JP2020190012A - Vapor deposition source for vacuum evaporation apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、真空チャンバ内に配置され、固体の蒸着物質を蒸発させて被蒸着物に対して蒸着するための真空蒸着装置用の蒸着源に関する。 The present invention relates to a vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus that is placed in a vacuum chamber to evaporate a solid vapor deposition material and deposit it on an object to be deposited.
例えば有機EL素子の製造工程においては、真空雰囲気中で基板などの被蒸着物に対して、α−NPDなどの固体の蒸着物質(有機材料)を蒸発させて被蒸着物表面に所定の薄膜を蒸着する工程があり、この蒸着工程には真空蒸着装置が広く利用されている。このような真空蒸着装置に用いられる蒸着源は例えば特許文献1で知られている。このものは、鉛直方向上面を開口した坩堝と、坩堝を加熱する誘導コイルなどの加熱手段とを備える(従来技術の欄、参照)。 For example, in the manufacturing process of an organic EL element, a solid thin-film deposition material (organic material) such as α-NPD is evaporated from a substrate or other material to be vapor-deposited in a vacuum atmosphere to form a predetermined thin film on the surface of the material to be deposited. There is a step of vapor deposition, and a vacuum vapor deposition apparatus is widely used in this vapor deposition step. A vapor deposition source used in such a vacuum vapor deposition apparatus is known, for example, in Patent Document 1. This includes a crucible with an open upper surface in the vertical direction and a heating means such as an induction coil for heating the crucible (see the column of prior art).
上記従来例の蒸着源にて、坩堝内に例えば粉末状の蒸着物質を充填し、真空雰囲気中で加熱手段により坩堝を加熱すると、坩堝内の蒸着物質が融解した後、気化するが、坩堝の上面開口を臨む液面からしか蒸着物質は気化しない。結果として、同一の圧力下での単位時間当たりの蒸発量が少なくて被蒸着物に対する蒸着レートが低い(つまり、生産性が低い)という問題がある。この場合、坩堝の加熱温度を高くすることが考えらえるが、利用する蒸着物質(有機材料)によっては、加熱温度を高くすると、蒸着源にて蒸着物質が分解してしまい、素子の性能を決める所望の膜質を持つ薄膜を蒸着できない。このことから、真空蒸着装置の蒸着源として、比較的低い温度で高い蒸着レートが得られるものの開発が近年求められるようになっている。 When, for example, a powdery vapor-deposited substance is filled in the crucible with the above-mentioned conventional vapor deposition source and the crucible is heated by a heating means in a vacuum atmosphere, the vapor-deposited substance in the crucible melts and then vaporizes, but the crucible The vaporized material vaporizes only from the liquid surface facing the top opening. As a result, there is a problem that the amount of evaporation per unit time under the same pressure is small and the vapor deposition rate for the material to be deposited is low (that is, the productivity is low). In this case, it is conceivable to raise the heating temperature of the pit, but depending on the vapor deposition material (organic material) used, if the heating temperature is raised, the vapor deposition material will be decomposed at the vapor deposition source, and the performance of the element will be improved. A thin film with the desired film quality cannot be deposited. For this reason, the development of a vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus capable of obtaining a high vapor deposition rate at a relatively low temperature has been required in recent years.
本発明は、以上の点に鑑み、蒸着物質を蒸発させて被蒸着物に対して蒸着するときに、単位時間当たりの蒸発量を多くできて被蒸着物に対する蒸着レートの高い真空蒸着装置用の蒸着源を提供することをその課題とするものである。 In view of the above points, the present invention is for a vacuum vapor deposition apparatus which can increase the amount of evaporation per unit time and have a high vapor deposition rate for the vapor-deposited material when the vapor-deposited material is evaporated and the vapor-deposited material is vapor-deposited. The subject is to provide a vapor deposition source.
上記課題を解決するために、真空チャンバ内に配置され、固体の蒸着物質を蒸発させて被蒸着物に対して蒸着するための本発明の真空蒸着装置用の蒸着源は、被蒸着物に向けて蒸発した蒸着物質を噴出する噴出口を有する外容器と、この外容器にその壁面から間隔を置いて内挿されて固体の蒸着物質を収容する内容器と、内容器内の蒸着物質の加熱を可能とする加熱手段とを備え、内容器が多孔質体で構成されることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the vapor deposition source for the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, which is arranged in a vacuum chamber and for evaporating a solid vapor-deposited substance to vapor-deposit on the vapor-deposited material, is directed to the thin-film deposition material. An outer container having an outlet for ejecting the evaporated vapor-deposited material, an inner container that is inserted into the outer container at intervals from the wall surface to contain the solid-film vapor-deposited material, and heating of the thin-film deposition material in the inner container. It is characterized in that the inner container is made of a porous body, which is provided with a heating means capable of the above.
本発明によれば、蒸着源の内容器内に例えば粉末状とした蒸着物質を充填し、真空雰囲気中で例えば外容器を加熱手段により加熱すると、外容器からの輻射熱で内容器が加熱され、この加熱された内容器からの伝熱で内容器内の蒸着物質が融解していく。このとき、内容器が多孔質体で構成されているため、融解した蒸着物質が内容器の空孔に含浸し、この含浸したものが外容器からの輻射熱で気化し、この気化した蒸着物質が、外容器の内壁面と内容器の外壁面との間の空間のコンダクタンスにより当該空間を経て外容器の噴出口へと導かれて、この噴出口から被蒸着物に向けて飛散されるようになる。 According to the present invention, when the inner container of the vapor deposition source is filled with, for example, a powdered vapor-deposited substance and the outer container is heated by a heating means in a vacuum atmosphere, the inner container is heated by the radiant heat from the outer container. The heat transfer from the heated inner container melts the vapor-deposited substance in the inner container. At this time, since the inner container is composed of a porous body, the molten vapor-filmed substance impregnates the pores of the inner container, and the impregnated material is vaporized by the radiant heat from the outer container, and the vaporized vapor-filmed substance is vaporized. , The conduction of the space between the inner wall surface of the outer container and the outer wall surface of the inner container leads to the spout of the outer container through the space, and is scattered from this spout toward the vapor-deposited material. Become.
このように本発明では、外容器の噴出口を臨む内容器の液面から気化するものに、内容器の壁面(壁面の空孔等)から気化したものが加わることで、蒸着物質の蒸発量を上記従来例のものと比較して飛躍的に増加させることができ、被蒸着物に対する蒸着レートを高くすることができる。その結果、本発明の真空蒸着装置用の蒸着源は、低い加熱温度でも高い蒸着レートが得られる。なお、内容器と外容器との間の隙間は、外容器からの輻射により効率よく加熱できる一方で、空孔に含浸したものを効率よく気化できるように、1mm〜30mmの範囲に設定される。 As described above, in the present invention, the amount of vaporized material evaporated by adding the vaporized substance from the liquid surface of the inner container facing the spout of the outer container to the vaporized substance from the wall surface of the inner container (vacancy on the wall surface, etc.). Can be dramatically increased as compared with the above-mentioned conventional example, and the vapor deposition rate with respect to the material to be vapor-deposited can be increased. As a result, the vapor deposition source for the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention can obtain a high vapor deposition rate even at a low heating temperature. The gap between the inner container and the outer container is set in the range of 1 mm to 30 mm so that the air-impregnated pores can be efficiently vaporized while being efficiently heated by radiation from the outer container. ..
本発明において、前記外容器が鉛直方向上面を開口した坩堝で構成されるような場合、前記内容器は、上面を開口した有底筒状の輪郭を有し、その外下壁に脚片が設けられることが好ましい。これによれば、脚片側を下にして内容器を坩堝内に挿入し、その脚片を坩堝の内底壁に当接させるだけで、坩堝内に内容器を簡単にセットでき、この状態では、坩堝の内側壁と内容器の外側壁との間の空間(第1空間)に加えて、坩堝の内底壁と内容器の外底壁との間にも、気化した蒸着物質が通過する空間(第2空間)を画成する一定の隙間が形成されることで(言い換えると、内容器の外底壁の空孔からも、気化した蒸着物質を放出させることができることで)、より一層蒸発量を増加させることができ、有利である。この場合、坩堝の内側壁または内容器の外側壁の少なくも一方に複数のスペーサ部材を設けておけば、内容器を設置するだけで、上記第1空間を画成する一定の隙間が形成されるように坩堝内に内容器を同心に位置決めでき、有利である。 In the present invention, when the outer container is composed of a crucible having an open upper surface in the vertical direction, the inner container has a bottomed tubular contour with an open upper surface, and leg pieces are attached to the outer lower wall thereof. It is preferable to be provided. According to this, the inner container can be easily set in the crucible simply by inserting the inner container into the crucible with one leg side down and bringing the leg piece into contact with the inner bottom wall of the crucible. In addition to the space between the inner wall of the crucible and the outer wall of the inner container (first space), the vaporized vaporized material also passes between the inner bottom wall of the crucible and the outer bottom wall of the inner container. By forming a certain gap that defines the space (second space) (in other words, the vaporized vaporized material can be released from the holes in the outer bottom wall of the inner container), even more. The amount of evaporation can be increased, which is advantageous. In this case, if a plurality of spacer members are provided on at least one of the inner side wall of the crucible or the outer wall of the inner container, a certain gap defining the first space is formed only by installing the inner container. It is advantageous because the inner containers can be positioned concentrically in the crucible.
本発明において、内容器は、所定の気孔率を持つカーボン系材料、例えばグラファイトで構成されていれば、内容器内の蒸着物質が融解したとき、融解した蒸着物質を内容器の空孔に含浸させ、その後に外容器からの輻射熱で気化させる構成を実現できる。内容器の気孔率は、例えば利用する蒸着物質が融解したときの粘度に応じて適宜設定される。なお、融解した蒸着物質が内容器の空孔に含浸したときに、その一部が滲み出して外容器の内底壁に落下しても、この滲み出て内容器の外壁に留まるものや外容器の内底壁に落下したものは、外容器からの輻射や伝熱で速やかに気化するので、特段の問題は生じない。 In the present invention, if the inner container is made of a carbon-based material having a predetermined porosity, for example, graphite, when the vapor-deposited substance in the inner container is melted, the melted vapor-deposited substance is impregnated into the pores of the inner container. It is possible to realize a configuration in which the material is vaporized by radiant heat from the outer container. The porosity of the inner container is appropriately set according to, for example, the viscosity of the vapor-deposited substance to be used when it is melted. When the melted vaporized substance impregnates the pores of the inner container, even if a part of it seeps out and falls on the inner bottom wall of the outer container, the exuded substance stays on the outer wall of the inner container or the outside. Anything that falls on the inner bottom wall of the container is quickly vaporized by radiation or heat transfer from the outer container, so no particular problem occurs.
以下、図面を参照して、被蒸着物を矩形の輪郭を持つ所定厚さのガラス基板(以下、「基板Sw」という)、蒸着物質を加熱により蒸発(液相を経て気化)する固体の有機材料Msとし、基板Swの一方の面に所定の薄膜を蒸着する場合を例に本発明の真空蒸着装置用の蒸着源の実施形態を説明する。以下において、「上」、「下」といった方向を示す用語は、真空蒸着装置の設置姿勢を示す図1を基準にする。 Hereinafter, referring to the drawings, a glass substrate having a predetermined thickness having a rectangular outline (hereinafter referred to as “substrate Sw”), and a solid organic substance in which the vapor-deposited substance is evaporated (vaporized via a liquid phase) by heating. An embodiment of a vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus of the present invention will be described by taking as an example a case where a predetermined thin film is vapor-deposited on one surface of the substrate Sw as the material Ms. In the following, the terms indicating the directions such as "up" and "down" are based on FIG. 1, which indicates the installation posture of the vacuum vapor deposition apparatus.
図1及び図2を参照して、Dmは、本実施形態の蒸着源DSを備える真空蒸着装置である。真空蒸着装置Dmは、真空チャンバ1を備え、真空チャンバ1には、特に図示して説明しないが、排気管を介して真空ポンプが接続され、所定圧力(真空度)に真空排気して真空雰囲気を形成できるようになっている。また、真空チャンバ1の上部には基板搬送装置2が設けられている。基板搬送装置2は、蒸着面としての下面を開放した状態で基板Swを保持するキャリア21を有し、図外の駆動装置によってキャリア21、ひいては基板Swを真空チャンバ1内の一方向に所定速度で搬送するようになっている。基板搬送装置2としては公知のものが利用できるため、これ以上の説明は省略する。
With reference to FIGS. 1 and 2, Dm is a vacuum vapor deposition apparatus including the vapor deposition source DS of the present embodiment. The vacuum vapor deposition apparatus Dm includes a vacuum chamber 1, and a vacuum pump is connected to the vacuum chamber 1 via an exhaust pipe, and the vacuum chamber 1 is evacuated to a predetermined pressure (vacuum degree) to create a vacuum atmosphere. Can be formed. Further, a
基板搬送装置2によって搬送される基板Swと蒸着源DSとの間には、板状のマスクプレート3が設けられている。本実施形態では、マスクプレート3は、基板Swと一体に取り付けられて基板Swと共に基板搬送装置2によって搬送されるようになっている。なお、マスクプレート3は、真空チャンバ1に予め固定配置しておくこともできる。マスクプレート3には、板厚方向に貫通する複数の開口31が形成され、これら開口31がない位置にて、蒸発した有機材料Mvの基板Swに対する蒸着範囲が制限されることで所定のパターンで基板Swに成膜(蒸着)されるようになっている。マスクプレート3としては、インバー、アルミ、アルミナやステンレス等の金属製の他、ポリイミド等の樹脂製のものが用いられる。そして、真空チャンバ1の底面には、基板Swに対向させて本実施形態の蒸着源DSが設けられている。
A plate-
蒸着源DSは、本実施形態の外容器を構成する坩堝4を有する。坩堝4は、鉛直方向上面を開口した有底筒状の輪郭を有し、モリブデン、チタン、ステンレスやカーボンなどの熱伝導が良く、高融点の材料から形成されている。この場合、本実施形態において、坩堝4の上面開口41が、蒸発した有機材料Mvの噴出口を構成する。坩堝4の周囲には、シースヒータやランプヒータ等の公知のものからなる加熱手段Htが設けられている。そして、坩堝4に、本実施形態の内容器を構成する筒状体5が内挿される。筒状体5は、熱伝導が良く且つ高融点の材料製の多孔質体、具体的には、複数の空孔5aを有して所定の気孔率を持つカーボン系材料、例えばグラファイトで構成され、有底筒状の輪郭を持つように形成されている。筒状体5の気孔率は、例えば、蒸着に利用される有機材料Msが融解したときの粘度に応じて適宜設定され、有機材料Msがα−NPDの場合、20〜40%の範囲に設定される。
The vapor deposition source DS has a
筒状体5の外底壁(外下壁)51には、棒状の脚片52が間隔を存して複数立設されている。また、筒状体5の外周壁53には、棒状のスペーサ部材54が坩堝4から同一の高さ位置でかつ周方向に間隔を存して複数立設されている。大気圧下の真空チャンバ1内で坩堝4に筒状体5を設置する場合、坩堝4の上面開口41に、筒状体5をその脚片52側から挿入し、各スペーサ部材54を、坩堝4の内周面43に沿って摺動させながら筒状体5を下方に移動させる。そして、各脚片52が坩堝4の内底面42に当接すると、坩堝4に筒状体5が同心に位置決め設置され、その後に、筒状体5に固体の有機材料Msが充填される。この状態では、坩堝4の内周面43と筒状体5の外周壁53との間に、スペーサ部材54の長さに相当する隙間W1からなる第1空間6aが画成され、これに加えて、坩堝4の内底面42と筒状体5の外底壁51との間に、脚片52の長さに相当する隙間W2からなる第2空間6bが画成される。このように、脚片52側を下にして筒状体5を坩堝4内に挿入し、その脚片52を坩堝4の内底面42に当接させるだけで、坩堝4内に筒状体5を簡単に同心に位置決めしてセットでき、有利である。
A plurality of rod-shaped
脚片52やスペーサ部材54の長さは、真空チャンバ1を真空雰囲気とした状態で加熱手段Htにより坩堝4を加熱したとき、この坩堝4からの輻射により効率よく加熱できる一方で、第1空間6a及び第2空間6bのコンダクタンスにより、後述するように筒状体5の壁面51,53や空孔5aから気化したものが第1空間6a及び第2空間6bを経て坩堝4の上面開口41へと効率よく導くことができるように、1mm〜30mmの範囲に設定される。本実施形態の蒸着源DSでの蒸着に用いられる有機材料Msとしては、α−NPDなどが挙げられ、粉末状にしたものが筒状体5の上面開口から充填されるようになっている。
The length of the
ここで、上記従来例の蒸着源にて、坩堝内に例えば粉末状の蒸着物質を充填し、真空雰囲気中で加熱手段により坩堝を加熱すると、坩堝内の蒸着物質が融解した後、気化するが、坩堝の上面開口を臨む液面からしか蒸着物質は気化しない。結果として、同一の圧力下での単位時間当たりの蒸発量が少なくて被蒸着物に対する蒸着レートが低い(つまり、生産性が低い)という問題がある。それに対して、本実施形態の蒸着源DSでは、真空雰囲気中で基板Swに有機材料Mvを蒸着する場合、加熱手段Htにより坩堝4を加熱すると、図2に示すように、坩堝4からの輻射熱で筒状体5が加熱され、この加熱された筒状体5から伝熱で固体の有機材料Msが融解して液相になる。このとき、筒状体5が多孔質体で構成されているため、融解した液体の有機材料Mlが筒状体5の各空孔5aに含浸し、この含浸したもの(各空孔5aから滲み出て筒状体5の壁面51,53に留まるものを含む)が坩堝4からの輻射熱で気化し、この気化した有機材料Mvが、坩堝4の内周面43と筒状体5の外周壁53との間の第1空間6aや、坩堝4の内底壁42と筒状体5の外底壁51との間の第2空間6bのコンダクタンスによりこれらの第1及び第2の各空間6a,6bを経て坩堝4の上面開口41へと導かれて、基板Swに向けて飛散されるようになる。
Here, when the crucible is filled with, for example, a powdery vapor-deposited substance in the above-mentioned conventional vapor deposition source and the crucible is heated by a heating means in a vacuum atmosphere, the vapor-deposited substance in the crucible is melted and then vaporized. , The vaporized material vaporizes only from the liquid surface facing the top opening of the crucible. As a result, there is a problem that the amount of evaporation per unit time under the same pressure is small and the deposition rate for the material to be deposited is low (that is, the productivity is low). On the other hand, in the vapor deposition source DS of the present embodiment, when the organic material Mv is vapor-deposited on the substrate Sw in a vacuum atmosphere, when the
このように本実施形態では、坩堝4の上面開口41を臨む筒状体5の液面から気化するものに、筒状体5の壁面51,53や空孔5aから気化したものが加わることで、その蒸発量を上記従来例のものと比較して飛躍的に増加させることができ、基板Swに対する蒸着レートを高くすることができる。その結果、本実施形態の蒸着源DSは、低い加熱温度でも高い蒸着レートが得られる。ここで、本発明者の実験によれば、有機材料Msをα−NPDとし、また、内容器としての筒状体5を気孔率が35%のグラファイト製とした場合、上記従来例のものと比較して約2倍の蒸着レートが得られることが確認された。なお、加熱手段Htにより坩堝4を加熱することで、融解した有機材料Mlが筒状体5の空孔5aに含浸したときに、その一部が滲み出ても、この滲み出て筒状体5の壁面51,53に留まるものや坩堝4の内底壁42に落下したものは、坩堝4からの輻射や伝熱で速やかに気化するので、特段の問題は生じない。
As described above, in the present embodiment, the material vaporized from the liquid surface of the
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術思想の範囲を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。上記実施形態では、内容器を構成する多孔質体としてカーボン系の材料、例えばグラファイトを例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、SiC等を利用することができる。また、上記実施形態では、外容器として、上面を開口した坩堝4で構成するものを例に説明したが、第1空間6a及び第2空間6bのコンダクタンスを調整するために、坩堝4の上面に、少なくとも1本の噴射ノズルを設けた蓋体を装着するようにしてもよい。この場合、外容器としては、特に図示して説明しないが、収容箱の上面に噴射ノズルを列設したもの(所謂ラインソース)を用いることもできる。
Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications can be made without departing from the scope of the technical idea of the present invention. In the above embodiment, a carbon-based material such as graphite has been described as an example of the porous body constituting the inner container, but the present invention is not limited to this, and SiC or the like can be used. Further, in the above embodiment, the outer container is described by using a
DS…真空蒸着装置用の蒸着源、Dm…真空蒸着装置、Ms…固体の有機材料(固体の蒸着物質)、Ml…融解した有機材料(蒸着物質)、Mv…気化した有機材料(蒸発した蒸着物質)、1…真空チャンバ、4…坩堝(外容器)、41…上面開口(噴出口)、5…筒状体(内容器)、51…筒状体の外底壁(内容器の外下壁)、Ht…ヒータ(加熱手段)、Sw…基板(被蒸着物)。 DS ... Vapor deposition source for vacuum vapor deposition equipment, Dm ... Vacuum vapor deposition equipment, Ms ... Solid organic material (solid vapor deposition material), Ml ... Melted organic material (deposited material), Mv ... Vaporized organic material (evaporated vapor deposition) Material), 1 ... Vacuum chamber, 4 ... Vapor deposition (outer container), 41 ... Top opening (spout), 5 ... Cylindrical body (inner container), 51 ... Cylindrical outer bottom wall (outer and lower of inner container) Wall), Ht ... heater (heating means), Sw ... substrate (deposited material).
Claims (3)
被蒸着物に向けて蒸発した蒸着物質を噴出する噴出口を有する外容器と、この外容器にその壁面から間隔を置いて内挿されて固体の蒸着物質を収容する内容器と、内容器内の蒸着物質の加熱を可能とする加熱手段とを備え、内容器が多孔質体で構成されることを特徴とする真空蒸着装置用の蒸着源。 A vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus that is placed in a vacuum chamber to evaporate a solid vapor deposition material and deposit it on an object to be deposited.
An outer container having an outlet for ejecting the vapor-deposited material evaporated toward the object to be vapor-deposited, an inner container inserted into the outer container at intervals from the wall surface and accommodating the solid-deposited material, and an inner container. A vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus, which comprises a heating means capable of heating the vapor deposition material of the above, and the inner container is composed of a porous body.
前記内容器は、上面を開口した有底筒状の輪郭を有し、その外下壁に脚片が設けられることを特徴とする真空蒸着装置用の蒸着源。 The vapor deposition source for the vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the outer container is composed of a crucible having an upper surface in the vertical direction.
The inner container has a bottomed tubular contour with an open upper surface, and a leg piece is provided on the outer lower wall thereof, which is a vapor deposition source for a vacuum vapor deposition apparatus.
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WO2022149390A1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 株式会社アルバック | Evaporation source for vacuum deposition devices |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62500110A (en) * | 1984-06-12 | 1987-01-16 | キエフスキ ポリテヒニチェスキ インスティテュト イメニ 50−レティア ベリコイ オクトヤブルスコイ ソツィアリスティチェスコイ レボリュツィイ | Evaporator for depositing films in vacuum |
JP2005320572A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | Vapor deposition equipment for organic compound and vapor deposition method for organic compound |
JP2006348337A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Sony Corp | Vapor deposition film-forming apparatus and vapor deposition source |
US20110275196A1 (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-10 | University Of Delaware | Thermal Evaporation Sources with Separate Crucible for Holding the Evaporant Material |
JP2016030839A (en) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Joled | Vapor deposition apparatus and vapor deposition source |
JP2017186603A (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | Evaporation source, vacuum evaporation system and vacuum evaporation method |
-
2019
- 2019-05-21 JP JP2019095448A patent/JP7223632B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62500110A (en) * | 1984-06-12 | 1987-01-16 | キエフスキ ポリテヒニチェスキ インスティテュト イメニ 50−レティア ベリコイ オクトヤブルスコイ ソツィアリスティチェスコイ レボリュツィイ | Evaporator for depositing films in vacuum |
US4700660A (en) * | 1984-06-12 | 1987-10-20 | Kievsky Politekhnichesky Institut | Evaporator for depositing films in a vacuum |
JP2005320572A (en) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | Vapor deposition equipment for organic compound and vapor deposition method for organic compound |
JP2006348337A (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Sony Corp | Vapor deposition film-forming apparatus and vapor deposition source |
US20110275196A1 (en) * | 2010-05-03 | 2011-11-10 | University Of Delaware | Thermal Evaporation Sources with Separate Crucible for Holding the Evaporant Material |
JP2016030839A (en) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Joled | Vapor deposition apparatus and vapor deposition source |
JP2017186603A (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | Evaporation source, vacuum evaporation system and vacuum evaporation method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022149390A1 (en) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 株式会社アルバック | Evaporation source for vacuum deposition devices |
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Publication number | Publication date |
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