JP2021010080A5

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Publication number: JP2021010080A5
Application number: JP2019122101A
Authority: JP
Filing date: 2019-06-28
Publication date: 2022-07-04
Anticipated expiration: 2039-06-28

Claims

受光画素、第１遮光画素および第２遮光画素を有する撮像装置であって、
前記第１遮光画素は、第１転送トランジスタを含み、
前記第２遮光画素は、第２転送トランジスタを含み、
前記第１転送トランジスタのソースの不純物濃度が前記第２転送トランジスタのソースの不純物濃度より低く、
前記第１遮光画素は、第１素子分離構造を有し、前記第２遮光画素は、前記第１素子分離構造とは異なる第２素子分離構造を有し、
前記第１遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積が、前記第２遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積と異なる、
ことを特徴とする撮像装置。
前記受光画素は、第３転送トランジスタを含み、
前記第１転送トランジスタのソースの不純物濃度と前記第２転送トランジスタのソースの不純物濃度との差が、前記第３転送トランジスタのソースの不純物濃度と前記第２転送トランジスタのソースの不純物濃度との差より大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
前記受光画素は、第３転送トランジスタと、を含み、
前記第３転送トランジスタのソースの不純物濃度が前記第２転送トランジスタのソースの不純物濃度と同じである、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
前記受光画素は、前記第２素子分離構造と同じ構造を有する第３素子分離構造を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１遮光画素から出力されるノイズが前記第２遮光画素から出力されるノイズより小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積が前記第２遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１遮光画素における半導体領域の体積が前記第２遮光画素における半導体領域の体積より大きい、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造は、絶縁体を含まず、前記第２素子分離構造は、絶縁体を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造は、第１絶縁体を含み、前記第２素子分離構造は、前記第１絶縁体とは形状が異なる第２絶縁体を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造と前記第２素子分離構造とは、ＤＴＩ（ＤｅｅｐＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）の構造が互いに異なる、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造と前記第２素子分離構造とは、ＳＴＩ（ＳｈａｌｌｏｗＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）の構造が互いに同じである、
ことを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造は、互いに隣接する前記第１遮光画素を分離する第１素子分離を含み、前記第２素子分離構造は、互いに隣接する前記第２遮光画素を分離する第２素子分離を含み、前記第１素子分離と前記第２素子分離とが互いに異なる構造を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１素子分離構造は、前記第１遮光画素における複数の素子を相互に分離する第１素子分離を含み、前記第２素子分離構造は、前記第２遮光画素における複数の素子を相互に分離する第２素子分離を含み、前記第１素子分離と前記第２素子分離とが互いに異なる構造を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１転送トランジスタの前記ソースの不純物濃度が前記第１転送トランジスタのドレインの不純物濃度より低く、前記第２転送トランジスタの前記ソースの不純物濃度が前記第２転送トランジスタのドレインの不純物濃度より高い、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
受光画素、第１遮光画素および第２遮光画素を有する撮像装置であって、
前記第１遮光画素の出力に応じた信号と前記第２遮光画素の出力に応じた信号とに基づいて前記受光画素の出力に応じた信号を処理する処理部を備え、
前記第１遮光画素は、第１素子分離構造を含み、前記第２遮光画素は、前記第１素子分離構造とは異なる構造を有する第２素子分離構造を含み、前記第１遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積が、前記第２遮光画素における半導体領域と絶縁体との界面の面積と異なる、
ことを特徴とする撮像装置。
前記第１遮光画素は、第１転送トランジスタを含み、
前記第２遮光画素は、第２転送トランジスタを含み、
前記第１転送トランジスタのソースの不純物濃度が前記第２転送トランジスタのソースの不純物濃度より低い、
ことを特徴とする請求項１５に記載の撮像装置。
前記処理部は、前記第１遮光画素の出力に応じた信号と前記第２遮光画素の出力に応じた信号との差に基づいて、前記受光画素の出力に応じた信号を処理するために用いられる信号を決定する、
ことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の撮像装置。
前記受光画素、前記第１遮光画素および前記第２遮光画素は、第１半導体チップに搭載され、前記処理部は、第２半導体チップに搭載されている、
ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の撮像装置。
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとが積層されている、
ことを特徴とする請求項１８に記載の撮像装置。
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面に光学像を形成する光学装置、および
前記撮像装置で得られた情報を表示する表示装置の少なくとも一方と、
を備えることを特徴とする機器。