JP2021022557A - 気密端子 - Google Patents
気密端子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021022557A JP2021022557A JP2020106724A JP2020106724A JP2021022557A JP 2021022557 A JP2021022557 A JP 2021022557A JP 2020106724 A JP2020106724 A JP 2020106724A JP 2020106724 A JP2020106724 A JP 2020106724A JP 2021022557 A JP2021022557 A JP 2021022557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer ring
- metal outer
- glass
- airtight terminal
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
Abstract
【課題】高放熱、大電流、高気密の全てに適合した気密端子を提供する。【解決手段】少なくとも1個の貫通孔11を有した銅または銅合金からなる低抵抗導体の金属外環12と、この金属外環12の貫通孔11に挿通した銅または銅合金からなる低抵抗導体のリード13と、金属外環12とリード13とを封着する高膨張ガラスの絶縁材14を備えたことを特徴とする。該絶縁材14は、金属外環12とリード13とに接した界面の遷移領域のガラス中に銅イオンの拡散帯15を有する。高膨張ガラスは、熱膨張係数17±6ppm/Kの範囲のものが利用できる。【選択図】図1
Description
本発明は、金属外環およびリードに銅を用いた気密端子に関する。
気密端子は、金属外環の挿通孔に絶縁材を介してリードを気密に封着したもので、気密容器内に収容された電気機器や素子に電流を供給したり、電気機器や素子から信号を外部に導出したりする場合に用いられる。特に金属外環とリードを絶縁ガラスで封着するGTMS(Glass−to−Metal−Seal)タイプの気密端子は、整合封止型と圧縮封止型の2種類に大別される。前述の気密端子において信頼性の高い気密封止を確保するには、外環およびリードの金属材と絶縁ガラスの熱膨張係数を適正に選択することが重要となる。封止用の絶縁ガラスは、金属外環とリードの素材、要求温度プロファイルおよびその熱膨張係数によって決定されている。整合封止の場合、金属材と絶縁ガラスの熱膨張係数が可能な限り一致するように封止素材を選定する。一方、圧縮封止は、金属外環が絶縁ガラスおよびリードを圧縮するように意図的に異なる熱膨張係数の金属材と絶縁ガラスの材料が選択されている。
従来の気密端子は高い気密信頼性ならびに電気絶縁性を確保するため、整合封止型気密端子においては、金属外環およびリード材に広い温度範囲でガラス材と熱膨張係数が一致しているコバール合金(Fe54%、Ni28%、Co18%)を使用して、両者をホウケイ酸ガラスからなる絶縁ガラスで封着し、圧縮封止型気密端子においては、使用温度範囲においてガラスに同心円状の圧縮応力が加わるように、炭素鋼またはステンレス鋼などの鋼製の金属外環と、鉄ニッケル合金(Fe50%、Ni50%)や鉄クロム合金(Fe72%、Cr28%)などの鉄合金のリード材を使用して、両者をソーダバリウムガラスからなる絶縁ガラスで封着していた。
昨今、特に車の電動化や電車の高速化が進むにつれて、高出力用途のSiC素子を使ったパワーデバイスの開発が活発であるが、これまで高放熱、大電流、高気密の全てに対応したパッケージがなく、その特性を生かせない状況にあった。一方、気密端子の電流容量を大きくするために、銅やアルミニウムなどの低抵抗導体からなる比較的大線径のリードを用いることできれば便利である。しかし、これら低抵抗導体は熱膨張率が大きく、これをより熱膨張率の小さいホウ珪酸ガラスやソーダライムガラスの絶縁ガラスで封止すると、低抵抗導体リードの膨張と収縮に伴い半径方向に引張り応力が生じ、その結果シール界面またはリード軸方向にガラス内部を貫通するクラックが発生しリーク不良となり易いという欠点があった。
本発明の目的は、高放熱、大電流、高気密の全てに適合した金属外環およびリードに銅などの低抵抗金属を用いた気密端子を提供することにある。
本発明によれば、少なくとも1個の貫通孔を有した銅または銅合金からなる低抵抗導体の金属外環と、この金属外環の貫通孔に挿通した銅または銅合金からなる低抵抗導体のリードと、金属外環とリードとを封着する高膨張ガラスの絶縁材を備えたことを特徴とした気密端子が提供される。該絶縁材は、低抵抗導体と前記絶縁材とが接した界面の遷移領域のガラス中に低抵抗導体イオンの拡散帯を有する。上記拡散帯は、銅または銅合金の表面に対して高膨張ガラスの密着性を増し界面強度向上させる。
本発明の高膨張ガラスは、熱膨張係数17±6ppm/Kの範囲のものが利用でき銅の熱膨張係数17ppm/Kと整合している。また、銅は鋼材よりも融点が低く、ガラス封着温度が900℃以上の高温で封着すると結晶粒が肥大化し、いわゆる焼鈍状態となって機械的強度が低下してしまう恐れがあり、できる限り低温封着するのが望ましい。
本発明に係る気密端子10は、図1に示すように、少なくとも1個の貫通孔11を有した銅または銅合金からなる低抵抗導体の金属外環12と、この金属外環12の貫通孔11に挿通した銅または銅合金からなる低抵抗導体のリード13と、金属外環12とリード13とを封着する高膨張ガラスの絶縁材14を備えたことを特徴とする。該絶縁材14は、金属外環12とリード13とに接した界面の遷移領域のガラス中に銅イオンの拡散帯15を有する。上記拡散帯15は、銅または銅合金の表面に対して高膨張ガラスの密着性を増し界面強度向上させる。
本発明の高膨張ガラスは、熱膨張係数17±6ppm/Kの範囲のものが利用できる。例えば、リン酸系ガラスが銅の熱膨張係数17ppm/Kと整合し利用できる。また、銅は鉄または鋼材よりも比較的融点が低く、ガラス封着温度が900℃以上の高温で封着すると結晶粒が肥大化し、いわゆる焼鈍状態となって機械的強度が低下してしまう恐れがあり、できる限り低温封着するのが望ましい。
本発明に係る実施例1の気密端子は、3個の貫通孔を有した銅の金属外環と、この金属外環の貫通孔に挿通した銅のリードと、金属外環とリードとをリン酸系ガラスからなる熱膨張係数15.9ppm/Kの高膨張ガラスの絶縁材とを備えたことを特徴とした整合封止型気密端子が提供される。該絶縁材は、金属外環とリードとに接した界面の遷移領域のガラス中に銅イオンの拡散帯を有する。この拡散帯は、図2の封着断面20に示すように、拡散帯25は、ガラス材からなる絶縁材24中において銅リード23と絶縁材24との界面領域に形成されており、薄いピンク色から赤色ないし深赤色(ルビー色)の着色を呈した第一銅イオン由来の拡散物から構成される。銅の金属外環に銅のリードをガラス材で封着する場合、前記拡散帯25が形成されると界面の機械的強度が向上でき、十分な密着と濡れが得られ気密性の確保が可能となる。
本発明に係る実施例1は、封着後さらに金属外環およびリードの露出表面にニッケル、ニッケル燐、ニッケルボロン、金めっきなど所望の仕上げめっきを施したものも利用できる。実施例に記載の絶縁材は、銅の熱膨張係数17ppm/Kと整合した高膨張ガラス材であればよく、リン酸系ガラスに替えて他の任意のガラス材を用いてもよい。
本発明は、特に高電圧・高電流に耐久し、かつ高い気密性が要求される気密端子に利用できる。
気密端子10、貫通孔11、金属外環12、リード13、絶縁材14、拡散帯15、気密端子リードの封着断面20、リード23、絶縁材24、拡散帯25。
Claims (8)
- 少なくとも1個の貫通孔を有した銅または銅合金の金属外環と、この金属外環の前記貫通孔に挿通した低抵抗導体のリードと、前記金属外環と前記リードとを封着する高膨張ガラスの絶縁材を備え、
前記絶縁材は、前記金属外環と前記リードとに接した界面の遷移領域のガラス中に銅イオンの拡散帯を有する気密端子。 - 前記拡散帯は、薄いピンク色ないし深赤色を呈する請求項1に記載の気密端子。
- 前記拡散帯は、第一銅イオン由来の拡散物からなる請求項1または請求項2に記載の気密端子。
- 前記絶縁材は、熱膨張係数が17±6ppm/Kの範囲のものを用いた請求項1ないし請求項3の何れか1つに記載の気密端子。
- 前記絶縁材は、リン酸系ガラスからなる請求項1ないし請求項4の何れか1つに記載の気密端子。
- 前記絶縁材は、封着温度が900℃未満で封着可能なガラス材である請求項5に記載の気密端子。
- 前記金属外環および前記リードの露出表面にめっきを施した請求項1ないし請求項6の何れか1つに記載の気密端子。
- 前記めっきは、ニッケル、ニッケル燐、ニッケルボロン、金めっきの少なくとも何れか1つからなる請求項7に記載の気密端子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019136209 | 2019-07-24 | ||
JP2019136209 | 2019-07-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021022557A true JP2021022557A (ja) | 2021-02-18 |
Family
ID=74574841
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020106724A Withdrawn JP2021022557A (ja) | 2019-07-24 | 2020-06-22 | 気密端子 |
JP2020106768A Active JP7282059B2 (ja) | 2019-07-24 | 2020-06-22 | 気密端子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020106768A Active JP7282059B2 (ja) | 2019-07-24 | 2020-06-22 | 気密端子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2021022557A (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603360C2 (de) * | 1976-01-29 | 1978-02-23 | Endress U. Hauser Gmbh U. Co, 7867 Maulburg | Elektrisch isolierte Durchführung |
JPS5519761A (en) * | 1978-07-28 | 1980-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method of manufacturing insulated terminal |
US4493378A (en) * | 1981-07-16 | 1985-01-15 | Kyle James C | Terminal assembly |
JPS6220267A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | 三菱電機株式会社 | 気密絶縁端子 |
JPS6240182A (ja) * | 1985-08-16 | 1987-02-21 | 三菱電機株式会社 | 気密絶縁端子 |
JP6290154B2 (ja) | 2015-10-28 | 2018-03-07 | ショット日本株式会社 | 気密端子 |
JP6385010B2 (ja) | 2015-12-15 | 2018-09-05 | ショット日本株式会社 | 気密端子 |
JP2018181721A (ja) | 2017-04-19 | 2018-11-15 | ショット日本株式会社 | 気密端子 |
-
2020
- 2020-06-22 JP JP2020106724A patent/JP2021022557A/ja not_active Withdrawn
- 2020-06-22 JP JP2020106768A patent/JP7282059B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021022558A (ja) | 2021-02-18 |
JP7282059B2 (ja) | 2023-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3020454A (en) | Sealing of electrical semiconductor devices | |
US3685005A (en) | Hermetically sealed connector | |
US4453033A (en) | Lead grounding | |
US2458748A (en) | Hermetic seal for electric terminals and the like | |
US2555877A (en) | Glass-to-metal seal | |
JP2019149304A (ja) | 密封端子 | |
CN111480266B (zh) | 气密端子 | |
WO2021015049A1 (ja) | 気密端子 | |
JP2021022557A (ja) | 気密端子 | |
US3535099A (en) | Method of forming a hermetic enclosure for electronic devices | |
US4163656A (en) | Method of manufacturing a lead-through of a metal element through a ceramic component by means of sealing | |
US3637917A (en) | Hermetic high-current therminal for electronic devices | |
US3039175A (en) | Sealing of electrical semiconductor devices | |
US3068382A (en) | Hermetically sealed semiconductor devices | |
JP4851287B2 (ja) | 半導体装置用気密端子 | |
JP6633414B2 (ja) | 気密端子及びその製造方法 | |
JP7325214B2 (ja) | 気密端子 | |
US10847288B2 (en) | High fidelity feedthrough system | |
JP6809989B2 (ja) | 気密端子及びその製造方法 | |
US3344386A (en) | Contact connection for wire-shaped heating elements | |
JP2020181720A (ja) | サージ防護素子及びその製造方法 | |
JPS58218780A (ja) | 気密端子 | |
KR800002105Y1 (ko) | 기밀(氣密)단자 | |
KR830000962B1 (ko) | 기밀단자(氣密端子) | |
JP2011192681A (ja) | 光半導体装置用気密端子及び光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20220217 |