JP2020150064A - インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】直流重畳特性に優れるインダクタを提供すること。【解決手段】インダクタ１は、導線４、および、導線４の周面全面に配置される絶縁膜５を備える配線２と、配線２を埋設する磁性層３とを備える。磁性層３は、磁性粒子を含む。磁性層３は、配線２の周面に接触する第１層１０と、第１層の表面に接触する第２層２０と、・・・第（ｎ−１）層の表面に接触する第ｎ層とを備え（ｎは、３以上の正数）る。磁性層３における隣接する２つの層において、配線２により近い層の比透磁率が、配線２からより遠い層の比透磁率より、低い。【選択図】図１

Description

本発明は、インダクタに関する。

従来、インダクタは、電子機器などに搭載されて、電圧変換部材などの受動素子として用いられることが知られている。

例えば、磁性体材料からなる直方体状のチップ本体部と、そのチップ本体部の内部に埋設された銅からなる内部導体とを備えるインダクタが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開平１０−１４４５２６号公報

しかし、特許文献１のインダクタでは、直流重畳特性が不十分であるという不具合がある。

本発明は、直流重畳特性に優れるインダクタを提供する。

本発明（１）は、導線、および、前記導線の周面全面に配置される絶縁膜を備える配線と、前記配線を埋設する磁性層とを備え、前記磁性層は、磁性粒子を含み、前記磁性層は、前記配線の周面に接触する第１層と、前記第１層の表面に接触する第２層と、・・・第（ｎ−１）層の表面に接触する第ｎ層とを備え（ｎは、３以上の正数）、前記磁性層における隣接する２つの層において、前記配線により近い層の比透磁率が、前記配線からより遠い層の比透磁率より、低い、インダクタを含む。

本発明（２）は、前記配線は、断面視略円形状を有する、（１）に記載のインダクタを含む。

本発明（３）は、前記第２層〜前記第ｎ層のいずれかの層は、前記配線と中心を共有する断面視略円弧形状を有する、（２）に記載のインダクタを含む。

本発明（４）は、前記第１層〜前記第ｎ層のいずれかの層は、前記配線から、前記配線の延びる方向および前記磁性層の厚み方向に直交する方向に延出する延出部を有する、（１）〜（３）のいずれか一項に記載のインダクタを含む。

本発明（５）は、前記第１層に含まれる磁性粒子は、略球形状を有し、前記第２層〜前記第ｎ層に含まれる磁性粒子は、略扁平形状を有する、（１）〜（４）のいずれか一項に記載のインダクタを含む。

本発明（６）は、少なくとも前記第２層に含まれる磁性粒子が、前記配線の外周面に配向している（１）〜（５）のいずれか一項に記載のインダクタを含む。

本発明のインダクタは、直流重畳特性に優れる。

図１は、本発明のインダクタの一実施形態の正断面図を示す。 図２は、図１に示すインダクタの製造方法を説明する正断面図を示す。 図３は、第１の態様に対応するインダクタの正断面図を示す。 図４は、図３に示すインダクタの製造方法を説明する正断面図を示す。 図５は、第２の態様に対応するインダクタの正断面図を示す。 図６は、図５に示すインダクタの製造方法を説明する正断面図を示す。 図７は、図１に示すインダクタの変形例（第２層が延出部を備える変形例）の正断面図を示す。 図８は、図１に示すインダクタの変形例（第１層〜第４層のそれぞれが１層からなる変形例）の正断面図を示す。

＜一実施形態＞
本発明のインダクタの一実施形態を、図１を参照して説明する。

＜インダクタの基本形態＞
図１に示すように、このインダクタ１は、面方向に延びる形状を有する。具体的には、インダクタ１は、厚み方向に対向する一方面および他方面を有しており、これら一方面および他方面のいずれもが、面方向に含まれる方向であって、配線２（後述）が電流を伝送する方向（紙面奥行き方向に相当）および厚み方向に直交する第１方向に沿う平坦形状を有する。

インダクタ１は、配線２と、磁性層３とを備える。

＜配線＞
配線２は、断面視略円形状を有する。具体的には、配線２は、電流を伝送する方向である第２方向（伝送方向）（紙面奥行き方向）に直交する断面（第１方向断面）で切断したときに、略円形状を有する。

配線２は、導線４と、それを被覆する絶縁膜５とを備える。

導線４は、第２方向に長尺に延びる形状を有する導体線である。また、導線４は、配線２と中心軸線を共有する断面視略円形状を有する。

導線４の材料としては、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、これらの合金などの金属導体が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。導線４は、単層構造であってもよく、コア導体（例えば、銅）の表面にめっき（例えば、ニッケル）などがされた複層構造であってもよい。

導線４の半径は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

絶縁膜５は、導線４を薬品や水から保護し、また、導線４と磁性層３との短絡を防止する。絶縁膜５は、導線４の外周面（円周面）全面を被覆する。

絶縁膜５は、配線２と中心軸線（中心）を共有する断面視略円環形状を有する。

絶縁膜５の材料としては、例えば、ポリビニルホルマール、ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリアミド（ナイロンを含む）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタンなどの絶縁性樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。

絶縁膜５は、単層から構成されていてもよく、複数の層から構成されていてもよい。

絶縁膜５の厚みは、円周方向のいずれの位置においても配線２の径方向において略均一であり、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

絶縁膜５の厚みに対する導線４の半径の比は、例えば、１以上、好ましくは、５以上であり、例えば、５００以下、好ましくは、１００以下である。

配線２の半径Ｒ（＝導線４の半径および絶縁膜５の厚みの合計）は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

＜磁性層の概要（層構成、形状等）＞
磁性層３は、インダクタ１のインダクタンスを向上させながら、インダクタ１の直流重畳特性も向上させる。磁性層３は、配線２の外周面（円周面）全面を被覆する。これにより、磁性層３は、配線２を埋設している。磁性層３は、インダクタ１の外形を形成する。具体的には、磁性層３は、面方向（第１方向および第２方向）に延びる矩形状を有する。より具体的には、磁性層３は、厚み方向に対向する一方面および他方面を有しており、磁性層３の一方面および他方面のそれぞれが、インダクタ１の一方面および他方面のそれぞれを形成する。

磁性層３は、配線２を埋設する第１層１０と、第１層１０の表面に接触する第２層２０と、第２層２０の表面に接触する第３層３０と、第３層３０の表面に接触する第４層４０とを備える。

また、配線２と重複する位置（重複位置）では、配線２から、厚み方向両側に向かって、それぞれ、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０が配列されている。厚み方向に投影した投影面において、配線２から第１方向にずれた位置においては、磁性層３の厚み方向中間部（中央部）から、厚み方向両側に向かって、それぞれ、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０が配列されている。

第１層１０は、面方向に延びる形状を有しており、厚み方向に対向する一方面１１および他方面１２を有する。また、第１層１０は、絶縁膜５の外周面（円周面）全面を被覆する。これにより、第１層１０は、絶縁膜５を埋設している。そのため、第１層１０は、絶縁膜５の外周面に接触する内周面１３をさらに有する。

第１層１０は、配線２と中心を共有する断面視略円弧形状を含む。具体的には、第１層１０は、断面視において、一方側第１円弧部分１５と、他方側第１円弧部分１６と、延出部１７とを一体的に有する。

一方側第１円弧部分１５は、配線２の中心より厚み方向一方側に配置される。一方側第１円弧部分１５は、断面視において、配線２の周面において、配線２の中心より厚み方向一方側の一方側エリア１８と径方向に対向する。一方側第１円弧部分１５の一方面１１は、配線２と中心を共有する円弧面を形成する。一方側第１円弧部分１５の中心角は、例えば、１８０度未満、好ましくは、１３５度以下であり、また、例えば、３０度以上、好ましくは、６０度以上である。

他方側第１円弧部分１６は、断面視において、配線２の周面において、配線２の中心より厚み方向他方側の他方側エリア１９と径方向に対向する。他方側第１円弧部分１６の他方面１２は、配線２と中心を共有する円弧面を形成する。他方側第１円弧部分１６の中心角は、例えば、１８０度未満、好ましくは、１３５度以下であり、また、例えば、３０度以上、好ましくは、６０度以上である。

一方側第１円弧部分１５および他方側第１円弧部分１６の合計の中心角は、例えば、３６０度未満である。

なお、他方側第１円弧部分１６は、一方側第１円弧部分１５に対して、配線２の中心を面方向に沿って通過する仮想面に対して、面対称である。

延出部１７は、配線２から第１方向外側に向かって延出する形状を有する。延出部１７は、第１層１０に２つ備えられる。２つの延出部１７のそれぞれは、配線２の第１方向両外側のそれぞれに配置されている。２つの延出部１７のそれぞれは、一方側第１円弧部分１５および他方側第１円弧部分１６の間の配線２の周面から、第１方向外側に向かって延出し、インダクタ１の第１方向両端面のそれぞれに至っている。延出部１７における一方面１１および他方面１２は、平行する。延出部１７は、平面視において、配線２の第１方向両外側において、第２方向に延びる２枚の平帯形状を有する。

一方側第１円弧部分１５および他方側第１円弧部分１６のそれぞれの厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。延出部１７の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１６００μｍ以下である。

第１層１０の厚みは、一方側第１円弧部分１５および他方側第１円弧部分１６の合計厚みに相当し、また、延出部１７の厚みにも相当する。具体的には、第１層１０の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１６００μｍ以下、より好ましくは、１０００μｍ以下、さらに好ましくは、５００μｍμｍ以下である。

磁性層３の厚み（後述）に対する第１層１０の厚みの比は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上、より好ましくは、０．１以上、さらに好ましくは、０．２以上、とりわけ好ましくは、０．３以上であり、また、例えば、０．５以下、好ましくは、０．４以下である。

磁性層３の厚みに対する第１層１０の厚みの比が上記した下限以上であれば、第２層２０と配線２との十分な距離を確保して、第２層２０、第３層３０および第４層４０の磁気保飽和を抑制し、つまり、優れた直流重畳特性を維持しつつ、比透磁率がより高い層を第２層２０以降に配置できる。

第２層２０は、一方側第２層２１と、他方側第２層２２とを独立して有する。

一方側第２層２１は、第１層１０の一方面１１に接触している。一方側第２層２１は、第１層１０の一方側第１円弧部分１５および２つの延出部１７の一方面１１に追従する形状を有する。一方側第２層２１は、第１層１０の一方面１１に接触する他方面２４と、他方面２４の厚み方向一方側に間隔を隔てて配置される一方面２３とを有する。一方側第２層２１は、配線２と中心を共有する断面視略円弧形状の一方側第２円弧部２７を有する。

他方側第２層２２は、一方側第２層２１の厚み方向他方側に第１層１０を隔てて対向配置されている。他方側第２層２２は、第１層１０の他方面１２に接触している。他方側第２層２２は、第１層１０の他方側第１円弧部分１６および２つの延出部１７の他方面１２に追従する形状を有する。他方側第２層２２は、第１層１０の他方面１２に接触する一方面２５と、一方面２５の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置される他方面２６とを有する。他方側第２層２２は、配線２と中心を共有する断面視略円弧形状の他方側第２円弧部２８を有する。

他方側第２層２２は、一方側第２層２１に対して、配線２の中心を面方向に沿って通過する仮想面に対して、面対称である。

第２層２０の厚みは、一方側第２層２１および他方側第２層２２の合計厚みであり、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

磁性層３の厚み（後述）に対する第２層２０の厚みの比は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、０．５以下、好ましくは、０．４以下である。

第１層１０の厚みに対する第２層２０の厚みの比は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、１０以下である。

第３層３０は、一方側第３層３１と、他方側第３層３２とを独立して有する。

一方側第３層３１は、一方側第２層２１に接触している。また、一方側第３層３１は、第１方向にわたって略同一厚みを有する。一方側第３層３１は、一方側第２層２１の一方面２３に接触する他方面３４と、他方面３４の厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される一方面３３とを有する。一方側第３層３１は、面方向に延びる形状を有する。

他方側第３層３２は、一方側第３層３１の厚み方向他方側に、第１層１０および第２層２０を間隔を隔てて対向配置されている。また、他方側第３層３２は、第１方向にわたって略同一厚みを有する。他方側第３層３２は、他方側第２層２２の他方面２６に接触する一方面３５と、一方面３５の厚み方向他方側に間隔を隔てて対向配置される他方面３６とを有する。他方側第３層３２は、面方向に延びる形状を有する。

他方側第３層３２は、一方側第３層３１に対して、配線２の中心を面方向に沿って通過する仮想面に対して、面対称である。

第３層３０の厚みは、一方側第３層３１および他方側第３層３２の合計厚みであり、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

磁性層３の厚みに対する第３層３０の厚みの比は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、０．５以下、好ましくは、０．４以下である。

第２層２０の厚みに対する第３層３０の厚みの比は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、１０以下である。

第４層４０は、一方側第４層４１と、他方側第４層４２とを独立して有する。

一方側第４層４１は、一方側第３層３１に接触する。また、一方側第４層４１は、第１方向にわたって略同一厚みを有する。一方側第４層４１は、一方側第３層３１の一方面３３に接触する他方面４４と、他方面４４の厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される一方面４３とを有する。一方側第４層４１の一方面４３は、厚み方向一方側に露出する。一方面４３は、第１方向および第２方向に沿う平坦面を有する。

他方側第４層４２は、一方側第４層４１の厚み方向他方側に、第１層１０、第２層２０および第３層３０を隔てて対向配置されている。また、他方側第４層４２は、第１方向にわたって略同一厚みを有する。他方側第４層４２は、他方側第３層３２に接触している。他方側第４層４２は、他方側第３層３２の他方面３６に接触する一方面４５と、一方面４５と間隔を隔てて対向配置される他方面４６とを有する。他方面４６は、厚み方向他方側に露出する。他方面４６は、第１方向および第２方向に沿う平坦面を有する。

第４層４０の厚みは、一方側第４層４１および他方側第４層４２の合計厚みであり、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

磁性層３の厚みに対する第４層４２の厚みの比は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上であり、また、例えば、０．５以下、好ましくは、０．４以下である。

第３層３０の厚みに対する第４層４０の厚みの比は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、１０以下である。

磁性層３の厚みは、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０の合計厚みであって、配線２の半径の、例えば、２倍以上、好ましくは、３倍以上であり、また、例えば、２０倍以下である。具体的には、磁性層３の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下、より好ましくは、９５０μｍ以下、さらに好ましくは、９００μｍ以下、とりわけ好ましくは、８５０μｍである。なお、磁性層３の厚みは、磁性層３の一方面および他方面間の距離である。

＜磁性層の比透磁率＞
第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０において、隣接する２つの層において、配線２により近い層の比透磁率が、配線２からより遠い層の比透磁率より、低い。

磁性層３において、例えば、各層の磁性粒子の種類、形状および容積割合を適宜変更することにより、配線２により近い層の比透磁率を、配線２からより遠い層の比透磁率より、低く設定することができる。その詳細な調整（処方）の態様については、第１の態様〜第２の態様で説明する。

なお、比透磁率は、周波数１０ＭＨｚで測定される。

具体的には、第１層１０の比透磁率が、第２層２０の比透磁率より低い。第２層２０の比透磁率が、第３層３０の比透磁率より低い。第３層３０の比透磁率が、第４層４０の比透磁率より低い。

また、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０において、隣接する２つの層において、配線２からより遠い層の比透磁率に対する、配線２により近い層の比透磁率の比Ｒは、例えば、０．９以下、好ましくは、０．７以下、より好ましくは、０．５以下、さらに好ましくは、０．４以下、とりわけ好ましくは、０．３以下であり、また、例えば、０．０１以上である。

具体的には、第２層２０の比透磁率に対する第１層１０の比透磁率の比Ｒ１（第１層１０の比透磁率／第２層２０の比透磁率）は、０．９以下、好ましくは、０．７以下、より好ましくは、０．５以下、さらに好ましくは、０．４以下、とりわけ好ましくは、０．３以下であり、また、例えば、０．１以上である。

第３層３０の比透磁率に対する第２層２０の比透磁率の比Ｒ２（第２層２０の比透磁率／第３層３０の比透磁率）は、０．９以下、好ましくは、０．８８以下、より好ましくは、０．８５以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上、より好ましくは、０．４以上、より好ましくは、０．５以上、さらに好ましくは、０．６以上、とりわけ好ましくは、０．７以上である。

第４層４０の比透磁率に対する第３層３０の比透磁率の比Ｒ３（第３層３０の比透磁率／第４層４０の比透磁率）は、０．９以下、好ましくは、０．８以下、より好ましくは、０．７５以下、さらに好ましくは、０．７以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上、より好ましくは、０．３以上である。

上記した比Ｒ１〜比Ｒ３は、いずれも同一または変動してもよく、好ましくは、比Ｒ１が比Ｒ２より小さく、また、比Ｒ２が比Ｒ３より小さい。

比Ｒ２に対する比Ｒ１の割合は、例えば、０．９以下、好ましくは、０．８以下であり、また、例えば、０．２以上、好ましくは、０．３以上、より好ましくは、０．３５以上である。

比Ｒ３に対する比Ｒ２の割合は、例えば、例えば、０．８以下、好ましくは、０．７以下であり、また、例えば、０．３以上、好ましくは、０．５以上である
また、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０において、隣接する２つの層において、配線２からより遠い層の比透磁率から、配線２により近い層の比透磁率を差し引いた値Ｄは、例えば、５以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、１５以上であり、また、例えば、１００以下である。

具体的には、第２層２０の比透磁率から第１層１０の比透磁率を差し引いた値Ｄ１（第２層２０の比透磁率−第１層１０の比透磁率）は、例えば、５以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、２５以上であり、また、例えば、５０以下である。

第３層３０の比透磁率から第２層２０の比透磁率を差し引いた値Ｄ２（第３層３０の比透磁率−第２層２０の比透磁率）は、例えば、５以上、好ましくは、１０以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、４０以下、より好ましくは、３０以下である。

第４層４０の比透磁率から第３層３０の比透磁率を差し引いた値Ｄ３（第４層４０の比透磁率−第３層３０の比透磁率）は、例えば、１０以上、好ましくは、２０以上であり、また、例えば、７０以下である。

また、上記した値Ｄ１〜値Ｄ３は、いずれも同一または変動してもよい。

上記した比透磁率の比Ｒ（Ｒ１〜Ｒ３を含む）や、差Ｄ（差し引いた値）（Ｄ１〜Ｄ３を含む）が、上記した下限以上であれば、インダクタ１の直流重畳特性を向上させることができる。

上記した各層の比透磁率によって、各層を定義する。

具体的には、磁性層３において、配線２の周面に接触する領域（第１層１０の内周面１３に相当する領域）の比透磁率を測定し、続いて、配線２から離れるように、連続的に比透磁率を測定し、最初に取得した比透磁率と同一の比透磁率を有する領域までを第１層１０と定義する。これを、第２層２０、第３層３０および第４層４０についても順に実施する。つまり、同一の比透磁率を有する領域を一の層として定義する。なお、比透磁率の測定を、上記では、第１層１０の内周面１３から実施しているが、例えば、第４層４０の一方面４３から実施することもできる。

なお、後述するように、各層が複数の磁性シート（後述）（図２の仮想線参照）から形成される場合には、上記した定義を参酌すれば、各層を形成するための複数の磁性シートの比透磁率は、同一である。

また、後述する製造方法において、磁性層３を形成するための第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４のそれぞれの比透磁率を予め測定し、これを、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０のそれぞれの比透磁率とすることもできる。

＜磁性層の材料＞
磁性層３は、磁性粒子を含有する。具体的には、磁性層３の材料として、例えば、磁性粒子およびバインダを含有する磁性組成物などが挙げられる。

磁性粒子を構成する磁性材料としては、例えば、軟磁性体、硬磁性体が挙げられる。好ましくは、インダクタンスおよび直流重畳特性の観点から、軟磁性体が挙げられる。

軟磁性体としては、例えば、１種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体（混合物）である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。

単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素（第１金属元素）のみからなる金属単体が挙げられる。第１金属元素としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、その他、軟磁性体の第１金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。

また、単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および／または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第１金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解（熱分解など）された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第１金属元素として鉄を含む有機鉄化合物（具体的には、カルボニル鉄）が熱分解された鉄粉（カルボニル鉄粉と称される場合がある）などが挙げられる。なお、１種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および／または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。

合金体は、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。

第１金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。なお、第１金属元素がＦｅであれば、合金体は、Ｆｅ系合金とされ、第１金属元素がＣｏであれば、合金体は、Ｃｏ系合金とされ、第１金属元素がＮｉであれば、合金体は、Ｎｉ系合金とされる。

第２金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する金属元素であって、例えば、鉄（Ｆｅ）（第１金属元素がＦｅ以外である場合）、コバルト（Ｃｏ）（第１金属元素がＣｏ以外である場合）、ニッケル（Ｎｉ）（第１金属元素Ｎｉ以外である場合）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。

非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する非金属元素であって、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。

合金体の一例であるＦｅ系合金として、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）（電磁ステンレスを含む）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）（スーパーセンダストを含む）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｐ合金、フェライト（ステンレス系フェライト、さらには、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトを含む）、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ合金）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ合金、Ｆｅ基アモルファス合金などが挙げられる。

合金体の一例であるＣｏ系合金としては、例えば、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、コバルト（Ｃｏ）基アモルファス合金などが挙げられる。

合金体の一例であるＮｉ系合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが挙げられる。

好ましくは、これら軟磁性体から、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０のそれぞれの上記した比透磁率を満足するように、適宜選択される。

磁性粒子の形状は、特に限定されず、略扁平形状（板形状）、略針形状（略紡錘（フットボール）形状を含む）などの異方性を示す形状、例えば、略球形状、略顆粒形状、略塊形状などの等方性を示す形状などが挙げられる。磁性粒子の形状としては、上記から、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０のそれぞれの上記した比透磁率を満足するように、適宜選択される。

磁性粒子の最大長さの平均値は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。磁性粒子の最大長さの平均値は、磁性粒子の中位粒子径として算出することができる。

磁性粒子の磁性組成物における容積割合（充填率）は、例えば、１０容積％以上、好ましくは、２０容積％以上であり、また、例えば、９０容積％以下、好ましくは、８０容積％以下である。

磁性粒子の種類、形状、大きさ、容積割合などを適宜変更することによって、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０の比透磁率が所望の関係を満足する。

バインダとしては、例えば、アクリル樹脂などの熱可塑性成分、例えば、エポキシ樹脂組成物などの熱硬化性成分が挙げられる。アクリル樹脂は、例えば、カルボキシル基含有アクリル酸エステルコポリマーを含む。エポキシ樹脂組成物は、例えば、主剤であるエポキシ樹脂（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など）と、エポキシ樹脂用硬化剤（フェノール樹脂など）と、エポキシ樹脂用硬化促進剤（イミダゾール化合物など）とを含む。

バインダとしては、熱可塑性成分および熱硬化性成分をそれぞれ単独使用または併用することができ、好ましくは、熱可塑性成分および熱硬化性成分を併用する。

なお、上記した磁性組成物のより詳細な処方については、特開２０１４−１６５３６３号公報などに記載される。

＜インダクタの製造方法＞
このインダクタ１の製造方法を、図２を参照して説明する。

このインダクタ１を製造するには、まず、配線２を準備する。

続いて、２つの第１シート５１、２つの第２シート５２、２つの第３シート５３および２つの第４シート５４を調製する。

第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、および、第４シート５４は、それらが含有する磁性粒子の種類、形状および容積割合などを変更することによって、下記式（１）〜（３）のいずれをも満足するような比透磁率を有する。

第１シート５１の比透磁率＜第２シート５２の比透磁率 （１）
第２シート５２の比透磁率＜第３シート５３の比透磁率 （２）
第３シート５３の比透磁率＜第４シート５４の比透磁率 （３）
具体的には、磁性粒子を含有する第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、および、第４シート５４を、上記のような処方で調製して、第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、および、第４シート５４の比透磁率を調整する。

第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、第４シート５４は、それぞれ、第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０を形成するための磁性シートである。上記した各シートを、上記した磁性組成物から面方向に延びる板形状に形成する。

なお、用途および目的応じて、一方の第１シート５１は、単層でもよく、または、複層（２層以上）（図２の仮想線参照）からなっていてもよい。他方の第１シート５１、さらには、第２シート５２のそれぞれ、第３シート５３のそれぞれ、および、第４シート５４のそれぞれについても、同様である。

次いで、第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４を、この順で、配線２の厚み方向両側のそれぞれに配置する。具体的には、２つの第１シート５１を、配線２を挟むように配置する。第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４は、第１シート５１に対して、この順で配線２から遠ざかるように配置する。

具体的には、厚み方向一方側に向かって順に、第４シート５４、第３シート５３、第２シート５２、第１シート５１、配線２、第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、第４シート５４を配置する。

続いて、例えば、これらを熱プレスする。熱プレスでは、例えば、平板プレスが用いられる。

これによって、図１に示すように、第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３、および、第４シート５４が、変形して、それぞれ、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０を形成する。

詳しくは、例えば、第１シート５１は、板形状から、一方側第１円弧部分１５と、他方側第１円弧部分１６とを有し、配線２を埋設する形状に変形し、これによって、第１層１０が形成される。

第２シート５２は、板形状から、一方側第２円弧部２７と他方側第２円弧部２８とを有し、第１層１０の一方面１１および他方面１２に追従する形状に変形し、これによって、第２層１０が形成される。

また、第３シート５３および第４シート５４から、それぞれ、第３層３０および第４層４０が形成される。

なお、磁性組成物が熱硬化性成分を含有する場合には、熱プレスと同時またはその後の加熱によって、磁性組成物が熱硬化する。

これによって、配線２を埋設する磁性層３が形成される。

これによって、配線２および磁性層３を備え、磁性層３の第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０では、隣接する２つの層において、配線２により近い層の比透磁率が、配線２からより遠い層の比透磁率より低い、インダクタ１が製造される。

そして、このインダクタ１では、上記した比透磁率の第１層１０、第２層２０、第３層３０、および、第４層４０を有する磁性層３を備える。

そのため、このインダクタ１は、直流重畳特性に優れる。

このことは、配線２近傍ほど比透磁率が低く磁気飽和が生じにくいことが理由であると推測される。

また、このインダクタ１では、第１層１０が延出部１７を備えるので、直流重畳特性の向上に寄与する磁性粒子（フィラー）の絶対量が多くなり、そのため、直流重畳特性を向上させる。

（変形例）
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

上記した一実施形態では、図１に示すように、磁性層３が、第１層１０〜第４層を備えるが、磁性層３は、ｎ層（ｎは、３以上の正数）を有すれば、特に限定されず、例えば、図示しないが、磁性層３が、第４層４０を備えず、第１層１０〜第３層３０（ｎが３である態様）を備えてよい。また、磁性層３が、第１層１０〜第５層（ｎが５である態様）を備えることもできる。

また、上記した一実施形態では、図１に示すように、配線２が、断面視略円形状を有するが、その断面視形状は、特に限定されず、例えば、図示しないが、断面視略矩形状、断面視楕円形状であってもよい。

一実施形態では、延出部１７は、配線２の周面からインダクタ１の第１方向端面まで至っているが、例えば、図示しないが、配線２の周面からインダクタ１の第１方向端面まで至らず、配線２の周面とインダクタ１の第１方向端面との間の中間部まで、延出させることもできる。

一実施形態では、延出部１７を第１層１０に設けたが、磁性層３におけるいずれの層にも設けることができ、例えば、図７に示すように、第２層２０に設けることができる。

図７に示すように、第１層１０は、断面視略円環形状を有する。第１層１０は、内周面１３と、内周面１３に対して径方向外側に位置する外周面１４とを有する。

第２層１０は、一方側第２円弧部２７、他方側第２円弧部２８、および、延出部１７を有する。

図８に示すように、第２層２０、第３層３０および第４層４０のそれぞれが、１層からなっていてもよい。

第２層２０は、第１層１０の一方面１１に配置されている。第２層２０は、第１層１０の一方面１１に接触する他方面２４と、他方面２４に対向する一方面２３とを有する。

第３層３０は、第２層２０の一方面２３に配置されている。第３層３０は、第２層の一方面２３に接触する他方面３４と、他方面３４に対向する一方面３３とを有する。

第４層４０は、第３層３０の一方面３３に配置されている。第４層４０は、第３層３０の一方面３３に接触する他方面４４と、他方面４４に対向する一方面４３とを有する。

また、第３層３０が、断面視略円弧形状を有することができる。

そして、磁性層３における各層の磁性粒子の種類、形状および容積割合を適宜変更することにより、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層４０において、配線２により近い層の比透磁率を、配線２からより遠い層の比透磁率より、低くしている。

（具体的態様）
以下に第１の態様〜第２の態様において、磁性層３における各層における磁性粒子の種類、形状、容積割合などを変更することにより、配線２により近い層の比透磁率を、配線２からより遠い層の比透磁率より低くした具体的態様を、図３〜図６を参照して、説明する。

なお、図１〜図２では、磁性粒子を描画していないが、図３〜図６では、磁性粒子の形状、第２の磁性粒子の配向を容易に理解するために、描画している。但し、図３〜図６では、磁性粒子の形状および配向等を誇張して描画している。

（第１の態様）
第１の態様のインダクタ１を、図３〜図４を参照して、説明する。

図３に示すように、第１の態様のインダクタ１において、第１層１０は、略球形状を有する第１の磁性粒子６１を含有し、第２層２０、第３層３０および第４層４０は、略扁平形状を有する第２の磁性粒子６２を含有する。

第１の磁性粒子６１は、第１層１０において、配向せず、均一（等方的）に分散している。第１の磁性粒子６１の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。第１の磁性粒子６１の磁性材料としては、好ましくは、有機鉄化合物が熱分解された鉄粉、より好ましくは、カルボニル鉄粉（１０ＭＨｚにおける比透磁率：例えば、１．１以上、好ましくは、３以上、また、例えば、２５以下、好ましくは、２０以下）が挙げられる。

第１層１０は、略球形状の第１の磁性粒子６１を含有するので、その比透磁率を、後述する略扁平形状の第２の磁性粒子６２を含有する第２層２０の比透磁率より、確実に低く設定することができる。また、略球形状の第１の磁性粒子６１であれば、インダクタ１が優れたインダクタンスを有する。さらに、略球形状の第１の磁性粒子６１であれば、磁気飽和を抑制できる。

第２の磁性粒子６２は、第２層２０、第３層３０および第４層４０のそれぞれにおいて、各層に沿う方向に配向している。

具体的には、第２の磁性粒子６２は、第２層２０の一方側第２円弧部２７および他方側第２円弧部２８においては、配線２の円周方向に配向している。なお、第２の磁性粒子６２の面方向と、第２の磁性粒子６２と径方向内側に対向する配線２の円周面に接する接線とがなす角度が、１５度以下である場合を、第２の磁性粒子６２が円周方向に配向していると定義する。

また、第２の磁性粒子６２は、第３層３０および第４層４０において、その面方向に沿って配向している。

第２の磁性粒子６２の最大長さの平均値は、例えば、３．５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

第２の磁性粒子６２の材料としては、好ましくは、Ｆｅ−Ｓｉ合金（１０ＭＨｚにおける比透磁率：２５以上）が挙げられる。

例えば、第２層２０、第３層３０および第４層４０の第２の磁性粒子６２の種類が同一である場合には、第２層２０、第３層３０および第４層４０の第２の磁性粒子６２の容積割合を調整する。この場合には、配線２により近い層における第２の磁性粒子６２の容積割合を、配線２からより遠い層における第２の磁性粒子６２の容積割合より、低く設定する。

また、第２層２０、第３層３０および第４層４０の第２の磁性粒子６２の容積割合が略同一である場合には、第２層２０、第３層３０および第４層４０の第２の磁性粒子６２の種類を変更する。この場合には、配線２により近い層における第２の磁性粒子６２の比透磁率を、配線２からより遠い層における第２の磁性粒子６２の比透磁率より、低くなるように、第２の磁性粒子６２の種類を選択する。

また、第２の磁性粒子６２の容積割合および比透磁率の両方を変更することもできる。

このインダクタ１を製造するには、図４に示すように、第１の磁性粒子６１を含有する第１シート５１と、比透磁率が同一または異なる第２の磁性粒子６２を同一または異なる容積割合で含有する第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４とを準備する。第２の磁性粒子６２は、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４のそれぞれにおいて、面方向に配向している。

その後、配線２と、上記した第１シート５１〜第４シート５４とを熱プレスする。

そして、このインダクタ１は、第１層１０は、略球形状の第１の磁性粒子６１を含有し、第２層２０、第３層３０および第４層４０が、略扁平形状の第２の磁性粒子６２を有する。

そうすると、第１の磁性粒子６１が、第１層１０において等方的に配置される一方、第２層２０の一方側第２円弧部２７および他方側第２円弧部２８においては、第２の磁性粒子６２が、円周方向に配向することができる。そのため、このインダクタ１は、直流重畳特性と、高インダクタンスとの両方に優れる。

また、第２層２０に含まれる略扁平形状の第２の磁性粒子６２が配線２の外周面に配向するので、インダクタ１は、インダクタンスに優れる。

（第２の態様）
第２の態様のインダクタ１を、図５〜図６を参照して、説明する。

図５に示すように、第２の態様のインダクタ１において、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０は、いずれも、略扁平形状の第２の磁性粒子６２を含有する。第２の磁性粒子６２は、略扁平形状を有する。第２の磁性粒子６２は、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０のそれぞれにおいて、各層に沿う方向に配向している。

具体的には、第２の磁性粒子６２は、第１層１０の一方側第１円弧部１５および他方側第１円弧部１６において、配線２の円周方向に配向し、延出部１７において、面方向に配向している。また、第２の磁性粒子６２は、一方側第２円弧部２７および他方側第２円弧部２８において、配線２の円周方向に配向している。一方、第２の磁性粒子６２は、第３層３０および第４層４０において、その面方向に沿って配向している。

例えば、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０の第２の磁性粒子６２の種類が同一である場合には、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０の第２の磁性粒子６２の容積割合を調整する。この場合には、配線２により近い層における第２の磁性粒子６２の容積割合を、配線２からより遠い層における第２の磁性粒子６２の容積割合より、低く設定する。具体的には、第２層２０における第２の磁性粒子６２の容積割合に対する、第１層１０における第２の磁性粒子６２の容積割合の比が、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下、より好ましくは、０．８以下であり、また、例えば、０．５以上、また、０．６以上である。第３層３０および第４層４０の第２の磁性粒子６２の容積割合についても、上記と同様である。

また、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０における第２の磁性粒子６２の容積割合が略同一である場合には、第１層１０、第２層２０、第３層３０および第４層３０の第２の磁性粒子６２の種類を変更する。この場合には、配線２により近い層における第２の磁性粒子６２の比透磁率を、配線２からより遠い層における第２の磁性粒子６２の比透磁率より、低くなるように、第２の磁性粒子６２の種類を選択する。

また、第２の磁性粒子６２の容積割合を変更する方法、および、第２の磁性粒子６２の比透磁率を変更する方法の両方を採用することができる。

第１層１０〜第４層４０の比透磁率の調整の幅がより広い観点から、好ましくは、第２の磁性粒子６２の容積割合を変更する方法よりも、第２の磁性粒子６２の比透磁率を変更する方法が採用される。

一方、優れた生産性を確保する観点から、好ましくは、第２の磁性粒子６２の比透磁率を変更する方法よりも、第２の磁性粒子６２の容積割合を変更する方法が採用される。

また、第１の態様および第２の態様のうち、好ましくは、第１の態様である。第１の態様は、第２の態様より、第１層１０の比透磁率を、第２層２０の比透磁率より、確実かつ容易に、低くすることができる。

第２の態様のインダクタ１を製造するには、図６に示すように、比透磁率が同一または異なる第２の磁性粒子６２を同一または異なる容積割合で含有する第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４を準備する。第２の磁性粒子６２は、第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４のそれぞれにおいて、面方向に配向している。

その後、配線２と、上記した第１シート５１〜第４シート５４とを熱プレスする。

（さらなる変形例）
図示しないが第１層１０〜第４層４０の全てが、例えば、等方性の磁性粒子、具体的には、略球形状の第１の磁性粒子６１を含有してもよい。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

調製例１
＜バインダの調製＞
表１に記載の処方に従って、バインダを調製した。

実施例１
＜第１の態様に基づくインダクタの製造例＞
まず、半径が１３０μｍの配線２を準備した。導線４の半径が１１５μｍであり、絶縁膜５の厚みが１５μｍである。

第１シート５１、第２シート５２、第３シート５３および第４シート５４を、表２に記載の磁性粒子の種類、充填率となるように、作製した。

第１シート５１として、厚み６０μｍのシートを４枚準備した。第２シート５２として、厚み１３０μｍのシートを８枚準備した。第３シート５３として、厚み６０μｍのシートを８枚準備した。第４シート５４として、厚み１００μｍのシートを４枚準備した。

そして、厚み方向一方側に向かって、２枚の第４シート５４、４枚の第３シート５３、、４枚の第２シート５２、２枚の第１シート５１、配線２、２枚の第１シート５１、４枚の第２シート５２、４枚の第３シート５３、２枚の第４シート５４を、順に配置した。

続いて、平板プレスを用いて、これらを熱プレスし、これにより、磁性層３を形成した。

これによって、配線２およびこれを埋設する磁性層３を備えるインダクタ１を製造した。インダクタ１の厚みは、９７５μｍであった。

実施例２〜比較例１
磁性シートの処方を表３〜表６に従って変更した以外は、実施例１と同様に、インダクタ１を製造した。

なお、実施例２のインダクタ１は、第２の態様（詳しくは、磁性層における各層の磁性粒子の種類を変更する態様）に対応する。

また、実施例３のインダクタ１は、第２の態様（詳しくは、磁性層における各層における磁性粒子の含有割合（充填率）を変更する態様）に対応する。

また、実施例４のインダクタ１は、第２の態様であって、磁性層における各層の磁性粒子の種類および含有割合（充填率）の両方を変更する態様である。

＜評価＞
下記の事項を評価し、その結果を表２〜表７に記載する。

＜比透磁率＞
実施例１〜比較例１の第１シート５１と、実施例１〜実施例４の第２シート５２と、実施例１〜実施例４の第３シート５３と、実施例１および実施例３の第４シート５４とのそれぞれの比透磁率を、磁性材料テストフィクスチャを使用したインピーダンスアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、「４２９１Ｂ」）によって測定した。、
＜直流重畳特性＞
ＤＣバイアステストフィクスチャおよびＤＣバイアス電源を取り付けたインピーダンスアナライザ（桑木エレクトロニクス社製、「６５１２０Ｂ」）を用い、実施例１〜比較例１のインダクタ１の導線４に１０Ａの電流を流して、インダクタンス低下率を測定することにより、直流重畳特性を評価した。

インダクタンス低下率は、下記式に基づいて算出した。
［ＤＣバイアス電流を印加しない状態でのインダクタンス−ＤＣバイアス電流を印加した状態でのインダクタンス］／［ＤＣバイアス電流を印加した状態でのインダクタンス］×１００（％）

１ インダクタ
２ 配線
３ 磁性層
４ 導線
５ 絶縁膜
１０ 第１層
２０ 第２層
３０ 第３層
４０ 第４層
１７ 延出部
６１ 第１の磁性粒子（略球形状の磁性粒子）
６２ 第２の磁性粒子（略平板形状の磁性粒子）

Claims (6)

1. 導線、および、前記導線の周面全面に配置される絶縁膜を備える配線と、
   前記配線を埋設する磁性層とを備え、
   前記磁性層は、磁性粒子を含み、
   前記磁性層は、前記配線の周面に接触する第１層と、前記第１層の表面に接触する第２層と、・・・第（ｎ−１）層の表面に接触する第ｎ層とを備え（ｎは、３以上の正数）、
   前記磁性層における隣接する２つの層において、前記配線により近い層の比透磁率が、前記配線からより遠い層の比透磁率より、低いことを特徴とする、インダクタ。
2. 前記配線は、断面視略円形状を有することを特徴とする、請求項１に記載のインダクタ。
3. 前記第２層〜前記第ｎ層のいずれかの層は、前記配線と中心を共有する断面視略円弧形状を有することを特徴とする、請求項２に記載のインダクタ。
4. 前記第１層〜前記第ｎ層のいずれかの層は、前記配線から、前記配線の延びる方向および前記磁性層の厚み方向に直交する方向に延出する延出部を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインダクタ。
5. 前記第１層に含まれる磁性粒子は、略球形状を有し、
   前記第２層〜前記第ｎ層に含まれる磁性粒子は、略扁平形状を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のインダクタ。
6. 少なくとも前記第２層に含まれる磁性粒子が、前記配線の外周面に配向していることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインダクタ。

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