ≧１．６、ｎＴ≧１．７、ｎＴ≧１．９、ｎＴ≧２．１、又はｎＴ≧２．３及び吸光係数ｋＴ≦０．１、ｋＴ≦０．０１、又はｋＴ≦０．００１を有することができる。この段落の屈折率及び吸光係数は、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについてそのような値であることができる。
上部リブ５３のスタックを堆積することは、上部リブ５３を堆積することを含むことができ、それにより、上部リブ５３の１つ、いくつか、又はすべては隣接するサポートリブ２２上の関連する上部リブ５３から分離される。チャネル４１の下端４１ｂは、上部リブ５３の材料を含まないことができる。チャネル４１の下端４１ｂは、キャップ５２、ワイヤ６２、下部リブ７２、上部リブ８２、又はそれらの組み合わせの材料を含まないことができる。キャップ５２を堆積することは、各キャップ５２を堆積することを含むことができ、それにより、隣接するサポートリブ２２上のキャップ５２から分離される。ワイヤ６２を堆積することは、各ワイヤ６２を堆積することを含むことができ、それにより、隣接するサポートリブ２２上のワイヤ６２から分離される。下部リブ７２を堆積することは、各下部リブ７２を堆積することを含むことができ、それにより、隣接するサポートリブ２２上の下部リブ７２から分離される。上部リブ８２を堆積することは、各上部リブ８２を堆積することを含むことができ、それにより、隣接するサポートリブ２２上の上部リブ８２から分離される。隣接するサポートリブ２２上の関連する上部リブ５３からの分離を伴う上部リブ５３のいずれかの堆積は、以下の章「第１及び第２の方法、ワイヤ分離」に記載されるように実現されることができる。
サポートリブ２２、上部リブ５３、キャップ５２、ワイヤ６２、下部リブ７２、上部リブ８２、又はそれらの組み合わせは、基板１１から最も遠い遠位端Ｄにて湾曲した断面形状を有することができる。この湾曲した断面形状は、放物線又は半楕円の断面形状であることができる。湾曲した断面形状は、主として透過される偏波の透過率を増大することによるように、ＷＧＰ性能を改善することができる。
キャップ５２はサポートリブ２２の側面Ｓの下に延在することができ、ワイヤ６２はキャップ５２の側面Ｓの下に延在することができ、下部リブ７２はワイヤ６２の側面Ｓの下に延在することができ、上部リブ８２は下部リブ７２の側面Ｓの下に延在することができ、又はそれらの組み合わせが可能である。スタック内の低く隣接するリブの側面の下に延在する上部リブ５３と組み合わされた湾曲した断面形状は、この形状はより薄い層に同一の偏光効果を実現することを可能にできるから、製造スループットを改善することができる。
サポートリブ２２は、改善された光学性能のために、特に低波長で、例えばｎ２２≦１．４、ｎ２２≦１．３、ｎ２２≦１．２、又はｎ２２≦１．１のように低い屈折率（ｎ２２）を有することができる。さらに、サポートリブ２２の屈折率（ｎ２２）は、基板１１の屈折率（ｎ１１）より低くなることができ、キャップ５２の屈折率（ｎ５２）より低くなることができ、又はそれらの両方が可能である。
この低い屈折率を実現する１つの方法は、硬化層３２内に小さいボイド又はキャビティを含めることである。空気が充填されたこれらの小さいボイドは、硬化層３２の全体的な屈折率を下げる。例えば、硬化層３２は、約１．４−１．５の屈折率を有する二酸化シリコンを含むことができるが、ボイドを用いると、全体的な屈折率は１．４未満になることができる。これらのボイドは、大きな分子を有する未硬化層１２内で溶媒を使用することにより形成されることができる。例えば、未硬化層１２内の溶媒の化学物質は、７０ｇ／ｍｏｌ以上、８０ｇ／ｍｏｌ以上、９０ｇ／ｍｏｌ以上、１００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１１０ｇ／ｍｏｌ以上の分子量（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ）を有することができる。別の例のように、この溶媒内の化学物質は、各分子内に、例えば１５以上の原子、２０以上の原子、又は２５以上の原子のように多数の原子を有することができる。この溶媒内の化学物質は、十分に揮発性であり得るように、過度に高い分子量を有さないことは有用であり得る。従って、この溶媒内の全ての化学物質は、１２５ｇ／ｍｏｌ以下、１５０ｇ／ｍｏｌ以下、１７５ｇ／ｍｏｌ以下、２００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することができる。この溶媒内の全ての分子は、３０以下の原子、５０以下の原子、又は７５以下の原子を含むこともできる。さらに、この溶媒は、アリール分子、そうでなければ二重結合を有する分子のような大きな空間を占める構造を有することができる。例えば、未硬化層１２は、ベンゼン又はキシレンを含むことができる。従って、サポートリブ２２は、有機部分を含むことができる。例えば、サポートリブ２２内の原子の０．１％以上、１％以上、又は１０％以上及び１５％以下、２５％以下、又は５０％以下は、有機部分の一部であることができる。
サポートリブ２２及びキャップ５２は、同一又は類似の材料組成を有することができる。例えば、サポートリブ２２の材料組成の６０％以上、７５％以上、８５％以上、又は９０％以上及び９２％以下、９５％以下、又は９９％以下は、キャップ５２の材料組成と同一であることができる。サポートリブ２２の無機部分は、キャップ５２の無機部分と同一であることができる。従って、サポートリブ２２及びキャップ５２の間の材料組成の差は、サポートリブ２２内に加えられた有機部分であることができる。
第１の光学デバイス、図５〜図８。
ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）は、上記の第１の方法により形成されることができ、その結果として、幅広い様々な材料（エッチングが困難なこれらでさえ）を含むことができ、従って、場合によっては性能、耐久性、又はそれらの両方を向上することができる。エッチングの回避又は削減に起因して、ＷＧＰは、低コストで作成されることもできる。ＷＧＰ及びＷＧＰの成分は、上述のような特性を有することができる。
図５〜図８に例示されるように、ＷＧＰは、基板１１上にサポートリブ２２のアレイ、及びサポートリブ２２のそれぞれの遠位端Ｄ上に上部リブ５３又は上部リブ５３のスタックを含むことができる。サポートリブ２２及び上部リブ５３のスタックは、図面の表面へと延びる長さで、平行で細長くされることができる。代わりに、サポートリブ２２及び上部リブ５３のスタックは、例えば、メタマテリアル偏光子のように、様々な方向に延在することができる。
上部リブ５３又は上部リブ５３のスタックは、１つの上部リブ５３（図５及び図６ａ）、２つの上部リブ５３（図６ｂ）、３つの上部リブ５３（図７）、４つの上部リブ５３（図８）、又は４より多い上部リブ５３を含むことができる。一実施形態では、上部リブ５３のスタックは、サポートリブ２２から外向きに移動する次の順で、すなわちキャップ５２、ワイヤ６２、下部リブ７２、そして上部リブ８２の順で、次の上部リブ５３を含むことができる。別の実施形態では、上部リブ５３のスタックは、サポートリブ２２から外向きに移動する次の順で、すなわちワイヤ６２、下部リブ７２、そして上部リブ８２の順で、次の上部リブ５３を含むことができる。別の実施形態では、上部リブ５３は、ワイヤ６２を含むことができる。
傾斜サポートリブ付き第２の光学デバイス９２。
図９〜図１６及び図２３に例示されるように、隣接するサポートリブ９２の間にチャネル９３を有する基板１１の表面１１ｆ上に平行で細長いサポートリブ９２のアレイを備える光学デバイス９０、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、及び２３０が示される。各サポートリブ９２は、基板１１に最も近い近位端９２ｐ及び近位端９２ｐの反対の遠位端９２ｄを有する断面プロファイルを有することができる。遠位端９２ｄは、基板１１から最も遠くされることができる。各サポートリブ９２は、チャネル９３に面して近位端９２ｐから遠位端９２ｄに延びる側面９２ｉ及び９２ｕを有することもできる。チャネル９３は、チャネル９３の長さに沿って延びるエア充填領域を含むことができ、チャネル９３の長さはチャネルの最長の寸法である。
図１３〜図１６に例示されるように、光学デバイス１３０、１４０、１５０及び１６０は、それぞれ、各サポートリブ９２の上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄ上にワイヤ１３２を有するワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）であることができる。ワイヤ１３２は、平行且つ細長くされることができる。偏光を容易にするために、各ワイヤ１３２は、隣接するサポートリブ９２上のワイヤ１３２から分離されることができる。サポートリブ９２及び加えられるキャップ１５２の形状の次の説明は、垂直入射からのワイヤ１３２の堆積であってでさえも、別個のサポートリブ９２上のワイヤ１３２の分離を保証又は向上するのに有用であることができる（図１３を参照）。
サポートリブ９２の側面は、基板１１に向かって傾斜してそれに面する内側面９２ｉと、内側面９２ｉの反対で基板１１に面しない又は基板１１から離れて面する上側面９２ｕを含むことができる。サポートリブ９２のこのもたれ又は傾斜は、隣接するサポートリブ９２上でワイヤ１３２から分離する各ワイヤ１３２を有する、上側面９２ｕ上、遠位端９２ｄ上、又はそれらの両方へのワイヤ１３２の堆積（特に、垂直角堆積により）を容易にすることができる。一実施形態では、全てのサポートリブ９２は、単一方向にもたれることができる。
サポートリブ９２のもたれ又は傾斜は、角度Ａ９２、Ａｐｉ、及びＡｐｕにより定量化されることができる。角度Ａ９２は、面９５（図９〜図１２）及び基板１１の表面１１ｆの間の最小角度である。面９５は、各サポートリブ９２の長さＬ（図１０）に沿って、サポートリブ９２の中央を通って近位端９２ｐから遠位端９２ｄに延在する。Ａ９２の例示的値は、５ｏ≦Ａ９２、１５ｏ≦Ａ９２、２５ｏ≦Ａ９２、４０ｏ≦Ａ９２、又は６０ｏ≦Ａ９２及びＡ９２≦４５ｏ、Ａ９２≦６０ｏ、Ａ９２≦７５ｏ、又はＡ９２≦８５ｏを含む。Ａｐｉは、内側面９２ｉ及び基板１１の表面１１ｆの間の外角である。Ａｐｉの例示的値は、５ｏ≦Ａｐｉ、１５ｏ≦Ａｐｉ、２５ｏ≦Ａｐｉ、３５ｏ≦Ａｐｉ、４５ｏ≦Ａｐｉ、５５ｏ≦Ａｐｉ、又は６５ｏ≦Ａｐｉ及びＡｐｉ≦４５ｏ、Ａｐｉ≦５５ｏ、Ａｐｉ≦６５ｏ、Ａｐｉ≦７５ｏ、又はＡｐｉ≦８５ｏを含むことができる。Ａｐｕは、上側面９２ｕ及び基板１１の表面１１ｆの間の外角である。Ａｐｕの例示的値は、９５ｏ≦Ａｐｕ、１０５ｏ≦Ａｐｕ、１１５ｏ≦Ａｐｕ、１３０ｏ≦Ａｐｕ、又は１５０ｏ≦Ａｐｕ及びＡｐｕ≦１３５ｏ、Ａｐｕ≦１５０ｏ、Ａｐｕ≦１６５ｏ、又はＡｐｕ≦１７５ｏを含む。Ａｐｉ−Ａｐｕは、次のように関連されることができる。｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦２ｏ、｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦５ｏ、｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦１０ｏ、｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦２０ｏ、又は｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦３０ｏ。
光学デバイスがワイヤ１３２を有するワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）である場合、次いで、角度Ａ９２、Ａｐｉ、及びＡｐｕは、サポートリブ９２の間のサイズ及び間隔に沿って、各ワイヤ１３２を隣接するサポートリブ９２上のワイヤ１３２から分離させて保持するよう選択されることができる。次式では、Ｌｃ（図９）は、チャネル内の１つのサポートリブ９２から隣接するサポートリブ９２までの、基板１１の表面１１ｆに平行な直線距離であり、Ｌｉ（図９）は近位端９２ｐから遠位端９２ｄまでの内側面９２ｉの直線距離である。概して、Ｌｃは、求められるＷＧＰ性能（例えば、Ｔｐ及びＴｓのバランス）に基づいて選択され、Ｌｉは、求められるサポートリブ９２の構造的強度に基づいて選択される。次いで、角度Ａ９２は、次式Ａ９２＝ｃｏｓ−１（Ｌｃ／Ｌｉ）から算出されることができる。Ａ９２のこの値は、チャネル１１内の基板１１の表面１１ｆがワイヤ１３２の垂直角堆積するのをブロッキングするサポートリブ９２をもたらすことができる。上述の厳密なＡ９２値を実現する必要はない又は望まれないことがある。そのような角度からのずれは、式Ａ９２＝ｃｏｓ−１（Ｘ×Ｌｃ／Ｌｉ）により定量化されることができる。異なる状況に対する「Ｘ」の値は、次の２つの段落に記載される。
チャネル１１の部分的ブロッキングは、チャネル９３内のワイヤ１３２のいくつかの堆積が特定のＷＧＰ設計において容認される場合、又は堆積が上側面９２ｕに面する堆積ターゲットを用いて斜角にて実行される場合、許容可能であってよい。式Ａ９２＝ｃｏｓ−１（Ｘ×Ｌｃ／Ｌｉ）において使用する場合にＸの例示的範囲は、Ｘ≦０．９５、Ｘ≦０．９、Ｘ≦０．８、Ｘ≦０．７、Ｘ≦０．６、Ｘ≦０．５、Ｘ≦０．４、又はＸ≦０．２を含む。
いくつか設計に対して、特に主として透過される偏波の高い透過率に対して（例えば、高Ｔｐ）、ワイヤ１３２を有する上側面９２ｕ、遠位端９２ｄ、又はそれらの両方の部分的カバレッジは、有用であることができる。これは、Ｘを増大してＡ９２を減少させることにより実現されることができ。式Ａ９２＝ｃｏｓ−１（Ｘ×Ｌｃ／Ｌｉ）において使用する場合にＸの例示的範囲は、Ｘ≧１．０３、Ｘ≧１．０５、Ｘ≧１．１、Ｘ≧１．１５、又はＸ≧１．２を含む。
サポートリブ９２の遠位端９２ｄでの角度Ａｄｉ及びＡｄｕは、堆積の間のチャネル９３の所望のブロッキング、ＷＧＰの耐久性、及び製造コストを低下するために、選択されることができ、以下に記載されるスタンプ１７１の形状により形成されることができる。Ａｄｉは、内側面９２ｉ及び遠位端９２ｄの間の内角である。Ａｄｕは、上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄの間の内角である。
例えば、Ａｄｉ及びＡｄｕは、図９〜図１０に示されるように、９０度に近くされることができる。この設計は、サポートリブ９２の耐久性を改善することができ、スタンプ１７１のコストを減らすことができる。代わりに、図１１に例示されるように、Ａｄｉは、９０度未満（例えば、Ａｄｉ＜９０ｏ、Ａｄｉ≦８０ｏ、Ａｄｉ≦７０ｏ、Ａｄｉ≦６０ｏ、又はＡｄｉ≦５０ｏ及びＡｄｉ≧１０ｏ）であることができ、及びＡｄｕは９０度より大きく（例えば、Ａｄｕ＞９０ｏ、Ａｄｕ≧１００ｏ、Ａｄｕ≧１１０ｏ、Ａｄｕ≧１２０ｏ、Ａｄｕ≧１３０ｏ、及びＡｄｕ≦１８０ｏ）あることができ、従って、遠位端９２ｄにて内側面９２ｉをチャネル９３の上に延ばす。この設計は、ワイヤ１３２の堆積の間、基板１１の表面１１ｆのブロッキングを改善することができる。
チャネル角Ａｃが、図９及び図１１に例示される。チャネル角Ａｃは、サポートリブ９２の側面９２ｉ及び９２ｕとチャネル９３内の基板１１の表面１１ｆとの間の角度である。図９に例示されるように、各チャネル９３において、１つのチャネル角Ａｃは、９０度未満であることができ、チャネルの反対の側面上の他のチャネル角Ａｃは、９０度より大きくされることができる。代わりに、図１１に例示されるように、各チャネル９３において、両チャネル角Ａｃは、例えば９０ｏ±５ｏ、９０ｏ±１０ｏ、９０ｏ±１５ｏ、又は９０ｏ±２０ｏのようにおよそ９０度にすることができる。両チャネル角Ａｃ〜９０ｏを用いる図１１の実施形態は、増大されたチャネル９３の深さから得られる増大した性能に起因して、好ましくてよい。
次にさらに、前述の角度がどう画定又は解釈されるか記述する。「外角（ｅｘｔｅｒｎａｌ ａｎｇｌｅ）」のように記載されるあらゆる角度は、サポートリブ９２の外部で測定される。図１２に例示されるように、側面９２ｉ及び９２ｕが湾曲される場合、次いでサイドライン１２１が使用されて、角度Ａｐｉ及びＡｐｕを決定する。サイドライン１２１は、側面９２ｉ又は９２ｕの最も狭い寸法で且つ側面９２ｉ又は９２ｕの平均方向で整列する角度で整列される。角度Ａｐｉ及びＡｐｕが、基板の湾曲度又は基板１１の表面１１ｆの粗さに起因するなど、精密且つ反復して光学デバイスに亘って決定されることができない場合、次いで、これらの角度Ａｐｉ及びＡｐｕは、基板１１の中心を通じて延びる基板ライン１２３にて測定される。基板ライン１２３は、基板１１の表面１１ｆの平均又は表面１１ｆの反対の基板１１の側面１１ｓの平均のいずれかが最もスムースな表面を有する方向を有する。遠位端９２ｄが湾曲する場合、次いで、遠位線１２２が角度Ａｄｉ及びＡｄｕを決定するのに使用される。遠位線１２２は、２つのサイドライン１２１が遠位端９２ｄを出る場所の間に延在する。
まとめると、式Ａ９２＝ｃｏｓ−１（Ｘ×Ｌｃ／Ｌｉ）における距離Ｌｃ、距離Ｌｉ、角度Ａ９２、値Ｘ、及び遠位端９２ｄにおける角度Ａｄｉ及びＡｄｕが、基板１１の表面１１ｆに直交する方向から見えるように、サポートリブ９２によりチャネル９３内で基板１１の表面１１ｆの部分的又は完全なブロッキングのために選択されることができる。この完全なブロッキングを示す図９内のライン９４を参照せよ。基板１１の表面１１ｆに直交する方向から見えるように、チャネル９３の完全なブロッキングは、図１３に例示されるように、各サポートリブ９２の内側面９２ｉ上、チャネル９３内の基板１１上、又はそれらの両方でワイヤ１３２を無視可能又はなしとすることができる。
代わりに、図１４に例示されるように、ワイヤ１３２は、チャネル９３に入り、各サポートリブ９２の内側面９２ｉの一部、チャネル９３内の基板１１の一部、又はそれらの両方をカバーすることができる。例えば、各サポートリブ９２の内側面９２ｉ、チャネル９３内の基板１１、又はそれらの両方の５０％以上、７５％以上、又は９０％以上が、ワイヤ１３２の材料を含まないこととすることができ、他の部分はワイヤ１３２でコーティングされることができる。
ワイヤ１３２は、内側面９２ｉの一部、チャネル９３内の基板１１の一部、又はそれらの両方をカバーしない場合、傾斜したサポートリブ９２のブロッキング効果に起因して、小さい厚さでそれをカバーすることができる。例えば、Ｔｈ１３２ｉ≦１０ｎｍ、Ｔｈ１３２ｉ≦２０ｎｍ、又はＴｈ１３２ｉ≦５０ｎｍであり、Ｔｈ１３２ｉは、内側面９２ｉに垂直に測定される内側面９２ｉ上のワイヤ１３２の最大厚さである。別の例のように、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｉ≧２、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｉ≧５、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｉ≧１０、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｉ≧２０であり、Ｔｈ１３２ｕは、上側面に垂直に測定される上側面９２ｕ上のワイヤ１３２の最大厚さである。別の例のように、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｓ≧２、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｓ≧５、Ｔｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｓ≧１０、又はＴｈ１３２ｕ／Ｔｈ１３２ｓ≧２０であり、Ｔｈ１３２ｓは、基板１１の表面１１ｆに垂直に測定されるサポートリブ９２に隣接するチャネル９３内の基板１１の表面１１ｆ上のワイヤ１３２の最大厚さである。
図１５〜図１６に例示されるように、ＷＧＰ１５０及び１６０は、さらに、各ワイヤ１３２と各サポートリブ９２との間に少なくとも部分的に挟まれるキャップ１５２を備えることができる。キャップ１５２の目的は、さらに、ワイヤ１３２の堆積の間、チャネルを閉鎖することである。従って、キャップ１５２は、サポートリブ９２の長さＬｉ及び角度Ａｐｉの製造限界を補償するのに役立つことができる。例えば、未硬化層１７２のスタンプ１７１への吸上が制限されることができ、従って、スタンプ−チャネル１７３の深さを制限する（図１７〜図１８）。この限界は、キャップ１５２の使用により補償されることができる。長いサポートリブ９２とキャップ１５２の組み合わせの別の利点は、これが、チャネル９３の長さを増大することができ、従って、米国特許第６１２２１０３号明細書に記載されるような低下した実効屈折率を有する大きな領域を提供することができることである。各サポートリブ９２上のキャップ１５２が、隣接するサポートリブ９２上のキャップ１５２から分離される（すなわち、接触しない）ことは有用であることができる。この分離は、分離ワイヤ１３２の堆積を容易にすることができる。
図１５に例示されるように、キャップ１５２は、上側面９２ｕの一部又はすべて、遠位端９２ｄの一部又はすべて、又はそれらの両方をカバーすることができる。図１６に例示されるように、キャップ１５２は、各サポートリブ９２の内側面９２ｉの少なくとも一部をカバーすることができる。例えば、各サポートリブ９２の内側面９２ｉの５０％以上、７５％以上、又は９０％以上が、キャップ１５２の材料を含まないこととすることができ、他の部分はキャップ１５２でコーティングされることができる。
内側面９２ｉに垂直に測定される内側面９２ｉ上のキャップ１５２の例示的最大厚さＴｈ１５２ｉは、Ｔｈ１５２ｉ≦５ｎｍ、Ｔｈ１５２ｉ≦１０ｎｍ、又はＴｈ１５２ｉ≦２０ｎｍを含む。別の例のように、Ｔｈ１５２ｕ／Ｔｈ１５２ｉ≧２、Ｔｈ１５２ｕ／Ｔｈ１５２ｉ≧５、Ｔｈ１５２ｕ／Ｔｈ１５２ｉ≧１０、Ｔｈ１５２ｕ／Ｔｈ１５２ｉ≧２０であり、Ｔｈ１５２ｕは上側面９２ｕに垂直に測定される上側面９２ｕ上のキャップ１５２の最大厚さである。
第２の方法、図９〜図２３。
ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）のような光学デバイスの第２の作成方法は、図１７〜図２３に例示される次のステップのいくつか又はすべてを備えることができる。第２の方法は、次の順序又は特定される場合は他の順序で実行されることができる。特許請求の範囲に、明記されていない限りは、いくつかのステップが同時に実行されることができる。以下に記載されていない、追加のステップもあり得る。これらの追加のステップは、記載されているステップの、前、間、又は後であり得る。光学デバイス及び光学デバイス自体の成分は、上述のような特性を有することができる。上記されていない、以下の第２の方法における光学デバイスの特性の追加の説明は、上述の光学デバイスに適用可能であることができる。
第２の方法は、次のうちのいくつか又はすべてを備えることができる。（ａ）基板１１の表面１１ｆ上の未硬化層１７２を設けるステップ１７０（図１７）。（ｂ）未硬化層１７２内に未硬化のサポートリブ１８２のパターンをインプリントするステップ１８０又は２１０（図１８及び図２１）。（ｃ）未硬化層を硬化するステップ１９０又は２２０（図１９及び図２２）。（ｄ）各サポートリブ９２の上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄ上にキャップ１５２を堆積する（図１５及び図１６）。（ｅ）各サポートリブ９２の上側面９２ｕ、各サポートリブ９２の遠位端９２ｄ、又はそれらの両方にワイヤ１３２を堆積する（図１３〜図１６）。
（ｂ）及び（ｃ）未硬化層１７２内にサポートリブ９２のパターンをインプリントすることが、例えば以下に記載されるようなスタンプ１７１などを用いて実行されることができ、それにより上述のような角度を有することができるもたれたサポートリブ９２を生成する。
図１８及び図２１に例示されるように、インプリントは、スタンプ１７１を未硬化層１７２へと押圧することを含むことができる。スタンプ１７１は、チャネル９３と嵌合するスタンプリブ１７１ｒ及びサポートリブ９２と嵌合するスタンプチャネル１７３を含むことができる。
サポートリブ９２のもたれた形状に起因して、スタンプ１７１をサポートリブ９２からこれらを損傷することなく除去するのは困難であることができる。スタンプ１７１を光学デバイスからサポートリブ９２を損傷することなく除去する１つの方法は、Ａ９２（図９〜図１２を参照）に近くすることができる角度Ａ１７１（図２０を参照）でスタンプ１７１を除去することである。例えば、Ａ１７１は、Ａ９２の２度、５度、１０度、２０度、又は３０度内であることができる。
スタンプ１７１を光学デバイスからサポートリブ９２を損傷することなく除去する他の方法は、柔軟なスタンプ１７１を使用すること、柔軟なサポートリブ９２を使用すること、又はそれらの両方である。スタンプ１７１は、弾性材料を含むことができる。スタンプリブ１７１ｒ又は両方に連結されるスタンプ１７１のスタンプリブ１７１ｒ、基部１７１ｂは、弾性であることができる。スタンプリブ１７１ｒに連結されるスタンプ１７１のスタンプリブ１７１ｒ、基部１７１ｂ又は両方は、ポリイミド、ポリジメチルシロキサン、又はそれらの両方を備えることができる。スタンプリブ１７１ｒ、スタンプリブ１７１ｒに連結されるスタンプ１７１の基部１７１ｂ、スタンプ１７１がサポートリブ９２から除去される場合のサポートリブ９２、又はそれらの組み合わせは、６ＧＰａ以下、３ＧＰａ以下、１ＧＰａ以下、又は０．１ＧＰａ以下及び０．１ＧＰａ以上、０．０１ＧＰａ以上、０．００５ＧＰａ以上、０．００１ＧＰａ以上、又は０．０００１ＧＰａ以上であることができる弾性のモジュールを有することができる。サポートリブ９２は、未硬化層１７２を部分的に硬化し、スタンプ１７１を除去し、次いで硬化を完結することにより柔軟になることができる。部分的に硬化したサポートリブ９２は、スタンプ１７１が除去されると、曲がることができる。
（ｃ）未硬化層１７２を硬化することは、未硬化のサポートリブ１８２を固体で硬化されるサポートリブ９２へと硬化することを含むことができる。一実施形態では、未硬化層１７２は、連続相全体に分散される固体無機ナノ粒子を有する液体であることができ、固体無機ナノ粒子は反応基に結合される金属原子を含み、各反応基は独立に−Ｃｌ、−ＯＲ２、−ＯＣＯＲ２、又は−Ｎ（Ｒ２）２であり、Ｒ２はアルキル基であり、硬化は分子を反応させて互いに連結される金属原子の固体を形成することを含むことができる。別の実施形態では、未硬化層１７２は、連続相全体に亘って分散された固体無機ナノ粒子を有する液体であることができ、硬化は、無機ナノ粒子の固体相互接続ネットワークを形成することを含むことができる。別の実施形態では、未硬化層１７２は、分散相及び連続相を含むコロイド懸濁液であることができ、未硬化層１７２を硬化することは連続相を除去することを含むことができる。
（ｄ）及び（ｅ）、キャップ１５２、ワイヤ１３２、又はそれらの両方は、スパッタ堆積により堆積されることができ、これは、別個のサポートリブ９２上でキャップ１５２、ワイヤ１３２、又はそれらの両方の分離堆積を容易にすることができる。別個のサポートリブ９２上のキャップ１５２、ワイヤ１３２、又はそれらの両方の分離堆積は、例えば所望の偏光の増大された透過率（例えばＴｐを増大）及び反対の偏光の低下された透過率（例えばＴｓを低下）のようなＷＧＰ性能を改善することができる。キャップ１５２のスパッタ堆積は、サポートリブ９２に面する線形プロファイル１５２Ｌ及びワイヤ１３２に面する湾曲プロファイル１５２Ｃを有するキャップ１５２をもたらすこともでき、これらは、ＷＧＰ性能を改善することができる。この線形プロファイル１５２Ｌ／湾曲プロファイル１５２Ｃは、ＷＰＧ性能を改善することもできる。
キャップ１５２、ワイヤ１３２、又はそれらの両方の堆積は、垂直角堆積を含むことができる、又は垂直角堆積によるだけで実行されることさえできる。いくつかの製造施設には斜角堆積用の機器が欠如するため、そのような垂直角堆積は、追加機器の購入の回避に起因してＷＧＰの製造コストを低下可能にすることができる。
（ｂ）から（ｅ）、図１１及び図１８〜図２０に例示されるように、隣接するサポートリブ２２及び９２は、サポートリブ９２の材料１１１により近位端９２ｐにて結合されることができる。これは、スタンプ１７１の全てを基板に押圧しないことにより実現されることができる。サポートリブ９２の材料１１１によるサポートリブ９２のこの接続は、サポートリブ９２の強度を増大することができる。これは、傾斜又はもたれたサポートリブ９２とともに、本明細書に記載された実施形態において特に有用であることができる。サポートリブ９２は近位端９２ｐにて結合され得るが、各サポートリブ９２は、遠位端９２ｄ及び側面９２ｉ及び９２ｕにて隣接するサポートリブ９２から分離されることができる（すなわち接触しない）。この分離は、分離キャップ１５２、分離ワイヤ１３２、又はそれらの両方の堆積を容易にすることができる。
未硬化層１７２、サポートリブ９２、キャップ１５２、又はそれらの組み合わせは、例えば１．１以下、１．２以下、１．３以下、又は１．４以下のような改善された光学性能の低い屈折率を有することができる。一実施形態では、そのような屈折率は１．０以上であることができる。
この低い屈折率を実現する１つの方法は、サポートリブ９２内に残ることができる未硬化層１７２内に小さいボイド又はキャビティを含めることである。空気が充填されたこれらの小さいボイドは、全体的な屈折率を下げることができる。例えば、サポートリブ９２は、約１．４−１．５の屈折率を有する二酸化シリコンを含むことができるが、ボイドを用いると、全体的な屈折率は１．４未満になることができる。これらのボイドは、大きな分子を有する未硬化層１７２内で溶媒を使用することにより形成されることができる。例えば、未硬化層１７２内の溶媒は、７０ｇ／ｍｏｌ以上、８０ｇ／ｍｏｌ以上、９０ｇ／ｍｏｌ以上、１００ｇ／ｍｏｌ以上、又は１１０ｇ／ｍｏｌ以上の分子量（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｗｅｉｇｈｔ）を有することができる。別の例のように、この溶媒内の化学物質は、例えば１５以上の原子、２０以上の原子、又は２５以上の原子のように多数の原子を有することができる。この溶媒は、過度に高い分子量を有さないようにすることで、それにより、十分に揮発性にできることに有用であり得る。従って、この溶媒は、１２５ｇ／ｍｏｌ以下、１５０ｇ／ｍｏｌ以下、１７５ｇ／ｍｏｌ以下、２００ｇ／ｍｏｌ以下、又は３００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することができる。この溶媒は、３０以下の原子、５０以下の原子、又は７５以下の原子を有することもできる。さらに、この溶媒は、アリール分子、そうでなければ二重結合を有する分子のような大きな空間を占める構造を有することができる。例えば、未硬化層１７２は、ベンゼン又はキシレンを含むことができる。
サポートリブは、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについて屈折率の実部ｎＳ≧１．７又はｎＳ≧２．０及び吸光係数ｋＳ≦０．１を有する。サポートリブ９２の例示的材料は、ハフニウム、鉛、ニオブ、タンタル、チタン、タングステン、ジルコニウム、シリコン、又はそれらの組み合わせの酸化物を含む。
サポートリブ９２は、製造を容易にする、ＷＧＰの性能に影響を及ぼす、又はそれらの組み合わせをもたらす有機部分を含むことができる。これらの有機部分は、未硬化層１７２の材料組成の一部であることができ、未硬化層１７２は硬化されてサポートリブ９２を形成した後に残ることができる。例えば、サポートリブ９２内の原子の０．１％以上、１％以上及び２５％以下、５０％以下は、有機部分の一部であることができる。別の例のように、サポートリブ内の有機部分の質量パーセントは、０．１％以上２０％以下であることができる。有機部分は、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又はそれらの両方を含むことができる。別の例のように、全ての有機部分は、３以下の炭素原子を含むことができる。
キャップ１５２は、サポートリブ９２と同一又はそれと異なる材料組成を有することができる。一実施形態では、キャップ１５２及びサポートリブ９２は、二酸化シリコンを備えることができる。一実施形態では、キャップ１５２ではなくサポートリブ９２は、それぞれの堆積／形成の異なる方法に起因して、有機部分を含むことができる（例えば、サポートリブ９２は概してスピンオン、次いでインプリントにより形成され、キャップ１５２は概してスパッタリングにより形成される）。
サポートリブ９２、基板１１、及びキャップ１５２は、同一又は類似の材料組成を有することができる。例えば、サポートリブ９２、基板１１、キャップ１５２の材料組成の７０％以上、８０％以上、９０％以上、又は９５％以上は、同一であることができる。サポートリブ９２、基板１１、キャップ１５２、又はそれらの組み合わせは、紫外線スペクトル、可視スペクトル、又は赤外線スペクトルに亘って又はそれらの組み合わせについて透過性であることができる。ワイヤ１３２は、紫外線スペクトル、可視スペクトル、又は赤外線スペクトルに亘って又はそれらの組み合わせについて反射性であることができる。
図２３に例示されるように、第２の方法は、さらに、硬化したサポートリブ９２上にコンフォーマル層２３１を設けること、光学デバイス２３２を形成することを含むステップ２３０を備えることができる。ステップ２３０は、ステップ１９０、２００又は２２０のいずれかに続くことができる。コンフォーマル層２３１は、原子層堆積により設けられることができる。コンフォーマル層２３１は、サポートリブ９２の屈折率（ｎ９２）より高い屈折率（ｎ２３１）を有することができる。これら屈折率の例示的値は、ｎ９２≧１．３、ｎ９２≧１．５、又はｎ９２≧１．７、ｎ９２≦１．６、ｎ９２≦１．８、又はｎ９２≦１．９９、ｎ２３１≧２．０又はｎ２３１≧２．２、及びｎ２３１≦３．０又はｎ９２≦４．０を含む。これらの屈折率ｎ２３１及びｎ９２値並びに関係は、紫外線スペクトル、可視スペクトル、赤外線スペクトルに亘って又はそれらの組み合わせについてそのような値及び関係であることができる。光学デバイスが導波管である場合、コンフォーマル層２３１の追加は、特に使用目的の波長にて又は波長範囲に亘ってｎ２３１＞ｎ９２の場合、導波管の性能を改善することができる。
第１及び第２の方法、ワイヤ分離。
隣接するサポートリブ２２又は９２上のワイヤ６２又は１３２から分離されることはワイヤ６２又は１３２に有用であることができる。次の段落は、第１の方法及び第２の方法の両方においてこれをどう実現するか記述する。
第１の方法では、堆積の好ましい方法はスパッタリングである。チャンバ内の圧力は、低方向性堆積のため立ち上げられることができ、全角度からのワイヤ６２の堆積及びサポートリブ２２の遠位端Ｄでのワイヤ６２の選択的堆積が得られる。しかしながら、過度に高い堆積圧力は、過度に遅い堆積速度をもたらすことができる。５ミリトールの圧力は、（ａ）高い圧力による全角度からのワイヤ６２の堆積を分散するために示唆される。（ｂ）より低い圧力は、堆積速度を改善する。
第２の方法では、好ましい堆積方法は、蒸発又は低圧スパッタリングを含み、いずれも、各サポートリブ９２の上側面９２ｕ及び遠位端９２ｄ上のワイヤ１３２の方向性堆積が得られる。蒸発又は低圧スパッタリングでは、プラズマを依然として維持するとともに、圧力が可能な限り低下されることができる。第２の方法では、傾斜サポートリブ９２を用いて、蒸発又は低圧スパッタリングによるような方向性堆積が、隣接するサポートリブ９２上のワイヤ６２の分離を容易にすることができる。
第１の方法では、チャネル４１は、上記のキャップ５２により部分的にブロックされることができ、隣接するサポートリブ２２上のワイヤ６２の分離を容易にする。第２の方法では、チャネル９３は、上記のキャップ１５２により部分的にブロックされることができ、隣接するサポートリブ９２上のワイヤ１３２の分離を容易にする。
サポートリブ２２又は９２の形状は、ワイヤ６２又は１３２の分離を容易にするのに役立つことができる。図２〜図８内のサポートリブ２２は、製造を容易にする湾曲した遠位端Ｄを用いて例示されるが、ワイヤ６２を互いから分離して保持するのをより困難にすることができる。図９〜図１０及び図１３〜図１６に例示される第２の方法におけるサポートリブ９２の遠位端９２ｄは、製造をより困難にすることができる長方形状を有するが、ワイヤ１３２を互いから分離して保持するのに役立つことができる。図１１及び図１９〜図２０に例示される第２の方法におけるサポートリブ９２の遠位端９２ｄは、ワイヤ１３２を互いから分離して保持するのにさらに役立つことができる台形形状を有する。上記の図９〜図１０及び図１３〜図１６の長方形状及び図１１及び図１９〜図２０の台形形状は、第１の方法に適用されることができる。第１の方法におけるスタンプ１３は、図１７〜図２２のスタンプ１７１により置換されることができる。
サポートリブ２２又は９２の高いアスペクト比（ＡＲ）は、ワイヤ６２又は１３２の分離を容易にするのに役立つことができる。ここで、ＡＲ＝Ｔｈ２２／Ｐ又はＡＲ＝Ｔｈ９２／Ｐであり、Ｔｈ２２はサポートリブ２２の厚さであり、Ｔｈ９２はサポートリブ９２の厚さであり、Ｐはサポートリブ２２又は９２のピッチである。
上述の方法がワイヤ６２又は１３２を分離して保持するのに不十分な場合、及びワイヤ６２又は１３２がアルミニウムから作られる場合、次いで、チャネル４１又は９３内の少量のアルミニウムが酸化されて酸化アルミニウムを形成することができ、従って純粋なアルミニウムのワイヤ６２又は１３２が互いから分離する。例としてアルミニウムが使用された。他の適切な材料で酸化が使用されることができる。等方性エッチングは、チャネル４１又は９３内の少量のワイヤ６２又は１３２を除去するためにも使用されてよい。
傾斜サポートリブ付き９２の第３の光学デバイス。
図２３に例示されるように、光学デバイス２３２は、サポートリブ９２上のコンフォーマル層２３１を含むことができる。光学デバイス２３２のサポートリブ９２は、光学デバイス１１０のサポートリブ９２と類似の形状で例示されるが、これらのサポートリブ９２は本明細書に記載されるような他の形状を有することができる。コンフォーマル層２３１及びサポートリブ９２は、上述のような屈折率値を有することができる。光学デバイスが導波管である場合、コンフォーマル層２３１の追加は、特に使用目的の波長にて又は波長範囲に亘ってｎ２３１＞ｎ９２の場合、導波管の性能を改善することができる。光学デバイス２３２は、例えば、本明細書に記載されるようなワイヤ１３２を追加するなどしてＷＧＰへと形成されることができる。

Claims (10)

  1. 隣接するサポートリブの間にチャネルを有する基板の表面上の平行で細長いサポートリブのアレイを備え、
    各サポートリブは、基板に最も近く配置される近位端及び前記基板から最も遠く配置される遠位端、前記チャネルに面して前記近位端から前記遠位端に延びる側面を有する断面プロファイルを有し、
    前記サポートリブの前記側面は、一側に傾斜され、前記側面は、前記基板に向かって傾斜し且つ面する内側面及び前記内側面の反対で前記基板から離れて面する上側面を含み、
    １５ｏ≦Ａ９２≦７５ｏであり、Ａ９２は、面と前記基板の前記表面との間の最小角度であり、前記面は、各サポートリブの長さに沿って、前記近位端から前記遠位端まで前記サポートリブの中央を通って延び、
    各サポートリブの前記上側面及び前記遠位端上にワイヤがあり、各ワイヤは、隣接するサポートリブのワイヤから分離し、
    前記サポートリブ及び前記基板は、透過性であり、前記ワイヤは、紫外線スペクトル、可視スペクトル、又は赤外線スペクトルに亘って又はそれらの組み合わせについて反射性である、
    ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）。
  2. 各サポートリブの前記上側面及び前記遠位端上に、各ワイヤ及び各サポートリブの間に少なくとも部分的に挟まれるキャップをさらに備え、
    前記キャップは、前記サポートリブとは異なる材料組成を有し、
    前記キャップは、紫外線スペクトル、可視スペクトル、又は赤外線スペクトルに亘って又はそれらの組み合わせについて透過性であり、
    前記キャップは、前記サポートリブに面する線形プロファイル及び前記ワイヤに面する湾曲プロファイルを有する、
    請求項１に記載のＷＧＰ。
  3. ４５ｏ≦Ａｐｉ≦６５ｏ及び１１５ｏ≦Ａｐｕ≦１３５ｏであり、Ａｐｉは、前記基板の前記内側面及び前記表面の間の外角であり、Ａｐｕは、前記基板の前記上側面及び前記表面の間の外角である、請求項１又は２に記載のＷＧＰ。
  4. ｜１８０ｏ−Ａｐｉ−Ａｐｕ｜≦１０ｏであり、Ａｐｉは、前記基板の前記内側面及び前記表面の間の外角であり、Ａｐｕは、前記基板の前記上側面及び前記表面の間の外角である、請求項１から３のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  5. ｜Ａｐｉ−Ａｄｉ｜≦２０ｏ及び｜１８０ｏ−Ａｐｕ−Ａｄｕ｜≦２０ｏであり、Ａｐｉは、前記基板の前記内側面及び前記表面の間の外角であり、Ａｄｉは、前記内側面及び前記遠位端の間の内角であり、Ａｐｕは、前記上側面及び前記基板の前記表面の間の外角であり、Ａｄｕは、前記上側面及び前記遠位端の間の内角である、請求項１から４のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  6. であり、Ａ９２は、前記内側面及び前記基板の前記表面の間の外角であり、Ｌｃは、前記基板の前記表面に平行な、前記チャネル内の１つのサポートリブから隣接するサポートリブまでの直線距離であり、Ｌｉは、前記近位端から前記遠位端までの前記内側面の直線距離である、請求項１から５のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  7. 前記サポートリブは、屈折率の実部ｎＳ≦１．４を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  8. 前記サポートリブは、紫外線スペクトルに亘って、可視スペクトルに亘って、赤外線スペクトルに亘って、又はそれらの組み合わせについて屈折率の実部ｎＳ≧１．７及び吸光係数ｋＳ≦０．１を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  9. 前記サポートリブは、可視スペクトルに亘って屈折率の実部ｎＳ≧２．０を有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
  10. 前記サポートリブ内の原子の０．１％以上５０％以下は、有機部分の一部である、請求項１から９のいずれか一項に記載のＷＧＰ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024135835A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両
WO2024135836A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PH12020050192A1 (en) * 2019-07-17 2021-05-17 Moxtek Inc Reflective wire grid polarizer with transparent cap
WO2023114496A1 (en) * 2021-12-17 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Stamp treatment to guide solvent removal direction and maintain critical dimension

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4387141B2 (ja) * 2003-08-06 2009-12-16 株式会社リコー 偏光性回折格子
CN1952700B (zh) * 2005-10-17 2010-06-09 旭化成电子材料株式会社 线栅偏振片及其制造方法
US20070242352A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Macmaster Steven William Wire-grid polarizers, methods of fabrication thereof and their use in transmissive displays
EP2194075B1 (en) * 2007-09-28 2013-01-09 Asahi Glass Company, Limited Photocurable composition, method for producing fine patterned body, and optical device
KR20110031440A (ko) * 2008-07-10 2011-03-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 와이어 그리드형 편광자 및 그 제조 방법
JP2010204626A (ja) * 2009-02-05 2010-09-16 Asahi Glass Co Ltd ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
WO2011022423A2 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Liquidia Technologies, Inc. Nanowire grid polarizers and methods for fabricating the same
WO2012115059A1 (ja) * 2011-02-22 2012-08-30 旭硝子株式会社 微細構造成形体および該微細構造成形体を備えた液晶表示装置
KR101286004B1 (ko) * 2011-06-28 2013-07-15 서울대학교산학협력단 액정 패널, 이를 구비하는 액정 표시 장치 및 그 제조방법
JP6285131B2 (ja) * 2013-07-10 2018-02-28 デクセリアルズ株式会社 偏光板、及び偏光板の製造方法
KR102295624B1 (ko) * 2014-10-29 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 편광자, 편광자의 제조 방법 및 표시 패널
KR102307431B1 (ko) * 2015-01-22 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 복수의 모듈을 갖는 증착원
US9995864B2 (en) 2015-04-03 2018-06-12 Moxtek, Inc. Wire grid polarizer with silane protective coating
KR20160143443A (ko) * 2015-06-05 2016-12-14 코오롱인더스트리 주식회사 와이어 그리드 편광판 및 이를 포함한 액정표시장치
KR20170017557A (ko) * 2015-08-07 2017-02-15 코오롱인더스트리 주식회사 와이어 그리드 편광판 및 이를 포함한 액정표시장치
US10175401B2 (en) * 2015-11-12 2019-01-08 Moxtek, Inc. Dual-purpose, absorptive, reflective wire grid polarizer
KR20180086451A (ko) * 2015-11-23 2018-07-31 코닝 인코포레이티드 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법
CN109581568B (zh) * 2017-09-28 2022-05-24 迪睿合株式会社 偏振光板及具备该偏振光板的光学设备
US11079528B2 (en) 2018-04-12 2021-08-03 Moxtek, Inc. Polarizer nanoimprint lithography
US11746418B2 (en) 2018-12-03 2023-09-05 Moxtek, Inc. Chemical vapor deposition of thick inorganic coating on a polarizer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024135835A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両
WO2024135836A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 デクセリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光素子、ワイヤグリッド偏光素子の製造方法、投影表示装置及び車両

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