JP2020513160A5

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Info

Publication number: JP2020513160A5
Application number: JP2019554969A
Authority: JP
Filing date: 2018-04-11
Publication date: 2020-07-02
Anticipated expiration: 2038-04-11

Claims

半導体構造体の寄生容量を低減する方法であって、
基板の上にフィン構造体を形成することと、
前記フィン構造体と前記基板との間に第１のソース／ドレイン領域を形成することと、
前記フィン構造体に隣接する第１のスペーサを形成することと、
前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する第２のスペーサを形成することと、
露出面において前記第１のソース／ドレイン領域を陥凹させることと、
前記陥凹した第１のソース／ドレイン領域の前記露出面内にシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成することと、
前記ＳＴＩ領域の上にボトム・スペーサを付着させることと、
前記ボトム・スペーサの上に金属ゲート・スタックを形成することと、
前記金属ゲート・スタックの上にトップ・スペーサを付着させることと、
前記フィン構造体の上に第２のソース／ドレイン領域を形成することと、
前記ＳＴＩ領域が前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間のある長さに延在するように、コンタクトを形成することと、
を含む、方法。
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間に前記ＳＴＩ領域を延在させることによって、ゲート・ソース／ドレイン間容量が低減される、請求項１に記載の方法。
前記第１および第２のスペーサが、共形誘電体ライナである、請求項１に記載の方法。
前記金属ゲート・スタックを切り取ることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
前記ＳＴＩが、前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサの一部に接触する、請求項１に記載の方法。
前記ＳＴＩが、前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する前記第２のスペーサをその全体において覆う、請求項１に記載の方法。
前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサが、前記ボトム・スペーサが前記ＳＴＩ領域の上に付着させられる前に、選択的に取り除かれる、請求項１に記載の方法。
前記ＳＴＩ領域の上に形成された前記ボトム・スペーサが、逆段差構造構成を画定する、請求項１に記載の方法。
前記ＳＴＩ領域が、前記フィン構造体の対向する両端の前記第１のソース／ドレイン領域の一部の上に延在する、請求項１に記載の方法。
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間の距離が、１０ｎｍよりも大きい、請求項１に記載の方法。
寄生容量を低減する半導体構造体であって、
基板の上に形成されたフィン構造体と、
前記フィン構造体と前記基板との間に形成された第１のソース／ドレイン領域と、
前記フィン構造体に隣接して形成された第１のスペーサと、
前記第１のソース／ドレイン領域に隣接して形成された第２のスペーサであって、前記第１のソース／ドレイン領域が露出面において陥凹している、前記第２のスペーサと、
前記陥凹した第１のソース／ドレイン領域の前記露出面内に形成されたシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域と、
前記ＳＴＩ領域の上に付着したボトム・スペーサと、
前記ボトム・スペーサの上に形成された金属ゲート・スタックと、
前記金属ゲート・スタックの上に付着したトップ・スペーサと、
前記フィン構造体の上に形成された第２のソース／ドレイン領域と、
前記ＳＴＩ領域が前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間のある長さに延在するように形成されたコンタクトと、
を備える、半導体構造体。
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間に前記ＳＴＩ領域を延在させることによって、ゲート・ソース／ドレイン間容量が低減される、請求項１１に記載の構造体。
前記第１および第２のスペーサが、共形誘電体ライナである、請求項１１に記載の構造体。
前記共形誘電体ライナの厚さが、１０ｎｍよりも大きい、請求項１３に記載の構造体。
前記ＳＴＩが、前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサの一部に接触する、請求項１１に記載の構造体。
前記ＳＴＩが、前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する前記第２のスペーサをその全体において覆う、請求項１１に記載の構造体。
前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサが、前記ボトム・スペーサが前記ＳＴＩ領域の上に付着させられる前に、選択的に取り除かれていて存在しない、請求項１１に記載の構造体。
前記ＳＴＩ領域の上に形成された前記ボトム・スペーサが、逆段差構造構成を画定する、請求項１１に記載の構造体。
前記ＳＴＩ領域が、前記フィン構造体の対向する両端の前記第１のソース／ドレイン領域の一部の上に延在する、請求項１１に記載の構造体。
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間の距離が、１０ｎｍよりも大きい、請求項１１に記載の構造体。