JP2020107947A5 - - Google Patents
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前述のとおり、貫通孔13hが第1端125aに面する位置から第2端125b側(位置A1,A2)に配置されると、通気通路Pの実質的な長さは、短くなる。その結果、図11に示されるように、ヘッドホン1の低域のカットオフ周波数は、貫通孔13hの配置が第2端125bに近づく(通気通路Pの実質的な長さが短くなる)に連れて、高くなる。すなわち、ヘッドホン1において、貫通孔13hの配置を変更する(例えば、貫通孔13hの位置が異なる通路形成部材13をバッフル部材12に取り付ける)だけで、ヘッドホン1の低域の特性は、容易に微調整可能である。
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