JP2020112770A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】デッドスペース（ｄｅａｄ ｓｐａｓｅ）が減少した表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、開口ＯＰを有する基板１００と、基板上に配置され、第１方向ＤＲ１に延在して、開口によって切断された第１切断部及び第２切断部を含む第１切断配線ＤＬ１と、基板上の第１切断配線とは異なる層に配置され、開口を迂回して、第１切断部と第２切断部とを連結する第１迂回配線ＢＬ１とを含む。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳しくは、表示領域内に開口が形成された表示装置に関する。

現在、知られている表示装置には、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）、電界放出表示装置（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｓｅ）などがある。

特に、有機発光表示装置は、２つの電極と、それらの間に位置する有機発光層とを含み、一電極から注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と、他電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出して発光する。

有機発光表示装置は、自発光（ｓｅｌｆ−ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）特性を有し、液晶表示装置とは異なり、別の光源を要しないので、厚さ及び重さを減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低消費電力、高輝度、及び速い応答速度などの高品位特性を示すので、次世代の表示装置として注目を浴びている。

近年、表示装置において、表示領域は広く、表示領域以外の非表示領域であるベゼル（ｂｅｚｅｌ）領域は、できるだけ小さく形成することが求められている。

特開２０１１−２３７８０７号公報

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、デッドスペース（ｄｅａｄ ｓｐａｓｅ）が減少した表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、開口を含む基板と、前記基板上に配置され、第１方向に延在して、前記開口によって切断された第１切断部及び第２切断部を含む第１切断配線と、前記基板上の前記第１切断配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第１切断部と前記第２切断部とを連結する第１迂回配線と、を含むことを特徴とする。

前記第１迂回配線は、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記第１切断部に連結される第１迂回部と、前記第２方向に延在して、前記第２切断部に連結される第２迂回部と、前記第１方向に延在して、前記第１迂回部と前記第２迂回部とを連結する第３迂回部と、を含み得る。
前記基板上の前記第１切断配線と同一層に配置され、前記第１方向に延在して、前記開口によって切断されない第１連結配線をさらに含み、前記第３迂回部は、前記第１連結配線と重なり得る。
前記第１連結配線は、直流電圧を供給することが好ましい。
前記第１切断配線は、スキャン線、発光制御線、又は初期化電圧線であることが好ましい。

前記表示装置は、前記基板上の前記第１切断配線とは異なる層に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記開口によって切断された第３切断部及び第４切断部を含む第２切断配線と、前記基板上の前記第２切断配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第３切断部と前記第４切断部とを連結する第２迂回配線と、をさらに含み得る。
前記第２迂回配線は、前記第１方向に延在して、前記第３切断部に連結される第４迂回部と、前記第１方向に延在して、前記第４切断部に連結される第５迂回部と、前記第２方向に延在して、前記第４迂回部と前記第５迂回部とを連結する第６迂回部と、を含み得る。
前記基板上の前記第２切断配線と同一層に配置され、前記第２方向に延在して、前記開口によって切断されない第２連結配線をさらに含み、前記第６迂回部は、前記第２連結配線と重なることが好ましい。
前記第２連結配線は、直流電圧を供給することが好ましい。
前記第２切断配線は、データ線又は駆動電圧線であることが好ましい。

前記第２迂回配線は、前記基板上の前記第１迂回配線と同一層に配置され得る。
前記第２迂回配線の長さは、前記第１迂回配線の長さよりも長いことが好ましい。
前記基板上に順次配置される第１導電層、第１絶縁層、第２導電層、第２絶縁層、及び第３導電層を含み、前記第１導電層は、前記第１切断配線を含み、前記第３導電層は、前記第１迂回配線を含み得る。
前記第２導電層は、前記第２切断配線を含み、前記第３導電層は、前記第２迂回配線をさらに含み得る。

上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示装置は、開口を含む基板と、前記基板上に配置され、第１方向に延在して、前記開口によって切断された第１切断配線及び前記開口によって切断されない第１連結配線を含む第１配線と、前記基板上の前記第１配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第１切断配線を連結する第１迂回配線と、を含むことを特徴とする。

前記第１切断配線は、前記開口を挟んで互いに離隔している第１切断部及び第２切断部を含み、前記第１迂回配線は、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記第１切断部に連結される第１迂回部と、前記第２方向に延在して、前記第２切断部に連結される第２迂回部と、前記第１方向に延在して、前記第１迂回部と前記第２迂回部とを連結する第３迂回部と、を含み得る。
前記第３迂回部は、前記第１連結配線と重なることが好ましい。

前記表示装置は、前記基板上の前記第１配線とは異なる層に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記開口によって切断された第２切断配線及び前記開口によって切断されない第２連結配線を含む第２配線と、前記基板上の前記第２配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第２切断配線を連結する第２迂回配線と、さらにを含み得る。
前記第２切断配線は、前記開口を挟んで互いに離隔している第３切断部及び第４切断部を含み、前記第２迂回配線は、前記第１方向に延在して、前記第３切断部に連結される第４迂回部と、前記第１方向に延在して、前記第４切断部に連結される第５迂回部と、前記第２方向に延在して、前記第４迂回部と前記第５迂回部とを連結する第６迂回部と、を含み得る。
前記第６迂回部は、前記第２連結配線と重なることが好ましい。
前記基板上に順次配置される第１導電層、第１絶縁層、第２導電層、第２絶縁層、及び第３導電層を含み、前記第１導電層は、前記第１配線を含み、前記第３導電層は、前記第１迂回配線を含み得る。
前記第２導電層は、前記第２配線を含み、前記第３導電層は、前記第２迂回配線をさらに含み得る。

本発明による表示装置は、開口によって切断された第１切断配線が、基板上の第１切断配線とは異なる層に配置され、開口を迂回する第１迂回配線によって連結されることで、開口周囲の第１迂回配線によるデッドスペースを減少させることができる。

また、第１迂回配線は、基板上の第１切断配線と同一層に配置され、開口によって切断されず、直流電圧を供給する第１連結配線と重なることによって、第１迂回配線と第１連結配線との間のカップリングを防止することができる。

本発明の一実施形態による表示装置を示すブロック図である。 図１の表示装置の画素を示す回路図である。 本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。 図３に示す表示装置の断面図である。 図３に示すＶ領域の平面図である。 図５に示す第１配線の配置図である。 図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。 図５に示す第２配線の配置図である。 図８に示すＩＸ−ＩＸ’線に沿った断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を示す平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を示す平面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の一実施形態による表示装置を詳細に説明する。図面上の同一の構成要素に対しては、同一又は類似の図面符号を付する。

図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示すブロック図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は、表示部１０と、スキャン駆動部２０と、データ駆動部３０と、発光制御駆動部４０と、制御部５０とを含む。

表示部１０は、表示領域に配置され、複数のスキャン線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）、複数のデータ線（Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ）、及び複数の発光制御線（ＥＬ１〜ＥＬｎ）の交差部に位置し、実質的に行列状に配列される複数の画素（ＰＸ）を含む。スキャン線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）、発光制御線（ＥＬ１〜ＥＬｎ）、及び初期化電圧線（ＩＬ）は、行方向である第１方向（ＤＲ１）に延在し、データ線（Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ）及び駆動電圧線（ＥＬＶＤＤＬ）は、列方向である第２方向（ＤＲ２）に延在する。

各画素（ＰＸ）は、スキャン線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）のうちの１つのスキャン線に連結される。スキャン駆動部２０は、スキャン線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）を介して、各画素（ＰＸ）にスキャン信号を伝送する。

また、各画素（ＰＸ）は、データ線（Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ）のうちの１つのデータ線に連結される。データ駆動部３０は、データ線（Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ）を介して、各画素（ＰＸ）にデータ信号を伝送する。データ信号は、スキャン線（ＳＬ１〜ＳＬｎ）にスキャン信号が供給される毎に、スキャン信号によって選択された画素（ＰＸ）に供給される。

更に、各画素（ＰＸ）は、発光制御線（ＥＬ１〜ＥＬｎ）のうちの１つの発光制御線に連結される。発光制御駆動部４０は、発光制御線（ＥＬ１〜ＥＬｎ）を介して、各画素（ＰＸ）に発光制御信号を伝送する。発光制御信号は、画素（ＰＸ）の発光時間を制御する。発光制御駆動部４０は、画素（ＰＸ）の内部構造によって、省略可能である。

制御部５０は、外部から供給される複数の映像信号（ＩＲ、ＩＧ、ＩＢ）を、複数の映像データ信号（ＤＲ、ＤＧ、ＤＢ）に変換して、データ駆動部３０に伝送する。また、制御部５０は、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、及びクロック信号（ＭＣＬＫ）を供給されて、スキャン駆動部２０、データ駆動部３０、及び発光制御駆動部４０の駆動を制御するための制御信号を生成し、それぞれに伝送する。言い換えると、制御部５０は、スキャン駆動部２０を制御するスキャン駆動制御信号（ＳＣＳ）、データ駆動部３０を制御するデータ駆動制御信号（ＤＣＳ）、及び発光制御駆動部４０を制御する発光駆動制御信号（ＥＣＳ）を生成して、それぞれに伝送する。

各画素（ＰＸ）は、外部の電源から、駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）及び共通電圧（ＥＬＶＳＳ）を供給される。駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）は、所定のハイレベル電圧であり、共通電圧（ＥＬＶＳＳ）は、駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）よりも低い電圧又は接地電圧である。駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）は、駆動電圧線（ＥＬＶＤＤＬ）を介して、各画素（ＰＸ）に供給される。初期化電圧線（ＩＬ）は、外部の電源から初期化電圧（ＶＩＮＴ）を印加されて、各画素（ＰＸ）に供給する。

また、各画素（ＰＸ）は、データ線（Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ）を介して伝送されたデータ信号によって、表示素子に供給される駆動電流により、所定の輝度の光を放出する。以下では、便宜のために、表示素子として有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）を含む表示装置について説明する。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶表示装置、電気泳動表示装置などの様々な方式の表示装置に適用可能である。

図２は、図１の表示装置の画素（ＰＸ）を示す回路図である。

図２に示すように、各画素（ＰＸ）は、複数のトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７）、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、及びこれらに連結される配線（１３１、１３２、１３３、１３４、１５１、１５２）を含む。

トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７）は、駆動トランジスタ（Ｔ１）、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）、補償トランジスタ（Ｔ３）、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）、動作制御トランジスタ（Ｔ５）、発光制御トランジスタ（Ｔ６）、及び第２初期化トランジスタ（Ｔ７）を含む。

配線（１３１、１３２、１３３、１３４、１５１、１５２）は、スキャン信号（Ｓｎ）を伝送するスキャン線１３１、スキャン線１３１に並んで、前のスキャン信号（Ｓｎ−１）を伝送する前スキャン線１３２と、前スキャン線１３２に並んで、発光制御信号（Ｅｎ）を伝送する発光制御線１３３と、発光制御線１３３に並んで、駆動トランジスタ（Ｔ１）及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードを初期化する初期化電圧（ＶＩＮＴ）を伝送する初期化電圧線１３４と、スキャン線１３１と交差して、データ信号（Ｄｍ）を伝送するデータ線１５１と、データ線１５１に並んで、駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）を伝送する駆動電圧線１５２とを含む。

駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１電極（Ｃｓｔ１）に連結され、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ソース電極（Ｓ１）は、動作制御トランジスタ（Ｔ５）を経て、駆動電圧線１５２に連結され、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ドレイン電極（Ｄ１）は、発光制御トランジスタ（Ｔ６）を経て、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードに電気的に連結される。駆動トランジスタ（Ｔ１）は、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）のスイッチング動作によって、データ信号（Ｄｍ）が伝送されて、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に駆動電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）を供給する。

スイッチングトランジスタ（Ｔ２）のスイッチングゲート電極（Ｇ２）は、スキャン線１３１に連結され、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）のスイッチングソース電極（Ｓ２）は、データ線１５１に連結され、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）のスイッチングドレイン電極（Ｄ２）は、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ソース電極（Ｓ１）に連結され、動作制御トランジスタ（Ｔ５）を経て、駆動電圧線１５２に連結される。スイッチングトランジスタ（Ｔ２）は、スキャン線１３１を介して伝送されたスキャン信号（Ｓｎ）によって、オンにされ、データ線１５１に伝送されたデータ信号（Ｄｍ）を、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ソース電極（Ｓ１）に伝送するスイッチング動作を行う。

補償トランジスタ（Ｔ３）の補償ゲート電極（Ｇ３）は、スキャン線１３１に連結され、補償トランジスタ（Ｔ３）の補償ソース電極（Ｓ３）は、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ドレイン電極（Ｄ１）に連結され、発光制御トランジスタ（Ｔ６）を経て、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードに連結され、補償トランジスタ（Ｔ３）の補償ドレイン電極（Ｄ３）は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１電極（Ｃｓｔ１）、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）の第１初期化ソース電極（Ｓ４）、及び駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）に連結される。補償トランジスタ（Ｔ３）は、スキャン線１３１を介して伝送されたスキャン信号（Ｓｎ）によって、オンにされ、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）と駆動ドレイン電極（Ｄ１）とを電気的に連結して、駆動トランジスタ（Ｔ１）をダイオード連結する。

第１初期化トランジスタ（Ｔ４）の第１初期化ゲート電極（Ｇ４）は、前スキャン線１３２に連結され、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）の第１初期化ドレイン電極（Ｄ４）は、第２初期化トランジスタ（Ｔ７）の第２初期化ドレイン電極（Ｄ７）及び初期化電圧線１３４に連結され、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）の第１初期化ソース電極（Ｓ４）は、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１電極（Ｃｓｔ１）、補償トランジスタ（Ｔ３）の補償ドレイン電極（Ｄ３）、及び駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）に連結される。第１初期化トランジスタ（Ｔ４）は、前スキャン線１３２を介して伝送された前のスキャン信号（Ｓｎ−１）によって、オンにされ、初期化電圧（ＶＩＮＴ）を、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）に伝送して、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）の電圧を初期化させる初期化動作を行う。

動作制御トランジスタ（Ｔ５）の動作制御ゲート電極（Ｇ５）は、発光制御線１３３に連結され、動作制御トランジスタ（Ｔ５）の動作制御ソース電極（Ｓ５）は、駆動電圧線１５２に連結され、動作制御トランジスタ（Ｔ５）の動作制御ドレイン電極（Ｄ５）は、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ソース電極（Ｓ１）、及びスイッチングトランジスタ（Ｔ２）のスイッチングドレイン電極（Ｄ２）に連結される。

発光制御トランジスタ（Ｔ６）の発光制御ゲート電極（Ｇ６）は、発光制御線１３３に連結され、発光制御トランジスタ（Ｔ６）の発光制御ソース電極（Ｓ６）は、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ドレイン電極（Ｄ１）及び補償トランジスタ（Ｔ３）の補償ソース電極（Ｓ３）に連結され、発光制御トランジスタ（Ｔ６）の発光制御ドレイン電極（Ｄ６）は、第２初期化トランジスタ（Ｔ７）の第２初期化ソース電極（Ｓ７）及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードに電気的に連結される。

動作制御トランジスタ（Ｔ５）及び発光制御トランジスタ（Ｔ６）は、発光制御線１３３を介して伝送された発光制御信号（Ｅｎ）により、同時にオンにされ、これによって、駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）が有機発光素子（ＯＬＥＤ）に伝送されて、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に駆動電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が流れる。

第２初期化トランジスタ（Ｔ７）の第２初期化ゲート電極（Ｇ７）は、前スキャン線１３２に連結され、第２初期化トランジスタ（Ｔ７）の第２初期化ソース電極（Ｓ７）は、発光制御トランジスタ（Ｔ６）の発光制御ドレイン電極（Ｄ６）、及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードに連結され、第２初期化トランジスタ（Ｔ７）の第２初期化ドレイン電極（Ｄ７）は、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）の第１初期化ドレイン電極（Ｄ４）及び初期化電圧線１３４に連結される。第２初期化トランジスタ（Ｔ７）は、前スキャン線１３２を介して伝送された前のスキャン信号（Ｓｎ−１）によって、オンにされ、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノードを初期化させる。

本発明の一実施形態による各画素（ＰＸ）の具体的な動作は、以下の通りである。

初期化期間の間、前スキャン線１３２を介して前のスキャン信号（Ｓｎ−１）が供給されると、前のスキャン信号（Ｓｎ−１）に対応して、初期化トランジスタ（Ｔ４）がオンにされ、初期化電圧線１３４から供給される初期化電圧（ＶＩＮＴ）によって、駆動トランジスタ（Ｔ１）が初期化される。

データプログラミング期間の間、スキャン線１３１を介してスキャン信号（Ｓｎ）が供給されると、スキャン信号（Ｓｎ）に対応して、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）及び補償トランジスタ（Ｔ３）がオンにされる。この場合、駆動トランジスタ（Ｔ１）は、オンにされた補償トランジスタ（Ｔ３）によりダイオード連結されて、順方向にバイアスされる。

すると、データ線１５１より供給されたデータ信号（Ｄｍ）から、駆動トランジスタ（Ｔ１）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）だけ減少した補償電圧（Ｄｍ＋Ｖｔｈ、Ｖｔｈは（−）の値）が、駆動トランジスタ（Ｔ１）の駆動ゲート電極（Ｇ１）に印加される。この場合、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）の両端には、駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）と補償電圧（Ｄｍ＋Ｖｔｈ）とが印加され、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）には、両端の電圧差に対応した電荷が格納される。

発光期間の間、発光制御線１３３から供給される発光制御信号（Ｅｎ）によって、動作制御トランジスタ（Ｔ５）及び発光制御トランジスタ（Ｔ６）がオンにされる。駆動トランジスタ（Ｔ１）のゲート電極（Ｇ１）の電圧と駆動電圧（ＥＬＶＤＤ）との間の電圧差による駆動電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が発生し、発光制御トランジスタ（Ｔ６）を介して、駆動電流（Ｉ_ＯＬＥＤ）が有機発光素子（ＯＬＥＤ）に供給される。

図３は、本発明の一実施形態による表示装置を示す平面図である。

図３に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は、表示領域（ＤＡ）、及び表示領域（ＤＡ）外部の周辺領域（ＰＡ）を有する基板１００を含む。表示領域（ＤＡ）には、有機発光素子などのような表示素子を含む複数の画素（図１のＰＸ）、及び各画素に電気信号を伝送する複数の配線（図１のＳＬ１〜ＳＬｎ、Ｄ_Ｌ１〜Ｄ_Ｌｍ、ＥＬ１〜ＥＬｎ、ＥＶＶＤＤＬ、ＩＬ）が配置される。周辺領域（ＰＡ）には、表示領域（ＤＡ）に印加される電気信号を供給する駆動部（図１の２０、３０、４０）が配置される。

基板１００は、表示領域（ＤＡ）内に形成される開口（ＯＰ）を含む。本実施形態において、開口（ＯＰ）は、実質的に円状である。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、開口（ＯＰ）は、多角形状、楕円状などにすることもできる。一実施形態において、開口（ＯＰ）には、カメラなどが配置される。

図４は、図３に示す表示装置の断面図である。例えば、図４は、図３の表示装置の表示領域（ＤＡ）内に位置する１つの画素を示す。

図４に示すように、基板１００上には、トランジスタ（ＴＲ）、配線（１３１、１３３、１３４、１５１、１５２）、絶縁層（１０５、１２０、１４０、１６０、１８０、２１０）、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、及び封止層２４０が配置される。

基板１００は、ガラス、金属、又はプラスチックを含む。一実施形態において、基板１００は、フレキシブル又は折り畳たみ可能な特性を有する物質を含む。基板１００がフレキシブル又は折り畳たみ可能な特性を有する場合、基板１００は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタルレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などの高分子樹脂を含む。基板１００は、上記物質の単層又は多層構造を有し、多層構造の場合、無機層を更に含む。一実施形態において、基板１００は、有機物／無機物／有機物の構造を有する。

基板１００上には、バッファー層１０５が配置される。バッファー層１０５は、酸化物又は窒化物を含む無機物を含む。バッファー層１０５は、基板１００上面の平滑性を高める役割を果たし、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などのような無機物を含む。

バッファー層１０５上には、半導体層１１０が配置される。半導体層１１０は、多結晶シリコン、非晶質シリコン、酸化物半導体などで形成される。

半導体層１１０は、チャンネル領域、チャンネル領域の両側のソース領域及びドレイン領域を含む。一実施形態において、ソース領域及びドレイン領域は、不純物でドーピングされ、不純物は、Ｎ型不純物又はＰ型不純物を含む。

半導体層１１０上には、ゲート絶縁層１２０が配置される。ゲート絶縁層１２０は、酸化物又は窒化物を含む無機物又は有機物を含む。例えば、ゲート絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、亜鉛酸化物などを含み、単層又は多層からなる。

ゲート絶縁層１２０上には、スキャン線１３１、発光制御線１３３、初期化電圧線１３４、及びゲート電極１３５を含む第１導電層１３０が配置される。これにより、スキャン線１３１、発光制御線１３３、初期化電圧線１３４、及びゲート電極１３５は、同一層に配置され、同一の物質を含む。例えば、第１導電層１３０は、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層又は多層からなる。

第１導電層１３０上には、第１絶縁層１４０が配置される。第１絶縁層１４０は、酸化物又は窒化物を含む無機物又は有機物を含む。例えば、第１絶縁層１４０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、亜鉛酸化物などを含み、単層又は多層からなる。

第１絶縁層１４０上には、データ線１５１、駆動電圧線１５２、ソース電極１５３、及びドレイン電極１５４を含む第２導電層１５０が配置される。これにより、データ線１５１、駆動電圧線１５２、ソース電極１５３、及びドレイン電極１５４は、同一層に配置され、同一の物質を含む。例えば、第２導電層１５０は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層又は多層からなる。

半導体層１１０、ゲート電極１３５、ソース電極１５３、及びドレイン電極１５４は、トランジスタ（ＴＲ）を形成する。図４におけるトランジスタ（ＴＲ）は、図２で説明した駆動トランジスタ（Ｔ１）、スイッチングトランジスタ（Ｔ２）、補償トランジスタ（Ｔ３）、第１初期化トランジスタ（Ｔ４）、動作制御トランジスタ（Ｔ５）、発光制御トランジスタ（Ｔ６）、及び第２初期化トランジスタ（Ｔ７）のうちのいずれか１つである。

第２導電層１５０上には、第２絶縁層１６０が配置される。第２絶縁層１６０は、酸化物又は窒化物を含む無機物又は有機物を含む。例えば、第２絶縁層１６０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、亜鉛酸化物などを含み、単層又は多層からなる。

第２絶縁層１６０上には、平坦化層１８０が配置される。平坦化層１８０は、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ＰＩ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機物を含む。平坦化層１８０は、トランジスタ（ＴＲ）上を平坦化する役割を果たす。平坦化層１８０は、単層又は多層からなる。

平坦化層１８０上には、画素電極１９０、対向電極２３０、及びこれらの間に介在されて発光層を備える中間層２２０を含む有機発光素子（ＯＬＥＤ）が配置される。

画素電極１９０は、平坦化層１８０に定義された接触孔（図示せず）を介して、発光制御トランジスタ（図２のＴ６）の発光制御ドレイン領域（図２のＤ６）に連結される。

平坦化層１８０上には、画素定義膜２１０が配置される。画素定義膜２１０は、各画素に対応する開口、すなわち、少なくとも画素電極１９０の中央部を露出する開口を有することで、画素を定義する役割を果たす。また、画素定義膜２１０は、画素電極１９０の縁部と画素電極１９０上の対向電極２３０との間の距離を増加させて、画素電極１９０の縁部でアークなどが生じることを防止する。例えば、画素定義膜２１０は、ポリイミド、又は、ＨＭＤＳＯ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）などのような有機物で形成される。

有機発光素子（ＯＬＥＤ）の中間層２２０は、低分子物質又は高分子物質を有する。中間層２２０が低分子物質を有する場合、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが、単一又は複合構造で積層された構造を有し、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ、Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ、Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）などのような様々な有機物質を含む。

中間層２２０が高分子物質を含む場合、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）を含む構造を有する。この場合、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、ＰＥＤＯＴを含み、発光層（ＥＭＬ）は、ＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系、及びポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系などの高分子物質を含む。中間層２２０は、複数の画素電極１９０に亘って一体の層を含み、複数の画素電極１９０のそれぞれに対応するように、パターニングされた層を含む。

対向電極２３０は、表示領域上に配置される。言い換えると、対向電極２３０は、複数の有機発光素子（ＯＬＥＤ）に対して一体に形成され、複数の画素電極１９０に対応する。

本発明の一実施形態において、画素電極１９０及び対向電極２３０はそれぞれ、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード及びカソードである。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、他の実施形態において、画素電極１９０及び対向電極２３０はそれぞれ、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソード及びアノードである。

有機発光素子（ＯＬＥＤ）上には、封止層２４０が配置される。有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、外部からの水分や酸素などによって容易に損傷することがあるので、封止層２４０がこのような有機発光素子（ＯＬＥＤ）を覆って、これを保護する役割を果たす。封止層２４０は、表示領域を覆い、表示領域外側まで延在する。封止層２４０は、第１無機封止層２４１と、有機封止層２４２と、第２無機封止層２４３とを含む。

第１無機封止層２４１は、対向電極２３０を覆い、セラミックス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、インジウム酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／又はシリコン酸窒化物などを含む。必要によって、第１無機封止層２４１と対向電極２３０との間にキャップ層などの他の層が介在される。第１無機封止層２４１は、その下部の構造物に沿って形成されるので、第１無機封止層２４１の上面は、平坦ではない。

有機封止層２４２は、第１無機封止層２４１を覆い、第１無機封止層２４１とは異なって、その上面がほぼ平坦である。具体的に、有機封止層２４２は、表示領域に対応する部分では、上面がほぼ平坦である。有機封止層２４２は、アクリル、メタアクリル（ｍｅｔａｃｒｙｌｉｃ）、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタルレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレスルホン酸、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサンからなる群より選ばれる１つ以上の材料を含む。

第２無機封止層２４３は、有機封止層２４２を覆い、セラミックス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、インジウム酸化物、錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、シリコン酸化物、シリコン窒化物及び／又はシリコン酸窒化物などを含む。

上述したように、封止層２４０が、第１無機封止層２４１、有機封止層２４２、及び第２無機封止層２４３を含む多層構造を有するので、封止層２４０内にクラックが生じても、第１無機封止層２４１と有機封止層２４２との間、又は有機封止層２４２と第２無機封止層２４３との間でクラックがつながらない。これによって、外部からの水分や酸素などが表示領域に浸透する経路が形成されるのを防止するか、又は最小化する。

図５は、図３に示すＶ領域の平面図である。例えば、図５は、基板１００の開口（ＯＰ）、及び開口（ＯＰ）の周辺領域を示す。図６は、図５に示す第１配線の配置図である。図７は、図６に示すＶＩＩ−ＶＩＩ’線に沿った断面図である。図８は、図５に示す第２配線の配置図である。図９は、図８に示すＩＸ−ＩＸ’線に沿った断面図である。

図５、図６、図７、図８、及び図９に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は、開口（ＯＰ）を含む基板１００と、基板１００上に配置される複数の第１配線（Ｌ１）と、複数の第２配線（Ｌ２）とを含む。

開口（ＯＰ）は、基板１００を貫通し、開口（ＯＰ）内には、第１配線（Ｌ１）及び第２配線（Ｌ２）が形成されない。一実施形態において、開口（ＯＰ）は、約４．６ｍｍ乃至約４．８ｍｍの径を有する実質的に円状である。例えば、開口（ＯＰ）は、基板１００の表示領域内を円状に切り出して形成される。

開口（ＯＰ）の周囲には、開口（ＯＰ）を取り囲む周辺部（ＰＰ）が形成される。周辺部（ＰＰ）は、開口（ＯＰ）を形成するために、基板１００を切り出すのに必要な切り代（ｃｕｔｔｉｎｇ ｍａｒｇｉｎ）などを含む。一実施形態において、周辺部（ＰＰ）は、約０．３ｍｍ〜０．４ｍｍの幅を有する実質的に円環（リング）状である。

第１配線（Ｌ１）は、第１方向（ＤＲ１）に延在する。一実施形態において、それぞれの第１配線（Ｌ１）は、スキャン線（図４の１３１）、発光制御線（図４の１３３）、又は初期化電圧線（図４の１３４）である。この場合、第１配線（Ｌ１）は、ゲート絶縁層１２０上に配置される。

表示領域内に開口（ＯＰ）が形成される場合、第１方向（ＤＲ１）に延在する第１配線（Ｌ１）の一部は、開口（ＯＰ）によって切断される。これにより、第１配線（Ｌ１）は、開口（ＯＰ）によって切断された複数の第１切断配線（ＤＬ１）と、開口（ＯＰ）によって切断されない複数の第１連結配線（ＣＬ１）とを含む。開口（ＯＰ）によって切断された第１切断配線（ＤＬ１）はそれぞれ、開口（ＯＰ）を迂回する第１迂回配線（ＢＬ１）によって連結される。

それぞれの第１切断配線（ＤＬ１）は、開口（ＯＰ）によって切断された第１切断部（ＤＰ１）及び第２切断部（ＤＰ２）を含む。第１切断部（ＤＰ１）と第２切断部（ＤＰ２）とは、開口（ＯＰ）を挟んで、第１方向（ＤＲ１）に互いに離隔している。

第１迂回配線（ＢＬ１）は、開口（ＯＰ）を迂回し、第１切断部（ＤＰ１）と第２切断部（ＤＰ２）を連結する。第１迂回配線（ＢＬ１）は、第２方向（ＤＲ２）に延在して、第１切断部（ＤＰ１）に連結される第１迂回部（ＢＰ１）と、第２方向（ＤＲ２）に延在して、第２切断部（ＤＰ２）に連結される第２迂回部（ＢＰ２）と、第１方向（ＤＲ１）に延在して、第１迂回部（ＢＰ１）と第２迂回部（ＢＰ２）とを連結する第３迂回部（ＢＰ３）とを含む。例えば、第１迂回配線（ＢＬ１）は、「コ」の字状を有する。

第１迂回配線（ＢＬ１）は、第１切断配線（ＤＬ１）とは異なる層に配置される。一実施形態において、第１迂回配線（ＢＬ１）は、第２絶縁層１６０上に配置される。この場合、第１迂回配線（ＢＬ１）は、第１絶縁層１４０上に配置された連結パターン（ＣＰ１、ＣＰ２）によって、第１切断配線（ＤＬ１）に電気的に連結される。

具体的に、第１連結パターン（ＣＰ１）は、第１絶縁層１４０内に形成された第１接触孔（ＣＨ１）を満たし、第１切断部（ＤＰ１）と接触可能であり、第２連結パターン（ＣＰ２）は、第１絶縁層１４０内に形成された第２接触孔（ＣＨ２）を満たし、第２切断部（ＤＰ２）に接触可能である。また、第１迂回部（ＢＰ１）は、第２絶縁層１６０内に形成された第３接触孔（ＣＨ３）を満たし、第１連結パターン（ＣＰ１）に接触可能であり、第２迂回部（ＢＰ２）は、第２絶縁層１６０内に形成された第４接触孔（ＣＨ４）を満たし、第２連結パターン（ＣＰ２）に接触可能である。これによって、第１迂回部（ＢＰ１）及び第２迂回部（ＢＰ２）がそれぞれ、第１切断部（ＤＰ１）及び第２切断部（ＤＰ２）に電気的に連結され、第１迂回配線（ＢＬ１）によって、第１切断配線（ＤＬ１）が連結される。

一実施形態において、第１迂回配線（ＢＬ１）の第３迂回部（ＢＰ３）は、第１連結配線（ＣＬ１）のいずれか１つと重なる。この場合、第３迂回部（ＢＰ３）と重なる第１連結配線（ＣＬ１）は、直流電圧を供給する。例えば、第３迂回部（ＢＰ３）は、直流電圧である初期化電圧を供給する初期化電圧線に該当する第１連結配線（ＣＬ１）と重なる。第１迂回配線（ＢＬ１）がスキャン信号又は発光制御信号のように、交流電圧を供給するスキャン線又は発光制御線と重なる場合、第１迂回配線（ＢＬ１）とスキャン線又は発光制御線との間にカップリングが生じる。しかし、本発明の一実施形態によると、第１迂回配線（ＢＬ１）の第３迂回部（ＢＰ３）が、直流電圧を供給する第１連結配線（ＣＬ１）と重なることによって、第１迂回配線（ＢＬ１）とその下部に位置する第１連結配線（ＣＬ１）との間にカップリングが生じることを防止する。

比較例において、第１迂回配線が第１切断配線（ＤＬ１）と実質的に同一層に位置する場合、第１迂回配線が、ゲート絶縁層１２０上に配置されるスキャン線１３１、発光制御線１３３、初期化電圧線１３４、及びゲート電極（図４の１３５）と重なることを防止するために、第１迂回配線が形成される領域には、画素が形成されない。これによって、開口（ＯＰ）の周辺に画素が位置しないデッドスペースが形成される。しかし、本発明の一実施形態によると、第１迂回配線（ＢＬ１）が、第１切断配線（ＤＬ１）とは異なる層である第２絶縁層１６０上に位置することによって、第１迂回配線（ＢＬ１）が形成される領域にも、画素が形成される。これによって、開口（ＯＰ）の周辺に形成される第１迂回配線（ＢＬ１）によるデッドスペースが減少するか、又は実質的に形成されない。

第２配線（Ｌ２）は、第１配線（Ｌ１）から絶縁されて、第２方向（ＤＲ２）に延在する。一実施形態において、それぞれの第２配線（Ｌ２）は、データ線（図４の１５１）又は駆動電圧線（図４の１５２）である。この場合、第２配線（Ｌ２）は、第１絶縁層１４０上に配置される。

表示領域内に開口（ＯＰ）が形成される場合、第２方向（ＤＲ２）に延在する第２配線（Ｌ２）の一部は、開口（ＯＰ）によって切断される。これによって、第２配線（Ｌ２）は、開口（ＯＰ）によって切断された複数の第２切断配線（ＤＬ２）と、開口（ＯＰ）によって切断されない複数の第２連結配線（ＣＬ２）とを含む。開口（ＯＰ）によって切断された第２切断配線（ＤＬ２）はそれぞれ、開口（ＯＰ）を迂回する第２迂回配線（ＢＬ２）によって連結される。

それぞれの第２切断配線（ＤＬ２）は、開口（ＯＰ）によって切断された第３切断部（ＤＰ３）及び第４切断部（ＤＰ４）を含む。第３切断部（ＤＰ３）と第４切断部（ＤＰ４）とは、開口（ＯＰ）を挟んで、第２方向（ＤＲ２）に互いに離隔している。

第２迂回配線（ＢＬ２）は、開口（ＯＰ）を迂回し、第３切断部（ＤＰ３）と第４切断部（ＤＰ４）とを連結する。第２迂回配線（ＢＬ２）は、第１方向（ＤＲ１）に延在して、第３切断部（ＤＰ３）に連結される第４迂回部（ＢＰ４）と、第１方向（ＤＲ１）に延在して、第４切断部（ＤＰ４）に連結される第５迂回部（ＢＰ５）と、第２方向（ＤＲ２）に延在して、第４迂回部（ＢＰ４）と第５迂回部（ＢＰ５）とを連結する第６迂回部（ＢＰ６）とを含む。例えば、第２迂回配線（ＢＬ２）は、「コ」の字状を有する。

第２迂回配線（ＢＬ２）は、第２切断配線（ＤＬ２）とは異なる層に配置される。一実施形態において、第２迂回配線（ＢＬ２）は、第２絶縁層１６０上に配置される。第４迂回部（ＢＰ４）は、第２絶縁層１６０内に形成された第５接触孔（ＣＨ５）を満たし、第３切断部（ＤＰ３）に接触可能であり、第５迂回部（ＢＰ５）は、第２絶縁層１６０内に形成された第６接触孔（ＣＨ６）を満たし、第４切断部（ＤＰ４）に接触可能である。これにより、第２迂回配線（ＢＬ２）によって、第２切断配線（ＤＬ２）が連結される。

一実施形態において、第２迂回配線（ＢＬ２）は、第１迂回配線（ＢＬ１）と基板１００上の実質的に同一層に配置される。例えば、第１迂回配線（ＢＬ１）及び第２迂回配線（ＢＬ２）は、第２絶縁層１６０上に配置される。この場合、実質的に同一層に配置される第１迂回配線（ＢＬ１）と第２迂回配線（ＢＬ２）とが電気的に連結されることを防止するために、第１迂回配線（ＢＬ１）と第２迂回配線（ＢＬ２）とは、互いに離隔している。一実施形態において、第２迂回配線（ＢＬ２）は、第１迂回配線（ＢＬ１）の外側に位置する。この場合、第２迂回配線（ＢＬ２）は、第１迂回配線（ＢＬ１）の一部を取り囲む。これにより、第２迂回配線（ＢＬ２）の長さは、第１迂回配線（ＢＬ１）の長さよりも長くなる。

一実施形態において、第２迂回配線（ＢＬ２）の第６迂回部（ＢＰ６）は、第２連結配線（ＣＬ２）のいずれか１つと重なる。この場合、第６迂回部（ＢＰ６）と重なる第２連結配線（ＣＬ２）は、直流電圧を供給する。例えば、第６迂回部（ＢＰ６）は、直流電圧である駆動電圧を供給する駆動電圧線に該当する第２連結配線（ＣＬ２）と重なる。第２迂回配線（ＢＬ２）が、データ信号のように交流電圧を供給するデータ線と重なる場合、第２迂回配線（ＢＬ２）とデータ線との間にカップリングが生じる。しかし、本発明の一実施形態によると、第２迂回配線（ＢＬ２）の第６迂回部（ＢＰ６）が、直流電圧を供給する第２連結配線（ＣＬ２）と重なることによって、第２迂回配線（ＢＬ２）とその下部に位置する第２連結配線（ＣＬ２）との間にカップリングが生じることを防止する。

比較例において、第２迂回配線が第２切断配線（ＤＬ２）と同一層に位置する場合、第２迂回配線が、第１絶縁層１４０上に配置されるデータ線１５１、駆動電圧線１５２、ソース電極１５３、及びドレイン電極１５４と重なることを防止するために、第２迂回配線が形成される領域には、画素が形成されない。これにより、開口（ＯＰ）の周辺に画素が位置しないデッドスペースが形成される。しかし、本発明の一実施形態によると、第２迂回配線（ＢＬ２）が、第２切断配線（ＤＬ２）とは異なる層である第２絶縁層１６０上に位置することによって、第２迂回配線（ＢＬ２）が形成される領域にも画素が形成される。これにより、開口（ＯＰ）の周辺に形成される第２迂回配線（ＢＬ２）によるデッドスペースが減少するか、又は形成されない。

図１０及び図１１は、本発明の他の実施形態による表示装置を示す平面図である。

図１０に示すように、本発明の他の実施形態において、表示領域（ＤＡ）内に形成される開口（ＯＰ）は、角が丸い四角形状を有する。一実施形態において、開口（ＯＰ）には、スピーカーなどが配置される。この場合、第１切断配線は、開口（ＯＰ）を迂回して、第１切断配線とは異なる層に配置される第１迂回配線によって連結され、第２切断配線は、開口（ＯＰ）を迂回して、第２切断配線とは異なる層に配置される第２迂回配線によって連結される。

図１１に示すように、本発明の他の実施形態において、開口（ＯＰ）は、基板１００の一側に形成される。例えば、開口（ＯＰ）は、基板１００の一側から基板１００内に凹んだ凹状を有する。この場合、開口（ＯＰ）は、表示領域（ＤＡ）外に形成される。一実施形態において、開口（ＯＰ）には、カメラ、スピーカーなどが配置される。この場合、第１切断配線は、開口（ＯＰ）を迂回し、第１切断配線とは異なる層に配置される第１迂回配線によって連結される。

本発明の例示的な実施形態による表示装置は、コンピュータ、ノート型パソコン、携帯電話、スマートフォン、スマートパッド、ＰＭＰ、ＰＤＡ、ＭＰ３プレーヤーなどに含まれる表示装置に適用可能である。

以上、本発明の例示的な実施形態による表示装置について図面を参照しながら詳細に説明したが、該当実施形態は、例示に過ぎず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、当該技術の分野における通常の知識を有する者によって、修正及び変更可能である。

１０ 表示部
２０ スキャン駆動部
３０ データ駆動部
４０ 発光制御駆動部
５０ 制御部
１００ 基板
１０５ バッファー層
１１０ 半導体層
１２０ ゲート絶縁層
１３０ 第１導電層
１３１ スキャン線
１３２ 前スキャン線
１３３ 発光制御線
１３４ 初期化電圧線
１３５ ゲート電極
１４０ 第１絶縁層
１５０ 第２導電層
１５１ データ線
１５２ 駆動電圧線
１５３ ソース電極
１５４ ドレイン電極
１６０ 第２絶縁層
１８０ 平坦化層
１９０ 画素電極
２１０ 画素定義膜
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
２４０ 封止層
２４１ 第１無機封止層
２４２ 有機封止層
２４３ 第２無機封止層
ＢＬ１、ＢＬ２ （第１、第２）迂回配線
ＢＰ１、ＢＰ２、ＢＰ３、ＢＰ４、ＢＰ５、ＢＰ６ （第１、第２、第３、第４、第５、第６）迂回部
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４、ＣＨ５、ＣＨ６ （第１、第２、第３、第４、第５、第６）接触孔
ＣＬ１、ＣＬ２ （第１、第２）連結配線
ＣＰ１、ＣＰ２ （第１、第２）連結パターン
ＤＡ 表示領域
ＤＬ１、ＤＬ２ （第１、第２）切断配線
ＤＰ１、ＤＰ２、ＤＰ３、ＤＰ４ （第１、第２、第３、第４）切断部
ＤＲ１ 第１方向
ＤＲ２ 第２方向
Ｌ１ 第１配線
Ｌ２ 第２配線
ＰＰ 周辺部
ＯＰ 開口

Claims (22)

1. 開口を含む基板と、
   前記基板上に配置され、第１方向に延在して、前記開口によって切断された第１切断部及び第２切断部を含む第１切断配線と、
   前記基板上の前記第１切断配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第１切断部と前記第２切断部とを連結する第１迂回配線と、を含むことを特徴とする表示装置。
2. 前記第１迂回配線は、
   前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記第１切断部に連結される第１迂回部と、
   前記第２方向に延在して、前記第２切断部に連結される第２迂回部と、
   前記第１方向に延在して、前記第１迂回部と前記第２迂回部とを連結する第３迂回部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記基板上の前記第１切断配線と同一層に配置され、前記第１方向に延在して、前記開口によって切断されない第１連結配線をさらに含み、
   前記第３迂回部は、前記第１連結配線と重なることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１連結配線は、直流電圧を供給することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１切断配線は、スキャン線、発光制御線、又は初期化電圧線であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記基板上の前記第１切断配線とは異なる層に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記開口によって切断された第３切断部及び第４切断部を含む第２切断配線と、
   前記基板上の前記第２切断配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第３切断部と前記第４切断部とを連結する第２迂回配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第２迂回配線は、
   前記第１方向に延在して、前記第３切断部に連結される第４迂回部と、
   前記第１方向に延在して、前記第４切断部に連結される第５迂回部と、
   前記第２方向に延在して、前記第４迂回部と前記第５迂回部とを連結する第６迂回部と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
8. 前記基板上の前記第２切断配線と同一層に配置され、前記第２方向に延在して、前記開口によって切断されない第２連結配線をさらに含み、
   前記第６迂回部は、前記第２連結配線と重なることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第２連結配線は、直流電圧を供給することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第２切断配線は、データ線又は駆動電圧線であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
11. 前記第２迂回配線は、前記基板上の前記第１迂回配線と同一層に配置されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
12. 前記第２迂回配線の長さは、前記第１迂回配線の長さよりも長いことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
13. 前記基板上に順次配置される第１導電層、第１絶縁層、第２導電層、第２絶縁層、及び第３導電層を含み、
    前記第１導電層は、前記第１切断配線を含み、
    前記第３導電層は、前記第１迂回配線を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
14. 前記第２導電層は、前記第２切断配線を含み、
    前記第３導電層は、前記第２迂回配線をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
15. 開口を含む基板と、
    前記基板上に配置され、第１方向に延在して、前記開口によって切断された第１切断配線及び前記開口によって切断されない第１連結配線を含む第１配線と、
    前記基板上の前記第１配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第１切断配線を連結する第１迂回配線と、を含むことを特徴とする表示装置。
16. 前記第１切断配線は、前記開口を挟んで互いに離隔している第１切断部及び第２切断部を含み、
    前記第１迂回配線は、
    前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記第１切断部に連結される第１迂回部と、
    前記第２方向に延在して、前記第２切断部に連結される第２迂回部と、
    前記第１方向に延在して、前記第１迂回部と前記第２迂回部とを連結する第３迂回部と、を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第３迂回部は、前記第１連結配線と重なることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記基板上の前記第１配線とは異なる層に配置され、前記第１方向と交差する第２方向に延在して、前記開口によって切断された第２切断配線及び前記開口によって切断されない第２連結配線を含む第２配線と、
    前記基板上の前記第２配線とは異なる層に配置され、前記開口を迂回して、前記第２切断配線を連結する第２迂回配線と、をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
19. 前記第２切断配線は、前記開口を挟んで互いに離隔している第３切断部及び第４切断部を含み、
    前記第２迂回配線は、
    前記第１方向に延在して、前記第３切断部に連結される第４迂回部と、
    前記第１方向に延在して、前記第４切断部に連結される第５迂回部と、
    前記第２方向に延在して、前記第４迂回部と前記第５迂回部とを連結する第６迂回部と、を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
20. 前記第６迂回部は、前記第２連結配線と重なることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記基板上に順次配置される第１導電層、第１絶縁層、第２導電層、第２絶縁層、及び第３導電層を含み、
    前記第１導電層は、前記第１配線を含み、
    前記第３導電層は、前記第１迂回配線を含むことを特徴とする請求項１８に記載の表示装置。
22. 前記第２導電層は、前記第２配線を含み、
    前記第３導電層は、前記第２迂回配線をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。

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