JP2020135972A - イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 - Google Patents
イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020135972A JP2020135972A JP2019024845A JP2019024845A JP2020135972A JP 2020135972 A JP2020135972 A JP 2020135972A JP 2019024845 A JP2019024845 A JP 2019024845A JP 2019024845 A JP2019024845 A JP 2019024845A JP 2020135972 A JP2020135972 A JP 2020135972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- current
- ion beam
- ion
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0046—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof characterised by a specific application or detail not covered by any other subgroup of G01R19/00
- G01R19/0061—Measuring currents of particle-beams, currents from electron multipliers, photocurrents, ion currents; Measuring in plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/243—Beam current control or regulation circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/248—Components associated with high voltage supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
Abstract
Description
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
図2は、一般的なクロスセクションポリッシャ装置(CP)のイオン発生部を備えるイオン光学系の概略を示す構成図である。図2に示すイオン光学系1は、試料3にイオンビームを照射して試料3を加工するイオンミリング装置である。イオンミリング装置では、導入するアルゴンガス(Ar)の流量を調整することでイオンビーム状態(イオンビーム電流値)が調整される。イオン光学系1は、イオンビーム電流測定装置の一例である。
図3は、一般的なイオンスライサ装置(IS)のイオン発生部を備えるイオン光学系の概略を示す構成図である。図3に示すイオン光学系2について、図1のイオン光学系1と異なる点を中心に説明する。イオン光学系2は、ISのイオンソース10、高圧印加回路20A、及びビーム電流測定回路30を備える。ISでは、アノード用電源(電源21)に抵抗22を介して負のフローティング電源25をぶら下げ、アノード11とカソード12,13間に電位差を設ける二電源構成である。イオン光学系2は、イオンビーム電流測定装置の一例である。
本発明者は、イオンソース10内のイオン化状態を乱すことなく、イオンビーム電流値を算出するために、試料加工中に測定可能な他のパラメーターから実際に加工に寄与する情報であるイオンビーム電流値を得る手法を提案する。
まず、本発明の第1の実施形態に係る試料作成装置の制御系について図4を参照して説明する。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る試料作成装置の制御系100を示すブロック図である。図4に示す試料作成装置の制御系100は、試料作成装置1及び試料作成装置2のいずれにも適用することができる。図4に示す試料作成装置の制御系100と図1の試料作成装置の制御系で、実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については同一の符号を付している。
高圧印加回路81は、高圧条件に基づいて、アノード11とカソード12,13との間に電圧を印加してアノード11に出力電流を供給するものである。
次に、第1の実施形態に係るイオンビーム電流値の計算手法の手順について図5を参照して説明する。図5は、第1の実施形態に係るイオンビーム電流値の計算手法の手順例を示すフローチャートである。
図6は、第1の実施形態に係るCPにおける引き出し電流とアルゴンガス流量との関係例を示すグラフである。図中、横軸はアルゴンガス流量[sccm(standard cc/min)]、縦軸は引き出し電流[μA]を示す。図6に示すように、高圧条件の電圧(2.0kV,3.0kV,4.0kV,5.0kV,6.0kV)ごとに、引き出し電流とアルゴンガス流量との関係が異なっており、印加電圧が高いほど同一のアルゴンガス流量に対する電流値が高くなる。
図7は、第1の実施形態に係るCPにおける各種電流とアルゴンガス流量との関係例を示すグラフである。図中、横軸はアルゴンガス流量[sccm]、縦軸は電流[μA]を示す。図7において、イオンビーム電流Aを実線、高圧電源出力電流Bを一点鎖線、引き出し電極の引き出し電流Cを二点鎖線、そして高圧電源出力電流−引き出し電極の引き出し電流Dを破線で表した。図7から、アルゴンガス流量の増加に伴い、高圧電源出力電流Bに対する引き出し電流Cの電流値が大きくなっていることがわかる。そして、高圧電源出力電流から引き出し電極の引き出し電流を差し引いた電流値(高圧電源出力電流−引き出し電極の引き出し電流D)が、イオンビーム電流Aと一致することが確認できる。
図8は、第1の実施形態に係るISにおける引き出し電流とアルゴンガス流量との関係例を示すグラフである。図中、横軸はアルゴンガス流量[sccm]、縦軸は引き出し電流[μA]を示す。図8においても、図6のCPの例と同様に、高圧条件の電圧(2.0kV,3.0kV,4.0kV,5.0kV,6.0kV)ごとに、引き出し電流とアルゴンガス流量との関係が異なっており、印加電圧が高いほど同一のアルゴンガス流量に対する電流値が高くなる。
図9は、第1の実施形態に係るユーザーインターフェイス画面の一例を示す図である。ユーザーインターフェイス画面110には、印加電圧表示部、アルゴンガス流量表示部、及びイオンビーム電流表示部が用意されている。これらの表示部により、オペレーターは、現在の印加電圧(高圧条件)、アルゴンガス流量、及びイオンビーム電流値を確認することができる。
第2の実施形態は、第1の実施形態の計算手法で算出したイオンビーム電流値をアルゴンガスの流量にフィードバックすることで、イオンビーム電流値が最適値になるように動作させる構成である。
上述した第1の実施形態及び第2の実施形態では、アルゴンガス流量と引き出し電極14に流れ込む電流との関係を数値(電流値テーブル)としてメモリに記録したが、電流値テーブルに代えて計算式を用いてもよい。
Claims (8)
- アノードと、カソードと、前記アノードに供給される出力電流を利用してイオンビームを引き出す引き出し電極とを有するイオン源と、
電圧条件に基づいて、前記アノードと前記カソードとの間に電圧を印加して前記アノードに前記出力電流を供給する高圧印加回路と、
前記イオン源内に導入するイオン材となるガスの流量を調整するガス流量調整機構と、
前記イオン材となるガスの流量と前記引き出し電極に流れる引き出し電流の値との関係を表した情報を記録したメモリと、
前記メモリに記録された前記情報に基づいて前記イオン材となるガスの流量に対応する前記引き出し電流を求め、前記高圧印加回路が前記アノードに供給する前記出力電流の値から前記引き出し電流の値を差し引いて、前記引き出し電極を通過する前記イオンビームの電流値を算出する演算処理部と、
前記演算処理部で算出された前記引き出し電極を通過する前記イオンビームの電流値を出力する出力部と、を備える
イオンビーム電流測定装置。 - 前記電圧条件及び前記イオン材となるガスの流量の設定を行う設定部、を更に備え、
前記演算処理部は、前記電圧条件及び前記イオン材となるガスの流量の設定内容に基づいて、前記高圧印加回路及び前記ガス流量調整機構の制御処理を行う
請求項1に記載のイオンビーム電流測定装置。 - 前記電圧条件の設定を行う設定部、を更に備え、
前記演算処理部は、前記電圧条件の設定内容に基づく前記高圧印加回路及び前記ガス流量調整機構の制御処理と、算出した前記イオンビームの電流値に基づいて前記イオン材となるガスの流量を調整する制御処理とを行う
請求項1に記載のイオンビーム電流測定装置。 - 前記演算処理部は、前記イオン材となるガスの流量を調整する制御処理として、
前記電圧条件に対応する前記イオン材となるガスの第1の流量を設定し、
前記メモリに記録された前記情報に基づいて前記イオン材となるガスの第1の流量に対応する前記引き出し電流の第1の電流値を求め、
前記アノードに供給される前記出力電流の値から前記引き出し電流の第1の電流値を差し引いて前記イオンビームの第1の電流値を算出し、
続いて前記イオン材となるガスの第1の流量を所定量だけ変化させた前記イオン材となるガスの第2の流量に対応する前記イオンビームの第2の電流値を算出し、
前記イオンビームの第1の電流値と前記イオンビームの第2の電流値との変化量から、前記イオン材となるガスの流量の調整値を算出する
請求項3に記載のイオンビーム電流測定装置。 - 前記メモリに記録された情報は、前記イオン材となるガスの流量と前記引き出し電極に流れる引き出し電流の値との関係が定義されたテーブルである
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のイオンビーム電流測定装置。 - 前記メモリに記録された情報は、前記イオン材となるガスの流量と前記引き出し電極に流れる引き出し電流の値との関係が定義された計算式である
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のイオンビーム電流測定装置。 - アノードと、カソードと、前記アノードに供給される出力電流を利用してイオンビームを引き出す引き出し電極とを有するイオン源と、
電圧条件に基づいて、前記アノードと前記カソードとの間に電圧を印加して前記アノードに前記出力電流を供給する高圧印加回路と、
前記イオン源内に導入するイオン材となるガスの流量を調整するガス流量調整機構と、
前記イオン材となるガスの流量と前記引き出し電極に流れる引き出し電流の値との関係を表した情報を記録したメモリと、
前記メモリに記録された前記情報に基づいて前記イオン材となるガスの流量に対応する前記引き出し電流を求め、前記高圧印加回路が前記アノードに供給する前記出力電流の値から前記引き出し電流の値を差し引いて、前記引き出し電極を通過する前記イオンビームの電流値を算出する演算処理部と、
前記演算処理部で算出された前記引き出し電極を通過する前記イオンビームの電流値を出力する出力部と、
用意された試料に前記引き出し電極を通過した前記イオンビームが照射され、前記試料の加工が行われる加工室と、を備える
試料作成装置。 - アノードと、カソードと、前記アノードに供給される出力電流を利用してイオンビームを引き出す引き出し電極とを有するイオン源と、電圧条件に基づいて、前記アノードと前記カソードとの間に電圧を印加して前記アノードに前記出力電流を供給する高圧印加回路と、前記イオン源内に導入するイオン材となるガスの流量を調整するガス流量調整機構と、演算処理部と、を備える試料作成装置が試料に照射するイオンビームの電流値を算出するイオンビーム電流算出方法であって、
前記演算処理部は、
前記イオン材となるガスの流量と前記引き出し電極に流れる引き出し電流の値との関係を表した情報に基づいて、前記イオン材となるガスの流量に対応する前記引き出し電流を求め、
前記高圧印加回路が前記アノードに供給する前記出力電流の値から前記引き出し電流の値を差し引いて、前記引き出し電極を通過する前記イオンビームの電流値を算出する
イオンビーム電流算出方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024845A JP6837088B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 |
EP20156661.9A EP3703098A1 (en) | 2019-02-14 | 2020-02-11 | Apparatus for measuring ion beam current, sample preparation apparatus, and method of computing ion beam current |
CN202010088500.0A CN111564352B (zh) | 2019-02-14 | 2020-02-12 | 离子束电流测定装置及计算方法、试样制成装置 |
US16/788,829 US10861672B2 (en) | 2019-02-14 | 2020-02-12 | Apparatus for measuring ion beam current, sample preparation apparatus, and method of computing ion beam current |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019024845A JP6837088B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020135972A true JP2020135972A (ja) | 2020-08-31 |
JP6837088B2 JP6837088B2 (ja) | 2021-03-03 |
Family
ID=69770357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019024845A Active JP6837088B2 (ja) | 2019-02-14 | 2019-02-14 | イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10861672B2 (ja) |
EP (1) | EP3703098A1 (ja) |
JP (1) | JP6837088B2 (ja) |
CN (1) | CN111564352B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4199029A1 (en) | 2021-12-20 | 2023-06-21 | Jeol Ltd. | Apparatus and method for ion milling sample |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0254851A (ja) | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Fujitsu Ltd | 電界電離型ガスイオン源の制御方法 |
JP2834466B2 (ja) * | 1989-01-11 | 1998-12-09 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム装置及びその制御方法 |
JP3303587B2 (ja) * | 1994-03-17 | 2002-07-22 | 株式会社日立製作所 | 質量分析装置及びイオン源 |
JPH11185647A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Nec Corp | イオン源装置 |
JP4299074B2 (ja) * | 2003-08-18 | 2009-07-22 | 日本電子株式会社 | 集束イオンビーム装置 |
JP4776300B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-09-21 | 日本電子株式会社 | ガス流量設定方法およびイオンビーム加工装置 |
US8501624B2 (en) * | 2008-12-04 | 2013-08-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Excited gas injection for ion implant control |
JP5432028B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-03-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法 |
JP2014032836A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 集束イオンビーム装置 |
JP2014137901A (ja) * | 2013-01-16 | 2014-07-28 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 |
JP6294182B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-03-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンガン及びイオンミリング装置、イオンミリング方法 |
-
2019
- 2019-02-14 JP JP2019024845A patent/JP6837088B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-11 EP EP20156661.9A patent/EP3703098A1/en active Pending
- 2020-02-12 US US16/788,829 patent/US10861672B2/en active Active
- 2020-02-12 CN CN202010088500.0A patent/CN111564352B/zh active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4199029A1 (en) | 2021-12-20 | 2023-06-21 | Jeol Ltd. | Apparatus and method for ion milling sample |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6837088B2 (ja) | 2021-03-03 |
EP3703098A1 (en) | 2020-09-02 |
US20200266028A1 (en) | 2020-08-20 |
US10861672B2 (en) | 2020-12-08 |
CN111564352B (zh) | 2024-02-06 |
CN111564352A (zh) | 2020-08-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6556993B2 (ja) | 断面形成用途のプロセス自動化のためのパターン認識を伴う差分画像化 | |
JP5969229B2 (ja) | 集束イオンビーム装置およびイオンビーム光学系の調整方法 | |
US8766542B2 (en) | Field-emission electron gun and method for controlling same | |
WO2016110996A1 (ja) | 電子銃、電子銃の制御方法および制御プログラム並びに3次元造形装置 | |
JPWO2016027319A1 (ja) | 質量分析装置 | |
JP6837088B2 (ja) | イオンビーム電流測定装置、試料作成装置及びイオンビーム電流算出方法 | |
JP5806942B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び演算装置 | |
US10062542B2 (en) | Particle beam microscope and method for operating a particle beam microscope | |
CN103367087B (zh) | 自动化离子束空闲 | |
US20120145896A1 (en) | Gas delivery in a microscope system | |
US20160111249A1 (en) | Methods and Apparatus for Determining, Using, and Indicating Ion Beam Working Properties | |
JP2011210715A (ja) | イオン電流密度計測方法、イオン電流密度計測装置及びプラズマ処理装置並びに記録媒体及びプログラム | |
JP6199561B2 (ja) | 電界放出源の放出パラメータの決定 | |
US11508552B2 (en) | Ion milling device | |
JP6129982B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
Lucena-Polonio et al. | Mass spectrometry diagnosis of ion species in low-pressure plasmas | |
Danilatos | Implications of the figure of merit in environmental SEM | |
US8766210B2 (en) | Variable energy charged particle systems | |
JP6222805B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置および観察像形成方法 | |
JP2005340009A (ja) | X線発生制御方法およびその装置 | |
CN110178199A (zh) | 带电粒子束系统和方法 | |
JP2008293724A (ja) | イオン注入装置及びそのイオンビームの均一性調整方法 | |
JP4991410B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
JP6796517B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
WO2013043794A2 (en) | Liquid metal ion source, system and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6837088 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |