JP2020155745A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子１は、発光層３０と、一方向に並ぶ複数の導波路８１〜８５と、を有する。半導体発光装置２は、半導体発光素子１と、半導体発光素子１の積層方向の一方の面に対して、第１接着層１３１を介して配置される第１基台１１０と、を備える。第１接着層１３１の熱伝導率は、複数の導波路８１〜８５の並び方向において、中央が外側よりも高くなっている。【選択図】図６

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、たとえば、製品の加工等に用いて好適なものである。

近年、半導体発光装置が、様々な製品の加工に用いられている。この場合、加工品質を高めるために、半導体発光装置から出射される光は、高出力であることが好ましい。以下の特許文献１には、所定間隔をおいて一列に配列された複数のストライプを有する半導体発光素子と、この半導体発光素子が設置される支持体と、を備える半導体発光装置が記載されている。

特開平１−１６４０８４号公報

上記特許文献１に記載の半導体発光装置では、半導体発光素子の発光動作に応じて複数のストライプにそれぞれ対応する導波路において熱が発生する。この熱が相互に干渉することにより、半導体発光素子の中央付近の領域の温度が、端部付近の領域の温度よりも高くなる。このように、半導体発光素子における温度分布が不均一になると、中央付近の領域が端部付近の領域よりも先に劣化することになり、結果、半導体発光装置の信頼性が低下するといった問題が生じる。

かかる課題に鑑み、本発明は、信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供することを目的とする。

本発明の主たる態様に係る半導体発光装置は、発光層と、一方向に並ぶ複数の導波路と、を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子の積層方向の一方の面に対して、第１接着層を介して配置される第１基台と、を備える。前記第１接着層の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、中央が外側よりも高くなっている。

半導体発光素子の発光動作の際に、各導波路に対応する発光層の領域において熱が発生する。発生した熱は、半導体発光素子から第１接着層を介して第１基台へと移動し、第１基台から発散する。ここで、第１接着層の熱伝導率が場所によらず一定である場合、各導波路に対応する発光層の領域で発生した熱が相互干渉することにより、導波路の並び方向における半導体発光素子の中央付近の温度が高くなる。このため、半導体発光素子の中央付近に劣化が生じ易く、結果、半導体発光装置の信頼性の低下を招く。

これに対し、本態様に係る半導体発光装置によれば、第１接着層の熱伝導率が、複数の導波路の並び方向において、中央が外側よりも高くなっている。これにより、半導体発光素子の中央付近において、第１基台に対する熱の移動が促進される。このため、熱の相互干渉による中央付近の温度上昇が抑制され、導波路の並び方向における温度分布が均一に近付けられる。よって、半導体発光素子の寿命を長くでき、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。

以上のとおり、本発明によれば、信頼性を向上させることが可能な半導体発光装置を提供することができる。

本発明の効果ないし意義は、以下に示す実施形態の説明により更に明らかとなろう。ただし、以下に示す実施形態は、あくまでも、本発明を実施化する際の一つの例示であって、本発明は、以下の実施形態に記載されたものに何ら制限されるものではない。

図１（ａ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の構成を模式的に示す上面図である。図１（ｂ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の構成を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 図５（ａ）、（ｂ）は、実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 図６は、実施形態１に係る半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 図７（ａ）は、実施形態１に係る第１基台に配置された半田部材を模式的に示す上面図である。図７（ｂ）は、実施形態１に係る複数の半田部材のＡｕ組成比率を示すグラフである。図７（ｃ）は、実施形態１に係る半導体発光素子と第１電極とが接着された後の第１接着層のＡｕ組成比率を示すグラフである。 図８（ａ）は、実施形態１に係る第２基台に配置された半田部材を模式的に示す上面図である。図８（ｂ）は、実施形態１に係る複数の半田部材のＡｕ組成比率を示すグラフである。図８（ｃ）は、実施形態１に係る半導体発光素子と第２基台とが接着された後の第２接着層のＡｕ組成比率を示すグラフである。 図９（ａ）は、Ｓｎ組成比率と熱伝導率との関係を示すグラフである。図９（ｂ）は、実施形態１に係る第１接着層の熱伝導率を示すグラフである。図９（ｃ）は、実施形態１および比較例に係る半導体発光素子のＹ軸方向における温度を概念的に示すグラフである。 図１０は、実施形態２に係る半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 図１１（ａ）は、実施形態２に係る第１基台に配置された半田部材を模式的に示す上面図である。図１１（ｂ）は、実施形態２に係る複数の半田部材のＡｕ組成比率を示すグラフである。図１１（ｃ）は、実施形態２に係る半導体発光素子と第１電極とが接着された後の第１接着層のＡｕ組成比率を示すグラフである。 図１２（ａ）は、実施形態２に係る第１接着層の熱伝導率を示すグラフである。図１２（ｂ）は、実施形態２および比較例に係る半導体発光素子のＹ軸方向における温度を概念的に示すグラフである。 図１３は、実施形態３に係る半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 図１４（ａ）は、実施形態３に係る突条部の構成を模式的に示す斜視図である。図１４（ｂ）は、実施形態３の変更例に係る仕切部材の構成を模式的に示す斜視図である。 図１５は、実施形態４に係る半導体発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 図１６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、その他の変更例に係る第２接着層および第１接着層の熱伝導率を示すグラフである。 図１７（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、その他の変更例に係る第２接着層および第１接着層の熱伝導率を示すグラフである。

以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。便宜上、各図には、互いに直交するＸ、Ｙ、Ｚ軸が付記されている。Ｘ軸方向は、導波路における光の伝搬方向であり、Ｙ軸方向は、導波路の幅方向（導波路の並び方向）である。Ｚ軸方向は、半導体発光素子を構成する各層の積層方向である。

＜実施形態１＞
図１（ａ）は、半導体発光素子１の構成を模式的に示す上面図であり、図１（ｂ）は、半導体発光素子１の構成を模式的に示す断面図である。図１（ａ）では、便宜上、パッド電極５２の図示が省略されている。図１（ｂ）は、図１（ａ）においてＡ−Ａ’で切断した半導体発光素子１をＸ軸正方向に見た断面図である。

図１（ａ）に示すように、半導体発光素子１には、Ｘ軸方向に延びた５つの導波路８１〜８５が設けられている。５つの導波路８１〜８５は、Ｘ軸方向に光を導くとともに、Ｙ軸方向においてこれら導波路外への光の進行を制限する作用を有する。

端面１ａは、半導体発光素子１の出射側の端面であり、端面１ｂは、半導体発光素子１の反射側の端面である。ここで、端面１ｂ側から端面１ａへと向かう光を「前進波」と称し、端面１ａ側から端面１ｂへと向かう光を「後退波」と称する。後退波は、導波路８１〜８５内をＸ軸負方向に進みながら増幅され、端面１ｂにおいて反射されて前進波となる。前進波は、導波路８１〜８５内をＸ軸正方向に進みながら増幅され、前進波の一部は、端面１ａにおいて反射されて後退波となる。そして、前進波の一部は、出射光として端面１ａからＸ軸正方向に出射される。このように、半導体発光素子１内で生じた光は、端面１ａと端面１ｂとの間で増幅され、端面１ａから出射される。

図１（ｂ）に示すように、半導体発光素子１は、基板１０と、第１半導体層２０と、発光層３０と、第２半導体層４０と、電極部５０と、誘電体層６０と、ｎ側電極７０と、を備える。

基板１０は、たとえば、ＧａＮ基板である。本実施形態では、基板１０は、主面が（０００１）面であるｎ型六方晶ＧａＮ基板である。

第１半導体層２０は、基板１０上に形成されている。第１半導体層２０は、たとえば、Ｓｉドープされたｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ側クラッド層である。

発光層３０は、第１半導体層２０上に形成されている。発光層３０は、窒化物半導体によって構成される。発光層３０は、たとえば、ｎ−ＧａＮとアンドープＩｎＧａＮ層からなるｎ側光ガイド層３１と、ＩｎＧａＮ量子井戸層からなる活性層３２と、アンドープＩｎＧａＮ層とＭｇドープされたｐ−ＧａＮからなるｐ側光ガイド層３３とが積層された構造を有する。発光領域３０ａは、５つの導波路８１〜８５に対応する位置の発光層３０付近にそれぞれ存在し、半導体発光素子１から出射される光の大部分が発生および伝搬する領域である。

第２半導体層４０は、発光層３０上に形成されている。第２半導体層４０は、たとえば、ＡｌＧａＮからなる電子障壁層４１と、Ｍｇドープされたｐ型ＡｌＧａＮ層からなるｐ側クラッド層４２と、同じくＭｇドープされたｐ型ＧａＮからなるｐ側コンタクト層４３とが積層された構造を有する。ｐ側コンタクト層４３は、５つの導波路８１〜８５の最上層として形成されている。第２半導体層４０は、上面にＸ軸方向に延びた５つの突条部（ストライプ状の凸部）を有する。第２半導体層４０に形成された５つの突条部により、５つの導波路８１〜８５が形成される。５つの導波路８１〜８５によって、光が５つの導波路８１〜８５に対応する５つの発光領域３０ａ内をＸ軸方向に沿って進むようになる。

電極部５０は、第２半導体層４０上に形成されている。電極部５０は、電流供給のためのｐ側電極５１と、ｐ側電極５１上に形成されたパッド電極５２と、を有する。ｐ側電極５１は、ｐ側コンタクト層４３上に形成され、図１（ａ）に示すように、導波路８１〜８５に沿ってＸ軸方向に延びている。ｐ側電極５１は、ｐ側コンタクト層４３とオーミック接触するオーミック電極である。ｐ側電極５１は、たとえば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの金属材料を用いて形成される。本実施形態では、ｐ側電極５１は、Ｐｄ／Ｐｔの２層構造を有する。パッド電極５２は、ｐ側電極５１と誘電体層６０の上方に配置されており、半導体発光素子１の上面のほぼ全域を覆っている。パッド電極５２は、たとえば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属材料を用いて形成される。本実施形態では、パッド電極５２は、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層構造を有する。

誘電体層６０は、発光領域３０ａに光を閉じ込めるために、５つの導波路８１〜８５の外側に形成された絶縁膜である。本実施形態では、誘電体層６０は、５つの導波路８１〜８５の周辺において、ｐ側コンタクト層４３の側面と、ｐ側クラッド層４２の突条部分の側面と、ｐ側クラッド層４２の突条部分の周辺の上面とにわたって、連続的に形成されている。本実施形態では、誘電体層６０は、ＳｉＯ_２で形成される。

ｎ側電極７０は、基板１０の下面に形成されており、基板１０とオーミック接触するオーミック電極である。ｎ側電極７０は、たとえば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる積層膜である。

次に、半導体発光素子１の製造方法について、図２（ａ）〜図５（ｂ）を参照して説明する。図２（ａ）〜図５（ｂ）は、図１（ｂ）と同様の断面図である。

図２（ａ）に示すように、主面が（０００１）面であるｎ型六方晶ＧａＮ基板である基板１０上に、有機金属気層成長法（Metalorganic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ法）により、第１半導体層２０と、発光層３０と、第２半導体層４０とを順次成膜する。

具体的には、厚さ４００μｍの基板１０上に、第１半導体層２０としてｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ側クラッド層を３μｍ成長させる。続いて、ｎ−ＧａＮからなるｎ側光ガイド層３１を０．１μｍ成長させる。続いて、ＩｎＧａＮからなるバリア層とＩｎＧａＮ量子井戸層との３周期からなる活性層３２を成長させる。続いて、ｐ−ＧａＮからなるｐ側光ガイド層３３を０．１μｍ成長させる。

続いて、ＡｌＧａＮからなる電子障壁層４１を１０ｎｍ成長させる。続いて、膜厚１．５ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と膜厚１．５ｎｍのＧａＮ層とを１６０周期繰り返して形成した厚さ０．４８μｍの歪超格子からなるｐ側クラッド層４２を成長させる。続いて、ｐ−ＧａＮからなるｐ側コンタクト層４３を０．０５μｍ成長させる。ここで、各層において、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎを含む有機金属原料には、たとえば、それぞれトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアンモニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用いる。また、窒素原料には、アンモニア（ＮＨ_３）を用いる。

次に、図２（ｂ）に示すように、第２半導体層４０上に、保護膜９１を成膜する。具体的には、ｐ側コンタクト層４３上に、シラン（ＳｉＨ_４）を用いたプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、保護膜９１として、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）を３００ｎｍ成膜する。

次に、図３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いて、保護膜９１が帯状に残るように、保護膜９１を選択的に除去する。エッチング法としては、たとえば、ＣＦ_４などのフッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるドライエッチング、または、１：１０程度に希釈した弗化水素酸（ＨＦ）などを用いたウェットエッチングを用いることができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、帯状に形成された保護膜９１をマスクとして、ｐ側コンタクト層４３およびｐ側クラッド層４２をエッチングすることで、第２半導体層４０に５つの突条部（ストライプの凸部、リッジストライプ部）を形成する。ｐ側コンタクト層４３およびｐ側クラッド層４２のエッチングとしては、Ｃｌ_２などの塩素系ガスを用いたＲＩＥ法によるドライエッチングを用いることができる。

次に、図４（ａ）に示すように、帯状の保護膜９１を、弗化水素酸などを用いたウェットエッチングによって除去した後、ｐ側コンタクト層４３およびｐ側クラッド層４２を覆うように、誘電体層６０を成膜する。誘電体層６０として、たとえば、シラン（ＳｉＨ_４）を用いたプラズマＣＶＤ法によって、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）を３００ｎｍ成膜する。

次に、図４（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法と弗化水素酸を用いたウェットエッチングとにより、第２半導体層４０の突条部上の誘電体層６０のみを除去して、ｐ側コンタクト層４３の上面を露出させる。その後、真空蒸着法およびリフトオフ法を用いて、第２半導体層４０の突条部上のみにＰｄ／Ｐｔからなるｐ側電極５１を形成する。具体的には、誘電体層６０から露出させたｐ側コンタクト層４３の上にｐ側電極５１を形成する。

次に、図５（ａ）に示すように、ｐ側電極５１および誘電体層６０を覆うようにパッド電極５２を形成する。具体的には、フォトリソグラフィー法などによって、形成したい部分以外にレジストをパターニングし、基板１０の上方の全面に真空蒸着法などによってＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるパッド電極５２を形成し、リフトオフ法を用いて不要な部分の電極を除去する。これにより、ｐ側電極５１および誘電体層６０の上に所定形状のパッド電極５２を形成できる。こうして、ｐ側電極５１およびパッド電極５２からなる電極部５０が形成される。

次に、厚さ４００μｍの基板１０の下面を研磨することで８０μｍ厚とした後に、図５（ｂ）に示すように、基板１０の下面にｎ側電極７０を形成する。具体的には、基板１０の裏面に真空蒸着法などによってＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ側電極７０を形成し、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用いてパターニングすることで、所定形状のｎ側電極７０を形成する。

その後、劈開により端面１ａ、１ｂを形成し、端面１ａ、１ｂに、誘電体多層膜などの端面コート膜を形成する。こうして、図１（ａ）、（ｂ）に示した半導体発光素子１が完成する。

図６は、半導体発光装置２の構成を模式的に示す断面図である。図６では、図１（ｂ）に示した半導体発光素子１の上面（ｐ側の面）が、下方向（Ｚ軸負方向）に向けられている。

半導体発光装置２は、半導体発光素子１と、２つのサブマウント１００、２００と、を備える。

サブマウント１００は、第１基台１１０と、第１電極１２１と、電極１２２と、第１接着層１３１と、接着層１３２と、を備える。

第１基台１１０は、たとえば、アルミナイトライド（ＡｌＮ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）などのセラミック、ＣＶＤで成膜されたダイヤモンド（Ｃ）、ＣｕやＡｌなどの金属単体、または、ＣｕＷなどの合金など、半導体発光素子１と比べて熱伝導率が同等かそれ以上の材料で構成される。

第１電極１２１は、半導体発光素子１に向き合う第１基台１１０の面に蒸着により形成され、電極１２２は、第１電極１２１が形成された面とは反対側の第１基台１１０の面に蒸着により形成される。第１電極１２１と電極１２２は、たとえば、Ｔｉ（０．１μｍ）、Ｐｔ（０．２μｍ）およびＡｕ（０．２μｍ）の金属からなる積層膜である。なお、第１基台１１０が導電性であり、かつ、第１基台１１０と第１接着層１３１との密着性が良好な場合は、第１電極１２１は省略されてもよい。

第１接着層１３１は、第１電極１２１上に形成され、接着層１３２は、電極１２２上に形成される。第１接着層１３１は、たとえば、Ａｕ（８０％）およびＳｎ（２０％）の組成を基準として、Ｙ軸方向の位置に応じてＡｕ組成比率が異なっている金スズ合金からなる共晶はんだ（６μｍ）である。第１接着層１３１のＡｕ組成比率については、追って図７（ｃ）を参照して説明する。接着層１３２は、Ａｕ（８０％）およびＳｎ（２０％）の組成を基準として、Ｙ軸方向の位置によらずＡｕ組成比率が一定の金スズ合金からなる共晶はんだ（６μｍ）である。

半導体発光素子１は、ジャンクションダウン方式で、第１基台１１０を介して半導体発光装置２に実装されている。すなわち、半導体発光素子１のｐ側の面（第２半導体層４０に形成された突条部側の面）が、第１基台１１０を介して半導体発光装置２の内部に設置されている。具体的には、半導体発光素子１のパッド電極５２が、第１接着層１３１を介して、第１基台１１０上に形成された第１電極１２１に設置され、第１基台１１０上に形成された電極１２２が、接着層１３２を介して半導体発光装置２の内部に設置されている。

サブマウント２００は、第２基台２１０と第２接着層２２０を備える。

第２基台２１０は、第１基台１１０と同様の材料で構成される。第２接着層２２０は、半導体発光素子１に向き合う第２基台２１０の面に形成される。第２接着層２２０は、Ａｕ（８０％）およびＳｎ（２０％）の組成を基準として、Ｙ軸方向の位置によらずＡｕ組成比率が一定の金スズ合金からなる共晶はんだ（６μｍ）である。第２接着層２２０のＡｕ組成比率については、追って図８（ｃ）を参照して説明する。半導体発光素子１のｎ側の面（基板１０側の面）は、第２接着層２２０を介して第２基台２１０に設置される。

次に、図７（ａ）〜（ｃ）を参照して、第１接着層１３１の設置と、第１接着層１３１のＹ軸方向におけるＡｕ組成比率とについて説明する。

図７（ａ）は、第１基台１１０に配置された半田部材１３１ａを模式的に示す上面図である。図７（ａ）は、第１基台１１０および第１基台１１０上に形成された第１電極１２１を、Ｚ軸負方向に見た場合の平面図である。図７（ａ）には、便宜上、Ｚ軸方向に見た場合の半導体発光素子１の位置と５つの導波路８１〜８５の位置とが破線により示されている。

半導体発光素子１を第１基台１１０上の第１電極１２１に接着する場合、図７（ａ）に示すように、複数の半田部材１３１ａを第１電極１２１上に配置する。図７（ａ）には、３３個の半田部材１３１ａが、Ｙ軸方向に並んでいる。半田部材１３１ａは、Ｙ軸方向の幅が導波路８１〜８５と比較して狭く、Ｘ軸方向の長さが半導体発光素子１よりも長い。図７（ａ）のように複数の半田部材１３１ａを配置した後、全ての半田部材１３１ａを熱で溶かし、半導体発光素子１を半田部材１３１ａ上に設置する。これにより、半導体発光素子１と第１電極１２１とが半田部材１３１ａにより接着され、複数の半田部材１３１ａは、Ｙ軸方向に繋がって第１接着層１３１となる。

図７（ｂ）は、Ｙ軸方向に並んだ複数の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率を示すグラフである。図７（ｂ）において、横軸はＹ軸方向の位置を示しており、縦軸はＡｕ組成比率を示している。図７（ｂ）のＹ軸方向における５つの範囲Ａ１〜Ａ５は、それぞれ、５つの導波路８１〜８５の位置を示している。

図７（ｂ）に示すように、隣り合う半田部材１３１ａのＡｕ組成比率は互いに異なっているものの、１つの半田部材１３１ａにおけるＡｕ組成比率は一定である。また、３３個の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向の位置に応じて異なっている。具体的には、Ｙ軸正側の端およびＹ軸負側の端からＹ軸方向の中央に向かって徐々にＡｕ組成比率が高くなるように、複数の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率が設定されている。

図７（ｃ）は、半導体発光素子１と第１電極１２１とが接着された後の第１接着層１３１のＡｕ組成比率を示すグラフである。

図７（ｂ）に示すように複数の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率が設定され、これら半田部材１３１ａが熱で溶かされて半導体発光素子１と第１電極１２１とが接着されると、形成される第１接着層１３１のＡｕ組成比率は、図７（ｃ）に示すようになる。図７（ｃ）において、第１接着層１３１のＡｕ組成比率は、複数の導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）において、外側から中央に進むにつれて高くなっている。

なお、実際には、第１接着層１３１のＡｕ組成比率は、半田部材１３１ａの位置ごとに平坦な領域が生じ得る。半田部材１３１ａの数が増加するに伴い、平坦な領域が狭くなり、第１接着層１３１のＡｕ組成比率が図７（ｃ）のような滑らかな分布に近づく。また、半田部材１３１ａ間の隙間が小さくなると、半田部材１３１ａの溶融時に、隣り合う半田部材１３１ａ間の境界において、これら半田部材１３１ａが混ざりあう。これにより、各境界における第１接着層１３１のＡｕ組成比率がなだらかに変化し、結果、第１接着層１３１のＡｕ組成比率が図７（ｃ）のような滑らかな分布に近づく。

次に、図８（ａ）、（ｂ）を参照して、第２接着層２２０の設置と、第２接着層２２０のＹ軸方向におけるＡｕ組成比率とについて説明する。

図８（ａ）は、第２基台２１０に配置された第２接着層２２０を模式的に示す上面図である。図８（ａ）は、第２基台２１０をＺ軸正方向に見た場合の平面図である。図８（ａ）には、便宜上、Ｚ軸方向に見た場合の半導体発光素子１の位置と５つの導波路８１〜８５の位置とが破線により示されている。

半導体発光素子１を第２基台２１０に設置する場合、図８（ａ）に示すように、１つの半田部材２２０ａを第２基台２１０上に配置する。半田部材２２０ａの外径は、半導体発光素子１の外径よりも大きい。図８（ａ）のように半田部材２２０ａを配置した後、半田部材２２０ａを熱で溶かし、半導体発光素子１を半田部材２２０ａ上に接着する。これにより、半導体発光素子１と第２基台２１０とが半田部材２２０ａにより接着され、半田部材２２０ａは、第２接着層２２０となる。

図８（ｂ）は、半田部材２２０ａのＡｕ組成比率を示すグラフである。図８（ｂ）において、横軸はＹ軸方向の位置を示しており、縦軸はＡｕ組成比率を示している。図８（ｂ）のＹ軸方向における５つの範囲Ａ１〜Ａ５は、それぞれ、５つの導波路８１〜８５の位置を示している。

図８（ｂ）に示すように、半田部材２２０ａのＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向の位置によらず一定である。図８（ｂ）に示すように半田部材２２０ａのＡｕ組成比率が設定され、半田部材２２０ａが熱で溶かされて半導体発光素子１と第２基台２１０とが接着されると、形成される第２接着層２２０のＡｕ組成比率は、図８（ｃ）に示すように一定になる。

図９（ａ）は、Ｓｎ組成比率と熱伝導率との関係を示すグラフである。図９（ａ）のグラフは、「物性値 平衡状態図 | 三菱マテリアル高機能製品カンパニー電子材料事業部」（http://www.mmc.co.jp/adv/ele/ja/products/assembly/ausn-special03.html）に基づいて、発明者らが作成したものである。

図９（ａ）に示すように、Ａｕ組成比率が高くなりＳｎ組成比率が小さくなると、熱伝導率は上昇することが分かる。

ここで、従来、半導体発光素子１をサブマウントに接着するために用いられた接着層の材料は、Ａｕ（８０％）およびＳｎ（２０％）の組成からなる金スズ合金（Ａｕ０．８Ｓｎ０．２）であった。この場合の接着層の熱伝導率は、図９（ａ）のグラフに示すように、約５７Ｗ／ｍ・Ｋである。また、半導体発光素子１はほぼＧａＮで構成されていることから、半導体発光素子１の熱伝導率は、約２００Ｗ／ｍ・Ｋである。このように、半導体発光素子１の熱伝導率に比べて数段低い接着層が用いられると、第１基台１１０および第２基台２１０を熱伝導率の高い材料で構成したとしても、半導体発光素子１から第１基台１１０および第２基台２１０へと熱が円滑に伝導せず、特に発光層３０の中央付近に熱が滞留することになる。

そこで、実施形態１では、第１接着層１３１を、従来のＡｕ組成比率（８０％）に対して、第１接着層１３１の中央付近のＡｕ組成比率が、従来値よりも高い値となるように設定される。たとえば、図７（ｃ）のグラフにおいて、第１接着層１３１の端部付近のＡｕ組成比率が従来値の８０％程度となり、第１接着層１３１の中央付近のＡｕ組成比率が９５％程度となるよう、第１接着層１３１のＡｕ組成比率が設定される。一方、第２接着層２２０のＡｕ組成比率は、従来値の８０％程度に設定される。このように第１接着層１３１のＡｕ組成比率が設定されると、発光層３０の中央付近で滞留した熱が、第１接着層１３１を介して円滑に第１基台１１０へと伝導しやすくなる。

図９（ｂ）は、第１接着層１３１の熱伝導率を示すグラフである。

図９（ａ）に示したようにＡｕ組成比率が高くなると熱伝導率は上昇するため、図７（ｃ）に示すように第１接着層１３１のＡｕ組成比率が設定されると、第１接着層１３１の熱伝導率は、Ｙ軸方向において外側から中央に進むにつれて高く設定されることになる。一方、図８（ｃ）に示すように第２接着層２２０のＡｕ組成比率は一定であるため、第２接着層２２０の熱伝導率は、Ｙ軸方向の位置によらず一定である。

図９（ｃ）は、実施形態１および比較例に係る半導体発光素子１のＹ軸方向における温度を概念的に示す図である。

ここで、第１接着層１３１のＡｕ組成比率が、第２接着層２２０と同様にＹ軸方向の位置によらず一定である比較例について考える。この比較例においては、第１基台１１０へと繋がる第１接着層１３１および第２基台２１０へと繋がる第２接着層２２０の両方において、Ｙ軸方向の位置によらず熱伝導率が一定であるため、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における半導体発光素子１の中央付近の熱は、半導体発光素子１内で滞留しやすい。このため、比較例の場合は、図９（ｃ）のグラフに示すように、５つの導波路８１〜８５で生じた熱の相互干渉により、発光層３０の中央付近（導波路８３に対応する発光領域３０ａ付近）の温度が高くなる。

これに対し、実施形態１では、第１基台１１０へと繋がる第１接着層１３１において、図９（ｂ）に示したようにＹ軸方向の中央付近の熱伝導率が高められているため、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における半導体発光素子１の中央付近の熱は、より円滑に第１基台１１０へと伝導する。これにより、図９（ｃ）のグラフに示すように、比較例のグラフと比較して、５つの導波路８１〜８５の並び方向の中央付近（導波路８３に対応する発光領域３０ａ付近）の温度が低くなる。

＜実施形態１の効果＞
実施形態１によれば、以下の効果が奏される。

半導体発光素子１の発光動作の際に、５つの導波路８１〜８５に対応する発光領域３０ａにおいて熱が発生する。発生した熱は、半導体発光素子１から第１接着層１３１を介して第１基台１１０へと移動し、第１基台１１０から発散する。ここで、第１接着層１３１の熱伝導率が場所によらず一定である場合、各導波路に対応する発光領域３０ａで発生した熱が相互干渉することにより、図９（ｃ）の比較例のグラフに示したように、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における半導体発光素子１の中央付近の温度が高くなる。このため、半導体発光素子１の中央付近に劣化が生じ易く、結果、半導体発光装置２の信頼性の低下を招く。

これに対し、実施形態１の半導体発光装置２によれば、第１接着層１３１の熱伝導率が、複数の導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）において、中央が外側よりも高くなっている。これにより、半導体発光素子１の中央付近において、第１基台１１０に対する熱の移動が促進される。このため、熱の相互干渉による中央付近の温度上昇が抑制され、図９（ｃ）の実施形態１のグラフに示したように、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における半導体発光素子１の温度分布が均一に近付けられる。よって、半導体発光素子１の寿命を長くでき、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。

また、半導体発光素子１は、ジャンクションダウン方式で第１基台１１０を介して半導体発光装置２に実装されている。これにより、半導体発光素子１で生じた熱を第１接着層１３１および第１基台１１０を介して、半導体発光装置２のパッケージ等へ円滑に移動させることができる。

なお、第２接着層２２０は、第１接着層１３１のようにＹ軸方向の位置に応じて熱伝導率が異なるように設定されていないが、発光層３０から生じた熱の一部は、第２接着層２２０を介して第２基台２１０へと伝導し除去される。したがって、実施形態１によれば、第１接着層１３１を介した放熱と合わせて第２接着層２２０を介した放熱が行われるため、発光層３０の温度を効果的に下げることができる。

＜実施形態２＞
実施形態１では、第１接着層１３１の熱伝導率は、図９（ｂ）に示したように外側から中央に向かってなだらかに高くなっていた。これに対し、実施形態２では、第１接着層１３１の熱伝導率は、外側から中央に向かって段階的に高くなっている。

図１０は、実施形態２の半導体発光装置２の構成を模式的に示す断面図である。

実施形態２では、実施形態１と比較して、第１接着層１３１のＡｕ組成比率のみが異なっている。図１０に示す領域Ｒ１１〜Ｒ１５は、５つの導波路８１〜８５に対応する第１接着層１３１の部分である。５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５のＹ軸方向の位置は、それぞれ、５つの導波路８１〜８５のＹ軸方向の位置を含んでいる。５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５のＹ軸方向における幅は互いに等しい。そして、第１接着層１３１の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５の熱伝導率は、Ｙ軸方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなっている。

図１１（ａ）は、第１基台１１０に配置された半田部材１３１ａを模式的に示す上面図である。

半導体発光素子１を第１基台１１０上の第１電極１２１に接着する場合、図１１（ａ）に示すように、複数の半田部材１３１ａを第１電極１２１上に配置する。図１１（ａ）には、７個の半田部材１３１ａが、Ｙ軸方向に並んでいる。中央に位置する５つの半田部材１３１ａは、Ｙ軸方向の幅が図１０の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５のＹ軸方向における幅とほぼ同じであり、Ｘ軸方向の長さが半導体発光素子１よりも長い。図１１（ａ）のように複数の半田部材１３１ａを配置した後、全ての半田部材１３１ａを熱で溶かし、半導体発光素子１を半田部材１３１ａ上に設置する。これにより、半導体発光素子１と第１電極１２１とが半田部材１３１ａにより接着され、複数の半田部材１３１ａは、Ｙ軸方向に繋がって第１接着層１３１となる。

図１１（ｂ）は、Ｙ軸方向に並んだ複数の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率を示すグラフである。図１１（ｂ）のグラフには、領域Ｒ１１〜Ｒ１５に対応する位置があわせて示されている。

実施形態２においても、実施形態１と同様、隣り合う半田部材１３１ａのＡｕ組成比率は互いに異なっているものの、１つの半田部材１３１ａにおけるＡｕ組成比率は一定である。また、７個の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向の位置に応じて異なっている。

図１１（ｃ）は、半導体発光素子１と第１電極１２１とが接着された後の第１接着層１３１のＡｕ組成比率を示すグラフである。

図１１（ｂ）に示すように複数の半田部材１３１ａのＡｕ組成比率が設定され、これら半田部材１３１ａが熱で溶かされて半導体発光素子１と第１電極１２１とが接着されると、形成される第１接着層１３１のＡｕ組成比率は、図１１（ｃ）に示すようになる。

実施形態２では、半田部材１３１ａのＹ軸方向の幅が実施形態１に比べて長いため、接着後の第１接着層１３１のＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向の位置に応じて階段状になっている。すなわち、第１接着層１３１の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５のＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなっている。したがって、実施形態２の第１接着層１３１の熱伝導率は、図１２（ａ）に示すように、階段状に設定されることになる。すなわち、実施形態２の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５のＡｕ組成比率は、Ｙ軸方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなる。

図１２（ａ）に示すように第１接着層１３１の熱伝導率が設定されると、実施形態１と同様、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における半導体発光素子１の中央付近の熱は、円滑に第１基台１１０へと伝導し除去される。これにより、図１２（ｂ）の実施形態２のグラフに示すように、比較例のグラフと比較して、５つの導波路８１〜８５の並び方向の中央付近の温度が低くなる。

以上、実施形態２によれば、実施形態１と同様、第１接着層１３１の熱伝導率は、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）において、中央が外側よりも高くなっている。これにより、５つの導波路８１〜８５の並び方向における半導体発光素子１の温度分布が均一に近付けられる。よって、半導体発光素子１の寿命を長くでき、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。

また、実施形態２によれば、第１接着層１３１の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５において、図１１（ｃ）に示すように、各領域内の熱伝導率が一定である。これにより、５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５の位置にそれぞれ対応する半導体発光素子１の温度は、図１２（ｂ）に示すように、各領域内においてほぼ一定となる。このため、各導波路に対応する発光層３０（発光領域３０ａ）において、発光領域３０ａのＹ軸正側の端部とＹ軸負側の端部の温度をほぼ同じにすることができる。これにより、各発光領域３０ａにおいて、Ｙ軸方向の片側から劣化が進むといった事態を避けることができるため、各導波路に対応する発光層３０の劣化を抑制できる。よって、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。

＜実施形態３＞
実施形態２では、第１接着層１３１の熱伝導率をＹ軸方向において異ならせるために、図１１（ｂ）のように熱伝導率が設定された複数の半田部材１３１ａにより、第１接着層１３１が構成された。これに対し、実施形態３では、実施形態２と同様の複数の半田部材１３１ａの間に、第１接着層１３１内を伝導する熱を遮断するための遮熱部がさらに設けられる。

図１３は、実施形態３の半導体発光装置２の構成を模式的に示す断面図である。

実施形態３では、実施形態２と比較して、第１接着層１３１の領域Ｒ１１〜Ｒ１５の間で熱を遮断するために、遮熱部として６つの突条部１１０ａが設けられている。突条部１１０ａは、第１接着層１３１の領域Ｒ１１〜Ｒ１５において、各領域のＹ軸方向の端部に設けられている。すなわち、６つの突条部１１０ａは、第１基台１１０の半導体発光素子１と向かい合う上面（Ｚ軸正側の面）において、領域Ｒ１１〜Ｒ１５の境界部分に設けられている。

図１４（ａ）は、突条部１１０ａの構成を模式的に示す斜視図である。

６つの突条部１１０ａは、Ｙ軸方向の幅は狭く、Ｘ軸方向の長さは第１基台１１０のＸ軸方向の長さとほぼ同じとなるように構成されている。６つの突条部１１０ａは、第１基台１１０の上面において、突条部１１０ａに対応する領域以外の領域がエッチングで除かれることにより形成される。

実施形態３では、図１４（ａ）に示すように６つの突条部１１０ａが形成された第１基台１１０の上面に対して、第１電極１２１が蒸着により形成される。これにより、図１３に示すように、第１基台１１０の上面が第１電極１２１により覆われる。その後、実施形態２と同様、図１１（ｂ）のようにＡｕ組成比率が設定された複数の半田部材１３１ａが、領域Ｒ１１〜Ｒ１５に対応する第１基台１１０の上面に、図１１（ａ）のように配置され、半導体発光素子１と第１基台１１０とが第１接着層１３１により接着される。すなわち、突条部１１０ａで区切られた各領域に半田部材１３１ａが配置されて、半導体発光素子１と第１基台１１０とが第１接着層１３１により接着される。これにより、図１３に示すように、第１接着層１３１の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５が、突条部１１０ａにより区切られる。

実施形態３によれば、第１接着層１３１の隣り合う２つの領域の間に突条部１１０ａが設けられているため、隣り合う２つの領域において、突条部１１０ａにより熱の移動が抑制される。これにより、各導波路に対応する発光領域３０ａ内の温度を、さらに均一にすることができる。よって、各導波路に対応する発光層３０の劣化を、実施形態２と比較して、さらに抑制することができる。

また、第１接着層１３１内を伝導する熱を遮断するための遮熱部として、第１基台１１０に突条部１１０ａが設けられた。このように突条部１１０ａによって遮熱部が構成されると、遮熱部を精度よく簡便に形成できる。

＜実施形態３の変更例＞
実施形態３では、第１接着層１３１の隣り合う２つの領域の間を伝導する熱を遮断するための遮熱部として、第１基台１１０に突条部１１０ａが設けられたが、遮熱部の構成はこれに限らず、たとえば、図１４（ｂ）に示すように、突条部１１０ａに代えて仕切部材１４０が設けられてもよい。

図１４（ｂ）は、本変更例の仕切部材１４０の構成を模式的に示す斜視図である。

仕切部材１４０は、Ｘ軸方向に延びた６つの壁部１４１と、６つの壁部１４１に架けられＹ軸方向に延びた２つの支持部１４２と、を備える。２つの支持部１４２は、壁部１４１のＸ軸正側およびＸ軸負側の端部に設けられている。図１４（ｂ）では、２つの支持部１４２のうち、Ｘ軸負側の支持部１４２のみが図示されている。支持部１４２のＹ軸正側およびＹ軸負側の端部には、それぞれ、Ｚ軸負方向に突出した鍔部１４２ａが設けられている。２つの鍔部１４２ａが、第１基台１１０のＹ軸正側の側面およびＹ軸負側の側面にそれぞれ掛かるようにして、第１基台１１０の上面に対して仕切部材１４０が設置される。これにより、壁部１４１を、実施形態３の突条部１１０ａと同様の位置に、簡便に位置付けることができる。

本変更例では、図１４（ｂ）に示すように仕切部材１４０が第１基台１１０に設置された後、第１基台１１０の上面に対して、第１電極１２１が蒸着により形成される。あるいは、仕切部材１４０が第１基台１１０に設置される前に、第１基台１１０の上面に対して、第１電極１２１が蒸着により形成され、その後、第１基台１１０の上面（第１電極１２１の上面）に対して、仕切部材１４０が設置されてもよい。

本変更例によれば、第１接着層１３１の隣り合う２つの領域の間に仕切部材１４０の壁部１４１が設けられているため、隣り合う２つの領域の間の熱の移動が、壁部１４１により抑制される。このため、実施形態３と同様、各導波路に対応する発光領域３０ａ内の温度を均一にすることができる。

＜実施形態４＞
実施形態３では、第１接着層１３１の領域Ｒ１１〜Ｒ１５の間で熱の伝導を遮断するために、遮熱部（突条部１１０ａ）が設けられた。これに対し、実施形態４では、第２接着層２２０の熱伝導率が、外側から中央に向かって段階的に高く設定され、第２接着層２２０の領域Ｒ２１〜Ｒ２５の間で熱の伝導を遮断するための遮熱部が設けられる。

図１５は、実施形態４の半導体発光装置２の構成を示す断面図である。

図１５に示す領域Ｒ２１〜Ｒ２５は、５つの導波路８１〜８５に対応する第２接着層２２０の部分である。５つの領域Ｒ２１〜Ｒ２５のＹ軸方向の位置および幅は、実施形態２、３の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５と同じである。第２接着層２２０の５つの領域Ｒ２１〜Ｒ２５の熱伝導率は、実施形態２、３の５つの領域Ｒ１１〜Ｒ１５の熱伝導率と同様、Ｙ軸方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなっている。

また、実施形態４では、第２接着層２２０の領域Ｒ２１〜Ｒ２５の間で伝導する熱を遮断するために、遮熱部として第２基台２１０に６つの突条部２１０ａが設けられている。６つの突条部２１０ａは、Ｙ軸方向において、６つの突条部１１０ａと同じ位置に設けられている。

実施形態４によれば、第２接着層２２０の熱伝導率が、Ｙ軸方向において、中央が外側よりも高くなっている。これにより、第１接着層１３１による効果に加えて、半導体発光素子１の中央付近において、第２基台２１０に対する熱の移動がさらに促進される。このため、熱の相互干渉による中央付近の温度上昇がさらに抑制され、５つの導波路８１〜８５の並び方向（Ｙ軸方向）における温度分布がさらに均一に近付けられる。よって、半導体発光装置２の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態４によれば、実施形態２、３の第１接着層１３１と同様、第２接着層２２０の５つの領域Ｒ２１〜Ｒ２５において、各領域内の熱伝導率が一定である。また、第２接着層２２０の隣り合う領域の間には突条部２１０ａが設けられている。これにより、第２接着層２２０の隣り合う領域において熱の移動がさらに抑制され、発光領域３０ａのＹ軸正側の端部とＹ軸負側の端部の温度を、さらに近付けることができる。よって、各導波路に対応する発光領域３０ａ内の温度がさらに均一になるため、各導波路に対する発光層３０の劣化をさらに抑制できる。

＜その他の変更例＞
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、他に種々の変更が可能である。

たとえば、実施形態１〜３では、第２接着層２２０の熱伝導率は、Ｙ軸方向の位置によらず一定とされたが、実施形態１〜３の第１接着層１３１と同様に、Ｙ軸方向の位置によって異なってもよい。

すなわち、第２接着層２２０の熱伝導率は、実施形態１の第１接着層１３１と同様、図１６（ａ）に示すように、Ｙ軸方向において外側から中央に向かうにつれて高くなってもよい。この場合、第１接着層１３１の熱伝導率は、たとえば、図１６（ｂ）に示すように、実施形態１と同様に設定される。また、第２接着層２２０の熱伝導率は、実施形態２、３の第１接着層１３１と同様、図１７（ａ）に示すように、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなってもよい。この場合、第１接着層１３１の熱伝導率は、たとえば、図１７（ｂ）に示すように、実施形態２、３と同様に設定される。

このように、第２接着層２２０の熱伝導率についても、導波路８１〜８５の並び方向の中央付近を端部付近に比べて高めることにより、半導体発光素子１の中央付近の熱の移動がさらに促進される。よって、中央付近における半導体発光素子１の劣化を抑制でき、半導体発光装置２の信頼性をさらに向上させることができる。

また、実施形態１〜４では、第１接着層１３１の熱伝導率は、Ｙ軸方向の位置によって異なっていたが、実施形態１の第２接着層２２０の熱伝導率と同様に、Ｙ軸方向の位置によらず一定であってもよい。この場合、第２接着層２２０の熱伝導率は、実施形態１〜３の第１接着層１３１と同様に、Ｙ軸方向の位置によって異なるように設定される。

このように、サブマウント１００側の第１接着層１３１と、サブマウント２００側の第２接着層２２０の少なくとも一方において、熱伝導率がＹ軸方向の位置によって異なるように設定されるのが好ましい。これにより、Ｙ軸方向における半導体発光素子１の中央付近の温度が低くなるため、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。

なお、半導体発光素子１においてはｐ側（導波路側）の面において温度が上昇しやすいため、半導体発光素子１のｐ側が向けられた接着層において、熱伝導率がＹ軸方向の位置によって異なるように設定されるのが好ましい。すなわち、実施形態１〜４のように、半導体発光素子１がジャンクションダウン方式で設置される場合、第１接着層１３１のＹ軸方向の中央において熱伝導率が高められるのが好ましい。ただし、半導体発光素子１がジャンクションアップ方式で設置される場合、半導体発光素子１の熱は、第１接着層１３１を介して第１基台１１０側に移動しやすいため、第１接着層１３１のＹ軸方向の中央において熱伝導率が高められるのが好ましい。

また、上記実施形態では、半導体発光素子１において導波路は５つ設けられたが、これに限らず、２つ以上設けられてもよい。導波路の個数が偶数である場合も、第１接着層１３１または第２接着層２２０の熱伝導率が、Ｙ軸方向において中央が外側よりも高く設定されることにより、熱の相互干渉により高温となりやすい半導体発光素子１の中央付近の熱が、第１基台１１０または第２基台２１０へと効果的に伝導し除去される。これにより、Ｙ軸方向における半導体発光素子１の温度分布が均一に近付けられるため、半導体発光装置２の信頼性を向上させることができる。

また、上記実施形態において、第２基台２１０と第２接着層２２０との間に、第１電極１２１と同様の電極を設けてもよい。

また、上記実施形態では、半導体発光素子１のｎ側の面（基板１０側の面）から発光層３０で生じた熱を放熱させるためにサブマウント２００が設けられたが、サブマウント２００による放熱性能を高める必要が無い場合には、第２接着層２２０を省略してもよい。この場合、ｎ側電極７０と第２基台２１０とを電気的に接続するために、第１電極１２１と同様の電極が設けられる。また、サブマウント２００を用いて放熱させる必要がない場合には、サブマウント２００自体を省略してもよい。この場合、半導体発光素子１のｎ側電極７０に直接ワイヤーボンドを施し、ｎ側電極７０に給電配線を設置してもよい。

また、上記実施形態では、半導体発光素子１のｐ側（導波路８１〜８５側）をサブマウント１００に接続するジャンクションダウン方式により、半導体発光素子１が半導体発光装置２内に設置されたが、これに限らず、半導体発光素子１のｎ側（ｎ側電極７０）をサブマウント１００に接続するジャンクションアップ方式により、半導体発光素子１が半導体発光装置２内に設置されてもよい。

なお、半導体発光装置２は、製品の加工に限らず、他の用途に用いられてもよい。

この他、本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。

１ 半導体発光素子
２ 半導体発光装置
３０ 発光層
８１〜８５ 導波路
１１０ 第１基台
１１０ａ 突条部（第１突条部、第１遮熱部）
１３１ 第１接着層
１４１ 壁部（第１遮熱部）
２１０ 第２基台
２１０ａ 突条部（第２突条部、第２遮熱部）
２２０ 第２接着層
Ｒ１１〜Ｒ１５ 領域（第１領域）
Ｒ２１〜Ｒ２５ 領域（第２領域）

Claims (12)

1. 発光層と、一方向に並ぶ複数の導波路と、を有する半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子の積層方向の一方の面に対して、第１接着層を介して配置される第１基台と、を備え、
   前記第１接着層の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、中央が外側よりも高くなっている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
2. 請求項１に記載の半導体発光装置において、
   前記第１接着層の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、外側から中央に進むにつれて高くなっている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
3. 請求項１に記載の半導体発光装置において、
   前記複数の導波路にそれぞれ対応する前記第１接着層の複数の第１領域の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなっている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
4. 請求項３に記載の半導体発光装置において、
   前記第１接着層の隣り合う前記第１領域の間には、前記第１接着層内を伝導する熱を遮断するための第１遮熱部が設けられている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
5. 請求項４に記載の半導体発光装置において、
   前記第１遮熱部は、前記第１基台に設けられた第１突条部により形成される、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
6. 請求項１ないし５の何れか一項に記載の半導体発光装置において、
   前記半導体発光素子は、ジャンクションダウン方式で、前記第１基台を介して前記半導体発光装置に実装されている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
7. 請求項１ないし６の何れか一項に記載の半導体発光装置において、
   前記半導体発光素子の前記一方の面とは反対側の面に対して、第２接着層を介して配置された第２基台を備える、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
8. 請求項７に記載の半導体発光装置において、
   前記第２接着層の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、中央が外側よりも高くなっている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
9. 請求項８に記載の半導体発光装置において、
   前記第２接着層の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、外側から中央に進むにつれて高くなっている、
   ことを特徴とする半導体発光装置。
10. 請求項８に記載の半導体発光装置において、
    前記複数の導波路にそれぞれ対応する前記第２接着層の複数の第２領域の熱伝導率は、前記複数の導波路の並び方向において、外側から中央に進むにつれて段階的に高くなっている、
    ことを特徴とする半導体発光装置。
11. 請求項１０に記載の半導体発光装置において、
    前記第２接着層の隣り合う前記第２領域の間には、前記第２接着層内を伝導する熱を遮断するための第２遮熱部が設けられている、
    ことを特徴とする半導体発光装置。
12. 請求項１１に記載の半導体発光装置において、
    前記第２遮熱部は、前記第２基台に設けられた第２突条部により形成される、
    ことを特徴とする半導体発光装置。

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