JP2020178139A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can properly protect a bump neck.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device according to the present invention includes the steps of bonding a first protective film forming film 20 in which a first support sheet 23 and a thermosetting resin layer 25 on the surface of a semiconductor wafer 10 provided with a bump 11 in this order using the thermosetting resin layer 25 as a bonding surface, peeling the first support sheet 23 from the thermosetting resin layer 25, dicing the semiconductor wafer 10 together with the thermosetting resin layer 25, and forming a protective film by curing the thermosetting resin layer 25 by heating during reflow, and the heating at the time of reflow is performed in an atmosphere of 120 to 300°C for 0.5 to 5 minutes.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、少なくともバンプ面が保護膜で保護された半導体チップを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device using a semiconductor chip in which at least the bump surface is protected by a protective film.

従来、フェースダウン方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式においては、半導体チップの表面に、バンプと呼ばれる電極部が形成されるとともに、そのチップ表面が基板等に対向させられるようにして、半導体チップが基板上に搭載される。
フェースダウン方式において使用される半導体ウエハや半導体チップは、様々な目的のために、バンプが設けられたウエハ表面に、各種の機能を持たせた樹脂層が設けられることがある。また、半導体ウエハは、裏面研削される際、ウエハの表面保護のためにバックグラインドシートが貼付されることが一般的である。そのため、従来、バックグラインドシートと各種の樹脂層を積層一体化した積層シートが使用されることがある。 Conventionally, semiconductor devices have been manufactured by using a mounting method called a face-down method. In the face-down method, an electrode portion called a bump is formed on the surface of the semiconductor chip, and the semiconductor chip is mounted on the substrate so that the chip surface faces the substrate or the like.
In semiconductor wafers and semiconductor chips used in the face-down method, resin layers having various functions may be provided on the surface of the wafer provided with bumps for various purposes. Further, when the back surface of a semiconductor wafer is ground, a back grind sheet is generally attached to protect the surface of the wafer. Therefore, conventionally, a laminated sheet in which a back grind sheet and various resin layers are laminated and integrated may be used.

特許文献１には、そのような積層シートとして、回路面に接する熱硬化性樹脂層と、この層の上に直接積層され、柔軟性のある熱可塑性樹脂層と、熱可塑性樹脂層の上にさらに積層され、樹脂フィルム等で構成される最外層とを備えたものが開示される。この積層シートは、裏面研削時に半導体ウエハ表面に貼付されて半導体ウエハを保護する。また、裏面研削後には、熱可塑性樹脂層と最外層が、熱硬化性樹脂層から剥離される一方で、半導体ウエハ上に残された熱硬化性樹脂層は、半導体チップが基板に搭載された後に硬化されて封止樹脂として使用される。 In Patent Document 1, as such a laminated sheet, a thermosetting resin layer in contact with a circuit surface, a thermoplastic resin layer directly laminated on the layer, and a flexible thermoplastic resin layer, and a thermoplastic resin layer. Further, those provided with an outermost layer that is laminated and made of a resin film or the like are disclosed. This laminated sheet is attached to the surface of the semiconductor wafer at the time of backside grinding to protect the semiconductor wafer. Further, after backside grinding, the thermoplastic resin layer and the outermost layer are separated from the thermosetting resin layer, while the thermosetting resin layer remaining on the semiconductor wafer has a semiconductor chip mounted on the substrate. It is later cured and used as a sealing resin.

特開２００５−２８７３４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-28734

ところで、ウエハ表面に設けられたバンプは、半導体ウエハとバンプの接続部分であるバンプネックに応力が集中して、破損が起こりやすくなる。特許文献１では半導体チップのバンプ面に熱硬化性樹脂層が設けられるが、この樹脂層は、半導体チップと基板の間の隙間を封止しているにすぎず、そのような封止樹脂によってバンプネックの破損を回避できることが保障されているわけでない。 By the way, the bumps provided on the surface of the wafer are liable to be damaged because stress is concentrated on the bump neck which is the connecting portion between the semiconductor wafer and the bumps. In Patent Document 1, a thermosetting resin layer is provided on the bump surface of the semiconductor chip, but this resin layer merely seals the gap between the semiconductor chip and the substrate, and is provided by such a sealing resin. It is not guaranteed that the bump neck will be damaged.

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、バンプ付きの半導体ウエハにおいて、バンプネックにおける破損を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage at a bump neck in a semiconductor wafer having bumps.

本発明者らは、鋭意検討の結果、所定の工程によって、バンプが設けられた半導体ウエハの表面（バンプ面）上に、熱硬化性樹脂層を積層しかつ熱硬化することで、バンプネックを保護膜内部に埋め込んで十分に保護できることを見出し、以下の本発明を完成させた。本発明は、以下の（１）〜（８）を提供する。
（１）（I）バンプが設けられた半導体ウエハの表面に、第１支持シートと熱硬化性樹脂層とがこの順で設けられた第１保護膜形成用フィルムを、前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と、
（II）前記第１支持シートを、前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程と、
（III）前記熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ、保護膜を形成する工程と、
（IV）前記半導体ウエハを熱硬化性樹脂層又は保護膜と共にダイシングする工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
（２）（A-1）第２保護膜形成層を半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程と、
（A-2）前記第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程と
（A-3）前記半導体ウエハの裏面上の前記第２保護膜形成層、又は第２保護膜の上にさらに第２支持シートを貼り合せる工程と
をさらに備える上記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（３）（B-1）第２支持シートと、前記第２支持シート上に設けられた第２保護膜形成層とを備える第２保護膜形成用フィルムを、前記第２保護膜形成層を貼り合わせ面にして、前記半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程と、
（B-2）前記第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程と
をさらに備える上記（１）に記載の半導体装置の製造方法。
（４）前記熱硬化性樹脂層、及び前記第２保護膜形成層を同時に加熱して、これらを熱硬化させる上記（２）又は（３）に記載の半導体装置の製造方法。
（５）前記ダイシングにより個片化された半導体ウエハを、その表面側がチップ搭載用基板に対向するように、チップ搭載用基板の上に配置させ、かつリフローにより前記チップ搭載用基板に固定する上記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
（６）前記リフローの加熱により、少なくとも前記第２保護膜形成層を硬化させる上記（５）に記載の半導体装置の製造方法。
（７）前記第１支持シートが、第１基材と、前記第１基材の一方の面に設けられた第１粘着剤層とを備え、前記第１粘着剤層の上に前記熱硬化性樹脂層が設けられており、
前記熱硬化性樹脂層の溶融粘度は、前記半導体ウエハに前記第１保護膜形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０２Ｐａ・Ｓ以上２×１０４Ｐａ・Ｓ未満であり、
前記第１粘着剤層のせん断弾性率は、前記半導体ウエハに前記第１保護膜形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０３Ｐａ以上２×１０６Ｐａ以下である上記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
（８）前記熱硬化性樹脂層は、バンプ高さの０．０１〜０．９９倍の厚みを有する上記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 As a result of diligent studies, the present inventors have formed a bump neck by laminating and thermosetting a thermosetting resin layer on the surface (bump surface) of a semiconductor wafer provided with bumps by a predetermined process. We have found that it can be sufficiently protected by embedding it in a protective film, and completed the following invention. The present invention provides the following (1) to (8).
(1) (I) A film for forming a first protective film in which a first support sheet and a thermosetting resin layer are provided in this order on the surface of a semiconductor wafer provided with bumps is formed on the thermosetting resin layer. And the process of pasting together
(II) A step of peeling the first support sheet from the thermosetting resin layer, and
(III) A step of heating and curing the thermosetting resin layer to form a protective film, and
(IV) A step of dicing the semiconductor wafer together with a thermosetting resin layer or a protective film,
A method for manufacturing a semiconductor device.
(2) (A-1) The step of bonding the second protective film forming layer to the back surface of the semiconductor wafer, and
(A-2) The step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film and (A-3) The second protective film forming layer or the second protection on the back surface of the semiconductor wafer. The method for manufacturing a semiconductor device according to (1) above, further comprising a step of laminating a second support sheet on the film.
(3) (B-1) A second protective film forming film including a second supporting sheet and a second protective film forming layer provided on the second supporting sheet, and the second protective film forming layer. The process of bonding to the back surface of the semiconductor wafer as a bonding surface, and
(B-2) The method for manufacturing a semiconductor device according to (1) above, further comprising a step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film.
(4) The method for manufacturing a semiconductor device according to (2) or (3) above, wherein the thermosetting resin layer and the second protective film forming layer are simultaneously heated and heat-cured.
(5) The semiconductor wafer individualized by the dicing is arranged on the chip mounting substrate so that the surface side thereof faces the chip mounting substrate, and is fixed to the chip mounting substrate by reflow. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of (1) to (4).
(6) The method for manufacturing a semiconductor device according to (5) above, wherein at least the second protective film forming layer is cured by heating the reflow.
(7) The first support sheet includes a first base material and a first pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the first base material, and is thermoset on the first pressure-sensitive adhesive layer. A sex resin layer is provided,
The melt viscosity of the thermosetting resin layer is 1 × 10 2 Pa · S or more and less than 2 × 10 4 Pa · S at the temperature at which the first protective film forming film is attached to the semiconductor wafer.
The shear modulus of the first pressure-sensitive adhesive layer is 1 × 10 3 Pa or more and 2 × 10 6 Pa or less at the temperature at which the first protective film forming film is attached to the semiconductor wafer (1). The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of (6).
(8) The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of (1) to (7) above, wherein the thermosetting resin layer has a thickness of 0.01 to 0.99 times the bump height.

本発明では、半導体ウエハのバンプ面に形成した保護膜によって、バンプネックを埋め込むことで、バンプネックの損傷を防止する。 In the present invention, the bump neck is embedded by the protective film formed on the bump surface of the semiconductor wafer to prevent damage to the bump neck.

バンプが表面に形成された半導体ウエハを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the semiconductor wafer which bump was formed on the surface. 第１保護膜形成用フィルムを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the film for forming the 1st protective film. 半導体ウエハに第１保護膜形成用フィルムを貼付した様子を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the state that the film for forming the 1st protective film is attached to the semiconductor wafer. 熱硬化性樹脂層が表面に積層された半導体ウエハを加熱する工程を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the process of heating a semiconductor wafer in which a thermosetting resin layer is laminated on the surface. ダイシングが行われる際の半導体ウエハを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the semiconductor wafer when dicing is performed. 個片化された半導体チップをチップ搭載用基板に載置したときの様子を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the state when the fragmented semiconductor chip is placed on the substrate for mounting a chip. 表面に保護膜が形成され、裏面に第２保護膜形成層が積層された半導体ウエハを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the semiconductor wafer which the protective film is formed on the front surface, and the 2nd protective film formation layer is laminated on the back surface. 表面及び裏面それぞれに保護膜、及び第２保護膜が形成された半導体ウエハをダイシングする工程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the process of dicing a semiconductor wafer which formed the protective film and the 2nd protective film on the front surface and the back surface respectively. 表面及び裏面それぞれに熱硬化性樹脂層、及び第２保護膜形成層が設けられた半導体ウエハを加熱する工程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the process of heating the semiconductor wafer which provided the thermosetting resin layer and the 2nd protective film forming layer on the front surface and the back surface respectively. 第２保護膜形成用フィルムを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the film for forming the 2nd protective film. 表面に保護膜が形成され、かつ裏面に第２保護膜形成用フィルムが貼り合わされた半導体ウエハを示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the semiconductor wafer which the protective film is formed on the front surface, and the second protective film formation film is bonded on the back surface. 表面及び裏面それぞれに熱硬化性樹脂層、及び第２保護膜形成用フィルムが設けられた半導体ウエハを加熱する工程を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the process of heating the semiconductor wafer which provided the thermosetting resin layer and the film for forming the 2nd protective film on the front surface and the back surface respectively.

以下、本発明について、実施形態を用いて具体的に説明する。
（第１の実施形態）
本製造方法において使用される半導体ウエハ１０は、図１に示すように、表面１０Ａにバンプ１１が設けられたバンプ付きウエハである。バンプ１１は通常複数設けられる。半導体ウエハ１０は、特に限定されないが、シリコンウエハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系等のウエハであってもよい。半導体ウエハ１０の厚みは、特に限定されないが、０．６２５〜０．８２５ｍｍであることが好ましい。バンプ１１の材料は、特に限定されず、各種金属材料が使用され、好ましくは半田が使用される。また、バンプ１１の形状は、特に限定されず、図１に示すように丸型であってもよいが、その他いかなる形状でもよい。また、バンプ１１の高さは、特に限定されないが、通常、５〜１０００μｍ、好ましくは５０〜５００μｍである。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to embodiments.
(First Embodiment)
As shown in FIG. 1, the semiconductor wafer 10 used in the present manufacturing method is a bumped wafer in which bumps 11 are provided on the surface 10A. A plurality of bumps 11 are usually provided. The semiconductor wafer 10 is not particularly limited, but may be a silicon wafer, or may be a ceramic, glass, sapphire-based wafer, or the like. The thickness of the semiconductor wafer 10 is not particularly limited, but is preferably 0.625 to 0.825 mm. The material of the bump 11 is not particularly limited, and various metal materials are used, and solder is preferably used. The shape of the bump 11 is not particularly limited, and may be round as shown in FIG. 1, but any other shape may be used. The height of the bump 11 is not particularly limited, but is usually 5 to 1000 μm, preferably 50 to 500 μm.

本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法は、少なくとも以下の工程を有する。
（I）バンプが設けられた半導体ウエハの表面に、第１支持シートと熱硬化性樹脂層とがこの順で設けられた第１保護膜形成用フィルムを、熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程、
（II）第１支持シートを、熱硬化性樹脂層から剥離する工程、
（III）熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ、保護膜を形成する工程、
（IV）半導体ウエハを保護膜と共にダイシングする工程 The method for manufacturing a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention has at least the following steps.
(I) A film for forming a first protective film in which a first support sheet and a thermosetting resin layer are provided in this order on the surface of a semiconductor wafer provided with bumps, and a surface on which the thermosetting resin layer is bonded. The process of pasting together,
(II) Step of peeling the first support sheet from the thermosetting resin layer,
(III) A process of heating and curing a thermosetting resin layer to form a protective film.
(IV) Step of dicing a semiconductor wafer together with a protective film

以下、本実施形態の製造方法について工程ごとに詳細に説明する。
［工程（Ｉ）］
工程（Ｉ）では、まず、図２に示すように、第１支持シート２３と、第１支持シート２３の上に設けられた熱硬化性樹脂層２５とを備える第１保護膜形成用フィルム２０を用意する。そして、第１保護膜形成用フィルム２０を、図３に示すように、熱硬化性樹脂層２５を貼り合わせ面にして、半導体ウエハ１０の表面（バンプ面）１０Ａに貼り合わせる。
ここで、第１保護膜形成用フィルム２０において、第１支持シート２３は、図２、３に示すように、第１基材２１と、第１基材２１の一方の面に設けられた第１粘着剤層２２とを備えるとともに、熱硬化性樹脂層２５が第１粘着剤層２２の上に貼付されるものでよいが、第１粘着剤層２２が省略され、基材２１の一方の面に熱硬化性樹脂層２５が直接貼付されたものでもよい。また、第１基材２１の一方の面が、表面処理され、又は第１支持シート２３に粘着剤層以外の層が設けられ、その層又は表面処理面を介して熱硬化性樹脂層２５に貼付されてもよい。さらに、第１粘着剤層２２と第１基材２１の間に中間層が設けられてもよい。 Hereinafter, the manufacturing method of this embodiment will be described in detail for each step.
[Step (I)]
In the step (I), first, as shown in FIG. 2, the first protective film forming film 20 including the first support sheet 23 and the thermosetting resin layer 25 provided on the first support sheet 23. Prepare. Then, as shown in FIG. 3, the first protective film forming film 20 is bonded to the surface (bump surface) 10A of the semiconductor wafer 10 with the thermosetting resin layer 25 as the bonding surface.
Here, in the first protective film forming film 20, as shown in FIGS. 2 and 3, the first support sheet 23 is provided on one surface of the first base material 21 and the first base material 21. It may be provided with one pressure-sensitive adhesive layer 22 and a thermosetting resin layer 25 may be attached on the first pressure-sensitive adhesive layer 22, but the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is omitted and one of the base materials 21 is provided. The thermosetting resin layer 25 may be directly attached to the surface. Further, one surface of the first base material 21 is surface-treated, or a layer other than the adhesive layer is provided on the first support sheet 23, and the thermosetting resin layer 25 is provided via the layer or the surface-treated surface. It may be affixed. Further, an intermediate layer may be provided between the first pressure-sensitive adhesive layer 22 and the first base material 21.

また、第１保護膜形成用フィルム２０の熱硬化性樹脂層２５の上に、さらに剥離材（図示せず）が貼付されてもよい。剥離材は、第１保護膜形成用フィルム２０を使用するときまで熱硬化性樹脂層２５を保護する。剥離材は、第１保護膜形成用フィルム２０が、半導体ウエハ１０に貼付される前に第１保護膜形成用フィルム２０から剥がされて除去される。
第１粘着剤層２２は、各種の粘着剤から形成されるが、エネルギー線を照射することで硬化して、被着体に対する接着力が低下するエネルギー線硬化型粘着剤により形成されていてもよい。 Further, a release material (not shown) may be further attached on the thermosetting resin layer 25 of the first protective film forming film 20. The release material protects the thermosetting resin layer 25 until the first protective film forming film 20 is used. The release material is removed by peeling off the first protective film forming film 20 from the first protective film forming film 20 before the first protective film forming film 20 is attached to the semiconductor wafer 10.
The first pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed of various types of pressure-sensitive adhesives, but even if it is formed of an energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive that is cured by irradiating with energy rays to reduce the adhesive force to the adherend. Good.

第１保護膜形成用フィルム２０の半導体ウエハ１０への貼り合わせは、貼り合わせ温度３０〜１５０℃で行われることが好ましく、４０〜１００℃で行われることがより好ましい。
また、第１保護膜形成用フィルム２０の貼付は、加圧しながら行うことが好ましく、例えば圧着ローラ等の押圧手段により押圧しながら行うことが好ましい。あるいは、真空ラミネータにより、第１保護膜形成用フィルム２０を半導体ウエハ１０に圧着してもよい。 The bonding of the first protective film forming film 20 to the semiconductor wafer 10 is preferably performed at a bonding temperature of 30 to 150 ° C., and more preferably 40 to 100 ° C.
Further, the first protective film forming film 20 is preferably attached while being pressurized, and is preferably pressed by a pressing means such as a pressure-bonding roller. Alternatively, the first protective film forming film 20 may be pressure-bonded to the semiconductor wafer 10 by a vacuum laminator.

半導体ウエハ１０は、第１保護膜形成用フィルム２０が貼付されると、図３に示すように、バンプ１１が、熱硬化性樹脂層２５を突き抜けて第１支持シート２３側に突出する。このようにバンプ１１を第１支持シート２３側に突出させることで、後述するリフローにより、バンプ１１をチップ搭載用基板上の電極等に接触させて固定することが容易になる。
ただし、バンプ１１は、第１支持シート２３側に突出せずに、熱硬化性樹脂層２５の内部に埋め込まれたような状態になっていてもよい。このような状態であっても、工程（III）等において、熱硬化性樹脂層２５を加熱により流動させてバンプ１１を突出させればよい。 When the first protective film forming film 20 is attached to the semiconductor wafer 10, the bumps 11 penetrate the thermosetting resin layer 25 and project toward the first support sheet 23, as shown in FIG. By projecting the bump 11 toward the first support sheet 23 in this way, it becomes easy to bring the bump 11 into contact with an electrode or the like on the chip mounting substrate and fix it by the reflow described later.
However, the bump 11 may be embedded in the thermosetting resin layer 25 without protruding toward the first support sheet 23. Even in such a state, in the step (III) or the like, the thermosetting resin layer 25 may be allowed to flow by heating to project the bump 11.

第１支持シート２３が、第１基材２１と、第１基材２１の一方の面に設けられた第１粘着剤層２２とを備え、第１粘着剤層２２の上に熱硬化性樹脂層２５が設けられる場合、熱硬化性樹脂層２５の溶融粘度は、半導体ウエハ１０に第１保護膜形成用フィルム２０を貼り合わせる際の温度（貼り合わせ温度）において、１×１０２Ｐａ・Ｓ以上２×１０４Ｐａ・Ｓ未満であるとともに、第１粘着剤層２２のせん断弾性率が、貼り合わせ温度において、１×１０３Ｐａ以上２×１０６Ｐａ以下であることが好ましい。また、熱硬化性樹脂層２５の上記溶融粘度が１×１０3Ｐａ・Ｓ以上１×１０４Ｐａ・Ｓ未満、第１粘着剤層２２の上記せん断弾性率が、１×１０4Ｐａ以上５×１０5Ｐａ以下であることがより好ましい。
貼り合わせ温度において、第１粘着剤層２２のせん断弾性率と、熱硬化性樹脂層２５の溶融粘度を上記範囲内とすることで、バンプ１１の根元部分であるバンプネックを熱硬化性樹脂層２５により埋め込みつつ、バンプ１１の先端を熱硬化性樹脂層２５から突出させやすくなる。
熱硬化性樹脂層２５の溶融粘度は、例えば、後述する熱硬化性樹脂組成物における各材料の配合量や、各材料の種類を変更することで調整可能である。なお、第１粘着剤層２２のせん断弾性率は、粘着剤の種類を変更することで調整可能である。さらに、第１粘着剤層２２は、エネルギー線硬化型粘着剤で形成される場合には、第１支持シート２３を半導体ウエハ１０に貼付する前に、エネルギー線を照射して、部分的に又は完全に硬化させることで、せん断弾性率を調整することも可能である。 The first support sheet 23 includes a first base material 21 and a first pressure-sensitive adhesive layer 22 provided on one surface of the first base material 21, and is a thermosetting resin on the first pressure-sensitive adhesive layer 22. When the layer 25 is provided, the melt viscosity of the thermosetting resin layer 25 is 1 × 10 2 Pa · S at the temperature (bonding temperature) when the first protective film forming film 20 is bonded to the semiconductor wafer 10. It is preferable that the shear elasticity of the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is 1 × 10 3 Pa or more and 2 × 10 6 Pa or less at the bonding temperature, as well as being less than 2 × 10 4 Pa · S. Further, the melt viscosity of the thermosetting resin layer 25 is 1 × 10 3 Pa · 1 × 10 4 Pa · less S or S, the shear modulus of the first adhesive layer 22, 1 × 10 4 Pa or more 5 It is more preferable that it is × 10 5 Pa or less.
By setting the shear modulus of the first pressure-sensitive adhesive layer 22 and the melt viscosity of the thermosetting resin layer 25 within the above ranges at the bonding temperature, the bump neck, which is the root portion of the bump 11, is formed by the thermosetting resin layer. The tip of the bump 11 is easily projected from the thermosetting resin layer 25 while being embedded by the 25.
The melt viscosity of the thermosetting resin layer 25 can be adjusted, for example, by changing the blending amount of each material in the thermosetting resin composition described later and the type of each material. The shear modulus of the first pressure-sensitive adhesive layer 22 can be adjusted by changing the type of pressure-sensitive adhesive. Further, when the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is partially or partially irradiated with energy rays before the first support sheet 23 is attached to the semiconductor wafer 10. It is also possible to adjust the shear modulus by completely curing.

なお、熱硬化性樹脂層の溶融粘度は、レオメーター（ＨＡＡＫＥ社製、ＲＳ−１）を用いて、パラレルプレート法により測定した値である。より詳細には、ギャップ１００μｍ、回転コーン直径２０ｍｍ、回転速度１０ｓ-1の条件にて、室温から２５０℃の範囲で測定を行った際の値である。
また、粘着剤層のせん断弾性率は、厚さ０．２ｍｍの粘着剤層を形成し、せん断弾性率測定装置（レオメトリック社製、ＡＲＥＳ）を用いて測定したものである。具体的には、温度を貼り合わせ温度と同じ温度とし、周波数１Ｈｚ、プレート径７．９ｍｍφ、及び歪み１％の条件でせん断弾性率を測定したものである。また、貼り合わせ時に粘着剤層がエネルギー線により硬化されている場合には、同様の条件で粘着剤層を硬化させてせん断弾性率を測定する。 The melt viscosity of the thermosetting resin layer is a value measured by a parallel plate method using a rheometer (manufactured by HAAKE, RS-1). More specifically, it is a value when the measurement is performed in the range of room temperature to 250 ° C. under the conditions of a gap of 100 μm, a rotating cone diameter of 20 mm, and a rotating speed of 10 s- 1 .
The shear elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer was measured by forming a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 0.2 mm and using a shear elastic modulus measuring device (ARES manufactured by Leometric Co., Ltd.). Specifically, the shear modulus was measured under the conditions of a frequency of 1 Hz, a plate diameter of 7.9 mmφ, and a strain of 1%, with the temperature set to the same temperature as the bonding temperature. If the pressure-sensitive adhesive layer is cured by energy rays at the time of bonding, the pressure-sensitive adhesive layer is cured under the same conditions and the shear modulus is measured.

熱硬化性樹脂層２５は、バンプ１１の高さ（バンプ高さ）の０．０１〜０．９９倍の厚みを有することが好ましい。熱硬化性樹脂層２５の厚みをバンプ高さの０．０１倍以上とすることで、バンプネックを保護膜内部に埋め込み、バンプネックの破損を防止しやすくなる。また、０．９９倍以下とすることで、バンプの先端を熱硬化性樹脂層２５から突出させやすくなる。これら観点から、熱硬化性樹脂層２５は、バンプ高さの０．１〜０．９倍の厚みを有することがより好ましい。
なお、熱硬化性樹脂層２５の厚みは、特に限定されないが、通常、５〜５００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。 The thermosetting resin layer 25 preferably has a thickness of 0.01 to 0.99 times the height of the bump 11 (bump height). By setting the thickness of the thermosetting resin layer 25 to 0.01 times or more the bump height, the bump neck is embedded inside the protective film, and it becomes easy to prevent the bump neck from being damaged. Further, by setting the value to 0.99 times or less, the tip of the bump can be easily projected from the thermosetting resin layer 25. From these viewpoints, it is more preferable that the thermosetting resin layer 25 has a thickness of 0.1 to 0.9 times the bump height.
The thickness of the thermosetting resin layer 25 is not particularly limited, but is usually 5 to 500 μm, preferably 10 to 100 μm.

［工程（II）］
工程（II）では、上記工程（I）の後に、半導体ウエハ１０の表面に貼付されていた第1支持シート２３を、熱硬化性樹脂層２５から剥離する。この剥離後、熱硬化性樹脂層２５は、図４に示すように、半導体ウエハ１０の上に残されたままとなる。
第１粘着剤層２２がエネルギー線硬化型粘着剤により形成される場合、工程（II）において第１支持シート２３を半導体ウエハ１０から剥離する前に、第１粘着剤層２２にエネルギー線を照射して第１粘着剤層２２を硬化させておく。第１粘着剤層２２は、エネルギー線照射により硬化することで、接着力が低下するため、熱硬化性樹脂層２５との界面で容易に剥離できるようになる。
第１粘着剤層２２にエネルギー線を照射して硬化させるタイミングは特に限定されず、第１支持シート２３を半導体ウエハ１０に貼付する前に予め硬化させてもよい。また、半導体ウエハ１０に貼付した後であってもよい。また、第１粘着剤層２２は、例えば、第１支持シート２３を半導体ウエハ１０に貼付する前、完全に硬化しない程度にエネルギー線を照射して接着力を低下させるとともに、半導体ウエハ１０に貼付した後、さらにエネルギー線を照射してさらに硬化させて、接着力を一層低下させてもよい。 [Process (II)]
In the step (II), after the step (I), the first support sheet 23 attached to the surface of the semiconductor wafer 10 is peeled from the thermosetting resin layer 25. After this peeling, the thermosetting resin layer 25 remains on the semiconductor wafer 10 as shown in FIG.
When the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated with energy rays before the first support sheet 23 is peeled from the semiconductor wafer 10 in step (II). The first pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured. Since the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is cured by irradiation with energy rays, the adhesive strength is reduced, so that the first pressure-sensitive adhesive layer 22 can be easily peeled off at the interface with the thermosetting resin layer 25.
The timing at which the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is irradiated with energy rays to be cured is not particularly limited, and the first support sheet 23 may be cured in advance before being attached to the semiconductor wafer 10. Further, it may be after being attached to the semiconductor wafer 10. Further, for example, before the first support sheet 23 is attached to the semiconductor wafer 10, the first adhesive layer 22 is irradiated with energy rays to such an extent that it is not completely cured to reduce the adhesive force and is attached to the semiconductor wafer 10. After that, it may be further irradiated with energy rays to further cure it, and the adhesive strength may be further reduced.

［工程（III）］
工程（II）で第１支持シート２３を剥がした後、半導体ウエハ１０の表面に積層されていた熱硬化性樹脂層２５を加熱する。この加熱は、図４に示すように、熱硬化性樹脂層２５が積層された半導体ウエハ１０を、例えば、加熱炉等内部に配置して加熱することで行うことが好ましい。熱硬化性樹脂層２５は、熱硬化性樹脂を含有するため、上記加熱により熱硬化され、保護膜２５Ａ（図５参照）となる。
上記加熱条件は、熱硬化性樹脂層２５に含有される熱硬化性樹脂が硬化されれば特に限定されず、例えば、８０〜２００℃で、３０〜３００分間、好ましくは１００〜１８０℃で、６０〜２００分間行われる。 [Process (III)]
After the first support sheet 23 is peeled off in the step (II), the thermosetting resin layer 25 laminated on the surface of the semiconductor wafer 10 is heated. As shown in FIG. 4, this heating is preferably performed by arranging and heating the semiconductor wafer 10 on which the thermosetting resin layer 25 is laminated, for example, inside a heating furnace or the like. Since the thermosetting resin layer 25 contains a thermosetting resin, it is thermally cured by the above heating to form a protective film 25A (see FIG. 5).
The heating conditions are not particularly limited as long as the thermosetting resin contained in the thermosetting resin layer 25 is cured. For example, the temperature is 80 to 200 ° C. for 30 to 300 minutes, preferably 100 to 180 ° C. It is carried out for 60 to 200 minutes.

［工程（IV）］
次に、保護膜２５Ａがバンプ面に形成された半導体ウエハ１０を、図５に示すように、ダイシングすることで分割して、複数の半導体チップ１５に個片化する。この工程では、半導体ウエハ１０とともに、保護膜２５Ａも、半導体チップ１５の形状に合わせて分割される。
ダイシング方法としては、特に限定されないが、ブレードダイシング、ステルスダイシング、レーザダイシングなどの公知の方法を用いることができ、例えば、保護膜２５Ａ及び半導体ウエハ１０を貫通するように、切り込み１７を設けることで行うものである。
ダイシングは、例えば、図５に示すように、半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂ側に第２支持シート３３を貼付して半導体ウエハ１０を支持するとともに、半導体ウエハ１０の表面１０Ａ側から切り込み１７を入れることで行う。 [Process (IV)]
Next, as shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 10 in which the protective film 25A is formed on the bump surface is divided by dicing and separated into a plurality of semiconductor chips 15. In this step, along with the semiconductor wafer 10, the protective film 25A is also divided according to the shape of the semiconductor chip 15.
The dicing method is not particularly limited, but known methods such as blade dicing, stealth dicing, and laser dicing can be used. For example, by providing a notch 17 so as to penetrate the protective film 25A and the semiconductor wafer 10. It is what you do.
For dicing, for example, as shown in FIG. 5, a second support sheet 33 is attached to the back surface 10B side of the semiconductor wafer 10 to support the semiconductor wafer 10, and a notch 17 is made from the front surface 10A side of the semiconductor wafer 10. Do it with.

第２支持シート３３は、図５の構成では、第２基材３１と、第２基材３１の一方の面の上に設けられる第２粘着剤層３２とを備えるものであり、第２粘着剤層３２を介して半導体ウエハ１０に貼付される。ただし、第２支持シート３３は、第２粘着剤層３２が省略されてもよいし、第２基材３１の半導体ウエハ１０に接着される側の面が、表面処理がなされ、又は粘着剤層の代わりに粘着剤層以外の層が設けられ、その層又は表面処理面を介して半導体ウエハ１０の裏面側に貼り合わせてもよい。また、第２粘着剤層３２と第２基材３１の間にさらに中間層（図示せず）が設けられてもよい。
第２支持シート３３は、半導体ウエハ１０より一回り大きく、かつ、その中央領域が半導体ウエハ１０に貼付されるとともに、外周領域が半導体ウエハ１０に貼付されず、支持部材１３に貼付されることが好ましい。支持部材１３は、ダイシング時等において、第２支持シート３３を支持するための部材であり、例えば、リングフレームが挙げられる。
なお、第２支持シート３３の支持部材１３への貼付は、第２粘着剤層３２を直接貼付する必要はなく、第２支持シート３３の外周領域に再剥離接着剤層等を設けて、その再剥離接着剤層等により貼付してもよい。 In the configuration of FIG. 5, the second support sheet 33 includes a second base material 31 and a second pressure-sensitive adhesive layer 32 provided on one surface of the second base material 31, and has a second pressure-sensitive adhesive structure. It is attached to the semiconductor wafer 10 via the agent layer 32. However, in the second support sheet 33, the second pressure-sensitive adhesive layer 32 may be omitted, and the surface of the second base material 31 on the side to be adhered to the semiconductor wafer 10 is surface-treated or the pressure-sensitive adhesive layer. A layer other than the pressure-sensitive adhesive layer may be provided instead of the adhesive layer, and may be bonded to the back surface side of the semiconductor wafer 10 via the layer or the surface-treated surface. Further, an intermediate layer (not shown) may be further provided between the second pressure-sensitive adhesive layer 32 and the second base material 31.
The second support sheet 33 is one size larger than the semiconductor wafer 10, and its central region is attached to the semiconductor wafer 10, and the outer peripheral region is not attached to the semiconductor wafer 10 but is attached to the support member 13. preferable. The support member 13 is a member for supporting the second support sheet 33 at the time of dicing or the like, and examples thereof include a ring frame.
It is not necessary to directly attach the second pressure-sensitive adhesive layer 32 to the support member 13 of the second support sheet 33, and a re-peelable adhesive layer or the like is provided in the outer peripheral region of the second support sheet 33. It may be attached by a re-peelable adhesive layer or the like.

第２粘着剤層３２は、各種の粘着剤から形成されるが、エネルギー線硬化型粘着剤により形成されていてもよい。エネルギー線硬化型粘着剤により形成される場合には、後述するピックアップの前に、少なくとも、第２粘着剤層３２の半導体ウエハ１０の裏面側に貼り合わされる領域（中央領域）に、予めエネルギー線を照射して、第２粘着剤層３２を硬化して半導体ウエハ１０の裏面に対する接着力を低減させる。エネルギー線を照射するタイミングは、特に限定されないが、半導体ウエハ１０に貼り合わせる前に行ってもよいし、ダイシング後、ピックアップの前に行ってもよい。
一方、外周領域はエネルギー線照射を行わなくてもよく、支持部材１３への接着を目的として、接着力を高いまま維持しておいてもよい。 The second pressure-sensitive adhesive layer 32 is formed of various pressure-sensitive adhesives, but may be formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive. When it is formed by an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, energy rays are preliminarily formed in a region (central region) bonded to the back surface side of the semiconductor wafer 10 of the second pressure-sensitive adhesive layer 32 before pickup described later. Is applied to cure the second pressure-sensitive adhesive layer 32 to reduce the adhesive force to the back surface of the semiconductor wafer 10. The timing of irradiating the energy rays is not particularly limited, but it may be performed before bonding to the semiconductor wafer 10 or after dicing and before pickup.
On the other hand, the outer peripheral region does not need to be irradiated with energy rays, and the adhesive strength may be maintained high for the purpose of adhesion to the support member 13.

本実施形態では、ダイシングの後、半導体チップ１５をピックアップして、リフローによりチップ搭載用基板等に取り付けた後、さらに、半導体チップ１５とチップ搭載基板の間の隙間を封止樹脂により封止する等、必要な工程を経ることで、半導体装置を製造する。
ここで、ピックアップの方法は、特に限定されないが、例えば第２支持シート３３を介してピンなどで半導体チップ１５を裏面側から突き上げて、半導体チップ１５を第２支持シート３３から剥離して真空コレット等によりピックアップする方法がある。 In the present embodiment, after dicing, the semiconductor chip 15 is picked up, attached to a chip mounting substrate or the like by reflow, and then the gap between the semiconductor chip 15 and the chip mounting substrate is further sealed with a sealing resin. A semiconductor device is manufactured by going through necessary steps such as.
Here, the pickup method is not particularly limited, but for example, the semiconductor chip 15 is pushed up from the back surface side by a pin or the like via the second support sheet 33, and the semiconductor chip 15 is peeled off from the second support sheet 33 to form a vacuum collet. There is a method of picking up by such means.

ピックアップした半導体チップ１５は、例えば、以下の方法で、チップ搭載用基板等に取り付ける。
すなわち、図６に示すように、半導体チップ１５は、その表面（すなわち、バンプ面）がチップ搭載用基板４０に対向するようにして、チップ搭載用基板４０の所定位置に配置される。そして、リフローにより、バンプ１１がチップ搭載用基板４０に固定され、半導体チップ１５とチップ搭載用基板４０が電気的に導通させる。なお、リフローでは、例えば、基板４０上に設けられた半田等の導電材（図示せず）を溶融させ、その導電材により、バンプ１１をチップ搭載用基板４０の電極等に融着される。
リフローは、例えば、チップ搭載用基板４０と、その基板４０上に配置された半導体チップ１５とを、加熱炉の内部に配置して加熱することで行う。リフローにおける加熱は、例えば、１２０〜３００℃の雰囲気下で０．５〜５分、好ましくは１６０〜２６０℃の雰囲気下で１〜２分行うものである。 The picked-up semiconductor chip 15 is attached to a chip mounting substrate or the like by, for example, the following method.
That is, as shown in FIG. 6, the semiconductor chip 15 is arranged at a predetermined position on the chip mounting substrate 40 so that its surface (that is, the bump surface) faces the chip mounting substrate 40. Then, the bump 11 is fixed to the chip mounting substrate 40 by the reflow, and the semiconductor chip 15 and the chip mounting substrate 40 are electrically conductive. In the reflow, for example, a conductive material (not shown) such as solder provided on the substrate 40 is melted, and the bump 11 is fused to the electrode or the like of the chip mounting substrate 40 by the conductive material.
The reflow is performed, for example, by arranging the chip mounting substrate 40 and the semiconductor chip 15 arranged on the substrate 40 inside the heating furnace and heating them. The heating in the reflow is performed, for example, in an atmosphere of 120 to 300 ° C. for 0.5 to 5 minutes, preferably in an atmosphere of 160 to 260 ° C. for 1 to 2 minutes.

本実施形態の製造方法において、半導体ウエハ１０は、裏面研削が行われることが好ましい。裏面研削は、第１支持シート２３を、半導体ウエハ１０の表面１０Ａ側に、貼付した状態で行う。すなわち、半導体ウエハの裏面研削は、工程（Ｉ）と工程（II）の間に行う。これにより、第１支持シート２３は、熱硬化性樹脂層２５を支持するためのシートのみならず、裏面研削時にバンプ面を保護するバックグラインドシートとしても使用される。
半導体ウエハの裏面研削は、例えば、第１支持シート２３が貼付された、半導体ウエハ１０の表面側をチャックテーブル等の固定テープル上に固定し、裏面１０Ｂをグラインダー等により研削することで行う。ウエハ１０の研削後の厚みは特に限定はされないが、通常５〜４５０μｍ、好ましくは２０〜４００μｍ程度である。 In the manufacturing method of the present embodiment, it is preferable that the semiconductor wafer 10 is back-ground. The back surface grinding is performed in a state where the first support sheet 23 is attached to the surface 10A side of the semiconductor wafer 10. That is, the back surface grinding of the semiconductor wafer is performed between the step (I) and the step (II). As a result, the first support sheet 23 is used not only as a sheet for supporting the thermosetting resin layer 25, but also as a back grind sheet that protects the bump surface during back surface grinding.
The back surface grinding of the semiconductor wafer is performed, for example, by fixing the front surface side of the semiconductor wafer 10 to which the first support sheet 23 is attached on a fixing table such as a chuck table and grinding the back surface 10B with a grinder or the like. The thickness of the wafer 10 after grinding is not particularly limited, but is usually 5 to 450 μm, preferably about 20 to 400 μm.

次に、本製造方法で使用される各部材の材料について詳細に説明する。
（熱硬化性樹脂層）
熱硬化性樹脂層２５は、少なくとも熱硬化性樹脂を含むとともに、ウエハ１０に対して接着可能であり、後述する加熱硬化工程において加熱されることで、保護膜２５Ａとなるものである。
熱硬化性樹脂層２５に使用される熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、熱硬化性樹脂として、硬化剤を含有させることも可能であり、例えば、エポキシ樹脂の硬化剤としてとしてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
なお、熱硬化性樹脂層２５において、熱硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂層（すなわち、熱硬化性樹脂組成物）全量に対して、好ましくは、５〜７０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％である。 Next, the material of each member used in the present manufacturing method will be described in detail.
(Thermosetting resin layer)
The thermosetting resin layer 25 contains at least a thermosetting resin and can be adhered to the wafer 10, and becomes a protective film 25A by being heated in a heat curing step described later.
Examples of the thermosetting resin used for the thermosetting resin layer 25 include epoxy resin, phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. The thermosetting resin can be used alone or in combination of two or more. As the thermosetting resin, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities and the like that corrode semiconductor elements is particularly preferable. Further, it is possible to contain a curing agent as the thermosetting resin, and for example, a phenol resin can be preferably used as the curing agent for the epoxy resin.
In the thermosetting resin layer 25, the thermosetting resin is preferably 5 to 70% by mass, more preferably 10 to 10% by mass, based on the total amount of the thermosetting resin layer (that is, the thermosetting resin composition). It is 50% by mass.

また、熱硬化性樹脂層２５は、熱硬化性樹脂以外にも熱可塑性樹脂及び充填材を含有する熱硬化性樹脂組成物から構成されることが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー、フェノキシ樹脂等を用いることができるが、これらの中では、アクリル系樹脂が好ましい。
熱硬化性樹脂層における熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂層（すなわち、熱硬化性樹脂組成物）全量に対して、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜４０質量％である。 Further, the thermosetting resin layer 25 is preferably composed of a thermosetting resin composition containing a thermoplastic resin and a filler in addition to the thermosetting resin.
As the thermoplastic resin, acrylic resin, polyester resin, urethane resin, acrylic urethane resin, silicone resin, rubber polymer, phenoxy resin and the like can be used, but among these, acrylic resin is preferable.
The thermoplastic resin in the thermosetting resin layer is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, based on the total amount of the thermosetting resin layer (that is, the thermosetting resin composition).

また、充填材としては、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化鉄、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維およびガラス繊維等から選択される無機フィラーが挙げられ、これらの中では、シリカフィラー又はアルミナフィラーが好ましい。
熱硬化性樹脂層における充填材は、熱硬化性樹脂層（すなわち、熱硬化性樹脂組成物）全量に対して、好ましくは５〜７５質量％、より好ましくは１０〜６０質量％である。 Further, as the filler, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium oxide, iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like, beads obtained by spheroidizing these, single crystal fibers, glass fibers and the like are selected. Examples thereof include fillers, and among these, silica fillers or alumina fillers are preferable.
The filler in the thermosetting resin layer is preferably 5 to 75% by mass, more preferably 10 to 60% by mass, based on the total amount of the thermosetting resin layer (that is, the thermosetting resin composition).

また、熱硬化性樹脂組成物は、それぞれ上記の成分以外にも、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料などの着色剤等のその他の添加剤を含有していてもよい。
硬化促進剤としては特に制限されず、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などから選択される少なくとも１種を用いることができる。また、カップリング剤としては、シランカップリング剤を使用することが可能である。 In addition to the above components, the thermosetting resin composition may contain other additives such as a curing accelerator, a coupling agent, a pigment, and a colorant such as a dye.
The curing accelerator is not particularly limited, and for example, at least one selected from an amine-based curing accelerator, a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a boron-based curing accelerator, a phosphorus-boron-based curing accelerator, and the like. Seeds can be used. Further, as the coupling agent, a silane coupling agent can be used.

（第１及び第２基材）
第１基材２１は、特に制限されないが、樹脂フィルムを使用することが好ましい。また、第２基材３１も、特に制限されないが、樹脂フィルムを使用することが好ましい。樹脂フィルムは、１種の樹脂フィルムからなる単層フィルムであってもよいし、複数の樹脂フィルムが積層した複層フィルムであってもよい。
具体的な樹脂フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン−ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合体フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリウレタン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリアセタール系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリスチレン系フィルム、フッ素樹脂フィルム、変性ポリフェニレンオキシド系フィルム、ポリフェニレンスルフィド系フィルム、ポリスルホン系フィルムなどが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。
第１及び第２基材２１、３１は、互いに同種のものが使用されてもよいし、異なる種類のものが使用されてもよい。また、第１及び第２基材２１、３１は、それぞれ第１及び第２粘着材層２２、２３を構成する粘着剤がエネルギー線型硬化性粘着剤である場合には、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。
第１及び第２基材２１、３１の厚さはそれぞれ、例えば１０〜１０００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。 (1st and 2nd base materials)
The first base material 21 is not particularly limited, but it is preferable to use a resin film. Further, the second base material 31 is also not particularly limited, but it is preferable to use a resin film. The resin film may be a single-layer film composed of one kind of resin film, or may be a multi-layer film in which a plurality of resin films are laminated.
Specific resin films include polyolefin films such as polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, ethylene-norbornene copolymer film, norbornene resin film; ethylene-vinyl acetate copolymer film. , Ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer film and other ethylene-based copolymer films; polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film and other polyvinyl chloride Based film; polyester film such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film; polyurethane film, polyimide film, polyamide film, polyacetal film, polycarbonate film, polystyrene film, fluororesin film, modified polyphenylene oxide film , Polyphenylene sulfide film, polysulfone film and the like. Further, modified films such as these crosslinked films and ionomer films are also used.
As the first and second base materials 21 and 31, those of the same type may be used, or those of different types may be used. Further, the first and second base materials 21 and 31 transmit energy rays when the pressure-sensitive adhesives constituting the first and second pressure-sensitive adhesive layers 22 and 23 are energy linear curable pressure-sensitive adhesives, respectively. Is preferable.
The thicknesses of the first and second substrates 21 and 31 are, for example, 10 to 1000 μm, preferably 50 to 200 μm, respectively.

（第１及び第２粘着剤層）
第１及び第２粘着剤層２２、３２それぞれを形成する粘着剤は、特に限定されないが、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、フッ素系粘着剤、スチレン−ジエンブロック共重合体系粘着剤等が挙げられるが、これらの中では、アクリル系粘着剤が好ましい。例えば、第１粘着剤層２２にアクリル系粘着剤を使用すると、粘着剤層のせん断弾性率を上記した範囲としやすくなる。
粘着剤は、通常、アクリル系樹脂、ゴム成分、シリコーン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ビニルアルキルエーテル系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、スチレン−ジエンブロック共重合体等の粘着性成分（主ポリマー）に加え、必要に応じて架橋剤、粘着剤付与剤、酸化防止剤、可塑剤、充填剤、帯電防止剤、光重合開始剤、難燃剤等の成分を含有する粘着剤組成物からなるものである。なお、粘着性成分とは、ポリマー自体は実質的に粘着性を有していないが、可塑化成分の添加等により粘着性を発現するポリマー等も広く含む概念である。 (1st and 2nd adhesive layers)
The pressure-sensitive adhesive forming each of the first and second pressure-sensitive adhesive layers 22 and 32 is not particularly limited, but is limited to acrylic pressure-sensitive adhesive, rubber-based pressure-sensitive adhesive, silicone-based pressure-sensitive adhesive, polyester-based pressure-sensitive adhesive, urethane-based pressure-sensitive adhesive, and polyolefin. Examples thereof include based pressure-sensitive adhesives, vinyl alkyl ether-based pressure-sensitive adhesives, polyamide-based pressure-sensitive adhesives, fluorine-based pressure-sensitive adhesives, and styrene-diene block copolymer-based pressure-sensitive adhesives. For example, when an acrylic pressure-sensitive adhesive is used for the first pressure-sensitive adhesive layer 22, the shear modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is likely to be within the above range.
The pressure-sensitive adhesive is usually an acrylic resin, a rubber component, a silicone resin, a polyester resin, a urethane resin, a polyolefin resin, a vinyl alkyl ether resin, a polyamide resin, a fluorine resin, or a styrene-diene block copolymer. In addition to the adhesive components (main polymer) such as, if necessary, components such as a cross-linking agent, a pressure-sensitive agent, an antioxidant, a plastic agent, a filler, an antistatic agent, a photopolymerization initiator, and a flame retardant are contained. It consists of a pressure-sensitive adhesive composition. The adhesive component is a concept that broadly includes a polymer or the like that exhibits adhesiveness by adding a plasticizing component or the like, although the polymer itself does not substantially have adhesiveness.

第１及び第２粘着剤層２２、３２は、上記したように、エネルギー線型硬化性粘着剤から形成されてもよいし、エネルギー線を照射しても粘着剤が硬化しない非エネルギー線硬化型粘着剤から形成されてもよい。なお、エネルギー線とは、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものであり、紫外線などの活性光または電子線などを指すが、本製造方法では、紫外線を使用することが好ましい。なお、これら第１及び第２粘着剤層２２、３２は、いずれか一方のみがエネルギー線型硬化性粘着剤から形成されてもよいし、両方がエネルギー線型硬化性粘着剤から形成されてもよい。
エネルギー線硬化型粘着剤は、具体的には、光重合性不飽和基を有する成分が含有されるエネルギー線硬化型粘着剤からなるものである。エネルギー線硬化型粘着剤としては、特に限定されないが、粘着剤の主ポリマー（例えば、アクリル系重合体）自体に（例えば、主ポリマーの側鎖に）二重結合等の光重合性不飽和基が導入されたものが挙げられる。
また、エネルギー線硬化型粘着剤としては、主ポリマー（例えば、アクリル系重合体）とは別に、光重合性不飽和基を有するエネルギー線重合性化合物が配合されるものであってもよい。この場合、主ポリマーは、光重合性不飽和基が導入されたものであってもよいし、導入されていなくてもよい。 As described above, the first and second pressure-sensitive adhesive layers 22 and 32 may be formed from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, or a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive in which the pressure-sensitive adhesive does not cure even when irradiated with energy rays. It may be formed from an agent. The energy ray has an energy quantum in an electromagnetic wave or a charged particle beam, and refers to an active light such as an ultraviolet ray or an electron beam. However, in this production method, it is preferable to use an ultraviolet ray. Only one of the first and second pressure-sensitive adhesive layers 22 and 32 may be formed from the energy linear curable pressure-sensitive adhesive, or both may be formed from the energy linear curable pressure-sensitive adhesive.
Specifically, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive comprises an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive containing a component having a photopolymerizable unsaturated group. The energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but is a photopolymerizable unsaturated group such as a double bond on the main polymer (for example, acrylic polymer) of the pressure-sensitive adhesive itself (for example, on the side chain of the main polymer). Is introduced.
Further, as the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, an energy ray-polymerizable compound having a photopolymerizable unsaturated group may be blended in addition to the main polymer (for example, an acrylic polymer). In this case, the main polymer may or may not have a photopolymerizable unsaturated group introduced.

第１粘着剤層２２の厚さは、バンプ高さに応じて適宜調整されるが、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍである。また、第２粘着剤層３２の厚さは、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍである。なお、第１及び第２粘着剤層２２、３２は、同じ材料から形成されてもよいが、互いに異なる材料から形成されてもよい。 The thickness of the first pressure-sensitive adhesive layer 22 is appropriately adjusted according to the bump height, but is preferably 5 to 500 μm, more preferably 10 to 100 μm. The thickness of the second pressure-sensitive adhesive layer 32 is preferably 5 to 500 μm, more preferably 10 to 100 μm. The first and second pressure-sensitive adhesive layers 22 and 32 may be formed of the same material, but may be formed of different materials.

（中間層）
第１及び第２支持シート２３、３３において使用される中間層は、ウレタン（メタ）アクリレートを含む硬化性材料を硬化してなるものであることが好ましい。硬化性材料が、ウレタン（メタ）アクリレートを含むことで、第１及び第２支持シート２３、３３に作用される応力を緩和することが可能である。そのため、各工程において、第１及び第２支持シート２３、３３で生じる振動等を吸収することが可能である。
上記硬化性材料は、ウレタン（メタ）アクリレート以外に、アクリル系モノマー等のモノマー成分を含有していてもよい。アクリル系モノマーとしては、好ましくは、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレートなどの脂環式化合物が好ましい。なお、上記硬化性材料は、エネルギー線で硬化させられることが好ましい。なお、硬化性材料は、エネルギー線で硬化される場合、光重合開始剤を含有することが好ましい。
第１及び第２支持シート２３、３３がいずれも中間層を有する場合、これらに使用される材料は同じであってもよいが、異なっていてもよい。中間層の厚みは、例えば５〜１０００μｍ、好ましくは１０〜５００μｍである。 (Middle layer)
The intermediate layer used in the first and second support sheets 23 and 33 is preferably made by curing a curable material containing urethane (meth) acrylate. When the curable material contains urethane (meth) acrylate, it is possible to relieve the stress applied to the first and second support sheets 23 and 33. Therefore, in each step, it is possible to absorb vibrations and the like generated in the first and second support sheets 23 and 33.
The curable material may contain a monomer component such as an acrylic monomer in addition to urethane (meth) acrylate. As the acrylic monomer, an alicyclic compound such as isobornyl (meth) acrylate and dicyclopentenyl (meth) acrylate is preferable. The curable material is preferably cured by energy rays. When the curable material is cured by energy rays, it preferably contains a photopolymerization initiator.
When both the first and second support sheets 23 and 33 have an intermediate layer, the materials used for them may be the same, but may be different. The thickness of the intermediate layer is, for example, 5 to 1000 μm, preferably 10 to 500 μm.

上記で説明した第１の実施形態の製造方法によれば、熱硬化性樹脂層２５が、バンプネックを覆うように、半導体ウエハ１０の表面１０Ａ上に積層され、その積層された状態で硬化され保護膜２５Ａとなる。したがって、バンプネックを保護膜２５Ａにより適切に保護することが可能になる。
さらに、第１支持シート２３は加熱されると、第１支持シート２３の熱硬化性樹脂層２５に対する接着力が重くなり、第１支持シート２３を熱硬化性樹脂層２５（保護膜２５Ａ）から剥離できなくなる剥離不良が生じることがある。本実施形態では、熱硬化（工程（III））の前に、支持シート２３を熱硬化性樹脂層２５から剥離することで（工程（II））、そのような剥離不良が防止される。 According to the manufacturing method of the first embodiment described above, the thermosetting resin layer 25 is laminated on the surface 10A of the semiconductor wafer 10 so as to cover the bump neck, and is cured in the laminated state. It becomes a protective film 25A. Therefore, the bump neck can be appropriately protected by the protective film 25A.
Further, when the first support sheet 23 is heated, the adhesive force of the first support sheet 23 to the thermosetting resin layer 25 becomes heavy, and the first support sheet 23 is separated from the thermosetting resin layer 25 (protective film 25A). Poor peeling may occur that prevents peeling. In the present embodiment, the support sheet 23 is peeled from the thermosetting resin layer 25 before the thermosetting (step (III)) (step (II)) to prevent such peeling failure.

＜第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、以下の各実施形態の説明では、第１の実施形態と同じ工程及び部材の説明は省略する。
第１の実施形態では、工程（III）の後にダイシング（工程（IV））が行われるが、第２の実施形態では、ダイシング（工程（IV））の後に工程（III）が行われる。すなわち、第２の実施形態では、工程（I）、（II）、（IV）、及び（III）の順に実施する。以下、第２の実施形態について、第１の実施形態との相違点を説明する。 <Second embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the following description of each embodiment, the description of the same steps and members as in the first embodiment will be omitted.
In the first embodiment, dicing (step (IV)) is performed after step (III), but in the second embodiment, dicing (step (IV)) is followed by step (III). That is, in the second embodiment, steps (I), (II), (IV), and (III) are carried out in this order. Hereinafter, the differences between the second embodiment and the first embodiment will be described.

本実施形態では、まず、第１の実施形態と同様に、工程（I），（II）において、第１保護膜形成用フィルム２０を半導体ウエハ１０の表面１０Ａに貼り合わせ、その後、第１支持シート２３を、熱硬化性樹脂層２５から剥離する。
次いで、半導体ウエハ１０を、ダイシング（工程（IV））により、半導体チップ１５に個片化し、その後、熱硬化性樹脂層２５を加熱して硬化する（工程（III））。したがって、本実施形態の工程（IV）では、半導体ウエハ１０を、熱硬化前の熱硬化性樹脂層２５とともにダイシングして個片化することになる。 In the present embodiment, first, in the steps (I) and (II), the first protective film forming film 20 is attached to the surface 10A of the semiconductor wafer 10 as in the first embodiment, and then the first support is provided. The sheet 23 is peeled from the thermosetting resin layer 25.
Next, the semiconductor wafer 10 is separated into semiconductor chips 15 by dicing (step (IV)), and then the thermosetting resin layer 25 is heated and cured (step (III)). Therefore, in the step (IV) of the present embodiment, the semiconductor wafer 10 is diced together with the thermosetting resin layer 25 before heat curing to be individualized.

熱硬化性樹脂層２５の硬化のための加熱条件は、第１の実施形態と同様でよいが、熱硬化性樹脂層２５の硬化は、ピックアップした後で行うことが好ましく、特に、リフロー時の加熱により硬化することが好ましい。
ピックアップ後に熱硬化性樹脂層２５の硬化を行うと、加熱時には半導体チップ１５（半導体ウエハ１０）が、既に第１及び第２支持シート２３、３３（特に、第２支持シート３３）から剥離されていることになる。したがって、工程（IV）の加熱により支持シート２３、３３の接着力が重くなって剥離不良が生じたりすることもない。さらに、リフロー時の加熱により熱硬化性樹脂層２５を硬化すると、熱硬化性樹脂層２５を硬化するための加熱工程を別途設ける必要がなくなるので工程が簡略化できる。 The heating conditions for curing the thermosetting resin layer 25 may be the same as those in the first embodiment, but the curing of the thermosetting resin layer 25 is preferably performed after picking up, especially during reflow. It is preferably cured by heating.
When the thermosetting resin layer 25 is cured after pickup, the semiconductor chip 15 (semiconductor wafer 10) is already peeled off from the first and second support sheets 23 and 33 (particularly, the second support sheet 33) during heating. Will be there. Therefore, the heating in the step (IV) does not increase the adhesive force of the support sheets 23 and 33 and cause peeling failure. Further, when the thermosetting resin layer 25 is cured by heating at the time of reflow, it is not necessary to separately provide a heating step for curing the thermosetting resin layer 25, so that the process can be simplified.

＜第３の実施形態＞
次に、本発明の第３の実施形態について第１の実施形態との相違点を説明する。
第３の実施形態の製造工程は、上記第１の実施形態で説明した工程（Ｉ）〜（IV）に加えて、さらに工程（A-1）、（A-2）及び（A-3）を有する。
（A-1）第２保護膜形成層を半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程
（A-2）第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程
（A-3）半導体ウエハの裏面上に形成された第２保護膜の上にさらに第２支持シートを貼り合せる工程 <Third embodiment>
Next, the differences between the third embodiment of the present invention and the first embodiment will be described.
In the manufacturing process of the third embodiment, in addition to the steps (I) to (IV) described in the first embodiment, the steps (A-1), (A-2) and (A-3) are further described. Has.
(A-1) Step of attaching the second protective film forming layer to the back surface of the semiconductor wafer (A-2) Step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film (A-3) Semiconductor A step of further adhering a second support sheet on the second protective film formed on the back surface of the wafer.

［工程（A-1）］
本実施形態では、第１の実施形態と同様に、工程（I）、(II)、及び（III）を実施した後（すなわち、半導体ウエハ１０の表面１０Ａに保護膜２５Ａを形成した後）、半導体ウエハの裏面１０Ｂ（バンプ面とは反対側の面）に、図７に示すように、第２保護膜形成層３５を貼り合わせる。第２保護膜形成層３５は、少なくとも熱硬化性樹脂を含むものであり、後述するように、加熱されることで第２保護膜３５Ａ（図８参照）となるものである。
本工程では、第２保護膜形成層３５からなるフィルム状のものを、半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼付すればよいが、例えば、支持基材（図示せず）の一方の面の上に設けられた第２保護膜形成層３５を、半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼付してもよい。なお、支持基材は、第２保護膜形成層３５を半導体ウエハ１０の裏面に貼付した後、第２保護膜形成層３５から剥離して除去される。なお、支持基材としては、第１及び第２基材２１、３１と同様の樹脂フィルムを使用可能である。 [Process (A-1)]
In this embodiment, as in the first embodiment, after performing steps (I), (II), and (III) (that is, after forming the protective film 25A on the surface 10A of the semiconductor wafer 10), As shown in FIG. 7, the second protective film forming layer 35 is attached to the back surface 10B (the surface opposite to the bump surface) of the semiconductor wafer. The second protective film forming layer 35 contains at least a thermosetting resin, and as will be described later, becomes a second protective film 35A (see FIG. 8) when heated.
In this step, a film-like material made of the second protective film forming layer 35 may be attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10, but for example, it is provided on one surface of a supporting base material (not shown). The obtained second protective film forming layer 35 may be attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10. The supporting base material is removed by peeling from the second protective film forming layer 35 after attaching the second protective film forming layer 35 to the back surface of the semiconductor wafer 10. As the supporting base material, the same resin films as those of the first and second base materials 21 and 31 can be used.

第２保護膜形成層３５は、熱硬化性樹脂層２５と同様に、熱硬化性樹脂以外にも熱可塑性樹脂及び充填材を含有する熱硬化性樹脂組成物から構成されることが好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物は、さらに、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料等の着色剤等のその他の添加剤を含有していてもよい。なお、第２保護膜形成層３５に使用される各材料及び配合量等の詳細は、第１の実施形態で説明した熱硬化性樹脂層２５と同様であるので、その説明は省略する。第２保護膜形成層３５は、熱硬化性樹脂層２５と同一の材料から形成されてもよいが、異なる材料から形成されてもよい。
また、第２保護膜形成層３５の厚みは、例えば５〜５００μｍ、好ましくは１０〜１００μｍである。 Like the thermosetting resin layer 25, the second protective film forming layer 35 is preferably composed of a thermosetting resin composition containing a thermoplastic resin and a filler in addition to the thermosetting resin. Further, the thermosetting resin composition may further contain other additives such as a curing accelerator, a coupling agent, a pigment, a colorant such as a dye, and the like. The details of each material used for the second protective film forming layer 35, the blending amount, and the like are the same as those of the thermosetting resin layer 25 described in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted. The second protective film forming layer 35 may be formed of the same material as the thermosetting resin layer 25, but may be formed of a different material.
The thickness of the second protective film forming layer 35 is, for example, 5 to 500 μm, preferably 10 to 100 μm.

［工程（A-2）］
工程（A-1）の後、第２保護膜形成層３５を加熱して硬化して、第２保護膜３５Ａを形成する（工程（A-2））。第２保護膜形成層３５の加熱は、例えば、表面１０Ａ側に保護膜２５Ａが形成され、かつ裏面１０Ｂ側に第２保護膜形成層３５が積層された半導体ウエハ１０を、加熱炉等内部に配置して加熱することで行うことが好ましい。なお、本工程(A-2)における加熱条件は、工程（III）で説明した加熱条件と同様の条件であるので、その説明を省略する。 [Process (A-2)]
After the step (A-1), the second protective film forming layer 35 is heated and cured to form the second protective film 35A (step (A-2)). For heating the second protective film forming layer 35, for example, a semiconductor wafer 10 in which the protective film 25A is formed on the front surface 10A side and the second protective film forming layer 35 is laminated on the back surface 10B side is placed inside a heating furnace or the like. It is preferably carried out by arranging and heating. Since the heating conditions in this step (A-2) are the same as the heating conditions described in step (III), the description thereof will be omitted.

［工程（A-3）］
工程（A-2）の後、図８に示すように、半導体ウエハ１０の裏面側、すなわち、第２保護膜３５Ａの上に、第２支持シート３３を貼り合わせる。なお、第２支持シート３３の構成は、第１の実施形態と同様である。すなわち、図８では、第２支持シート３３が、第２粘着剤層３２を介して第２保護膜３５Ａに貼付される態様を示すが、第２粘着剤層は省略されて第２基材３１が直接第２保護膜３５Ａに接着されてもよいし、第２基材３１に表面処理がなされ、又は粘着剤層以外の層が設けられ、その層又は表面処理面を介して第２保護膜３５Ａに貼付されてもよい。また、第２粘着剤層３２と第２基材３１の間にさらに中間層が設けられてもよい。 [Process (A-3)]
After the step (A-2), as shown in FIG. 8, the second support sheet 33 is attached to the back surface side of the semiconductor wafer 10, that is, on the second protective film 35A. The configuration of the second support sheet 33 is the same as that of the first embodiment. That is, FIG. 8 shows a mode in which the second support sheet 33 is attached to the second protective film 35A via the second adhesive layer 32, but the second adhesive layer is omitted and the second base material 31 May be directly adhered to the second protective film 35A, the second base material 31 is surface-treated, or a layer other than the pressure-sensitive adhesive layer is provided, and the second protective film is provided through the layer or the surface-treated surface. It may be affixed to 35A. Further, an intermediate layer may be further provided between the second pressure-sensitive adhesive layer 32 and the second base material 31.

［工程（IV）］
次に、保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａが形成された半導体ウエハ１０を、図８に示すように、ダイシングして、複数の半導体チップ１５に個片化する。本実施形態の工程（IV）では、半導体ウエハ１０とともに、保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａもダイシングされ、半導体チップ１５の形状に合わせて分割される。ダイシング工程の詳細は、第１の実施形態と同様であるので、その説明は省略する。 [Process (IV)]
Next, as shown in FIG. 8, the semiconductor wafer 10 on which the protective film 25A and the second protective film 35A are formed is diced and separated into a plurality of semiconductor chips 15. In the step (IV) of the present embodiment, the protective film 25A and the second protective film 35A are also diced together with the semiconductor wafer 10 and divided according to the shape of the semiconductor chip 15. Since the details of the dicing step are the same as those of the first embodiment, the description thereof will be omitted.

ダイシング工程の後、第１の実施形態と同様に、半導体チップ１５を、ピックアップして、リフローによりチップ搭載用基板等に取り付けた後、例えば半導体チップ１５とチップ搭載基板４０の間の隙間を封止樹脂により封止する等、必要な工程を経ることで、半導体装置を製造する。
以上の第３の実施形態でも、第１の実施形態と同様に、バンプネックを保護膜２５Ａにより適切に保護する。また、第２保護膜３５Ａにより、半導体チップ１５の裏面も保護することが可能になる。 After the dicing step, as in the first embodiment, the semiconductor chip 15 is picked up and attached to the chip mounting substrate or the like by reflow, and then, for example, the gap between the semiconductor chip 15 and the chip mounting substrate 40 is closed. A semiconductor device is manufactured by undergoing necessary steps such as sealing with a waterproof resin.
Also in the above third embodiment, the bump neck is appropriately protected by the protective film 25A as in the first embodiment. Further, the second protective film 35A makes it possible to protect the back surface of the semiconductor chip 15.

なお、以上の第３の実施形態では、ウエハの裏面上に形成された第２保護膜３５Ａ又は第２保護膜形成層３５に対してレーザー印字を行ってもよい。レーザー印字を行うことで、半導体チップ１５の裏面側に各種マーク、文字等を表示すること可能である。本実施形態では、工程（A-2）と工程（A-3）の間に、硬化された第２保護膜３５Ａは露出されることになる。したがって、工程（A-2）と工程（A-3）の間に露出した第２保護膜３５Ａに対してレーザー印字を行うことが好ましい。硬化された第２保護膜３５Ａに印字を行うことで、硬化前の第２保護膜形成層３５に印字する場合に比べて、印字性が良好となる。また、半導体ウエハ１０が個片化される前に印字されるので、複数の半導体チップに対して一括印字が可能になる。さらに、露出した第２保護膜３５Ａに対してレーザー印字を行うことで、効率的な印字が可能になる。ただし、露出しない（すなわち、第２支持シート３３によって覆われた）第２保護膜３５Ａ、又は第２保護膜形成層３５に、第２支持シート３３を介してレーザーを照射することで、レーザー印字を行ってもよい。 In the above-mentioned third embodiment, laser printing may be performed on the second protective film 35A or the second protective film forming layer 35 formed on the back surface of the wafer. By performing laser printing, it is possible to display various marks, characters, and the like on the back surface side of the semiconductor chip 15. In the present embodiment, the cured second protective film 35A is exposed between the step (A-2) and the step (A-3). Therefore, it is preferable to perform laser printing on the second protective film 35A exposed between the steps (A-2) and the step (A-3). By printing on the cured second protective film 35A, the printability is improved as compared with the case of printing on the second protective film forming layer 35 before curing. Further, since the semiconductor wafer 10 is printed before being separated into individual pieces, batch printing is possible on a plurality of semiconductor chips. Further, by performing laser printing on the exposed second protective film 35A, efficient printing becomes possible. However, laser printing is performed by irradiating the second protective film 35A or the second protective film forming layer 35 that is not exposed (that is, covered with the second support sheet 33) with a laser via the second support sheet 33. May be done.

上記第３の実施形態では、工程（A-1）、（A-2）及び（A-3）をこの順に行う態様を示したが、代わりに、工程（A-1）、（A-3）及び（A-2）の順に行ってもよい。
具体的には、まず、上記と同様に、工程（I）、(II)、及び（III）を実施して表面１０Ａに保護膜２５Ａを形成し、その後、第２保護膜形成層３５を半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼り合わせる（工程（A-1））。次いで、裏面１０Ｂ上に積層された、硬化前の第２保護膜形成層３５の上に、さらに第２支持シート３３を貼り合せる（工程（A-3））。
そして、第２保護膜形成層３５を加熱により硬化して、第２保護膜３５Ａを形成し（工程（A-2））、その後、第２支持シート３３に支持された半導体ウエハ１０をダイシングにより個片化して（工程（IV））、半導体装置を製造する。
なお、（A-1）、（A-3）及び（A-2）の順で行う場合、第２保護膜３５Ａは、硬化により形成された後、ダイシングが終了するまで第２支持シート３３に覆われ露出することがない。そのため、硬化された第２保護膜３５Ａに対して行うレーザー印字は、通常、第２支持シート３３を介してレーザーを照射して行うことになる。 In the third embodiment, the embodiment (A-1), (A-2) and (A-3) are performed in this order, but instead, the steps (A-1) and (A-3) are performed. ) And (A-2) may be performed in this order.
Specifically, first, steps (I), (II), and (III) are carried out in the same manner as described above to form the protective film 25A on the surface 10A, and then the second protective film forming layer 35 is formed into a semiconductor. It is attached to the back surface 10B of the wafer 10 (step (A-1)). Next, the second support sheet 33 is further bonded onto the second protective film forming layer 35 before curing, which is laminated on the back surface 10B (step (A-3)).
Then, the second protective film forming layer 35 is cured by heating to form the second protective film 35A (step (A-2)), and then the semiconductor wafer 10 supported by the second support sheet 33 is diced. It is separated into pieces (process (IV)) to manufacture semiconductor devices.
When (A-1), (A-3) and (A-2) are performed in this order, the second protective film 35A is formed on the second support sheet 33 until the dicing is completed after being formed by curing. It is covered and never exposed. Therefore, the laser printing performed on the cured second protective film 35A is usually performed by irradiating the laser through the second support sheet 33.

さらに、（A-1）、（A-3）及び（A-2）の順で行うと、第２支持シート３３は、工程（A-2）において、第２保護膜形成層３５に貼付された状態で、加熱が行われることになる。そのため、第２支持シート３３は、耐熱性を有することが好ましい。すなわち、第２支持シート３３の第２基材３１としては、工程（A-2）の加熱により、溶融したり、著しく収縮したりしない基材であることが好ましい。
また、耐熱性を有する第２支持シート３３は、工程（A-2）の加熱により、被着体に対する接着性が高くならないものである。具体的には、耐熱性を有する第２支持シート３３は、工程（A-2）の加熱後の接着力が１０Ｎ／２５ｍｍ未満となるものが好ましい。また、この接着力は、０．３〜９．８Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．５〜９．５Ｎ／２５ｍｍがさらに好ましい。
第２支持シート３３は、このように加熱後の接着力が比較的低いことで、第２支持シート３３から半導体チップ１５をピックアップする際に、半導体チップ１５がピックアップできない剥離不良が生じにくくなる。 Further, when (A-1), (A-3) and (A-2) are carried out in this order, the second support sheet 33 is attached to the second protective film forming layer 35 in the step (A-2). In this state, heating will be performed. Therefore, the second support sheet 33 preferably has heat resistance. That is, the second base material 31 of the second support sheet 33 is preferably a base material that does not melt or shrink significantly due to the heating in the step (A-2).
Further, the second support sheet 33 having heat resistance does not have high adhesiveness to the adherend due to the heating in the step (A-2). Specifically, the second support sheet 33 having heat resistance preferably has an adhesive force of less than 10 N / 25 mm after heating in the step (A-2). Further, the adhesive force is more preferably 0.3 to 9.8 N / 25 mm, further preferably 0.5 to 9.5 N / 25 mm.
Since the second support sheet 33 has a relatively low adhesive force after heating in this way, when the semiconductor chip 15 is picked up from the second support sheet 33, peeling defects that the semiconductor chip 15 cannot pick up are less likely to occur.

なお、上記加熱後の接着力とは、粘着剤層がエネルギー線硬化型粘着剤で形成される場合には、実施される製造方法と同様のタイミングで、粘着剤にエネルギー線を照射して硬化し、かつ粘着剤層を加熱したときの接着力を意味する。すなわち、実施される製造方法で工程（A-2）の加熱後に、エネルギー線を照射する場合には、加熱後に粘着剤層にエネルギー線を照射して接着力を測定したときの値である。一方で、実施される製造方法で工程（A-2）の加熱前に、エネルギー線を照射する場合には、加熱前に粘着剤層にエネルギー線を照射して接着力を測定したときの値である。
なお、接着力は、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの第２支持シートを貼付した被着体を工程（A-2）の加熱と同様の条件で加熱した後、測定したものである。具体的な接着力の測定は、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／分で第２支持シートを被着体から剥離することで行う。
ここで、被着体としては、ＳＵＳ３０４に貼着した第２保護膜形成層を使用する。第２保護膜形成層は、上記した工程（A-2）と同様の条件の加熱により硬化し、第２支持シートを剥離するときには第２保護膜となる。 The adhesive strength after heating means that when the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive with energy rays at the same timing as the manufacturing method. It also means the adhesive strength when the pressure-sensitive adhesive layer is heated. That is, in the case of irradiating the energy rays after heating in the step (A-2) in the manufacturing method to be carried out, it is a value when the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with energy rays after heating and the adhesive force is measured. On the other hand, in the case of irradiating the energy rays before heating in the step (A-2) in the manufacturing method to be carried out, the values when the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with energy rays and the adhesive strength is measured before heating. Is.
The adhesive strength was measured after heating the adherend to which the second support sheet having a width of 25 mm and a length of 150 mm was attached under the same conditions as the heating in step (A-2). The specific adhesive force is measured by peeling the second support sheet from the adherend at a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 300 mm / min under the conditions of a temperature of 23 ° C. and a humidity of 50% RH.
Here, as the adherend, a second protective film forming layer attached to SUS304 is used. The second protective film forming layer is cured by heating under the same conditions as in the above step (A-2), and becomes a second protective film when the second support sheet is peeled off.

耐熱性を有する第２支持シート３３としては、第２基材３１と、第２粘着剤層３２を備えるものであって、かつ、第２粘着剤層３２が、例えば、エネルギー線硬化型アクリル系粘着剤や、水分散系アクリル系粘着剤等から形成されることが好ましい。これら粘着剤を使用することで、加熱後でも接着力が向上しにくい第２支持シート３１を提供できる。 The second support sheet 33 having heat resistance includes a second base material 31 and a second pressure-sensitive adhesive layer 32, and the second pressure-sensitive adhesive layer 32 is, for example, an energy ray-curable acrylic type. It is preferably formed from a pressure-sensitive adhesive, a water-dispersible acrylic pressure-sensitive adhesive, or the like. By using these adhesives, it is possible to provide a second support sheet 31 whose adhesive strength is difficult to improve even after heating.

さらに、（A-1）、（A-3）及び（A-2）の順で工程を行う場合には、第２保護膜形成層３５の加熱硬化（工程（A-2））は、ダイシングの前に行う必要はなく、ダイシングの後に行ってもよい。
具体的には、工程（I）,（II）,（III）、（A-1）、（A-3）をこの順で行い、その後、工程(A-2)を行わずに、ダイシング（工程（IV））を行う。したがって、この場合、ダイシングは、表面１０Ａに硬化された保護膜２５Ａが形成され、裏面１０Ｂに硬化前の第２保護膜形成層３５が積層された、半導体ウエハ１０に対して行うことになる。そして、ダイシング後に、第２保護膜形成層３５を加熱して硬化して、第２保護膜３５Ａを形成する（工程（A-2））。
この場合、第２保護膜形成層３５の加熱硬化は、ピックアップした後で行うことが好ましく、特に、リフロー時の加熱により行うことが好ましい。
ピックアップ後に第２保護膜形成層３５の硬化を行うと、加熱時には半導体チップ１５（半導体ウエハ１０）が、既に第２支持シート３３から剥離されていることになる。したがって、第２支持シート３３は、上記のように耐熱性を有していなくても、工程（A-2）の加熱により第２支持シート３３の接着力が重くなって剥離不良が生じたりすることもない。さらに、リフロー時の加熱により第２保護膜形成層３５を硬化すると、第２保護膜形成層３５を硬化するための工程を別途設ける必要がなくなるので工程が簡略化できる。 Further, when the steps (A-1), (A-3) and (A-2) are carried out in this order, the heat curing of the second protective film forming layer 35 (step (A-2)) is performed by dicing. It does not have to be done before dicing, but may be done after dicing.
Specifically, steps (I), (II), (III), (A-1), and (A-3) are performed in this order, and then dicing (dying) without performing step (A-2). Step (IV)) is performed. Therefore, in this case, dicing is performed on the semiconductor wafer 10 in which the cured protective film 25A is formed on the front surface 10A and the second protective film forming layer 35 before curing is laminated on the back surface 10B. Then, after dicing, the second protective film forming layer 35 is heated and cured to form the second protective film 35A (step (A-2)).
In this case, the heat curing of the second protective film forming layer 35 is preferably performed after picking up, and particularly preferably by heating at the time of reflow.
When the second protective film forming layer 35 is cured after being picked up, the semiconductor chip 15 (semiconductor wafer 10) is already peeled off from the second support sheet 33 during heating. Therefore, even if the second support sheet 33 does not have heat resistance as described above, the adhesive force of the second support sheet 33 becomes heavy due to the heating in the step (A-2), and peeling failure may occur. There is no such thing. Further, when the second protective film forming layer 35 is cured by heating at the time of reflow, it is not necessary to separately provide a step for curing the second protective film forming layer 35, so that the step can be simplified.

＜第４の実施形態＞
次に、本発明の第４の実施形態について、第３の実施形態との相違点を説明する。
上記第３の実施形態では、熱硬化性樹脂層２５と第２保護膜形成層３５とを加熱して硬化するタイミングは、別々であったが、本実施形態では、これらを同時に加熱して硬化する。すなわち、上記第３の実施形態では、工程（III）と工程（A-2）は別々のタイミングで行っていたのに対して、本実施形態では、工程（III）と工程（A-2）は同じタイミングで一括して行うことになる。 <Fourth Embodiment>
Next, the differences between the fourth embodiment of the present invention and the third embodiment will be described.
In the third embodiment, the timings of heating and curing the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 were different, but in the present embodiment, these are simultaneously heated and cured. To do. That is, in the third embodiment, the step (III) and the step (A-2) are performed at different timings, whereas in the present embodiment, the step (III) and the step (A-2) are performed. Will be done all at once at the same timing.

具体的には、本実施形態では、工程（I）、(II)を実施した後（すなわち、第１保護膜形成用フィルム２０を半導体ウエハ１０に貼付し、次いで、第１支持シート２３を熱硬化性樹脂層２５から剥離した後）、工程（III）を行わずに工程（A-1）を行い、第２保護膜形成層３５を半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼り合わせる。
その後、図９に示すように、硬化前の熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５が両面に積層された、半導体ウエハ１０を加熱することで、熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５を硬化して、保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａを形成する（工程（III）と工程（A-2））。なお、加熱は、例えば、両面に層２５、３５が積層された半導体ウエハ１０を加熱炉内部に配置して行う。加熱方法及び加熱条件は、上記第１の実施形態で説明した工程(III)と同様であるので、その説明は省略する。
その後、第３の実施形態と同様に、工程（A-3）にて、第２保護膜３５Ａの上に、第２支持シート３３を貼り合わせ、引き続き、工程（IV）にてダイシングを行う。本実施形態の工程（IV）では、硬化後の保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａを両面に形成した半導体ウエハ１０をダイシングすることになる。ダイシング後、本実施形態でも、上記各実施形態と同様に、半導体装置が製造される。 Specifically, in the present embodiment, after performing the steps (I) and (II) (that is, the first protective film forming film 20 is attached to the semiconductor wafer 10, then the first support sheet 23 is heated. After peeling from the curable resin layer 25), the step (A-1) is performed without performing the step (III), and the second protective film forming layer 35 is attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10.
Then, as shown in FIG. 9, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 before curing are laminated on both sides, and the semiconductor wafer 10 is heated to heat the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35. 2 The protective film forming layer 35 is cured to form the protective film 25A and the second protective film 35A (step (III) and step (A-2)). The heating is performed, for example, by arranging the semiconductor wafer 10 in which the layers 25 and 35 are laminated on both sides inside the heating furnace. Since the heating method and heating conditions are the same as those in step (III) described in the first embodiment, the description thereof will be omitted.
Then, as in the third embodiment, in the step (A-3), the second support sheet 33 is attached onto the second protective film 35A, and then dicing is performed in the step (IV). In the step (IV) of the present embodiment, the semiconductor wafer 10 having the cured protective film 25A and the second protective film 35A formed on both sides is diced. After dicing, the semiconductor device is manufactured in the present embodiment as well as in each of the above-described embodiments.

以上の第４の実施形態でも、上記第３の実施形態と同様に、バンプネックを保護膜２５Ａにより適切に保護するとともに、第２保護膜３５Ａにより、半導体チップ１５の裏面も保護することが可能になる。また、本実施形態では、熱硬化性樹脂層２５と第２保護膜形成層３５を同時に加熱して硬化するため、工程を簡略化することが可能である。
さらに、熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５は、加熱されることで熱収縮するが、その熱収縮による力により、半導体ウエハ１０に反りが生じることがある。しかし、本実施形態では、これら熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５は、一括して加熱硬化されることで、硬化時に発生する熱収縮による力は相殺される。そのため、本実施形態では、表面保護膜用樹脂層２５や第２保護膜用形成層３５を熱硬化する際に発生するウエハの反りを低減できる。 In the fourth embodiment as described above, similarly to the third embodiment, the bump neck can be appropriately protected by the protective film 25A, and the back surface of the semiconductor chip 15 can also be protected by the second protective film 35A. become. Further, in the present embodiment, since the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are simultaneously heated and cured, the process can be simplified.
Further, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are heat-shrinked when heated, but the force due to the heat shrinkage may cause the semiconductor wafer 10 to warp. However, in the present embodiment, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are heat-cured together to cancel out the force due to heat shrinkage generated during curing. Therefore, in the present embodiment, the warpage of the wafer generated when the surface protective film resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are thermally cured can be reduced.

＜第５の実施形態＞
さらに、工程（III）と工程（A-2）を同じタイミングで一括して行う場合、工程（III）と工程（A-2）を実施するタイミングは、上記第４の実施形態のように、ダイシング（工程（IV））の前でなくてもよく、ダイシング（工程（IV））の後でもよい。以下、その態様を第５の実施形態を用いて説明する。 <Fifth Embodiment>
Further, when the step (III) and the step (A-2) are collectively performed at the same timing, the timing for executing the step (III) and the step (A-2) is the same as in the fourth embodiment. It does not have to be before dicing (step (IV)), and may be after dicing (step (IV)). Hereinafter, the embodiment will be described with reference to the fifth embodiment.

本実施形態では、第１の実施形態と同様に、工程（I）、(II)を実施した後（すなわち、第１保護膜形成用フィルム２０を半導体ウエハに貼付した後、第１支持シート２３を熱硬化性樹脂層２５から剥離した後）、工程（III）を行わずに工程（A-1）を行い、第２保護膜形成層３５を半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼り合わせる。そして、その後、第４の実施形態と同様に、半導体ウエハ１０の裏面側（すなわち、第２保護膜形成層３５の上）に、第２支持シート３３を貼り合わせ（工程（A-3））、次いで、ダイシング（工程（IV））を行う。本実施形態の工程（IV）では、硬化前の熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５を両面に積層した半導体ウエハ１０をダイシングすることになる。 In the present embodiment, similarly to the first embodiment, after performing steps (I) and (II) (that is, after attaching the first protective film forming film 20 to the semiconductor wafer, the first support sheet 23 After peeling from the thermosetting resin layer 25), the step (A-1) is performed without performing the step (III), and the second protective film forming layer 35 is attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10. Then, as in the fourth embodiment, the second support sheet 33 is attached to the back surface side of the semiconductor wafer 10 (that is, on the second protective film forming layer 35) (step (A-3)). Then, dicing (step (IV)) is performed. In the step (IV) of the present embodiment, the semiconductor wafer 10 in which the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 before curing are laminated on both sides is diced.

ダイシング（工程（IV））後、本実施形態では、半導体チップ１５（個片化した半導体ウエハ）の両面に積層した熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５を同時に加熱して、これらを硬化して、保護膜２５Ａ、及び第２保護膜３５Ａを形成する（工程（III）及び（A-2））。ここで、本実施形態の加熱硬化（工程（III）及び（A-2））は、第２の実施形態と同様に、ピックアップした後で行うことが好ましく、特に、リフロー時の加熱により硬化することが好ましい。 After dicing (step (IV)), in the present embodiment, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 laminated on both sides of the semiconductor chip 15 (individualized semiconductor wafer) are simultaneously heated. These are cured to form a protective film 25A and a second protective film 35A (steps (III) and (A-2)). Here, the heat curing (steps (III) and (A-2)) of the present embodiment is preferably performed after picking up, as in the second embodiment, and is particularly cured by heating during reflow. Is preferable.

以上のように、本実施形態でも、バンプネック、及び半導体チップ１５の裏面を適切に保護することが可能になる。また、第４の実施形態と同様に、熱硬化性樹脂層２５と第２保護膜形成層３５の硬化を同時に行うことで、工程を簡略化するとともに、半導体ウエハ（半導体チップ）に発生する反りを低減することも可能である。 As described above, also in this embodiment, it is possible to appropriately protect the bump neck and the back surface of the semiconductor chip 15. Further, as in the fourth embodiment, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are cured at the same time to simplify the process and warp of the semiconductor wafer (semiconductor chip). It is also possible to reduce.

＜第６の実施形態＞
次に、本発明の第６の実施形態について第１の実施形態との相違点を説明する。
第６の実施形態の製造工程は、上記第１の実施形態で説明した工程（Ｉ）〜（IV）に加えて、さらに以下の工程（B-1）及び（B-2）を備える。
（B-1）第２支持シートと、第２支持シート上に設けられた第２保護膜形成層とを備える第２保護膜形成用フィルムを、第２保護膜形成層を貼り合わせ面にして、半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程
（B-2）第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程
すなわち、上記第３〜第５の実施形態では、第２保護膜形成層と、第２支持シートが、半導体ウエハの裏面側に別々に貼付される態様を示したが、本実施形態では、これらは第２保護膜形成用フィルムとして一括して半導体ウエハの裏面側に貼付される。 <Sixth Embodiment>
Next, the differences between the sixth embodiment of the present invention and the first embodiment will be described.
The manufacturing process of the sixth embodiment further includes the following steps (B-1) and (B-2) in addition to the steps (I) to (IV) described in the first embodiment.
(B-1) A second protective film forming film including a second supporting sheet and a second protective film forming layer provided on the second supporting sheet is used as a bonding surface with the second protective film forming layer as a bonding surface. , Step of bonding to the back surface of the semiconductor wafer (B-2) Step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film That is, in the third to fifth embodiments, the second protective film Although the formation layer and the second support sheet are separately attached to the back surface side of the semiconductor wafer, in the present embodiment, these are collectively formed as the second protective film forming film on the back surface side of the semiconductor wafer. It is affixed to.

［工程（B-1）］
本実施形態では、第１の実施形態と同様に、工程（I）、(II)、及び（III）を実施した後（すなわち、半導体ウエハ１０の上に保護膜２５Ａを形成した後）、半導体ウエハの裏面１０Ｂ（バンプ面とは反対側の面）に、図１１に示すように、第２保護膜形成用フィルム３０を貼り合わせる。第２保護膜形成用フィルム３０は、図１０に示すように、第２支持シート３３と、第２支持シート３３上に設けられた第２保護膜形成層３５とを備えるものであり、第２保護膜形成層３５を半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼り合わせる。
ここで、第２支持シート３３の具体例としては、図１０、１１に示すように、第２基材３１と、第２基材３１の一方の面上に形成された第２粘着剤層３２とを備え、第２粘着剤層３２の上に第２保護膜形成層３５が形成されたものが挙げられるが、第１の実施形態で説明したように、他の構成を有するものであってもよい。また、第２支持シート３３は、第１の実施形態で説明したように、外周領域がリングフレーム等の支持部材１３に接着できるように、例えば、図１０、１１に示すように第２保護膜形成層３５より一回り大きく形成される。
ただし、第２支持シート３３は、第２保護膜形成層３５と同じサイズでもよい。第２支持シート３３が、第２保護膜形成層３５と同じサイズである場合には、第２保護膜形成層３５及び第２支持シート３３はいずれも半導体ウエハ１０よりも一回り大きく形成され、半導体ウエハ１０に接着されない第２保護膜形成層３５の外周領域の上に支持部材１３に接着するための両面テープ等の接着部材が設けられればよい。 [Process (B-1)]
In the present embodiment, as in the first embodiment, after performing steps (I), (II), and (III) (that is, after forming the protective film 25A on the semiconductor wafer 10), the semiconductor As shown in FIG. 11, the second protective film forming film 30 is attached to the back surface 10B (the surface opposite to the bump surface) of the wafer. As shown in FIG. 10, the second protective film forming film 30 includes a second supporting sheet 33 and a second protective film forming layer 35 provided on the second supporting sheet 33, and is provided with a second protective film forming layer 35. The protective film forming layer 35 is attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10.
Here, as a specific example of the second support sheet 33, as shown in FIGS. 10 and 11, the second adhesive layer 32 formed on one surface of the second base material 31 and the second base material 31. A second protective film forming layer 35 is formed on the second adhesive layer 32, but as described in the first embodiment, the second protective film forming layer 35 has another structure. May be good. Further, as described in the first embodiment, the second support sheet 33 has a second protective film as shown in FIGS. 10 and 11, for example, so that the outer peripheral region can be adhered to the support member 13 such as a ring frame. It is formed one size larger than the forming layer 35.
However, the second support sheet 33 may have the same size as the second protective film forming layer 35. When the second support sheet 33 has the same size as the second protective film forming layer 35, both the second protective film forming layer 35 and the second support sheet 33 are formed to be one size larger than the semiconductor wafer 10. An adhesive member such as a double-sided tape for adhering to the support member 13 may be provided on the outer peripheral region of the second protective film forming layer 35 which is not adhered to the semiconductor wafer 10.

［工程（B-2）］
本実施形態では、工程（B-1）の後、第２保護膜形成層３５を加熱して硬化して、第２保護膜３５Ａを形成する（工程（B-2））。第２保護膜形成層３５の加熱は、例えば、表面１０Ａ側に保護膜２５Ａが形成され、かつ裏面１０Ｂ側に第２保護膜形成層３５が積層された半導体ウエハ１０を、加熱炉等内部に配置して加熱することで行うことが好ましい。なお、本工程(B-2)における加熱条件は、第１の実施形態の工程（III）で説明した加熱条件と同様であるので、その説明を省略する。 [Process (B-2)]
In the present embodiment, after the step (B-1), the second protective film forming layer 35 is heated and cured to form the second protective film 35A (step (B-2)). For heating the second protective film forming layer 35, for example, a semiconductor wafer 10 in which the protective film 25A is formed on the front surface 10A side and the second protective film forming layer 35 is laminated on the back surface 10B side is placed inside a heating furnace or the like. It is preferably carried out by arranging and heating. Since the heating conditions in this step (B-2) are the same as the heating conditions described in step (III) of the first embodiment, the description thereof will be omitted.

次に、両面に保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａが形成された半導体ウエハ１０をダイシングする（工程（IV））。ダイシング後、半導体チップ１５をピックアップして、上記各実施形態と同様に半導体装置を製造する。 Next, the semiconductor wafer 10 having the protective film 25A and the second protective film 35A formed on both sides is diced (step (IV)). After dicing, the semiconductor chip 15 is picked up to manufacture a semiconductor device in the same manner as in each of the above embodiments.

なお、本実施形態においては、第２保護膜形成層３５を加熱して硬化する際、第２支持シート３３が第２保護膜形成層３５に貼付されている。したがって、工程（B-2）の加熱時に、第２支持シート３３の接着力が重くなることを防止するために、第２支持シート３３は耐熱性を有することが好ましい。耐熱性を有する第２支持シート３３は、上記で説明したとおりであるので、その説明は省略する。 In the present embodiment, when the second protective film forming layer 35 is heated and cured, the second support sheet 33 is attached to the second protective film forming layer 35. Therefore, it is preferable that the second support sheet 33 has heat resistance in order to prevent the adhesive force of the second support sheet 33 from becoming heavy during heating in the step (B-2). Since the second support sheet 33 having heat resistance is as described above, the description thereof will be omitted.

以上の第６の実施形態でも、バンプネックを保護膜２５Ａにより適切に保護するとともに、第２保護膜３５Ａにより半導体ウエハ１０（半導体チップ１５）の裏面を保護することが可能になる。さらに、本実施形態では、第２保護膜形成層３５と、第２支持シート３３は、第２保護膜形成用フィルム３０として半導体ウエハ１０の裏面に一括して貼付されるので、工程を簡略化することが可能である。 Also in the sixth embodiment described above, the bump neck can be appropriately protected by the protective film 25A, and the back surface of the semiconductor wafer 10 (semiconductor chip 15) can be protected by the second protective film 35A. Further, in the present embodiment, the second protective film forming layer 35 and the second supporting sheet 33 are collectively attached to the back surface of the semiconductor wafer 10 as the second protective film forming film 30, thus simplifying the process. It is possible to do.

上記第６の実施形態では、工程（B-2）をダイシング（工程（IV））の前に行ったが、工程（B-2）は、ダイシングの前に行う必要はなく、ダイシングの後に行ってもよい。
具体的には、工程（I）、(II)、（III）、及び（B-1）をこの順に行った後、ダイシングを実施し（工程（IV））、その後工程（B-2）を実施する。したがって、ダイシングは、表面１０Ａに保護膜２５Ａが形成され、裏面１０Ｂに第２保護膜形成用フィルム３０（すなわち、第２保護膜形成層３５と第２支持シート３３）が積層された半導体ウエハ１０に対して行うことになる。
そして、ダイシング後、工程（B-2）にて、第２保護膜形成層３５を加熱して硬化することになるが、上記第２の実施形態で説明したとおり、その加熱硬化は、ピックアップした後で行うことが好ましく、特に、リフロー時の加熱により硬化することが好ましい。 In the sixth embodiment, the step (B-2) is performed before the dicing (step (IV)), but the step (B-2) does not have to be performed before the dicing and is performed after the dicing. You may.
Specifically, steps (I), (II), (III), and (B-1) are performed in this order, then dicing is performed (step (IV)), and then step (B-2) is performed. carry out. Therefore, in dicing, the semiconductor wafer 10 in which the protective film 25A is formed on the front surface 10A and the second protective film forming film 30 (that is, the second protective film forming layer 35 and the second support sheet 33) is laminated on the back surface 10B. Will be done for.
Then, after dicing, in the step (B-2), the second protective film forming layer 35 is heated and cured. As described in the second embodiment, the heat curing is picked up. It is preferably performed later, and in particular, it is preferably cured by heating during reflow.

＜第７の実施形態＞
次に、本発明の第７の実施形態について第６の実施形態との相違点を説明する。
上記第６の実施形態では、熱硬化性樹脂層２５と第２保護膜形成層３５とを加熱して硬化するタイミングは、別々であったが、第７の実施形態では、これらを同時に加熱することで硬化させる。すなわち、上記第６の実施形態では、工程（III）と工程（B-2）は別のタイミングで行うが、本実施形態では、工程（III）と工程（B-2）は同じタイミングで一括して行う。 <7th Embodiment>
Next, the differences between the seventh embodiment of the present invention and the sixth embodiment will be described.
In the sixth embodiment, the timing of heating and curing the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 was different, but in the seventh embodiment, they are heated at the same time. It cures. That is, in the sixth embodiment, the steps (III) and the steps (B-2) are performed at different timings, but in the present embodiment, the steps (III) and the steps (B-2) are collectively performed at the same timing. And do it.

すなわち、本実施形態では、工程（I）、(II)を実施した後、工程（III）を行わず、工程（B-1）を行う。このようにして、本実施形態では、図１２に示すように、半導体ウエハ１０の表面１０Ａには、熱硬化性樹脂層２５が積層され、裏面１０Ｂには第２保護膜形成用フィルム３０（すなわち、第２保護膜形成層３５と第２支持シート３３）が積層されることになる。
次に、硬化前の熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５が両面に積層された、半導体ウエハ１０を加熱することで、熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５を硬化して、保護膜２５Ａ及び第２保護膜３５Ａを形成する（工程（III）及び工程（B-2））。この際、半導体ウエハ１０は、第２保護膜３５Ａ上に貼付された第２支持シート３３により支持されていることになる。 That is, in the present embodiment, after performing steps (I) and (II), step (B-1) is performed without performing step (III). In this way, in the present embodiment, as shown in FIG. 12, the thermosetting resin layer 25 is laminated on the front surface 10A of the semiconductor wafer 10, and the second protective film forming film 30 (that is, that is, on the back surface 10B). , The second protective film forming layer 35 and the second support sheet 33) will be laminated.
Next, by heating the semiconductor wafer 10 in which the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 before curing are laminated on both sides, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are heated. Is cured to form a protective film 25A and a second protective film 35A (step (III) and step (B-2)). At this time, the semiconductor wafer 10 is supported by the second support sheet 33 attached on the second protective film 35A.

加熱硬化後、第２支持シート３３に支持された半導体ウエハ１０を、ダイシングにより、保護膜２５Ａと第２保護膜３５Ａとともに個片化して、両面に保護膜２５Ａと第２保護膜３５Ａが形成された半導体チップ１５を得る（工程（IV））。その後、半導体チップ１５をピックアップして、上記各実施形態と同様に半導体装置が製造される。
なお、本実施形態では、第２支持シート３３が、第２保護膜形成層３５上に貼付された状態で、第２保護膜形成層３５の加熱硬化が行われるので、第２支持シート３３は、耐熱性を有することが好ましい。耐熱性を有する第２支持シートの詳細は、上記で説明したとおりである。 After heat curing, the semiconductor wafer 10 supported by the second support sheet 33 is separated by dicing together with the protective film 25A and the second protective film 35A to form the protective film 25A and the second protective film 35A on both sides. The semiconductor chip 15 is obtained (step (IV)). After that, the semiconductor chip 15 is picked up to manufacture a semiconductor device in the same manner as in each of the above embodiments.
In the present embodiment, since the second protective film forming layer 35 is heat-cured while the second supporting sheet 33 is attached on the second protective film forming layer 35, the second supporting sheet 33 is , It is preferable to have heat resistance. The details of the second support sheet having heat resistance are as described above.

以上の第７の実施形態でも、バンプネック及び半導体ウエハ１０（半導体チップ１５）の裏面１０Ｂを適切に保護することが可能であるとともに、第２保護膜形成用フィルム３０を使用することで工程を簡略化することが可能である。さらに、熱硬化性樹脂層２５と第２保護膜形成層３５を同時に加熱して硬化するため、工程を簡略化することが可能であるとともに、半導体ウエハ（半導体チップ）に生じる反りも防止することが可能である。 Also in the above seventh embodiment, the bump neck and the back surface 10B of the semiconductor wafer 10 (semiconductor chip 15) can be appropriately protected, and the process can be performed by using the second protective film forming film 30. It can be simplified. Further, since the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are simultaneously heated and cured, the process can be simplified and warpage of the semiconductor wafer (semiconductor chip) can be prevented. Is possible.

＜第８の実施形態＞
次に、本発明の第８の実施形態について第７の実施形態との相違点を説明する。
上記第７の実施形態では、熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５の加熱硬化（工程（III）及び工程（B-2））をダイシング（工程（IV））の前に行ったが、これらは、ダイシングの前に行う必要はなく、ダイシングの後に行ってもよい。その態様を以下の第８の実施形態を用いて説明する。 <8th Embodiment>
Next, the differences between the eighth embodiment of the present invention and the seventh embodiment will be described.
In the seventh embodiment, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are heat-cured (steps (III) and (B-2)) before dicing (step (IV)). However, these need not be performed before dicing, but may be performed after dicing. The embodiment will be described with reference to the eighth embodiment below.

本実施形態では、第７の実施形態と同様に、工程（I）、(II)、及び（B-1）をこの順に行った後、半導体ウエハ１０をダイシングして、半導体チップ１５に個片化する（工程（IV））。ここで、ダイシングは、表面１０Ａに熱硬化性樹脂層２５、裏面１０Ｂに第２保護膜形成層３５が積層された半導体ウエハ１０に対して行うことになる。この際、半導体ウエハ１０は、第２保護膜形成層３５に貼付された第２支持シート３３により支持されている。
ダイシング後、各半導体チップ１５上の熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５を一括加熱して硬化する工程（工程(III)及び（B-2））を行う。この場合、これら熱硬化性樹脂層２５及び第２保護膜形成層３５の加熱硬化は、上記説明したとおり、ピックアップした後で行うことが好ましく、特に、リフロー時の加熱により硬化することが好ましい。
以上の第８の実施形態でも、第７の実施形態と同様に、バンプネック及び半導体ウエハ１０（半導体チップ１５）の裏面１０Ｂを適切に保護できるとともに、工程を簡略化でき、かつ半導体ウエハ（半導体チップ）に生じる反りも防止することが可能である。また、第２支持シートは、耐熱性を有する必要はない。 In the present embodiment, as in the seventh embodiment, steps (I), (II), and (B-1) are performed in this order, and then the semiconductor wafer 10 is diced to the semiconductor chip 15. (Step (IV)). Here, dicing is performed on the semiconductor wafer 10 in which the thermosetting resin layer 25 is laminated on the front surface 10A and the second protective film forming layer 35 is laminated on the back surface 10B. At this time, the semiconductor wafer 10 is supported by the second support sheet 33 attached to the second protective film forming layer 35.
After dicing, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 on each semiconductor chip 15 are collectively heated and cured (steps (III) and (B-2)). In this case, the thermosetting resin layer 25 and the second protective film forming layer 35 are preferably heat-cured after being picked up as described above, and are particularly preferably cured by heating during reflow.
In the eighth embodiment as described above, similarly to the seventh embodiment, the bump neck and the back surface 10B of the semiconductor wafer 10 (semiconductor chip 15) can be appropriately protected, the process can be simplified, and the semiconductor wafer (semiconductor) can be simplified. It is also possible to prevent warpage that occurs in the chip). Further, the second support sheet does not have to have heat resistance.

なお、以上の各実施形態では、第１支持シート２３が剥離される工程（II）は、工程（I）の直後に行われる態様を示したが、工程（III）の前ならば、どの段階で行ってもよい。例えば、第４の実施形態では、工程（I）,（II）、（A-1）をこの順に行い、その後、工程（III）及び（A-2）を一括して行う態様を示したが、工程（I）、（A-1）、及び（II）の順に行い、その後、工程(III)及び工程（A-2）を一括して行ってもよい。第５の実施形態でも同様である。
さらに、第７の実施形態では、工程（I）,（II）、（B-1）をこの順に行い、その後、工程（III）及び工程（B-2）を一括して行ったが、工程（I）,（B-1）,（II）の順に行い、その後、工程（III）及び工程（B-2）を一括して行ってもよい。第８の実施形態も同様である。 In each of the above embodiments, the step (II) in which the first support sheet 23 is peeled off is shown to be performed immediately after the step (I), but any step before the step (III). You may go by. For example, in the fourth embodiment, steps (I), (II), and (A-1) are performed in this order, and then steps (III) and (A-2) are collectively performed. , Steps (I), (A-1), and (II), and then steps (III) and (A-2) may be performed collectively. The same applies to the fifth embodiment.
Further, in the seventh embodiment, steps (I), (II), and (B-1) are performed in this order, and then steps (III) and (B-2) are collectively performed. (I), (B-1), (II) may be performed in this order, and then steps (III) and (B-2) may be performed collectively. The same applies to the eighth embodiment.

また、上記第２〜第８の実施形態において、半導体ウエハの裏面研削については、特に言及しないが、半導体ウエハの裏面研削を行う場合には、第１の実施形態と同様に、工程（I）と工程（II）の間に実施すればよい。ただし、裏面研削は、第２保護膜形成層３５が半導体ウエハ１０の裏面１０Ｂに貼付される場合には、第２保護膜形成層３５の貼付前に行う。
また、第４〜第８の本実施形態でも、第２保護膜３５Ａ、又は第２保護膜用形成層３５に対して、レーザー印字を行ってもよい。なお、第４の実施形態では、工程（III）及び工程（A-2）と、工程（A-3）との間に、硬化された第２保護膜３５Ａが露出されることになる。したがって、第４の実施形態では、工程（III）及び（A-2）と、工程（A-3）との間にその露出した第２保護膜３５Ａに対してレーザー印字を行うことが好ましい。 Further, in the second to eighth embodiments, the back surface grinding of the semiconductor wafer is not particularly mentioned, but when the back surface grinding of the semiconductor wafer is performed, the step (I) is the same as in the first embodiment. It may be carried out between and step (II). However, when the second protective film forming layer 35 is attached to the back surface 10B of the semiconductor wafer 10, the back surface grinding is performed before the second protective film forming layer 35 is attached.
Further, also in the fourth to eighth embodiments, laser printing may be performed on the second protective film 35A or the second protective film forming layer 35. In the fourth embodiment, the cured second protective film 35A is exposed between the steps (III) and (A-2) and the step (A-3). Therefore, in the fourth embodiment, it is preferable to perform laser printing on the exposed second protective film 35A between the steps (III) and (A-2) and the step (A-3).

１０ 半導体ウエハ
１１ バンプ
１５ 半導体チップ
２０ 第１保護膜形成用フィルム
２１ 第１基材
２２ 第１粘着剤層
２３ 第１支持シート
２５ 熱硬化性樹脂層
２５Ａ 保護膜
３０ 第２保護膜形成用フィルム
３１ 第２基材
３２ 第２粘着剤層
３３ 第２支持シート
３５ 第２保護膜形成層
３５Ａ 第２保護膜
４０ チップ搭載用基板 10 Semiconductor wafer 11 Bump 15 Semiconductor chip 20 First protective film forming film 21 First base material 22 First adhesive layer 23 First support sheet 25 Thermosetting resin layer 25A Protective film 30 Second protective film forming film 31 2nd base material 32 2nd adhesive layer 33 2nd support sheet 35 2nd protective film forming layer 35A 2nd protective film 40 Chip mounting substrate

Claims (7)

バンプが設けられた半導体ウエハの表面に、第１支持シートと熱硬化性樹脂層とがこの順で設けられた第１保護膜形成用フィルムを、前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と、
前記第１支持シートを、前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程と、
前記半導体ウエハを熱硬化性樹脂層と共にダイシングする工程と、
前記熱硬化性樹脂層をリフロー時の加熱により硬化させ、保護膜を形成する工程と、
を備え、前記リフロー時の加熱が１２０〜３００℃の雰囲気下で０．５〜５分で行われる半導体装置の製造方法。 A film for forming a first protective film in which a first support sheet and a thermosetting resin layer are provided in this order on the surface of a semiconductor wafer provided with bumps is used as a bonding surface of the thermosetting resin layer. The process of bonding and
A step of peeling the first support sheet from the thermosetting resin layer,
A step of dicing the semiconductor wafer together with a thermosetting resin layer,
A step of forming a protective film by curing the thermosetting resin layer by heating during reflow, and
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the heating at the time of reflow is performed in an atmosphere of 120 to 300 ° C. for 0.5 to 5 minutes. （A-1）第２保護膜形成層を半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程と、
（A-2）前記第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程と
（A-3）前記半導体ウエハの裏面上の前記第２保護膜形成層、又は第２保護膜の上にさらに第２支持シートを貼り合せる工程と
をさらに備える請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 (A-1) The process of bonding the second protective film forming layer to the back surface of the semiconductor wafer,
(A-2) The step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film and (A-3) The second protective film forming layer or the second protection on the back surface of the semiconductor wafer. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of laminating a second support sheet on the film. （B-1）第２支持シートと、前記第２支持シート上に設けられた第２保護膜形成層とを備える第２保護膜形成用フィルムを、前記第２保護膜形成層を貼り合わせ面にして、前記半導体ウエハの裏面に貼り合わせる工程と、
（B-2）前記第２保護膜形成層を加熱して、第２保護膜を形成する工程と
をさらに備える請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 (B-1) A second protective film forming film having a second supporting sheet and a second protective film forming layer provided on the second supporting sheet is attached to a surface to which the second protective film forming layer is bonded. Then, the process of bonding to the back surface of the semiconductor wafer and
(B-2) The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of heating the second protective film forming layer to form the second protective film. 前記ダイシングにより個片化された半導体ウエハを、その表面側がチップ搭載用基板に対向するように、チップ搭載用基板の上に配置させ、かつリフローにより前記チップ搭載用基板に固定する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 Claims 1 to 1 in which the semiconductor wafer fragmented by the dicing is arranged on the chip mounting substrate so that the surface side thereof faces the chip mounting substrate, and is fixed to the chip mounting substrate by reflow. 3. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of 3. 前記熱硬化性樹脂層、及び前記第２保護膜形成層を同時にリフローにより加熱して、これらを熱硬化させる請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, wherein the thermosetting resin layer and the second protective film forming layer are simultaneously heated by reflow to be thermoset. 前記第１支持シートが、第１基材と、前記第１基材の一方の面に設けられた第１粘着剤層とを備え、前記第１粘着剤層の上に前記熱硬化性樹脂層が設けられており、
前記熱硬化性樹脂層の溶融粘度は、前記半導体ウエハに前記第１保護膜形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０２Ｐａ・Ｓ以上２×１０４Ｐａ・Ｓ未満であり、
前記第１粘着剤層のせん断弾性率は、前記半導体ウエハに前記第１保護膜形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０３Ｐａ以上２×１０６Ｐａ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The first support sheet includes a first base material and a first pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the first base material, and the thermosetting resin layer is provided on the first pressure-sensitive adhesive layer. Is provided,
The melt viscosity of the thermosetting resin layer is 1 × 10 2 Pa · S or more and less than 2 × 10 4 Pa · S at the temperature at which the first protective film forming film is attached to the semiconductor wafer.
The shear modulus of the first pressure-sensitive adhesive layer is 1 × 10 3 Pa or more and 2 × 10 6 Pa or less at the temperature at which the first protective film forming film is attached to the semiconductor wafer. 5. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of 5. 前記熱硬化性樹脂層は、バンプ高さの０．０１〜０．９９倍の厚みを有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 6, wherein the thermosetting resin layer has a thickness of 0.01 to 0.99 times the bump height.
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