JP2020123684A - 半導体基板の分離方法と分離用治具 - Google Patents

Abstract

【課題】 へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板を複数のバーに分離するのを促進する。【解決手段】 へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板を準備する。半導体基板を間に置いて、バーの長さ方向において対向するように、２つの治具を配置する。２つの治具はどちらもバーに一つ置きに対応した接触部を持ち、隣り合うバーにそれぞれの接触部が交互に対応するように配置されている。２つの治具の距離を縮めてバーを押し、隣り合うバー同士の位置をずらすことで、バーへの分離を促進できる。【選択図】 図１

Description

この発明は、へき開によって複数のバーが並んだ状態になった半導体基板の分離方法および分離用治具に関する。

半導体製品の中には、半導体レーザなどのように、その製造過程において、半導体基板をへき開によって複数のバーに分離するものがある（例えば特許文献１参照）。

特開平５−３０４３３９号公報

しかし、へき開後の半導体基板は、複数のバーが完全に分離していないことがある。理由の１つは、へき開後のへき開面は平坦度が高いため、へき開面が再密着することがあるからである。別の理由は、半導体基板の表面または裏面の絶縁物または金属材料がへき開では分離されず、隣り合うバー間でつながったまま残ることがあるからである。

この発明は上記の問題を解決するためになされたもので、その目的は半導体基板を複数のバーに分離するのを促進する方法および治具を得ることである。

この発明に係る半導体基板の分離方法は、へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板を準備する準備工程と、半導体基板の少なくとも一部を間に置き、対向する位置に２つの治具を配置する配置工程と、２つの治具の距離を縮めることで、２つの治具がバーを押し、隣り合うバーの位置をずらす分離工程とを備える。

また、この発明に係る半導体基板の分離用治具は、へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板の分離用治具であって、どちらも凸形状の接触部を持つ２つの部品で構成され、一方の部品の接触部は、半導体基板の端にあるバーから一つ置きに対応し、他方の部品の接触部は、半導体基板の端にあるバーの隣のバーから一つ置きに対応する。

この発明の半導体基板の分離方法および分離用治具によれば、隣り合うバーの位置をずらすため、半導体基板を複数のバーに分離するのを促進できる。

実施の形態１に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る半導体基板の図である。 実施の形態１に係る半導体基板のへき開工程を説明するための図である。 実施の形態１に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態１に係る治具の変形例を示す図である。 実施の形態２に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態２に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態３に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態３に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態３に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態４に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態４に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態４に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態５に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態５に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。 実施の形態５に係る半導体基板の分離方法を説明するための図である。

実施の形態１．
この実施の形態では、半導体基板１０を治具１４ａ、１４ｂを用いて分離する。図１は半導体基板１０、治具１４ａ、１４ｂを示す斜視図である。図１にｘ軸、ｙ軸、ｚ軸を図示しており、それぞれが示す方向は、後述のレーザダイオード（ＬＤ）バー１２が並ぶ方向、ＬＤバー１２の長さ方向、半導体基板１０の表面に垂直な方向である。図２は図１をｚ軸方向から見た図である。

半導体基板１０は複数のＬＤバーが並んだ状態であり、へき開を含む工程を経て形成されたものである。半導体基板１０を得るには、まず、ＬＤがマトリックス状に形成された半導体基板を粘着シート（図示せず）に貼り付け、図３のように、半導体基板端の片側または両側に、へき開面方向に平行なスクライブ線２０を導入する。そして、図４のように、スクライブ線２０の導入によって形成された微小亀裂を開口する方向に応力を加え、へき開を進行させる。これにより、複数のＬＤバー１２に分けられた半導体基板１０が得られる。

しかし、へき開後の半導体基板１０は、複数のＬＤバー１２が完全に分離していないことがある。理由の１つは、へき開後のへき開面は平坦度が高いため、へき開によって分離された隣り合うＬＤバー１２同士が再密着してしまうことがあるからである。別の理由は、半導体基板１０の表面または裏面の絶縁物または金属材料がへき開では分離されず、隣り合うＬＤバー１２の間でつながったまま残ることがあるからである。

治具１４ａおよび１４ｂは、それぞれ複数の接触部１６ａ、１６ｂを持つ。接触部１６ａ、１６ｂは凸形状を持つ。接触部１６ａ、１６ｂはどちらも隣同士の間隔ｄがＬＤバー１２の幅ｗの２倍である（ｄ、ｗは図２に示した）。

ここから、この実施の形態に係る半導体基板の分離方法を説明する。

まず、図１、２のように、半導体基板１０、治具１４ａ、１４ｂを配置する。図示していないが、半導体基板１０の裏面には粘着シートが貼り付けられている。ここで、半導体基板１０の端にあるＬＤバー１２をＬＤバーＡ、その隣をＬＤバーＢと称することにする。これらには図１でそれぞれＡ、Ｂと記している。治具１４ａと１４ｂは、ｙ軸方向において対向する位置に配置されている。治具１４ａは、ＬＤバー１２に対し、複数の接触部１６ａがＬＤバーＡから一つ置きに対応するように置かれている。一方、治具１４ｂは、複数の接触部１６ｂがＬＤバーＢから一つ置きに対応するように置かれている。

次に、図５に示すように、治具１４ａおよび１４ｂを、両者の距離を縮めるように動かし、接触部１６ａおよび１６ｂを半導体基板１０に接触させ、さらに動かす。その結果、隣り合うＬＤバー１２に、ｙ軸方向において互いに逆方向の力が加わる。これにより、上述したように複数のＬＤバー１２が完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバー１２の位置がずれることで、複数のＬＤバー１２が分離される。

次に、粘着シートをｘ軸方向に引っ張るエキスパンド工程を実施し、ＬＤバー１２の分離を完了する。その後、分離されたＬＤバーを個々のチップに分割し、チップ分割を完了する。

以上のとおり、この実施の形態によれば、複数のＬＤバーが完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバーに互いに逆方向の力が加わることで隣り合うＬＤバーの位置をずらすため、半導体基板を複数のＬＤバーに分離するのを促進できる。

また、隣り合うＬＤバーの位置を平坦なへき開面に沿ってずらすため、ＬＤバー同士がこすれることによる端面外観品質の低下も抑制できる。この実施の形態の方法を用いずに半導体基板の複数のＬＤバーへの分離を促進するには、へき開実施時に加える応力や押し込み量を大きくすることが考えられるが、このような方法ではへき開端面の外観品質が著しく低下する懸念がある。これに対し、この実施の形態では、隣り合うＬＤバーの位置をずらす際に大きな力を加える必要はなく、しかも平坦なへき開面に沿ってずらすため、端面外観品質低下を抑えられる。

なお、接触部１６ａ、１６ｂは、図６のように、のこぎりの歯の形状を持つものであってもよい。のこぎりの歯の形状とは、図に示したような三角の凸形状のことである。

また、これまでの図において、治具１４ａと１４ｂの形状が異なるように描いたが、同一形状としてもよい。この場合、治具を２種類作成する必要がないことに加え、この実施の形態の方法を実施する際に、これらの治具を保持する装置（図示せず）との組み合わせに気を使う必要がないというメリットがある。

実施の形態２．
ここでは主に実施の形態１と相違する部分について記載する。

この実施の形態では、半導体基板１０を治具３４ａと３４ｂを用いて分離する。図７は半導体基板１０、治具３４ａ、３４ｂを示す斜視図である。

半導体基板１０は実施の形態１について説明したものと同様である。

治具３４ａおよび３４ｂは、それぞれ複数の接触部３６ａ、３６ｂを持つ。実施の形態１と同様に、接触部３６ａ、３６ｂはどちらも隣同士の間隔がＬＤバー１２の幅の２倍である。

ここから、この実施の形態に係る半導体基板の分離方法を説明する。

まず、図７のように、半導体基板１０、治具３４ａ、３４ｂを配置する。図示していないが、半導体基板１０の表面と治具３４ｂとの間には保護シートが挟まれている。治具３４ａと３４ｂは、ｚ軸方向において対向する位置に配置されている。治具３４ａは、ＬＤバー１２に対し、複数の接触部３６ａがＬＤバーＡから一つ置きに対応するように置かれている。一方、治具３４ｂは、複数の接触部３６ｂがＬＤバーＢから一つ置きに対応するように置かれている。

次に、図８に示すように、治具３４ａおよび３４ｂを、両者の距離を縮めるように動かし、接触部３６ａおよび３６ｂを半導体基板１０に接触させ、さらに動かす。その結果、隣り合うＬＤバー１２に、ｚ軸方向において互いに逆方向の力が加わる。これにより、複数のＬＤバー１２が完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバー１２の位置がずれることで、複数のＬＤバー１２が分離される。

以上のとおり、この実施の形態によれば、半導体基板を複数のＬＤバーに分離するのを促進できるのに加え、隣り合うＬＤバーをずらす方向がｚ軸方向であるため、エキスパンド工程を実施後、ＬＤバーのｙ軸方向におけるずれがなく、複数のＬＤバーを取り扱うのが容易である。

なお、接触部３６ａ、３６ｂは、図示しないが、のこぎりの歯の形状を持つものであってもよい。

また、これまでの図において、ｙ軸方向において接触部３６ａ、３６ｂの長さが半導体基板１０と同じとして描いたが、そうでなくてもよい。例えば、ｙ軸方向において接触部３６ａ、３６ｂの長さが半導体基板１０より短くてもよい。また、接触部３６ａ、３６ｂが、両端付近および中心付近のみであってもよい。また、接触部３６ａ、３６ｂが、両端付近のみであってもよい。ここではこれ以上説明しないが、接触部３６ａ、３６ｂの形状は、半導体基板の長さや材料等の条件に応じて、可能なものを採用すればよい。

また、保護シートは必須ではない。半導体基板１０に接触部３６ｂが接触する領域に半導体機能素子が形成されていない場合、あるいは接触部３６ｂとの接触で受けるダメージが許容できる場合、保護シートは使用しなくてもよい。

実施の形態３．
ここでは主に実施の形態１と相違する部分について記載する。

この実施の形態では、半導体基板５０を治具５４ａと治具５４ｂを用いて分離する。図９は半導体基板５０、治具５４ａ、５４ｂを示す斜視図である。なお、図中の治具を透明にしたのは治具で隠れた部分が見えるようにするためであり、単に説明のためである。図１０は図９をｘ軸方向から見た図である。

半導体基板５０は実施の形態１について説明したものと同様だが、ＬＤバー５２が表面側に凸構造６０ａまたは６０ｂを有する点で異なる。ここで、半導体基板５０の端にあるＬＤバー５２をＬＤバーＡ、その隣をＬＤバーＢと称することにする。これらには図９でそれぞれＡ、Ｂと記している。半導体基板５０のｙ軸方向における一端付近に、ＬＤバーＡから一つ置きに凸構造６０ａが形成されている。また、他端付近に、ＬＤバーＢから一つ置きに凸構造６０ｂが形成されている。

治具５４ａおよび５４ｂは、それぞれ平らな接触面５６ａ、５６ｂを持つ。接触面５６ａ、５６ｂの位置は図１０に示した。

ここから、この実施の形態に係る半導体基板の分離方法を説明する。

まず、図９、１０のように、半導体基板５０、治具５４ａ、５４ｂを配置する。治具５４ａ、５４ｂは、ｙ軸方向において対向する位置に、接触面５６ａ、５６ｂが凸構造６０ａ、６０ｂを間に置くように配置されている。このとき、図１０に示すように、接触面５６ａと５６ｂの下端は、半導体基板５０の凸構造６０ａ、６０ｂが形成されていない表面より上、凸構造６０ａ、６０ｂの上面より下に配置されている。

次に、図１１に示すように、治具５４ａおよび５４ｂを、両者の距離を縮めるように動かし、接触面５６ａおよび５６ｂをそれぞれ凸構造６０ａ、６０ｂに接触させ、さらに動かす。その結果、隣り合うＬＤバー５２に、ｙ軸方向において互いに逆方向の力が加わる。これにより、複数のＬＤバー５２が完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバー５２の位置がずれることで、複数のＬＤバー５２が分離される。

以上のとおり、この実施の形態によれば、半導体基板を複数のＬＤバーに分離するのを促進できるのに加え、治具の構造が単純で済むという効果が得られる。特に、ＬＤのチップサイズが小さくなっても、治具５４ａおよび５４ｂの接触面５６ａ、５６ｂに微小な構造は不要で、単に平らな面であれば済む。

また、ＬＤバー５２の幅ｗが機種によって異なる場合でも治具は１種類で済む。実施の形態１および２では、治具の接触部がＬＤバーの幅ｗの２倍の間隔を持つ必要がある。そのため、ＬＤバーの幅の種類に応じて複数種の治具が必要になる。これに対し、この実施の形態ではその必要がない。

なお、凸構造６０ａ、６０ｂの高さは３μｍ以上が望ましい。それより低い場合、治具の接触面５６ａ、５６ｂを凸構造６０ａ、６０ｂに当てたり押したりするのが難しくなる。

また、凸構造６０ａ、６０ｂの高さは１０μｍ以下が望ましい。へき開面はＬＤの出射または反射端面になるため、所望の光学特性を持たせたる目的で、ＬＤバー５２の分離が完了したあと、へき開面に多層膜を成膜する。その場合、成膜材料が半導体基板５０の表面側に回り込むのを防止するには、凸構造６０ａ、６０ｂの高さは１０μｍ以下が望ましい。

また、凸構造６０ａ、６０ｂの材料、形状は、印加される力に耐えうるものであればよい。

また、これまでの図では、凸構造６０ａ、６０ｂは半導体基板５０の端から内部に入った位置から形成されているように描いたが、端まで形成されていてもよい。

実施の形態４．
ここでは主に実施の形態２と相違する部分について記載する。

この実施の形態では、半導体基板７０を治具７４ａと７４ｂを用いて分離する。図１２は半導体基板７０、治具７４ａ、７４ｂを示す斜視図である。図１３は図１２をｙ軸方向から見た図である。

半導体基板７０は実施の形態２について説明したものと同様だが、ＬＤバー７２が裏面側に凸構造８０ａあるいは表面側に凸構造８０ｂを有する点で異なる。ここで、半導体基板７０の端にあるＬＤバー７２をＬＤバーＡ、その隣をＬＤバーＢと称することにする。これらには図１２でそれぞれＡ、Ｂと記している。半導体基板７０の裏面において、ＬＤバーＡから一つ置きに凸構造８０ａが形成されている。また、半導体基板７０の表面において、ＬＤバーＢから一つ置きに凸構造８０ｂが形成されている。

治具７４ａおよび７４ｂは、それぞれ平らな接触面７６ａ、７６ｂを持つ。接触面７６ａ、７６ｂの位置は図１３に示した。

ここから、この実施の形態に係る半導体基板の分離方法を説明する。

まず、図１２、１３のように、半導体基板７０、治具７４ａ、７４ｂを配置する。治具７４ａ、７４ｂは、ｚ軸方向において対向する位置に、接触面７６ａ、７６ｂが向き合うように配置されている。

次に、図１４に示すように、治具７４ａおよび７４ｂを、両者の距離を縮めるように動かし、接触面７６ａおよび７６ｂをそれぞれ凸構造８０ａ、８０ｂに接触させ、さらに動かす。その結果、隣り合うＬＤバー７２に、ｚ軸方向において互いに逆方向の力が加わる。これにより、複数のＬＤバー７２が完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバー７２の位置がずれることで、複数のＬＤバー７２が分離される。

以上のとおり、この実施の形態によれば、半導体基板を複数のＬＤバーに分離するのを促進できるのに加え、治具の構造が単純で済むという効果が得られる。特に、ＬＤのチップサイズが小さくなっても、治具７４ａおよび７４ｂの接触面７６ａ、７６ｂに微小な構造は不要で、単に平らな面であれば済む。

なお、凸構造８０ａ、８０ｂの高さは３μｍ以上が望ましい。それより低い場合、隣り合うＬＤバー７２を分離するのに必要なずれ量が得られない可能性がある。また、この分離方法を実施することで、凸構造８０ａ，８０ｂが掛かる力を吸収しきれず、付近が損傷するおそれがある。さらに、治具の接触面７６ａ、７６ｂが半導体基板７０の表面または裏面の凸構造８０ａ、８０ｂ以外の箇所に接触し、損傷が生じるおそれがある。

また、凸構造８０ａ、８０ｂの高さは１０μｍ以下が望ましい。理由は実施の形態３に関して記載したのと同様である。

また、凸構造８０ａ、８０ｂの材料、形状は、印加される力に耐えるものであればよい。なお、実施の形態３に比べ、この実施の形態では凸構造と治具が接触する面積が広いため、上記の耐力は小さくて済む。

また、これまでの図では、凸構造８０ａ、８０ｂはＬＤバー１つの裏面または表面のほぼ全面に形成されているように描いたが、少なくとも接触面７６ａ、７６ｂが当たる部分に形成されていればよい。また、接触面７６ａ、７６ｂが当たる部分の全面に形成されていなくてもよい。例えば、ＬＤバー１つ当たり複数の凸構造が島状に形成されていてもよいし、ｚ軸方向から見た凸構造の内部に穴が１つ以上あってもよい。

また、半導体基板７０と治具７４ｂの間に保護シートが挟まれていなくてもよい。この実施の形態では半導体基板の表面に凸構造８０ｂが形成されており、これが治具に対する保護の機能を持つからである。

実施の形態５．
ここでは主に実施の形態１と相違する部分について記載する。

この実施の形態では、半導体基板１０を治具９４ａと９４ｂを用いて分離する。図１５は半導体基板１０、治具９４ａ、９４ｂを示す斜視図である。図１６は図１５をｚ軸方向から見た図である。

半導体基板１０は実施の形態１について説明したものと同様である。

治具９４ａおよび９４ｂは、それぞれ平らな接触面９６ａ、９６ｂを持つ。接触面９６ａ、９６ｂの位置は図１６に示した。

ここから、この実施の形態に係る半導体基板の分離方法を説明する。

まず、図１５、１６のように、半導体基板１０、治具９４ａ、９４ｂを配置する。治具９４ａと９４ｂは、ｙ軸方向において対向する位置に配置されている。そして、接触面９６ａと９６ｂはｚ軸方向から見てｘ軸方向に対して同じ角度で傾くように配置する。つまり、接触面９６ａと９６ｂは平行である。

次に、図１７に示すように、治具９４ａおよび９４ｂを、両者の距離を縮めるように動かし、接触面９６ａおよび９６ｂを半導体基板１０に接触させ、さらに動かす。その結果、複数のＬＤバー１２に、ｙ軸方向における位置が少しずつずれるような力が加わる。これにより、複数のＬＤバー１２が完全に分離していなかった場合でも、隣り合うＬＤバー１２の位置がずれることで、複数のＬＤバー１２が分離される。

以上のとおり、この実施の形態によれば、半導体基板を複数のＬＤバーに分離するのを促進できるのに加え、治具の構造が単純で済むという効果が得られる。特に、ＬＤのチップサイズが小さくなっても、治具９４ａおよび９４ｂの接触面９６ａ、９６ｂ微小な構造は不要で、単に平らな面であれば済む。

また、半導体基板に凸構造を形成する必要がない。

また、隣り合うＬＤバー１２をずらす距離は治具９４ａ、９４ｂの傾斜角で設定可能である。

なお、治具９４ａおよび９４ｂによって半導体基板１０に力が加わる際、半導体基板１０がｘ軸方向に動く、あるいは回転することを防ぐために、半導体基板１０を左右から押さえるガイドを用いてもよい。

なお、全ての実施の形態において２つの治具をどちらも動かすとしたが、片方を動かし、他方を静止させておいてもよい。このとき、片方の治具を動かすことで、静止した治具がＬＤバーから力を受けるため、その反作用を考えれば静止した治具もＬＤバーを押すと考えてよい。

また、半導体基板１０の表面または裏面の絶縁物または金属材料がへき開では分離されない課題を解決するには、隣り合うＬＤバーをずらす距離は３μｍあればよい。絶縁物または金属材料の厚みは通常、３μｍ程度であるため、これと同等の距離をずらせればよい。ずれの距離を検査装置で検出して治具の動作を停止させる場合は、３μｍ以上という条件を満たしさえすれば、検出装置等の都合に合わせた距離であればよい。

また、半導体基板にはＬＤが形成されているとしたが、へき開によって複数のバーに分離するのであれば、形成物の種類は問わない。

また、２つの治具が分離しているとしたが、１つの治具中の２つの構成品であってもよい。その場合、この治具は２つの構成品間の距離を変える機能を持つ必要がある。

また、複数のＬＤバーの幅（ｗ）は全てのＬＤバーで等しいとしたが、異なっていてもよい。

１０、５０、７０ 半導体基板
１２、５２、７２ ＬＤバー
１４ａ、３４ａ、５４ａ、７４ａ、９４ａ 治具ａ
１４ｂ、３４ｂ、５４ｂ、７４ｂ、９４ｂ 治具ｂ
１６ａ、３６ａ 接触部ａ
１６ｂ、３６ｂ 接触部ｂ
５６ａ、７６ａ、９６ａ 接触面ａ
５６ｂ、７６ｂ、９６ｂ 接触面ｂ
６０ａ、８０ａ 凸構造ａ
６０ｂ、８０ｂ 凸構造ｂ

Claims (11)

1. へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板を準備する準備工程と、
   前記半導体基板の少なくとも一部を間に置き、対向する位置に２つの治具を配置する配置工程と、
   前記２つの治具の距離を縮めることで、前記２つの治具が前記バーを押し、隣り合う前記バーの位置をずらす分離工程とを含む半導体基板の分離方法。
2. 前記分離工程では、前記２つの治具が、隣り合う前記バーを互いに逆方向に押す請求項１に記載の半導体基板の分離方法。
3. 前記配置工程では、前記２つの治具を前記バーの長さ方向において対向する位置に配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具の前記バーの長さ方向における距離を縮めることで、前記２つの治具が前記バーを押し、隣り合う前記バーの、前記バーの長さ方向における位置をずらす請求項２に記載の半導体基板の分離方法。
4. 前記配置工程では、前記２つの治具を前記半導体基板の表面に垂直な方向において対向する位置に配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具の前記半導体基板の表面に垂直な方向における距離を縮めることで、前記２つの治具が前記バーを押し、隣り合う前記バーの、前記半導体基板の表面に垂直な方向における位置をずらす請求項２に記載の半導体基板の分離方法。
5. 前記２つの治具はどちらも前記バーに一つ置きに対応した接触部を有し、
   前記配置工程では、前記２つの治具を、それぞれの前記接触部が、隣り合う前記バーに交互に対応するように配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具のそれぞれの前記接触部が、前記配置工程で対応させた前記バーを押す請求項３または４に記載の半導体基板の分離方法。
6. 前記接触部はのこぎりの歯の形状を有する請求項５に記載の半導体基板の分離方法。
7. 前記バーは、前記半導体基板の表面側に、隣り合う前記バーにおいて前記バーの長さ方向の一端と他端付近に交互に形成された凸構造を有し、
   前記２つの治具はどちらも接触面を有し、
   前記配置工程では、前記２つの治具を、それぞれの前記接触面の間に前記凸構造の少なくとも一部を置くように配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具の前記接触面が、前記凸構造を押す請求項３に記載の半導体基板の分離方法。
8. 前記バーは、隣り合う前記バーにおいて前記半導体基板の表面と裏面に交互に形成された凸構造を有し、
   前記２つの治具はどちらも接触面を有し、
   前記配置工程では、前記２つの治具を、それぞれの前記接触面の間に前記凸構造の少なくとも一部を置くように配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具の前記接触面が、前記凸構造を押す請求項４に記載の半導体基板の分離方法。
9. 前記２つの治具はどちらも接触面を有し、
   前記配置工程では、前記２つの治具を、前記バーの長さ方向において対向する位置に、かつ、それぞれの前記接触面が、前記半導体基板に垂直な方向から見て前記バーが並ぶ方向に対して同じ角度で傾くように配置し、
   前記分離工程では、前記２つの治具の前記バーの長さ方向における距離を縮めることで、前記接触面が前記バーを押し、隣り合う前記バーの、前記バーの長さ方向における位置をずらす請求項１に記載の半導体基板の分離方法。
10. へき開によってバーが並んだ状態になった半導体基板の分離用治具であって、
    どちらも凸形状の接触部を有する２つの部品で構成され、
    一方の前記部品の前記接触部は、前記半導体基板の端にある前記バーから一つ置きに対応し、
    他方の前記部品の前記接触部は、前記半導体基板の前記端にある前記バーの隣の前記バーから一つ置きに対応する半導体基板の分離用治具。
11. 前記接触部はのこぎりの歯の形状を有する請求項１０に記載の半導体基板の分離用治具。

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