JP2020532746A - 交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ - Google Patents

交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ Download PDF

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Abstract

【課題】交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサを提供する。【解決手段】回転子基板(2)と固定子基板(1)を備え、回転子基板(2)の下表面には反射電極I(2−2)、検知電極(2−1)及び反射電極II(2−3)が設けられ、反射電極I、II(2−2、2−3)はそれぞれ検知電極(2−1)に連結され、固定子基板(1)の上表面には受信電極I(1−2)、励起電極(1−1)及び受信電極II(1−3)が設けられ、励起電極(1−1)の四つの経路の励起相はそれぞれ4種の励起信号に接続され、受信電極I(1−2)は第1経路の精密正弦進行波信号を出力し、受信電極II(1−3)は第2経路の精密正弦進行波信号を出力し、第1経路又は第2経路の精密正弦進行波信号を利用して対向電極の粗位置値を算出し、第1経路又は第2経路の精密正弦進行波信号を利用して精密角変位値を算出し、精密角変位値と対向電極の粗位置値とを組み合わせて絶対角変位値を得る。当該センサは絶対角変位の測定を可能にすると共に、アプリケーションの範囲が拡大し、産業現場への適応性が高まる。【選択図】図1

Description

本発明は精密角変位センサに関し、具体的には交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサに関する。
従来の精密変位測定においては、主に光グレーティング、磁気グレーティング及び静電容量グレーティング等のグレーティングセンサが用いられており、その測定基準は、空間を等分する周期性グリッド線を用いるものであり、グリッド線をカウントして角変位量を得ている。測定精度及び分解能を高めるために、これらのグレーティングセンサは精密標線を用い且つ高精度な電子セグメンテーション技術に頼る必要があり、複雑で厳密な標線プロセスと電子セグメント回路を要することから、センサの製造コストが高く、抗ノイズ性に劣っていた。近年、クロックパルスを変位測定の基準とするタイムグレーティングセンサが開発され、これを基礎として、電界式タイムグレーティング角変位センサ(中国特許文献CN103968750A)も開発されているが、この種のセンサは高周波クロックパルスを測定の基準とし、平行平板コンデンサで交番電界を形成して変位測定を行っているため、精密な測定が可能であるが、(1)累積加算式計数法を用いるため、累計誤差が存在し且つ角変位量は1周期内のみしか測定できない、(2)検知信号は回転子基板上の回転子電極から出力され、回転子基板には信号出力線を引く必要があり、使用できなくなる場合もあり、アプリケーションの範囲が狭い、と言う課題があった。
本発明は、絶対角変位量の測定を実現するとともに、アプリケーションの範囲を拡大した交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサを提供することを目的とする。
本発明は、交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサであって、固定子基板及び固定子基板と同軸に取付けられる回転子基板(2)を含み、回転子基板の下表面と固定子基板の上表面とは正対して平行であり、且つ隙間を有し、回転子基板の下表面には検知電極が設けられ、固定子基板の上表面には検知電極に正対する励起電極が設けられ、前記励起電極は径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片を円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってA励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってB励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってC励磁相を構成し、第4n+4扇環形極片は一組に繋がってD励磁相を構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは励起電極の対向電極の数を表す。
前記固定子基板の上表面には差動式の受信電極I及び差動式の受信電極IIが設けられ、受信電極Iは励起電極の外側に位置し、受信電極IIは励起電極の内側に位置し、前記回転子基板の下表面には受信電極Iに正対する反射電極I及び受信電極IIに正対する反射電極IIが設けられ(即ち、反射電極Iは検知電極の外側に位置し、反射電極IIは検知電極の内側に位置する)、前記検知電極は環を同一とする双余弦形極片を円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、当該双余弦形極片の径方向の高さは前記扇環形極片の径方向の高さよりも低く、その内、第4n+1双余弦形極片は一組に繋がってA検知ユニットを構成し、第4n+2双余弦形極片は一組に繋がってB検知ユニットを構成し、第4n+3双余弦形極片は一組に繋がってC検知ユニットを構成し、第4n+4双余弦形極片は一組に繋がってD検知ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは検知電極の対向電極の数を表し、前記反射電極IはA反射ユニット、B反射ユニット、C反射ユニット及びD反射ユニットを備え、A、B、C、D反射ユニットは、それぞれ対応するA、B、C、D検知ユニットに接続され、前記反射電極IIはA反射ユニット、B反射ユニット、C反射ユニット及びD反射ユニットを備え、A、B、C、D反射ユニットは、それぞれ対応するA、B、C、D検知ユニットに接続される。
測定の際、回転子基板と固定子基板は相対的に平行に回転し、固定子基板のA、B、C、D励磁相の各々に対して順に位相差90°の四つの等周波数、等振幅の正弦波励起電圧を印加し、励起信号は励起電極と検知電極との間の一次電界結合を経て、位相差90°の等周波数、等振幅の4本の電波信号を発生させ、この4本の電波信号は反射電極Iと受信電極I及び反射電極IIと受信電極II間との間の二次電界結合を経て、受信電極Iに位相差180°の等周波数、等振幅の第1進行波信号、第2進行波信号を発生させ、受信電極IIに位相差180°の等周波数、等振幅の第3進行波信号、第4進行波信号を発生させ、第1進行波信号及び第2進行波信号は減算回路によって第1経路の精密正弦進行波信号へと合成され、第3進行波信号及び第4進行波信号は減算回路によって第2経路の精密正弦進行波信号へと合成され、第1経路の精密正弦進行波信号又は第2経路の精密正弦進行波信号を処理することで精密角変位値(即ち、対向電極内角変位値)を得、第1経路の精密正弦進行波信号及び第2経路の精密正弦進行波信号は位相比較され、位相差処理することで対向電極の粗位置値を得、精密角変位値と対向電極の粗位置値とを組み合わせて絶対角変位値を得る。
前記検知電極の双余弦形極片が円周方向に沿って配置展開された後の形状は、等振幅且つ位相差180°の二つの余弦曲線を[−π,π]区間で囲んでなる全密閉軸対象図形である。
前記励起電極の隣り合う二つの扇環形極片間の間隔の中心角は、一つの扇環形極片の中心角に等しい。
前記反射電極Iは、径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片Iを円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片Iは一組に繋がって前記A反射ユニットを構成し、第4n+2扇環形極片Iは一組に繋がって前記B反射ユニットを構成し、第4n+3扇環形極片Iは一組に繋がって前記C反射ユニットを構成し、第4n+4扇環形極片Iは一組に繋がって前記D反射ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは反射電極Iの対向電極の数を表し、A反射ユニットはA検知ユニットに繋がり、B反射ユニットはB検知ユニットに繋がり、C反射ユニットはC検知ユニットに繋がり、D反射ユニットはD検知ユニットに繋がる。
反射電極IIは、径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片IIを円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片IIは一組に繋がって前記A反射ユニットを構成し、第4n+2扇環形極片IIは一組に繋がって前記B反射ユニットを構成し、第4n+3扇環形極片IIは一組に繋がって前記C反射ユニットを構成し、第4n+4扇環形極片IIは一組に繋がって前記D反射ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは反射電極IIの対向電極の数を表し、A反射ユニットはA検知ユニットに繋がり、B反射ユニットはB検知ユニットに繋がり、C反射ユニットはC検知ユニットに繋がり、D反射ユニットはD検知ユニットに繋がる。
受信電極Iは、環を同一とするファン形極片Iを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、当該ファン形極片Iの径方向の高さは扇環形極片Iの径方向の高さよりも低く、当該ファン形極片Iの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形Iであり、前記二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIの始点と終点で挟まれる中心角はαであり、その内、第2n+1ファン形極片Iは一組に繋がり、第1進行波信号の出力電極となり、第2n+2ファン形極片Iは一組に繋がり、第2進行波信号の出力電極となり、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは受信電極Iの対向電極の数を表し、M=Mである。
前記受信電極IIは、環を同一とするファン形極片IIを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、当該ファン形極片IIの径方向の高さは扇環形極片IIの径方向の高さよりも低く、当該ファン形極片IIの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形IIであり、前記二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIの始点と終点で挟まれる中心角はβであり、その内、第2n+1ファン形極片IIは一組に繋がり、第3進行波信号の出力電極となり、第2n+2ファン形極片IIは一組に繋がり、第4進行波信号の出力電極となり、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは受信電極IIの対向電極の数を表し、M=Mである。
本発明に係る技術案によれば、以下の有益な効果を奏する。即ち、
(1)検知電極が検知した四つの経路の進行波信号を二次結合して励起信号を生成し、二次結合した励起信号は、反射電極I、IIによって受信電極I、IIへと反射され、受信電極I、IIによって進行波信号が出力されることから、回転子基板に信号出力線を引く必要がなく、アプリケーション範囲を広くすることができる。
(2)第1経路の精密正弦進行波信号又は第2経路の精密正弦進行波信号を処理することで精密角変位値を得、第1経路の精密正弦進行波信号及び第2経路の精密正弦進行波信号を位相比較し、位相差処理することで対向電極の粗位置値を得、粗測定位置値及び精密測定位置値のいずれにも第1経路、第2経路の精密正弦進行波信号を用い、「粗測定+精密測定」の組み合わせにより、絶対角変位値の測定を実現するだけでなく、信号のずれも減少し、更には測定精度を保証できる。
(3)受信電極I、IIに差動構造を用いており、測定の安定性が向上し、コモンモード干渉を抑制し、信号の増幅を強めることで、産業適応性を高めることができる。
固定子基板上の電極及び回転子基板上の電極を示す図。 固定子基板及び回転子基板の取付構造図。 固定子基板の導線構造図。 回転子基板の導線構造図。 信号処理原理のブロック図。
以下、図を用いて本発明を更に説明する。
図1〜図4に示すように、本発明に係る交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサは、固定子基板1及び固定子基板1と同軸に取付けられる回転子基板2とを備え、回転子基板の下表面は固定子基板の上表面に正対して平行であり、且つ隙間を有し、回転子基板2の下表面は固定子基板1の上表面に正対して平行であり、且つ0.5mmの隙間を有し、固定子基板1及び回転子基板2はいずれもセラミックを基板材料としている。
図1〜図3に示すように、固定子基板1の上表面は、外環から内環へと順次、差動式の受信電極I1−2、励起電極1−1及び差動式の受信電極II1−3が設けられている。
励起電極1−1は、内環半径が17.72mm、径方向の高さが6.4mm、中心角が2.25°の扇環形極片を円周方向に沿って等間隔に配置して構成され、当該間隔に対応する中心角(即ち、隣り合う二つの扇環形極片の間隔の中心角)は2.25°であり、励起電極1−1の対向電極の数Mは20であり、隣り合う各四つの扇環形極片は一つの対向電極を形成し、合計80個の扇環形極片を備え、その内、時計回りの円周方向に沿って、第4n+1扇環形極片は第1の励起信号接続線によって一組に繋がってA励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は第2の励起信号接続線によって一組に繋がってB励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は第3の励起信号接続線によって一組に繋がってC励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は第4の励起信号接続線によって一組に繋がってD励磁相を構成しており、nは0〜19からなる整数である。
受信電極I1−2は、同一のファン形極片Iを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、受信電極I1−2の対向電極の数Mは4であり、時計回りの円周方向に沿って、隣り合う二つの各ファン形極片Iは一つの対向電極を形成し、合計8個のファン形極片Iを備え、隣り合う二つのファン形極片I間の間隔の円弧長は0.2mm、一つのファン形極片I及び一つの円弧長の間隔に対応する中心角は45°であり、ファン形極片Iの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形Iである。即ち、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIのうちの1本は、始点において内円弧と交わり、終点において外円弧と交わる。他方も始点において内円弧と交わり、終点において外円弧と交わる。これによって全密閉図形Iを取り囲む。全密閉図形I(ファン形極片Iに相当)は、内環半径が25.78mm、径方向の高さが2.12mm、外環半径が27.9mmであり、二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIの始点と終点で挟まれる中心角α(即ち、全密閉図形Iの内円弧に対応する中心角)は44.56°であり、その内、時計回りの円周方向に沿って、第2n+1(即ち、奇数番号)ファン形極片Iは信号出力接続線によって一組に繋がって第1進行波信号の出力電極となり、第2n+2(即ち、偶数番号)ファン形極片Iは信号出力接続線によって一組に繋がって第2進行波信号の出力電極となるものであり、nは0〜3からなる整数である。
受信電極II1−3は、同一のファン形極片IIを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、受信電極II1−3の対向電極の数Mは3であり、時計回りの円周方向に沿って、隣り合う二つの各ファン形極片IIは一つの対向電極を形成し、合計6個のファン形極片IIを備えている。隣り合う二つのファン形極片II間の間隔の円弧長は0.2mm、一つのファン形極片II及び一つの円弧長の間隔に対応する中心角は60°であり、ファン形極片IIの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形IIである。即ち、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIのうちの1本は、始点において内円弧と交わり、終点において外円弧と交わる。他方も始点において内円弧と交わり、終点において外円弧と交わる。これによって全密閉図形IIを取り囲む。全密閉図形II(ファン形極片IIに相当)は、内環半径が13mm、径方向の高さが3.08mm、外環半径が16.08mmであり、二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIの始点と終点で挟まれる中心角β(即ち、全密閉図形IIの内円弧に対応する中心角)は59.12°であり、その内、時計回りの円周方向に沿って、第2n+1(即ち、奇数番号)ファン形極片IIは信号出力接続線によって一組に繋がって第3進行波信号の出力電極となり、第2n+2(即ち、偶数番号)ファン形極片IIは信号出力接続線によって一組に繋がって第4進行波信号の出力電極となるものであり、nは0〜2からなる整数である。
図1、図2、図4に示すように、回転子基板2の下表面は外環から内環へと順次反射電極I2−2、検知電極2−1及び反射電極II2−3が設けられ、反射電極I2−2と受信電極I1−2は正対し、検知電極2−1と励起電極1−1は正対し、反射電極II2−3と受信電極II1−3は正対する。
検知電極2−1は、環を同一とする双余弦形極片を円周方向に沿って等間隔に配置して構成され、当該間隔に対応する中心角(即ち、隣り合う二つの双余弦形極片間の間隔の中心角)は4.5°、検知電極2−1の対向電極の数Mは4であり、隣り合う四つの各双余弦形極片は一つの対向電極を形成し、合計16個の双余弦形極片を備える。双余弦形極片が円周方向に沿って配置展開された後の形状は、等振幅且つ位相差180°の二つの余弦曲線を[−π,π]区間で囲んでなる全密閉軸対象図形であり、16個の双余弦形極片のトラフから中心までの距離はいずれも19.22mmであり、各双余弦形極片の径方向の高さは3.4mm、対応する中心角は18°であり、その内、時計回りの円周方向に沿って、第4n+1双余弦形極片は第1の検知信号接続線によって一組に繋がってA検知ユニットを構成し、第4n+2双余弦形極片は第2の検知信号接続線によって一組に繋がってB検知ユニットを構成し、第4n+3双余弦形極片は第3の検知信号接続線によって一組に繋がってC検知ユニットを構成し、第4n+4双余弦形極片は第4の検知信号接続線によって一組に繋がってD検知ユニットを構成するものであり、nは0〜3からなる整数である。
反射電極I2−2は、内環半径が25.53mm、径方向の高さが2.62mm、中心角が22.05°の扇環形極片Iを円周方向に沿って等間隔に配置して構成され、当該間隔に対応する中心角(即ち、隣り合う二つの扇環形極片I間の間隔の中心角)は0.45°、当該間隔に対応するの内環の円弧長は0.2mmであり、反射電極I2−2の対向電極の数Mは4であり、隣り合う四つの扇環形極片Iは一つの対向電極を形成し、合計16個の扇環形極片Iを備え、その内、円周時計回りの方向に沿って、第4n+1扇環形極片Iは第1の反射信号接続線によって一組に繋がってA反射ユニットを構成し、A反射ユニットは信号導線によってA検知ユニットに繋がり、第4n+2扇環形極片Iは第2の反射信号接続線によって一組に繋がってB反射ユニットを構成し、B反射ユニットは信号導線によってB検知ユニットに繋がり、第4n+3扇環形極片Iは第3の反射信号接続線によって一組に繋がってC反射ユニットを構成し、C反射ユニットは信号導線によってC検知ユニットに繋がり、第4n+4扇環形極片Iは第4の反射信号接続線によって一組に繋がってD反射ユニットを構成し、D反射ユニットは信号導線によってD検知ユニットに繋がる構成であり、nは0〜3からなる整数である。
反射電極II2−3は、内環半径が12.75mm、径方向の高さが3.58mm、中心角が29.1°の扇環形極片IIを円周方向に沿って等間隔に配置して構成され、当該間隔に対応する中心角(即ち、隣り合う二つの扇環形極片II間の間隔の中心角)は0.9°、当該間隔に対応するの内環の円弧長は0.2mm、反射電極II2−3の対向電極の数Mは3であり、隣り合う四つの扇環形極片IIは一つの対向電極を形成し、合計12個の扇環形極片IIを備え、その内、時計回りの円周方向に沿って、第4n+1扇環形極片IIは第5の反射信号接続線によって一組に繋がってA反射ユニットを構成し、A反射ユニットは信号導線によってA検知ユニットに繋がり、第4n+2扇環形極片IIは第6の反射信号接続線によって一組に繋がってB反射ユニットを構成し、B反射ユニットは信号導線によってB検知ユニットに繋がり、第4n+3扇環形極片IIは第7の反射信号接続線によって一組に繋がってC反射ユニットを構成し、C反射ユニットは信号導線によってC検知ユニットに繋がり、第4n+4扇環形極片IIは第8の反射信号接続線によって一組に繋がってD反射ユニットを構成し、D反射ユニットは信号導線によってD検知ユニットに繋がる構成であり、nは0〜2からなる整数である。
測定の際、回転子基板2と固定子基板1は相対的に平行に回転し、固定子基板のA、B、C、D励磁相の各々に対して順に位相差90°の四つの等周波数、等振幅の正弦波励起電圧を印加し(即ち、四つの励起信号接続線の各々に対して順に位相差90°の四つの経路の等周波数、等振幅の正弦波励起信号が印加される)、励起信号は励起電極1−1と検知電極2−1との間の一次電界結合を経て検知電極2−1に四つの経路の等周波数、等振幅の位相差90°の電波信号を生じさせ、この四つの経路の電波信号は反射電極I2−2と受信電極I1−2及び反射電極II2−3と受信電極II1−3との間の二次電界結合を経て、第1進行波信号の出力電極に第1進行波信号Uo +を発生させ、第2進行波信号の出力電極に第2進行波信号Uo を発生させ、第3進行波信号の出力電極に第3進行波信号Uo +を発生させ、第4進行波信号の出力電極に第4進行波信号Uo を発生させる。
第1進行波信号Uo +及び第2進行波信号Uo は減算回路によって第1経路の精密正弦進行波信号Uoへと合成され、Uoは下記式で表される。
Uo=KeUsin[ωt+(M+M)θ]=KeUsin(ωt+24θ)
第3進行波信号Uo +及び第4進行波信号Uo は減算回路によって第2経路の精密正弦進行波信号Uoへと合成され、Uoは下記式で表される。
Uo=KeUsin[ωt+(M+M)θ]=KeUsin(ωt+23θ)
ここで、励磁信号の振幅はUm=5V、周波数はf=40kHz、角周波数はω=2πf=8×10π、Keは電界結合係数、θは精密計測角変位値である。
第1経路の精密正弦進行波信号Uo(第2経路の精密正弦進行波信号Uoであってもよい)と1経路の同位相に固定された同周波数基準信号Urは、整形回路により矩形波へと整形された後、FPGA信号処理システムへと送られ、位相が比較される。位相比較後の位相差は、内挿された高周波クロックパルスの個数により表示され、変換によって精密な角変位値を得る。
第1経路の精密正弦進行波信号Uo及び第2経路の精密正弦進行波信号Uoは、整形回路により矩形波へと整形された後、FPGA信号処理システムへと送られ、位相が比較される。位相比較後の位相差及び1経路の矩形波へと整形され同位相に固定された同周波数基準信号Urは、再度比較され、位相比較後の位相差は、内挿された高周波クロックパルスの個数により表示され、変換によって対向電極の粗位置値を得る。
FPGA信号処理システムは、精密角変位値と対向電極の粗位置値とを組み合わせて絶対角変位値を得る(図5を参照)。

Claims (5)

  1. 交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサであって、
    固定子基板(1)及び固定子基板(1)と同軸に取付けられる回転子基板(2)を含み、前記回転子基板(2)の下表面と前記固定子基板(1)の上表面とは正対して平行であり、且つ隙間を有し、前記回転子基板(2)の下表面には検知電極(2−1)が設けられ、前記固定子基板(1)の上表面には検知電極(2−1)に正対する励起電極(1−1)が設けられ、前記励起電極(1−1)は径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片を円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってA励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってB励磁相を構成し、第4n+1扇環形極片は一組に繋がってC励磁相を構成し、第4n+4扇環形極片は一組に繋がってD励磁相を構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは励起電極の対向電極の数を表し、
    前記固定子基板(1)の上表面には差動式の受信電極I(1−2)及び差動式の受信電極II(1−3)が設けられ、前記受信電極I(1−2)は励起電極(1−1)の外側に位置し、前記受信電極II(1−3)は前記励起電極(1−1)の内側に位置し、前記回転子基板(2)の下表面には前記受信電極I(1−2)に正対する反射電極I(2−2)及び前記受信電極II(1−3)に正対する反射電極II(2−3)が設けられ、前記検知電極(2−1)は環を同一とする双余弦形極片を円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、当該双余弦形極片の径方向の高さは前記扇環形極片の径方向の高さよりも低く、その内、第4n+1双余弦形極片は一組に繋がってA検知ユニットを構成し、第4n+2双余弦形極片は一組に繋がってB検知ユニットを構成し、第4n+3双余弦形極片は一組に繋がってC検知ユニットを構成し、第4n+4双余弦形極片は一組に繋がってD検知ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは検知電極の対向電極の数を表し、前記反射電極I(2−2)はA反射ユニット、B反射ユニット、C反射ユニット及びD反射ユニットを備え、A、B、C、D反射ユニットは、それぞれ対応するA、B、C、D検知ユニットに接続され、前記反射電極II(2−3)はA反射ユニット、B反射ユニット、C反射ユニット及びD反射ユニットを備え、A、B、C、D反射ユニットは、それぞれ対応するA、B、C、D検知ユニットに接続され、
    測定の際、前記回転子基板(2)と前記固定子基板(1)は相対的に平行に回転し、前記固定子基板(1)のA、B、C、D励磁相の各々に対して順に位相差90°の四つの等周波数、等振幅の正弦波励起電圧を印加し、前記受信電極I(1−2)に位相差180°の等周波数、等振幅の第1進行波信号、第2進行波信号を発生させ、前記受信電極II(1−3)に位相差180°の等周波数、等振幅の第3進行波信号、第4進行波信号を発生させ、前記第1進行波信号及び前記第2進行波信号は減算回路によって第1経路の精密正弦進行波信号へと合成され、前記第3進行波信号及び前記第4進行波信号は減算回路によって第2経路の精密正弦進行波信号へと合成され、前記第1経路の前記精密正弦進行波信号又は前記第2経路の前記精密正弦進行波信号を処理することで精密角変位値を得、前記第1経路の前記精密正弦進行波信号及び前記第2経路の前記精密正弦進行波信号は位相比較され、位相差処理することで対向電極の粗位置値を得、前記精密角変位値と前記対向電極の前記粗位置値とを組み合わせて絶対角変位値を得る、
    ことを特徴とする交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ。
  2. 前記検知電極(2−1)の前記双余弦形極片が円周方向に沿って配置展開された後の形状は、等振幅且つ位相差180°の二つの余弦曲線を[−π,π]区間で囲んでなる全密閉軸対象図形である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ。
  3. 前記励起電極(1−1)の隣り合う二つの前記扇環形極片間の間隔の中心角は、一つの前記扇環形極片の中心角に等しい、
    ことを特徴とする請求項1に記載の交番電界に基づく交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ。
  4. 前記反射電極I(2−2)は、径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片Iを円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片Iは一組に繋がって前記A反射ユニットを構成し、第4n+2扇環形極片Iは一組に繋がって前記B反射ユニットを構成し、第4n+3扇環形極片Iは一組に繋がって前記C反射ユニットを構成し、第4n+4扇環形極片Iは一組に繋がって前記D反射ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは前記反射電極I(2−2)の対向電極の数を表し、
    前記反射電極II(2−3)は、径方向の高さが同一で中心角が等しい扇環形極片IIを円周方向に沿って等間隔に配置されて構成され、その内、第4n+1扇環形極片IIは一組に繋がって前記A反射ユニットを構成し、第4n+2扇環形極片IIは一組に繋がって前記B反射ユニットを構成し、第4n+3扇環形極片IIは一組に繋がって前記C反射ユニットを構成し、第4n+4扇環形極片IIは一組に繋がって前記D反射ユニットを構成し、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは前記反射電極II(2−3)の対向電極の数を表す、
    ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ。
  5. 前記受信電極I(1−2)は、環を同一とするファン形極片Iを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、当該ファン形極片Iの径方向の高さは前記扇環形極片Iの径方向の高さよりも低く、当該ファン形極片Iの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形Iであり、前記二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIの始点と終点で挟まれる中心角はαであり、
    その内、第2n+1ファン形極片Iは一組に繋がり、前記第1進行波信号の出力電極となり、第2n+2ファン形極片Iは一組に繋がり、前記第2進行波信号の出力電極となり、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは前記受信電極I(1−2)の対向電極の数を表し、M=Mであり、
    前記受信電極II(1−3)は、環を同一とするファン形極片IIを円周方向に沿って等間隔な円弧状に配置されて構成され、当該ファン形極片IIの径方向の高さは前記扇環形極片IIの径方向の高さよりも低く、当該ファン形極片IIの形状は、[−π,0]区間における二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIが、始点と終点において、同心の内側と外側の円弧と交差し且つ囲んでなる全密閉図形IIであり、前記二つの同一の余弦極座標曲線セグメントIIの始点と終点で挟まれる中心角はβであり、その内、第2n+1ファン形極片IIは一組に繋がり、前記第3進行波信号の出力電極となり、第2n+2ファン形極片IIは一組に繋がり、前記第4進行波信号の出力電極となり、nは0〜M−1からなる整数であり、Mは前記受信電極II(1−2)の対向電極の数を表し、M=Mである、
    ことを特徴とする請求項4に記載の交番電界に基づくアブソリュート形タイムグレーティング角変位センサ。
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