JP2020505508A5

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Publication number: JP2020505508A5
Application number: JP2019537834A
Authority: JP
Filing date: 2018-01-09
Publication date: 2020-12-24
Anticipated expiration: 2038-01-09

Claims

化学気相成長（ＣＶＤ）の反応装置（Ｒ）用の処理チャンバ（Ｃ）であって、該処理チャンバは、部分真空エンクロージャを画定する本体（Ｂ）内に、
支持要素（５）上に配置された基板（８）に蒸着させる反応種を注入するための注入システム（３）と、
前記注入システム（３）の温度を略一定に制御または維持するための熱制御システム（２）であって、前記注入システム（３）との界面領域（ＺＩ）を有する前記熱制御システム（２）と
を備える前記処理チャンバ（Ｃ）において、
前記処理チャンバ（Ｃ）は、前記界面領域（ＺＩ）に、少なくとも１つの熱移動領域（ＺＴ）をさらに備え、該熱移動領域（ＺＴ）は、
（ｉ）圧力および汚染種の拡散からの絶縁障壁によって部分真空エンクロージャ（Ｅ）から絶縁されており、
（ｉｉ）熱界面材料（１０）により充填されており、
前記少なくとも１つの熱移動領域は、少なくとも２つの絶縁障壁によって画定され、
前記絶縁障壁が、前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）と前記熱移動領域（ＺＴ）とに異なる圧力を印加することを可能にする１つまたは複数の封止領域を前記熱移動領域（ＺＴ）の周りに形成するように配置され、
前記熱制御システム（２）が、前記熱界面材料（１０)を大気圧下に置くために設けられた１つまたは複数の孔（９）を備えることを特徴とする、処理チャンバ（Ｃ）。
前記熱界面材料が、小さい熱抵抗係数を有することを特徴とする請求項１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記熱界面材料が、空気の熱伝導率と等しいかそれよりも大きい熱伝導率を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記熱調整システム（２）が、前記反応装置（Ｒ）の蓋（Ｌ）と一体化した部分であり、該蓋（Ｌ）が、反応種を導入するための入口オリフィス（１）を備えることを特徴とする請求項１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記注入システム（３）が、前記界面領域（ＺＩ）及び前記熱調整システム（２）を介して前記蓋（Ｌ）と一体化されており、前記注入システム（３）は、前記蓋を取り外すことによってアクセス可能になっていることを特徴とする請求項４に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
少なくとも２つの連結絶縁障壁によって画定された熱移動領域を備えることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記画定された熱移動領域は環状領域であることを特徴とする請求項６に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記界面領域に分布され、かつそれぞれが絶縁障壁によって区切られた複数の熱移動領域を有することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記絶縁障壁が、大気圧の前記熱移動領域（ＺＴ）を前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）から分離するように配置された１つまたは複数の封止体の列を備えることを特徴とする請求項１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記注入システム（３)と前記基板（８）との間に高周波（ＲＦ）電位を印加することによってプラズマを発生させるための高周波手段をさらに備え、
前記処理チャンバ（Ｃ）は、前記熱調整システム（２）を、前記処理チャンバ（Ｃ）の前記本体（Ｂ）の接地されている残りの部分から電気的に絶縁するための手段（４）をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記注入システムは、反応種を前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）内に均一に注入するために設けられた複数のチャネル（３０）を有するシャワーヘッド（３）の形態で配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記シャワーヘッド（３）が、反応種を別個に注入するための２組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項１１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記シャワーヘッドは、位相シフトパルスの形態で反応種を注入するための２組の別個のチャネルを有することを特徴とする請求項１１に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）内の前記基板（８）の前記支持要素（５）の高さを調整するための手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載された処理チャンバ（Ｃ）。
化学気相成長（ＣＶＤ）の反応装置（Ｒ）用の処理チャンバ（Ｃ）に反応種を注入するためのシステム（３）を熱化する方法であって、前記チャンバが部分真空エンクロージャ（Ｅ）を画定する本体（Ｂ）内に、支持要素（５）に配置された基板（８）に蒸着させる反応種を注入するための注入システム（３）を備え、
前記方法は、前記注入システム(3)の温度を略一定に調整または維持するための熱調整を含み、
前記熱調整は、蓋を形成して前記注入システム（３）との界面領域（ＺＩ）を有する前記本体（Ｂ）の一部から実施される、前記方法において、
前記注入システム（３）と前記蓋（Ｌ）の上部との間での、熱界面材料（１０）を含む熱移動領域（ＺＴ）を介しての熱伝導による熱移動と、
前記部分真空エンクロージャ（Ｅ）に対する前記熱移動領域（ＺＴ)の圧力および汚染種の拡散からの絶縁と
を特徴とする方法。
シャワーヘッド（３）の形態の注入システムを備えた反応装置（Ｒ）で実施される請求項１５に記載された方法。
反応種を別個に注入するための２組の別個のチャネルを有するシャワーヘッドを用いて実施される請求項１６に記載された方法。
前記反応種がシフト位相パルスの形態で注入される請求項１７に記載された方法。
請求項１から請求項１４までのいずれか１項に記載された処理チャンバを有する化学気相成長（ＣＶＤ）反応装置。