JP2020161622A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents
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Abstract
Description
基体と、
前記基体に設けられ、複数の第1柱状部および複数の第2柱状部を有する積層体と、
第1電極および第2電極と、
を有し、
前記第1柱状部および前記第2柱状部は、前記積層体の積層方向と直交する方向に配置され、
前記第1柱状部は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記発光層で発生した光は、複数の前記第1柱状部、および複数の前記第2柱状部を伝搬し、
前記第2柱状部の高さは、前記第1半導体層の厚さと前記発光層との和以上であり、かつ、前記第1柱状部の高さよりも低く、
前記第1半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられ、
前記第1電極は、前記第1半導体層と電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2半導体層と電気的に接続され、
前記第2柱状部は、前記第2電極と電気的に接続されていない。
前記第2柱状部の径は、前記第1柱状部の径よりも小さくてもよい。
前記第1柱状部と前記第2柱状部との間に設けられ、前記第1半導体層および前記第2半導体層よりも屈折率の小さい光伝搬層を有してもよい。
前記第2柱状部と前記第2電極との間には、前記光伝搬層が設けられていてもよい。
前記第1柱状部の層構造と、前記第2柱状部の層構造とは、同じであってもよい。
前記発光装置の一態様を有する。
1.1. 発光装置
まず、第1実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す断面図である。図2は、第1実施形態に係る発光装置100を模式的に示す平面図である。なお、図1は、図2のI−I線断面図である。
に設けられている。積層体20は、例えば、バッファー層22と、複数の第1柱状部30Aと、複数の第2柱状部30Bと、光伝搬層40と、を有している。
2柱状部30Bの高さH2は、第1柱状部30Aの第1半導体層32の厚さD1と第1柱状部30AのMQW層34の厚さD2の和以上である。すなわち、D1+D2≦H2<H1である。図示の例では、第2柱状部30Bの高さH2は、第1柱状部30Aの第1半導体層32の厚さD1と第1柱状部30AのMQW層34の厚さD2の和に等しい。すなわち、H2=D1+D2である。第1半導体層32の厚さD1とは、第1半導体層32の積層方向における最大の厚さであり、MQW層34の厚さD2とは、MQW層34の積層方向における最大の厚さである。
設けられている。そのため、第2柱状部30Bと第2電極52との間を、より確実に絶縁できる。
配置されている。複数の柱状部集合体2は、図示の例では、積層方向からの平面視において、三角格子状に配列されている。なお、複数の柱状部集合体2の配列は、三角格子状に限定されず、例えば、四角格子状などに配列されていてもよい。複数の柱状部集合体2は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。例えば、複数の柱状部集合体2は、可視光において、フォトニックバンド端による光閉じ込め効果を発現することができる。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図6〜図8は、第1実施形態に係る発光装置100の製造工程を模式的に示す断面図である。
部集合体2が形成される。
次に、第1実施形態に係る発光装置100の変形例について説明する。以下に説明する各変形例において、上述した発光装置100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図11は、第1変形例に係る発光装置200を模式的に示す断面図である。
される光の量を低減できる。したがって、発光装置200では、第1柱状部30Aへの光閉じ込め係数を大きくでき、発振閾値を低減できる。
例えば、上述した発光装置100では、InGaN系のMQW層34について説明したが、MQW層34としては、射出される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、AlGaN系、AlGaAs系、InGaAs系、InGaAsP系、InP系、GaP系、AlGaP系などの半導体材料を用いることができる。
次に、第2実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図12は、第2実施形態に係るプロジェクター900を模式的に示す図である。
Claims (6)
- 基体と、
前記基体に設けられ、複数の第1柱状部および複数の第2柱状部を有する積層体と、
第1電極および第2電極と、
を有し、
前記第1柱状部および前記第2柱状部は、前記積層体の積層方向と直交する方向に配置され、
前記第1柱状部は、
第1半導体層と、
前記第1半導体層とは導電型の異なる第2半導体層と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記発光層で発生した光は、複数の前記第1柱状部、および複数の前記第2柱状部を伝搬し、
前記第2柱状部の高さは、前記第1半導体層の厚さと前記発光層との和以上であり、かつ、前記第1柱状部の高さよりも低く、
前記第1半導体層は、前記基体と前記発光層との間に設けられ、
前記第1電極は、前記第1半導体層と電気的に接続され、
前記第2電極は、前記第2半導体層と電気的に接続され、
前記第2柱状部は、前記第2電極と電気的に接続されていない、発光装置。 - 請求項1において、
前記第2柱状部の径は、前記第1柱状部の径よりも小さい、発光装置。 - 請求項1または2において、
前記第1柱状部と前記第2柱状部との間に設けられ、前記第1半導体層および前記第2半導体層よりも屈折率の小さい光伝搬層を有する、発光装置。 - 請求項3において、
前記第2柱状部と前記第2電極との間には、前記光伝搬層が設けられている、発光装置。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記第1柱状部の層構造と、前記第2柱状部の層構造とは、同じである、発光装置。 - 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
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