JP2021031313A - ナノ粒子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】β−Ga2O3からなるナノ粒子をワンステップで簡便に合成することができるナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】ソルボサーマル法によるβ−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法であって、1価アルコールを含む溶媒を用い、Gaイオンを含む溶液を調製し、溶液を350℃以上で30分以上保持することで、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成する。平均粒子径数10nmの球状のナノ粒子を合成することができる。【選択図】図1
Description
本開示は、β−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法に関する。
Ga2O3(酸化ガリウム)には5つの結晶相が存在し、特に、単斜晶系の結晶構造であるβ−Ga2O3は最も安定性が高いことが知られている。β−Ga2O3は様々な分野での応用が期待されている。たとえば、バンドギャップが広い、触媒活性、透明導電性などの特性を有していることから、半導体材料、触媒、透明導電性フィルム、蛍光体のホスト材料などへの応用が期待されている。また、β−Ga2O3はγ−Ga2O3(立方晶系)に比べて光触媒活性が強いことも知られている。
従来のβ−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法では、溶媒を水とするソルボサーマル法(水熱法)によって硝酸ガリウムを溶解した溶液を10時間温めて、α−GaO(OH)を合成し、それを溶液から分離した後700〜900℃でアニールすることでβ−Ga2O3からなるナノ粒子を合成している。つまり、従来の製造方法では水熱法と熱処理の2段階のステップが必要となる。
特許文献1には、次のようにしてα−Ga2O3からなる粉末を製造する方法が記載されている。まず、ガリウムを硝酸溶液に溶解し、その溶解液中にアンモニア水を滴下してGa(OH)3スラリーを得る。次に、スラリーを濾過により分離して乾燥させてGaO(OH)とする。次に、これを400〜550℃で1〜10時間熱処理を行う。以上によりα−Ga2O3からなる粉末が得られる。
また、特許文献2には、β型以外の結晶相のGa2O3を加熱することで、β−Ga2O3を得られることが記載されている。
また、非特許文献1には、ソルボサーマル法によりγ−Ga2O3からなるナノ粒子を合成し、その後アニール処理を行うことでβ−Ga2O3からなるナノ粒子を合成することが記載されている。ソルボサーマル法では、溶媒として2−プロパノールやグリコールを用い、反応温度は180℃、反応時間は5時間であることが記載されている。
Y. Hou et al., Powder Technology 203 (2010) 440-446
しかし、従来のβ−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法は、上記のように水熱法と熱処理の2段階のステップを要し、簡便にナノ粒子を合成することができなかった。そのため、ワンステップで合成することが可能な方法が望まれていた。また、従来の方法によるとナノ粒子の粒子径が数百nmとなり、数十nm程度の粒子径とすることができなかった。
そこで本開示は、β−Ga2O3からなるナノ粒子をワンステップで簡便に合成することができるナノ粒子の製造方法を提供することを目的とする。
本開示は、ソルボサーマル法によるβ−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法であって、1価アルコールを含む溶媒を用い、Gaイオンを含む溶液を調製し、溶液を350℃以上で30分以上保持することで、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成する、ことを特徴とするナノ粒子の製造方法である。
本開示のナノ粒子の製造方法によれば、β−Ga2O3からなるナノ粒子をワンステップで簡便に合成することができる。
本開示のナノ粒子の製造方法は、ソルボサーマル法によってβ−Ga2O3からなるナノ粒子を合成するものである。ソルボサーマル法は、溶媒を用いて加熱反応により種々の材料を合成する方法である。
本開示のナノ粒子の製造方法では、溶媒を1価アルコールとしてGaイオンを含む溶液を調製し、その溶液を350℃以上で30分以上保持することで、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成する。
なお、本開示のナノ粒子の製造方法は、β−Ga2O3単体のナノ粒子が得られる場合だけでなく、β−Ga2O3からなるナノ粒子と、他の結晶相のGa2O3からなるナノ粒子との混合物が得られる場合や、ナノ粒子自体がβ−Ga2O3と他の結晶相のGa2O3との混晶である場合も含む。他の結晶相は特にγ型である。
溶媒は、1価アルコールを含むものであれば任意である。1価アルコールは、脂肪族アルコールなどであり、特に飽和脂肪族アルコールである。たとえば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノールなどを用いることができる。これらを単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。特に、炭素数が4以下のものを用いるとよい。溶媒は、1価アルコール以外を含んでいてもよく、たとえば水などを含んでいてもよい。ただし、他の結晶相(特にγ−Ga2O3)の割合を減少させ、β−Ga2O3の純度を高めるために、1価アルコール以外は溶媒として含まないようにすることが好ましい。
溶質は、溶媒に可溶であって、Gaイオンを含む溶液を調製可能なガリウム化合物であれば任意でよい。たとえば、硝酸ガリウム(Ga(NO3)3)、硫酸ガリウム(Ga2(SO4)3)、塩化ガリウム(GaCl3)、ガリウム(III)アセチルアセトナート([CH3COCH=C(O−)CH3]3Ga)などを用いることができる。
Gaイオンの濃度は特に限定されないが、たとえば0.01〜0.5mol/Lとすることが好ましい。この範囲であれば、効率的にGa2O3からなるナノ粒子を生成することができる。より好ましくは0.03〜0.3mol/L、さらに好ましくは0.05〜0.1mol/Lである。
溶液には、任意の不純物を添加してもよい。不純物がドープされたβ−Ga2O3からなるナノ粒子を形成することができる。たとえば、希土類や遷移元素などを添加することで、希土類ドープや遷移元素ドープのβ−Ga2O3からなるナノ粒子を形成することができ、蛍光体材料として利用することができる。また、ナノ粒子を半導体材料として利用する場合に、バンドギャップエネルギーや伝導型の制御のために不純物をドープしてもよい。たとえばSiをドープすることでn型のβ−Ga2O3とすることができる。
反応温度は350℃以上とする。このとき、溶液は臨界点を超えて超臨界状態となっている。反応温度を350℃以上とすることにより、β−Ga2O3からなるナノ粒子を合成可能となる。反応温度が高いほど、他の結晶相(特にγ−Ga2O3)の割合を減少させることができ、β−Ga2O3の純度を高めることができる。特に好ましいのは、反応温度を400℃以上とすることである。β−Ga2O3の純度を大きく向上させることができる。また、反応温度は600℃以下とすることが好ましい。これよりも反応温度が高いと、他の結晶相のGa2O3が生じたり、Ga2O3自体が生成されなかったりするおそれがある。より好ましくは500℃以下である。
ナノ粒子の合成中、反応温度は一定に保ち、溶液の温度を一定に保つことが好ましい。ナノ粒子の粒子径のばらつきを抑えることができる。同様の理由で、ナノ粒子の合成中に溶液を攪拌して溶液に温度分布が生じないようにすることが好ましい。
反応時間は30分以上とする。これにより、β−Ga2O3からなるナノ粒子を合成可能となる。反応時間を長くするほど、他の結晶相(特にγ−Ga2O3)の割合を減少させることができ、β−Ga2O3の純度を高めることができる。特に好ましいのは、反応時間を1時間以上とすることである。β−Ga2O3の純度を大きく向上させることができる。反応時間の上限は特に規定はない。ただし、反応時間が10時間を超えるとβ−Ga2O3の純度向上はほぼ頭打ちとなり、ナノ粒子の粒子径にも変化がないため、反応時間は10時間以下が好ましい。
本開示の製造方法によって得られるβ−Ga2O3からなるナノ粒子は球状であり、その平均粒子径(直径)は、40〜80nmである。平均粒子径は、反応温度が高いほど大きくなる傾向にある。また、結晶子サイズは、20〜50nmであり、平均粒子径の1/2程度の値である。本開示の製造方法は、ソルボサーマル法の工程後に熱処理を行わないため、ナノ粒子の平均粒子径が増大しない利点がある。
本開示のナノ粒子の製造方法では、たとえば耐熱耐圧容器を用いる。溶媒にガリウム化合物を溶解した溶液を耐熱耐圧容器に密封し、そして、耐熱耐圧容器を加熱して、溶媒が超臨界状態となるようにする。耐熱耐圧容器内の圧力は、溶液の密度と温度によって決まり、10〜40MPa程度である。
本開示のナノ粒子の製造方法では、初期にγ−Ga2O3が生成し、その後、γ−Ga2O3が次第にβ−Ga2O3へと変化していったと考えられる。このように結晶相が変化する理由は不明であるが、熱的安定性などが影響しているものと推察される。
以上、本開示のナノ粒子の製造方法によれば、β−Ga2O3からなるナノ粒子をワンステップで簡便に合成することができる。また、水熱法と熱処理の2段階のステップによる従来の製造方法では合成することのできなかった平均粒子径数10nmの球状のナノ粒子を合成することができる。また、本開示のナノ粒子の製造方法により得られるナノ粒子は、溶液中に分散して浮いた状態であるため、ナノ粒子の凝集を抑制できる利点がある。また、γ−Ga2O3は準安定相であるのに対し、β−Ga2O3は安定相であり、光触媒活性もγ−Ga2O3に比べてβ−Ga2O3の方が強い。そのため、β−Ga2O3からなるナノ粒子は、γ−β−Ga2O3からなるナノ粒子に比べて有用性が高いと考えられる。
2−プロパノールに硝酸ガリウムを溶解してGaイオン濃度が0.04mol/Lの溶液を調製し、その溶液を耐熱耐圧容器に2mL入れて密封し、所定温度で所定時間保持した。その後、耐熱耐圧容器から溶液を回収し、9600×g、15分間、4℃で遠心分離を行った。次に、分離された固体生成物(Ga2O3からなるナノ粒子)を取り出し、X回折装置により結晶相、結晶子サイズの分析を行った。また、走査型電子顕微鏡によりナノ粒子を観察し、粒子径、粒子形状の分析を行った。
図1は、生成したナノ粒子の回折X線強度を示したグラフである。図1(a)は反応温度が220℃、図1(b)は反応温度が350℃、図1(c)は反応温度が400℃の場合である。また、図1には、α−Ga2O3、β−Ga2O3、γ−Ga2O3、GaO(OH)それぞれの回折強度も示しており、これらの強度ピーク位置との比較からナノ粒子の同定を行った。
図1(a)のように、反応温度が220℃の場合、反応時間30分ではGa2O3は生成しておらず、反応時間12時間、24時間ではγ−Ga2O3が生成し、他の結晶相のGa2O3は生成していなかった。つまり、反応温度が220℃では、反応時間がいずれの場合であってもβ−Ga2O3は生成していなかった。
また、図1(b)のように、反応温度が350℃の場合、反応時間10分、20分ではγ−Ga2O3が生成し、反応時間30分、40分、50分、1時間では、β−Ga2O3とγ−Ga2O3が生成し、反応時間12時間ではβ−Ga2O3が生成していてγ−Ga2O3は生成していなかった。よって、反応温度350℃では、反応時間が30分以上でβ−Ga2O3が生成することがわかり、反応時間が長くなるほどβ−Ga2O3の割合が大きくなることが推察される。
また、図1(c)のように、反応温度が400℃の場合、反応時間10分、20分では、γ−Ga2O3が生成し、反応時間30分、40分、50分、1時間では、β−Ga2O3とγ−Ga2O3が生成し、反応時間12時間では、β−Ga2O3が生成していてγ−Ga2O3は生成していなかった。よって、反応温度が400℃では、反応時間が30分以上でβ−Ga2O3が生成することがわかり、反応時間が長くなるほどβ−Ga2O3の割合が大きくなることが推察される。
反応温度と反応時間を変えてナノ粒子の結晶相を解析し、β−Ga2O3の生成の有無と反応温度および反応時間との関係をまとめると、図2のようになった。図2中、○はβ−Ga2O3が生成していた場合、×はβ−Ga2O3が生成しておらず、γ−Ga2O3のみが生成していた場合を示している。
図2のように、反応時間が20分以下では、ナノ粒子はγ−Ga2O3からなり、β−Ga2O3は含まれていなかった。一方、反応時間が30分以上では、β−Ga2O3が含まれていた。このことから、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成するためには、反応時間を30分以上とする必要があることがわかった。
また、図2のように、反応温度が300℃以下では、ナノ粒子はγ−Ga2O3からなり、β−Ga2O3は含まれていなかった。一方、反応温度が350℃以上では、β−Ga2O3が含まれていた。このことから、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成するためには、反応温度を350℃以上とする必要があることがわかった。
(比較例1)
溶媒を2−プロパノールから水に替え、Gaイオン濃度が0.1mol/Lの溶液を調製し、それ以外は実施例1と同様にしてナノ粒子の合成を行った。反応温度は500℃とし、反応時間は30分、24時間とした。
溶媒を2−プロパノールから水に替え、Gaイオン濃度が0.1mol/Lの溶液を調製し、それ以外は実施例1と同様にしてナノ粒子の合成を行った。反応温度は500℃とし、反応時間は30分、24時間とした。
図3は、ナノ粒子の回折X線強度を示したグラフである。反応時間30分、24時間のいずれの場合も、γ−Ga2O3が生成し、他の結晶相のGa2O3は生成しなかった。つまり、溶媒が水ではβ−Ga2O3を合成できないことがわかった。
図4は、実施例1および比較例1により生成したナノ粒子のSEM像である。図4(a)は、溶媒として2−プロパノールを用い、反応温度350℃、反応時間10分とした場合である。このような条件では、図1(b)のように、γ−Ga2O3からなるナノ粒子が生成しており、粒子径が数10nmの粒子状であり、その形状は凹凸の多い複雑な形状であった。
図4(b)は、溶媒として2−プロパノールを用い、反応温度350℃、反応時間12時間とした場合である。このような条件では、図1(b)のように、β−Ga2O3からなるナノ粒子が生成しており、粒子径が数10nmの球状の粒子であった。
図4(c)は、溶媒として水を用い、反応温度500℃、反応時間12時間とした場合である。このような条件では、図3のように、γ−Ga2O3からなるナノ粒子が生成しており、粒子はロッド状の形状であった。
図5は、回折X線強度により評価した結晶子サイズと反応時間との関係を示したグラフである。図5のように、反応温度が高いほど、反応時間が長くなるほど、結晶子サイズが大きくなる傾向にあった。
図6は、SEM像により評価した平均粒子径と反応時間との関係を示したグラフである。図6のように、反応温度が350℃では、反応時間によって平均粒子径はあまり変化しなかったが、反応温度が400℃では、反応時間が長くなるほど平均粒子径が大きくなる傾向にあった。また、図5、6から、結晶子サイズは平均粒子径の1/2程度であることがわかった。
溶媒を水と2−プロパノールを1:1の割合で混合したものに替え、Gaイオン濃度が0.07mol/Lの溶液を調製し、それ以外は実施例1と同様にしてナノ粒子の合成を行った。反応温度は400℃、反応時間は12時間とした。
図7は、生成したナノ粒子の回折X線強度のグラフである。図7のように、β−Ga2O3とγ−Ga2O3が生成していることがわかった。実施例1と実施例2から、β−Ga2O3の合成には、2−プロパノールを単体で用いることは必要でなく、2−プロパノールを含むことが必要であることがわかった。
溶媒を水、2−メトキシエタノール、1,4−ブタンジオール、メタノール、エタノール、1−ブタノール、2−プロパノールのいずれかとし、実施例1と同様にしてナノ粒子の合成を行った。反応温度は300℃、350℃、400℃、500℃とし、反応時間は1時間とした。
図8は、β−Ga2O3の生成の有無と反応温度および溶媒の種類との関係をまとめた図である。○、×の意味は図2と同様である。
図8のように、溶媒が2−メトキシエタノールや1,4−ブタンジオールではβ−Ga2O3が生成せず、メタノール、エタノール、1−ブタノール、2−プロパノールではβ−Ga2O3が生成した。メタノール、エタノール、1−ブタノール、2−プロパノールは1価アルコールである。
溶媒が1,4−ブタンジオールではβ−Ga2O3が生成しなかったことから、β−Ga2O3の生成には溶媒が1価アルコールであることが必要であり、2価以上のアルコールではβ−Ga2O3は生成しないと推察される。
また、溶媒が2−メトキシエタノールではβ−Ga2O3が生成しなかったことから、β−Ga2O3の生成には溶媒の主鎖に酸素が含まれないことが必要であると推察される。
よって、β−Ga2O3の生成には、溶媒が1価アルコールであることが必要であると推察される。
また、反応時間経過後の溶液の色は、溶媒がメタノール、エタノール、1−ブタノール、2−プロパノールの場合には透明であったのに対し、溶媒が2−メトキシエタノールや1,4−ブタンジオールの場合には黒色であった。このことから、β−Ga2O3の生成には溶媒の熱的安定性が影響しているものと推察される。
β−Ga2O3からなるナノ粒子は、半導体デバイス、触媒、透明導電性フィルムなどに利用することができる。
Claims (6)
- ソルボサーマル法によるβ−Ga2O3からなるナノ粒子の製造方法であって、
1価アルコールを含む溶媒を用い、Gaイオンを含む溶液を調製し、前記溶液を350℃以上で30分以上保持することで、β−Ga2O3からなるナノ粒子を形成する、
ことを特徴とするナノ粒子の製造方法。 - 前記1価アルコールは、飽和脂肪族アルコールである、ことを特徴とする請求項1に記載のナノ粒子の製造方法。
- 前記1価アルコールは、炭素数が4以下である、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のナノ粒子の製造方法。
- 前記溶液は温度400℃以上に保持する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のナノ粒子の製造方法。
- 前記溶液は1時間以上保持する、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のナノ粒子の製造方法。
- 前記ナノ粒子は球状であり、平均粒子径は40〜80nm、結晶子サイズは20〜50nmである、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のナノ粒子の製造方法。
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Cited By (1)
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CN114408970A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-29 | 重庆邮电大学 | 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品 |
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2019
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CN114408970A (zh) * | 2022-01-25 | 2022-04-29 | 重庆邮电大学 | 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品 |
CN114408970B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-07-18 | 重庆邮电大学 | 一种中空介孔的碳掺杂三氧化二镓纳米球的制备方法及其产品 |
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