JP2020149071A5 - - Google Patents
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Claims (2)
- 干渉フィルタであって、
前記干渉フィルタは、層スタックを備え、
前記層スタックは、複数の層を備え、
前記複数の層は、
水素化非晶質ケイ素の層と、
前記水素化非晶質ケイ素の屈折率より低い屈折率を有する１つ以上の誘電材料の層と
を少なくとも含み、
前記１つ以上の誘電材料の層は、１．９以上かつ２．７以下の範囲内の屈折率を有する誘電材料の層を含み、
前記１つ以上の誘電材料の層は、ＳｉＯ２層をさらに含み、
前記層スタックは、７５０ｎｍ以上かつ１１００ｎｍ以下の通過帯域波長範囲を有するように構成されており、
前記層スタックは、水素化非晶質ケイ素の介在層を伴うことなく、１．９以上かつ２．７以下の範囲内の屈折率を有する誘電材料の層に直接隣接する少なくとも１つのＳｉＯ２層を含む、干渉フィルタ。 - １．９以上かつ２．７以下の範囲内の屈折率を有する誘電材料の層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯｘＮｙ（ｙは、１．９以上の屈折率を提供するために十分に大きい）、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、または、ＴｉＯ２を備えている１つ以上の層を含む、請求項１に記載の干渉フィルタ。
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