JP2020096154A - 発光装置の製造方法及び発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】薄型の発光装置の製造方法及び薄型の発光装置を提供することを課題とする。【解決手段】発光装置の製造方法は、上面及び上面の反対側に位置する第１下面を有する基材と、上面に配置される一対の第１配線と、を備える前駆体基板と、第１配線上に配置され、電極形成面に形成された一対の素子電極が半田により接続される発光素子と、を備える第１中間体を準備する工程Ｓ１１と、基材の第１下面側から前駆体基板を除去し、素子電極及び半田を含む第２下面を有する第２中間体を形成する工程Ｓ１２と、素子電極及び半田を被覆する一対の外部接続電極を第２下面に形成する工程Ｓ１３と、を含む。【選択図】図３Ａ

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。

発光素子（ＬＥＤ素子）は、バックライト用光源や各種照明など様々な用途で広く利用されている。特許文献１には、凹部を有する発光素子収納用パッケージと、凹部に収容され搭載された発光素子と、を具備する小型の発光装置が開示されている。

特開２００４−２０７５４２号公報

発光装置を組み込んだ製品の小型化を図るために、発光装置は更なる薄型化の要求がある。そこで、本発明に係る実施形態は、薄型の発光装置の製造方法及び薄型の発光装置を提供することを課題とする。

本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、上面及び前記上面の反対側に位置する第１下面を有する基材と、前記上面に配置される一対の第１配線と、を備える前駆体基板と、前記第１配線上に配置され、電極形成面に形成された一対の素子電極が半田により接続される発光素子と、を備える第１中間体を準備する工程と、前記基材の第１下面側から前記前駆体基板を除去し、前記素子電極及び前記半田を含む第２下面を有する第２中間体を形成する工程と、前記素子電極及び前記半田を被覆する一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程と、を含む。

本開示の実施形態に係る発光装置は、光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、前記素子電極の側面を被覆する半田と、前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第１反射部材と、前記素子電極、前記第１反射部材、及び、前記半田と接する外部接続電極と、を備える。

本発明に係る実施形態の発光装置の製造方法によれば、薄型の発光装置を提供することができる。また、本発明に係る実施形態の発光装置によれば、薄型に形成することができる。

第１実施形態に係る発光装置の透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の外部接続電極側から装置全体を模式的に示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の外部接続電極側を示す底面図である。 図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面を示す断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法における第１中間体準備工程の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法において前駆体基板を一部省略して模式的に示す平面図である。 図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを接続する状態を断面にして模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを半田を介して接続した状態を断面にして模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子を接続した前駆体基板に第１反射部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、図５ＤのＥＡで示す半田部分を拡大して模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体の第２下面に外部接続電極を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体に外部接続電極を形成した後に個片化して発光装置を断面にして模式的に示す図である。 第２実施形態に係る発光装置の第１透光性部材及び第２透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。 第２実施形態に係る発光装置において図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の第１透光性部材及び第２透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。 第３実施形態に係る発光装置において図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートにおいて第１中間体準備工程の一例を示すフローチャートである。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを接続する状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを半田を介して接続した状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子を接続した前駆体基板に第１反射部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上に第２導光部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２導光部材上に第１導光部材を形成すると共に透光性部材を形成する状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、透光性部材に溝部を形成した後に、溝部内に第２反射部材を充填した状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を研削して第２下面を形成した第２中間体を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体の第２下面に外部接続電極を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを接続して第１光反射性部材を設けた状態を断面にして模式的に示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射性部材から透光性部材の上面を露出させて第１中間体を形成した状態を断面にして示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上面から第１切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体に外部接続電極を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体に第２切溝を形成して個片化した発光装置を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体を形成した状態を断面にして示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上面から第１切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、支持基板に第２中間体の上面を支持した状態を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の下面に第２切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体の第２下面及び第２切溝内に金属膜を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２切溝内に第３切溝を形成して金属膜を切断し側面電極部及び下面電極部を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。 第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、支持基板を除去して発光装置毎を個片化した状態を断面にして模式的に示す図である。 各実施形態において外部接続電極の第１変形例を模式的に示す底面図である。 各実施形態において外部接続電極の第２変形例を模式的に示す底面図である。 各実施形態において外部接続電極の第３変形例を模式的に示す底面図である。 各実施形態において前駆体基板の第１配線の第１変形例を模式的に示す平面図である。 図１５ＡのＸＶＢ−ＸＶＢ線における断面図である。 各実施形態において前駆体基板の第１配線の第２変形例を模式的に示す平面図である。 各実施形態において前駆体基板の第１配線の第３変形例を模式的に示す平面図である。 各実施形態において発光装置の第１変形例を模式的に示す底面図である。 各実施形態において発光装置の第２変形例を模式的に示す底面図である。 各実施形態において発光装置の第３変形例を模式的に示す斜視図である。 各実施形態において発光装置の第４変形例を模式的に示す斜視図である。 各実施形態において発光装置の第５変形例を模式的に示す斜視図である。 各実施形態において溝の形成方法の一例を模式的に示す説明図である。 図１７Ａの側面状態を模式的に示す説明図である。 各実施形態において第１中間体に溝を形成した状態を模式的に示す説明図である。 図１７Ｃの第１中間体の側面視において溝を形成した状態を模式的に示す説明図である。 各実施形態において溝を形成した発光装置を個片化した状態を模式的に示す平面図である。 各実施形態において溝を形成した発光装置を個片化した状態を模式的に示す側面図である。 各実施形態において溝を発光装置の底面側に形成した変形例を模式的に示す斜視図である。 各実施形態において発光装置の前駆体基板を模式的に示す平面図である。 図１８の一点鎖線で囲む領域ＷＭａを拡大して模式的に示す拡大平面図である。 図１９のＸＸ−ＸＸ線における断面図である。 第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。 第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体について図１８の一点鎖線で囲む領域ＭＷａを拡大して第２下面側からみた底面図である。 各実施形態において発光装置の前駆体基板における他の構成を模式的に示す平面図である。 第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体について図２３の一点鎖線で囲む領域ＭＷｃを拡大して第２下面側からみた底面図である。

以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。なお、本開示では、はじめに発光装置の構成を説明し、その後、発光装置の製造方法について説明を行う。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る発光装置について図１Ａから図２Ｂを参照して説明する。図１Ａは、第１実施形態に係る発光装置の透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。図１Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の外部接続電極側から装置全体を模式的に示す斜視図である。図２Ａは、第１実施形態に係る発光装置の外部接続電極側を示す底面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面を示す断面図である。
発光装置１００は、発光素子２０と、発光素子２０の素子電極２１，２２の側面を被覆する半田６０と、発光素子２０の電極形成面２０３及び半田６０の側面を被覆する第１反射部材３０と、素子電極２１，２２、第１反射部材３０、及び、半田６０と接する外部接続電極７１，７２と、を備えている。
以下、発光装置１００の各構成について説明する。

＜発光素子＞
発光素子２０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子である。この発光素子２０は、窒化物半導体等から構成される既知の半導体素子を使用することができる。
発光素子２０は、素子基板２４及び素子基板２４に積層される半導体積層体２３と、半導体積層体２３に設けられた一対の素子電極２１，２２とを備えている。発光素子２０は、ここでは、素子基板２４の上面を光取出面２０１とし、光取出面２０１の反対側に位置する半導体積層体２３の下面を電極形成面２０３としている。
発光素子２０としては、例えばＬＥＤチップが挙げられる。発光素子２０は、少なくとも半導体積層体２３を備え、多くの場合に素子基板２４をさらに備える。また、発光素子２０は、素子電極２１，２２を有し、素子電極２１，２２が、金、銀、銅、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。半導体材料としては、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。

このほか、半導体材料としては、ＩｎＡｌＧａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子２０の素子基板２４は、主として半導体積層体２３を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板である。なお、素子基板２４は、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に接合させる接合用基板であってもよい。
素子基板２４が透光性を有することで、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板２４の母材としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げられる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板２４の厚さは、適宜選択でき、例えば０．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板２４の強度及び／若しくは発光装置１００の厚さの観点において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

発光素子２０は、同一面側に正負一対の素子電極２１，２２を有するものが好ましい。これにより、発光素子２０をフリップチップ実装することができる。発光素子２０は、発光素子２０の素子電極２１，２２が位置する面である電極形成面２０３と反対側の面を光取出面２０１とする。なお、発光素子２０は、素子基板２４を有するが、最終的な発光装置１００の構成となったときに素子基板２４を備えていなくてもよい。また、発光素子２０の光取出面２０１には、ここでは、透光性部材５０が設置され、第１反射部材３０から露出するように形成されている。なお、素子電極の上面とは、素子電極において、電極形成面と対面する面のことである。素子電極２１，２２の下面とは、素子電極２１，２２の上面とは反対側に位置し、前駆体基板１０の第１配線１２，１３と対面する面のことである。素子電極２１，２２の側面とは、素子電極２１，２２の上面と素子電極２１，２２の下面との間に位置する面のことである。

＜半田＞
半田６０は、発光素子２０の素子電極２１，２２の側面を被覆するように形成されている。半田６０は、発光素子２０の素子電極２１，２２と共に外部接続電極７１，７２に電気的に接続する部材である。半田の材料としては、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの公知の材料を用いることができる。
また、半田６０は、電極形成面２０３から外部接続電極７１，７２に向かって半田の下面の面積が大きくなるように素子電極２１，２２の側面に形成されている。そして、半田６０は、素子電極２１，２２の側面の５０％以上、或いは、素子電極２１，２２の側面の全てを覆うように形成されることが望ましい。素子電極２１，２２の側面に半田６０が形成されていることで、外部接続電極７１，７２等の実装材料が、素子電極２１，２２と第１反射部材３０との間から侵入することを抑制して半導体積層体２３の劣化を防止することができる。また、上面視において、半田が素子電極を囲むように形成されることが望ましい。なお、上面視とは、基材の上面に対して実質的に垂直な方向から見た場合を指す。

さらに、半田６０は、素子電極２１，２２と第１反射部材３０との間において、電極形成面２０３から外部接続電極７１，７２に向かって第１反射部材３０側に半田６０の側面が傾斜して下面の面積を大きく形成している。そのため、半田６０が形成されない場合と比較した場合、素子電極２１，２２の下面及び半田６０の下面を併せて放熱面積を大きくして放熱性を上げることが可能となる。半田６０の下面とは、半田の外部接続電極７１，７２に対面する面のことである。半田の側面とは、半田の下面から電極形成面側に向かう傾斜面のことである。なお、半田が、電極形成面と対面する上面を有する場合には、半田６０の側面とは、半田の上面と半田の下面との間に位置する面のことである。
また、半田６０は、ここでは、最終的な装置の構成となったときには除去されている前駆体基板１０の第１配線１２，１３（図５Ａ参照）に素子電極２１，２２が接続されるときに用いられる。そのため、最終的な発光装置１００としての構成では、前駆体基板１０が除去されて、半田６０が素子電極２１，２２の側面（側周面）に形成されている状態となる。
なお、半田６０の下面と、一対の素子電極２１，２２の下面と、後記する第１反射部材３０の下面とは同一平面になるように形成されることが好ましい。これらの各下面が同一平面上になることで、後記する外部接続電極７１，７２が形成し易くなる。

＜透光性部材＞
透光性部材５０は、発光素子２０の光取出面２０１を被覆し、発光素子２０を保護する透光性の部材である。透光性部材５０は、上面視において発光素子２０の光取出面２０１よりも大きな面積で形成されている。透光性部材５０は、その下面が第１導光部材４０を介して発光素子２０の光取出面２０１に接続されていていてもよい。第１導光部材４０は発光素子２０の光取出面２０１と、透光性部材５０の間のみに位置して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよいし、発光素子２０の光取出面２０１から発光素子２０の素子側面２０２まで被覆して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよい。

透光性部材５０の材料として、例えば、樹脂を用いることができる。透光性部材５０に用いることができる樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。透光性部材５０の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置１００の強度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。透光性部材５０は、波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。なお、波長変換粒子及び／又は拡散粒子は、公知のものを使用することができる。
透光性部材５０は、波長変換粒子を含有しない透光層５２と、波長変換粒子を含有する波長変換層５１とを備えていてもよい。また、波長変換層５１は、第１波長変換層５１Ａ１及び第２波長変換層５１Ａ２を有するようにしてもよい。透光性部材５０の構成をこのようにすることで、発光装置１００の色調整が容易になる。

波長変換粒子は、発光素子２０が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の二次光を発する部材である。透光性部材５０に波長変換粒子を含有させることにより、発光素子２０が発する一次光と、波長変換粒子が発する二次光とが混色された混色光を出力することができる。例えば、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子にＹＡＧ等の蛍光体を用いれば、青色ＬＥＤの青色光と、この青色光で励起されて蛍光体が発する黄色光とを混合させて得られる白色光を出力する発光装置１００を構成することができる。また、発光素子２０に青色ＬＥＤを、波長変換粒子に緑色蛍光体であるβサイアロン系蛍光体と、赤色蛍光体であるマンガン賦活フッ化物系蛍光体を用いて白色光を出力する発光装置１００を構成してもよい。

透光性部材５０では、波長変換層５１及び透光層５２を備える場合、光の取出面５０１に向かう方向において、透光層５２を波長変換層５１よりも上側に位置する。このようにすることで、透光層５２が保護層の機能を果たすので波長変換粒子の劣化を抑制できる。また、透光層５２が波長変換層５１の上に位置することで、水分に弱い波長変換粒子を使用することができる。例えば、波長変換粒子として、マンガン賦活フッ化物蛍光体も使用することができる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点において好ましい部材である。
また、波長変換層５１では、第１波長変換層５１Ａ１と、第１波長変換層５１Ａ１を被覆する第２波長変換層５１Ａ２の構成とする場合、第２波長変換層５１Ａ２が、第１波長変換層５１Ａ１を直接被覆してもよく、透光性の別の層を介して第１波長変換層５１Ａ１を被覆してもよい。第１波長変換層５１Ａ１に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、第２波長変換層５１Ａ２に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長よりも短いことが好ましい。このようにすることで、発光素子２０に励起された第１波長変換層５１Ａ１からの光によって、第２波長変換層５１Ａ２の波長変換粒子を励起することができる。これにより、第２波長変換層５１Ａ２の波長変換粒子からの光を増加させることができる。

第１波長変換層５１Ａ１に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であり、第２波長変換層５１Ａ２に含有される波長変換粒子の発光ピーク波長は、６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、色再現性の高い発光装置とすることができる。例えば、第１波長変換層５１Ａ１に含有される波長変換粒子としてβサイアロン系蛍光体が挙げられ、第２波長変換層５１Ａ２に含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられる。第２波長変換層５１Ａ２に含有される波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体を用いる場合には、特に、透光性部材５０が、第１波長変換層５１Ａ１と、第２波長変換層５１Ａ２と、を備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体は輝度飽和を起こしやすいが、第２波長変換層５１Ａ２と発光素子２０との間に第１波長変換層５１Ａ１が位置することで発光素子２０からの光が過度にマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体に照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体の劣化を抑制することができる。

＜第１導光部材＞
第１導光部材４０は、発光素子２０と透光性部材５０を固定し、発光素子２０からの光を透光性部材５０に導光する部材である。第１導光部材４０の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。第１導光部材４０の材料として、エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置１００の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので好ましい。第１導光部材４０は、前記した透光性部材５０の波長変換層５１と同様の波長変換粒子及び／又は拡散粒子を含有していてもよい。

第１導光部材４０は、発光素子２０の光取出面２０１と、透光性部材５０の間のみに位置して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよいし、発光素子２０の光取出面２０１から発光素子２０の素子側面２０２まで被覆して発光素子２０と透光性部材５０を固定してもよい。なお、第１導光部材４０は、透光性部材５０と光取出面２０１の間のみに位置する場合には、発光素子２０の側面が第１反射部材３０により被覆されることになる。第１導光部材４０は、第１反射部材３０よりも発光素子２０からの光の透過率が高い。このため、第１導光部材４０が発光素子２０の側面まで被覆することで、発光素子２０の素子側面２０２から出射される光が第１導光部材４０を通して発光装置１００の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。

＜第１反射部材＞
第１反射部材３０は、透光性部材５０の光の取出面５０１側に光を反射し発光素子２０からの光が、発光装置１００を実装する実装基板に吸収されることを抑制する部材である。第１反射部材３０は、発光素子２０の素子側面２０２を直接又は第１導光部材４０を介して被覆してもよい。また、第１反射部材３０は、発光素子２０の素子側面２０２、電極形成面２０３、半田６０の側面及び透光性部材５０の側面を被覆するように形成されてもよい。第１反射部材３０は、発光素子２０の発光ピーク波長における光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。第１反射部材３０の材料としては、例えば、母材中に白色顔料を含有させた部材を用いることができる。第１反射部材３０の母材としては、樹脂を用いることが好ましく、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂、などを用いることが好ましい。特に、第１反射部材３０の母材として、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂を用いることでシリコーン樹脂を用いた場合より発光装置の硬度を向上させることができるので好ましい。また、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れているので第１反射部材３０の母材として用いることが好ましい。第１反射部材３０は、発光素子２０からの光が透過しない程度に所定の厚みにすることで発光素子２０からの光が第１反射部材を透過することを抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。なお、発光素子からの光が透過しないとは、発光素子からの光の５０％以上が透過しないことが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがよりいっそう好ましい。

＜外部接続電極＞
外部接続電極７１，７２は、発光装置１００を外部の電極に接続するためのものである。外部接続電極７１，７２は、素子電極２１，２２及び半田６０の下面に接するように形成されている。外部接続電極７１，７２のそれぞれは、素子電極２１及び半田６０の下面、或いは、素子電極２２及び半田６０の下面の面積と同等又は同等以上の大きさの面積になるように形成されている。外部接続電極７１，７２は、例えば、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金等を、互いに離間して層状に設けることで形成されている。なお、外部接続電極７１，７２は、発光装置の下面の周端まで形成されていてもよく、外部接続電極７１，７２が発光装置の下面の周端から離間して形成されていてもよい。外部接続電極７１，７２が発光装置の下面の周端まで形成されている場合には、発光装置の側面が実装基板の実装面に対向して実装される側面発光型の発光装置でも外部接続電極７１，７２から電気を供給しやすくなる。また、外部接続電極７１，７２が発光装置の下面の周端から離間して形成されている場合には、外部接続電極７１，７２にバリが発生することを抑制できる。

発光装置１００は、以上説明したような各構成により形成される。発光装置１００は、発光素子を載置する基板を有していないので、発光装置の上面（光の取出面５０１）から下面（外部接続電極７１，７２）までの寸法を小さくすることができる。そのため、発光装置１００では、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。また、発光装置１００では、素子電極２１，２２の側面を被覆する半田６０と、外部接続電極７１，７２と、が接しているので、素子電極の側面を被覆する半田が形成されていない場合よりも、発光装置の放熱性が向上する。なお、発光装置の光の取出面５０１とは、発光装置において最上面に位置し、発光素子からの光を取り出す面のことである。このため、発光装置の最上面に透光性部材５０の上面が位置する場合には、透光性部材５０が発光装置の光の取出面５０１を有する。また、発光装置の最上面に発光素子２０の上面が位置する場合には、発光素子２０が発光装置の光の取出面５０１を有する。

次に、発光装置の製造方法について、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ〜図５Ｇを参照して説明する。
図３Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。図３Ｂは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法における第１中間体準備工程の一例を示すフローチャートである。図４Ａは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法において前駆体基板を一部省略して模式的に示す平面図である。図４Ｂは、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における断面図である。図５Ａ〜５図Ｇは、第１実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、図５Ａは、発光素子と前駆体基板とを接続する状態を断面にして模式的に示す図、５図Ｂは、発光素子と前駆体基板とを半田を介して接続した状態を断面にして模式的に示す図、図５Ｃは、発光素子を接続した前駆体基板に第１反射部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図、図５Ｄは、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図、図５Ｅは、図５Ｄの半田部分を拡大して示す図、図５Ｆは、第２中間体の第２下面に外部接続電極を形成した状態を断面にして模式的に示す図、図５Ｇは、第２中間体に外部接続電極を形成した後に個片化して発光装置を断面にして模式的に示す図である。

発光装置の製造方法は、以下の工程を少なくとも含むように行われている。
（１）上面の反対側に位置する第１下面を有する基材と、上面に配置される一対の第１配線と、を備える前駆体基板と、第１配線上に配置され、電極形成面に形成された一対の素子電極が半田により接続される発光素子と、を備える第１中間体を準備する第１中間体準備工程Ｓ１１を行う。
（２）基材の第１下面側から前駆体基板を除去し、素子電極及び前記半田を含む第２下面を有する第２中間体を形成する第２中間体形成工程Ｓ１２を行う。
（３）素子電極及び半田を被覆する一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する外部接続電極形成工程Ｓ１３を行う。
以下、各工程について説明する。

（第１中間体を準備する工程）
第１中間体準備工程Ｓ１１は、前駆体基板１０に半田６０を介して発光素子２０を接続した第１中間体１０１を準備する工程である。ここでは、説明を簡単にするために、図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線おける断面図の構成部分を主に説明する。つまり、第１中間体１０１では、行列方向に複数の発光素子２０が配置されるが、２つの発光素子２０が配置される部分を主について説明することとする。
図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第１中間体準備工程Ｓ１１において、第１中間体１０１は、前駆体基板１０に発光素子２０を接続して形成される。発光素子２０は、前駆体基板１０の基材１１の上面１１１に形成された一対の第１配線１２，１３に、半田６０を介して、素子電極２１，２２を接続する。第１配線１２，１３の面積は、発光素子２０の素子電極２１，２２よりも広い。これにより、素子電極の側面を被覆する半田を形成しやすくなる。第１配線１２，１３は、発光素子２０の素子電極２１，２２と対向する位置に、凸部を備えていてもよい。第１配線１２，１３が、凸部を備えることで、素子電極２１，２２を半田６０により接続する際にセルフアライメント効果により位置合せを容易に行うことができる。
第１配線１２，１３の面積は、発光素子２０の素子電極２１，２２と同等でもよい。このようにすることで、第１配線１２，１３に対する発光素子２０の位置精度を向上させることができる。

上面視における凸部の大きさは、特に限定されないが、凸部と対向するそれぞれの素子電極２１，２２の大きさに対して±１０％以内の大きさであることが好ましい。このようにすることで、セルフアライメント効果が高めることができる。また、凸部の厚みは特に限定されないが、３μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

第１配線の材料としては、公知の金属材料を用いて形成することができる。例えば、第１配線の材料として銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金等で形成することができる。特に、第１配線の材料として銅又は銅合金を用いることが好ましい。このようにすることで、第１配線の放熱性が向上する。また、第１配線の表層が公知の金属材料によりめっきされていてもよい。例えば、第１配線の表層が金めっきされていることが好ましい。このようにすることで、第１配線が酸化することを抑制することができる。
なお、前駆体基板は、基材１１の上面に配線として形成した第１配線の他に、基材１１の下面に形成された第２配線を備えていてもよい。また、一対の第１配線とそれぞれ電気的に接続される第２配線を備えていてもよい。第２配線の材料としては、第１配線と同様の材料を用いることができる。

ここで用いられる前駆体基板１０は、後記するように、発光装置１００となる段階では、除去されることになるものである。
なお、基材１１は、上面１１１から第１下面１１２までの最大厚みは、一例として、１００μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。基材の強度は、上面１１１から第１下面１１２までの厚みを１００μｍ以上にすることで向上する。また、後記するように前駆体基板１０を除去する際には、第１下面１１２から第１配線１２，１３並びに素子電極２１，２２の一部までを除去することで、発光装置の厚みを薄くしている。

基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。

第１中間体１０１において、発光素子２０は、光取出面２０１を被覆する透光性部材５０を接続してもよい。発光素子２０が透光性部材５０に被覆されることで、発光素子２０を外部応力から保護することができる。第１中間体１０１は、基材１１の第１配線１２，１３に発光素子２０の素子電極２１，２２を、半田６０を介して接続したものをいう。また、発光装置１００では、透光性部材５０の上面が装置の光の取出面５０１である。

なお、図５Ｃに示すように、第１中間体１０１は、発光素子２０を配置した後に第１反射部材形成工程により、第１反射部材３０を備えていてもよい。第１反射部材３０は、透光性部材５０の側面、発光素子２０の電極形成面２０３、半田６０の側面を被覆してもよい。第１反射部材３０は、発光素子２０の側面を、第１導光部材４０を介して被覆するように設けられている。第１反射部材３０は、例えば、発光素子２０が配置された前駆体基板１０を上下の金型に設置して、硬化すると第１反射部材３０となる溶融した部材を金型内に充填して形成される。そして、第１中間体１０１は、第１反射部材３０が形成された状態として準備される。

（第２中間体を形成する工程）
図５Ｄ及び図５Ｅに示すように、第１反射部材が形成された第１中間体１０１が準備できると、次に、第１中間体１０１に第２下面１１３を形成した第２中間体１０２を形成する第２中間体形成工程Ｓ１２を行う。第２中間体形成工程Ｓ１２では、第１中間体１０１の第１下面１１２側から素子電極２１，２２の一部の範囲までを、例えば、研削機械を介して削って第２下面１１３を形成することで第２中間体１０２を形成している。
第２中間体形成工程Ｓ１２では、基材１１の第１下面１１２側から発光素子２０の素子電極２１，２２の一部までの範囲を除去して、第１中間体１０１の厚みを薄くする。前駆体基板の第１下面１１２から素子電極２１，２２の一部までを除去して、第１中間体１０１を薄くして第２下面１１３を形成して第２中間体１０２とすることで、薄型の発光装置１００を製造することができる。第２下面１１３を形成する際に、素子電極２１，２２の一部までの範囲を除去する方法としては、研削、エッチング、切削、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。なお、ここでは、素子電極２１，２２の一部までを除去する方法として研削を用いることが好ましい。このようにすることで、第１反射部材３０の下面、素子電極２１，２２の下面、及び、半田６０の下面が同一平面上となり第２中間体１０２の下面である第２下面１１３が平坦になる。そのため、複数の発光装置１００を製造する場合に、発光装置１００のバラつきを抑制することができる。
なお、第２下面１１３を形成した後には、研削くずが第２中間体１０２の様々な部分に付着して残存しないように洗浄工程を施してもよい。洗浄工程は、エアを第２中間体１０２に吹き付けることや、或いは、洗浄用液体に浸漬或いは洗浄用液体（固体二酸化炭素を含む）を吹き付けることで行うことができる。

（外部接続電極を形成する工程）
図５Ｆに示すように、続いて、外部接続電極形成工程Ｓ１３を行う。外部接続電極形成工程Ｓ１３は、素子電極２１，２２及び半田６０を被覆する一対の外部接続電極７１，７２を第２下面１１３に形成する工程である。一対の外部接続電極７１，７２とは、正負電極として機能する２つの電極のことである。このため、第２中間体１０２は、正負一対の電極となるよう互いに離間した一対の外部接続電極７１，７２を備える。なお、個片化前の一対の外部接続電極７１，７２は隣り合う一対の外部接続電極７１，７２と、離間していてもよく、繋がっていてもよい。なお、外部接続電極７１，７２は、金属層、金属膜或いは金属板により形成され、電気的な接続ができるものであればよい。

一対の外部接続電極７１，７２を形成する方法としては、スパッタ、蒸着、めっき等の公知の方法を用いることができる。ここでは、一対の外部接続電極７１，７２を形成する方法としてスパッタを用いることが好ましい。このようにスパッタを用いることで、第２下面１１３と外部接続電極７１，７２と接合強度が向上しやすくなり、これにより、第２下面から外部接続電極７１，７２が剥がれることを抑制できる。スパッタにより一対の外部接続電極７１，７２を形成する場合には、一対の外部接続電極７１，７２が繋がって短絡しないためにマスク等を用いてもよい。
なお、外部接続電極７１，７２を形成する場合、連続して被覆する金属層を形成してから、一対の外部接続電極７１，７２となるように第２下面１１３に形成してもよい。これは、素子電極２１，２２に連続して形成した金属層の少なくとも一部を除去することにより、素子電極２１，２２と電気的に接続される一対の外部接続電極７１，７２を形成する。金属層の一部を除去する方法としては、レーザ光の照射、エッチング、ブラスト等の公知の方法を用いることができる。

金属層の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いることが好ましい。レーザ光の照射することでマスクなどを用いることがなく、金属層のパターニングをすることができる。金属層にレーザ光を照射すると、レーザアブレーションを生じさせることができる。これにより、金属層の一部が除去される。レーザ光を照射することにより、金属層がパターニングされることになり、金属層を外部接続電極とすることができる。なお、レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象のことである。
金属層の一部を除去する方法としてレーザ光の照射を用いる場合には、レーザ光の波長は、金属層に対する反射率が低い波長、例えば反射率が９０％以下である波長を選択することが好ましい。例えば、金属層の最表面がＡｕである場合には、赤色領域（たとえば６４０ｎｍ）のレーザよりも、緑色領域（例えば５５０ｎｍ）より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。

（個片化工程）
図５Ｇに示すように、個片化工程Ｓ１４は、発光装置１００ごとに個片化する工程である。この工程Ｓ１４では、ブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって、第２中間体１０２において隣接する発光素子２０の側面との間に沿って、第１反射部材３０を切断することで発光装置１００毎に個片化される。このようにすることで、複数の発光装置１００を製造することができる。

＜第２実施形態＞
図６Ａ及び図６Ｂを参照して第２実施形態に係る発光装置１００Ａについて説明する。図６Ａは、第２実施形態に係る発光装置の第１透光性部材及び第２透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。図６Ｂは、第２実施形態に係る発光装置において図６ＡのＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面図である。なお、発光装置１００Ａは、既に説明した発光装置１００を２つ連続している構成と同等である。
発光装置１００Ａは、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２を備えると共に、第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２をそれぞれ第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２に対向して形成するような構成としている。

第１発光素子２０Ａ１と第２発光素子２０Ａ２とが直線上に沿って、互いに離間して配置されている。第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２は、同じ色の光を発光するものを並列して用いることや、異なる色を発光するものを並列して用いることであってもよい。なお、第１発光素子２０Ａ１と第２発光素子２０Ａ２の発光ピーク波長が同じ場合は、第１発光素子２０Ａ１と第２発光素子２０Ａ２の発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）であってもよい。また、第１発光素子２０Ａ１と、第２発光素子２０Ａ２の発光ピーク波長が異なる場合は、発光のピーク波長が４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ未満の範囲（青色領域の波長範囲）にある第１発光素子２０Ａ１と、発光のピーク波長が４９０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下の範囲（緑色領域の波長範囲）にある第２発光素子２０Ａ２と、であってもよい。このようにすることで発光装置１００Ａの色再現性を向上させることができる。なお、発光ピーク波長が同じとは±１０ｎｍ程度の変動は許容されるものとする。

第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２は、既に説明した透光性部材５０と同じ構成であり、それぞれが第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２のそれぞれに対向して形成されている。第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２は、同じ構成として形成されることや、異なる構成として形成されることであってもよい。第１透光性部材５０Ａ１と、第２透光性部材５０Ａ２との構成が異なる場合には、例えば、含まれている波長変換粒子を変えることができる。また、第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２の一方に波長変換粒子を備え、他方に波長変換粒子を備えない構成とすることができる。なお、第１反射部材３０は、第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２の上面を露出させ、かつ、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の側面を、第１導光部材４０を介して一体的に被覆するように形成されている。

外部接続電極７１Ａ，７２Ａ，７３Ａは、素子電極２１，２２の下面及び半田６０の下面に対面して電気的に接続されるように、第１反射部材３０の下面に３カ所に亘って形成されている。そして、第１の外部接続電極７１Ａは、第１発光素子２０Ａ１の一方の素子電極２１及び半田６０と接続するように形成されている。また、第３の外部接続電極７３Ａは、第２発光素子２０Ａ２の他方の素子電極２２及び半田６０と接続するように形成されている。さらに、第２の外部接続電極７２Ａは、第１発光素子２０Ａ１の他方の素子電極２２及び半田６０、並びに、第２発光素子２０Ａ２の一方の素子電極２１及び半田６０に接続するように、第１の外部接続電極７１Ａと第３の外部接続電極７３Ａの間に形成されている。第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２は、正負の素子電極２１，２２の位置を変えることで、直列でも並列でも接続できるように構成されている。

次に、第２実施形態に係る発光装置１００Ａの製造方法について説明する。
発光装置１００Ａは、既に説明した発光装置の製造方法と基本的には同等である。そして、第１反射部材３０を形成する工程では、第１透光性部材５０Ａ１及び第２透光性部材５０Ａ２の上面を露出させるように形成される。そして、第１反射部材３０は、半田６０の側面と、電極形成面と、第１導光部材４０を介して第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の側面とを、一体的に被覆するように形成されている。
個片化工程を行う場合に、発光素子２０（第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２）を複数（２つ）含むように個片化することで発光装置１００Ａを製造することができる。
発光装置１００Ａでは、半田６０及び素子電極２１，２２を介して外部接続電極７１Ａ，７２Ａ，７３Ａに接続されているので、発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置１００Ａでは、複数の発光素子（図面では２つ）を使用することができるので、色再現性を向上させることができる。

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る発光装置１００Ｂについて図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、第３実施形態に係る発光装置の第１透光性部材及び第２透光性部材側から装置全体を模式的に示す斜視図である。図７Ｂは、第３実施形態に係る発光装置において図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図である。なお、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２を、発光素子２０として説明する場合もある。
発光装置１００Ｂとして、前記した１００Ａの構成と異なる点は、第１反射部材３０Ｂと、第２反射部材９０と、第１導光部材４０Ｂと、第２導光部材４１Ｂとを備え、１つの透光性部材５０Ｂが第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２に対向して形成されていることである。なお、既に説明した構成については同じ符号を付して適宜説明を省略する場合がある。

透光性部材５０Ｂは、第１発光素子２０Ａ１の光取出面２０１Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の光取出面２０１Ａ２の複数に対して１つが対向して配置されている。この透光性部材５０Ｂは、第１導光部材４０Ｂを介して第１発光素子２０Ａ１の光取出面２０１Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の光取出面２０１Ａ２に設けられている。透光性部材５０Ｂは、透光層５２Ｂと、波長変換層５１Ｂとを備えている。また、波長変換層５１Ｂは、第１波長変換層５１０Ｂ１と第２波長変換層５１０Ｂ２とを備えている。なお、透光性部材５０Ｂは、大きさは異なるが、既に説明した透光性部材５０と同じ構成である。

第１導光部材４０Ｂは、第１発光素子２０Ａ１の光取出面２０１Ａ及び第２発光素子２０Ａ２の光取出面２０１Ａ２のそれぞれに対面するように形成されている。そして、第１導光部材４０Ｂは、第２導光部材４１Ｂ上にも形成されている。第１導光部材４０Ｂは、第２導光部材４１Ｂ上の部分が、光取出面２０１Ａ及び光取出面２０１Ａ２に対面する部分より厚みが厚くなるように形成されている。
そして、第２導光部材４１Ｂは、発光素子２０の素子基板２４の側面の全部又は一部を覆うように、第１導光部材４０Ｂの下方に連続して形成されている。第１導光部材４０Ｂ及び第２導光部材４１Ｂは、両者が既に説明した第１導光部材４０と同じ部材を使うことや、両者が前記した部材の中から異なる材料となるように形成されてもよい。

第１反射部材３０Ｂは、素子基板２４の一部の側面と、半導体積層体２３の全部の側面とを覆い、かつ、発光素子２０の電極形成面２０３と、半田６０の側面とを覆うように、第２導光部材４１Ｂの下方に形成されている。また、第１反射部材３０Ｂの下面は、素子電極２１，２２の下面と、半田６０の下面と、第２反射部材９０の下面と、同一平面になるように形成されている。
第２反射部材９０は、透光性部材５０Ｂの側面、第１導光部材４０Ｂの側面、第２導光部材４１Ｂの側面、及び、第１反射部材３０Ｂの側面を覆うように枠状に形成されている。第２反射部材９０は、発光装置１００Ｂの外側面を形成している。
第１反射部材３０Ｂ及び第２反射部材９０は、既に説明した第１反射部材３０と同じ材料で形成できる。また、第１反射部材３０Ｂと第２反射部材９０とを既に説明した中の異なる材料で形成することもできる。第１反射部材３０Ｂが母材中に白色顔料を含む場合には、白色顔料が外部接続電極側にとなる下面側に偏在することが好ましい。このようにすることで発光素子２０の光が白色顔料によって遮られにくくなり発光装置１００Ｂの光取出効率が向上する。

外部接続電極７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂは、素子電極２１，２２の下面及び半田６０の下面に対面して電気的に接続されるように形成されている。そして、第１の外部接続電極７１Ｂは、第１発光素子２０Ａ１の一方の素子電極２１、その側面の半田６０に接続するように形成されている。また、第３の外部接続電極７３Ｂは、第２発光素子２０Ａ２の他方の素子電極２２、その側面の半田６０に接続するように形成されている。さらに、第２の外部接続電極７２Ｂは、第１発光素子２０Ａ１の他方の素子電極２２、その側面の半田６０及び第２発光素子２０Ａ２の一方の素子電極２１、その側面の半田６０に接続するように、第１の外部接続電極７１Ｂと第３の外部接続電極７３Ｂとの間に形成されている。第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２は、正負の素子電極２１，２２の位置を変えることで、直列でも並列でも接続できるように構成されている。

次に、第３実施形態に係る発光装置の製造方法について図８乃至図９Ｈを参照して説明する。図８は、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートにおいて第１中間体準備工程の一例を示すフローチャートである。図９Ａは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを接続する状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｂは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを半田を介して接続した状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｃは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子を接続した前駆体基板に第１反射部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｄは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上に第２導光部材を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｅは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２導光部材上に第１導光部材を形成すると共に透光性部材を形成する状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｆは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、透光性部材に溝部を形成した後に、溝部内に第２反射部材を充填した状態を断面にして模式的に示す図である。図９Ｇは、第３実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を研削して第２下面を形成した第２中間体を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。

発光装置の製造方法は、既に説明した製造方法のフローチャートと同じ工程で製造されるが、各工程の内容が異なる場合がある。特に、第１中間体を準備する第１中間体準備工程は、以下の点で異なる。つまり、第１中間体準備工程では、発光素子基材接続工程Ｓ１１１と、第１反射部材形成工程Ｓ１１２と、第２導光部材形成工程Ｓ１１３と、第１導光部材形成工程Ｓ１１４と、透光性部材形成工程Ｓ１１５と、溝部形成工程Ｓ１１６と、第２反射部材溝部充填工程Ｓ１１７とが行われる。
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、第１中間体準備工程Ｓ１１において、発光素子基材接続工程Ｓ１１１を行う。発光素子基材接続工程Ｓ１１１では、前駆体基板１０の一対の第１配線１２，１３に半田６０を介して発光素子２０の一対の素子電極２１，２２が接続される。つまり、前駆体基板１０において、一方の一対の第１配線１２，１３に半田６０を介して第１発光素子２０Ａ１の一対の素子電極２１，２２が接続される。そして、前駆体基板１０において、他方の一対の第１配線１２，１３に第２発光素子２０Ａ２の一対の素子電極２１，２２が接続される。前駆体基板１０の基材１１に形成された全ての第１配線１２，１３に、前記したと同様に、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２が半田６０を介して接続される。

次に、図９Ｃ及び図９Ｄに示すように、第１中間体準備工程において、第１反射部材形成工程Ｓ１１２及び第２導光部材形成工程Ｓ１１３を行う。第１反射部材形成工程Ｓ１１２では、発光素子２０の半導体積層体２３を超えて素子基板２４の一部の高さまでの範囲となるように第１反射部材３０Ｂが形成される。さらに、第２導光部材形成工程Ｓ１１３では、第１反射部材３０Ｂの上に素子基板２４の上面の高さまで素子基板２４の側面を覆うように第２導光部材４１Ｂが形成される。第１反射部材形成工程Ｓ１１２及び第２導光部材形成工程Ｓ１１３は、それぞれ別々の工程として行うようにすることや、同一の工程で行うようにしてもよい。同一の工程として行う場合には、第１反射部材３０Ｂを第２導光部材４１Ｂの高さまで形成し、第１反射部材３０Ｂに含有されている反射部材、例えば、白色顔料を沈殿させることで、上層側を第２導光部材とし下層側を第１反射部材として形成する。

次に、図９Ｅに示すように、第１中間体準備工程において、第１導光部材形成工程Ｓ１１４及び透光性部材形成工程Ｓ１１５を行う。第１導光部材形成工程Ｓ１１４は、発光素子２０の光取出面及び第２導光部材４１Ｂの上に第１導光部材４０Ｂを形成する。第１導光部材４０Ｂは、透光性部材５０Ｂと発光素子２０とを接合させることができる部材である。続いて、透光性部材形成工程Ｓ１１５を行う。透光性部材形成工程Ｓ１１５は、第１導光部材４０Ｂが硬化する前に、前駆体基板１０に接続されている発光素子２０を覆うように透光性部材５０Ｂが設置される。なお、第１導光部材形成工程Ｓ１１４及び透光性部材形成工程Ｓ１１５は、透光性部材５０Ｂに第１導光部材４０Ｂを塗布した状態で、発光素子２０の光取出面２０１及び第２導光部材４１Ｂの上に設けることで行ってもよい。

次に、図９Ｆに示すように、第１中間体準備工程において、溝部形成工程Ｓ１１６及び第２反射部材溝部充填工程Ｓ１１７が行われる。溝部形成工程Ｓ１１６は、発光装置１００Ｂの単位となる範囲毎に、第２反射部材９０を形成するための溝部３Ｂが形成される。溝部３Ｂは、透光性部材５０Ｂ側から基材１１に到達する溝深さで、平面視において透光性部材５０Ｂに格子状に形成される。溝部３Ｂの溝深さは、例えば、前駆体基板１０の基材１１を貫通しない位置まで形成される。また、溝部３Ｂの溝幅は、溝部の半分の厚みで形成される第２反射部材９０が発光素子２０からの光を反射することができる厚みとなる範囲である。そして、溝部３Ｂは、格子の大きさとして、後記するように、溝中央の位置で個片化したときに、格子の１つが第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２を有する発光装置１００Ｂの単位となるように形成されている。
次に、第１中間体準備工程において、第２反射部材溝部充填工程Ｓ１１７が行われる。第２反射部材溝部充填工程Ｓ１１７では、形成した溝部３Ｂに第２反射部材９０が充填される。そして、溝部３Ｂ内に第２反射部材９０を充填することで、第１中間体１０１Ｂが形成される。第１中間体１０１Ｂは、その下面が基材１１の下面である第１下面１１２Ｂを形成している。

次に、図９Ｇに示すように、第２中間体形成工程において、第１中間体１０１Ｂの第１下面１１２Ｂ側から素子電極２１，２２の一部までの範囲を切削等により除去する。第１中間体１０１Ｂの第１下面１１２Ｂから所定範囲まで切削することで、基材１１及び第１配線１２，１３を除去して第２下面１１３Ｂとし、この第２下面１１３Ｂを有する第２中間体１０２Ｂを形成する。第２中間体１０２Ｂの第２下面１１３Ｂは、第１反射部材３０Ｂの下面と、半田６０の下面と、素子電極２１，２２の下面とが同一平面となるように形成されている。
次に、図９Ｈに示すように、外部接続電極形成工程において、第２中間体１０２Ｂの第２下面１１３Ｂに外部接続電極７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂを形成する。外部接続電極７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂは、ここでは、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２のそれぞれに電気的に接続されるようにスパッタ等の手段により形成される。
第２下面１１３Ｂは、発光装置の側面及び／又は透光性部材の上面よりも表面粗さが大きいことが好ましい。このようにすることで、第２下面１１３Ｂと外部接続電極７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂとの接合強度を向上させることができる。

次に、個片化工程において、第２中間体１０２Ｂを発光装置１００Ｂの単位となるようにブレードダイシング法やレーザダイシング法などによって個片化する。ここでは、２つの第１発光素子２０Ａ１，第２発光素子２０Ａ２が１つの発光装置１００Ｂとなるように形成される。第２中間体１０２Ｂを個片化する場合には、第２反射部材９０の中央（溝部３Ｂの中央）で切断することで、発光装置１００Ｂを直方体状となるように個片化して形成することができる。個片化された発光装置１００Ｂは、透光性部材５０Ｂが装置の光取出面として中央に配置され、その透光性部材５０Ｂの周囲を枠状に第２反射部材９０が外側面として囲んだ外観の状態となる。
発光装置１００Ｂでは、半田６０及び素子電極２１，２２を介して外部接続電極７１Ｂ，７２Ｂ，７３Ｂに接続されているので、発光装置の放熱性が向上する。さらに、発光装置１００Ｂでは、複数の発光素子を使用することができるので、色再現性を向上させることができる。
発光装置１００Ｂでは、発光素子２０の電極形成面２０３を覆うように第１反射部材３０Ｂが位置することにより、発光素子２０からの光を透光性部材５０Ｂ側に反射して光取出効率を向上させることができる。

発光装置１００Ｂでは、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の発光ピーク波長が同じ場合には、第１発光素子２０Ａ１からの光と、第２発光素子２０Ａ２からの光が第２導光部材４１Ｂに導光されることで、第１発光素子２０Ａ１と第２発光素子２０Ａ２の間の輝度ムラを抑制することができる。また、第１発光素子２０Ａ１及び第２発光素子２０Ａ２の発光ピーク波長が異なる場合には、第１発光素子２０Ａ１からの光と、第２発光素子２０Ａ２からの光が第２導光部材４１Ｂに導光されることで、発光装置１００Ｂの混色性を向上させることができる。また、発光装置１００Ｂは、第２下面１１３Ｂの中央に位置する外部接続電極７２Ｂが放熱部としての役割を果たすことから放熱性が向上する。

＜第４実施形態＞
また、図１０、図１１Ａ〜図１１Ｆに示すような製造方法により発光装置１００Ｃを製造することとしてもよい。図１０は、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。図１１Ａは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、発光素子と前駆体基板とを接続して第１光反射性部材を設けた状態を断面にして模式的に示す図である。図１１Ｂは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１光反射性部材から透光性部材の上面を露出させて第１中間体を形成した状態を断面にして示す図である。図１１Ｃは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上面から第１切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１１Ｄは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。図１１Ｅは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体に外部接続電極を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１１Ｆは、第４実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体に第２切溝を形成して個片化した発光装置を断面にして模式的に示す図である。

発光装置の製造方法は、第１中間体準備工程Ｓ１１と、第１切溝形成工程Ｓ１１８と、第２中間体形成工程Ｓ１２と、外部接続電極形成工程Ｓ１３と、個片化工程（第２切溝形成工程）Ｓ１４と、を含む手順で行われる。なお、第１中間体準備工程Ｓ１１では、例えば、図１１Ａに示すように、第１反射部材３０を透光性部材５０の上面を覆うように供給して硬化させる。そして、図１１Ｂに示すように、透光性部材５０の上面が露出するように第１反射部材３０を研削して第１反射部材３０の上面と透光性部材５０の上面とが同一平面になるようにすることで、第１中間体１０１を準備する。
続いて、第１切溝形成工程Ｓ１１８は、第１反射部材３０を後記する個片化するときの間隔で第１切溝３Ｃ１を形成する工程である。第１切溝形成工程Ｓ１１８は、図１１Ｃに示すように、第１反射部材３０の上面側からブレード等の切削工具を介して第１切溝３Ｃ１が所定の幅で所定の深さに形成される。第１切溝３Ｃ１は、後記する第２切溝３Ｃ２と併せてその溝内面の一部が、個片化されたときに発光装置１００Ｃの側面となる第１反射部材３０の側面を形成することとなる。なお、ここでは、第１切溝３Ｃ１は、次工程において、第１反射部材３０で隣り合う発光装置同士が分離することなくハンドラ等により扱うことができる溝深さ或いは溝幅で形成されていることが望ましい。
基材の上面に発光素子２０及び／又は透光性部材５０の位置決めの基準にする目印がある場合には、この目印を基準に第１切溝３Ｃ１を形成してもよい。このようにすることで、発光素子２０及び／又は透光性部材５０に対する第１切溝３Ｃ１の位置精度を向上させることができる。

第２中間体形成工程Ｓ１２、外部接続電極形成工程Ｓ１３は、第１切溝３Ｃ１が第２中間体１０２Ｃに形成されていることを除けば、既に説明した工程と同じ工程である。個片化工程Ｓ１４は、図１１Ｆに示すように、第１切溝３Ｃ１の位置で切断することで、発光装置１００Ｃ毎になるように個片化している。個片化工程Ｓ１４では、第１反射部材３０の下面側から第１切溝３Ｃ１に対向する第２切溝３Ｃ２をブレード等の切削工具により形成することで、発光装置１００Ｃ毎に個片化している。個片化工程Ｓ１４で形成される第２切溝３Ｃ２は、一例として、第１切溝３Ｃ１の溝幅よりも広くすると共に、第１切溝３Ｃ１の溝深さよりも浅くなるように形成している。個片化工程Ｓ１４では、予め形成した第１切溝３Ｃ１と第２切溝３Ｃ２を形成することで、第１反射部材３０の部分を切断して各発光装置１００Ｃとなるように個片化している。なお、個片化工程Ｓ１４では、第２切溝３Ｃ２を形成することで個片できるので、第１反射部材３０の厚み方向の全部を切断することと比較して切断時間及び切屑の量が少なくて済む。

＜第５実施形態＞
さらに、図１２、図１３Ａ〜図１３Ｈに示すような製造方法により発光装置１００Ｄを製造することとしてもよい。図１２は、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するフローチャートである。図１３Ａは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体を形成した状態を断面にして示す図である。図１３Ｂは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の上面から第１切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｃは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｄは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、支持基板に第２中間体の上面を支持した状態を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｅは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第１反射部材の下面に第２切溝を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｆは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２中間体の第２下面及び第２切溝内に金属膜を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｇは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、第２切溝内に第３切溝を形成して金属膜を切断し側面電極部及び下面電極部を形成した状態を断面にして模式的に示す図である。図１３Ｈは、第５実施形態に係る発光装置の製造方法を示す説明図であり、支持基板を除去して発光装置毎を個片化した状態を断面にして模式的に示す図である。

発光装置の製造方法は、第１中間体準備工程Ｓ１１と、第１切溝形成工程Ｓ１１８と、第２中間体形成工程Ｓ１２と、支持基板接続工程Ｓ１２１と、第２切溝形成工程Ｓ１２２と、外部接続電極形成工程Ｓ１３と、個片化工程Ｓ１４とを含む手順で行われる。なお、個片化工程Ｓ１４では、第３切溝形成工程Ｓ１４１と、支持基板除去工程Ｓ１４２とを行っている。そして、外部接続電極１７１，１７２は、第２下面１１３から第１反射部材３０の側面の少なくとも一部に亘るように形成されてもよい。なお、外部接続電極１７１，１７２は、既に説明した外部接続電極７１，７２に対して、側面電極部１７１ａ、１７２ａを備えるように形成されるものである。
発光装置の製造方法では、図１２、図１３Ａ乃至図１３Ｃに示すように、第１中間体準備工程Ｓ１１、第１切溝形成工程Ｓ１１８及び第２中間体形成工程Ｓ１２は、既に説明した工程と同等の工程を行っている。また、第２中間体形成工程Ｓ１２では、前記したよりも第１切溝３Ｄ１の溝深さが浅くなるように形成されている。第１切溝３Ｄ１は、後記する第３切溝３Ｄ３により個片化されるときに用いることから、溝深さが浅くても、個片化の際の切屑の抑制及び加工速度の向上の役割を助けることができる。
支持基板接続工程Ｓ１２１は、第１切溝３Ｄ１が形成されている第１反射部材３０の上面を支持基板１１Ｄに向けて第２中間体１０２Ｄを支持する工程である。この支持基板接続工程Ｓ１２１は、例えば、紫外線硬化樹脂等の仮止めようの接着剤Ｇ１を介して支持基板１１Ｄに第２中間体１０２Ｄが支持される。つまり、第２中間体１０２Ｄは、第２下面１１３を上方に向けた状態で支持基板１１Ｄに接着剤Ｇ１を介して仮止めされた状態で支持される。

図１３Ｅに示すように、第２切溝形成工程Ｓ１２２は、支持基板１１Ｄに支持されている第２中間体の第２下面１１３から第１切溝３Ｄ１に対向するように第２切溝３Ｄ２を形成する工程である。第２切溝形成工程Ｓ１２２では、第１切溝３Ｄ１よりも溝幅が大きく、溝深さも同等以上となるように第２切溝３Ｄ２が形成される。第２切溝３Ｄ２は、第１切溝３Ｄ１と溝中心が略一致するように形成され、第１切溝３Ｄ１の溝底から離間するように形成される。なお、第２切溝３Ｄ２は、前記した第１切溝３Ｄ１及び後記する第３切溝３Ｄ３と併せて、その溝内面の一部が、個片化されたときに発光装置１００Ｄの側面（第１反射部材３０の側面）を形成することとなる。第２切溝３Ｄ２は、発光装置の側面の少なくとも１つに形成していればよい。例えば、下面視において個片化後の発光装置が長方形の場合には、第２切溝３Ｄ２が発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。

図１３Ｆ及び図１３Ｇに示すように、外部接続電極形成工程Ｓ１３は、第２下面１１３及び第２切溝３Ｄ２内に外部接続電極１７１，１７２を形成する工程である。外部接続電極形成工程Ｓ１３は、例えば、素子電極２１，２２に沿ってそれぞれに外部接続電極１７１，１７２が離間して形成されるようにスパッタリングにより設けられる。ここでは、素子電極２１，２２に連続する金属層１７０を形成した後、金属層１７０の少なくとも一部を除去することにより素子電極２１に連続する金属層１７０と、素子電極２２に連続する金属層１７０と、を離間させる。また、第２切溝３Ｄ２内の溝内にも金属層１７０をスパッタリングにより設けている。そして、一方の外部接続電極１７１は、後記する個片化の際に第３切溝３Ｄ３により切断されることで、第１反射部材３０の側面側に形成される側面電極部１７１ａと、この側面電極部１７１ａに連続して一方の素子電極２１に形成される下面電極部１７１ｂとを備えるように形成される。同様に、他方の外部接続電極１７２は、後記する個片化の際に第３切溝３Ｄ３により切断されることで、第１反射部材３０の側面側に形成される側面電極部１７２ａと、この側面電極部１７２ａに連続して他方の素子電極２２に形成される下面電極部１７２ｂとを備えるように形成される。
下面視において個片化後の発光装置が長方形の場合には、側面電極部１７２ａを発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。なお、側面電極部１７２ａと下面電極部１７２ｂとは接していてもよく、離間していてもよい。

個片化工程Ｓ１４は、発光装置１００Ｄ毎に個片化する工程である。この個片化工程Ｓ１４は、ここでは、第３切溝形成工程Ｓ１４１と、支持基板除去工程Ｓ１４２とを行っている。
図１３Ｇに示すように、第３切溝形成工程Ｓ１４１は、第２切溝３Ｄ２内に設けた金属層１７０の一部を切断するように第２切溝３Ｄ２の溝幅よりも小さく、かつ、第１切溝３Ｄ１の溝幅よりも大きな溝幅の第３切溝３Ｄ３をブレード等の切削工具により形成している。個片化工程Ｓ１４で第１反射部材３０に第３切溝３Ｄ３が形成されることで、第２切溝３Ｄ２及び第３切溝３Ｄ３により形成される第１反射部材３０の側面よりも内側に側面電極部１７２ａを形成することができる。
図１３Ｈに示すように、支持基板除去工程Ｓ１４２は、第３切溝３Ｄ３を形成した第１反射部材３０の支持基板１１Ｄを除去する工程である。支持基板除去工程Ｓ１４２では、一例として、紫外線硬化樹脂を接着剤Ｇ１として使用していることから、紫外線を照射することで、接着剤Ｇ１から各発光装置１００Ｄを分離させ、支持基板１１Ｄを除去して、発光装置１００Ｄ毎に個片化している。
前記した製造方法により形成された発光装置１００Ｄは、第２下面１１３に形成される下面電極部１７１ｂ，１７２ｂと、第１反射部材３０の側面に形成される側面電極部１７１ａ，１７２ａとを外部接続電極１７１，１７２とすることができる。そのため、発光装置１００Ｄでは、外部接続電極１７１，１７２で接続する外部機器の種類の範囲を広げることができる。

なお、前記した各実施形態において、外部接続電極は、第２下面１１３側では、図１４Ａ〜図１４Ｃで示すように形成されていてもよい。
すなわち、図１４Ａに示すように、外部接続電極７１Ｃ，７２Ｃは、第２下面１１３の一方と他方に離間して、長手方向の両端、及び、短手方向の両端において第２下面の端まで連続して形成されることとしてもよい。
また、図１４Ｂに示すように、外部接続電極７１Ｄ，７２Ｄは、長手方向の両端では、一部を除いて第２下面１１３の端まで連続して形成され、短手方向の両端では、第２下面の端から離間した状態で形成されていてもよい。なお、外部接続電極７１Ｄ，７２Ｄは、長手方向の両端では、一部を除いて第２下面の端まで連続して形成され、短手方向の一方の端では、第２下面１１３の端までは連続して形成され、短手方向の他方の端では、第２下面１１３の端から離間した状態で形成されていてもよい。
さらに、図１４Ｃに示すように、外部接続電極７１Ｅ，７２Ｅは、短手方向の両端では、第２下面１１３の端まで連続して形成され、長手方向の両端では、端から離間した状態で形成されていてもよい。
なお、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１４Ｃで説明した外部接続電極は、第１反射部材３０の側面に既に説明した側面電極部を併せて形成されることとしてもよい。例えば、下面視において発光装置が長方形の場合には、側面電極部を発光装置の外縁の短辺のみに位置していてもよく、長辺のみに位置していてもよく、短辺及び長辺に位置していてもよい。なお、側面電極部と下面電極部とは接していてもよく、離間していてもよい。

また、第１配線は、図１５Ａ〜図１５Ｄで示す構成としてもよい。
すなわち、図１５Ａ及び図１５Ｂに示すように、第１配線１２Ａ１，１３Ａ１が、凸部を備えており、凸部の上面が窪み１２ａ，１３ａを備えていてもよい。第１配線１２Ａ１，１３Ａ１の凸部に窪み１２ａ，１３ａが形成されることで、発光素子２０の素子電極２１，２２と接合するための半田６０の塗布量が多かった場合、窪み１２ａ，１３ａに余計な半田６０が入り込むことで調整することができる。
さらに、窪みの形状及び数は、図１５Ｃに示すように、第１配線１２Ｂ１，１３Ｂ１において、略円形の複数の窪み１２ｂ，１３ｂを形成してもよい。
そして、窪みの形状は、図１５Ｄに示すように、第１配線１２Ｃ１、１３Ｃ１の中央に一端から他端まで連続する窪み１２ｃ，１３ｃであってもよい。
窪み１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃは、余計な半田６０を内部に入り込ませて調整することができるものである。上面視における窪みの形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形等であってもよい。

なお、前記した各実施形態において、前駆体基板１０は、第１配線１２，１３が、発光素子２０の素子電極２１，２２と対向する位置に、凸部を形成することなく平面状であってもよい。平面状の第１配線１２，１３とする場合には、素子電極２１，２２よりも大きな面積となるように形成されることが好ましい。
また、第３実施形態において、第１反射部材３０Ｂの白色顔料等の反射部材を沈降させることで、第２導光部材４１Ｂと第１反射部材３０Ｂとを形成するようにした場合には、製造方法において、手順を減らすことができ、また、第２導光部材４１Ｂを単独で準備する必要がなくなり、設備の簡略化を図ることができる。

さらに、発光装置１００は外観から極性判別が可能な構造を有することが好ましい。これにより、キャリアテープ内に発光装置１００を所望の向きで収納して搬送したい場合や、実装基板に発光装置１００を所望の向きで実装する場合に、発光装置の配置の向きを容易に区別することができる。
極性判別が可能な構造の例を、図１６Ａ〜図１６Ｅに示す。図１６Ａ及び図１６Ｂは、各実施形態において発光装置の第１及び第２変形例を模式的に示す底面図である。図１６Ｃ〜図１６Ｅは、各実施形態において発光装置の第３乃至第５変形例を模式的に示す斜視図である。

図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように、外部接続電極１７１，１７２は、それぞれの平面形状を異ならせることで極性を判別できるようにしている。例えば、図１６Ａでは、矩形状の外部接続電極１７１，１７２のうち一方の外部接続電極１７２の角部Ｃに電極非形成領域５を設けることで、外部接続電極１７１，１７２のそれぞれの平面形状を異ならせている。電極非形成領域５が設けられた領域では、第１反射部材３０が露出している。図１６Ａでは角部Ｃに電極非形成領域５がある形状になっているが、その他の角部に電極非形成領域５が設けられてもよく、２つ以上の角部に電極非形成領域５があってもよい。

また、図１６Ｂでは、下面視において、外部接続電極１７２の対向する一対の辺の双方に達するように外部接続電極１７２の端面に、一例として矩形の電極非形成領域５を設けることで、外部接続電極１７１，１７２のそれぞれの平面形状や大きさを異ならせている。電極非形成領域５では、第１反射部材３０が露出している。そのため、電極非形成領域５が形成されていることで、色彩的にも素材的にも異なり、視覚的及び質感的にも違いがわかるため、発光装置の向きを簡単に判断することができる。

また、電極非形成領域５は、例えば、前述したレーザ光の照射により形成することができる。具体的には、外部接続電極形成工程Ｓ１３において、第２下面１１３に位置する素子電極２１，２２及び第１反射部材３０を連続して被覆するように第２下面１１３の全面に金属層を形成した後、金属層にレーザ光を照射し、外部接続電極１７１，１７２を形成するとともに、電極非形成領域５に位置する金属層の一部を除去する。レーザ光の照射を用いることで、マスクなどを用いることがなく工程の簡略化を図ることができる。なお、電極非形成領域５は、レーザ光の照射以外にエッチングやブラスト等の公知の方法により形成することができる。

図１６Ａ及び図１６Ｂで示すように、外部接続電極の電極非形成領域５は、発光素子２０の素子電極２１，２２が外部に露出しないように設けられることが好ましい。これは、例えば、レーザ光の照射を用いて外部接続電極１７１，１７２及び電極非形成領域５を形成する場合、素子電極２１，２２上に位置する金属層がレーザアブレーションされない条件で行うことにより容易に実現することができる。これにより、例えば、発光素子２０の素子電極２１，２２が銅等の酸化しやすい部材であったとしても、素子電極２１，２２が外部に露出しないため素子電極２１，２２が酸化等することを抑制することができる。

なお、図１６Ａ及び図１６Ｂでは、外部接続電極１７２にのみ電極非形成領域５が設けられているが、外部接続電極１７１，１７２の双方に電極非形成領域５を設けてそれぞれの平面形状を異ならせてもよい。

また、図１６Ｃ及び図１６Ｄに示すように、発光装置１００は、発光面側に位置する第１反射部材３０に非貫通の溝６を設けることで発光装置１００の極性を判別するようにしている。図１６Ｃで示す溝６は、発光装置１００の外側面３０Ａ１から離間し、対向する一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１の双方に達するように形成されている。図１６Ｃでは、溝６があることで発光装置１００の極性判別が簡単にできる。また、溝６が発光装置１００の外側面３０Ａ１から離間していることで、発光面９と外側面３０Ａ１との間に位置する第１反射部材３０の厚みが薄くなることを抑制することができ、発光素子２０からの光が該領域に位置する第１反射部材３０から外側に漏れ出ることを抑制することができる。なお、図１６Ｃで示す溝６は、個片化した発光装置１００では、段差として形成されているともいえる。

また、図１６Ｄに示す溝６は、対向する一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１に加えて、外側面３０Ａ１にも達するように形成している点で図１６Ｃに示す溝６と異なる。溝６が、対向する一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１に加えて、外側面３０Ａ１にも達していることで、外側面３０Ａ１側からの発光装置１００の極性判別が可能になる。

なお、図１６Ｃ及び図１６Ｄに示す溝６は、対向する一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１の双方に達しているが、これに限られない。溝６は、一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１のうち一方の側面のみに達していてもよく、一対の外側面３０Ｂ１，３０Ｃ１の双方から離間していてもよい。また、溝６は、例えば、レーザやダイシングによって形成することができる。

さらに、図１６Ｅでは、発光装置１００の発光面側に位置する第１反射部材３０に着色材７を設けることで発光装置１００の極性を判別している。発光装置１００の発光面側に着色材７を設けることで、発光装置１００の発光面側からの極性判別が容易になる。また、第１反射部材３０に溝６等を設けないことで、発光装置１００の強度の低下を抑制することができる。

次に、図１７Ａ〜図１７Ｇを参照して図１６Ｄで示す溝６を形成する方法の一例を説明する。図１７Ａは、各実施形態において溝の形成方法の一例を模式的に示す説明図である。図１７Ｂは、図１７Ａの側面状態を模式的に示す説明図である。図１７Ｃは、各実施形態において第１中間体に溝を形成した状態を模式的に示す説明図である。図１７Ｄは、図１７Ｃの第１中間体の側面視において溝を形成した状態を模式的に示す説明図である。図１７Ｅは、各実施形態において溝を形成した発光装置を個片化した状態を模式的に示す平面図である。図１７Ｆは、各実施形態において溝を形成した発光装置を個片化した状態を模式的に示す側面図である。図１７Ｇは、各実施形態において溝を発光装置の底面側に形成した変形例を模式的に示す斜視図である。

まず、図１７Ａで示すように、個片化後に発光装置１００となる領域Ｐ（以下、単に発光装置形成領域Ｐ）が行列状に配置された構造体２００を準備する。図１７Ａ及び図１７Ｃでは、発光装置形成領域Ｐを破線で示し、図１７Ａ乃至図１７Ｅでは、発光装置形成領域Ｐが４つである場合を一例として図示している。図１７Ａ及び図１７Ｂに示すように、第１中間体である構造体２００は、下面側に前駆体基板１０を有し、上面側に発光装置形成領域Ｐを有している。構造体２００の発光面側では、発光装置形成領域Ｐに位置する発光面９は第１反射部材３０から露出している。構造体２００の発光面９は、略平坦な面になっており、各発光面９と第１反射部材３０の上面は略同一平面上に位置する。

次に、図１７Ｃ及び図１７Ｄで示すように、発光面９と長手方向に隣接する発光面９との間に位置する第１反射部材３０に溝６Ａを形成する。図１７Ｃでは、溝６Ａが形成された領域にハッチングを施している。溝６Ａの一部は、個片化後の発光装置１００に残り、発光装置１００の極性判別を可能にする溝６となる。溝６Ａは、例えば、上面視において、溝６Ａが延びる方向における第１辺６１が発光装置形成領域Ｐの内側に配置され、第２辺６２が隣接する発光装置形成領域Ｐの外側に配置されるように、形成される。これにより、個片化後の発光装置１００において、発光装置１００の対向する外側面のうち一方の外側面側にのみ溝６が形成され、溝６により発光装置１００の極性判別が容易になる。溝６Ａは、例えば、レーザやダイシングにより形成することができる。

図１７Ｅ及び図１７Ｆに示すように、構造体２００は、前駆体基板１０が除去された後に、個片化されて各発光装置１００となる。各発光装置１００は、発光面側に溝６を有し、溝６により発光装置１００の極性判別を可能としている。これにより、キャリアテープ内に発光装置１００を所望の向きで収納して搬送したい場合や、実装基板に発光装置１００を所望の向きで実装する場合に、発光装置の配置の向きを容易に区別することができる。

なお、図１７Ｆで示す溝６は、発光装置１００の上面側に位置する第１反射部材３０に設けられているが、本開示の発光装置はこれに限られない。例えば、図１７Ｇで示すように、発光装置１００の下面側に位置する第１反射部材３０に溝１６が設けられてもよい。

また、図１８乃至図２４に示すように、全ての実施形態において、個片化工程で、位置決めの基準とする目印であるアライメントマークＡｍが前駆体基板に形成されていることが好ましい。アライメントマークＡｍの少なくとも一部は、第２中間体を形成する工程において、除去されずに第２中間体に含まれる。これにより、個片化工程時にアライメントマークＡｍを基準にして発光装置ごとに個片化できるので発光装置の外形のばらつきを抑制しやすくなる。図１８は、各実施形態において発光装置の前駆体基板を模式的に示す平面図である。図１９は、図１８の一点鎖線で囲む領域ＭＷａを拡大して模式的に示す拡大平面図である。図２０は、図１９のＸＸ−ＸＸ線における断面図である。図２１は、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体を断面にして模式的に示す図である。図２２は、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体について図１８の一点鎖線で囲む領域ＭＷａを拡大して第２下面側からみた底面図である。図２３は、各実施形態において発光装置の前駆体基板における他の構成を模式的に示す平面図である。図２４は、第１中間体の第１下面を切削して第２下面を形成した第２中間体について図２３の一点鎖線で囲む領域ＭＷｃを拡大して第２下面側からみた底面図である。

アライメントマークＡｍは基材の一部により形成してもよく、配線の一部により形成してもよい。また、アライメントマークＡｍは基材および配線とは別の部材により形成してもよい。アライメントマークＡｍは、第１配線と同じ金属材料により形成されることが好ましい。このようにすることで、アライメントマークＡｍと第１配線とを同一の工程により形成することができるので、アライメントマークＡｍと第１配線の位置がずれることを抑制しやすくなる。

図１８に示すように、金属部材４Ｊにより形成される開口部５ＪをアライメントマークＡｍとしてもよい。図１８に示すように、前駆体基板１０Ｊは、矩形状の基材１１Ｊの外縁に沿って設けられた複数の金属部材４Ｊを有している。複数の金属部材４Ｊは、それぞれ１つ以上の開口部５Ｊを有している。金属部材４Ｊの開口部５Ｊ内において基材１１Ｊが金属部材４Ｊから露出しており、基材１１Ｊと金属部材４Ｊの界面である金属部材４Ｊの開口部５ＪをアライメントマークＡｍとすることができる。金属部材４Ｊは第１配線と同じ金属材料により形成されることが好ましい。

図１８に示すように、基材の表面において金属部材４Ｊの周囲に金属材料を含む補強部材１４Ｊが位置することが好ましい。前駆体基板１０Ｊが補強部材１４Ｊを備えることにより、前駆体基板１０Ｊが歪むことを抑制することができる。第１中間体準備工程時の前駆体基板１０Ｊは、基材１１Ｊ上に金属部材４Ｊ及び補強部材１４Ｊを、第１配線と共に備えることが好ましい。そして、図５Ｂ乃至図５Ｆで説明したように、半田６０を介して前駆体基板１０Ｊと発光素子２０を接続し、第１反射部材３０を設け、その後、第１下面側から研削して第２下面１１３Ｊを形成する。

金属部材４Ｊの最大厚みは特に限定されないが、第１配線の最大厚みよりも厚いことが好ましい。このようにすることで、金属部材４Ｊにより形成されるアライメントマークＡｍが第２中間体に含まれやすくなる。また、金属部材４Ｊの最大厚みは発光素子２０の素子電極２１，２２の最大厚みよりも厚いことが好ましい。このようにすることで、金属部材４Ｊにより形成されるアライメントマークＡｍが第２中間体に含まれやすくなる。

図２１及び図２２に示すように、第２中間体１０２Ｊは、前駆体基板１０Ｊの一部を除去した後でも金属部材４Ｊの開口部５Ｊが残存しているので、開口部５ＪがアライメントマークＡｍとして役割を果たすことができる。そのため、個片化工程において、アライメントマークＡｍを基準にして作業をすることができる。図１８乃至図２２では、金属部材４Ｊは、発光素子２０の集合部分に対して断続的に周りを囲むように設けられていたが、図２３及び図２４に示すように、金属部材４Ｋが発光素子２０の集合部分を囲むようにしてもよい。金属部材４Ｋが発光素子２０の集合部分に対して連続的に周りを囲むことにより第２中間体の強度を向上させることができる。

図２３及び図２４で示すように、前駆体基板１０Ｋでは、金属部材４Ｋを矩形の基材１１Ｋの外縁に沿って設けられる枠形状になるように形成している。そして、金属部材４Ｋの所定位置に、所定の形状となる開口部５Ｋを形成してアライメントマークＡｍとしている。金属部材４Ｋは、前駆体基板１０Ｊの一部を除去した後でも第２中間体に残存できるように、前記した金属部材４Ｊ同様、所定の厚みに形成されている。前駆体基板１０Ｋでは、第２下面１１３Ｋが形成された状態で、金属部材４Ｋ及び開口部５Ｋが残存しているので、開口部５ＫをアライメントマークＡｍとして使用することができる。また、金属部材４Ｋにより基材１１Ｋの歪みの発生を抑制することができる。なお、アライメントマークＡｍは、ここでは、長丸形状として示したが、三角形、長方形、菱形等、位置決めを行うことができる形状であればよい。

本開示の各実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さらには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置などに利用することができる。

１００，１００Ａ，１００Ｂ 発光装置
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ 第１中間体
１０２，１０２Ａ，１０２Ｂ 第２中間体
１０，１０Ａ，１０Ｅ，１０Ｊ，１０Ｋ 前駆体基板
１１ 基材
１２，１３ 第１配線
２０ 発光素子
２１，２２ 素子電極
２３ 半導体積層体
２４ 素子基板
３０，３０Ａ，３０Ｂ 第１反射部材
４０ 第１導光部材
４１ 第２導光部材
５０，５０Ａ，５０Ｂ 透光性部材
５０Ａ１，５０Ａ２ 透光性部材
９０ 第２反射部材
７０ 金属層
７１，７２ 外部接続電極

Claims (21)

1. 上面及び前記上面の反対側に位置する第１下面を有する基材と、前記上面に配置される一対の第１配線と、を備える前駆体基板と、前記第１配線上に配置され、電極形成面に形成された一対の素子電極が半田により接続される発光素子と、を備える第１中間体を準備する工程と、
   前記基材の第１下面側から前記前駆体基板を除去し、前記素子電極及び前記半田を含む第２下面を有する第２中間体を形成する工程と、
   前記素子電極及び前記半田を被覆する一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程と、を含む発光装置の製造方法。
2. 前記第１中間体は、前記第２中間体を形成する工程の前に、前記発光素子の電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第１反射部材を形成する工程を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記第１中間体は、複数の前記発光素子が接続され、前記第２下面を形成する工程の前に、複数の前記発光素子の電極形成面及び前記半田の側面を一体的に被覆する第１反射部材を形成する工程を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記外部接続電極は、前記第２下面から前記第１反射部材の側面の少なくとも一部に亘るように形成されている請求項２又は請求項３に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記第２下面を形成する工程において、研削により前記第１中間体の一部を除去する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記外部接続電極を前記第２下面に形成する工程において、前記外部接続電極をスパッタにより形成する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程において、前記一対の素子電極を連続して被覆する金属層を形成した後、前記金属層の一部を除去し前記一対の外部接続電極の一方と他方を形成する請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記金属層の一部を除去する際に、レーザ光を照射して前記金属層の一部を除去する請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 前記第１配線は、発光素子の素子電極と対向する位置に凸部を備え、前記凸部の上面が窪みを備える請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記第２中間体は金属部材により形成されるアライメントマークを有し、前記一対の外部接続電極を前記第２下面に形成する工程の後に、前記アライメントマークを基準に前記発光装置ごとに個片化する工程を有する請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
11. 光取出面と、前記光取出面の反対側に位置する電極形成面とを有する半導体積層体と、前記電極形成面に位置する一対の素子電極と、を備える発光素子と、
    前記素子電極の側面を被覆する半田と、
    前記電極形成面及び前記半田の側面を被覆する第１反射部材と、
    前記素子電極、前記第１反射部材、及び、前記半田と接する外部接続電極と、を備える発光装置。
12. 前記一対の素子電極の下面と、前記半田の下面と、前記第１反射部材の下面とが同一平面となるように形成された請求項１１の発光装置。
13. 前記発光素子の光取出面側に前記発光素子の光取出面よりも大きな下面を有する透光性部材を備える請求項１１又は請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記透光性部材の下面と前記発光素子の光取出面との間に位置すると共に、前記発光素子の側面を被覆する導光部材を備える請求項１３に記載の発光装置。
15. 前記導光部材を介して前記発光素子の側面を被覆する第２反射部材を備える請求項１４に記載の発光装置。
16. 前記発光素子を複数備える請求項１１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の発光装置。
17. 前記外部接続電極は、前記素子電極よりも面積が大きい請求項１１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の発光装置。
18. 前記半田が前記素子電極を囲む請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の発光装置。
19. 前記第１反射部材が前記発光素子の側面を被覆する請求項１１乃至請求項１８のいずれか一項に記載の発光装置。
20. 前記素子電極の側面の全てが前記半田に被覆される請求項１１乃至請求項１９のいずれか一項に記載の発光装置。
21. 前記外部接続電極は、前記第１反射部材の側面の少なくとも一部まで形成された請求項１１乃至請求項２０のいずれか一項に記載の発光装置。

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