JP2020194799A5 - - Google Patents

Claims (26)

1. 底面を有する筐体と、
   前記底面に配置され、第１上面を有する第１ベースと、
   前記第１上面に配置され、第１発光点及び第２発光点を有する半導体レーザ素子と、
   前記第１発光点から出射される第１レーザ光を偏向する第１偏向素子と、
   前記第２発光点から出射される第２レーザ光を偏向する第２偏向素子とを備え、
   前記第１上面は、前記底面に対して０より大きい第１角度で傾斜しており、
   前記第１発光点の前記底面からの距離は、前記第２発光点の前記底面からの距離よりも大きく、
   前記第１発光点及び前記第２発光点の各々のニアフィールドパターンの長手方向は、前記第１上面と平行である
   半導体レーザモジュール。
2. 底面を有する筐体と、
   前記底面に配置され、第１上面を有する第１ベースと、
   前記第１上面に配置されるサブマウントと、
   前記サブマウントに実装され、第１発光点を有する第１半導体レーザ素子と、
   前記サブマウントに実装され、第２発光点を有する第２半導体レーザ素子と、
   前記第１発光点から出射される第１レーザ光を偏向する第１偏向素子と、
   前記第２発光点から出射される第２レーザ光を偏向する第２偏向素子とを備え、
   前記第１上面は、前記底面に対して０より大きい第１角度だけ傾斜しており、
   前記第１発光点の前記底面からの距離は、前記第２発光点の前記底面からの距離よりも大きく、
   前記第１発光点及び前記第２発光点の各々のニアフィールドパターンの長手方向は、前記第１上面と平行である
   半導体レーザモジュール。
3. 底面を有する筐体と、
   前記底面に配置され、第１上面を有する第１ベースと、
   前記第１上面に配置され、第１発光点を有する第１半導体レーザ素子と、
   前記第１上面に配置され、第２発光点を有する第２半導体レーザ素子と、
   前記第１発光点から出射される第１レーザ光を偏向する第１偏向素子と、
   前記第２発光点から出射される第２レーザ光を偏向する第２偏向素子とを備え、
   前記第１上面は、前記底面に対して０より大きい第１角度だけ傾斜しており、
   前記第１発光点の前記底面からの距離は、前記第２発光点の前記底面からの距離よりも大きく、
   前記第１発光点及び前記第２発光点の各々のニアフィールドパターンの長手方向は、前記第１上面と平行である
   半導体レーザモジュール。
4. 前記第１角度は、５７度より小さい
   請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
5. 前記第１発光点及び前記第２発光点は、前記第１上面と平行な同一平面上に位置する
   請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
6. 前記第１レーザ光及び前記第２レーザ光は、前記底面と平行に伝搬する
   請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
7. 前記第１偏向素子で偏向された第１偏向光及び前記第２偏向素子で偏向された第２偏向光は、前記底面と平行に伝搬する
   請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
8. 前記第１偏向光は、前記第２偏向素子の上方を前記底面と平行に伝搬する
   請求項７に記載の半導体レーザモジュール。
9. 前記第１偏向光及び前記第２偏向光を集光する第１集光素子をさらに備える
   請求項７又は８に記載の半導体レーザモジュール。
10. 前記第１偏向光及び前記第２偏向光は、前記第１集光素子によって細長い形状に集光され、
    前記細長い形状の長手方向は、前記底面に対して、前記第１角度で傾斜する
    請求項９に記載の半導体レーザモジュール。
11. 前記筐体に接続された光ファイバをさらに備え、
    前記第１偏向光及び前記第２偏向光は、前記筐体内部に配置された前記光ファイバの一方の端面に集光される
    請求項９又は１０に記載の半導体レーザモジュール。
12. 前記第１発光点と前記第１偏向素子との間に配置される第２集光素子を有する
    請求項１～１１のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
13. 前記第２集光素子は、前記第１レーザ光をコリメートする
    請求項１２に記載の半導体レーザモジュール。
14. 前記第２集光素子は、
    前記第１レーザ光の前記第１上面と垂直な方向の発散を減少させるファスト軸コリメータレンズと、
    前記第１レーザ光の前記第１上面と平行な方向の発散を減少させるスロー軸コリメータレンズとを含み、
    前記スロー軸コリメータレンズは、前記ファスト軸コリメータレンズと前記第１偏向素子との間に配置される
    請求項１３に記載の半導体レーザモジュール。
15. 前記底面に配置され、第２上面を有する第２ベースをさらに備え、
    前記第２上面に、前記第１偏向素子及び前記第２偏向素子が配置される
    請求項１～１４のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
16. 前記第２上面は、前記底面に対して傾斜している
    請求項１５に記載の半導体レーザモジュール。
17. 前記第２上面は、前記底面に対して前記第１角度で傾斜している
    請求項１６に記載の半導体レーザモジュール。
18. 前記第１ベースと前記第２ベースとは一体に形成されている
    請求項１５～１７のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
19. 前記第１偏向素子が配置される前記第２上面上の位置における前記底面からの距離は、前記第２偏向素子が配置される前記第２上面上の位置における前記底面からの距離よりも大きい
    請求項１５～１８のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
20. 前記第１偏向素子の前記第２上面と対向する面及び前記第２偏向素子の前記第２上面と対向する面は、前記底面に対して傾斜している
    請求項１９に記載の半導体レーザモジュール。
21. 前記第１偏向素子及び前記第２偏向素子は、一体に形成されている
    請求項１～２０のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
22. 前記第１偏向素子及び前記第２偏向素子の各々は、ミラーである
    請求項１～２１のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
23. 前記第１偏向素子及び前記第２偏向素子の各々は、プリズムである
    請求項１～２１のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
24. 前記筐体は、天面部を有する
    請求項１～２３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
25. 前記筐体の内部は、気密空間である
    請求項２４に記載の半導体レーザモジュール。
26. 請求項１１に記載の半導体レーザモジュールを有し、
    前記第１偏向光及び前記第２偏向光が前記光ファイバの他方の端面から出射される
    レーザ加工装置。