JP2020136062A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、一実施形態に係る基板処理装置1の構成について、図1を参照して説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置1の一例を示す断面模式図である。なお、本実施形態では、RIE(Reactive Ion Etching)型の基板処理装置1を例に挙げて説明する。
次に、バッフル板15、シャッター51及びその周囲の構成について、図1及び図2を参照しながら説明する。図2は、一実施形態に係るバッフル板15、シャッター51及びその周囲の一例を示す拡大図である。
一方、バッフル板15の下面に形成される貫通孔15aの開口152aの直径(φ2.5)は、バッフル板15の下面に形成される貫通孔15bの開口152bの直径(φ2.5)と同じである。また、バッフル板15の厚さをH2とすると、バッフル板15の上面からH1(H1<H2)の距離に段差15a1が設けられている。
変形例としては、例えば、第1の部材は、処理容器10の特定の構成に対応する第2の部材が円周方向に形成する角度と、前記第2の部材以外の角度とに基づき、前記第1の領域の表面積と前記第2の領域の表面積とを変化させて構成してもよい。
10 処理容器
11 ステージ
14 排気路
15 バッフル板
15a、15b 貫通孔
19 搬送口
20 ゲートバルブ
21 第1高周波電源
22 第2高周波電源
24 ガスシャワーヘッド
25 静電チャック
30 エッジリング
40 処理ガス供給部
43 制御部
51 シャッター
52 デポシールド
53 部材
U 処理空間
Claims (7)
- 処理容器と、
高周波電源と、
前記処理容器とともに前記高周波電源から出力された高周波に対する接地面を形成する第1の部材と、を有し、
前記第1の部材は、
前記処理容器内の特定の構成に対応する第1の領域の表面積と、前記第1の部材の前記第1の領域以外の領域である第2の領域の表面積とを変化させてインピーダンスを調整するように構成する、基板処理装置。 - 前記高周波電源から出力された高周波に対する接地面を形成する第2の部材を有し、
前記第1の部材は、
前記処理容器内の特定の構成に対応する前記第2の部材が円周方向に形成する角度と、前記第2の部材が円周方向に形成する角度以外の角度とに基づき、前記第1の領域の表面積と前記第2の領域の表面積とを変化させて構成する、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の部材は、
前記第1の部材の穴の形状又は穴の密度により前記第1の領域の表面積と前記第2の領域の表面積とを変化させて構成する、
請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記第1の部材は、バッフル板である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記バッフル板の前記第1の領域における穴は、前記バッフル板の上面の径よりも前記バッフル板の下面の径が広い、
請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記バッフル板は、コニカル形状である、
請求項4又は5に記載の基板処理装置。 - 前記第2の部材は、シャッターである、
請求項2に記載の基板処理装置。
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