JP2020198429A - 支持体付き配線基板、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式において、歩留まり良く製造できる支持体付き配線基板、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３とを備え、インターポーザ３のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１との接合面の対向面に半導体素子４が実装される配線基板の製造方法であって、支持体５上に剥離層６を介してインターポーザ３を形成する工程と、支持体５の表層の少なくとも側面に緩衝層１９を形成する工程と、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３の間隙にアンダーフィル２を形成する工程と、支持体５を剥離層６によりインターポーザ３から剥離する工程と、を含む。【選択図】図６

Description

本発明は、支持体付き配線基板、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関する。

近年半導体装置の高速、高集積化が進む中で、ＦＣ−ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ-Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用配線基板に対しても、半導体チップとの接続端子の狭ピッチ化や基板配線の微細化が求められている。一方、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板とマザーボードとの接続は、従来とほぼ変わらないピッチの接続端子での接続が要求されている。この半導体チップとの接続端子の狭ピッチ化や基板配線の微細化のため、シリコン上に配線形成してチップ接続用の基板（シリコンインターポーザ）として、それぞれＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に接続する方式が特許文献１に開示されている。また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）等で平坦化してから微細配線を形成する方式が特許文献２に開示されている。また、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載した後、支持基板を剥離することで狭ピッチな配線基板な形成する方式が特許文献３や特許文献４に開示されている。

特開２００２−２８０４９０号公報 特開２０１４−２２５６７１号公報 特開２０１６−１７５４５９号公報 国際公開第２０１８／０４７８６１号

シリコンインターポーザは、シリコンウェハを利用して、半導体前工程用の設備を用いて製作されている。シリコンウェハは形状やサイズに制限があり、１枚のウェハから製作できるインターポーザの数が少なく、製造設備も高価であるため、インターポーザも高価となる。また、シリコンウェハが半導体であることから、伝送特性も劣化するという問題がある。
また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の表面の平坦化を行いその上に微細配線層を形成する方式においては、シリコンインターポーザに見られる伝送特性劣化の問題はないが、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の製造不良と、難易度の高い微細配線形成時の不良との合算で収率が低下する問題や、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の反り、歪みに起因した半導体素子の実装における問題がある。

一方、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式では、伝送特性劣化の問題や、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板と微細な配線層を別々に形成するため合算で収率が低下する問題はない。しかしながら、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載しようとすると、次のような問題があった。すなわち、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載した後に支持基板を剥離するため、支持基板を剥離する工程において不良が発生し収率が低下する問題があった。微細な配線層と比較して、厚く剛性の高い支持基板を剥離する必要であり、製造工程において高い精度で加工制御する必要が生じていた。

そこで本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式において、歩留まり良く製造できる支持体付き配線基板、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供するため、支持基板を剥離する工程における収率を向上させることを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る配線基板の製造方法は、第１配線基板と、前記第１配線基板に接合された前記第１配線基板より微細な配線が形成された第２配線基板とを備え、前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、支持体上に剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程と、前記支持体の表層の少なくとも側面に緩衝層を形成する工程と、前記第１配線基板と前記第２配線基板の間隙に封止樹脂を形成する工程と、前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。
上記構成によれば、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式において、支持基板を剥離する工程における収率を向上させることができる。

また本発明の一態様は、前記緩衝層が熱で軟化する材料からなり、加熱しながら前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含む。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が光を吸収することで軟化する材料からなり、光を照射しながら、若しくは、光を照射した後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含む。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が加熱により発泡する材料を含んだ層からなり、前記緩衝層を加熱して発泡させた後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含む。
また本発明の一態様は、前記封止樹脂の硬化温度より前記緩衝層を加熱して発泡する温度の方が高い。

また本発明の一態様は、前記緩衝層にレーザー光を照射した後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含む。
また本発明の一態様は、前記剥離層にレーザー光を照射して剥離可能な状態にし、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を有し、前記緩衝層と前記剥離層には同一のレーザー光を照射する。
また本発明の一態様は、前記緩衝層をエッチングした後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含む。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が、撥液性の材料からなる、若しくは、撥液性の材料を含有する。
また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲に形成された前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程を含む。

また本発明の一態様は、前記支持体上に前記剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程は、前記支持体上に前記剥離層を介して前記半導体素子と接合する第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上部に絶縁樹脂層と配線層からなる多層配線層を形成する工程と、前記多層配線層の前記支持体と対向する側に前記第１配線基板と接合する第２電極を形成する工程と、を含み、前記第１配線基板の一方の面に前記第２配線基板と接合する第３電極を形成した後、前記第１配線基板と前記第２配線基板を、前記第３電極と前記第２電極とで接合する。

また、本発明の別の態様に係る配線基板の製造方法は、第１配線基板と、前記第１配線基板より微細な配線が形成された第２配線基板とを備え、前記第２配線基板の接合面に前記第１配線基板が接合され、前記接合面と対向する前記第２配線基板の対向面に半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、支持体の一面上に剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程と、前記第１配線基板と前記第２配線基板との間、及び前記第２配線基板と前記剥離層と前記支持体の周囲に封止樹脂を形成する工程と、前記封止樹脂を硬化させる工程と、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程と、前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする。
上記構成によれば、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式において、支持基板を剥離する工程における収率を向上させることができる。

また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ドライエッチングを用いる。
また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、レーザー加工を用いる。
また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ダイシング加工を用いる。
また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ルータ加工を用いる。
また本発明の一態様は、前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ブラスト加工を用いる。

また本発明の一態様は、前記支持体の一面上に前記剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程は、前記支持体の一面上に前記剥離層を形成する工程と、前記剥離層の上部に前記半導体素子と接合する第１電極を形成する工程と、前記第１電極の上部に絶縁樹脂層と配線層からなる多層配線層を形成する工程と、前記多層配線層の前記支持体と対向する側に前記第１配線基板と接合する第２電極を形成する工程と、を含み、前記第１配線基板の一方の面に前記第２配線基板と接合する第３電極を形成した後、前記第２配線基板と前記第１配線基板を、前記第３電極と前記第２電極とで接合し、前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程では、前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離し、前記第１電極を表面に露出させる。
また本発明の一態様は、前記支持体は、ガラスである。

また、本発明の一態様に係る支持体付き配線基板は、支持体と、剥離層と、一方の面には半導体素子が、他方の面には第１配線基板がそれぞれ実装される第２配線基板と、をこの順に備える支持体付き配線基板において、前記支持体の少なくとも側面には、緩衝層が形成されていることを特徴とする。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が、熱、若しくは、光により軟化する。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が、加熱により発泡する材料を含んだ層からなる。
また本発明の一態様は、前記緩衝層が、撥液性の材料からなる、若しくは、撥液性の材料を含有する。

また、本発明の一態様に係る配線基板は、上述した支持体付き配線基板を用いて製造される配線基板であって、前記支持体付き配線基板に、前記第１配線基板がはんだを含む接続端子を介して互いに接続されており、且つ前記支持体は除去されていることを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る半導体装置は、上述した配線基板を備えた半導体装置であって、前記配線基板に、前記半導体素子がはんだを含む接続端子を介して互いに接続されていることを特徴とする。

本発明によれば、支持基板の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板に搭載する方式において、容易な加工制御によって支持基板を剥離できるため、工程の収率を向上させることが可能となる。そのため、歩留まり良く製造できる支持体付き配線基板、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供することが可能となる。

本発明の第１実施形態に係る配線基板に半導体素子を実装した一例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る第２配線基板の一例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る第２配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る第２配線基板の製造方法の一例の続きを示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る第２配線基板の製造方法の一例の続きを示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る第１配線基板と第２配線基板の接合工程の一例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本発明の第３実施形態及び第４実施形態に係る各配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本発明の第５実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 従来の配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る配線基板に半導体素子を実装した一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る第１配線基板と第２配線基板の接合工程の一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る封止樹脂形成工程の一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る封止樹脂除去工程の一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る封止樹脂除去後の状態を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る支持体剥離工程の一例を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る支持体剥離後の状態を示す断面図である。 本発明の第６実施形態に係る保護層７とシード層８の除去した後の状態を示す断面図である。 本発明の第７実施形態に係る封止樹脂除去工程の一例を示す断面図である。 本発明の第７実施形態に係る封止樹脂除去後の状態を示す断面図である。 本発明の第８実施形態に係る封止樹脂除去工程の一例を示す断面図である。 本発明の第８実施形態に係る封止樹脂除去後の状態を示す断面図である。 本発明の第９実施形態に係る封止樹脂除去工程の一例を示す断面図である。 本発明の第９実施形態に係る封止樹脂除去後の状態を示す断面図である。 本発明の第１０実施形態に係る封止樹脂除去工程の一例を示す断面図である。 本発明の第１０実施形態に係る封止樹脂除去後の状態を示す断面図である。

以下に、本発明の一実施形態に関わる配線基板について図面を参照して説明する。但し、以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、各図面は説明を容易にするために適宜誇張して表現している。

＜第１実施形態＞
（全体構造）
図１は、本発明に係る配線基板に半導体チップ（半導体素子）を実装した半導体パッケージの一例を示す断面図である。本発明の一実施形態に係る半導体パッケージ（半導体装置）は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１の一方の面に、樹脂と配線とが積層されてなるビルドアップ配線層のみで形成された微細配線層を備えた薄い配線基板であるインターポーザ（第２配線基板）３が、はんだバンプまたは銅ポスト（銅ピラー）または金バンプなどで接合（接合部１８）されている。また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３との間隙が絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル（封止樹脂）２で埋め込まれている。さらにインターポーザ３の、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面に半導体素子４が銅ピラー及びその先端のはんだで接合（接合部２０）され、半導体素子４とインターポーザ３との間隙がアンダーフィル２１で埋め込まれている。

アンダーフィル２は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３とを固定及び接合部１８を封止するために用いられる接着材料である。アンダーフィル２としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてのシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等が加えられた材料が用いられる。アンダーフィル２は、液状の樹脂を充填させることで形成される。

アンダーフィル２１は半導体素子４とインターポーザ３とを固定及び接合部２０を封止するために用いられる接着剤であり、アンダーフィル２と同様の材料で構成される。また接合後に液状の樹脂を、毛細管現象を利用して充填させるアンダーフィル２、及び、アンダーフィル２１の代わりに、接合前にシート状のフィルムを予め配置し、接合時に空間を充填する異方性導電フィルム（ＡＣＦ）または、半導体素子４の電極面とインターポーザ３の回路面の接着に用いられ、アンダーフィル２１の機能も兼ね、接着・絶縁の機能を同時に持つフィルム状接続材料（ＮＣＦ）や、接合前に液状の樹脂を予め配置し接合時に空間を充填する非導電ペースト（ＮＣＰ）などを用いてもよい。

インターポーザ３と半導体素子４との接合部２０の個々の間隔は、インターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１との接合部１８の個々の間隔よりも狭いことが一般的である。そのため、インターポーザ３において、半導体素子４を接合する側の方が、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１と接合する側よりも微細な配線が必要となる。例えば、現在のハイバンドメモリ（ＨＢＭ）の使用に対応するためには、インターポーザ３では配線幅を２μｍ以上６μｍ以下にする必要がある。特性インピーダンスを５０Ωにあわせるためには、配線幅が２μｍ、配線高さ２μｍの場合、配線間の絶縁膜厚は２.５μｍとなる。配線も含めた１層の厚さは４.５μｍとなり、この厚さで５層のインターポーザ３を形成する場合、インターポーザ３は、総厚２５μｍ程度のインターポーザ３となる。

前記の通り、インターポーザ３の厚みは総厚２５μｍ程度と薄く、そのままの状態ではＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１と接合するのが困難であるため、支持体５を用いて剛直性を担保することが有効である。また、２μｍ程度の幅と高さを有する配線を形成するには、平坦な支持体５が必要となる。上記理由により、図２に示すように、インターポーザ３は、剛直で平坦な支持体５上に剥離層６と保護層７とシード層８を介して形成される。なお、支持体５上には剥離層６、保護層７、シード層８以外の層を設けてもよい。

（第２配線基板の製造方法）
次に、図３（ａ）から図５（ｎ）を用いて、本発明の一実施形態に係る支持体５上へのインターポーザ（第２配線基板）３の製造工程の一例を説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、支持体５の一方の面に、後の工程で支持体５を剥離するために必要な剥離層６を形成する。

剥離層６は、例えば、ＵＶ光などの光を吸収して発熱、若しくは、変質によって剥離可能となる樹脂でもよく、熱によって発泡により剥離可能となる樹脂でもよい。ＵＶ光などの光によって剥離可能となる樹脂を用いる場合、剥離層６を設けた側とは反対側の面から支持体５に光を照射して、インターポーザ３と、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１との接合体から支持体５を取り去る。この場合、支持体５は、透明性を有する必要があり、例えばガラスを用いることができる。ガラスは平坦性に優れており、インターポーザ３の微細なパターン形成に向いている、また、ガラスはＣＴＥ（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｘｐａｎｓｉｏｎ、熱膨張率）が小さく歪みにくいことから、パターン配置精度及び平坦性の確保に優れている。支持体５としてガラスを用いる場合、ガラスの厚さは、製造プロセスにおける反りの発生を抑制する観点から厚い方が望ましく、例えば０．７ｍｍ以上、好ましくは１．１ｍｍ以上の厚みである。また、ガラスのＣＴＥは３ｐｐｍ以上１５ｐｐｍ以下が好ましく、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１、半導体素子４のＣＴＥの観点から９ｐｐｍ程度がより好ましい。

支持体５として、例えばガラスを用い、剥離層６に上述した熱によって発泡する樹脂を用いた場合は、インターポーザ３と、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１との接合体を加熱することで支持体５を取り去ることができる。なお、支持体５には、歪みの少ない例えばメタルやセラミックスなどを用いることもできる。本実施形態では、剥離層６としてＵＶ光を吸収して剥離可能となる樹脂を用い、支持体５としてガラスを用いている。

次いで、図３（ｂ）に示すように、剥離層６の上に保護層７を形成する。保護層７は、後の工程で支持体５を剥離する際にインターポーザ３を保護するための層である。保護層７に使用可能な樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂であり、インターポーザ３を支持体５から剥離後に除去可能な樹脂である。保護層７については、例えば、スピンコート、ラミネート等、樹脂の形状に応じて適宜形成してよい。本実施形態ではアクリル系樹脂をラミネート法により形成している。

次いで、図３（ｃ）に示すように、真空中で、保護層７上にシード層８を形成する。シード層８は配線形成の工程において、電解めっきの給電層として作用する。シード層８は、例えば、スパッタ法、またはＣＶＤ法などにより形成され、その材料として、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、Ｃｕ_３Ｎ_４、Ｃｕ合金単体、若しくは複数組み合わせたものを適用することができる。本実施形態では、電気特性、製造の容易性の観点及びコスト面を考慮して、チタン層、続いて銅層を順次スパッタリング法で形成する。チタン層と銅層の合計の膜厚は、電解めっきの給電層として１μｍ以下とするのが好ましい。本実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍを形成した。

次に、図３（ｄ）に示すようにレジストパターン９を形成し、電解めっきにより導体層（第１電極）１０を形成する。導体層１０は半導体素子４と接合用の電極となる。電解めっき法は電解ニッケルめっき、電解銅めっき、電解クロムめっき、電解Ｐｄめっき、電解金めっき、電解ロジウムめっき、電解イリジウムめっき等が挙げられるが、電解銅めっきであることが簡便で安価で、電気伝導性が良好であることから望ましい。電解銅めっきの厚みは、回路の接続信頼性、及び、製造コストの観点から、１μｍ以上３０μｍ以下であることが望ましい。その後、図３（ｅ）に示すようにレジストパターン９を除去する。

次に、図３（ｆ）に示すように絶縁樹脂層１１を形成する。絶縁樹脂層１１は導体層１０が絶縁樹脂層１１の層内に埋め込まれるように形成する。本実施形態では、絶縁樹脂層１１として例えば、感光性のエポキシ系樹脂をスピンコート法により形成する。感光性のエポキシ系樹脂は比較的低温で硬化することができ、形成後の硬化による収縮が少ないため、その後の微細パターン形成に優れる。絶縁樹脂層１１としては、感光性のエポキシ系樹脂を用いてスピンコート法により形成する他、絶縁樹脂フィルムを真空ラミネータで圧縮キュアを行って形成することも可能であり、この場合は平坦性の良い絶縁膜を形成することができる。その他、例えばポリイミドを、絶縁樹脂層１１を形成するための絶縁樹脂として用いることも可能である。

次に、図４（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィーにより、導体層１０上の絶縁樹脂層１１に開口部を設ける。開口部に対して、現像時の残渣除去を目的として、プラズマ処理を行ってもよい。
次に、図４（ｈ）に示すように、開口部の表面上にシード層１２を設ける。シード層１２の構成については前述したシード層８と同様で、層構成、層の厚みを適宜変更可能である。本実施形態ではＴｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍをこの順にスパッタリング法で形成した。

次に、図４（ｉ）に示すように、シード層１２上にレジストパターン１３を形成し、その開口部に電解めっきにより導体層（配線層）１４を形成する。導体層１４は、インターポーザ３の内部の配線層となる。本実施形態では導体層１４を銅で形成した。その後、図４（ｊ）に示すようにレジストパターン１３を除去する。その後、不要なシード層１２をエッチング除去する。
次に、図３（ｆ）から図４（ｊ）の工程を繰り返し、図４（ｋ）に示すような、導体層（配線層）１４が多層化された基板を得る。導体層１４の内、最表面に配置される導体層（第２電極）１５は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１との接合用の電極となる。

次に、図４（ｌ）に示すように、インターポーザ３に最表面絶縁樹脂層１６を形成する。具体的には、導体層（第２電極）１５上に最表面絶縁樹脂層１６を形成する。最表面絶縁樹脂層１６は、絶縁樹脂層１１を覆うように形成されており、露光、現像により、導体層１５の少なくとも一部が露出するように開口部を備えている。本実施形態では、最表面絶縁樹脂層１６として感光性エポキシ樹脂を使用して最表面絶縁樹脂層１６を形成する。なお、最表面絶縁樹脂層１６は絶縁樹脂層１１と同一材料でも構わない。

次に、図５（ｍ）に示すように導体層１５の表面の酸化防止とはんだバンプの濡れ性をよくするため、表面処理層１７を設ける。本実施形態では、表面処理層１７として無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきを成膜する。なお、表面処理層１７には、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｉｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ：水溶性プレフラックスによる表面処理）膜を形成してもよい。また、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどから適宜用途に応じて選択してもよい。

次に、図５（ｎ）に示すように、表面処理層１７上に、はんだ材料を搭載した後、一度溶融冷却して固着させることで、はんだバンプからなるインターポーザ３側のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３との接合部１８ａを得る。これにより、支持体５上に形成されたインターポーザ（第２配線基板）３が完成する。

（第１配線基板と第２配線基板の接合方法）
続けて、図６（ａ）から図７（ｅ）を用いて、支持体５上に形成されたインターポーザ（第２配線基板）３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１との接合工程の一例を説明する。

（緩衝層の形成）
図６（ａ）に示すように、少なくとも支持体５の側面５ｂを覆うように緩衝層１９を形成する。
緩衝層１９は、例えば、熱によって軟化、若しくは、発泡する樹脂で形成されていてもよく、レーザー光などの光によって軟化、若しくは、分解する樹脂で形成されていてもよく、また、後述するアンダーフィル２（図６（ｃ）参照）をはじくような撥液性の材料で形成されていてもよい。ここでは、緩衝層１９として加熱、若しくは、光の吸収による加熱で軟化する樹脂を用いた場合を説明する。熱によって軟化する樹脂としては、熱可塑性樹脂を用いることが可能であり、緩衝層１９は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートの１種又はこれら材料を含む混合物で形成可能である。

緩衝層１９の形成方法としては、緩衝層１９を形成する材料がフィルム状態であれば、ラミネート、ロールコートなどが挙げられる。また、緩衝層１９の形成方法としては、緩衝層１９を形成する材料が液状であれば、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、バーコート、スリットコート、ダイコート、インクジェット、ディスペンサ、ノズルコート、ロールコート、スクリーン印刷などが挙げられるが、適宜選択可能であり、本実施形態はこれらの形成方法に限定されない。本実施形態では、選択的に塗布が可能であるディスペンス方式、ロールコート方式、インクジェット方式などが材料使用効率の観点から望ましい。

緩衝層１９の厚みは、連続膜として層状になるために０．１μｍ以上であることが望ましく、剥離層６、保護層７、シード層８、インターポーザ３の総厚より厚くなると応力などの影響が増大するため、５０μｍ以下であることが望ましい。
また、緩衝層１９の形成領域は、少なくとも支持体５の側面５ｂを覆っていればよく、支持体５の表面５ａ、及び剥離層６、保護層７、シード層８、インターポーザ３に接して形成されていても構わない。本実施形態では、剥離層６が光を吸収して剥離可能となる樹脂の場合を鑑みて、光路を遮らないように支持体５の表面５ａには形成しない方が望ましい。

（第１配線基板と第２配線基板の位置合わせ）
次いで、図６（ｂ）に示すように、支持体５上に形成されたインターポーザ３の接合部１８ａに合わせてＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の接合部１８ｂを設計、製造したＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に対して支持体５上に形成されたインターポーザ３を配置する。

（第１配線基板と第２配線基板の接合及び接合部の封止）
図６（ｃ）に示すように、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１を接合した後、アンダーフィル２を形成し、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の固定、及び接合部１８（図１参照）の封止をする。こうして、本実施形態の支持体付き配線基板を作成する。

（第２配線基板からの支持体の剥離）
次に、図７（ｄ）に示すように、ＵＶ光であるレーザー光２５を、支持体５の背面より、支持体５を通して剥離層６に照射する。剥離層６は、ＵＶ光であるレーザー光２５が照射されることにより、保護層７から剥離可能となる。その後、緩衝層１９が軟化する温度以上まで緩衝層１９を加熱し、若しくは、光を吸収させて緩衝層１９を加熱することで、図７（ｅ）に示すように支持体５を取り外す。支持体５を取り外す際、支持体５の側面には、緩衝層１９が付着していてもよいし、緩衝層１９が付着していなくてもよい。また、支持体５を取り外す際、アンダーフィル２の側面には、緩衝層１９が残存していてもよいし、緩衝層１９が残存していなくてもよい。

（第１配線基板と第２配線基板が接合された配線基板）
次に、保護層７とシード層８を除去し、図７（ｆ）に示すような配線基板２２を得る。本実施形態では、例えば、保護層７はアクリル系樹脂を用いて形成されている。その場合は、アルカリ系溶剤（１％ＮａＯＨ、２．３％ＴＭＡＨ）によって保護層７を除去することが可能である。更に、シード層８は、保護層７側からチタン層と銅層とが積層した積層体を用いて形成されており、それぞれアルカリ系のエッチング剤と、酸系のエッチング剤にて溶解除去することができる。このようにして、インターポーザ（第２配線基板）３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１が接合された配線基板２２を得る。
この後、表面に露出した導体層１０（図４（ｇ）参照）上に、酸化防止とはんだバンプの濡れ性をよくするため、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき、ＯＳＰ、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどの表面処理を施してもよい。以上により配線基板２２が完成する。

＜作用効果＞
次に、上述したような製造方法を用いて作製した配線基板２２の作用効果について、図１１と図６（ｃ）を参照して説明する。
図１１は、緩衝層１９を形成せずに作製した従来の配線基板であり、支持体５の剥離前の配線基板である。アンダーフィル２と支持体５は接しており、アンダーフィル２の硬化の際に支持体５と固着される。

図１１に示した様に、第１配線基板１と第２配線基板３を接合した従来の配線基板においては、アンダーフィル２と支持体５が固着される。そのため、図７（ｄ）で示したような剥離層６にレーザー光２５を照射し、保護層７から支持体５が剥離可能な状態となったとしても、支持体５はアンダーフィル２で固定されているため剥離不可能となる。この製造方法で支持体５を剥離するためには、アンダーフィル２の量を高い精度で制御し、アンダーフィル２が支持体５と接さないようにする必要があるが、これは生産上、非常に困難なものである。

一方、図６（ｃ）に示すように、本発明の第１実施形態においては、アンダーフィル２と支持体５の側面との間には緩衝層１９が介在するため、支持体５とアンダーフィル２は接することがなく固着されないため、支持体５を剥離することが可能となる。加えて、緩衝層１９として加熱によって軟化する樹脂を用いるため、直接加熱、若しくは光を吸収させて加熱することにより、緩衝層１９が軟化状態のときに剥離することで、容易に、且つ支持体５を破損する可能性を減らすことができる。そのため、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。

このように、本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、支持体５上に、剥離層６と保護層７とシード層８とを形成した後、ビルドアップ層を形成することによりインターポーザ３を形成する。そのインターポーザ３をＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に接合した後、支持体５の側面部に、加熱によって軟化可能な緩衝層１９を形成してから、それらの間にアンダーフィル２を充填、固化させる。この時に、支持体５の側面５ｂに形成された緩衝層１９もアンダーフィル２により被覆され固着する。この様な物品の支持体５側から剥離層６にＵＶ光を照射することにより、剥離層６と保護層７を剥離可能な状態にしておき、且つ緩衝層１９を加熱、軟化させた状態で、インターポーザ３から支持体５を剥離するため、容易に剥離することができることから、インターポーザ３の配線層にダメージを与えることがない。そのため、歩留まり良く製造できる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第２実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態に係る配線基板の製造方法とは、互いに類似しているが、緩衝層１９−２の材料が互いに異なることを特徴としている。具体的には、第２実施形態では、緩衝層１９−２の材料として、加熱により発泡する材料を用いている。
次に、図８を参照して緩衝層１９−２及び支持体５の剥離方法を説明するが、その他については、第１実施形態と同等であるため省略する。

図８（ａ）に示すように、少なくとも支持体５の側面５ｂを覆うように緩衝層１９−２を形成する。緩衝層１９−２が発泡剤２３を含んでいることが第１実施形態とは異なり、それ以外は同様である。発泡剤２３としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻に内包させた微小球であればよい。なお、加熱により発泡する発泡剤２３を含有した緩衝層１９に用いることが可能な材料としては、例えば、リバアルファ［商品名、日東電工（株）製］などが好適である。

次に、図８（ｂ）に示した様に、図７（ｄ）に示したものと同様に、剥離層６に、ＵＶ光であるレーザー光２５（図７（ｄ）参照）を照射して支持体５を剥離する。支持体５の背面より、すなわち、支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面からレーザー光２５を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射し剥離可能な状態とする。その後、発泡剤２３が発泡する温度以上まで加熱しながら、図８（ｂ）に示すように支持体５を取り外すことにより配線基板２２−２を得る。発泡剤２３の発泡する加熱温度は、アンダーフィル２の形成時に発泡剤２３が発泡することを避けるため、アンダーフィル２の硬化温度より高いことが望ましい。

＜作用効果＞
次に、第２実施形態の製造方法を用いて作製した配線基板２２−２の作用効果について説明する。
本実施形態においては、アンダーフィル２と支持体５の側面との間には緩衝層１９−２が介在するため、支持体５とアンダーフィル２は接することがないため固着されず、且つ、加熱することによって発泡剤２３が発泡するため、支持体５とアンダーフィル２の間に空間が形成され、容易に支持体５を剥離することが可能となる。これにより、支持体５を破損する可能性を減らすことができ、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第３実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態、及び第２実施形態に係る各配線基板の製造方法とは、互いに類似しているが、緩衝層１９に関する製造方法が互いに異なることを特徴としている。具体的には、第３実施形態では、緩衝層１９をレーザーアブレーションにより除去する。
次に、図９を参照して緩衝層１９、及び支持体５の剥離方法を説明するが、その他については、第１実施形態と同等であるため省略する。

第３実施形態では、図６（ｃ）に示したように、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１を接合し、アンダーフィル２を形成し支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の固定、及び接合部１８（図１参照）の封止をする。第３実施形態では、その後、図９（ａ）に示した様に、緩衝層１９にレーザー光２４を照射して緩衝層１９を分解または蒸発または気化させるレーザーアブレーションで除去することを特徴としている。レーザー光２４としては、ＹＡＧなどの固体レーザー、エキシマなどの気体レーザー若しくは半導体レーザーを光源として用いることが可能である。第３実施形態では、高い出力が可能であるＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、ＣＯ_２レーザーが望ましい。

次に、図９（ｂ）に示したように、緩衝層１９の全て、若しくは、一部が除去された状態で、図７（ｄ）に示したものと同様に、剥離層６にＵＶ光からなるレーザー光２５を照射し、支持体５を剥離する。支持体５の背面より、すなわち、支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面からレーザー光２５を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射し、支持体５を剥離可能な状態とする。この場合、緩衝層１９の除去に用いるレーザー光２４を、支持体５との界面に形成された剥離層６を剥離可能な状態にするレーザー光２５と同一波長の光源とすれば、同一工程として実施可能なため、より簡便な工程とすることができる。

＜作用効果＞
次に、第３実施形態の製造方法を用いた場合の配線基板の作用効果について説明する。
本実施形態においては、アンダーフィル２と支持体５の側面との間には緩衝層１９（図９（ａ）参照）が介在する。そのため、支持体５とアンダーフィル２は接することがないため固着されず、且つ、エッチングによって緩衝層１９の全て、若しくは、一部を除去しているため、支持体５とアンダーフィル２の間に空間が形成され、容易に支持体５を剥離することが可能となる。これにより、支持体５を破損する可能性を減らすことができ、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第４実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態に係る各配線基板の製造方法とは、互いに類似しているが、緩衝層１９に関する製造方法が互いに異なることを特徴としている。具体的には、第４実施形態では、緩衝層１９をエッチング除去することが特徴である。

次に、図６（ｃ）、図７（ｄ）、及び、図９（ｂ）を参照して緩衝層１９、及び支持体５の剥離方法を説明するが、その他については、第１実施形態と同等であるため省略する。
図６（ｃ）に示したように、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１を接合し、アンダーフィル２を形成し支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の固定、及び接合部１８（図１参照）の封止をする。第４実施形態では、その後、緩衝層１９の全て、若しくは、一部をエッチングすることを特徴とする。緩衝層１９のエッチング方法は化学エッチング法、ドライエッチング法、いずれも公知の方法を用いることができる。本実施形態では、等方性エッチングである化学エッチングが生産性の観点から望ましい。

次に、図９（ｂ）に示すように、緩衝層１９の全て、若しくは一部が除去されたものに、図７（ｄ）に示したものと同様に、剥離層６にＵＶ光からなるレーザー光２５を照射する。支持体５の背面より、すなわち、支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面からレーザー光２５を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射することにより、支持体５を剥離可能な状態とする。

＜作用効果＞
次に、第４実施形態の製造方法を用いた配線基板の作用効果について説明する。
本実施形態においては、アンダーフィル２と支持体５の側面との間には緩衝層１９が介在する。そのため、支持体５とアンダーフィル２は接することがないため固着されず、且つ、エッチングによって緩衝層１９の全て、若しくは、一部を除去しているため、支持体５とアンダーフィル２の間に空間が形成され、容易に支持体５を剥離することが可能となる。これにより、支持体５を破損する可能性を減らすことができ、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第５実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、及び第４実施形態に係る各配線基板の製造方法とは、互いに類似しているが、緩衝層１９の材料が互いに異なることを特徴としている。具体的には、第５実施形態では、緩衝層１９が撥液性の材料からなることを特徴としている。
次に、図６及び図９を参照して緩衝層１９、及び支持体５の剥離方法を説明するが、その他については、第１実施形態と同等であるため省略する。

図６（ａ）に示すように、少なくとも支持体５の側面５ｂを覆うように緩衝層１９を形成する。本実施形態では、緩衝層１９は、撥液性の層からなることを特徴とする。本実施形態では、緩衝層１９を、撥液性を有する材料により形成してもよく、又は緩衝層１９に撥液性を有する材料を含有させてもよい。撥液性を有する材料としては、例えば、フッ素系材料、シリカ系材料、側鎖にメチル基やフッ素基等を導入したポリイミド樹脂等が挙げられる。フッ素系材料としては、例えば、フッ化カルシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム、フッ化ナトリウム、モノフルオロリン酸ナトリウム、フルオロエチレン等が挙げられる。シリカ系の材料としては、例えば、ポリシラザン、テトラエトキシシラン等が挙げられる。

図１０（ａ）に示すように、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１を接合した後、アンダーフィル２を形成し支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の固定、及び接合部１８（図１参照）の封止をする。
次に、図１０（ｂ）に示すように、支持体５を剥離可能とする処理を行う。具体的には、支持体５の背面より、すなわち支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面から、ＵＶ光からなるレーザー光２５を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射し、支持体５を剥離可能な状態とする。その後、図１０（ｃ）に示すように支持体５を取り外す。

＜作用効果＞
次に、第５実施形態の製造方法を用いた場合の配線基板の作用効果について説明する。
本実施形態においては緩衝層１９が撥液性を備える。そのため、図１０（ａ）に示すように、アンダーフィル２は緩衝層１９によって弾かれ、アンダーフィル２は支持体５周囲を固着することなく、容易に支持体５を剥離することが可能となる。これにより、支持体５を破損する可能性を減らすことができ、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態に係る配線基板及びその製造方法ついて説明する。第６実施形態に係る配線基板及びその製造方法と、第１実施形態に係る配線基板及びその製造方法とは互いに類似しているが、第６実施形態は第１実施形態と比較してアンダーフィルフィレット（封止樹脂）２８を備えている点で異なる。そこで、本実施形態では、第１実施形態と異なる点については説明し、第１実施形態と同じ部分である「第２配線基板の製造方法」等については説明を省略する。

（全体構造）
図１２は、本実施形態に係る配線基板に半導体チップ（半導体素子）を実装した半導体パッケージの一例を示す断面図である。本実施形態に係る半導体パッケージ（半導体装置）は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１の一方の面に、樹脂と配線とが積層されてなるビルドアップ配線層のみで形成された微細配線層を備えた薄い配線基板であるインターポーザ（第２配線基板）３が、はんだバンプまたは銅ポスト（銅ピラー）または金バンプなどで接合（接合部１８）されている。また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３との間隙が絶縁性の接着部材としてのアンダーフィル（封止樹脂）２で埋め込まれている。さらにインターポーザ３の、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面に半導体素子４が銅ピラー及びその先端のはんだで接合（接合部２０）され、半導体素子４とインターポーザ３との間隙がアンダーフィル２１で埋め込まれている。なお、本実施形態では、後述するように、インターポーザ３、支持体５、剥離層６、保護層７の周囲にはアンダーフィルフィレット（封止樹脂）２８が形成されている。

アンダーフィル２は、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３とを固定及び接合部１８を封止するために用いられる接着材料である。アンダーフィル２としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂に、フィラーとしてのシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、又は酸化亜鉛等が加えられた材料が用いられる。アンダーフィル２は、液状の樹脂を充填させることで形成される。アンダーフィルフィレット２８は、アンダーフィル２と同様の材料で構成され、同時に形成される。

（第１配線基板と第２配線基板の接合方法）
図１３から図１９を用いて、支持体５上に形成されたインターポーザ（第２配線基板）３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１の本実施形態に係る接合工程及び封止樹脂の除去工程の一例を説明する。

（第１配線基板と第２配線基板の位置合わせ）
図１３に示すように、支持体５上に形成されたインターポーザ３の接合部１８ａに合わせてＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の接合部１８ｂを設計、製造したＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に対して支持体５上に形成されたインターポーザ３を配置する。

（第１配線基板と第２配線基板の接合及び接合部の封止）
図１４に示すように、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１を接合した後、アンダーフィル２を形成し、支持体５上に形成されたインターポーザ３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の固定、及び接合部１８の封止をする。このとき、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とインターポーザ３の間にアンダーフィル２が満たされると共に、インターポーザ３、支持体５、剥離層６、保護層７の周囲にアンダーフィルフィレット２８が形成される。こうして、本実施形態の支持体付き配線基板を作成する。

（第２配線基板からの支持体の剥離）
次に、図１５に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。本実施形態では、支持体５の背面すなわち支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面を加工面としてドライエッチング加工を行う。酸素等のエッチングガス２９を導入し、ドライエッチングを行うことによって、図１６に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去することができる。
次に、図１７に示すように、ＵＶ光であるレーザー光２６を剥離層６に照射して支持体５を剥離する。具体的には、支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面からレーザー光２６を支持体５との界面に形成された剥離層６に照射し、剥離可能な状態とすることで、図１８に示すように支持体５を取り外すことが可能となる。また、ＵＶ光の照射を行った後に、図１５、図１６に示したアンダーフィルフィレット２８の一部を除去する工程を実施することも可能である。

（第１配線基板と第２配線基板が接合された配線基板）
次に、保護層７とシード層８を除去し、図１９に示すような配線基板２２−３を得る。本実施形態では、保護層７はアクリル系樹脂を用いて形成されており、アルカリ系溶剤（１％ＮａＯＨ、２．３％ＴＭＡＨ）によって、保護層７を除去することができる。更に、シード層８は、保護層７側からチタン層と銅層とが積層した積層体を用いて形成されており、それぞれアルカリ系のエッチング剤と、酸系のエッチング剤にて溶解除去することができる。このようにして、インターポーザ（第２配線基板）３とＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）１が接合された配線基板２２−３を得る。
この後、表面に露出した導体層１０上に、酸化防止とはんだバンプの濡れ性をよくするため、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき、ＯＳＰ、無電解スズめっき、無電解Ｎｉ／Ａｕめっきなどの表面処理を施してもよい。以上により配線基板２２−３が完成する。

＜作用効果＞
本実施形態に係る製造方法によれば、支持体５の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に搭載する方式において、歩留まり良く製造することが可能となり、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。
ドライエッチング加工によるアンダーフィルフィレット２８の除去においては、公知のローディング効果によって、図１６に示すように、支持体５、剥離層６、保護層７の側面近傍のアンダーフィルフィレット２８が選択的にエッチングされる。このため、支持体５の剥離が容易となる。さらに、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１、支持体５上に形成されたインターポーザ３、支持体５の少なくとも一つに反りが発生している場合においても、反りが発生していない場合と同様のドライエッチング加工によってアンダーフィルフィレット２８の除去が可能である。さらにまた、支持体５上に形成されたインターポーザ３の面積が大きくなり、除去するアンダーフィルフィレット２８の量が増えた場合においても、ドライエッチング加工に要する時間が増加することはない。

＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第７実施形態に係る配線基板の製造方法と、第６実施形態に係る配線基板の製造方法とは、互いに類似であるが、封止樹脂の除去に関して互いに異なることを特徴としている。そのため、図２０及び図２１を参照し、封止樹脂の除去について説明し、その他については省略する。
図２０に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部にレーザー光２７を照射し、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。レーザー光２７の照射後、スミアと呼ばれる固着物が発生した場合は、過マンガン酸塩溶液等を用い、デスミア処理を行う。レーザー加工によって、図２１に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去することができる。

＜作用効果＞
本実施形態に係る製造方法によれば、支持体５の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に搭載する方式において、歩留まり良く製造することが可能となり、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。
レーザー加工によるアンダーフィルフィレット２８の除去においては、図２１に示すように、支持体５、剥離層６、保護層７の側面のアンダーフィルフィレット２８が除去され、支持体５の剥離が容易となる。また、レーザー光２７は、除去するアンダーフィルフィレット２８にのみ照射されるため、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の支持体５側の面がダメージを受けることはない。さらに、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１、支持体５上に形成されたインターポーザ３、支持体５の少なくとも一つに反りが発生している場合においても、反りが発生していない場合と同様のレーザー加工によってアンダーフィルフィレット２８の除去が可能である。

＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第８実施形態に係る配線基板の製造方法と、第６実施形態に係る配線基板の製造方法とは、互いに類似であるが、封止樹脂の除去に関して互いに異なることを特徴としている。そのため、図２２及び図２３を参照し、封止樹脂の除去について説明し、その他については省略する。
図２２に示すように、公知のダイシング装置を用いて、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。高さ調整をしたダイシングブレード３０をアンダーフィルフィレット２８に接触させ、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。ダイシング装置を用いた加工によって、図２３に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去することができる。

＜作用効果＞
本実施形態に係る製造方法によれば、支持体５の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に搭載する方式において、歩留まり良く製造することが可能となり、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。
ダイシング装置を用いたアンダーフィルフィレット２８の除去においては、図２３に示すように、支持体５、剥離層６、保護層７の側面のアンダーフィルフィレット２８が除去され、支持体５の剥離が容易となる。また、ダイシングブレード３０は、除去するアンダーフィルフィレット２８にのみ接触するため、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の支持体５側の面がダメージを受けることはない。また、アンダーフィルフィレット２８が幅１．５ｍｍ以下であれば、一回のダイシング装置による加工でアンダーフィルフィレット２８の除去が可能である。さらにまた、ダイシング装置による加工は、ダイシングブレード３０の周囲に水を供給しながら実施し、除去されたアンダーフィルフィレット２８は水と共に排出される。このため、ダイシング装置による加工後、残渣等の洗浄は不要である。

＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第９実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態に係る配線基板の製造方法とは、互いに類似であるが、封止樹脂の除去に関して互いに異なることを特徴としている。そのため、図２４及び図２５を参照し、封止樹脂の除去について説明し、その他については省略する。
図２４に示すように、公知のルータを用いて、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。高さ調整をしたルータビット３１をアンダーフィルフィレット２８に接触させ、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。ルータ加工後、残渣等が発生した場合は、水による洗浄または過マンガン酸塩溶液等を用いたデスミア処理を行う。ルータ加工によって、図２５に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去することができる。

＜作用効果＞
本実施形態に係る製造方法によれば、支持体５の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に搭載する方式において、歩留まり良く製造することが可能となり、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。
ルータを用いたアンダーフィルフィレット２８の除去においては、図２５に示すように、支持体５、剥離層６、保護層７の側面のアンダーフィルフィレット２８が除去され、支持体５の剥離が容易となる。また、ルータビット３１は、除去するアンダーフィルフィレット２８にのみ接触するため、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１の支持体５側の面がダメージを受けることはない。さらに、アンダーフィルフィレット２８が幅３ｍｍ以下であれば、一回のルータ加工でアンダーフィルフィレット２８の除去が可能である。

＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態に係る配線基板の製造方法ついて説明する。
第１０実施形態に係る配線基板の製造方法と、第１実施形態に係る配線基板の製造方法とは、互いに類似であるが、封止樹脂の除去に関して互いに異なることを特徴としている。そのため、図２６及び図２７を参照し、封止樹脂の除去について説明し、その他については省略する。
図２６に示すように、公知のウェットブラスト装置を用いて、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去する。支持体５の背面、すなわち支持体５のＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１とは逆側の面を加工面としてウェットブラスト加工を行う。研磨剤３２がアンダーフィルフィレット２８に衝突することによって、図２７に示すように、アンダーフィルフィレット２８の一部を除去することができる。

＜作用効果＞
本実施形態に係る製造方法によれば、支持体５の上に微細な配線層を形成しＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１に搭載する方式において、歩留まり良く製造することが可能となり、支持体５を剥離する工程における収率を向上させることができる。
ウェットブラスト装置を用いたアンダーフィルフィレット２８の除去においては、図２７に示すように、支持体５、剥離層６、保護層７の側面のアンダーフィルフィレット２８が除去され、支持体５の剥離が容易となる。また、ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板１、支持体５上に形成されたインターポーザ３、支持体５の少なくとも一つに反りが発生している場合においても、反りが発生していない場合と同様のウェットブラスト加工によってアンダーフィルフィレット２８の除去が可能である。さらに、支持体５上に形成されたインターポーザ３の面積が大きくなり、除去するアンダーフィルフィレット２８の量が増えた場合においても、ウェットブラスト加工に要する時間が増加することはない。さらにまた、ウェットブラスト加工は研磨剤３２とともに水を用いて行い、除去されたアンダーフィルフィレット２８は水と共に排出される。このため、ウェットブラスト加工の後に、残渣等の洗浄は不要である。

［実施例］
表１に、本実施形態における効果確認として、支持体側面の緩衝層の有無、及び、アンダーフィル除去工程を変更した比較評価結果を示す。支持体剥離の歩留まりを評価項目として比較を行った。

＜評価用基板作製＞
支持体５として、ガラス基板（１．１ｍｍ厚）を使用した。次いで、剥離層６を形成した。剥離層６には、Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ−Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ（ＬＴＨＣ：住友スリーエム株式会社製）を用い、所望の膜厚となるように調整し、スピンコートで剥離層６を形成した。次いで、シード層８として、Ｔｉ：５０ｎｍ、Ｃｕ：３００ｎｍの各層をスパッタリング法で形成した。

次いで、絶縁樹脂として２５μｍの味の素ビルドアップフィルム（ＧＸ−Ｔ３１）をラミネートで形成した。２回繰り返し形成することで総厚を５０μｍとした。さらにセミアディティブ法により、厚さ１０μｍの銅による接続端子部を形成した。接続端子は１６０μｍピッチ、φ１００μｍで形成し、上層にソルダーレジスト層を形成することで接続端子の開口はφ８０μｍとなるようにした。接続端子の開口表面にはんだ層を形成し、ダイシングにより個片化することで、支持体５付きの評価用第２配線基板３を作成した。
実施例２、及び、実施例３においては、緩衝層１９を、ガラス基板の側面に剥離層６と同様にＬｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ−Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ（ＬＴＨＣ：住友スリーエム株式会社製）を用いて形成した。

次いで、支持体５付きの評価用第２配線基板３と第１配線基板１をはんだで接合した。第２配線基板３と第１配線基板１の接合面にフラックスを塗布形成した後、フリップチップボンダーで互いの接続端子が合うように配置した。その後、２６０℃でリフローを行いはんだ接合させた。次いで、ダイレクトパス洗浄方式で１０分間フラックス洗浄を行った。
以降は比較例、及び、実施例で分けて工程を記載する。

＜比較例＞
フラックス洗浄後、１６５℃で２時間加熱乾燥した。その後、ディスペンサを使用しアンダーフィル（封止樹脂）２（Ｕ８４１０−３０２：ナミックス社）を第２配線基板３と第１配線基板１の隙間に充填した後、１５０℃、２時間の加熱によりアンダーフィル２を硬化させた。ガラス基板の剥離層６が形成されていない面の側より、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを照射して剥離層６を変質させた後、ガラス基板を剥離し評価を行った。評価の結果、ガラス基板の剥離が成功したのは１０枚の内１枚のみで歩留まりは１０％であった。

＜実施例１＞
フラックス洗浄後、１６５℃で２時間加熱乾燥した。その後、ディスペンサを使用しアンダーフィル２（Ｕ８４１０−３０２：ナミックス社）を第２配線基板３と第１配線基板１の隙間に充填した後、１５０℃、２時間の加熱によりアンダーフィル２を硬化させた。次いで、真空中で酸素プラズマ処理を４００Ｗ、３０分間実施し、アンダーフィル２の除去を行った。ガラス基板の剥離層６が形成されていない面の側より、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを照射して剥離層６を変質させた後、ガラス基板を剥離し評価を行った。評価の結果、ガラス基板の剥離が成功したのは１０枚の内８枚で歩留まりは８０％であった。

＜実施例２＞
フラックス洗浄後、１６５℃で２時間加熱乾燥した。その後、ディスペンサを使用しアンダーフィル２（Ｕ８４１０−３０２：ナミックス社）を第２配線基板３と第１配線基板１の隙間に充填した後、１５０℃、２時間の加熱によりアンダーフィル２を硬化させた。ガラス基板の剥離層６が形成されていない面の側より、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを剥離層６に照射した。また同様に、緩衝層１９にも波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを照射し、ガラス基板を剥離し評価を行った。評価の結果、ガラス基板の剥離が成功したのは１０枚の内７枚で歩留まりは７０％であった。

＜実施例３＞
フラックス洗浄後、１６５℃で２時間加熱乾燥した。その後、ディスペンサを使用しアンダーフィル２（Ｕ８４１０−３０２：ナミックス社）を第２配線基板３と第１配線基板１の隙間に充填した後、１５０℃、２時間の加熱によりアンダーフィル２を硬化させた。次いで、真空中で酸素プラズマ処理を４００Ｗ、３０分間実施し、アンダーフィル２の除去を行った。ガラス基板の剥離層６が形成されていない面の側より、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを剥離層６に照射した。また同様に、緩衝層１９にも波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを照射し、ガラス基板を剥離し評価を行った。評価の結果、ガラス基板の剥離が成功したのは１０枚の内１０枚で歩留まりは１００％であった。

比較例に対する実施例のガラス基板の剥離における歩留まりの向上について考察する。
実施例１、実施例３はアンダーフィル除去の工程を行った後にガラス基板を剥離している。そのため、ガラス基板を固着していたアンダーフィルが除去されることでガラス基板を剥離できたものと考えられる。但し、アンダーフィルの除去を完全に実施することは難しく、数枚はガラス基板の剥離が困難であった。実施例２、実施例３はガラス基板の側面に緩衝層があるためアンダーフィルの固着を防止し、且つ、レーザー照射により緩衝層を分解させているため、ガラス基板を剥離できたものと考えられる。但し、緩衝層の厚みが薄いなどの形成ムラによりアンダーフィルの固着を完全に防止することが難しく、数枚はガラス基板の剥離が困難であった。

ガラス基板の側面に緩衝層を形成しつつ、アンダーフィルの除去工程を実施した実施例３においては全ての配線基板（支持体付き配線基板）でガラス基板の剥離が可能であった。緩衝層によってガラス基板の側面へのアンダーフィルの固着を防止しつつ、緩衝層の形成ムラなどにより部分的にアンダーフィルが固着されたとしてもアンダーフィルの除去工程を行うことでガラス基板の剥離が可能になったと考えられる。
本実施例では一連の工程として、緩衝層の形成、及び、アンダーフィルの除去を行っているが、全ての配線基板（支持体付き配線基板）で実施する必要はなく、レーザー光を照射した後にガラス基板の剥離が困難である配線基板に対してのみにアンダーフィルの除去を実施することが好ましい。

上述の実施形態は一例であって、その他、具体的な細部構造などについては適宜に変更可能であることは勿論である。

本発明は、主基板とＩＣチップとの間に介在するインターポーザ等を備えた配線基板を有する半導体装置に利用可能である。

１ ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板（第１配線基板）
２ アンダーフィル（封止樹脂）
３ インターポーザ（第２配線基板）
４ 半導体素子
５ 支持体
５ａ （支持体の）表面
５ｂ （支持体の）側面
６ 剥離層
７ 保護層
８、１２ シード層
９、１３ レジストパターン
１０ 導体層（第１電極）
１１ 絶縁樹脂層
１４ 導体層（配線層）
１５ 導体層（第２電極）
１６ 最表面絶縁樹脂層
１７ 表面処理層
１８ インターポーザ−ＦＣ−ＢＧＡ接合部
１８ａ インターポーザの接合部
１８ｂ ＦＣ−ＢＧＡ用配線基板の接合部
１９、１９−２ 緩衝層
２０ 半導体素子−インターポーザ接合部
２０ａ 銅ピラー
２０ｂ はんだ
２１ アンダーフィル（封止樹脂）
２２、２２−２、２２−３ 配線基板
２３ 発泡剤
２４、２５、２６、２７ レーザー光
２８ アンダーフィルフィレット
２９ エッチングガス
３０ ダイシングブレード
３１ ルータビット
３２ 研磨剤

Claims (25)

1. 第１配線基板と、前記第１配線基板に接合された前記第１配線基板より微細な配線が形成された第２配線基板とを備え、前記第２配線基板の前記第１配線基板との接合面の対向面に半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、
   支持体上に剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程と、
   前記支持体の表層の少なくとも側面に緩衝層を形成する工程と、
   前記第１配線基板と前記第２配線基板の間隙に封止樹脂を形成する工程と、
   前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記緩衝層は、熱で軟化する材料からなり、加熱しながら前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記緩衝層は、光を吸収することで軟化する材料からなり、光を照射しながら、若しくは、光を照射した後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記緩衝層は、加熱により発泡する材料を含んだ層からなり、前記緩衝層を加熱して発泡させた後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記封止樹脂の硬化温度より前記緩衝層を加熱して発泡する温度の方が高いことを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記緩衝層にレーザー光を照射した後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記剥離層にレーザー光を照射して剥離可能な状態にし、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を有し、
   前記緩衝層と前記剥離層には同一のレーザー光を照射することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記緩衝層をエッチングした後に、前記支持体を前記第２配線基板から剥離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記緩衝層は、撥液性の材料からなる、若しくは、撥液性の材料を含有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲に形成された前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
11. 前記支持体上に前記剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程は、
    前記支持体上に前記剥離層を介して前記半導体素子と接合する第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極の上部に絶縁樹脂層と配線層からなる多層配線層を形成する工程と、
    前記多層配線層の前記支持体と対向する側に前記第１配線基板と接合する第２電極を形成する工程と、を含み、
    前記第１配線基板の一方の面に前記第２配線基板と接合する第３電極を形成した後、前記第１配線基板と前記第２配線基板を、前記第３電極と前記第２電極とで接合することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
12. 第１配線基板と、前記第１配線基板より微細な配線が形成された第２配線基板とを備え、前記第２配線基板の接合面に前記第１配線基板が接合され、前記接合面と対向する前記第２配線基板の対向面に半導体素子が実装される配線基板の製造方法であって、
    支持体の一面上に剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程と、
    前記第１配線基板と前記第２配線基板との間、及び前記第２配線基板と前記剥離層と前記支持体の周囲に封止樹脂を形成する工程と、
    前記封止樹脂を硬化させる工程と、
    前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程と、
    前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
13. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ドライエッチングを用いることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
14. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、レーザー加工を用いることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
15. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ダイシング加工を用いることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
16. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ルータ加工を用いることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
17. 前記支持体と前記剥離層と前記第２配線基板の周囲の前記封止樹脂の少なくとも一部を除去する工程は、ブラスト加工を用いることを特徴とする請求項１２に記載の配線基板の製造方法。
18. 前記支持体の一面上に前記剥離層を介して前記第２配線基板を形成する工程は、
    前記支持体の一面上に前記剥離層を形成する工程と、
    前記剥離層の上部に前記半導体素子と接合する第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極の上部に絶縁樹脂層と配線層からなる多層配線層を形成する工程と、
    前記多層配線層の前記支持体と対向する側に前記第１配線基板と接合する第２電極を形成する工程と、を含み、
    前記第１配線基板の一方の面に前記第２配線基板と接合する第３電極を形成した後、前記第２配線基板と前記第１配線基板を、前記第３電極と前記第２電極とで接合し、
    前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離する工程では、前記支持体を前記剥離層により前記第２配線基板から剥離し、前記第１電極を表面に露出させることを特徴とする請求項１２から請求項１７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
19. 前記支持体は、ガラスであることを特徴とする請求項１から請求項１８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
20. 支持体と、剥離層と、一方の面には半導体素子が、他方の面には第１配線基板がそれぞれ実装される第２配線基板と、をこの順に備える支持体付き配線基板において、
    前記支持体の少なくとも側面には、緩衝層が形成されていることを特徴とする支持体付き配線基板。
21. 前記緩衝層は、熱、若しくは、光により軟化することを特徴とする請求項２０に記載の支持体付き配線基板。
22. 前記緩衝層は、加熱により発泡する材料を含んだ層からなることを特徴とする請求項２０に記載の支持体付き配線基板。
23. 前記緩衝層は、撥液性の材料からなる、若しくは、撥液性の材料を含有することを特徴とする請求項２０に記載の支持体付き配線基板。
24. 請求項２０から請求項２３のいずれか１項に記載の支持体付き配線基板を用いて製造される配線基板であって、
    前記支持体付き配線基板に、前記第１配線基板がはんだを含む接続端子を介して互いに接続されており、且つ前記支持体は除去されていることを特徴とする配線基板。
25. 請求項２４に記載の配線基板を備えた半導体装置であって、
    前記配線基板に、前記半導体素子がはんだを含む接続端子を介して互いに接続されていることを特徴とする半導体装置。

Images