JP2021013007A5

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Publication number: JP2021013007A5
Application number: JP2020014220A
Authority: JP
Filing date: 2020-01-30
Publication date: 2022-05-20
Anticipated expiration: 2040-01-30

Claims

互いに対向する第１面及び第２面を有するガリウム系半導体を用意するステップと、
互いに対向する第１面及び第２面を有するダイヤモンド基板を用意するステップと、
前記ガリウム系半導体の第２面及び前記ダイヤモンド基板の第１面を表面活性化接合法により接合するステップと、
を備える、
半導体デバイスの製造方法。
前記ガリウム系半導体の第１面及び前記ダイヤモンド基板の第２面それぞれに電極を形成するステップを更に備え、
前記ガリウム系半導体は、ｎ型にドーピングされており、
前記ダイヤモンド基板は、ｐ型にドーピングされている、
請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
表面活性化接合法により、前記ダイヤモンド基板の第２面にヒートシンクを接合するステップを更に備える、
請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
前記ヒートシンクは、アルミニウム又は銅により形成されている、
請求項３に記載の半導体デバイスの製造方法。
前記ガリウム系半導体は、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、又は酸化ガリウムにより構成される、
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
前記ガリウム系半導体を用意するステップは、
シリコン、サファイア、炭化ケイ素、又は窒化ガリウムにより構成された基板を用意するステップ、及び
用意された前記基板上に前記ガリウム系半導体を結晶成長により生成するステップ、
を備え、
前記半導体デバイスの製造方法は、前記ガリウム系半導体の第２面及び前記ダイヤモンド基板の第１面を接合した後に、前記基板を除去するステップを更に備える、
請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
前記ダイヤモンド基板は、単結晶ダイヤモンドにより形成されている、
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。
互いに対向する第１面及び第２面を有するダイヤモンド基板と、
互いに対向する第１面及び第２面を有するガリウム系半導体であって、当該ガリウム系半導体の第２面が前記ダイヤモンド基板の第１面に直接的に接合した、ガリウム系半導体と、
を備える、
半導体デバイス。
前記ガリウム系半導体の第１面上に形成された第１電極と、
前記ダイヤモンド基板の第２面上に形成された第２電極と、
を更に備え、
前記ガリウム系半導体は、ｎ型にドーピングされており、
前記ダイヤモンド基板は、ｐ型にドーピングされている、
請求項８に記載の半導体デバイス。
前記ダイヤモンド基板の第２面に直接的に接合したヒートシンクを更に備え、前記ヒートシンクと前記ダイヤモンド基板の第２面との間にダイヤモンドとヒートシンクの材料とを含む混合層が形成されている、
請求項８に記載の半導体デバイス。
前記ガリウム系半導体は、窒化アルミニウムガリウム、窒化ガリウム、又は酸化ガリウムにより構成される、
請求項８から１０のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
前記ダイヤモンド基板は、単結晶ダイヤモンドにより形成されている、
請求項８から１１のいずれか１項に記載の半導体デバイス。