JP2020505508A - 化学気相成長(cvd)反応装置用の処理チャンバ及びこのチャンバを用いた熱化プロセス。 - Google Patents
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Abstract
Description
熱界面材料を有する熱移動領域を介しての、注入システムと蓋の上部との間の熱移動、および
部分真空エンクロージャからの熱移動領域内の汚染種の拡散および圧力の絶縁。
CVD構成
複数のチャネルを有するシャワーヘッド
2つの別個のチャネルの組を有するシャワーヘッド
均質なパルスCVDにより注入される反応種
2つの別個のチャネルの組を有するシャワーヘッド
位相シフトパルス蒸着タイプの形態で注入される反応種
−基板上へのポリシリコンまたはシリコンの高温蒸着
−基板チャンバ上へのポリマーの蒸着
−反応種の注入順序に従ってチャンバ内で変化するガス圧力
−チャンバ内で生成されるRFプラズマ
温度調整
−加熱抵抗器
−電磁誘導。
−熱軸受流体。
Claims (21)
- 化学気相成長(CVD)の反応装置(R)用の処理チャンバ(C)であって、該処理チャンバは、部分真空エンクロージャを画定する本体(B)内に、
支持要素(5)上に配置された基板(8)に蒸着させる反応種を注入するための注入システム(3)と、
前記注入システム(3)の温度を略一定に制御または維持するための熱制御システム(2)であって、前記注入システム(3)との界面領域(ZI)を有する前記熱制御システム(2)と
を備える前記処理チャンバ(C)において、
前記処理チャンバ(C)は、前記界面領域(ZI)に、少なくとも1つの熱移動領域(ZT)をさらに備え、該熱移動領域(ZT)は、
(i)圧力および汚染種の拡散からの絶縁障壁によって部分真空エンクロージャ(E)から絶縁されており、
(ii)熱界面材料(10)により充填されていることを特徴とする、処理チャンバ(C)。 - 前記熱界面材料が、小さい熱抵抗係数を有することを特徴とする請求項1に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記熱界面材料が、空気の熱伝導率と等しいかそれよりも大きい熱伝導率を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記熱調整システム(2)が、前記反応装置(R)の蓋(L)と一体化した部分であり、該蓋(L)が、反応種を導入するための入口オリフィス(1)を備えることを特徴とする請求項1に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記注入システム(3)が、前記界面領域(ZI)及び前記熱調整システム(2)を介して前記蓋(L)と一体化されており、前記注入システム(3)は、前記蓋を取り外すことによってアクセス可能になっていることを特徴とする請求項4に記載された処理チャンバ(C)。
- 少なくとも2つの連結絶縁障壁によって画定された熱移動領域を備えることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記画定された熱移動領域は環状領域であることを特徴とする請求項6に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記界面領域に分布され、かつそれぞれが絶縁障壁によって区切られた複数の熱移動領域を有することを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記絶縁障壁が、前記部分真空エンクロージャ(E)と前記熱移動領域(ZT)とに異なる圧力を印加することを可能にする1つまたは複数の封止領域を前記熱移動領域(ZT)の周りに形成するように配置されることを特徴とする請求項6から請求項8までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記絶縁障壁が、大気圧の前記熱移動領域(ZT)を前記部分真空エンクロージャ(E)から分離するように配置された1つまたは複数の封止体の列を備えることを特徴とする請求項6から請求項9までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記熱制御システム(2)が、前記熱界面材料(10)を大気圧下に置くために設けられた1つまたは複数の孔(9)を備えることを特徴とする請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記注入システム(3)と前記基板(8)との間に高周波(RF)電位を印加することによってプラズマを発生させるための高周波手段をさらに備え、
前記処理チャンバ(C)は、前記熱調整システム(2)を、前記処理チャンバ(C)の前記本体(B)の接地されている残りの部分から電気的に絶縁するための手段(4)をさらに備えることを特徴とする請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。 - 前記注入システムは、反応種を前記部分真空エンクロージャ(E)内に均一に注入するために設けられた複数のチャネル(30)を有するシャワーヘッド(3)の形態で配置されていることを特徴とする請求項1から請求項12までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記シャワーヘッド(3)が、反応種を別個に注入するための2組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項13に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記シャワーヘッドは、位相シフトパルスの形態で反応種を注入するための2組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項13に記載された処理チャンバ(C)。
- 前記部分真空エンクロージャ(E)内の前記基板(8)の前記支持要素(5)の高さを調整するための手段をさらに備えることを特徴とする請求項1から請求項15までのいずれか1項に記載された処理チャンバ(C)。
- 化学気相成長(CVD)の反応装置(R)用の処理チャンバ(C)に反応種を注入するためのシステム(3)を熱化する方法であって、前記チャンバが部分真空エンクロージャ(E)を画定する本体(B)内に、支持要素(5)に配置された基板(8)に蒸着させる反応種を注入するための注入システム(3)を備え、
前記方法は、前記注入システム(3)の温度を略一定に調整または維持するための熱調整を含み、
前記熱調整は、蓋を形成して前記注入システム(3)との界面領域(ZI)を有する前記本体(B)の一部から実施される、前記方法において、
前記注入システム(3)と前記蓋(L)の上部との間での、熱界面材料(10)を含む熱移動領域(ZT)を介しての熱伝導による熱移動と、
前記部分真空エンクロージャ(E)に対する前記熱移動領域(ZT)の圧力および汚染種の拡散からの絶縁と
を特徴とする方法。 - シャワーヘッド(3)の形態の注入システムを備えた反応装置(R)で実施される請求項17に記載された方法。
- 反応種を別個に注入するための2組の別個のチャネルを有するシャワーヘッドを用いて実施される請求項18に記載された方法。
- 前記反応種がシフト位相パルスの形態で注入される請求項19に記載された方法。
- 請求項1から請求項16までのいずれか1項に記載された処理チャンバを有する化学気相成長(CVD)反応装置。
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