JP2020155467A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
Substrate processing device and substrate processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020155467A JP2020155467A JP2019049944A JP2019049944A JP2020155467A JP 2020155467 A JP2020155467 A JP 2020155467A JP 2019049944 A JP2019049944 A JP 2019049944A JP 2019049944 A JP2019049944 A JP 2019049944A JP 2020155467 A JP2020155467 A JP 2020155467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film thickness
- film
- arm
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 295
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 167
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 252
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 170
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 303
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 171
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 96
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 48
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 33
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 12
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 12
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
本願明細書に開示される技術は、基板処理装置、および、基板処理方法に関するものである。なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置または有機EL(electroluminescence)表示装置などのflat panel display(FPD)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、プリント基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。 The techniques disclosed in the present specification relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate to be processed includes, for example, a semiconductor substrate, a liquid crystal display device, a flat panel display (FPD) substrate such as an organic EL (electrulosensence) display device, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, and a photomagnetic disk. Included are substrates, photomask substrates, ceramic substrates, printed circuit boards, solar cell substrates, and the like.
従来より、半導体基板(以下、単に「基板」と称する)の製造工程では、基板処理装置を用いて基板に対して様々な処理が行われている。当該処理には、当該基板の上面に形成された膜を処理液を用いて除去するエッチング処理が含まれる。 Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate"), various treatments have been performed on the substrate by using a substrate processing apparatus. The treatment includes an etching treatment for removing the film formed on the upper surface of the substrate with a treatment liquid.
そして、上記の膜に対する処理の効果を確認するため、上記の膜の膜厚測定が行われている(たとえば、特許文献1を参照)。 Then, in order to confirm the effect of the treatment on the film, the film thickness of the film is measured (see, for example, Patent Document 1).
上記の膜厚測定は、たとえば、基板の上方の一点に固定された膜厚測定器を用いて行われるものであった。よって、膜厚測定が可能な測定箇所が制限されてしまうため、所望の箇所における膜厚測定が困難となる場合があった。 The above film thickness measurement was performed using, for example, a film thickness measuring device fixed to a point above the substrate. Therefore, the measurement points where the film thickness can be measured are limited, and it may be difficult to measure the film thickness at a desired point.
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、上記の膜厚測定の測定箇所の自由度を高める技術を提供することを目的とするものである。 The technique disclosed in the present specification has been made in view of the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a technique for increasing the degree of freedom of the measurement point of the above-mentioned film thickness measurement. Is.
本願明細書に開示される技術の第1の態様は、上面に測定対象膜が形成された基板を保持するための基板保持部と、前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームとを備え、前記第1のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第1の距離が、前記第2のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第2の距離よりも長い。 The first aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate holding portion for holding a substrate having a measurement target film formed on its upper surface, and a film thickness measurement for measuring the thickness of the measurement target film. A first arm to which a device is attached and which can rotate on a surface along the upper surface of the substrate and a first ejection nozzle for ejecting a processing liquid for processing the substrate are attached and A second arm that is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate is provided, and the first distance, which is the distance between the first arm and the upper surface of the substrate holding portion, is the second arm. It is longer than the second distance, which is the distance between the substrate holding portion and the upper surface of the substrate holding portion.
本願明細書に開示される技術の第2の態様は、第1の態様に関連し、少なくとも前記膜厚測定器、前記第1のアーム、前記第1の吐出ノズルおよび前記第2のアームの動作を制御する制御部をさらに備え、前記制御部は、前記第1のアームにおける前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定と、前記第2のアームにおける前記第1の吐出ノズルによる前記処理液の吐出とを並行して行わせる。 A second aspect of the technique disclosed herein relates to a first aspect, at least the operation of the film thickness measuring instrument, the first arm, the first ejection nozzle and the second arm. The control unit further includes a control unit for measuring the film thickness of the film to be measured by the film thickness measuring device in the first arm, and the control unit using the first discharge nozzle in the second arm. The treatment liquid is discharged in parallel.
本願明細書に開示される技術の第3の態様は、第2の態様に関連し、前記測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する第2の吐出ノズルをさらに備え、前記制御部は、前記第2の吐出ノズルの動作も制御し、前記制御部は、前記第2の吐出ノズルから前記膜除去液を吐出させることによって前記除去対象膜を除去した後、前記膜厚測定器に、前記除去対象膜が除去された前記測定対象膜の膜厚を測定させる。 A third aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the second aspect, and is a second aspect of discharging a film removing liquid for removing the removal target film formed on the upper surface of the measurement target film. Further including a discharge nozzle, the control unit also controls the operation of the second discharge nozzle, and the control unit removes the film to be removed by discharging the film removing liquid from the second discharge nozzle. After that, the film thickness measuring device is made to measure the film thickness of the measurement target film from which the removal target film has been removed.
本願明細書に開示される技術の第4の態様は、第2または3の態様に関連し、前記制御部は、前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記第1の吐出ノズルが前記処理液を吐出する時間を調整する。 The fourth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the second or third aspect, and the control unit is based on the result of film thickness measurement of the film to be measured by the film thickness measuring device. The time for the first discharge nozzle to discharge the processing liquid is adjusted.
本願明細書に開示される技術の第5の態様は、第1から4のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記膜厚測定器が、光学式の変位センサであり、前記膜厚測定器の測定照射波長の範囲の少なくとも一部が、前記処理液の吸収波長の範囲外である。 A fifth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the first to fourth aspects, wherein the film thickness measuring device is an optical displacement sensor, and the film thickness measurement is performed. At least a part of the measurement irradiation wavelength range of the device is outside the absorption wavelength range of the treatment liquid.
本願明細書に開示される技術の第6の態様は、第5の態様に関連し、前記膜厚測定器の測定照射波長の全範囲が、前記処理液の吸収波長の範囲外である。 A sixth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the fifth aspect, in which the entire range of measurement irradiation wavelengths of the film thickness measuring instrument is outside the range of absorption wavelengths of the treatment liquid.
本願明細書に開示される技術の第7の態様は、上面にあらかじめ定められた厚さの測定対象膜が形成された基板を保持するための基板保持部と、前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームと、少なくとも前記膜厚測定器を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記膜厚測定器による、前記基板の上面における前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記膜厚測定器の校正を行う。 A seventh aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate holding portion for holding a substrate on which a measurement target film having a predetermined thickness is formed on the upper surface, and a film thickness of the measurement target film. A first arm to which a film thickness measuring device for measuring is attached and rotatable on a surface along the upper surface of the substrate, and a first discharge for discharging a processing liquid for processing the substrate. A second arm to which a nozzle is attached and rotatable on a surface along the upper surface of the substrate and a control unit that controls at least the film thickness measuring device are provided, and the control unit is the film thickness measuring device. Based on the result of measuring the film thickness of the film to be measured on the upper surface of the substrate, the film thickness measuring device is calibrated.
本願明細書に開示される技術の第8の態様は、上面に測定対象膜が形成された基板を保持するための基板保持部と、前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームとを備える基板処理装置を用いる基板処理方法であり、前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程とを備え、前記第1のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第1の距離が、前記第2のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第2の距離よりも長い。 The eighth aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate holding portion for holding a substrate having a film to be measured formed on the upper surface, and a film thickness measurement for measuring the film thickness of the film to be measured. A first arm to which a device is attached and which can rotate on a surface along the upper surface of the substrate, and a first ejection nozzle for ejecting a processing liquid for processing the substrate are attached and A substrate processing method using a substrate processing apparatus including a second arm that can rotate on a surface along the upper surface of the substrate, and a step of measuring the film thickness of the film to be measured using the film thickness measuring device. A first distance, which is a distance between the first arm and the upper surface of the substrate holding portion, comprising a step of processing the substrate using the processing liquid discharged from the first ejection nozzle. Is longer than the second distance, which is the distance between the second arm and the upper surface of the substrate holding portion.
本願明細書に開示される技術の第9の態様は、第8の態様に関連し、前記第1のアームにおける前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、前記第2のアームにおける前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程とを並行して行う。 A ninth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to an eighth aspect, which includes a step of measuring the film thickness of the film to be measured using the film thickness measuring device in the first arm. The step of processing the substrate using the processing liquid discharged from the first discharge nozzle in the second arm is performed in parallel.
本願明細書に開示される技術の第10の態様は、第8または9の態様に関連し、前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の前に、前記測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する工程をさらに備える。 The tenth aspect of the technique disclosed in the present specification relates to the eighth or ninth aspect, and is applied to the upper surface of the measurement target film before the film thickness measurement of the measurement target film by the film thickness measuring device. A step of discharging a film removing liquid for removing the formed film to be removed is further provided.
本願明細書に開示される技術の第11の態様は、第8から10のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記第1の吐出ノズルが前記処理液を吐出する時間を調整する工程をさらに備える。 The eleventh aspect of the technique disclosed in the present specification relates to any one of the eighth to tenth aspects, and is based on the result of film thickness measurement of the film to be measured by the film thickness measuring device. Further, the step of adjusting the time for the first discharge nozzle to discharge the processing liquid is further provided.
本願明細書に開示される技術の第12の態様は、上面にあらかじめ定められた厚さの測定対象膜が形成された基板を保持するための基板保持部と、前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームとを備える基板処理装置を用いる基板処理方法であり、前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程と、前記基板の上面における前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記膜厚測定器の校正を行う工程とを備える。 A twelfth aspect of the technique disclosed in the present specification is a substrate holding portion for holding a substrate on which a measurement target film having a predetermined thickness is formed on an upper surface, and a film thickness of the measurement target film. A first arm to which a film thickness measuring device for measuring is attached and rotatable on a surface along the upper surface of the substrate, and a first discharge for discharging a processing liquid for processing the substrate. It is a substrate processing method using a substrate processing apparatus having a nozzle attached and a second arm that is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate, and the film to be measured using the film thickness measuring device. Based on the step of measuring the film thickness, the step of treating the substrate with the treatment liquid discharged from the first ejection nozzle, and the result of measuring the film thickness of the film to be measured on the upper surface of the substrate. The step of calibrating the film thickness measuring device is provided.
本願明細書に開示される技術の第1から12の態様によれば、膜厚測定器が取り付けられ、かつ、基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームを備えることによって、膜厚測定の測定箇所の自由度を高めることができる。 According to aspects 1 to 12 of the techniques disclosed herein, a film thickness measuring instrument is attached and by providing a first arm that is rotatable along a surface along the top surface of the substrate. The degree of freedom of the measurement point of the thickness measurement can be increased.
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。 Also, the objectives, features, aspects and advantages associated with the techniques disclosed herein will be further clarified by the detailed description and accompanying drawings set forth below.
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the attached drawings. In the following embodiments, detailed features and the like are also shown for the purpose of explaining the technique, but they are examples, and not all of them are necessarily essential features in order for the embodiments to be feasible.
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、シーケンス図における時間幅は、実際の時間幅を厳密に示すものではない。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。 It should be noted that the drawings are shown schematically, and for convenience of explanation, the configurations are omitted or the configurations are simplified in the drawings as appropriate. Further, the time width in the sequence diagram does not strictly indicate the actual time width. Further, the interrelationship between the sizes and positions of the configurations and the like shown in the different drawings is not always accurately described and can be changed as appropriate. Further, even in a drawing such as a plan view which is not a cross-sectional view, hatching may be added in order to facilitate understanding of the contents of the embodiment.
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。 Further, in the description shown below, similar components are illustrated with the same reference numerals, and their names and functions are also the same. Therefore, detailed description of them may be omitted to avoid duplication.
また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。 Further, in the description described below, when it is described that a certain component is "equipped", "included", or "has", the existence of another component is excluded unless otherwise specified. Not an expression.
また、以下に記載される説明において、「第1の」または「第2の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。 Also, even if ordinal numbers such as "first" or "second" are used in the description described below, these terms make it easy to understand the content of the embodiments. It is used for convenience, and is not limited to the order that can be generated by these ordinal numbers.
また、以下に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合を含むものとする。 Also, in the description described below, expressions indicating relative or absolute positional relationships, for example, "in one direction", "along one direction", "parallel", "orthogonal", "center", Unless otherwise specified, "concentric" or "coaxial" shall include cases where the positional relationship is strictly indicated, and cases where the angle or distance is displaced within the range where tolerance or similar function can be obtained. ..
また、以下に記載される説明において、等しい状態であることを示す表現、たとえば、「同一」、「等しい」、「均一」または「均質」などは、特に断らない限りは、厳密に等しい状態であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において差が生じている場合を含むものとする。 Further, in the description described below, expressions indicating equality, for example, "same", "equal", "uniform" or "homogeneous", are strictly equal unless otherwise specified. It shall include the case where it indicates that there is, and the case where there is a difference within the range where tolerance or similar function can be obtained.
また、以下に記載される説明における、「対象物を特定の方向に移動させる」などの表現は、特に断らない限りは、対象物を当該特定の方向と平行に移動させる場合、および、対象物を当該特定の方向の成分を有する方向に移動させる場合を含むものとする。 In addition, in the description described below, expressions such as "moving an object in a specific direction" are used when the object is moved in parallel with the specific direction and the object is not specified unless otherwise specified. Shall include the case of moving in the direction having the component in the specific direction.
また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。 Also, in the description described below, a specific position and direction such as "top", "bottom", "left", "right", "side", "bottom", "front" or "back". Even if terms that mean are used, these terms are used for convenience to facilitate understanding of the content of the embodiments and have nothing to do with the direction in which they are actually implemented. It doesn't.
また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体に加えて、対象となる構成要素の上面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。 Further, in the description described below, when "the upper surface of ..." or "the lower surface of ..." is described, in addition to the upper surface of the target component itself, another surface of the target component may be used. It shall also include the state in which the components are formed. That is, for example, when it is described as "B provided on the upper surface of the instep", it does not prevent another component "Hei" from intervening between the instep and the second.
また、以下に記載される説明において、形状を示す表現、たとえば、「四角形状」または「円筒形状」などは、特に断らない限りは、厳密にその形状であることを示す場合、および、公差または同程度の機能が得られる範囲において凹凸または面取りなどが形成されている場合を含むものとする。 Further, in the description described below, expressions indicating a shape, for example, "square shape" or "cylindrical shape", are used to indicate that the shape is strictly the same, and tolerances or tolerances, unless otherwise specified. It shall include the case where unevenness or chamfering is formed within the range where the same function can be obtained.
<実施の形態>
以下、本実施の形態に関する基板処理装置、および、基板処理方法について説明する。
<Embodiment>
Hereinafter, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present embodiment will be described.
<基板処理装置の構成について>
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す図である。なお、構成を理解しやすくする観点から、当該図面においては、一部の構成要素が省略、または、簡略化されて示される場合がある。
<About the configuration of the board processing device>
FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. From the viewpoint of making the configuration easier to understand, some components may be omitted or simplified in the drawings.
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板処理装置1は、基板Wに対して洗浄処理またはエッチング処理などの各種処理を行う。 The substrate processing device 1 is a single-wafer processing device that processes disk-shaped substrates W such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus 1 performs various treatments such as cleaning treatment or etching treatment on the substrate W.
図1に例が示されるように、基板処理装置1は、X軸正方向に向かって順に、インデクサセクション2と、処理セクション3とを備える。
As an example is shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an
また、処理セクション3は、X軸正方向に向かって順に、搬送モジュール3Aと、処理モジュール3Bとを備える。
Further, the
<インデクサセクション>
インデクサセクション2は、複数枚の基板Wを積層状態で収容可能な基板収容器21と、基板収容器21を支持するステージ22と、基板収容器21から未処理の基板Wを受け取り、また、処理セクション3において処理が完了した基板Wを基板収容器21へ渡すインデクサロボット23とを備える。
<Indexer section>
The
なお、ステージ22の数は、図1の例では簡単のため1つとされたが、それ以上の数がY軸方向に並べられていてもよい。
The number of
基板収容器21は、基板Wを密閉状態で収納するfront opening unified pod(FOUP)であってもよいし、standard mechanical inter face(SMIF)ポッド、または、open cassette(OC)などであってもよい。 The substrate container 21 may be a front opening unfixed pod (FOUP) for accommodating the substrate W in a sealed state, a standard mechanical interface (SMIF) pod, an open cassette (OC), or the like. ..
インデクサロボット23は、たとえば、基台部23Aと、多関節アーム23Bと、互いに鉛直方向に間隔をあけて設けられる2つのハンド23Cおよびハンド23Dとを備える。
The
基台部23Aは、たとえば、基板処理装置1のインデクサセクション2の外形を規定するフレームに固定されている。
The
多関節アーム23Bは、水平面に沿って回動可能な複数本のアーム部が互いに回動可能に結合されて構成されており、当該アーム部の結合箇所である関節部でアーム部間の角度を変更することによって、当該アーム部が屈伸可能に構成されている。
The articulated
また、多関節アーム23Bの基端部は、基台部23Aに対して、鉛直軸回りに回動可能に結合されている。さらに、多関節アーム23Bは、基台部23Aに対して昇降可能に結合されている。
Further, the base end portion of the articulated
ハンド23Cおよびハンド23Dは、1枚の基板Wをそれぞれ保持可能に構成されている。
The
インデクサロボット23は、ステージ22に保持された基板収容器21から1枚の未処理の基板Wを、たとえばハンド23Cを用いて搬出する。そして、インデクサロボット23は、X軸負方向から搬送モジュール3Aにおける搬送機構31(後述)に当該基板Wを渡す。
The
さらに、インデクサロボット23は、搬送機構31から1枚の処理済みの基板Wを、たとえばハンド23Dを用いて受け取る。そして、インデクサロボット23は、ステージ22に保持された基板収容器21に当該基板Wを収容する。
Further, the
<処理セクション>
処理セクション3における搬送モジュール3Aは、1または複数枚の基板Wを水平姿勢に保持しつつ搬送可能な搬送機構31を備える。
<Processing section>
The
搬送機構31は、たとえば、XZ平面およびXY平面に沿って形成される隔壁(ここでは、図示しない)によって囲まれた筒状の搬送路を移動するものであってもよい。また、搬送機構31は、X軸方向に延びるレールに案内されて往復移動するものであってもよい。
The
搬送機構31によって、基板Wは、インデクサセクション2に近いX軸負方向の位置と、搬送ロボット33(後述)に近いX軸正方向の位置との間で搬送される。
The
処理セクション3における処理モジュール3Bは、複数枚のダミー基板DWを収容するダミー基板収容器32と、基板Wまたはダミー基板DWを搬送する搬送ロボット33と、搬送機構31から供給される未処理の基板Wに規定処理を行う複数の液処理ユニット34A、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cとを備える。
The processing module 3B in the
ここで、ダミー基板DWとは、たとえば、液処理ユニット内の洗浄(処理室洗浄)の際に用いられる基板である。ダミー基板DWの基板自体の厚さおよび基板の上面に形成される膜(たとえば、シリコン膜)の厚さは既知である。 Here, the dummy substrate DW is, for example, a substrate used for cleaning the inside of the liquid processing unit (processing chamber cleaning). The thickness of the substrate itself of the dummy substrate DW and the thickness of the film (for example, silicon film) formed on the upper surface of the substrate are known.
ダミー基板収容器32は、処理モジュール3Bのたとえば上方に位置する。また、ダミー基板収容器32において、複数枚のダミー基板DWは、積層状態で収容される。
The
搬送ロボット33は、水平駆動部33Aと、鉛直駆動部33Bと、ハンド33Cと、ハンド33Dと、これらの構成が連結具33Fを介して取り付けられ、かつ、鉛直方向に延びる支柱33Eとを備える。
The
水平駆動部33Aは、ハンド33Cおよびハンド33Dを水平方向に移動させる。水平駆動部33Aは、ステージ133Aと、ステージ133Aの上面を水平方向に往復移動する水平スライダ133Bと、水平スライダ133Bを移動させる水平モータ133Cとを備える。
The
ステージ133Aの上面には直線状に延びるレール(ここでは、図示せず)が設けられており、水平スライダ133Bの移動方向が当該レールによって規制される。水平スライダ133Bの移動は、たとえば、リニアモータ機構またはボールネジ機構などの周知の機構によって実現される。
A rail (not shown here) extending linearly is provided on the upper surface of the
水平スライダ133Bの先端には、ハンド33Cおよびハンド33Dが設けられている。水平モータ133Cによって水平スライダ133Bがレールに沿って移動すると、ハンド33Cおよびハンド33Dは水平方向に進退移動可能となる。換言すると、水平駆動部33Aは、ハンド33Cおよびハンド33Dを支柱33Eから水平方向に離間および接近する方向に移動させる。
A hand 33C and a hand 33D are provided at the tip of the
水平駆動部33Aは、ステージ133Aを鉛直方向に沿う回動軸線Z1まわりに回動させる回動モータ133Dを備える。回動モータ133Dによって、ハンド33Cおよびハンド33Dは、回動軸線Z1まわりに、支柱33Eに干渉しない範囲で回動することができる。
The
鉛直駆動部33Bは、鉛直スライダ133Gと、鉛直モータ133Hとを備える。鉛直スライダ133Gは、支柱33Eに設けられた鉛直方向に延びるレール(ここでは、図示せず)に係合している。
The vertical drive unit 33B includes a vertical slider 133G and a vertical motor 133H. The vertical slider 133G is engaged with a rail (not shown here) extending in the vertical direction provided on the
鉛直モータ133Hは、鉛直スライダ133Gを当該レールに沿って鉛直方向に往復移動させる。鉛直スライダ133Gの移動は、たとえば、リニアモータ機構またはボールネジ機構などの周知の機構で実現される。 The vertical motor 133H reciprocates the vertical slider 133G in the vertical direction along the rail. The movement of the vertical slider 133G is realized by a well-known mechanism such as a linear motor mechanism or a ball screw mechanism.
連結具33Fは、鉛直スライダ133Gおよびステージ133Aを連結し、かつ、ステージ133Aを下方から支持している。鉛直モータ133Hが鉛直スライダ133Gを移動させることによって、ステージ133Aが鉛直方向に移動する。これによって、ハンド33Cおよびハンド33Dが鉛直方向に昇降移動することができる。
The
なお、水平駆動部33Aがハンド33Cおよびハンド33Dを水平方向と平行に移動させることは必須ではなく、ハンド33Cおよびハンド33Dを、水平方向および鉛直方向の合成方向に移動させてもよい。すなわち、「水平方向に移動させる」とは、水平方向の成分を持つ方向に移動させることをいう。
It is not essential that the
同様に、鉛直駆動部33Bがハンド33Cおよびハンド33Dを鉛直方向と平行に移動させることは必須ではなく、ハンド33Cおよびハンド33Dを、鉛直方向および水平方向の合成方向に移動させてもよい。すなわち、「鉛直方向に移動させる」とは、鉛直方向の成分を持つ方向に移動させることをいう。 Similarly, it is not essential for the vertical drive unit 33B to move the hand 33C and the hand 33D in parallel with the vertical direction, and the hand 33C and the hand 33D may be moved in the vertical and horizontal combined directions. That is, "moving in the vertical direction" means moving in the direction having a component in the vertical direction.
搬送ロボット33は、搬送機構31に保持された1枚の未処理の基板Wを、たとえばハンド33Cを用いて搬出する。そして、搬送ロボット33は、たとえば、X軸負方向から液処理ユニット34Aにおけるスピンベース51A(後述)の上面に当該基板Wを配置する。
The
また、搬送ロボット33は、ダミー基板収容器32に収容されている1枚のダミー基板DWを、たとえばハンド33Cを用いて搬出する。そして、搬送ロボット33は、たとえば、X軸負方向から液処理ユニット34Aにおけるスピンベース51Aの上面に当該ダミー基板DWを配置する。
Further, the
また、搬送ロボット33は、液処理ユニット34A内、液処理ユニット34B内または液処理ユニット34C内から1枚の処理済みの基板Wを、たとえばハンド33Dを用いて受け取る。そして、搬送ロボット33は、搬送機構31に当該基板Wを渡す。
Further, the
また、搬送ロボット33は、液処理ユニット34A内、液処理ユニット34B内または液処理ユニット34C内からダミー基板DWを、たとえばハンド33Dを用いて受け取る。そして、搬送ロボット33は、ダミー基板収容器32に当該ダミー基板DWを収容する。
Further, the
液処理ユニット34A、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cは、Z軸正方向に順に重ねられており、処理タワーTWを構成する。
The
なお、液処理ユニットの数は、図1の例では簡単のため3つとされたが、それ以上の数であってもよい。 In the example of FIG. 1, the number of liquid treatment units is set to 3 for the sake of simplicity, but the number may be larger than that.
また、図1においては、液処理ユニット34A、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cは搬送ロボット33のX軸正方向に位置するように示されているが、液処理ユニット34A、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cが配置される位置はこの場合に限られるものではなく、たとえば、搬送ロボット33のX軸正方向、Y軸正方向またはY軸負方向のいずれかに配置されていてもよい。
Further, in FIG. 1, the
また、液処理ユニット34A、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cにおいて基板Wに対して行われる規定処理には、たとえば、処理用の液体(すなわち、処理液)またはガスを用いる流体処理、紫外線などの電磁波を用いる処理、または、物理洗浄処理(たとえば、ブラシ洗浄またはスプレーノズル洗浄など)などの各種の処理が含まれる。
Further, the specified treatment performed on the substrate W in the
図2は、本実施の形態に関する基板処理装置における、液処理ユニット34Aの構成の例を概略的に示す図である。なお、液処理ユニット34Bおよび液処理ユニット34Cの構成も、図2に例が示される場合と同様である。
FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of the configuration of the
図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、内部空間を有する箱形の処理室50と、処理室50内で1枚の基板Wを水平姿勢で保持しつつ基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線Z2まわりに基板Wを回転させるスピンチャック51と、基板Wの回転軸線Z2まわりにスピンチャック51を取り囲む筒状の処理カップ511とを備える。
As an example is shown in FIG. 2, the
処理室50は、箱状の隔壁50Aによって囲まれている。隔壁50Aには、処理室50内に基板Wを搬出入するための開口部50Bが形成されている。
The
開口部50Bは、シャッタ50Cによって開閉される。シャッタ50Cは、シャッタ昇降機構(ここでは、図示せず)によって、開口部50Bを覆う閉位置(図2において二点鎖線で示される)と、開口部50Bを開放する開位置(図2において実線で示される)との間で昇降させられる。
The
基板Wの搬出入の際には、搬送ロボット33が、開口部50Bを通して処理室50内にハンド33Cおよび33Dをアクセスさせる。これによって、スピンチャック51の上面に未処理の基板Wを配置させたり、または、スピンチャック51から処理済の基板Wを取り除いたりすることができる。
When the substrate W is carried in and out, the
図2に例が示されるように、スピンチャック51は、水平姿勢の基板Wの下面を真空吸着する円板状のスピンベース51Aと、スピンベース51Aの中央部から下方に延びる回転軸51Cと、回転軸51Cを回転させることにより、スピンベース51Aに吸着されている基板Wを回転させるスピンモータ51Dとを備える。
As an example shown in FIG. 2, the
なお、スピンチャック51は、図2に例が示された真空吸着式のチャックである場合に限られず、たとえば、スピンベースの上面外周部から上方に突出する複数のチャックピンを備え、当該チャックピンによって基板Wの周縁部を挟持する挟持式のチャックであってもよい。
The
図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、スピンチャック51に保持されている基板Wの上面に向けて薬液を吐出する薬液ノズル52と、薬液ノズル52が先端に取り付けられている薬液アーム152と、薬液ノズル52に供給される薬液を貯留する薬液タンク53と、薬液タンク53内の薬液を薬液ノズル52に導く薬液配管54と、薬液タンク53内の薬液を薬液配管54に送る送液装置55(たとえば、ポンプ)と、薬液配管54の内部を開閉する薬液バルブ56とを備える。
As an example shown in FIG. 2, the
薬液アーム152は、回転駆動源152Aと、軸体152Bと、一端が軸体152Bの上端に固定され、かつ、他端に薬液ノズル52が取り付けられたアーム部152Cとを備える。
The
薬液アーム152は、回転駆動源152Aによって軸体152Bが回転することで、アーム部152Cの先端に取り付けられた薬液ノズル52が、スピンチャック51に保持されている基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に沿って移動可能となる。すなわち、アーム部152Cの先端に取り付けられた薬液ノズル52が、水平方向に移動可能となる。ここで、回転駆動源152Aの駆動は、後述の制御部によって制御される。
In the
さらに、液処理ユニット34Aは、薬液バルブ56よりも上流側(すなわち、薬液タンク53側)で薬液配管54と薬液タンク53とを接続する循環配管57と、循環配管57の内部を開閉する循環バルブ58と、循環配管57を流れる薬液の温度を調節する温度調節装置59とを備える。
Further, the
薬液バルブ56および循環バルブ58の開閉は、後述の制御部によって制御される。薬液タンク53内の薬液が薬液ノズル52に供給される場合には、薬液バルブ56が開かれ、循環バルブ58が閉じられる。この状態では、送液装置55によって薬液タンク53から薬液配管54に送られた薬液が、薬液ノズル52に供給される。
The opening and closing of the
一方、薬液ノズル52への薬液の供給が停止される場合には、薬液バルブ56が閉じられ、循環バルブ58が開かれる。この状態では、送液装置55によって薬液タンク53から薬液配管54に送られた薬液が、循環配管57を通じて薬液タンク53内に戻る。そのため、薬液ノズル52への薬液の供給が停止されている供給停止中は、薬液が、薬液タンク53、薬液配管54および循環配管57によって構成された循環経路を循環し続ける。
On the other hand, when the supply of the chemical solution to the
温度調節装置59は、循環配管57内を流れる薬液の温度を調節する。したがって、薬液タンク53内の薬液は、供給停止中に循環経路で加熱され、室温よりも高い温度に維持される。
The
さらに、薬液ノズル52から微少量の薬液を吐出してプリディスペンスが行えるように、薬液バルブ56は開度が調整可能となっている。また、薬液ノズル52近傍には薬液回収部材(ここでは、図示せず)が配置されており、薬液ノズル52からプリディスペンスされた薬液が回収される。
Further, the opening degree of the
また、図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、スピンチャック51に保持されている基板Wの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル60と、リンス液ノズル60が先端に取り付けられているリンス液アーム160と、リンス液供給源(ここでは、図示せず)からのリンス液をリンス液ノズル60に供給するリンス液配管61と、リンス液配管61からリンス液ノズル60へのリンス液の供給および供給停止を切り換えるリンス液バルブ62とを備える。リンス液としては、DIW(脱イオン水)などが用いられる。
Further, as shown in FIG. 2, the
リンス液アーム160は、回転駆動源160Aと、軸体160Bと、一端が軸体160Bの上端に固定され、かつ、他端にリンス液ノズル60が取り付けられたアーム部160Cとを備える。
The rinse
リンス液アーム160は、回転駆動源160Aによって軸体160Bが回転することで、アーム部160Cの先端に取り付けられたリンス液ノズル60が、スピンチャック51に保持されている基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に沿って移動可能となる。すなわち、アーム部160Cの先端に取り付けられたリンス液ノズル60が、水平方向に移動可能となる。ここで、回転駆動源160Aの駆動は、後述の制御部によって制御される。
In the rinse
薬液ノズル52によって基板Wに薬液が供給された後に、リンス液ノズル60からリンス液が基板Wに供給されることによって、基板Wに付着している薬液を洗い流すことができる。
After the chemical solution is supplied to the substrate W by the
また、図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、処理室50の内側の所定部位(たとえばスピンベース51A)に向けて洗浄液を吐出するための洗浄液ノズル64と、洗浄液供給源(ここでは、図示せず)からの洗浄液を洗浄液ノズル64に供給する洗浄液配管65と、洗浄液配管65から洗浄液ノズル64への洗浄液の供給および供給停止を切り換える洗浄液バルブ66とを備える。洗浄液としては、DIW(脱イオン水)などが用いられる。
Further, as shown in FIG. 2, the
洗浄液ノズル64は、処理室50の内壁に取り付けられている。スピンチャック51に基板Wまたはダミー基板DWが保持された状態で、スピンベース51Aが回転されると共に、洗浄液ノズル64から洗浄液が吐出される。
The cleaning
そして、洗浄液ノズル64から吐出される洗浄液が、基板Wの上面またはダミー基板DWの上面で跳ね返って、処理室50内に洗浄液が飛散する。洗浄液をこのように飛散させることで、処理室50内に配置された各種部品(処理カップ511など)を洗浄することができる。
Then, the cleaning liquid discharged from the cleaning
処理カップ511は、スピンチャック51の周囲を取り囲むように設けられており、図示しないモータによって、鉛直方向に昇降する。処理カップ511の上部は、その上端がスピンベース51Aに保持された基板Wまたはダミー基板DWよりも上側となる上位置と、当該基板Wまたは当該ダミー基板DWよりも下側になる下位置との間で昇降する。
The
基板Wの上面またはダミー基板DWの上面から外側に飛散した処理液は、処理カップ511の内側面に受け止められる。そして、処理カップ511に受け止められた処理液は、処理室50の底部で、かつ、処理カップ511の内側に設けられた排液口513を通じて、処理室50の外部に適宜排液される。
The processing liquid scattered outward from the upper surface of the substrate W or the upper surface of the dummy substrate DW is received by the inner side surface of the
また、処理室50の側部には、排気口515が設けられている。排気口515を通じて、処理室50内の雰囲気が処理室50外に適宜排出される。
An
また、図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、処理室50の内側の所定部位(たとえばスピンベース51A)に向けて膜除去液を吐出するための膜除去液ノズル164と、膜除去液供給源(ここでは、図示せず)からの膜除去液を膜除去液ノズル164に供給する膜除去液配管165と、膜除去液配管165から膜除去液ノズル164への膜除去液の供給および供給停止を切り換える膜除去液バルブ166とを備える。膜除去液としては、たとえば、フッ化水素酸(HF)を純水で希釈した希フッ酸(DHF)などが用いられる。また、膜除去液として脱気されたフッ酸を用いることによって、処理液などに含まれる酸素によって基板が酸化することを抑制することができる。
Further, as shown in FIG. 2, the
膜除去液ノズル164は、処理室50の内壁に取り付けられている。スピンチャック51に基板Wまたはダミー基板DWが保持された状態で、スピンベース51Aが回転されると共に、膜除去液ノズル164から膜除去液が吐出される。
The membrane removing
そして、膜除去液ノズル164から吐出される膜除去液が、基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に形成されている膜のさらに上面に形成されている膜(以下、除去対象膜ともいう)を除去する。
Then, the film removing liquid discharged from the film removing
また、図2に例が示されるように、液処理ユニット34Aは、基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に形成された膜の膜厚を測定するための膜厚測定器81と、膜厚測定器81が先端に取り付けられている測定アーム181とを備える。
Further, as shown in FIG. 2, the
膜厚測定器81としては、たとえば、光学式の変位センサなどが用いられる。測定の際に膜厚測定器81から対向する基板Wなどに照射される光の測定照射波長を、測定対象となる膜(以下、測定対象膜ともいう)に合わせて調整することによって、様々な測定対象膜(たとえば、シリコン膜、さらには、洗浄用処理液または乾燥用処理液などが凝固などによって膜状に変化したものを含む)の膜厚を測定することができる。
As the film
測定アーム181は、回転駆動源181Aと、軸体181Bと、一端が軸体181Bの上端に固定され、かつ、他端に膜厚測定器81が取り付けられたアーム部181Cとを備える。
The measuring
測定アーム181は、回転駆動源181Aによって軸体181Bが回転することで、アーム部181Cの先端に取り付けられた膜厚測定器81が、スピンチャック51に保持されている基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に沿って移動可能となる。すなわち、アーム部181Cの先端に取り付けられた膜厚測定器81が、水平方向に移動可能となる。ここで、回転駆動源181Aの駆動は、後述の制御部によって制御される。
In the measuring
測定アーム181は、少なくとも薬液アーム152またはリンス液アーム160よりも基板Wの上面またはダミー基板DWの上面から離間して位置している。すなわち、測定アーム181の鉛直方向の高さH1(スピンベース51Aの上面からアーム部181Cまたは膜厚測定器81までの長さ)は、薬液アーム152の鉛直方向の高さH2(スピンベース51Aの上面からアーム部152Cまたは薬液ノズル52までの長さ)またはリンス液アーム160の鉛直方向の高さH3(スピンベース51Aの上面からアーム部160Cまたはリンス液ノズル60までの長さ)よりも高い。
The
このように、測定アーム181が基板Wの上面またはダミー基板DWの上面から離間して位置していることによって、基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に薬液などが吐出された際に、跳ね返った液などが膜厚測定器81に付着することを抑制することができる。
As described above, since the
なお、図2の例に示されるように、測定アーム181は、薬液アーム152およびリンス液アーム160の双方よりも、スピンベース51Aの上面から離間して位置していてもよい。
As shown in the example of FIG. 2, the measuring
図3は、液処理ユニット34Aにおけるそれぞれのアームの位置の例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing an example of the position of each arm in the
図3に例が示されるように、薬液アーム152、リンス液アーム160および測定アーム181は、それぞれがスピンベース51Aの径方向(少なくとも、径方向の成分を有する方向)に移動可能であり、スピンチャック51において回転する基板Wの上面またはダミー基板DWの上面をスキャン可能である。
As an example is shown in FIG. 3, the
図4は、基板処理装置1の各要素と制御部7との接続関係の例を示す機能ブロック図である。
FIG. 4 is a functional block diagram showing an example of the connection relationship between each element of the substrate processing device 1 and the
制御部7のハードウェア構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部7は、各種演算処理を行う中央演算処理装置(central processing unit、すなわち、CPU)71と、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるリードオンリーメモリー(read only memory、すなわち、ROM)72と、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるランダムアクセスメモリー(random access memory、すなわち、RAM)73と、制御用アプリケーション(プログラム)またはデータなどを記憶する非一過性の記憶部74とを備える。
The hardware configuration of the
CPU71、ROM72、RAM73および記憶部74は、バス配線75などによって互いに接続されている。
The
制御アプリケーションまたはデータは、非一過性の記録媒体(たとえば、半導体メモリ、光学メディアまたは磁気メディアなど)に記録された状態で、制御部7に提供されてもよい。この場合、当該記録媒体から制御アプリケーションまたはデータを読み取る読み取り装置がバス配線75に接続されているとよい。
The control application or data may be provided to the
また、制御アプリケーションまたはデータは、ネットワークを介してサーバーなどから制御部7に提供されてもよい。この場合、外部装置とネットワーク通信を行う通信部がバス配線75に接続されているとよい。
Further, the control application or data may be provided to the
バス配線75には、入力部76および表示部77が接続されている。入力部76はキーボードおよびマウスなどの各種入力デバイスを含む。作業者は、入力部76を介して制御部7に各種情報を入力する。表示部77は、液晶モニタなどの表示デバイスで構成されており、各種情報を表示する。
An
制御部7は、それぞれの液処理ユニットの作動部(たとえば、薬液バルブ56、循環バルブ58、リンス液バルブ62、洗浄液バルブ66、シャッタ50Cまたはスピンモータ51Dなど)、搬送機構31を駆動させる駆動部(たとえば、搬送機構31の往復移動のためのモータなど)、インデクサロボット23の作動部(たとえば、多関節アーム23Bを駆動させるためのモータなど)、搬送ロボット33の作動部(たとえば、水平モータ133C、回動モータ133Dまたは鉛直モータ133Hなど)に接続されており、それらの動作を制御する。
The
<基板処理装置の動作について>
次に、図5から図12を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。
<About the operation of the board processing device>
Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 12.
以下に説明される動作は、基板収容器21に収容されている基板Wがインデクサロボット23、搬送機構31および搬送ロボット33を介していずれかの液処理ユニットに搬入され、さらに、当該基板Wがスピンチャック51に保持された状態で、基板処理装置1が行う薬液処理に関する動作である。
In the operation described below, the substrate W housed in the substrate container 21 is carried into one of the liquid processing units via the
<薬液処理に関する動作1>
図5は、上記の薬液処理に関する動作の例を示すシーケンス図である。また、図6は、図5に対応する薬液処理に関する動作の例を示すフローチャートである。
<Operation 1 related to chemical treatment>
FIG. 5 is a sequence diagram showing an example of the operation related to the above-mentioned chemical treatment. Further, FIG. 6 is a flowchart showing an example of the operation related to the chemical treatment according to FIG.
図5に例が示されるように、まず、リンス処理が行われる(図6におけるステップST1)。リンス処理では、制御部7の制御でリンス液ノズル60からリンス液が吐出されることによって、基板Wの上面における付着物などを洗い流すことができる。リンス液としては、たとえば、DIW(脱イオン水)が用いられる。
As an example is shown in FIG. 5, first, a rinsing process is performed (step ST1 in FIG. 6). In the rinsing treatment, the rinsing liquid is discharged from the rinsing
次に、乾燥処理が行われる(図6におけるステップST2)。乾燥処理では、制御部7の制御で、基板Wに対してIPA(イソプロピルアルコール)などを供給した後、スピンベース51Aを回転させることによって基板Wを乾燥させる。
Next, a drying process is performed (step ST2 in FIG. 6). In the drying process, the substrate W is dried by rotating the
次に、膜厚測定が行われる(図6におけるステップST3)。膜厚測定では、制御部7の制御で測定アーム181のアーム部181Cを回動させ、アーム部181Cの先端に取り付けられている膜厚測定器81を、基板Wの上面における任意の位置に対向して配置させる。なお、以下に記載される膜厚測定においても同様であるが、測定アーム181のアーム部181Cの回動と、回転軸51Cの回転とを同期させサイクリック制御(間欠制御)することによって、たとえば、基板Wの径方向における膜厚プロファイルを得ることも可能である。
Next, the film thickness is measured (step ST3 in FIG. 6). In the film thickness measurement, the arm portion 181C of the measuring
そして、制御部7の制御で、膜厚測定器81が、処理対象である基板Wの上面に形成された膜(測定対象膜)の膜厚を測定する。ここで、基板Wの上面に形成された膜(測定対象膜)とは、たとえば、シリコン半導体基板の上面に形成されたシリコン膜である。
Then, under the control of the
次に、膜厚測定の結果に基づいて、処理条件が決定される(図6におけるステップST4)。具体的には、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理に用いる薬液の濃度、または、薬液処理の時間などが調整される。 Next, the processing conditions are determined based on the result of the film thickness measurement (step ST4 in FIG. 6). Specifically, the concentration of the chemical solution used for the chemical solution treatment, the time of the chemical solution treatment, and the like are adjusted based on the result of the film thickness measurement.
次に、薬液処理が行われる(図6におけるステップST5)。薬液処理では、制御部7の制御で薬液ノズル52から薬液が吐出されることによって、基板Wのエッチング処理などが行われる。たとえば、フッ化水素酸(HF)と硝酸(HNO3)との混合液であるフッ硝酸を用いて、基板Wのエッチング処理が行われる。
Next, chemical treatment is performed (step ST5 in FIG. 6). In the chemical treatment, the substrate W is etched or the like by ejecting the chemical from the
次に、リンス処理が行われる(図6におけるステップST6)。当該リンス処理では、制御部7の制御でリンス液ノズル60からリンス液が吐出されることによって、基板Wの上面における薬液などを洗い流すことができる。リンス液としては、たとえば、DIW(脱イオン水)が用いられる。
Next, a rinsing process is performed (step ST6 in FIG. 6). In the rinsing treatment, the rinsing liquid is discharged from the rinsing
次に、乾燥処理が行われる(図6におけるステップST7)。当該乾燥処理は、ステップST2の乾燥処理と同様の処理である。 Next, a drying process is performed (step ST7 in FIG. 6). The drying treatment is the same as the drying treatment in step ST2.
次に、膜厚測定が行われる(図6におけるステップST8)。当該膜厚測定では、制御部7の制御で測定アーム181のアーム部181Cを回動させ、アーム部181Cの先端に取り付けられている膜厚測定器81を、基板Wの上面における任意の位置に対向して配置させる。そして、制御部7の制御で、膜厚測定器81が、薬液処理後の基板Wの上面に形成されている膜(測定対象膜)の膜厚を測定する。
Next, the film thickness is measured (step ST8 in FIG. 6). In the film thickness measurement, the arm portion 181C of the measuring
次に、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理の効果確認が行われる(図6におけるステップST9)。具体的には、ステップST8における膜厚測定の結果、または、ステップST3における膜厚測定の結果とステップST8における膜厚測定の結果との比較に基づいて、再度薬液処理を行う必要があるか否かが判定される。 Next, the effect of the chemical treatment is confirmed based on the result of the film thickness measurement (step ST9 in FIG. 6). Specifically, whether or not it is necessary to perform the chemical treatment again based on the result of the film thickness measurement in step ST8 or the result of the film thickness measurement in step ST3 and the result of the film thickness measurement in step ST8. Is judged.
そして、薬液処理の効果が十分である(所望の膜厚までエッチング処理が行われている)場合、すなわち、図6に例が示されるステップST9から分岐する「YES」に対応する場合には、薬液処理に関する動作を終了する。 Then, when the effect of the chemical treatment is sufficient (the etching treatment is performed to a desired film thickness), that is, when it corresponds to "YES" branched from step ST9 shown in FIG. The operation related to the chemical treatment is terminated.
一方で、薬液処理の効果が十分でない場合、すなわち、図6に例が示されるステップST9から分岐する「NO」に対応する場合には、図6に例が示されるステップST4に戻る。そして、薬液処理に用いる薬液の濃度、および、薬液処理の時間などの処理条件が、膜厚測定の結果に基づいて決定される。 On the other hand, if the effect of the chemical treatment is not sufficient, that is, if it corresponds to "NO" branching from step ST9 shown in FIG. 6, the process returns to step ST4 shown in FIG. Then, the treatment conditions such as the concentration of the chemical solution used for the chemical solution treatment and the time of the chemical solution treatment are determined based on the result of the film thickness measurement.
<薬液処理に関する動作2>
図7は、上記の薬液処理に関する動作の変形例を示すシーケンス図である。また、図8は、図7に対応する薬液処理に関する動作の変形例を示すフローチャートである。
<
FIG. 7 is a sequence diagram showing a modified example of the operation related to the above-mentioned chemical treatment. Further, FIG. 8 is a flowchart showing a modified example of the operation related to the chemical treatment according to FIG. 7.
図7に例が示される薬液処理に関する動作の変形例では、図5に例が示された動作のうちの乾燥処理が省略されている。そして、リンス処理を行っている間に膜厚測定が行われることによって、薬液処理に関する動作にかかる処理時間が短縮されている。 In the modified example of the operation related to the chemical treatment shown in FIG. 7, the drying process among the operations shown in FIG. 5 is omitted. Since the film thickness is measured during the rinsing treatment, the processing time required for the operation related to the chemical solution treatment is shortened.
図7に例が示されるように、まず、リンス処理および膜厚測定が行われる(図8におけるステップST11)。当該リンス処理は、図6のステップST1におけるリンス処理と同様である。また、当該膜厚測定は、図6のステップST3における膜厚測定と同様である。 As an example is shown in FIG. 7, first, rinsing treatment and film thickness measurement are performed (step ST11 in FIG. 8). The rinsing treatment is the same as the rinsing treatment in step ST1 of FIG. Further, the film thickness measurement is the same as the film thickness measurement in step ST3 of FIG.
当該工程においては、リンス処理のためにリンス液アーム160が回動し得る。同時に、膜厚測定のために測定アーム181が回動し得る。ここで、リンス液アーム160の高さH3と測定アーム181の高さH1とが異なっていることによって、これらは互いに干渉せずに動作可能である。
In this step, the rinsing
ただし、膜厚測定に用いられる光の測定照射波長の範囲の少なくとも一部は、リンス液の吸収波長の範囲外であるものとする。たとえば、ハロゲン光を用いる光学式の膜厚測定器である場合、測定照射波長の範囲は890nm〜1640nm程度であり、リンス液としてDIW(脱イオン水)が用いられた場合の吸収波長の範囲である2μm〜10μm程度に対して全範囲が範囲外である。 However, it is assumed that at least a part of the measurement irradiation wavelength range of the light used for film thickness measurement is outside the absorption wavelength range of the rinse liquid. For example, in the case of an optical film thickness measuring instrument using halogen light, the measurement irradiation wavelength range is about 890 nm to 1640 nm, which is the absorption wavelength range when DIW (deionized water) is used as the rinsing solution. The entire range is out of range for a certain 2 μm to 10 μm.
次に、膜厚測定の結果に基づいて、処理条件が決定される(図8におけるステップST12)。当該処理条件の決定は、図6のステップST4における処理条件の決定と同様である。 Next, the processing conditions are determined based on the result of the film thickness measurement (step ST12 in FIG. 8). The determination of the processing conditions is the same as the determination of the processing conditions in step ST4 of FIG.
次に、薬液処理が行われる(図8におけるステップST13)。当該薬液処理は、図6のステップST5における薬液処理と同様である。なお、必要に応じて、薬液処理の前に乾燥処理が行われてもよい。 Next, chemical treatment is performed (step ST13 in FIG. 8). The chemical treatment is the same as the chemical treatment in step ST5 of FIG. If necessary, a drying treatment may be performed before the chemical treatment.
次に、リンス処理および膜厚測定が行われる(図8におけるステップST14)。当該リンス処理は、図6のステップST6におけるリンス処理と同様である。また、当該膜厚測定は、図6のステップST8における膜厚測定と同様である。 Next, rinsing and film thickness measurement are performed (step ST14 in FIG. 8). The rinsing treatment is the same as the rinsing treatment in step ST6 of FIG. Further, the film thickness measurement is the same as the film thickness measurement in step ST8 of FIG.
ただし、膜厚測定に用いられる光の測定照射波長の範囲の少なくとも一部は、リンス液の吸収波長の範囲外であるものとする。 However, it is assumed that at least a part of the measurement irradiation wavelength range of the light used for film thickness measurement is outside the absorption wavelength range of the rinse liquid.
当該工程においても、リンス処理のためにリンス液アーム160が回動し得る。同時に、膜厚測定のために測定アーム181が回動し得る。ここで、リンス液アーム160の高さH3と測定アーム181の高さH1とが異なっていることによって、これらは互いに干渉せずに動作可能である。
Also in this step, the rinsing
次に、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理の効果確認が行われる(図8におけるステップST15)。 Next, the effect of the chemical treatment is confirmed based on the result of the film thickness measurement (step ST15 in FIG. 8).
そして、薬液処理の効果が十分である(所望の膜厚までエッチング処理が行われている)場合、すなわち、図8に例が示されるステップST15から分岐する「YES」に対応する場合には、薬液処理に関する動作を終了する。 Then, when the effect of the chemical treatment is sufficient (the etching treatment is performed to a desired film thickness), that is, when it corresponds to "YES" branched from step ST15 shown in FIG. The operation related to the chemical treatment is terminated.
一方で、薬液処理の効果が十分でない場合、すなわち、図8に例が示されるステップST15から分岐する「NO」に対応する場合には、図8に例が示されるステップST12に戻る。そして、薬液処理に用いる薬液の濃度、および、薬液処理の時間などの処理条件が、膜厚測定の結果に基づいて決定される。 On the other hand, if the effect of the chemical treatment is not sufficient, that is, if it corresponds to "NO" branching from step ST15 shown in FIG. 8, the process returns to step ST12 shown in FIG. Then, the treatment conditions such as the concentration of the chemical solution used for the chemical solution treatment and the time of the chemical solution treatment are determined based on the result of the film thickness measurement.
ここで、ステップST14における膜厚測定は、ステップST13の薬液処理が行われている間にも行われてもよい。この場合も、膜厚測定に用いられる光の測定照射波長の範囲の少なくとも一部は、薬液の吸収波長の範囲外であるものとする。当該工程においては、薬液処理のために薬液アーム152が回動し得る。同時に、膜厚測定のために測定アーム181が回動し得る。ここで、薬液アーム152の高さH2と測定アーム181の高さH1とが異なっていることによって、これらは互いに干渉せずに動作可能である。
Here, the film thickness measurement in step ST14 may be performed even while the chemical treatment in step ST13 is being performed. In this case as well, it is assumed that at least a part of the measurement irradiation wavelength range of the light used for the film thickness measurement is outside the absorption wavelength range of the chemical solution. In this step, the
また、薬液処理が行われている間に膜厚測定を行い、当該膜厚測定の結果を進行中の薬液処理に反映させることによって、早いタイミングで処理内容を修正することができる。そのため、修正の自由度が高まり、結果として処理精度が向上する。 Further, by measuring the film thickness while the chemical solution treatment is being performed and reflecting the result of the film thickness measurement in the ongoing chemical solution treatment, the treatment content can be corrected at an early timing. Therefore, the degree of freedom of correction is increased, and as a result, the processing accuracy is improved.
<薬液処理に関する動作3>
図9は、上記の薬液処理に関する動作の変形例を示すシーケンス図である。また、図10は、図9に対応する薬液処理に関する動作の変形例を示すフローチャートである。
<
FIG. 9 is a sequence diagram showing a modified example of the operation related to the above-mentioned chemical treatment. Further, FIG. 10 is a flowchart showing a modified example of the operation related to the chemical treatment according to FIG.
図9に例が示される薬液処理に関する動作の変形例では、図7に例が示された動作に、さらに膜除去処理が追加されている。膜除去処理が膜厚測定の前に行われることによって、膜厚測定の精度が向上する。 In the modified example of the operation related to the chemical solution treatment shown in FIG. 9, the film removing treatment is further added to the operation shown in FIG. 7. By performing the film removal treatment before the film thickness measurement, the accuracy of the film thickness measurement is improved.
図9に例が示されるように、まず、リンス処理を行った後に膜除去処理が行われる(図10におけるステップST21)。膜除去処理では、制御部7の制御で膜除去液ノズル164から膜除去液が吐出されることによって、基板Wの上面に形成されている膜(測定対象膜)のさらに上面に形成されている膜が除去される。除去対象となる膜(除去対象膜)は、たとえば、シリコン酸化膜である。ただし、除去対象膜は、自然発生膜を含むその他の酸化膜または窒化膜などであってもよい。
As an example is shown in FIG. 9, first, a rinsing treatment is performed, and then a film removal treatment is performed (step ST21 in FIG. 10). In the film removing process, the film removing liquid is discharged from the film removing
次に、リンス処理および膜厚測定が行われる(図10におけるステップST22)。当該処理は、図8のステップST11における処理と同様である。 Next, rinsing and film thickness measurement are performed (step ST22 in FIG. 10). The process is the same as the process in step ST11 of FIG.
次に、膜厚測定の結果に基づいて、処理条件が決定される(図10におけるステップST23)。当該処理条件の決定は、図8のステップST12における処理条件の決定と同様である。 Next, the processing conditions are determined based on the result of the film thickness measurement (step ST23 in FIG. 10). The determination of the processing conditions is the same as the determination of the processing conditions in step ST12 of FIG.
次に、薬液処理が行われる(図10におけるステップST24)。当該薬液処理は、図8のステップST13における薬液処理と同様である。なお、必要に応じて、薬液処理の前に乾燥処理が行われてもよい。 Next, chemical treatment is performed (step ST24 in FIG. 10). The chemical treatment is the same as the chemical treatment in step ST13 of FIG. If necessary, a drying treatment may be performed before the chemical treatment.
次に、リンス処理および膜厚測定が行われる(図10におけるステップST25)。当該処理は、図8のステップST14における処理と同様である。 Next, rinsing and film thickness measurement are performed (step ST25 in FIG. 10). The process is the same as the process in step ST14 of FIG.
次に、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理の効果確認が行われる(図10におけるステップST26)。 Next, the effect of the chemical treatment is confirmed based on the result of the film thickness measurement (step ST26 in FIG. 10).
そして、薬液処理の効果が十分である(所望の膜厚までエッチング処理が行われている)場合、すなわち、図10に例が示されるステップST26から分岐する「YES」に対応する場合には、薬液処理に関する動作を終了する。 Then, when the effect of the chemical treatment is sufficient (the etching treatment is performed to a desired film thickness), that is, when it corresponds to "YES" branched from step ST26 shown in FIG. The operation related to the chemical treatment is terminated.
一方で、薬液処理の効果が十分でない場合、すなわち、図10に例が示されるステップST26から分岐する「NO」に対応する場合には、図10に例が示されるステップST23に戻る。そして、薬液処理に用いる薬液の濃度、および、薬液処理の時間などの処理条件が、膜厚測定の結果に基づいて決定される。 On the other hand, if the effect of the chemical treatment is not sufficient, that is, if it corresponds to "NO" branching from step ST26 shown in FIG. 10, the process returns to step ST23 shown in FIG. Then, the treatment conditions such as the concentration of the chemical solution used for the chemical solution treatment and the time of the chemical solution treatment are determined based on the result of the film thickness measurement.
上記のように、膜厚測定の前に膜除去処理が追加されることによって、測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を確実に除去した後で膜厚測定を行うことができるため、測定対象膜の膜厚の測定精度が向上する。 As described above, by adding the film removal treatment before the film thickness measurement, the film thickness can be measured after the film to be removed formed on the upper surface of the film to be measured can be reliably removed. The measurement accuracy of the film thickness of the film to be measured is improved.
なお、ステップST25における膜厚測定は、ステップST24の薬液処理が行われている間にも行われてもよい。この場合も、膜厚測定に用いられる光の測定照射波長の範囲の少なくとも一部は、薬液の吸収波長の範囲外であるものとする。 The film thickness measurement in step ST25 may be performed even while the chemical treatment in step ST24 is being performed. In this case as well, it is assumed that at least a part of the measurement irradiation wavelength range of the light used for the film thickness measurement is outside the absorption wavelength range of the chemical solution.
また、リンス処理と膜厚測定とを同時に行わずに、図5に示された例のように、リンス処理の後に乾燥処理が行われてもよい。 Further, the drying treatment may be performed after the rinsing treatment as in the example shown in FIG. 5 without performing the rinsing treatment and the film thickness measurement at the same time.
<処理室洗浄に関する動作>
次に、それぞれの液処理ユニットにおいて上記の薬液処理に関する動作が所定回数行われた後、すなわち、それぞれの液処理ユニットにおいて所定枚数の基板Wが処理された後で行われる、処理室50内の洗浄に関する動作について説明する。
<Operation related to processing room cleaning>
Next, in the
図11は、上記の処理室洗浄に関する動作の例を示すシーケンス図である。また、図12は、図11に対応する処理室洗浄に関する動作の例を示すフローチャートである。 FIG. 11 is a sequence diagram showing an example of the operation related to the above-mentioned processing chamber cleaning. Further, FIG. 12 is a flowchart showing an example of the operation related to the cleaning of the processing chamber corresponding to FIG.
図11に例が示されるように、まず、所定枚数分の基板処理が行われる(図12におけるステップST31)。当該基板処理は、上記の基板処理装置1が行う薬液処理に関する動作に対応する処理である。 As an example is shown in FIG. 11, first, a predetermined number of substrates are processed (step ST31 in FIG. 12). The substrate processing is a processing corresponding to the operation related to the chemical solution processing performed by the substrate processing apparatus 1.
次に、液処理ユニット内にダミー基板DWが配置される(図12におけるステップST32)。当該工程では、まず、搬送ロボット33が、たとえば液処理ユニット34A内から1枚の処理済みの基板Wを、たとえばハンド33Dを用いて搬出する。そして、搬送ロボット33は、搬送機構31に当該基板Wを渡す。
Next, the dummy substrate DW is arranged in the liquid treatment unit (step ST32 in FIG. 12). In this step, first, the
次に、搬送ロボット33が、たとえばハンド33Cを用いて、ダミー基板収容器32に収容されている1枚のダミー基板DWを搬出する。そして、搬送ロボット33は、たとえば、液処理ユニット34Aにおけるスピンベース51Aの上面に当該ダミー基板DWを配置する。
Next, the
なお、このタイミングで、基板処理に用いられる薬液の交換処理が開始される。 At this timing, the exchange processing of the chemical solution used for the substrate processing is started.
次に、膜除去処理が行われる(図12におけるステップST33)。膜除去処理では、制御部7の制御で膜除去液ノズル164から膜除去液が吐出されることによって、ダミー基板DWの上面に形成されている膜(測定対象膜)のさらに上面に形成されている膜(除去対象膜)が除去される。除去対象膜は、たとえば、シリコン酸化膜である。ただし、除去対象膜は、自然発生膜を含むその他の酸化膜または窒化膜などであってもよい。また、当該工程において、ダミー基板収容器32に収容されている間にダミー基板DWの上面などに付着した埃などの付着物も併せて除去されてもよい。
Next, the film removal process is performed (step ST33 in FIG. 12). In the film removing process, the film removing liquid is discharged from the film removing
次に、処理室洗浄処理が行われる(図12におけるステップST34)。処理室洗浄処理では、制御部7の制御で洗浄液ノズル64から洗浄液が吐出されることによって、洗浄液がダミー基板DWの上面で跳ね返って、処理室50内に洗浄液が飛散する。洗浄液としては、DIW(脱イオン水)などが用いられる。
Next, a processing chamber cleaning process is performed (step ST34 in FIG. 12). In the processing chamber cleaning process, the cleaning liquid is discharged from the cleaning
洗浄液をこのように飛散させることで、処理室50内に配置された各種部品(処理カップ511など)を洗浄することができる。なお、当該工程において、ダミー基板収容器32に収容されている間にダミー基板DWの上面などに付着した埃などの付着物も併せて除去されてもよい。
By scattering the cleaning liquid in this way, various parts (
次に、膜厚測定が行われる(図12におけるステップST35)。膜厚測定では、制御部7の制御で測定アーム181のアーム部181Cを回動させ、アーム部181Cの先端に取り付けられている膜厚測定器81を、スピンベース51A上のダミー基板DWの上面における任意の位置に対向して配置させる。
Next, the film thickness is measured (step ST35 in FIG. 12). In the film thickness measurement, the arm portion 181C of the measuring
そして、制御部7の制御で、膜厚測定器81が、処理対象であるダミー基板DWの上面に形成された膜(たとえば、シリコン膜)の膜厚を測定する。
Then, under the control of the
ここで、ダミー基板DWの上面に形成された測定対象膜の厚さは既知の値である。そのため、当該膜厚測定では、ダミー基板DWの上面に形成された測定対象膜の既知の厚さが測定によって再現されるか否かを確認する(図12におけるステップST36)。 Here, the thickness of the measurement target film formed on the upper surface of the dummy substrate DW is a known value. Therefore, in the film thickness measurement, it is confirmed whether or not the known thickness of the film to be measured formed on the upper surface of the dummy substrate DW is reproduced by the measurement (step ST36 in FIG. 12).
そして、上記の膜厚測定の結果が測定対象膜の既知の厚さを再現している場合、すなわち、図12に例が示されるステップST36から分岐する「YES」に対応する場合には、処理室洗浄に関する動作を終了し、基板処理に用いられる薬液の交換処理の終了を待って新たな基板処理に移行する。 Then, when the result of the above film thickness measurement reproduces the known thickness of the film to be measured, that is, when it corresponds to "YES" branched from step ST36 shown in FIG. The operation related to the chamber cleaning is completed, and the process proceeds to a new substrate processing after waiting for the completion of the chemical solution exchange processing used for the substrate processing.
一方で、上記の膜厚測定の結果が測定対象膜の既知の厚さを再現していない場合、すなわち、図12に例が示されるステップST36から分岐する「NO」に対応する場合には、たとえば制御部7の制御によって、膜厚測定器81および関連する機器の校正が行われる(図12におけるステップST37)。具体的には、ダミー基板DWの上面に形成された厚さが既知である膜の、膜厚測定器81による測定値が、当該既知の値に近づくように膜厚測定器81および関連する機器を校正する。そして、ステップST35に戻り、再度膜厚測定を行う。
On the other hand, when the result of the above film thickness measurement does not reproduce the known thickness of the film to be measured, that is, when it corresponds to "NO" branched from step ST36 shown in FIG. 12 as an example. For example, the film
なお、上記のうち、膜除去処理は膜厚測定の精度を高めるために行われているが、当該処理は省略されてもよい。 Of the above, the film removal treatment is performed in order to improve the accuracy of film thickness measurement, but the treatment may be omitted.
また、膜厚測定は、処理室洗浄と同時に行うことも可能であるが、膜厚測定の再現性を確保する観点からは、処理室洗浄の後に膜厚測定を行うことが望ましい。 Although the film thickness measurement can be performed at the same time as the treatment room cleaning, it is desirable to perform the film thickness measurement after the treatment room cleaning from the viewpoint of ensuring the reproducibility of the film thickness measurement.
また、図11のシーケンス図はそれぞれの工程の時間幅を反映しているものではないが、処理室洗浄と膜厚測定との処理時間の比は、たとえば、8:2とすることができる。 Further, although the sequence diagram of FIG. 11 does not reflect the time width of each step, the ratio of the processing time between the processing room cleaning and the film thickness measurement can be, for example, 8: 2.
<以上に記載された実施の形態によって生じる効果について>
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
<About the effect caused by the above-described embodiment>
Next, an example of the effect produced by the above-described embodiment will be shown. In the following description, the effect is described based on the specific configuration shown in the embodiment described above, but to the extent that the same effect occurs, the examples in the present specification. May be replaced with other specific configurations indicated by.
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、基板保持部と、第1のアームと、第2のアームとを備える。ここで、基板保持部は、たとえば、スピンチャック51に対応するものである。また、第1のアームは、たとえば、測定アーム181に対応するものである。また、第2のアームは、たとえば、薬液アーム152およびリンス液アーム160のうちのいずれか1つに対応するものである。スピンチャック51は、上面に測定対象膜が形成された基板を保持する。ここで、基板は、たとえば、基板Wおよびダミー基板DWのうちのいずれか1つに対応するものである。測定アーム181は、測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器81が取り付けられる。また、測定アーム181は、基板の上面に沿う面において回動可能である。リンス液アーム160または薬液アーム152は、基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられる。ここで、第1の吐出ノズルは、たとえば、リンス液ノズル60または薬液ノズル52に対応するものである。また、リンス液アーム160および薬液アーム152は、基板の上面に沿う面において回動可能である。ここで、測定アーム181とスピンチャック51の上面との間の距離である第1の距離(図2における高さH1に対応)が、リンス液アーム160または薬液アーム152とスピンチャック51の上面との間の距離である第2の距離(図2における高さH3または高さH2に対応)よりも長い。
According to the embodiment described above, the substrate processing apparatus includes a substrate holding portion, a first arm, and a second arm. Here, the substrate holding portion corresponds to, for example, the
このような構成によれば、膜厚測定器81が取り付けられ、かつ、基板の上面に沿う面において回動可能な測定アーム181を備えることによって、膜厚測定の測定箇所の自由度を高めることができる。また、測定アーム181の高さH1がリンス液アーム160の高さH3または薬液アーム152の高さH2よりも高いため、双方のアームが同時に回動しても衝突しない。また、測定アーム181が、リンス液ノズル60の下方または薬液ノズル52の下方に位置することもないため、リンス液アーム160および薬液アーム152の双方のアームから吐出される処理液が誤って測定アーム181に付着することもない。
According to such a configuration, the film
なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも1つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when at least one of the other configurations shown in the specification of the present application is appropriately added to the configurations described above, that is, the present specification not mentioned as the configurations described above. Similar effects can be produced even if other configurations, for example, are added as appropriate.
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、少なくとも膜厚測定器81、測定アーム181、リンス液ノズル60、リンス液アーム160、薬液ノズル52および薬液アーム152の動作を制御する制御部7を備える。制御部7は、測定アーム181における膜厚測定器81による測定対象膜の膜厚測定と、リンス液アーム160(または薬液アーム152)におけるリンス液ノズル60(または薬液ノズル52)による処理液の吐出とを並行して行わせる。このような構成によれば、処理液を用いる基板処理と膜厚測定との並行処理が可能となる。よって、処理時間全体の時間短縮が可能となる。また、基板処理と並行してリアルタイムで処理対象である基板の膜厚を測定することができるため、早いタイミングで処理内容を修正することができる。そのため、修正の自由度が高まり、結果として処理精度が向上する。また、基板処理と膜厚測定とを並行して行う際に、測定アーム181の高さH1がリンス液アーム160の高さH3または薬液アーム152の高さH2よりも高いため、基板ではじかれた処理液が膜厚測定器81に付着することを抑制することができる。
Further, according to the embodiment described above, the substrate processing apparatus operates at least the film
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理装置は、測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する第2の吐出ノズルを備える。ここで、第2の吐出ノズルは、たとえば、膜除去液ノズル164に対応するものである。制御部7は、膜除去液ノズル164の動作も制御する。そして、制御部7は、膜除去液ノズル164から膜除去液を吐出させることによって除去対象膜を除去した後、膜厚測定器81に、除去対象膜が除去された測定対象膜の膜厚を測定させる。このような構成によれば、膜厚測定の前に、測定対象膜の上面に形成されている除去対象膜を除去することができるため、膜厚測定の精度が向上する。
Further, according to the embodiment described above, the substrate processing apparatus includes a second discharge nozzle for discharging a film removing liquid for removing the removal target film formed on the upper surface of the measurement target film. Here, the second discharge nozzle corresponds to, for example, the membrane removing
また、以上に記載された実施の形態によれば、制御部7は、膜厚測定器81による測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、薬液ノズル52が処理液を吐出する時間を調整する。このような構成によれば、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理の前であれば処理条件を決定することができ、また、薬液処理の後であれば薬液処理の効果確認を行うことができる。
Further, according to the embodiment described above, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板が、上面にあらかじめ定められた厚さの測定対象膜が形成されたダミー基板DWである。そして、制御部7は、膜厚測定器81による、ダミー基板DWの上面における測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、膜厚測定器81の校正を行う。このような構成によれば、ダミー基板DWの上面における厚さが既知である測定対象膜を用いて、膜厚測定器81による測定値が再現性を有しているか否かを確認し、さらに必要であれば膜厚測定器81の校正を行うことができる。よって、膜厚測定器81による膜厚測定の再現性を高く維持することができるため、膜厚測定の精度を向上させることができる。
Further, according to the embodiment described above, the substrate is a dummy substrate DW on which a measurement target film having a predetermined thickness is formed on the upper surface. Then, the
また、以上に記載された実施の形態によれば、膜厚測定器81が、光学式の変位センサである。そして、膜厚測定器81の測定照射波長の範囲の少なくとも一部が、処理液の吸収波長の範囲外である。このような構成によれば、膜厚測定器81から照射された光が処理液に吸収されずに反射し、膜厚測定器81において受光することができるため、基板処理の影響によって膜厚測定の精度が低下することを抑制することができる。
Further, according to the embodiment described above, the film
また、以上に記載された実施の形態によれば、膜厚測定器81の測定照射波長の全範囲が、処理液の吸収波長の範囲外である。このような構成によれば、膜厚測定器81から照射された全波長範囲の光が処理液に吸収されずに反射し、膜厚測定器81において受光することができるため、基板処理の影響によって膜厚測定の精度が低下することを抑制することができる。
Further, according to the embodiment described above, the entire range of the measurement irradiation wavelength of the film
以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、膜厚測定器81を用いて測定対象膜の膜厚を測定する工程と、リンス液アーム160(または薬液アーム152)におけるリンス液ノズル60(または薬液ノズル52)から吐出される処理液を用いて基板を処理する工程とを備える。ここで、測定アーム181とスピンチャック51の上面との間の距離に対応する高さH1が、リンス液アーム160(または薬液アーム152)とスピンチャック51の上面との間の距離に対応する高さH3(または高さH2)よりも長い。
According to the embodiment described above, in the substrate processing method, the step of measuring the film thickness of the film to be measured by using the film
このような構成によれば、膜厚測定器81が取り付けられ、かつ、基板の上面に沿う面において回動可能な測定アーム181を備えることによって、膜厚測定の測定箇所の自由度を高めることができる。
According to such a configuration, the film
なお、本願明細書に例が示される他の構成のうちの少なくとも1つを、以上に記載された構成に適宜追加した場合、すなわち、以上に記載された構成としては言及されなかった本願明細書に例が示される他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。 In addition, when at least one of the other configurations shown in the specification of the present application is appropriately added to the configurations described above, that is, the present specification not mentioned as the configurations described above. Similar effects can be produced even if other configurations, for example, are added as appropriate.
また、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。 Further, if there are no particular restrictions, the order in which each process is performed can be changed.
また、以上に記載された実施の形態によれば、測定アーム181における膜厚測定器81を用いて測定対象膜の膜厚を測定する工程と、リンス液アーム160(または薬液アーム152)におけるリンス液ノズル60(または薬液ノズル52)から吐出される処理液を用いて基板を処理する工程とを並行して行う。このような構成によれば、処理液を用いる基板処理と膜厚測定との並行処理が可能となる。よって、処理時間全体の時間短縮が可能となる。
Further, according to the embodiment described above, the step of measuring the film thickness of the film to be measured by using the film
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、膜厚測定器81による測定対象膜の膜厚測定の前に、測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する工程を備える。このような構成によれば、膜厚測定の前に、測定対象膜の上面に形成されている除去対象膜を除去することができるため、膜厚測定の精度が向上する。
Further, according to the embodiment described above, in the substrate processing method, the removal target film formed on the upper surface of the measurement target film is removed before the film thickness of the measurement target film is measured by the film
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板処理方法において、膜厚測定器81による測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、薬液ノズル52が処理液を吐出する時間を調整する工程を備える。このような構成によれば、膜厚測定の結果に基づいて、薬液処理の前であれば処理条件を決定することができ、また、薬液処理の後であれば薬液処理の効果確認を行うことができる。
Further, according to the embodiment described above, in the substrate processing method, the time for the
また、以上に記載された実施の形態によれば、基板が、上面に所定の厚さの測定対象膜が形成されたダミー基板DWである。そして、基板処理方法において、ダミー基板DWの上面における測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、膜厚測定器81の校正を行う工程を備える。このような構成によれば、ダミー基板DWの上面における厚さが既知である測定対象膜を用いて、膜厚測定器81による測定値が再現性を有しているか否かを確認し、さらに必要であれば膜厚測定器81の校正を行うことができる。
Further, according to the embodiment described above, the substrate is a dummy substrate DW having a measurement target film having a predetermined thickness formed on the upper surface thereof. Then, in the substrate processing method, a step of calibrating the film
<以上に記載された実施の形態における変形例について>
上記の実施の形態において、膜除去液ノズル164は、基板Wの上面またはダミー基板DWの上面に沿って移動可能なアームの先端に取り付けられていてもよい。
<About the modified example in the above-described embodiment>
In the above embodiment, the film removing
また、薬液ノズル52、リンス液ノズル60および膜除去液ノズル164は、同一のアームの先端に取り付けられていてもよい。
Further, the
また、上記の実施の形態における膜厚測定器81は、処理液などが凝固などによって変化した固化膜を測定対象とする光学式の変位センサとされたが、液状またはアモルファス状の膜も測定可能な膜厚測定器が用いられてもよい。
Further, the film
この場合の対象膜の除去は、たとえば、スピンベース51Aの回転速度を速くすることによって処理液を飛散させて排液すればよい。
In this case, the target film may be removed by, for example, increasing the rotation speed of the
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。 In the embodiments described above, the materials, materials, dimensions, shapes, relative arrangement relationships, conditions of implementation, etc. of each component may also be described, but these are one example in all aspects. However, it is not limited to those described in the present specification.
したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。 Therefore, innumerable variants and equivalents for which examples are not shown are envisioned within the scope of the techniques disclosed herein. For example, it is assumed that at least one component is modified, added or omitted.
また、以上に記載された実施の形態で記載されたそれぞれの構成要素は、ソフトウェアまたはファームウェアとしても、それと対応するハードウェアとしても想定され、その双方の概念において、それぞれの構成要素は「部」または「処理回路」(circuitry)などと称される。 In addition, each component described in the above-described embodiment is assumed to be software or firmware and corresponding hardware, and in both concepts, each component is a "part". Alternatively, it is referred to as a "processing circuit" or the like.
Z1 回動軸線
Z2 回転軸線
TW 処理タワー
W 基板
DW ダミー基板
1 基板処理装置
2 インデクサセクション
3 処理セクション
3A 搬送モジュール
3B 処理モジュール
7 制御部
21 基板収容器
22,133A ステージ
23 インデクサロボット
23A 基台部
23B 多関節アーム
23C,23D,33C,33D ハンド
31 搬送機構
32 ダミー基板収容器
33 搬送ロボット
33A 水平駆動部
33B 鉛直駆動部
33E 支柱
33F 連結具
34A,34B,34C 液処理ユニット
50 処理室
50A 隔壁
50B 開口部
50C シャッタ
51 スピンチャック
51A スピンベース
51C 回転軸
51D スピンモータ
52 薬液ノズル
53 薬液タンク
54 薬液配管
55 送液装置
56 薬液バルブ
57 循環配管
58 循環バルブ
59 温度調節装置
60 リンス液ノズル
61 リンス液配管
62 リンス液バルブ
64 洗浄液ノズル
65 洗浄液配管
66 洗浄液バルブ
71 CPU
72 ROM
73 RAM
74 記憶部
75 バス配線
76 入力部
77 表示部
81 膜厚測定器
133B 水平スライダ
133C 水平モータ
133D 回動モータ
133G 鉛直スライダ
133H 鉛直モータ
152 薬液アーム
152A,160A,181A 回転駆動源
152B,160B,181B 軸体
152C,160C,181C アーム部
160 リンス液アーム
164 膜除去液ノズル
165 膜除去液配管
166 膜除去液バルブ
181 測定アーム
511 処理カップ
513 排液口
515 排気口
Z1 Rotation axis Z2 Rotation axis TW Processing tower W board DW Dummy board 1
72 ROM
73 RAM
74
Claims (12)
前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、
前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームとを備え、
前記第1のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第1の距離が、前記第2のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第2の距離よりも長い、
基板処理装置。 A substrate holding portion for holding a substrate having a film to be measured formed on the upper surface,
A first arm to which a film thickness measuring device for measuring the film thickness of the film to be measured is attached and which is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate,
A first discharge nozzle for discharging a processing liquid for processing the substrate is attached, and a second arm that is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate is provided.
The first distance, which is the distance between the first arm and the upper surface of the substrate holding portion, is larger than the second distance, which is the distance between the second arm and the upper surface of the substrate holding portion. long,
Board processing equipment.
少なくとも前記膜厚測定器、前記第1のアーム、前記第1の吐出ノズルおよび前記第2のアームの動作を制御する制御部をさらに備え、
前記制御部は、前記第1のアームにおける前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定と、前記第2のアームにおける前記第1の吐出ノズルによる前記処理液の吐出とを並行して行わせる、
基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1.
Further including at least the film thickness measuring device, the first arm, the first discharge nozzle, and a control unit for controlling the operation of the second arm.
The control unit simultaneously measures the film thickness of the film to be measured by the film thickness measuring device in the first arm and discharges the processing liquid by the first discharge nozzle in the second arm. Let me do
Board processing equipment.
前記測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する第2の吐出ノズルをさらに備え、
前記制御部は、前記第2の吐出ノズルの動作も制御し、
前記制御部は、前記第2の吐出ノズルから前記膜除去液を吐出させることによって前記除去対象膜を除去した後、前記膜厚測定器に、前記除去対象膜が除去された前記測定対象膜の膜厚を測定させる、
基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2.
A second ejection nozzle for ejecting a film removing liquid for removing the film to be removed formed on the upper surface of the film to be measured is further provided.
The control unit also controls the operation of the second discharge nozzle.
The control unit removes the film to be removed by discharging the film removing liquid from the second discharge nozzle, and then the film thickness measuring device is used to remove the film to be removed. Let me measure the film thickness,
Board processing equipment.
前記制御部は、前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記第1の吐出ノズルが前記処理液を吐出する時間を調整する、
基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2 or 3.
The control unit adjusts the time for the first discharge nozzle to discharge the treatment liquid based on the result of the film thickness measurement of the film to be measured by the film thickness measuring device.
Board processing equipment.
前記膜厚測定器が、光学式の変位センサであり、
前記膜厚測定器の測定照射波長の範囲の少なくとも一部が、前記処理液の吸収波長の範囲外である、
基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
The film thickness measuring instrument is an optical displacement sensor.
At least a part of the measurement irradiation wavelength range of the film thickness measuring device is outside the absorption wavelength range of the treatment liquid.
Board processing equipment.
前記膜厚測定器の測定照射波長の全範囲が、前記処理液の吸収波長の範囲外である、
基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 5.
The entire range of the measurement irradiation wavelength of the film thickness measuring device is outside the range of the absorption wavelength of the treatment liquid.
Board processing equipment.
前記測定対象膜の膜厚を測定するための膜厚測定器が取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第1のアームと、
前記基板を処理するための処理液を吐出するための第1の吐出ノズルが取り付けられ、かつ、前記基板の上面に沿う面において回動可能な第2のアームと、
少なくとも前記膜厚測定器を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記膜厚測定器による、前記基板の上面における前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記膜厚測定器の校正を行う、
基板処理装置。 A substrate holding portion for holding a substrate on which a film to be measured having a predetermined thickness is formed on the upper surface, and a substrate holding portion.
A first arm to which a film thickness measuring device for measuring the film thickness of the film to be measured is attached and which is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate,
A second arm to which a first discharge nozzle for discharging a processing liquid for processing the substrate is attached and rotatable on a surface along the upper surface of the substrate,
It is provided with at least a control unit that controls the film thickness measuring device.
The control unit calibrates the film thickness measuring device based on the result of measuring the film thickness of the film to be measured on the upper surface of the substrate by the film thickness measuring device.
Board processing equipment.
前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、
前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程とを備え、
前記第1のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第1の距離が、前記第2のアームと前記基板保持部の上面との間の距離である第2の距離よりも長い、
基板処理方法。 On a surface along the upper surface of the substrate on which a substrate holding portion for holding a substrate having a film to be measured formed on the upper surface and a film thickness measuring device for measuring the thickness of the film to be measured are attached. A rotatable first arm and a second discharge nozzle for discharging a processing liquid for processing the substrate are attached, and a second rotatable surface along the upper surface of the substrate is attached. It is a substrate processing method using a substrate processing apparatus provided with an arm.
The step of measuring the film thickness of the film to be measured using the film thickness measuring device, and
The present invention includes a step of processing the substrate using the processing liquid discharged from the first discharge nozzle.
The first distance, which is the distance between the first arm and the upper surface of the substrate holding portion, is larger than the second distance, which is the distance between the second arm and the upper surface of the substrate holding portion. long,
Substrate processing method.
前記第1のアームにおける前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、前記第2のアームにおける前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程とを並行して行う、
基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8.
The step of measuring the film thickness of the film to be measured by using the film thickness measuring device in the first arm, and the processing liquid discharged from the first ejection nozzle in the second arm are used. Perform the process of processing the substrate in parallel,
Substrate processing method.
前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の前に、前記測定対象膜の上面に形成される除去対象膜を除去するための膜除去液を吐出する工程をさらに備える、
基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 8 or 9.
Prior to measuring the film thickness of the film to be measured by the film thickness measuring device, a step of discharging a film removing liquid for removing the film to be removed formed on the upper surface of the film to be measured is further provided.
Substrate processing method.
前記膜厚測定器による前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記第1の吐出ノズルが前記処理液を吐出する時間を調整する工程をさらに備える、
基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 8 to 10.
A step of adjusting the time for the first discharge nozzle to discharge the treatment liquid is further provided based on the result of the film thickness measurement of the film to be measured by the film thickness measuring device.
Substrate processing method.
前記膜厚測定器を用いて前記測定対象膜の膜厚を測定する工程と、
前記第1の吐出ノズルから吐出される前記処理液を用いて前記基板を処理する工程と、
前記基板の上面における前記測定対象膜の膜厚測定の結果に基づいて、前記膜厚測定器の校正を行う工程とを備える、
基板処理方法。 A substrate holding portion for holding a substrate on which a measurement target film having a predetermined thickness is formed on the upper surface, and a film thickness measuring device for measuring the film thickness of the measurement target film are attached, and the above-mentioned A first arm that is rotatable on a surface along the upper surface of the substrate and a first discharge nozzle for discharging a treatment liquid for processing the substrate are attached, and on a surface along the upper surface of the substrate. It is a substrate processing method using a substrate processing apparatus including a second arm that can be rotated.
The step of measuring the film thickness of the film to be measured using the film thickness measuring device, and
A step of processing the substrate using the processing liquid discharged from the first discharge nozzle, and
A step of calibrating the film thickness measuring device based on the result of measuring the film thickness of the film to be measured on the upper surface of the substrate is provided.
Substrate processing method.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049944A JP2020155467A (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
TW108147037A TWI745806B (en) | 2019-03-18 | 2019-12-20 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
PCT/JP2020/001265 WO2020188980A1 (en) | 2019-03-18 | 2020-01-16 | Substrate processing device and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049944A JP2020155467A (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155467A true JP2020155467A (en) | 2020-09-24 |
Family
ID=72519216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019049944A Pending JP2020155467A (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | Substrate processing device and substrate processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020155467A (en) |
TW (1) | TWI745806B (en) |
WO (1) | WO2020188980A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022201953A1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102565731B1 (en) * | 2020-11-16 | 2023-08-17 | (주)에스티아이 | Pod cleaning chamber |
JP2022125560A (en) * | 2021-02-17 | 2022-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Film thickness measuring device, film forming system and film thickness measuring method |
CN115890456A (en) * | 2022-12-29 | 2023-04-04 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | Polishing liquid supply device, polishing equipment and polishing method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5873804A (en) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | Hitachi Ltd | Measuring method and device for thickness of silicon wafer etching portion |
JP2002323303A (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Denso Corp | Diafragm thickness measurement method, its device, and manufacturing method for semiconductor device |
JP2012004294A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015088619A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社Screenホールディングス | Method for removing sacrificial film, and substrate processing apparatus |
-
2019
- 2019-03-18 JP JP2019049944A patent/JP2020155467A/en active Pending
- 2019-12-20 TW TW108147037A patent/TWI745806B/en active
-
2020
- 2020-01-16 WO PCT/JP2020/001265 patent/WO2020188980A1/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5873804A (en) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | Hitachi Ltd | Measuring method and device for thickness of silicon wafer etching portion |
JP2002323303A (en) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Denso Corp | Diafragm thickness measurement method, its device, and manufacturing method for semiconductor device |
JP2012004294A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2015088619A (en) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社Screenホールディングス | Method for removing sacrificial film, and substrate processing apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022201953A1 (en) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method |
TWI796175B (en) * | 2021-03-23 | 2023-03-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI745806B (en) | 2021-11-11 |
TW202036699A (en) | 2020-10-01 |
WO2020188980A1 (en) | 2020-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2020188980A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP4853536B2 (en) | Coating, developing device, coating, developing method and storage medium | |
TWI546878B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TWI738548B (en) | Substrate processing method | |
JP6925219B2 (en) | Board processing equipment | |
JP2022057884A (en) | Substrate processing system | |
WO2018147008A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP6956924B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
JP4757924B2 (en) | Substrate processing equipment | |
JP2021012917A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2022077385A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW202006815A (en) | Substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
TWI832635B (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate | |
JP2021012916A (en) | Treatment liquid removal method and treatment liquid removal device | |
EP4343818A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
US12020943B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7486984B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
US20220301880A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US20220359233A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
WO2023248927A1 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
WO2023127217A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
JP2017059744A (en) | Substrate cleaning device and substrate cleaning method | |
KR20230100223A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR20230100226A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
CN116438633A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220726 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220916 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20221108 |