JP2020102629A5 - - Google Patents
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Description
幾つかの実施例では、第一接触層104、第一ウィンドウ層106、第一型半導体構造110、アクティブ構造112、第二型半導体構造114、第二ウィンドウ層116、及び第二接触層118の材料は各自、独立して第3、第5族（「III-V族」ともいう）化合物半導体材料を含んでも良く、例えば、AlGaInAs、AlGaAs、AlInAs、GaInAs、AlAs、GaAs、InAs、AlGaInP、AlGaP、AlInP、GaInP、AlP、GaP、InP、AlInGaN、AlInN、AlGaN、InGaN、AlAsSb、AlSb、AsSb、InGaAsP、InAsP、GaAsP、InGaAsN、InAsN、GaAsN、InN、AlGaAsP、AlAsP、又は類似する第3、第5族化合物半導体材料を含んでも良い。
Claims (20)
- 半導体スタック層を含む半導体素子であって、
前記半導体スタック層は、
第一格子定数を有し、且つ第一側及び該第一側に相対する第二側を有する第一型半導体構造；
前記第一側に位置し、且つ放射線を発するアクティブ構造であって、前記放射線のピーク波長は、1000ｎｍ～2000ｎｍの間にある、アクティブ構造；及び
前記第二側に位置し、第二格子定数を有し、且つIII-V族化合物半導体材料を含む第一接触層を含み、
前記第二格子定数と前記第一格子定数との間の差は、少なくとも0.5％である、半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子であって、
前記アクティブ構造は、第一元素を含み、前記第一接触層は、前記第一元素を含まない、半導体素子。 - 請求項2に記載の半導体素子であって、
前記アクティブ構造は、前記第一元素とは異なる第二元素を含み、前記第一接触層は、前記第二元素を含まない、半導体素子。 - 請求項2又は3に記載の半導体素子であって、
前記第一型半導体構造は、前記第一元素を含む、半導体素子。 - 請求項3に記載の半導体素子であって、
前記第一元素はInであり、前記第二元素はAlである、半導体素子。 - 請求項1から5のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
前記第一接触層は、1×10 18 ／cm 3 よりも大きい第一ドーピング濃度を有する第一ドーパントを含む、半導体素子。 - 請求項1から6のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
前記第一接触層は、GaAsを含む、半導体素子。 - 請求項1から7のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
前記第一接触層の厚さは、5ｎｍ～100ｎｍの範囲内である、半導体素子。 - 請求項1から8のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
前記半導体スタック層は、前記第一接触層と前記第一型半導体構造との間に位置する第一ウィンドウ層を更に含み、
前記第一ウィンドウ層と前記第一接触層は、同じ材料、又は、異なる材料を有する、半導体素子。 - 請求項1から9のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
前記半導体スタック層は、前記第一接触層と前記第一型半導体構造との間に位置する緩衝層を更に含む、半導体素子。 - 請求項1から10のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
第一電極及び第二電極を更に含み、
前記第一電極及び前記第二電極は、前記半導体スタック層の同じ側に位置する、半導体素子。 - 請求項1から11のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
基板を更に含み、
前記基板は、前記半導体スタック層の下に位置する、半導体素子。 - 請求項12に記載の半導体素子であって、
接続層を更に含み、
前記接続層は、前記半導体スタック層と前記基板との間に位置する、半導体素子。 - 請求項13に記載の半導体素子であって、
前記接続層は、絶縁材料を含む、半導体素子。 - 請求項1から10のうちの何れか1項に記載の半導体素子であって、
第一電極及び第二電極を更に含み、
前記第一電極及び前記第二電極は、前記半導体スタック層の対向する両側に位置する、半導体素子。 - 請求項15に記載の半導体素子であって、
基板を更に含み、
前記第一型半導体構造は、前記第一接触層と前記基板との間に位置する、半導体素子。 - 請求項16に記載の半導体素子であって、
反射構造を更に含み、
前記反射構造は、前記半導体スタック層の下に位置する、半導体素子。 - 請求項17に記載の半導体素子であって、
前記反射構造は、バリア層、前記バリア層に位置する反射接着層、及び前記反射接着層に位置する反射層を含む、半導体素子。 - 請求項18に記載の半導体素子であって、
導電構造を更に含み、
前記導電構造は、前記反射構造と前記半導体スタック層との間に位置する、半導体素子。 - 請求項19に記載の半導体素子であって、
絶縁層を更に含み、
前記絶縁層は、前記導電構造と前記半導体スタック層との間に位置する、半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107146841 | 2018-12-24 | ||
| TW107146841 | 2018-12-24 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020102629A JP2020102629A (ja) | 2020-07-02 |
| JP2020102629A5 true JP2020102629A5 (ja) | 2022-12-16 |
| JP7516040B2 JP7516040B2 (ja) | 2024-07-16 |
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