JP2020096647A - 荷電粒子線治療装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ペナンブラの改善と、線量分布の平坦度の確保を両立することができる荷電粒子線治療装置を提供する。【解決手段】制御部は、マルチリーフコリメータ24で規定された照射野60の周縁部に荷電粒子線を照射するときは、照射野60における他の部分に荷電粒子線を照射するときよりも高い線量の荷電粒子線に変調する。従って、照射野60の周縁部では、変調によって荷電粒子線自体の線量が高くなっているためペナンブラが改善されながらも線量分布の平坦度が低下するが、照射野の周縁部の荷電粒子線の一部をマルチリーフコリメータ24で遮蔽することで線量分布を平坦化させることができる。【選択図】図4
Description
本発明は、荷電粒子線治療装置に関する。
従来、患者の患部に荷電粒子線を照射することによって治療を行う荷電粒子線治療装置として、例えば、特許文献1に記載された装置が知られている。特許文献1に記載の荷電粒子線治療装置では、加速器で加速された荷電粒子線を照射部からスキャニング方式によって照射している。この荷電粒子線治療装置は、コリメータを用いて一部の不要な荷電粒子線を遮蔽した上で、被照射体の形状に合わせた照射野にて荷電粒子線の照射を行っている。
ここで、上述のような荷電粒子線治療装置においては、照射野の周縁部に照射される荷電粒子線の一部をコリメータで遮蔽するため、ペナンブラ(横方向の線量分布の切れ)を改善することができる。その一方、コリメータで照射野の周縁部における荷電粒子線を遮蔽することで、照射野の周縁部における線量が低下し、被照射体に対する荷電粒子線の線量分布の平坦度(照射野全体における線量分布の平坦度)が低下するという問題がある。
そこで本発明は、ペナンブラの改善と、線量分布の平坦度の確保を両立することができる荷電粒子線治療装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る荷電粒子線治療装置は、荷電粒子を加速して荷電粒子線を出射する加速器と、被照射体に対してスキャニング方式により荷電粒子線を照射する照射部と、被照射体の形状に合わせて荷電粒子線の照射野を規定するコリメータと、照射部を制御する制御部と、を備え、制御部は、コリメータで規定された照射野の周縁部に荷電粒子線を照射するときは、照射野における他の部分に荷電粒子線を照射するときよりも高い線量の荷電粒子線に変調する。
本発明に係る荷電粒子線治療装置では、照射部から被照射体に対してスキャニング方式により照射される荷電粒子線の照射野をコリメータで規定することができる。すなわち、照射野の周縁部に照射される荷電粒子線の一部をコリメータで遮蔽することができる。このように、コリメータを用いることにより、ペナンブラ(横方向の線量分布の切れ)を改善することができる。更に、制御部は、コリメータで規定された照射野の周縁部に荷電粒子線を照射するときは、照射野における他の部分に荷電粒子線を照射するときよりも高い線量の荷電粒子線に変調する。従って、照射野の周縁部では、変調によって荷電粒子線自体の線量が高くなっているためペナンブラが改善されながらも線量分布の平坦度が低下するが、照射野の周縁部の荷電粒子線の一部をコリメータで遮蔽することで線量分布を平坦化させることができる。以上により、ペナンブラの改善と、線量分布の平坦度の確保を両立することができる。
荷電粒子線治療装置において、変調された荷電粒子線の線量分布において、当該線量分布の頂点に対応する位置を第1の位置とし、他の部分に照射される荷電粒子線の線量分布の頂点と同じ線量に対応する位置を第2の位置とした場合、コリメータは、第1の位置より外周側の位置であって、第1の位置と第2の間の位置で、変調した荷電粒子線を遮蔽してよい。これにより、コリメータは、照射野の周縁部にて変調された荷電粒子線の一部を適切な位置にて遮蔽することができる。
本発明によれば、ペナンブラの改善と、線量分布の平坦度の確保を両立することができる荷電粒子線治療装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る荷電粒子線治療装置について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1に示されるように、本発明の一実施形態に係る荷電粒子線治療装置1は、放射線療法によるがん治療等に利用される装置であり、イオン源(不図示)で生成した荷電粒子を加速して荷電粒子線として出射する加速器3と、荷電粒子線を被照射体へ照射する照射部2と、加速器3から出射された荷電粒子線を照射部2へ輸送するビーム輸送ライン21と、を備えている。照射部2は、治療台4を取り囲むように設けられた回転ガントリ5に取り付けられている。照射部2は、回転ガントリ5によって治療台4の周りに回転可能とされている。
図2は、図1の荷電粒子線治療装置の照射部付近の概略構成図である。なお、以下の説明においては、「X軸方向」、「Y軸方向」、「Z軸方向」という語を用いて説明する。「Z軸方向」とは、荷電粒子線Bの基軸AXが延びる方向であり、荷電粒子線Bの照射の深さ方向である。なお、「基軸AX」とは、後述の走査電磁石6で偏向しなかった場合の荷電粒子線Bの照射軸とする。図2では、基軸AXに沿って荷電粒子線Bが照射されている様子を示している。「X軸方向」とは、Z軸方向と直交する平面内における一の方向である。「Y軸方向」とは、Z軸方向と直交する平面内においてX軸方向と直交する方向である。
まず、図2を参照して、本実施形態に係る荷電粒子線治療装置1の概略構成について説明する。荷電粒子線治療装置1はスキャニング法に係る照射装置である。なお、スキャニング方式は特に限定されず、ラインスキャニング、ラスタースキャニング、スポットスキャニング等を採用してよい。図2に示されるように、荷電粒子線治療装置1は、加速器3と、照射部2と、ビーム輸送ライン21と、制御部7と、を備えている。
加速器3は、荷電粒子を加速して予め設定されたエネルギーの荷電粒子線Bを出射する装置である。加速器3として、例えば、サイクロトロン、シンクロトロン、シンクロサイクロトロン、ライナック等が挙げられる。なお、加速器3として予め定めたエネルギーの荷電粒子線Bを出射するサイクロトロンを採用する場合、エネルギー調整部20を採用することで、照射部2へ送られる荷電粒子線のエネルギーを調整(低下)させることが可能となる。なお、シンクロトロンは出射する荷電粒子線のエネルギーを容易に変更できるため、加速器3としてシンクロトロンを採用する場合には、エネルギー調整部20を省略してもよい。この加速器3は、制御部7に接続されており、供給される電流が制御される。加速器3で発生した荷電粒子線Bは、ビーム輸送ライン21によって照射ノズル9へ輸送される。ビーム輸送ライン21は、加速器3と、エネルギー調整部20と、照射部2と、を接続し、加速器3から出射された荷電粒子線を照射部2へ輸送する。
照射部2は、患者15の体内の腫瘍(被照射体)14に対し、荷電粒子線Bを照射するものである。荷電粒子線Bとは、電荷をもった粒子を高速に加速したものであり、例えば陽子線、重粒子(重イオン)線、電子線等が挙げられる。具体的に、照射部2は、イオン源(不図示)で生成した荷電粒子を加速する加速器3から出射されてビーム輸送ライン21で輸送された荷電粒子線Bを腫瘍14へ照射する装置である。照射部2は、走査電磁石6、四極電磁石8、プロファイルモニタ11、ドーズモニタ12、ポジションモニタ13a,13b、マルチリーフコリメータ24、及びディグレーダ30を備えている。走査電磁石6、各モニタ11,12,13a,13b、四極電磁石8、及びディグレーダ30は、照射ノズル9に収容されている。このように、収容体に各主構成要素を収容した照射ノズル9によって照射部2が構成されている。なお、四極電磁石8、プロファイルモニタ11、ドーズモニタ12、ポジションモニタ13a,13b、及びディグレーダ30は省略してもよい。
走査電磁石6は、X軸方向走査電磁石6a及びY軸方向走査電磁石6bを含む。X軸方向走査電磁石6a及びY軸方向走査電磁石6bは、それぞれ一対の電磁石から構成され、制御部7から供給される電流に応じて一対の電磁石間の磁場を変化させ、当該電磁石間を通過する荷電粒子線Bを走査する。X軸方向走査電磁石6aは、X軸方向に荷電粒子線Bを走査し、Y軸方向走査電磁石6bは、Y軸方向に荷電粒子線Bを走査する。これらの走査電磁石6は、基軸AX上であって、加速器3よりも荷電粒子線Bの下流側にこの順で配置されている。
四極電磁石8は、X軸方向四極電磁石8a及びY軸方向四極電磁石8bを含む。X軸方向四極電磁石8a及びY軸方向四極電磁石8bは、制御部7から供給される電流に応じて荷電粒子線Bを絞って収束させる。X軸方向四極電磁石8aは、X軸方向において荷電粒子線Bを収束させ、Y軸方向四極電磁石8bは、Y軸方向において荷電粒子線Bを収束させる。四極電磁石8に供給する電流を変化させて絞り量(収束量)を変化させることにより、荷電粒子線Bのビームサイズを変化させることができる。四極電磁石8は、基軸AX上であって加速器3と走査電磁石6との間にこの順で配置されている。なお、ビームサイズとは、XY平面における荷電粒子線Bの大きさである。また、ビーム形状とは、XY平面における荷電粒子線Bの形状である。
プロファイルモニタ11は、初期設定の際の位置合わせのために、荷電粒子線Bのビーム形状及び位置を検出する。プロファイルモニタ11は、基軸AX上であって四極電磁石8と走査電磁石6との間に配置されている。ドーズモニタ12は、荷電粒子線Bの線量を検出する。ドーズモニタ12は、基軸AX上であって走査電磁石6に対して下流側に配置されている。ポジションモニタ13a,13bは、荷電粒子線Bのビーム形状及び位置を検出監視する。ポジションモニタ13a,13bは、基軸AX上であって、ドーズモニタ12よりも荷電粒子線Bの下流側に配置されている。各モニタ11,12,13a,13bは、検出した検出結果を制御部7に出力する。
ディグレーダ30は、通過する荷電粒子線Bのエネルギーを低下させて当該荷電粒子線Bのエネルギーの微調整を行う。本実施形態では、ディグレーダ30は、照射ノズル9の先端部9aに設けられている。なお、照射ノズル9の先端部9aとは、荷電粒子線Bの下流側の端部である。
マルチリーフコリメータ24は、照射軸方向と垂直な平面方向における荷電粒子線Bの照射野60を規定するものであり、複数の櫛歯を含む遮線部24a,24bを有している。遮線部24a,24bは、互いに突き合わせるように配置されており、これらの遮線部24a,24b間には、開口部24cが形成されている。当該開口部24cによって照射野60が規定される。マルチリーフコリメータ24は、開口部24cに荷電粒子線Bを通過させることで、荷電粒子線Bのうち、照射野60の周縁部に照射された部分を遮蔽する。
また、マルチリーフコリメータ24は、Z軸方向と直交する方向に遮線部24a,24bを進退させることで、開口部24c、すなわち照射野60の位置及び形状を変化することが可能となっている。さらに、マルチリーフコリメータ24は、リニアガイド28で照射軸方向に沿って案内されており、Z軸方向に沿って移動可能になっている。このマルチリーフコリメータ24は、モニタ4bの下流側に配置されている。
より具体的には、図4に示すように、マルチリーフコリメータ24は、X軸方向で対向する一対のリーフ群31,32を有している。一対のリーフ群31,32は、基準軸Aに直交するXY平面において、基準軸Aを挟んでX軸方向で対向する。一対のリーフ群31,32は、それぞれX軸方向に独立して進退可能な多数のリーフ41を含むリーフ部材40から構成されている。
リーフ部材40は、リーフ41と、リーフ41を移動させるリーフ駆動部43と、を有する。リーフ部材40は、リーフ群31に含まれるリーフ部材40のリーフ41と、リーフ群32に含まれるリーフ部材40のリーフ41と、が互いに対向するように、XY平面に沿って配置される。
リーフ41は、X軸方向に沿って延びる長方形板状の部材である。リーフ41は、荷電粒子線Bの遮蔽に用いられる部材であることから、荷電粒子線Bを遮蔽可能な材料により製造される。荷電粒子線Bを遮蔽可能な材料としては、真鍮、銅、タンタル、モリブデン、鉄等が挙げられるが、加工性の良さやコストの観点から真鍮又は鉄製とすることが好ましい。
リーフ駆動部43は、制御部7からの信号に基づいて、各リーフ41をX軸方向に駆動させて、要求された位置に配置させる。制御部7は、照射軸方向から見た場合の腫瘍14の形状に合わせて、マルチリーフコリメータ24の開口部24cの形状を設定する。本実施形態では、スキャニング法によって荷電粒子線Bが照射される。従って、マルチリーフコリメータ24は、後述の層Lnに対する荷電粒子線Bの照射を行っているときは、当該層Lnに対するビーム軌道TL(図3(b)参照)に対応する形状の照射野60を形成する。なお、マルチリーフコリメータ24の動作の詳細については、後述する。
制御部7は、例えばCPU、ROM、及びRAM等により構成されている。この制御部7は、各モニタ11,12,13a,13bから出力された検出結果に基づいて、加速器3、走査電磁石6、四極電磁石8、及びマルチリーフコリメータ24を制御する。
また、荷電粒子線治療装置1の制御部7は、荷電粒子線治療の治療計画を行う治療計画装置100と接続されている。治療計画装置100は、治療前に患者15の腫瘍14をCT等で測定し、腫瘍14の各位置における線量分布(照射すべき荷電粒子線の線量分布)を計画する。具体的には、治療計画装置100は、腫瘍14に対して治療計画マップを作成する。治療計画装置100は、作成した治療計画マップを制御部7へ送信する。
スキャニング法による荷電粒子線の照射を行う場合、腫瘍14をZ軸方向に複数の層に仮想的に分割し、一の層において荷電粒子線を治療計画において定めた走査経路に従うように走査して照射する。そして、当該一の層における荷電粒子線の照射が完了した後に、隣接する次の層における荷電粒子線Bの照射を行う。
図2に示す荷電粒子線治療装置1により、スキャニング法によって荷電粒子線Bの照射を行う場合、通過する荷電粒子線Bが収束するように四極電磁石8を作動状態(ON)とする。
続いて、加速器3から荷電粒子線Bを出射する。出射された荷電粒子線Bは、走査電磁石6の制御によって治療計画において定めた走査経路に従うように走査される。これにより、荷電粒子線Bは、腫瘍14に対してZ軸方向に設定された一の層における照射範囲内を走査されつつ照射されることとなる。また、マルチリーフコリメータ24は、制御部7の制御信号に基づき、走査経路の周縁部を走査している荷電粒子線Bの一部を遮蔽するように、開口部24cを形成する。一の層に対する照射が完了したら、次の層へ荷電粒子線Bを照射する。
制御部7の制御に応じた走査電磁石6の荷電粒子線照射イメージについて、図3(a)及び(b)を参照して説明する。図3(a)は、深さ方向において複数の層に仮想的にスライスされた被照射体を、図3(b)は、深さ方向から見た一の層における荷電粒子線の走査イメージを、それぞれ示している。
図3(a)に示すように、被照射体は照射の深さ方向において複数の層に仮想的にスライスされており、本例では、深い(荷電粒子線Bの飛程が長い)層から順に、層L1、層L2、…層Ln−1、層Ln、層Ln+1、…層LN−1、層LNとN層に仮想的にスライスされている。また、図3(b)に示すように、荷電粒子線Bは、ビーム軌道TL(走査経路)を描きながら、連続照射(ラインスキャニング又はラスタースキャニング)の場合は層Lnのビーム軌道TLに沿って連続的に照射され、スポットスキャニングの場合は層Lnの複数の照射スポットに対して照射される。すなわち、制御部7に制御された照射ノズル9から出射した荷電粒子線Bは、ビーム軌道TL上を移動する。
次に、図4及び図5を参照して、制御部7による制御内容の詳細について説明する。なお、理解を容易とするために、図4では照射対象に係る層Lnのビーム軌道TLに対応する照射野60を長方形状にしている。すなわち、照射野60のX軸方向に延びる周縁部61,62と、Y軸方向に延びる周縁部63,64は、いずれも真っ直ぐに延びている。X軸方向に延びる周縁部61,62は、リーフ41のX軸方向に延びる側縁部によって規定される。Y軸方向に延びる周縁部63,64は、リーフ41のX軸方向における端部が、真っ直ぐに複数個並べられることによって規定される。また、本実施形態では、ビーム軌道TLは、X軸方向に真っ直ぐに延びるビームラインと、Y軸方向に荷電粒子線Bのスポット一つ分移動するためのビームラインと、を複数組み合わせることで構成されるものとする。
具体的には、図4に示すように、ビーム軌道TLにおけるY軸方向の負側の端部には、周縁部61に沿ってX軸方向に延びるX軸ビームラインBLx1を有する。また、ビーム軌道TLは、X軸ビームラインBLx1に対してY軸方向の正側へ所定のピッチで離間した位置には、X軸ビームラインBLx2を有し、更にY軸方向の正側へ所定のピッチで離間した位置にはX軸ビームラインBLx3を有し、それ以降、同趣旨のX軸ビームラインBLxnを有する。そして、ビーム軌道TLは、Y軸方向の正側の端部には、周縁部62に沿ってX軸方向に延びるX軸ビームラインBLxNを有する。
また、ビーム軌道TLは、X軸ビームラインBLx1のX軸方向の正側の端部から、X軸ビームラインBLx2のX軸方向の正側の端部へ向かって、周縁部63に沿ってY軸方向の正側へ延びるY軸ビームラインBLy1を有する。また、ビーム軌道TLは、X軸ビームラインBLx2のX軸方向の負側の端部から、X軸ビームラインBLx3のX軸方向の負側の端部へ向かって、周縁部64に沿ってY軸方向の正側へ延びるY軸ビームラインBLy2を有する。ビーム軌道TLは、Y軸方向の他の位置においても、同趣旨のY軸ビームラインBLy1,BLy2を有している。
制御部7は、上述のようなビーム軌道TLを取得したら、当該ビーム軌道TLに対応する照射野60を規定するために、マルチリーフコリメータ24を駆動させて、開口部24cの形状を調整し、図4に示すような配置にする。そして、制御部7は、照射野60の周縁部61,62,63,64に荷電粒子線Bを照射するときは、照射野60における他の部分に荷電粒子線Bを照射するときよりも高い線量の荷電粒子線Bに変調する。「照射野の周縁部に荷電粒子線を照射するとき」とは、上述の例においては、X軸ビームラインBLx1,BLxNに対して荷電粒子線Bを照射するとき、及びY軸ビームラインBLy1,BLy2に対して荷電粒子線Bを照射するときである。「照射野における他の部分に荷電粒子線を照射するとき」とは、上述の例においては、X軸ビームラインBLx2からX軸ビームラインBLx(N−1)に対して荷電粒子線Bを照射するときである。なお、図4では、理解を容易とするために、周縁部61,62,63,64に対して照射される荷電粒子線Bのビーム形状のみを示しているが、他のビームラインに対しても、所定の大きさ・形状に設定された荷電粒子線Bが照射される。
ここで、図5を参照して、図4に示すような、Y軸方向に延びる破線SLに対応する位置に照射される荷電粒子線Bの線量分布について説明する。なお、図5に示す線量分布は、図5の横軸はY軸方向における位置を示し、縦軸は荷電粒子線Bの線量を示す。また、図5の線量分布は、マルチリーフコリメータ24の上面における線量分布を示しているものとする。ただし、実際の荷電粒子線治療装置1の運転時は、各種モニタ12,13a,13bの位置にて、荷電粒子線Bの線量分布が取得される。よって、制御部7は、各種モニタ12,13a,13bの検出結果に基づいて、マルチリーフコリメータ24の位置での線量分布を演算した上で、マルチリーフコリメータ24の制御、及び後述の荷電粒子線Bの線量を変調する制御を行ってよい。または、制御部7は、各種モニタ12,13a,13bの位置における線量分布を用いて所定の演算を行うことで、マルチリーフコリメータ24の制御、及び後述の荷電粒子線Bの線量を変調する制御を行ってよい。
図5において、X軸ビームラインBLx1に対する荷電粒子線Bの線量分布は「M1」で示され、X軸ビームラインBLx2に対する荷電粒子線Bの線量分布は「M2」で示され、X軸ビームラインBLx3に対する荷電粒子線Bの線量分布は「M3」で示されている。
線量分布M1の頂点TP1は、線量分布M2の頂点TP2よりも所定のピッチ分だけ、Y軸方向の負側の位置P1に位置している。また、線量分布M1の頂点TP1における線量ST1(すなわち、線量分布M1の線量のピーク)は、線量分布M2の頂点TP2における線量ST2よりも大きい。線量分布M3の頂点TP3は、線量分布M2の頂点TP2よりも所定のピッチ分だけ、Y軸方向の正側に位置している点以外は、線量分布M2と同様の分布となる。すなわち、線量分布M3の頂点TP3における線量は、線量分布M2と同じく線量ST2となる。なお、X軸ビームラインBLx3以降のX軸ビームラインに対する荷電粒子線Bの線量分布は、頂点の位置が異なる点以外は、線量分布M2,M3と同形状の分布となる。
以上のように、照射野60の周縁部61に対して照射される荷電粒子線B(以降、「変調された荷電粒子線」と称する場合がある)は、照射野60における他の部分に対して照射される荷電粒子線B(以降、「通常時の荷電粒子線」と称する場合がある)よりも高い線量に変調されているため、線量分布M1は、他の線量分布M2,M3よりも大きな分布となり、ピークにおける線量も大きい。変調された荷電粒子線Bの線量のピークの大きさは特に限定されないが、例えば、通常時の荷電粒子線Bの線量のピークに比べて105〜200%程度の大きさで変調されてよい。各ビームラインにおける荷電粒子線Bの線量分布が上述のように設定されることにより、個々の線量分布を合計した全体の線量分布TMは、周縁部付近で下降する前に、局所的にピークを有する(図5及び図6においてAで示す)。
上述のような線量分布を描く荷電粒子線Bに対するマルチリーフコリメータ24の配置について説明する。図5において、変調された荷電粒子線Bの線量分布M1において、当該線量分布M1の頂点TP1に対応する位置を第1の位置P1とする。線量分布M1において、他の部分に照射される荷電粒子線Bの線量分布M2,M3の頂点TP2,TP3と同じ線量ST2に対応する位置を第2の位置P2とする。なお、第2の位置P2は、Y軸方向の正側と負側にそれぞれ設定されるが、ここでは負側(すなわち外周側の位置)に設定されるものを指すものとする。このように規定した場合、マルチリーフコリメータ24は、第1の位置P1より外周側の位置であって、第1の位置P1と第2の位置P2との間の位置で、変調した荷電粒子線Bを遮蔽する。すなわち、第1の位置P1と第2の位置P2との間の領域を領域E1とした場合、リーフ41の側縁部は、領域E1の何れかの位置に配置される。リーフ41の側縁部の位置を位置PCとした場合、線量分布TMのうち、当該位置PCよりも負側の領域E2の線量は遮蔽される。また、制御部7は、当該位置にリーフ41が配置されるように、マルチリーフコリメータ24の開口部24cの形状を調整する。あるいは、制御部7は、当該位置にリーフ41が配置されるように、X軸ビームラインBLx1の位置を微調整してもよい。
制御部7は、荷電粒子線Bの線量の変調を行うとき、連続照射(ラインスキャニング又はラスタースキャニング)の場合は、X軸ビームラインBLx1上を移動する荷電粒子線Bの速度を、他のビームラインに比して遅くすればよい。これによって、X軸ビームラインBLx1に荷電粒子線Bが照射される時間が、他のビームラインに比して長くなり、大きな線量分布を得ることができる。また、制御部7は、スポットスキャニングの場合は、X軸ビームラインBLx1上に設定された各照射スポットでの照射時間を長くすることで、荷電粒子線Bの線量の変調を行ってよい。その他、イオン源から出力するイオンの量を増やすことによって荷電粒子線Bの線量の変調を行ってもよい。
なお、図5では、照射野60のうち周縁部61付近での線量分布を例にして説明したが、周縁部62においても同趣旨の制御が行われる。また、周縁部63,64付近では、制御部7は、Y軸ビームラインBLy1,BLy2に対する荷電粒子線Bの線量が、X軸ビームラインBLx2〜BLx(N−1)に対する荷電粒子線Bよりも高くなるように変調を行う。
次に、本実施形態に係る荷電粒子線治療装置1の作用・効果について説明する。
まず、比較例1に係る荷電粒子線治療装置として、コリメータを有さず、且つ、照射野の周縁部で荷電粒子線Bの線量の変調を行わないものについて説明する。このような比較例1に係る荷電粒子線治療装置では、図6(b)に示すように、いずれの照射位置における線量分布M1,M2,M3も同様な形状となる。この場合、合計の線量分布TMは、照射野の周縁部付近において、緩やかに低下して行くようなグラフを描く。従って、横方向の線量分布の切れを示すペナンブラ(図において「T2」で示す)が大きくなるという問題が生じる。
これに対し、比較例2に係る荷電粒子線治療装置として、コリメータで照射野を規定するが、照射野の周縁部で荷電粒子線Bの線量の変調を行わないものについて説明する。この場合、図6(b)に示すように、コリメータの側縁部の位置PCよりも外周側の領域E2における合計の線量分布TMが遮蔽される。これによって、周縁部付近で急激に線量が低下するので、ペナンプラを低下させることができる。しかしながら、このような比較例2に係る荷電粒子線治療装置では、周縁部付近の線量が遮蔽されるため、当該箇所で急激に線量が低下することに起因して、照射野に対する線量分布の平坦度が低下してしまう場合がある。すなわち、コリメータの位置で荷電粒子線Bを遮蔽した後も、コリメータを通過した当該荷電粒子線Bは、下流側まで進行して、腫瘍の層Lnへ照射される。このとき、照射対象となる層Lnの周縁部付近での線量分布が、コリメータでの遮蔽に起因して落ち込むことにより、線量分布の平坦度が低下する場合がある。
また、比較例3に係る荷電粒子線照射装置として、コリメータでの照射野の規定を行わず、照射野の周縁部で荷電粒子線Bの線量の変調を行うものについて説明する。この場合、図6(a)に示すように、周縁部に対する線量分布M1が大きくなることで、合計に係る線量分布TMが、周縁部付近で急激に立ち上がることで、ペナンブラを低下させることができる(図において「T1」で示す)。その一方、合計に係る線量分布TMが周縁部付近でピーク(図においてAで示す)を有する場合がある。これによって、局所的に線量が大きくなることに起因して、線量分布の平坦度が低下する場合がある。
一方、本実施形態に係る荷電粒子線治療装置1では、照射部2から腫瘍14に対してスキャニング方式により照射される荷電粒子線Bの照射野60をマルチリーフコリメータ24で規定することができる。すなわち、照射野60の周縁部に照射される荷電粒子線Bの一部をコリメータで遮蔽することができる。このように、マルチリーフコリメータ24を用いることにより、ペナンブラ(横方向の線量分布の切れ)を改善することができる。更に、制御部7は、マルチリーフコリメータ24で規定された照射野60の周縁部に荷電粒子線Bを照射するときは、照射野60における他の部分に荷電粒子線Bを照射するときよりも高い線量の荷電粒子線Bに変調する。従って、照射野60の周縁部では、変調によって荷電粒子線B自体の線量が高くなっているためペナンブラが改善されながらも線量分布の平坦度が低下するが、照射野の周縁部の荷電粒子線Bの一部をマルチリーフコリメータ24で遮蔽することで線量分布を平坦化させることができる。以上により、ペナンブラの改善と、線量分布の平坦度の確保を両立することができる。
荷電粒子線治療装置1において、変調された荷電粒子線Bの線量分布M1において、当該線量分布M1の頂点TP1に対応する位置を第1の位置P1とし、他の部分に照射される荷電粒子線Bの線量分布M2,M3の頂点TP2,TP3と同じ線量ST2に対応する位置を第2の位置P2とする。この場合、マルチリーフコリメータ24は、第1の位置P1より外周側の位置であって、第1の位置P1と第2の位置P2との間の位置で、変調した荷電粒子線Bを遮蔽する。例えば、位置P1よりも内周側で荷電粒子線Bの遮蔽を行う場合、線量分布M1の頂点TP1の線量も遮蔽することとなる。この場合、荷電粒子線Bを変調したことによる効果が低減する。また、第2の位置P2よりも外周側で荷電粒子線Bの遮蔽を行う場合、遮蔽される線量の量が少なくなりすぎることで、マルチリーフコリメータ24を用いる事による効果が減少する。従って、第1の位置P1と第2の位置P2との間の位置で、変調した荷電粒子線Bを遮蔽することで、荷電粒子線Bの変調による効果、及びマルチリーフコリメータ24を用いることによる効果を両立させることが可能になる。以上により、マルチリーフコリメータ24は、照射野60の周縁部にて変調された荷電粒子線Bの一部を適切な位置にて遮蔽することができる。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。
例えば、図4に示す照射野の形状は一例に過ぎず、腫瘍14の形状に合わせてあらゆる形状の照射野が規定されてよい。
また、図4に示すマルチリーフコリメータの構造は一例に過ぎず、照射野を規定できるものであれば、あらゆるタイプのコリメータを採用してもよい。
なお、線量の変調によって荷電粒子線の線量を高くする位置は、照射野の最も外側の位置に限らず、照射野の内側の複数の位置における線量を高くしてもよい。例えば、図5に示す線量分布M1のみの線量を高くするのではなく、例えば線量分布M2などの線量を高くしてもよい。
1…荷電粒子線治療装置、2…照射部、3…加速器、7…制御部、14…腫瘍(被照射体)、24…マルチリーフコリメータ。
Claims (2)
- 荷電粒子を加速して荷電粒子線を出射する加速器と、
被照射体に対してスキャニング方式により前記荷電粒子線を照射する照射部と、
前記被照射体の形状に合わせて前記荷電粒子線の照射野を規定するコリメータと、
前記照射部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記コリメータで規定された前記照射野の周縁部に前記荷電粒子線を照射するときは、前記照射野における他の部分に前記荷電粒子線を照射するときよりも高い線量の前記荷電粒子線に変調する、荷電粒子線治療装置。 - 変調された前記荷電粒子線の線量分布において、当該線量分布の頂点に対応する位置を第1の位置とし、前記他の部分に照射される前記荷電粒子線の線量分布の頂点と同じ線量に対応する位置を第2の位置とした場合、
前記コリメータは、前記第1の位置より外周側の位置であって、前記第1の位置と前記第2の位置との間の位置で、変調した前記荷電粒子線を遮蔽する、請求項1に記載の荷電粒子線治療装置。
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