JP2021031734A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】メンテナンスが容易で、コストをかけることなく、成膜レートを向上させることができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、内部に減圧環境を形成する成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内にプラズマを発生させる電極と、基材の近傍に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、プラズマを形成させるプラズマ形成ガスを供給するプラズマ形成ガス供給部とを有し、前記成膜チャンバの壁部には、複数の開口部を有しており、前記成膜チャンバの外部には、基材を複数の前記開口部のそれぞれに面するように配置する基材配置部を備える構成とする。【選択図】図1

Description

本発明は気相成長法により薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。

有機ＥＬ、太陽電池等の電子デバイスは水や酸に弱いため、その表面を封止膜で覆って
耐久性を向上させることが提案されている。このような封止膜は、たとえば、下記特許文献１に示す薄膜形成装置、いわゆるプラズマＣＶＤ装置によって基材上に形成することが可能である。具体的には、図９に示すように、薄膜形成装置は、チャンバ１０１内に基板１０２を保持する基板保持部１０３と、プラズマを発生させる誘導結合型の電極１０４を有する電極ユニット１０５と、原料ガスを供給する原料ガス供給部１０６とを備えており、互いに対向して配置される基板保持部１０３と電極ユニット１０５との間に原料ガス供給部１０６を配置して構成されている。そして、原料ガス供給部１０６の噴出口から原料ガスが供給されると、原料ガスが電極ユニット１０５により形成されたプラズマ環境に曝されることにより成膜粒子が形成される。そして、この成膜粒子が基板１０２上に堆積することにより均一な薄膜１０８を形成することができる。

特開２００２−２０３８４１号公報

近年では、成膜コストを低減させることが要望されているため、薄膜の成膜レート（単位時間当たりの薄膜形成速度）を向上させることにより製造効率を上げて成膜コストを下げることが考えられる。しかし、上記薄膜形成装置では、成膜レートを向上させることが困難であるという問題があった。すなわち、上記薄膜形成装置の装置構成では、１つの装置に対して一度に１つの基材にしか薄膜を形成することができず、成膜レートを向上させる方法として、電極の大型化などが考えられるが、装置が大型化し、消費電力等のコストがかかってしまうことやメンテナンスが困難になるという問題があった。

本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであり、メンテナンスが容易で、コストをかけることなく、成膜レートを向上させることができる薄膜形成装置を提供することを目的としている。

上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、内部に減圧環境を形成する成膜チャンバと、前記成膜チャンバ内にプラズマを発生させる電極と、基材の近傍に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、プラズマを形成させるプラズマ形成ガスを供給するプラズマ形成ガス供給部とを有し、前記成膜チャンバの壁部には、複数の開口部を有しており、前記成膜チャンバの外部には、基材を複数の前記開口部のそれぞれに面するように配置する基材配置部を備えることを特徴としている。

上記薄膜形成装置によれば、成膜チャンバの壁部には、複数の開口部と、この開口部のそれぞれに面するように基材を配置する基材配置部とを有しているため、１つの成膜チャンバによって複数か所で同時に基材へ薄膜を形成することができる。したがって、１つの電極により容易に成膜レートを向上させることができる。

また、前記電極は、第１の直線部と、第２の直線部と、前記第１の直線部と前記第２の直線部とを連結する連結部から成り、複数の前記開口部のうち少なくとも１組の前記開口部は、前記電極を挟んで対向するように配置されている構成にしてもよい。

この構成によれば、成膜チャンバの１組の開口部のそれぞれに対して電極の両側にできる高密度プラズマ領域を配置することができるので、効率よく薄膜を形成することができ、成膜レートを上げることができる。

また、前記成膜チャンバは、誘電体プレートを有しており、前記誘電体プレートは、少なくとも１つの前記開口部を含む第１の成膜領域と少なくとも１つの前記開口部を含む第２の成膜領域に前記成膜チャンバ内の空間を仕切るように配置されており、前記原料ガス供給部および前記プラズマ形成ガス供給部は、前記第１の成膜領域と前記第２の成膜領域の両方に設けられる構成としてもよい。

この構成によれば、減圧環境下で電極に電圧を印加することによって誘電体で構成される誘電体プレートを越えてプラズマが形成され、原料ガス供給部から供給されるガスは誘電体プレートに阻まれる。したがって、誘電体プレートによって、チャンバ内の空間を仕切ることで、成膜領域が２つに分けられるので、１組の開口部それぞれにおいて基材に異なる膜種の薄膜を同時に形成することができる。

また、さらに、１組の前記誘電体プレートが、前記電極を挟むように配置されている構成としてもよい。

この構成によれば、原料ガス供給部から供給される原料ガスは、誘電体プレートに阻まれて電極に到達できない。したがって、電極に膜が付着しないため、メンテナンスを容易にすることができる。

また、前記原料ガス供給部が複数設けられ、前記原料ガス供給部の原料ガスが噴射される噴出孔が基材の近傍に位置するように配置されている構成としてもよい。

この構成によれば、複数の原料ガス供給部が基材の近傍へ原料ガスを供給し、電極が形成するプラズマに曝されるため、基材上全体に亘ってほぼ一定膜厚の薄膜を形成することができる。

また、前記基材配置部は、ロールトゥロールにより前記基材を前記開口部のそれぞれに順に面するように搬送する構成としてもよい。

この構成によれば、基材をロールトゥロールにより成膜チャンバのそれぞれの開口部へと連続的に搬送して成膜するため、１つの成膜チャンバによって１つの基材に２層の薄膜を形成することができるので、薄膜を効率よく形成することができ、成膜レートを上げることができる。

また、前記基材配置部は、メインロールを有しており、前記メインロールは、その外周面が前記開口部に面するように配置されており、前記開口部の近傍では、前記基材をメインロールの外周面に沿わせた状態で搬送しつつ薄膜を形成する構成としてもよい。

この構成によれば、基材をメインロールの外周面に沿わせた状態で搬送させることにより、薄膜形成時に基材にシワが発生しないように適切な張力を与えることができる。

本発明の薄膜形成装置によれば、メンテナンスが容易で、コストをかけることなく、成膜レートを向上させることができる。

本発明の第一実施形態に係る薄膜形成装置の正面断面図である。 本発明の第一実施形態に係る薄膜形成装置の側面断面図である。 本発明の第二実施形態に係る薄膜形成装置の正面断面図である。 本発明の第三実施形態に係る薄膜形成装置の正面断面図である。 本発明の第四実施形態に係る薄膜形成装置の正面断面図である。 本発明の第五実施形態に係る薄膜形成装置の正面断面図である。 本発明の電極の１つのバリエーションを表した図である。 本発明の電極の１つのバリエーションを表した図である。 従来の薄膜形成装置を表す図である。

〔第一実施形態〕
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照しながら説明する。薄膜形成装置１は、図１に示すように、成膜チャンバ２と基材配置部３を有している。薄膜形成装置１は、成膜チャンバ２によりプラズマＣＶＤ法によって基材配置部３で配置された基材Ｗに薄膜を形成させる。

成膜チャンバ２は、薄膜形成装置１の内部に設置される。図１に示すように、その成膜チャンバ２は、内部にプラズマを形成させる電極２１と薄膜の原料となる原料ガスを供給する原料ガス供給部２２とプラズマを形成させるプラズマ形成ガスを供給するプラズマ形成ガス供給部２９とを有しており、成膜チャンバ２内にプラズマ形成ガスを供給し、電極２１がプラズマを発生させた状態で成膜チャンバ２内に原料ガスが供給されると、原料ガスが励起され成膜粒子が生成される。そして、この成膜粒子が基材Ｗに堆積することにより、薄膜が形成される。

成膜チャンバ２は、内部に減圧環境を形成し、その内部で発生した成膜粒子を堆積させて基材Ｗに薄膜を形成させるための容器である。本実施形態では、この成膜チャンバ２は、六面体であり、成膜チャンバ２の壁部は、ＹＺ平面と平行な１組の壁部に開口部２３を有しており、後述のとおり基材配置部３に支持される基材Ｗは、これらの開口部２３に面するように搬送される。

成膜粒子の形成は、成膜チャンバ２内を減圧環境にして行われる。具体的には、この成膜チャンバ２の天井部分の壁部には、成膜チャンバ２内を排気する排出部２４が設けられている。この排出部２４は、真空ポンプ（不図示）および圧力調整機構（不図示）と配管（不図示）で接続されており、真空ポンプを作動させることにより成膜チャンバ２内を所定の減圧度に調節できるようになっている。すなわち、成膜時には、真空ポンプを作動させることにより、成膜チャンバ２内を所定の減圧環境に調節して行われる。

電極２１は、プラズマを形成させるものである。図２に示すように、電極２１は、高周波電源２８と接続された直線部２１ａとアースなどと接続された直線部２１ｂとこれらを連結する連結部２１ｃから成り、電気が連続して通る誘導結合型の電極である。電極２１は、図２に示すように外側から成膜チャンバ２のＸＺ平面からなる壁部を貫通して成膜チャンバ２内に侵入し、貫通した成膜チャンバ２のＸＺ平面からなる壁部と対向する成膜チャンバ２のＸＺ平面からなる壁部を貫通するように伸び、そして、成膜チャンバ２の外側で１８０°向きを変えて、さらに成膜チャンバ２のＸＺ平面からなる壁部を貫通して成膜チャンバ２内に入り、再度成膜チャンバ２のＸＺ平面の壁部を貫通するように設けられている。また、電極２１は、製膜チャンバ２の１組の開口部２３に挟まれる位置に設けられている。すなわち、１組の開口部２３が電極２１を挟んで対向している。特に本実施形態では、電極部２１は、成膜チャンバ２の１組の開口部２３に対して、直線部２１ａと直線部２１ｂの中心軸線を共に含む平面と平行に位置した状態で成膜チャンバ２内に設けられており、具体的には、直線部２１ａと直線部２１ｂはＹ軸方向に伸び、それぞれの中心軸が１つのＹＺ平面に含まれている。また、電極２１の折り返し部２１ｃを含むその他の部分が成膜チャンバ２の外側に位置するように設けられている。

また、電極２１は、後述のプラズマ形成ガスが供給された状況下で、高周波電源２８のスイッチが入れられることにより、成膜チャンバ２内に位置する電極２１の直線部２１ａと直線部２１ｂの周囲にプラズマが発生するようになっている。ここでプラズマは、直線部２１ａと直線部２１ｂの間で、出力が最も高くなり、そこから電極２１の外側に向かって出力が小さくなるように電極２１の両側に形成される。この比較的にプラズマの出力が高い一定領域のプラズマ領域を高密度プラズマ領域Pと呼び、図１に鎖線で示す。

また、本実施形態では、電極２１の両側に形成される高密度プラズマ領域Ｐが、成膜チャンバ２に設けられるそれぞれの開口部２３と面するように配置されている。具体的には、前述のとおり電極２１の直線部２１ａと直線部２１ｂの中心軸線を共に含む平面および成膜チャンバ２に設けられるそれぞれの開口部２３がＹＺ平面と平行であることによりこれらが平行に配置されている。これにより、それぞれの開口部２３が電極２１の両側に形成される高密度プラズマ領域Ｐに面するように位置する。

また、原料ガス供給部２２は、薄膜を形成する原料ガスを成膜チャンバ２内に供給するものである。原料ガス供給部２２は、複数設けられており、それぞれが高密度プラズマ領域Ｐの近傍に配置されている。具体的には、原料ガス供給部２２の端部にあたる噴出孔が基材Ｗの近傍、すなわち、それぞれの開口部２３の近傍に位置するように配置されている。

また、プラズマ形成ガス供給部２９は、プラズマを形成するプラズマ形成ガスを成膜チャンバ２内に供給するものである。プラズマ形成ガス供給部２９は、プラズマ形成ガス供給部２９の端部にあたる噴出孔が電極２１の近傍に位置するように配置されている。

なお、本実施形態では、原料ガス供給部２２からＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）、プラズマ形成ガス供給部２９からアルゴンガス、水素ガスが供給されることにより、Ｓｉ化合物が生成される。これにより、基材Ｗ上に薄膜が形成される。

また、原料ガス供給部２２からＨＭＤＳガス、プラズマ形成ガス供給部２９から酸素ガスが供給されることにより、ＳｉＯ２が生成される。これにより、基材Ｗ上に薄膜が形成される。

また、前述したＳｉ化合物とＳｉＯ２の生成を交互に繰り返すことにより、基材Ｗ上に複数層を備える薄膜が形成される。

基材配置部３は、基材Ｗを成膜チャンバ２の開口２３と面するように搬送させるものである。基材配置部３により、搬送される基材Ｗは、帯状の部材であり、そのために薄膜形成装置１は、図１に示すように基材Wを送り出すための巻出ロール３１と、薄膜を形成した基材Wを巻き取るための巻取ロール３２とを有し、いわゆるロールトゥロールの構成である基材配置部３を有している。巻出ロール３１から基材Ｗが繰り出されると、その基材Ｗは、搬送方向の上流側と下流側の複数の搬送ロール３３を経て、巻取ロール３２に巻き取られる。また、巻出ロール３１と巻取ロール３２と搬送ロール３３によって形成される基材Wの搬送経路は、成膜チャンバ２の２つの開口部２３の近傍を通過するように構成されている。また、この搬送経路は、搬送ロール３３が基材Ｗの薄膜形成面に触れないように、すなわち基材Ｗの非薄膜形成面側が搬送ロール３３に巻き回されるように形成されている。

薄膜形成装置１は、メインチャンバを有している。このメインチャンバは、内部に成膜チャンバ２および、基材配置部３を有し、減圧環境下で基材Ｗを搬送することができる構成となっている。また、このメインチャンバは、成膜チャンバ２に設けられている排出部２４と接続される真空ポンプとは別の真空ポンプで接続されており、この真空ポンプを作動させることによりメインチャンバ内を所定の減圧度に調節できるようになっている。すなわち、成膜時には、メインチャンバの真空ポンプを作動させることにより、メインチャンバ内を所定の減圧環境に調整して行われる。

このように、上記第一実施形態における薄膜形成装置によれば、薄膜が、成膜チャンバ２の１組の開口部２３のそれぞれに面するように基材配置部３によって搬送された基材Ｗ上に形成されるので、１つの成膜チャンバ２によって２か所で同時に基材Ｗへ薄膜を形成させることができるため、成膜レートを上げることができる。

また、上記第一実施形態では、電極２１が直線部２１ａと直線部２１ｂとこれらを連結する連結部２１ｃから成り、電極２１の両側に形成される高密度プラズマ領域Ｐが、成膜チャンバ２の開口部２３のそれぞれに面するように配置される例について説明したが、この高密度プラズマ領域Ｐでは、プラズマの出力が高いため、原料ガスが高処理率で処理される。すなわち、この電極２１にプラズマが発生する状態で、成膜チャンバ２内に高密度プラズマ領域Pの近傍に位置するように配置された原料ガス供給部２２から原料ガスが供給されると、原料ガスが積極的にプラズマに曝されることにより単位時間当たりに効率よく成膜粒子が形成される。したがって、成膜チャンバ２の開口部２３のそれぞれに対して電極２１の両側に形成される高密度プラズマ領域Ｐを配置することによって、成膜レートを上げることが可能となっている。

また、上記第一実施形態では、原料ガス供給部２２が、複数設けられており、それぞれが高密度プラズマ領域Ｐの近傍に配置されている例について説明したが、原料ガス供給部２２が電極２１が形成する高密度プラズマ領域Pの近傍にそれぞれ配置されているため、それぞれの原料ガス供給部２２から噴出された原料ガスが高密度プラズマ領域Pに曝されることにより基板W上全体に亘ってほぼ一定膜厚の薄膜を形成することが可能となっている。

また、上記第一実施形態では、基材配置部３は、ロールトゥロールによるものであるという例を説明したが、その搬送経路は、巻出ロール３１と巻取ロール３２と搬送ロール３３によって、成膜チャンバ２の２つの開口部２３の近傍を通過するように構成されているので、基材Ｗを連続的に２つの開口部２３の近傍へ搬送し、基材Ｗ上に薄膜を形成するため、１つの成膜チャンバ２によって１つの基材Ｗに２層の薄膜を形成することができるので、薄膜を効率よく形成することができ、成膜レートを上げることが可能となっている。また、搬送経路上で薄膜形成面が、搬送ロール３３に触れないので、薄膜が傷つくことを防ぐことができる。

〔第二実施形態〕
次に、図３を参照して本発明の第二実施形態に係る薄膜形成装置１について説明する。
第一実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態では、成膜チャンバ２が誘電体プレート２５を有していること以外は、第一実施形態と同じ構成を有している。

成膜チャンバ２は、内部に誘電体から成る誘電体プレート２５が設けられている。この誘電体プレート２５は、少なくとも１つの開口部２３を含む第１の成膜領域Ｒ１と少なくとも１つの開口部２３を含む第２の成膜領域Ｒ２とに成膜チャンバ２内の空間を分け、仕切るように配置されており、さらに、原料ガス供給部２２とプラズマ形成ガス供給部２９とが、それぞれの成膜領域に設けられている。具体的には、成膜チャンバ２内の空間は、誘電体プレート２５によって１つの開口部２３を有する第１の成膜領域Ｒ１と１つの開口部２３を含む第２の成膜領域Ｒ２に分断される。誘電体プレート２５が、誘電体から構成されているため、成膜チャンバ２内を減圧環境としたなかで、電極２１に電圧を印加することによって、電極２１は、誘電体プレート２５を越えて電界を形成させ、プラズマ形成ガス供給部２９によりプラズマ形成ガスを供給することで、プラズマを形成させる。具体的には、電極２１は、この電極２１を含む第１の成膜領域Ｒ１だけでなく、誘電体プレート２５に隔てられた第２の成膜領域Ｒ２にもプラズマを形成させる。そして、原料ガス供給部２２から供給される原料ガスは誘電体プレート２５に阻まれる。これにより、誘電体プレート２５によって、成膜チャンバ２内の空間を仕切ることで、成膜領域が２つに分けることができるので、第１の成膜領域Ｒ１に配置された原料ガス供給部２２と第２の成膜領域Ｒ２に配置された原料ガス供給部２２とで異なる原料ガスを供給することにより、それぞれの開口部２３と面する基材Ｗのそれぞれに異なる膜種の薄膜を同時に形成することが可能となる。

また、それぞれのガスの流量に差異をもたせることにより、成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２とで性質が異なった薄膜を形成することができる。

また、前述した成膜領域は、誘電体の影響によりプラズマの出力が成膜領域Ｒ１が弱く、成膜領域Ｒ２が強くなる可能性がある。その場合、成膜領域Ｒ１では、低密度なプラズマでも適用できる反応プロセスを行い、成膜領域Ｒ２では、より高密度なプラズマが必要な反応プロセスを行うようにすると良い。具体的には、成膜領域Ｒ１では、原料ガス供給部２２からＨＭＤＳガス、プラズマ形成ガス供給部２９からアルゴンガス、水素ガスが供給されることにより、Ｓｉ化合物が生成される反応プロセスが行われ、成膜領域Ｒ２では、原料ガス供給部２２からＨＤＭＳガス、プラズマ形成ガス供給部２９から酸素ガスが供給されることにより、ＳｉＯ２が生成される反応プロセスが行われる。これにより、成膜領域R１では、フレキシブル性を付与することを目的とする低密度な薄膜が形成でき、成膜領域Ｒ２では、バリア性を目的とする緻密な薄膜が形成できるので、フレキシブル性とバリア性とを兼ね揃えた薄膜を基材Ｗ上に効率的に形成することができる。

また、このように成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２とでプラズマの出力が異なる場合、成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２に同じ種類の原料ガスとプラズマ形成ガスを同じ流量で供給する場合であっても、成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２の環境が異なるので、成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２とで性質が異なった薄膜を形成することができる。

〔第三実施形態〕
次に、図４を参照して本発明の第三実施形態に係る薄膜形成装置１について説明する。
第一実施形態もしくは第二実施形態と同様の構成については同一な符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態では、誘電体プレート２５の数および配置が異なっている以外は、第二実施形態と同じ構成を有している。

成膜チャンバ２内は、内部に１組の誘電体プレート２５と誘電体プレート２６が設けられている。この１組の誘電体プレート２５と誘電体プレート２６は、電極２１を挟むようにして配置され、成膜チャンバ２内の空間をそれぞれ少なくとも１つの開口部２３を含む第１の成膜領域Ｒ１と第２の成膜領域Ｒ２とに仕切る。これにより、それぞれの開口部２３に面する基材Ｗのそれぞれに異なる膜種の薄膜を同時に形成することが可能となり、かつ、電極２１に膜が付着しなくなるので、清掃等のメンテナンス作業の時間を短縮することが可能となっている。

また、１組の誘電体プレート２５において電極２１と誘電体プレート２５との間、誘電体プレート２５と基材Ｗとの間の距離や、誘電体プレート２５の材質（石英、Ａｌ２Ｏ３、ＡＩＮなど）や厚みは必ずしも共通である必要はなく、適宜変更されると良い。これにより、成膜領域ごとの反応プロセスに最適な出力のプラズマを形成することが可能となる。

また、誘電体プレート２５と誘電体プレート２６間の空間の圧力は、成膜領域Ｒ１と成膜領域Ｒ２と同程度であると良い。これにより、誘電体プレート２５と誘電体プレート２６とに圧力差による応力がかからなくなるので、誘電体プレート２５と誘電体プレート２６の厚みが薄い場合でも、誘電体プレート２５と誘電体プレート２６が割れることなどなく、薄膜を形成することができる。

〔第四実施形態〕
次に図５を参照して本発明の第四実施形態に係る薄膜形成装置１について説明する。
第一実施形態、第二実施形態もしくは第三実施形態と同様の構成については同一な符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態では、基材Ｗを配置する基材配置部３の構成が異なっている以外は、その他の実施形態と同じ構成を有している。

基材配置部３は、図５で示すようにメインロール３４を有している。メインロール３４は、その外周面が開口部２３に面するように配置されており、開口部２３の近傍では、基材Ｗをメインロール３４の外周面に沿わせた状態で搬送しつつ薄膜を形成する。これにより、薄膜形成時に基材Ｗに適切な張力を与えることができるので、シワの発生を抑制することが可能となる。

また、メインロール３４は、温度調整機構（不図示）を有している。温度調整機構は、薄膜形成時に基材Ｗの温度が上昇している際に基材Ｗを冷却する。これにより、薄膜形成時に基材Ｗが熱膨張することを防ぐことができ、シワの発生をさらに抑制することが可能となる。

〔第五実施形態〕
次に、図６を参照して本発明の第四実施形態に係る薄膜形成装置１について説明する。
第一実施形態、第二実施形態、第三実施形態もしくは第四実施形態と同様の構成については同一な符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施形態では、基材Ｗの配置方法が異なっている以外は、その他の実施形態と同じ構成を有している。

基材配置部４によって配置される基材Ｗは、短形の平板形状を有する部材であり、基材配置部４は、図６で示すように基材Ｗの薄膜非形成領域を支持するように保持し、基材Ｗを成膜チャンバ２の開口部２３のそれぞれに面するように配置する搬送ステージ４１を２つ有する。これにより、基材Ｗを開口部２３のそれぞれに面するように配置することができるので、２つの基材Ｗ上に薄膜を同時に形成することが可能となっている。

以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、各実施形態における構成およびそれらの組み合わせ等は一例であり、本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。たとえば、電極の形状はＵ字型に限られず、図７と図８に示すように電極の直線部の数も特に限定しない。また、開口は２つに限られず、必ずしも対向しなくても構わない。また、開口部２３と基材Ｗとの間に基材Ｗへの成膜領域を制限するマスクが設けられても構わない。また、本発明は実施形態によって限定されることはなく、請求の範囲によってのみ限定される。

１ 薄膜形成装置
２ 成膜チャンバ
３ 基材配置部
４ 基材配置部
２１ 電極
２１ａ 直線部
２１ｂ 直線部
２１ｃ 連結部
２２ 原料ガス供給部
２３ 開口部
２４ 排気部
２５ 誘電体プレート
２６ 誘電体プレート
２７ カバー部
２８ 高周波電源
２９ プラズマ形成ガス供給部
３１ 巻出ロール
３２ 巻取ロール
３３ 搬送ロール
３４ メインロール
４１ 搬送ステージ
Ｗ 基材
Ｒ１ 第１の成膜領域
Ｒ２ 第２の成膜領域
Ｐ 高密度プラズマ領域

Claims (7)

1. 内部に減圧環境を形成する成膜チャンバと、
   前記成膜チャンバ内にプラズマを発生させる電極と、
   基材の近傍に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
   プラズマを形成させるプラズマ形成ガスを供給するプラズマ形成ガス供給部とを有し、
   前記成膜チャンバの壁部には、複数の開口部を有しており、
   前記成膜チャンバの外部には、基材を複数の前記開口部のそれぞれに面するように配置する基材配置部を備えることを特徴とする薄膜形成装置。
2. 前記電極は、第１の直線部と、第２の直線部と、前記第１の直線部と前記第２の直線部とを連結する連結部から成り、
   複数の前記開口部のうち少なくとも１組の前記開口部は、前記電極を挟んで対向するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
3. 前記成膜チャンバは、誘電体プレートを有しており、
   前記誘電体プレートは、少なくとも１つの前記開口部を含む第１の成膜領域と少なくと
   も１つの前記開口部を含む第２の成膜領域に前記成膜チャンバ内の空間を仕切るように配置されており、
   前記原料ガス供給部および前記プラズマ形成ガス供給部は、前記第１の成膜領域と前記第２の成膜領域の両方に設けられていることを特徴とする請求項１若しくは請求項２のいずれかに記載の薄膜形成装置。
4. １組の前記誘電体プレートが、前記電極を挟むように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜形成装置。
5. 前記原料ガス供給部が複数設けられ、
   前記原料ガス供給部の原料ガスが噴射される噴出孔が基材の近傍に位置するように配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の薄膜形成装置。
6. 前記基材配置部は、ロールトゥロールにより前記基材を前記開口部のそれぞれに順に面するように搬送することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の薄膜形成装置。
7. 前記基材配置部は、メインロールを有しており、
   前記メインロールは、その外周面が前記開口部のそれぞれに面するように配置されており、
   前記開口部の近傍では、前記基材を前記メインロールの外周面に沿わせた状態で搬送しつつ薄膜を形成させることを特徴とする請求項６に基材の薄膜形成装置。

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