JP2020122173A - スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタ膜の製造方法、膜体の製造方法、積層構造体、積層構造体の製造方法、有機el装置、及び有機el装置の製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット部材、スパッタリングターゲット、スパッタ膜の製造方法、膜体の製造方法、積層構造体、積層構造体の製造方法、有機el装置、及び有機el装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
0.10≦In(In+Ga+Sn)≦0.55 (1)
0.10≦Ga(In+Ga+Sn)≦0.55 (2)
0.04≦Sn(In+Ga+Sn)≦0.30 (3)
本発明に係るスパッタリングターゲット部材は、一実施形態において、Ga、In、Sn、O、及び不可避的不純物で形成されたスパッタリングターゲット部材であって、Ga/Inの原子比が0.95以上1.05以下であり、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.005以上0.040未満であり、X線回折において(Ga,In)2O3に同定されるピークを有する。ICDDカードにおいて、(Ga,In)2O3は、No.00−014−0564である。以下、当該スパッタリングターゲット部材の好適な条件例について説明する。
本発明に係るスパッタリングターゲット部材は一実施形態において、Ga、In、SnO、及び残部が不可避的不純物で形成される。不可避的不純物とは、概ね金属あるいは金属酸化物製品において、原料中に存在したり、製造工程において不可避的に混入したりするもので、例えば原料粉粉砕時のメディアなどが挙げられる。本来は不要なものであるが、微量であり、金属あるいは金属酸化物製品の特性に影響を及ぼさないため、許容されている不純物である。本発明に係るスパッタリングターゲット部材において、不可避的不純物の総量は一般的には1000質量ppm以下であり、典型的には500質量ppm以下であり、より典型的には100質量ppm以下である。
Sn/(Ga+In+Sn)の原子比は、(Ga,In)2O3相の他に、Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)を生成させ、結晶粒径の粗大化を防止して、スパッタリングターゲット部材のクラックを低減するという観点から、下限側として0.005以上であり、0.006以上であることが好ましく、0.01以上であることがより好ましく、0.02以上であることが更に好ましい。また、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比は、(Ga,In)2O3相量を制御するため、上限側として0.040未満であり、0.036以下であることが好ましく、0.025以下であることがより好ましい。
<測定条件>
XRD回折装置の一例:Smart Lab(株式会社リガク製)
管電圧:40kV
管電流:30mA
測定範囲:2θ=10°〜90°
スキャン軸:2θ/θ、
スキャン速度:10°/min
ステップ幅:0.01°
解析ソフトウェア:PDXL(SmartLabに付属)
なお、EPMAによる面分析を下記に説明する。
スパッタリングターゲット部材を切り出して試験片とする。次いで、この試験片をスライシングマシンで約1cm×1cm×1cm角に切断したものを測定サンプルとして、研磨材を用い、鏡面研磨を行う。電子線マイクロアナライザ(例:JXA−8500F、日本電子株式会社製)を用いて、面分析により試験片の研磨面を測定し、任意に選択した少なくとも3点測定する。
<測定条件>
加圧電流:15.0kv
照射電流:1.0〜2.0×10-7A
測定倍率:2000倍
解像度:256×256dpi
走査:ビームスキャン
なお、面積率を求める際には、以下の手順により行う。
1.面分析の結果を表示する。
2.GaとInとSnの面分析結果に対し、粒子計測を実行し、GaとInとSnが重なる領域を求める。この領域は、当該スパッタリングターゲット部材が先述したXRDによりGa3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)の存在しかほとんど確認されないので、EPMAで確認されたGaとInとSnが共存した、Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)であると断定して求めるものである。
粒子計測は、以下の条件とする。JXA−8500Fに付属のソフトの粒子計測を利用すると、フィルター、二値化の方法、ラべリング方法等を選択する必要があるが、それぞれ以下とする。
<粒子計測の条件>
フィルター:スムージングフィルター
二値化:自動
二値化のラべリング:8連結、外周の粒子もラべリングする
ラべリング像の計測:専有面積率
専有面積率において、ラべリングした粒子のそれぞれのInとGaとSnが重なる領域の面積率が表示される。
3.Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)の面積率を算出する。すなわち、本発明においては、Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)の面積率は、試験片の研磨面を少なくとも計測した3点における測定範囲内の合計面積に対する、ラベリングした粒子から計測されたGa3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)の面積を算出したGa3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)の合計面積の割合により示される。
<成膜条件>
スパッタ装置:キャノンアネルバ社製、型番:SPF−313H
基板 :EAGLE XG(コーニング社製)
入力 :1W/cm2
基板温度 :常温
到達真空度 :2.0×10-4Pa以下
スパッタガス:Ar+酸素(0、1、2、3体積%)
ガス流量 :50sccm
膜厚 :100nm
仕事関数は例えば、光電子分光法により測定することができる。測定においては、以下の装置、手順を用いる。
装置の一例:大気中光電子分光装置AC−3(RIKEN KEIKI製)
手順:スパッタ後、10分以内に成膜基板を真空パックし、測定直前に大気開放する。大気中に保管しておくと、表面が劣化し、正確な値が出ないためである。
走査電子顕微鏡(SEM)により、中心を通りスパッタ面に垂直な面で切ったターゲット断面を観察した場合、スパッタ中におけるパーティクルの低減やアーキングの抑制という観点から、クラック数が少ない方が好ましい。例えば、後述するSEM分析において、異なる視野における格子線とクラックの交差点の平均が30未満であることが好ましく、20未満であることがより好ましく、10未満であることが更に好ましく、5未満であることが更により好ましい。
なお、SEMによる分析を下記に説明する。
スパッタリングターゲット部材を切り出して試験片とする。次いで、この試験片をスライシングマシンで約1cm×1cm×1cm角に切断したものを測定サンプルとして、EPMA(JXA−8500F、日本電子株式会社製)を用いて、加速電圧15.0kV、2000倍の倍率で観察して、任意に選択した少なくとも3点を測定する。2000倍の倍率で測定したSE像中のクラック数の計測については以下の方法で行う。例えば、後述する図15は、比較例1のSE像(2000倍)であるが、そこに互いに隣接した合計16のマスとなるように、1マスが横15μm、縦11.2μmの格子線を描く。格子線の太さは0.2μmとする。このマスの外周の線と、クラックの交点を数え(△印)、それをクラック数と定義する。ただし、密度が低いものにはポアも存在する。そこで、当該ポアは、図15中の○印で示すように、クラックと異なり、丸い輪郭をもつため、△印と区別し、クラックとしてはカウントしない。
本実施形態に係るスパッタリングターゲット部材では、相対密度が90%以上であることが好ましく、95%以上であることがより好ましく、98%以上であることが更により好ましい。スパッタリングターゲット部材の相対密度は、スパッタ膜の品質と相関がある。スパッタリングターゲット部材が低密度であると、異常放電や空孔部からの発塵により、スパッタ膜にパーティクルを発生させるおそれがある。相対密度が90%以上の場合、内部の空隙の数は操業の許容範囲となり、空隙によるパーティクルの発生を抑制することができる。ただし、空隙は少ない方がよい。
なお、スパッタリングターゲット部材の相対密度の算出方法を以下に説明する。
本発明において「相対密度」は、相対密度=(測定密度/計算密度)×100(%)で表される。計算密度とは、焼結体の各構成元素において、酸素を除いた元素の酸化物の理論密度から算出される密度の値である。本発明のGa−In−Sn−Oターゲットであれば、各構成元素であるガリウム、インジウム、錫、酸素のうち、酸素を除いたガリウム、インジウム、錫の酸化物として、酸化ガリウム(Ga2O3)と酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)とを計算密度の算出に用いる。ここで、焼結体中のガリウムとインジウムと錫との元素分析値(at%、又は質量%)から、酸化ガリウム(Ga2O3)と酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)との質量比に換算する。例えば、換算の結果、酸化ガリウムが40質量%、酸化インジウムが40質量%、酸化錫が20質量%のGTOターゲットの場合、計算密度は、(Ga2O3の密度(g/cm3)×40+In2O3の密度(g/cm3)×40+SnO2の密度(g/cm3)×20)/100(g/cm3)として算出する。Ga2O3の理論密度は5.95g/cm3、In2O3の理論密度は7.18g/cm3、SnO2の理論密度は6.95g/cm3として計算する。一方、測定密度とは、重量を体積で割った値である。焼結体の場合は、アルキメデス法により体積を求めて算出する。
スパッタリングターゲット部材の体積抵抗率は、スパッタリングの際の成膜レートの向上という観点から、1.0×104Ω・cm以下が好ましく、1.0×10-1Ω・cm以下がより好ましく、1.0×10-2Ω・cm以下が更に好ましく、例えば1.0×10-3〜1.0×104Ω・cmとすることができる。
本発明において、ターゲットのバルク抵抗率は抵抗率測定器を用いて四探針法により測定する。焼結体の表面には、焼結による変質層が存在するため、0.5mm研削し、JIS R 6010:2000に準拠した砥粒の平均粒径#400番の研磨紙で仕上げる。実施例においては、以下の装置で測定した。
抵抗率測定器:型式FELL−TC−100−SB−Σ5+(エヌピーエス株式会社製)
測定治具:試料台RG−5
次に、スパッタリングターゲット部材の製造方法について図面を用いて説明する。本発明に係るスパッタリングターゲット部材の製造方法は、一実施形態において、図1に示すように混合工程S11と加圧成形工程S21と焼結工程S31と機械加工工程S41とを含む。以下、各工程をそれぞれ例示する。なお、先述したのと重複する内容については、割愛する。
混合工程S11では、原料粉としてGa2O3粉、In2O3粉、及びSnO2粉をGa/Inの原子比が0.95以上1.05以下であり、かつSn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.005以上0.040未満となるように秤量する。不純物による電気特性への悪影響を避けるために、純度3N(99.9質量%)以上の原料粉を用いることが好ましく、純度4N(99.99質量%)以上の原料粉を用いることがより好ましい。
加圧成形工程S21では、所望の形状の金型に混合粉末を充填し、プレスして成形体を得る。プレス時の面圧は例えば400〜1000kgf/cm2とすることができる。また、冷間静水圧プレスを行っても良い。
焼結工程S31では、例えば成形体を酸素含有雰囲気下、1500℃以上の加熱温度で10時間以上焼結してGa−In−Sn−O複合酸化物相を含有する焼結体を得る。
機械加工工程S41では、形成された焼結体を、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンタ等の機械加工機を用いて、所望の形状に機械加工して、スパッタリングターゲット部材を得る。
本発明に係るスパッタリングターゲットは、一実施形態において、上述したスパッタリングターゲット部材と、バッキングプレート又はバッキングチューブ等の基材と接合して使用する。スパッタリングターゲット部材と基材は公知の任意の方法で接合すればよいが、例えば低融点の半田、例えばインジウム半田、錫半田、錫合金半田等を用いることが可能である。基材の材料としても公知の任意の材料を使用すればよいが、例えば銅(例えば無酸素銅)、銅合金、アルミ合金、チタン、ステンレススチール等を使用することが可能である。
本発明に係るスパッタ膜は、一実施形態において、Ga、In、Sn、O、及び不可避的不純物で形成されたスパッタ膜であって、Ga/Inの原子比が0.85以上1.15以下であり、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.005以上0.040未満である。なお、本発明に係るスパッタ膜は、結晶化した膜の一部をいわゆるエッチング残渣として残さないため、非晶質であることが好ましい。
スパッタ膜の結晶性を確認する方法を下記に例示する。スパッタ膜に対してXRDを行い、特定の結晶ピークが観察されず、ブロードなハローパターンが観察された場合には、その観察対象であるスパッタ膜は、非晶質であるといえる。
<測定条件>
XRD回折装置の一例:Smart Lab(株式会社リガク製)
管電圧:40kV
管電流:30mA
測定範囲:2θ=10°〜90°
スキャン軸:2θ/θ
スキャン速度:10°/min
ステップ幅:0.01°
解析ソフトウェア:PDXL(SmartLabに付属)
波長633nmにおける屈折率が1.9〜2.1であることが好ましい。屈折率は例えば、分光エリプソメーターを用いて測定することができる。
本発明に係るスパッタ膜は、一実施形態において、波長633nmにおける消衰係数が、透過率を向上させるという観点から、0.01以下であることが好ましく、0.001以下であることがより好ましく、0.0005以下であることが更に好ましい。ただし、下限側は、典型的に0以上であり、より典型的に0.00001以上である。消衰係数は例えば、分光エリプソメーターを用いて測定することができる。
仕事関数は、4.8〜5.9eVが好ましい。仕事関数の値は、採用されるデバイスによるため、一概にどの値が良いかは決められないが、この範囲で制御できることが好ましい。仕事関数は例えば、光電子分光法により測定することができる。測定においては、以下の装置、手順を用いる。
装置の一例:大気中光電子分光装置AC−3(RIKEN KEIKI製)
手順:スパッタ後、10分以内に成膜基板を真空パックし、測定直前に大気開放する。大気中に保管しておくと、表面が劣化し、正確な値が出ないためである。
スパッタ膜の体積抵抗率は1.0×102Ω・cm以下であることが好ましく、1.0×100Ω・cm以下であることがより好ましく、1.0×10-1Ω・cm以下であることが更に好ましく、例えば1.0×10-3〜1.0×102Ω・cmとすることができる。これにより、導電膜として好適に使用することができる。
本発明において、体積抵抗率は抵抗率測定器を用いて四探針法により測定する。実施例においては、以下の装置で測定した。
抵抗率測定器:型式FELL−TC−100−SB−Σ5+(エヌピーエス株式会社製)
測定治具:試料台RG−5
本発明に係るスパッタ膜の製造方法は、一実施形態において、先述したスパッタリングターゲット部材を用いてスパッタ膜を成膜する成膜工程を含む。スパッタリングターゲット部材が、使用可能なスパッタリング装置には特に制約はない。例えば、マグネトロンスパッタリング装置、RF印加型マグネトロンDCスパッタリング装置等が使用可能である。
図2は、本発明に係る積層構造体の一実施形態を説明するための断面図である。図3〜7は、本発明に係る積層構造体の他の実施形態を説明するための断面図である。以下、本発明に係る積層構造体の一実施形態について図面を使用して説明する。
酸化物導電膜13dがIZOで形成されている場合には、例えばIn2O3を主成分とし、ZnをZnO換算で2.5〜15質量%含む。
酸化物導電膜13dがAZOで形成されている場合には、例えばZnOを主成分とし、AlをAl2O3換算で0.5〜10質量%含む。
市販のGa2O3粉、In2O3粉、及びSnO2粉を、表1に示すSn/(Ga+In+Sn)の原子比となるように秤量した後、これらの粉末を湿式で混合・微粉砕し、その後、スプレードライヤーで乾燥・造粒して、混合粉末を得た。
先述したように、電子線マイクロアナライザを用いてスパッタリングターゲット部材の組織を観察した結果、図8Aに示すように、Ga、In、Sn、Oからなる複合酸化物相が形成されていることを確認した。また、前記複合酸化物相について、面積率を求めた。
測定対象となるスパッタリングターゲット部材の実測密度をアルキメデス法で求め、相対密度=実測密度/計算密度によって相対密度を求めた。
スパッタリングターゲット部材について、先述した方法により、X線回折測定(XRD)を行うことにより判定した。その結果については、ピーク補正後のグラフを図9Aに示し、ピーク補正前のグラフを図9Bに示す。ICDD(International Centre for Diffraction Data)によれば、No.00−014−0564である(Ga,In)2O3と、No.00−051−0204であるGa2.4In5.6Sn2O16が観察された。ここで、このGa2.4In5.6Sn2O16は、No.00−051−0205であるGa2In6Sn2O16と同じピークをもつため、上記スパッタリングターゲット部材は、Ga2.4In5.6Sn2O16相又はGa2In6Sn2O16相の少なくとも一方が存在していると推察される。なお、観察された結晶相を表2に示す。ここで、表2中の「(Ga2.4In5.6Sn2O16/Ga2In6Sn2O16)」は、Ga2.4In5.6Sn2O16及びGa2In6Sn2O16の複合酸化物相のうち少なくとも一方が観察されたことを示す。
スパッタリングターゲット部材のターゲット断面をSEMで観察し、図8Bで得られたSEM画像(倍率×2000)に基づいて、クラック数を判断した。クラック数カウントは先述した方法で行った。その結果を表2に示す。
直流四探針法を用いた抵抗率測定器(エヌピーエス株式会社製、型式FELL−TC−100−SB−Σ5+、測定治具RG−5)を使用して、先述した方法でスパッタリングターゲット部材の体積抵抗率を測定した。なお、その結果を表2に示す。
<成膜条件>
スパッタ装置:キャノンアネルバ社製、型番:SPF−313H
基板 :EAGLE XG(コーニング社製)
入力 :1W/cm2
基板温度 :常温
到達真空度 :2.0×10-4Pa以下
スパッタガス:Ar+酸素(0、1、2、3体積%)
ガス流量 :50sccm
膜厚 :100nm
酸素0体積%〜3体積%で得られたスパッタ膜の仕事関数を大気中光電子分光装置AC−3(RIKEN KEIKI製)で、先述した方法により、任意に選択した2箇所測定した。その測定値の平均値を仕事関数とした。
スパッタ膜の屈折率は、分光エリプソメーター(J.A.Woollam社製、型番:ESM−300)で測定し、波長633nmの値を用いた。また、スパッタ膜を大気中、150℃で1時間にわたって、アニール処理した後、その処理後のスパッタ膜の屈折率も測定した。
スパッタ膜の消衰係数は、分光エリプソメーター(J.A.Woollam社製、型番:ESM−300)で測定し、波長633nmの値を用いた。また、スパッタ膜を大気中、150℃で1時間にわたって、アニール処理した後、その処理後のスパッタ膜の消衰係数も測定した。
直流四探針法を用いた抵抗率測定器(エヌピーエス株式会社製、型式FELL−TC−100−SB−Σ5+、測定治具RG−5)を使用して、先述した方法でスパッタ膜の体積抵抗率を測定した。また、スパッタ膜を大気中、150℃で1時間にわたって、アニール処理した後、その処理後のスパッタ膜の体積抵抗率も測定した。
先述した方法でスパッタ膜の結晶性を観察した。また、スパッタ膜を大気中、150℃で1時間にわたって、アニール処理した後、その処理後のスパッタ膜の結晶性も観察した。
実施例2では、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比を0.012に変更したこと以外、実施例1と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2、図10A及びB、図11A及びBに示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例3では、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比を0.024に変更したこと以外、実施例1と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2、図12A及びB、図13A及びBに示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例4では、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比を0.036に変更したこと以外、実施例1と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2に示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例5では、In/Gaの原子比を1.11に変更したこと以外、実施例3と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2に示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例6では、In/Gaの原子比を0.90に変更したこと以外、実施例3と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2に示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例7では、焼結条件を大気雰囲気以外、実施例3と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2に示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
比較例1では、SnO2粉を混合しなかったこと以外、実施例1と同様に実施した。なお、スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2、図14A及びB、図16A及びBに示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。また、図15は、図14Bにおけるクラック数判定試験を説明するためのSE像(2000倍)を示す図である。
比較例2では、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比を0.111に変更したことと、DCスパッタ装置をRF(高周波)スパッタ装置に変更したこと以外、実施例1と同様に実施した。スパッタリングターゲット部材の製造条件を表1に示し、スパッタリングターゲット部材の評価結果を表2、図17A及びB、図18A及びBに示し、スパッタ膜の評価結果を表3に示す。
実施例1〜7で生成されたスパッタリングターゲット部材は、比較例1〜2に比べ、SE像を観察したところ、かなりクラックが低減されていることを確認した。また、実施例7は、実施例3と異なり、大気中で焼結したため、相対密度が若干低くなったと考えられる。
11 第2の金属膜
12 有機層
12−1 主表面
13 膜体
13a スパッタ膜
13a−1 第1の主表面
13a−2 第2の主表面
13b 第1の金属膜
13b−1 主表面
13c 酸化物バリア膜
13c−1 主表面
13d 酸化物導電膜
13d−1 主表面
14 基板
S11 混合工程
S21 充填工程
S31 焼結工程
S41 機械加工工程
Claims (37)
- Ga、In、Sn、O、及び不可避的不純物で形成されたスパッタリングターゲット部材であって、
Ga/Inの原子比が0.95以上1.05以下であり、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.005以上0.040未満であり、X線回折において(Ga,In)2O3に同定されるピークを有する、スパッタリングターゲット部材。 - 前記Sn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.006以上0.036以下である、請求項1に記載のスパッタリングターゲット部材。
- EPMAにおける面分析において、前記Ga、In、Sn、Oの4元素を含む複合酸化物相が同定される、請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット部材。
- EPMAにおける面分析において、前記複合酸化物相の面積率が65%以下である、請求項3に記載のスパッタリングターゲット部材。
- X線回折において、Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)に同定されるピークを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 前記Ga3-xIn5+xSn2O16相(x=0〜1)は、Ga2.4In5.6Sn2O16又はGa2In6Sn2O16である、請求項5に記載のスパッタリングターゲット部材。
- スパッタガス中の酸素量を0〜3体積%まで変化させてスパッタ膜を成膜した場合に、そのスパッタ膜の仕事関数が4.8〜5.9eVの範囲内である、請求項1〜6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 走査電子顕微鏡により、中心を通りスパッタ面に垂直な面で切ったターゲット断面を観察した場合、明細書中の手順に従ったクラック数判定試験において、格子線とクラックの交差点の平均が30未満である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 相対密度が90%以上である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 体積抵抗率が1.0×104Ω・cm以下である、請求項1〜9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 体積抵抗率が1.0×10-1Ω・cm以下である、請求項1〜9のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 円筒状又は平板状である、請求項1〜11のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材と基材とを備えた、スパッタリングターゲット。
- Ga、In、Sn、O、及び不可避的不純物で形成されたスパッタ膜であって、
Ga/Inの原子比が0.85以上1.15以下であり、Sn/(Ga+In+Sn)の原子比が0.005以上0.040未満である、スパッタ膜。 - 仕事関数が4.8〜5.9eVである、請求項14に記載のスパッタ膜。
- 波長633nmにおける屈折率が1.9〜2.1である、請求項14又は15に記載のスパッタ膜。
- 体積抵抗率が1.0×102Ω・cm以下である、請求項14〜16のいずれか一項に記載のスパッタ膜。
- 波長633nmにおける消衰係数が0.01以下である、請求項14〜17のいずれか一項に記載のスパッタ膜。
- 非晶質である、請求項14〜18のいずれか一項に記載のスパッタ膜。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット部材を用いてスパッタ膜を成膜する成膜工程を含む、スパッタ膜の製造方法。
- 前記成膜工程では、スパッタガス中の酸素量を10体積%以下で実施する、請求項20に記載のスパッタ膜の製造方法。
- 前記成膜工程後に、前記スパッタ膜を200℃以下でアニール処理する工程を含む、請求項20又は21に記載のスパッタ膜の製造方法。
- 前記成膜工程では、200℃以下でアニール処理しながら前記スパッタ膜を成膜する、請求項20又は21に記載のスパッタ膜の製造方法。
- 請求項14〜19のいずれか一項に記載のスパッタ膜を備える、膜体。
- 前記スパッタ膜の第1の主表面に接した第1の金属膜を更に備える、請求項24に記載の膜体。
- 前記第1の金属膜の主表面に接した酸化物バリア膜を更に備える、請求項25に記載の膜体。
- 前記スパッタ膜の第1の主表面に接した酸化物導電膜を備える、請求項24に記載の膜体。
- 前記酸化物導電膜の主表面に接した第1の金属膜を更に備える、請求項27に記載の膜体。
- 前記第1の金属膜の主表面に接した酸化物バリア膜を更に備える、請求項28に記載の膜体。
- 前記酸化物導電膜の体積抵抗率が1.0×10-3Ω・cm以下である、請求項27〜29のいずれか一項に記載の膜体。
- 前記酸化物導電膜が、ITO、IZO、及びAZOの群から選択される少なくとも1種で形成された、請求項27〜29のいずれか一項に記載の膜体。
- 前記第1の金属膜が、Ag、Cu、Ni、Fe、Cr、Al及びCoの群から選択される1種又は2種以上を90質量%以上含む組成で形成された、請求項25、26、28、29のいずれか一項に記載の膜体。
- 請求項24〜32のいずれか一項に記載の膜体と、
前記スパッタ膜の第1の主表面側における前記膜体の最外主表面に接したガラス基板又は樹脂基板とを備える、積層構造体。 - 前記スパッタ膜の第1の主表面と反対側の第2の主表面に接した有機層を更に備える、請求項33に記載の積層構造体。
- 前記有機層の主表面に接した第2の金属膜を更に備える、請求項34に記載の積層構造体。
- 前記第2の金属膜が、Al、In、W、Ti、Mo、Mg−Ag、及びAg−Alの群から選択される1種又は2種以上で形成された、請求項35に記載の積層構造体。
- 封止層、請求項33〜36のいずれか一項に記載の積層構造体、薄膜トランジスタ、基板がこの順に積層された有機EL装置。
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