JP2021018956A - 透明導電体及び有機デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
(実施例1)
図1に示すような積層構造を有する透明導電体を作製した。透明導電体は、透明基材、第1の金属酸化物層、金属層、及び第2の金属酸化物層が、この順で積層された積層構造を有していた。この透明導電体を以下の要領で作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を6.5体積%にしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を8.7体積%にしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を10.9体積%にしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を2.2体積%にしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を、13体積%にしたこと以外は実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率を1.1体積%にしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際、酸素ガスを混合せず、アルゴンガスのみを用いたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
第2の金属酸化物層をDCマグネトロンスパッタリングで形成する際、チャンバー内の排気の時間を実施例1よりも短くしてスパッタリングの際のH2O分圧を高くしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電体を作製した。つまり、スパッタリングの際のチャンバー内の圧力は実施例1と同じ0.5Paとしたが、H2O分圧は0.1Paを超えていた。
<仕事関数の測定>
作製した透明導電体の第2の金属酸化物層の表面における仕事関数を、光電子分光装置(理研計器株式会社製、商品名:FAC−1)を用いて測定した。測定結果を表1の「仕事関数」の欄に示す。
第2の金属酸化物層の表面のX線回折測定を行った。測定には、マルバーン・パナリティカル製のX線回折装置(装置名:EMPYREAN、CuKα線)を用いた。測定した回折角(2θ)の範囲は、20〜65°とした。2θ=30°付近に検出されるITOの(222)面に由来する回折ピークの高さを、ピーク強度I1とした。また、2θ=35°付近に検出されるITOの(400)面に由来する回折ピークの高さをピーク強度I2とした。また、2θ=50°付近に検出されるITOの(440)面に由来する回折ピークの高さをピーク強度I3とした。また、2θ=40°の回折ピークの高さを、基準のピーク強度Isとした。これらの結果を表1に示す。
結晶子のサイズ(nm)=Kλ/βcosθ
各実施例及び各比較例の透明導電体を塩鉄系エッチング液に浸漬させ、第2の金属酸化物層が完全に溶解する時間を測定した。この時間が10秒間以上の場合を「A」、5秒間から10秒間の場合を「B」、5秒間未満の場合を「C」と判定とした。評価結果を表1に示す。結晶性が低い場合、溶解に要する時間が短くなり、エッチング量を精密に制御することが難しくなる。
各実施例及び各比較例において透明導電体の第2の金属酸化物層を作製したときと同じ方法で、市販のポリエチレンテレフタレートフィルム(厚さ:125μm)の表面上にITOで構成される金属酸化物層を形成した。このようにして得られた金属酸化物層の体積抵抗率を、4端子抵抗率計(商品名:ロレスタGP、三菱化学株式会社製)を用いて表面抵抗値を測定した。この表面抵抗値とITO層の厚みから体積抵抗率を算出した。結果を表1の「体積抵抗率」の欄に示す。
実施例1において透明導電体の第2の金属酸化物層を作製したときと同様の方法で、市販のPENフィルム(厚さ:100μm)の表面上にITOで構成される金属酸化物層を形成した。ただし、DCマグネトロンスパッタリングで金属酸化物層を形成する際のアルゴンガスに対する酸素ガスの流量比率は、0.7体積%とした。実施例1と同様にして、金属酸化物層の評価を行った。結果は表2に示すとおりであった。
参考例1の金属酸化物層を150℃、60分間、大気下でアニールした。実施例1と同様にして、アニール後の金属酸化物層の評価を行った。結果は表2に示すとおりであった。
Claims (6)
- 透明基材と、第1の金属酸化物層と、銀合金を含む金属層と、第2の金属酸化物層と、をこの順で備え、
前記第2の金属酸化物層がITOで構成されており、
前記第2の金属酸化物層の表面のX線回折で検出される2θ=40°のピーク強度Isに対する、ITOの(222)面のピーク強度I1の比が40以上である、透明導電体。 - 前記ピーク強度I1が、前記X線回折で検出されるITOの(400)面のピーク強度I2よりも大きい、請求項1に記載の透明導電体。
- 前記第2の金属酸化物層の体積抵抗率が32Ω・cm以下である、請求項1又は2に記載の透明導電体。
- 前記第2の金属酸化物層の表面における仕事関数が5.0eV以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電体。
- 前記第2の金属酸化物層を構成するITOの(222)面のピークから求められる結晶子のサイズが15nm以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の透明導電体。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の透明導電体を備える有機デバイス。
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WO2023042847A1 (ja) * | 2021-09-17 | 2023-03-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電層、透明導電性フィルムおよび物品 |
WO2023112716A1 (ja) * | 2021-12-15 | 2023-06-22 | 尾池工業株式会社 | 透明導電性フィルム |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019044896A1 (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | Tdk株式会社 | 透明導電体及び有機デバイス |
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