JP2020088300A - 酸化物形成用塗布液、酸化物膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化物形成用塗布液であって、シリコン(Si)と、アルカリ土類金属の少なくともいずれかである第B元素とを含有し、Siの元素濃度をCAmg/Lとし、第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であり、酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下である。
【選択図】なし
Description
酸化物形成用塗布液であって、
シリコン(Si)と、アルカリ土類金属の少なくともいずれかである第B元素とを含有し、
前記Siの元素濃度をCAmg/L(ミリグラム パー リットル)とし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、
前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であり、
前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であることを特徴とする。
そうしたところ、酸化物形成用塗布液の塗布工程中に異物が発生したり、前記酸化物形成用塗布液の塗布によって形成された酸化物膜のパターニング工程でのパターン不良が生じるなどの課題があることを、本発明者らは、見出した。また、前記酸化物形成用塗布液の塗布によって形成された酸化物膜の特性劣化が生じる場合があることも見出した。
そこで、前記課題を解決するために、鋭意検討を続けたところ、酸化物形成用塗布液中にNa、K、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cuなどの元素がある濃度以上含有されていると、前記課題が生じることを見出した。
本発明の酸化物形成用塗布液は、Si(シリコン)と、第B元素とを少なくとも含有し、好ましくは、第C元素を含有し、更に必要に応じて、その他成分を含有する。
前記第B元素は、アルカリ土類金属の少なくともいずれかである。アルカリ土類金属としては、Be(ベリリウム)、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)が挙げられる。
前記第C元素は、Al(アルミニウム)、及びB(ホウ素)の少なくともいずれかである。
前記酸化物形成用塗布液は、前記Siの元素濃度をCA mg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCB mg/Lとしたときに、前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であり、前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下である。
前記酸化物形成用塗布液において、前記Siと、前記第B元素との組成比(前記Si:前記第B元素)としては、酸化物(SiO2、BeO、MgO、CaO、SrO、BaO)換算で50.0mol%〜90.0mol:10.0mol%〜50.0mol%が好ましい。
前記酸化物形成用塗布液において、前記Siと、前記第B元素と、前記第C元素の組成比(前記Si:前記第B元素:前記第C元素)としては、酸化物(SiO2、BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Al2O3、B2O3)換算で、50.0mol%〜90.0mol%:5.0mol〜20.0mol%:5.0mol%〜30.0mol%が好ましい。
前記酸化物形成用塗布液は、例えば、前記第B元素の無機塩、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、金属錯体、及び有機塩の少なくともいずれかを含有する。
前記酸化物形成用塗布液は、例えば、前記第C元素の無機塩、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、金属錯体、及び有機塩の少なくともいずれかを含有する。
前記無機塩は、例えば、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、及びリン酸塩の少なくともいずれかを含有する。
前記ハロゲン化物は、例えば、フッ化物、塩化物、臭化物、及びヨウ化物の少なくともいずれかを含有する。
前記有機塩は、例えば、カルボン酸塩、石炭酸、及びそれらの誘導体の少なくともいずれかを含有する。
前記シリコン含有化合物は、シリコンを含有する化合物である。
前記シリコン含有化合物としては、例えば、テトラクロロシラン、テトラブロモシラン、テトラヨードシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン(HMDS)、ビス(トリメチルシリル)アセチレン、トリフェニルシラン、2−エチルヘキサン酸ケイ素、テトラアセトキシシランなどが挙げられる。
前記アルカリ土類金属含有化合物(第B元素含有化合物)は、アルカリ土類金属を含有する化合物である。
前記アルカリ土類金属含有化合物(第B元素含有化合物)としては、例えば、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸ストロンチウム、硫酸バリウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、臭化マグネシウム、臭化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウム、よう化マグネシウム、よう化カルシウム、よう化ストロンチウム、よう化バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド、ジエチルマグネシウム、酢酸マグネシウム、ギ酸マグネシウム、アセチルアセトンマグネシウム、2−エチルヘキサン酸マグネシウム、乳酸マグネシウム、ナフテン酸マグネシウム、クエン酸マグネシウム、サリチル酸マグネシウム、安息香酸マグネシウム、シュウ酸マグネシウム、トリフルオロメタンスルホン酸マグネシウム、カルシウムメトキシド、カルシウムエトキシド、酢酸カルシウム、ギ酸カルシウム、アセチルアセトンカルシウム、カルシウムジピバロイルメタナート、2−エチルヘキサン酸カルシウム、乳酸カルシウム、ナフテン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、サリチル酸カルシウム、ネオデカン酸カルシウム、安息香酸カルシウム、シュウ酸カルシウム、ストロンチウムイソプロポキシド、酢酸ストロンチウム、ギ酸ストロンチウム、アセチルアセトンストロンチウム、2−エチルヘキサン酸ストロンチウム、乳酸ストロンチウム、ナフテン酸ストロンチウム、サリチル酸ストロンチウム、シュウ酸ストロンチウム、バリウムエトキシド、バリウムイソプロポキシド、酢酸バリウム、ギ酸バリウム、アセチルアセトンバリウム、2−エチルヘキサン酸バリウム、乳酸バリウム、ナフテン酸バリウム、ネオデカン酸バリウム、シュウ酸バリウム、安息香酸バリウム、トリフルオロメタンスルホン酸バリウムなどが挙げられる。
前記第C元素含有化合物は、前記第C元素を含有する化合物である。
前記第C元素含有化合物としては、例えば、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム、硫酸アルミニウムアンモニウム、酸化ホウ素、ホウ酸、水酸化アルミニウム、りん酸アルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化ホウ素、臭化アルミニウム、よう化アルミニウム、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウム−sec−ブトキシド、トリエチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムエトキシド、酢酸アルミニウム、アセチルアセトンアルミニウム、ヘキサフルオロアセチルアセトン酸アルミニウム、2−エチルヘキサン酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、安息香酸アルミニウム、アルミニウムジ(s−ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート、トリフルオロメタンスルホン酸アルミニウム、(R)−5,5−ジフェニル−2−メチル−3,4−プロパノ−1,3,2−オキサザボロリジン、ホウ酸トリイソプロピル、2−イソプロポキシ−4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン、ビス(ヘキシレングリコラト)ジボロン、4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−1H−ピラゾール、(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)ベンゼン、tert−ブチル−N−〔4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,2,3−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル〕カルバメート、フェニルボロン酸、3−アセチルフェニルボロン酸、三フッ化ホウ素酢酸錯体、三フッ化ホウ素スルホラン錯体、2−チオフェンボロン酸、トリス(トリメチルシリル)ボラートなどが挙げられる。
前記溶媒としては、有機酸、有機酸エステル、芳香族化合物、ジオール、グリコールエーテル、非プロトン性極性溶媒、アルカン化合物、アルケン化合物、エーテル、アルコール、水などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明に関する酸化物形成用塗布液の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記シリコン、及び前記第B元素を含有する前記酸化物形成用塗布液に関し、前記酸化物形成用塗布液におけるNa、K、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度を測定する工程を含む。
本発明に関する酸化物形成用塗布液の評価方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記シリコン、及び前記第B元素を含有する前記酸化物形成用塗布液に関し、前記酸化物形成用塗布液におけるNa、K、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度を測定する工程を含む。
前記酸化物形成用塗布液を用いた酸化物膜の製造方法の一例について説明する。
前記酸化物膜の製造方法では、前記酸化物形成用塗布液を用いて、塗布、及び熱処理を経て、酸化物膜を得る。
前記酸化物膜の製造方法は、例えば、塗布工程と、熱処理工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
同様に、前記酸化物形成用塗布液は、前記シリコン(Si)の元素濃度をCAmg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、前記酸化物形成用塗布液におけるNa、及びKの濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であるため、前記酸化物形成用塗布液を用いて形成した酸化物膜がパッシベーション層であるときに、Na、Kが原因となって生じるバリア性の低下であって、大気中の水分や酸素等に対するバリア性の低下が軽減され、優れたパッシベーション層を提供することができる。
以下では、前記酸化物形成用塗布液を用いて作製した酸化物膜(ゲート絶縁膜)を用いて電界効果型トランジスタを製造する場合の一例を示す。
前記電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜を少なくとも有し、更に必要に応じて、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体層などのその他の部材を有する。
前記ゲート電極は、例えば、前記ゲート絶縁膜と接し、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と対向する。
前記ゲート電極としては、前記電界効果型トランジスタにゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Mo、Ti、Al、Au、Ag、Cu等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ(ITO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリアニリン(PANI)等の有機導電体などが挙げられる。
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、前記電界効果型トランジスタから電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記半導体層は、例えば、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に隣接して設けられる。
前記半導体層は、チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する。前記ソース領域は、前記ソース電極と接する。前記ドレイン領域は、前記ドレイン電極と接する。前記ソース領域、及び前記ドレイン領域の比抵抗は、前記チャネル形成領域よりも低いことが好ましい。
前記シリコン半導体としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどが挙げられる。
前記酸化物半導体としては、例えば、InGa−Zn−O、In−Zn−O、In−Mg−Oなどが挙げられる。
これらのなかでも、酸化物半導体が好ましい。
前記半導体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション(PLD)法、化学気相蒸着(CVD)法、原子層蒸着(ALD)法等の真空プロセスや、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記ゲート絶縁膜は、例えば、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられる。
前記ゲート絶縁膜の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記酸化物膜の製造方法において説明したように、前記酸化物形成用塗布液を用いた、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の塗布法が好ましい。
(1)基板と、前記基板上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体層とを有する電界効果型トランジスタ。
(2)基板と、前記基板上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ゲート電極とを有する電界効果型トランジスタ。
前記(2)の構造の電界効果型トランジスタとしては、例えば、ボトムコンタクト・トップゲート型(図1C)、トップコンタクト・トップゲート型(図1D)などが挙げられる。
ここで、図1A〜図1Dにおいて、符号21は基板、22はゲート電極、23はゲート絶縁膜、24はソース電極、25はドレイン電極、26は酸化物半導体層をそれぞれ表す。
ここで、図1A〜図1Dにおいて、符号21は基板、22はゲート電極、23はゲート絶縁膜、24はソース電極、25はドレイン電極、26は酸化物半導体層をそれぞれ表す。
以下では、前記酸化物形成用塗布液を用いて作製した酸化物膜(パッシベーション層)を用いて電界効果型トランジスタを製造する場合の一例を示す。
前記電界効果型トランジスタは、パッシベーション層を少なくとも有し、更に必要に応じて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、半導体層などのその他の部材を有する。
前記ゲート電極は、例えば、前記ゲート絶縁膜と接し、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と対向する。
前記ゲート電極としては、前記電界効果型トランジスタにゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Mo、Ti、Al、Au、Ag、Cu等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ(ITO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、ポリアニリン(PANI)等の有機導電体などが挙げられる。
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、(i)スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、(ii)インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記半導体層は、例えば、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に隣接して設けられる。
前記半導体層は、チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する。前記ソース領域は、前記ソース電極と接する。前記ドレイン領域は、前記ドレイン電極と接する。前記ソース領域、及び前記ドレイン領域の比抵抗は、前記チャネル形成領域よりも低いことが好ましい。
前記シリコン半導体としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどが挙げられる。
前記酸化物半導体としては、例えば、InGa−Zn−O、In−Zn−O、In−Mg−Oなどが挙げられる。
これらのなかでも、酸化物半導体が好ましい。
前記半導体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション(PLD)法、化学気相蒸着(CVD)法、原子層蒸着(ALD)法等の真空プロセスや、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
前記ゲート絶縁膜は、例えば、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられる。
前記ゲート絶縁膜の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、SiO2、SiNx、Al2O3等の既に広く量産に利用されている材料や、La2O3、HfO2等の高誘電率材料、ポリイミド(PI)やフッ素系樹脂等の有機材料などが挙げられる。また、前記ゲート絶縁膜として、本発明の酸化物形成用塗布液を用いて作製した酸化物膜を用いてもよい。
前記ゲート絶縁膜の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ、化学気相蒸着(CVD)、原子層蒸着(ALD)等の真空成膜法、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の印刷法などが挙げられる。
パッシベーション層は、通常基板より上方に配置される。
前記パッシベーション層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記酸化物膜の製造方法において説明したように、前記酸化物形成用塗布液を用いた、スピンコート、ダイコート、インクジェット等の塗布法が好ましい。
(3)基板と、前記基板上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された前記半導体層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層上に形成された前記パッシベーション層とを有する電界効果型トランジスタ。
(4)基板と、前記基板上に形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成された前記半導体層と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記ゲート電極と、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極上に形成されたパッシベーション層とを有する電界効果型トランジスタ。
前記(4)の構造の電界効果型トランジスタとしては、例えば、ボトムコンタクト・トップゲート型(図2C)、トップコンタクト・トップゲート型(図2D)などが挙げられる。
ここで、図2A〜図2Dにおいて、符号21は基板、22はゲート電極、23はゲート絶縁膜、24はソース電極、25はドレイン電極、26は酸化物半導体層、27はパッシベーション層をそれぞれ表す。
−酸化物形成用塗布液の作製−
トルエン(プライムピュアグレード、純度99.9%、品番40180−79、関東化学製)1.50mLに、シクロヘキシルベンゼン(鹿特級グレード、純度97.0%、品番07670−00、関東化学製)1.50mLと、テトラブトキシシラン(品番T5702、Sigma−Aldrich製)0.55mLと、2−エチルヘキサン酸マグネシウム(品番、12−1260、Strem社製)0.28mLとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例1における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。なお、クラス1000のクリーンルームとは、0.028m3の体積中に0.5μm以上の粒子が1000個以内である環境を示す。
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板(基板91)上にゲート電極92を形成した。具体的には、ガラス基板(基材91)上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるよう成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)により、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.6mLを基板91及びゲート電極92上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、ゲート絶縁膜93を形成した。ゲート絶縁膜の平均膜厚は、約35nmであった。
次に、ゲート絶縁膜93上にソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜93上にDCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、RIEにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、Mg−In系酸化物(In2MgO4)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mg−In系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMg−In系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。これにより、ソース電極94とドレイン電極95との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層96が形成された。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例1における電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の形成に記載された方法により、平均膜厚が約35nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
超純水(品番95305−1L、Sigma−Aldrich製)2.50mLに、HMDS(1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン、東京応化工業株式会社製)0.17mLと、硝酸カルシウム(品番032−00747、和光純薬製)0.01gと、乳酸バリウム0.02g(品番021−00272)とを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例2における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。
−ゲート電極の形成−
最初に、ガラス基板(基板91)上にゲート電極92を形成した。具体的には、ガラス基板(基材91)上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるよう成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)により、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
次に、基板91、及びゲート電極92上に、ゲート絶縁膜93を形成した。具体的には、DCスパッタリングによりSiO2膜を平均膜厚が約120nmとなるように成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のSiO2膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、SiO2膜からなるゲート絶縁膜93を形成した。
次に、ゲート絶縁膜93上にソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜93上にDCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、RIEにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、Mg−In系酸化物(In2MgO4)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mg−In系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMg−In系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。これにより、ソース電極94とドレイン電極95との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層96が形成された。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.6mLを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるパッシベーション層97のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、パッシベーション層97を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、約50nmであった。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例2における電界効果型トランジスタのパッシベーション層の形成に記載された方法により、平均膜厚が約41nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン(鹿特級グレード、純度97.0%、品番07560−00、関東化学製)1.00mLに、テトラブトキシシラン(品番T5702、Sigma−Aldrich製)0.51mLと、2−エチルヘキサン酸カルシウム(品番36657、Alfa製)0.16mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウム(品番195−09561、和光純薬製)0.83mLと、2−エチルヘキサン酸バリウム(品番021−09471、和光純薬製)0.16mLとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例3における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。また、溶媒であるシクロヘキシルベンゼンは、PFAチューブで送液を行った。
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
最初にガラス基板(基板91)に、ソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、前記基板上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、In−Ga−Zn系酸化物膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、In−Ga−Zn系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のIn−Ga−Zn系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。これにより、ソース電極94とドレイン電極95との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層96が形成された。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.25mLを前記基板、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、2,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、ゲート絶縁膜93を形成した。ゲート絶縁膜の平均膜厚は、約51nmであった。
次に、ゲート絶縁膜上にゲート電極92を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例3における電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の形成に記載された方法により、平均膜厚が約32nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
超純水(品番95305−1L、Sigma−Aldrich製)1.60mLに、エタノール(電子工業グレード、純度99.5%、関東化学製)0.50mLと、HMDS(1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン、東京応化工業株式会社製)0.09mLと、硫酸アルミニウム(品番018−09745、和光純薬製)0.02mgと、ホウ酸(品番025−02193、和光純薬製)0.01gと、硝酸カルシウム(品番032−00747、和光純薬製)0.01gと、塩化ストロンチウム(品番193−04185、和光純薬製)0.01gとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例4における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。また、溶媒である超純水とエタノールは、PFAチューブで送液を行った。
−ソース電極及びドレイン電極の形成−
最初にガラス基板(基板91)に、ソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、前記基板上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、In−Ga−Zn系酸化物膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、In−Ga−Zn系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のIn−Ga−Zn系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。これにより、ソース電極94とドレイン電極95との間にチャネルが形成されるように酸化物半導体層96が形成された。
次に、基板91、及びゲート電極92上に、ゲート絶縁膜93を形成した。具体的には、DCスパッタリングによりSiO2膜を平均膜厚が約120nmとなるように成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のSiO2膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、SiO2膜からなるゲート絶縁膜93を形成した。
次に、ゲート絶縁膜93上にゲート電極92を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜93上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.6mLを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるパッシベーション層97のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、パッシベーション層97を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、約43nmであった。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例4における電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の形成に記載された方法により、平均膜厚が約35nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
トルエン(鹿一級、純度99.0%、品番40180−01、関東化学製)2.00mLに、テトラブトキシシラン(Sigma−Aldrich製)0.52mLと、アルミニウムジ(s−ブトキシド)アセト酢酸エステルキレート(品番89349、Alfa製)0.06mLと、2−エチルヘキサン酸バリウム(品番021−9471)0.53mLとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例5における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。
−酸化物半導体層の形成−
最初に、ガラス基板(基板91)上に酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、Mg−In系酸化物(In2MgO4)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mg−In系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMg−In系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。
次に、前記基板及び、前記酸化物半導体層上に、ソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、前記基板及び、前記酸化物半導体層上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.25mLを前記基板、前記酸化物半導体層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、2,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、ゲート絶縁膜93を形成した。ゲート絶縁膜の平均膜厚は、約43nmであった。
次に、ゲート絶縁膜上にゲート電極92を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例5における電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の形成に記載された方法により、平均膜厚が約20nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
純水(一般実験室より採取)0.75mLに、メタノール(鹿1級グレード、純度99.5%、品番25183−01、関東化学製)0.50mLと、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル(グレードなし、純度99.0%、40180−80、関東化学製)1.00mLと、HMDS(1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン、東京応化工業株式会社製)0.13mLと、硫酸アルミニウム(品番018−09745、和光純薬製)0.02mLと、ホウ酸(品番025−02193、和光純薬製)0.01mgと、塩化マグネシウム(136−03995、和光純薬製)0.01mgと、乳酸バリウム(品番021−00272)0.02mgとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、実施例6における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。
−酸化物半導体層の形成−
最初に、ガラス基板(基板91)上に酸化物半導体層96を形成した。具体的には、DCスパッタリングにより、Mg−In系酸化物(In2MgO4)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mg−In系酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成される酸化物半導体層96のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMg−In系酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、酸化物半導体層96を形成した。
次に、前記基板及び、前記酸化物半導体層上に、ソース電極94及びドレイン電極95を形成した。具体的には、前記基板及び、前記酸化物半導体層上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるソース電極94及びドレイン電極95のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるソース電極94及びドレイン電極95を形成した。
次に、前記基板、前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜93を形成した。具体的には、DCスパッタリングによりSiO2膜を平均膜厚が約120nmとなるように成膜した。この後、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート絶縁膜93のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域のSiO2膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、SiO2膜からなるゲート絶縁膜93を形成した。
次に、ゲート絶縁膜上にゲート電極92を形成した。具体的には、ゲート絶縁膜上に、DCスパッタリングによりMo(モリブデン)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。この後、Mo膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるゲート電極92のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、エッチングにより、レジストパターンが形成されていない領域のMo膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、Mo膜からなるゲート電極92を形成した。
次に、前記酸化物形成用塗布液0.6mLを前記基板上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした(500rpmで5秒間回転させた後、3,000rpmで20秒間回転させ、5秒間で0rpmとなるように回転を止めた)。続いて、大気中で120℃1時間の乾燥処理後、O2雰囲気下で400℃3時間の焼成を行い、酸化物膜を形成した。この後、前記酸化物膜上に、フォトレジストを塗布し、プリベーク、露光装置による露光、及び現像により、形成されるパッシベーション層97のパターンと同様のレジストパターンを形成した。更に、ウェットエッチングにより、レジストパターンの形成されていない領域の酸化物膜を除去した。この後、レジストパターンも除去することにより、パッシベーション層97を形成した。パッシベーション層の平均膜厚は、約45nmであった。
最後に、後工程の加熱処理として、大気中で300℃1時間の熱処理をして、電界効果型トランジスタを完成させた。
次に、図5に示す構造のキャパシタを作製した。具体的には、ガラス基板(基材101)上に、下部電極102の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl(アルミニウム)膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜した。続いて、実施例6における電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜の形成に記載された方法により、平均膜厚が約31nmの絶縁体薄膜103を形成した。最後に、上部電極104の形成される領域に開口部を有したメタルマスクを用いて、真空蒸着法によりAl膜を平均膜厚が約100nmとなるように成膜し、キャパシタを完成させた。
−酸化物形成用塗布液の作製−
トルエン(プライムピュアグレード、純度99.9%、品番40180−79、関東化学製)1.50mLに、シクロヘキシルベンゼン(鹿特級グレード、純度97.0%、品番07670−00、関東化学製)1.50mLと、テトラブトキシシラン(品番T5702、Sigma−Aldrich製)0.55mLと、2−エチルヘキサン酸マグネシウム(品番、12−1260、Strem社製)0.28mLとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。比較例1における酸化物形成用塗布液の作製は一般実験室で行った。なお、ここでの一般実験室とは、0.028m3の体積中に0.5μm以上の大きさの粒子が約6×105個程度の環境を示す。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例1と同様の方法で、図3Aに示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例1と同様の方法で、図5に示す構造のキャパシタを作製した。
−酸化物形成用塗布液の作製−
超純水(品番95305−1L、Sigma−Aldrich製)2.50mLに、HMDS(1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン、東京応化工業株式会社製)0.17mLと、硝酸カルシウム(品番032−00747、和光純薬製)0.01gと、乳酸バリウム0.02g(品番021−00272)とを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、比較例2における酸化物形成用塗布液の作製は一般実験室で行った。なお、ここでの一般実験室とは、0.028m3の体積中に0.5μm以上の大きさの粒子が約6×105個程度の環境を示す。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例2と同様の方法で、図4Aに示すような、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例2と同様の方法で、図5に示す構造のキャパシタを作製した。
−酸化物形成用塗布液の作製−
シクロヘキシルベンゼン(鹿特級グレード、純度97.0%、品番07560−00、関東化学製)1.00mLに、テトラブトキシシラン(品番T5702、Sigma−Aldrich製)0.51mLと、2−エチルヘキサン酸カルシウム(品番36657、Alfa製)0.16mLと、2−エチルヘキサン酸ストロンチウム(品番195−09561、和光純薬製)0.83mLと、2−エチルヘキサン酸バリウム(品番021−09471、和光純薬製)0.16mLとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、比較例3における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。また、前記酸化物形成用塗布液に対する重金属(Cr、Fe、Ni等)の影響を確認するため、溶媒であるシクロヘキシルベンゼンは、SUS304配管で送液を行った。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例3と同様の方法で、図3Bに示すような、トップコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例3と同様の方法で、図5に示す構造のキャパシタを作製した。
−酸化物形成用塗布液の作製−
超純水(品番95305−1L、Sigma−Aldrich製)1.60mLに、エタノール(電子工業グレード、純度99.5%、関東化学製)0.50mLと、HMDS(1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシラザン、東京応化工業株式会社製)0.09mLと、硫酸アルミニウム(品番018−09745、和光純薬製)0.02mgと、ホウ酸(品番025−02193、和光純薬製)0.01gと、硝酸カルシウム(品番032−00747、和光純薬製)0.01gと、塩化ストロンチウム(品番193−04185、和光純薬製)0.01gとを混合し、酸化物形成用塗布液を得た。なお、比較例4における酸化物形成用塗布液の作製はクラス1000のクリーンルームで行った。また、前記酸化物形成用塗布液に対する重金属元素(Cr、Fe、Ni等)の影響を確認するため、溶媒である超純水とエタノールは、SUS304配管で送液を行った。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例4と同様の方法で、図4Bに示すような、トップコンタクト・トップゲート型の電界効果型トランジスタを作製した。
次に、前記酸化物形成用塗布液を使用し、実施例4と同様の方法で、図5に示す構造のキャパシタを作製した。
実施例1〜6、及び比較例1〜4で作製した酸化物形成用塗布液中のNa、Kの濃度を原子吸光光度計(品番ZA3300、日立ハイテクサイエンス製)により評価した。また、実施例1〜6、及び比較例1〜4で作製した酸化物形成用塗布液中のCr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cuの濃度をICP−OES装置(品番6300−DUO、Thermo Fisher Scientific製)により評価した。これらの結果を表1に示す。
実施例1〜6、及び比較例1〜4で作製した酸化物形成用塗布液中のSiの元素濃度CA、及び第B元素の濃度の合計CBをICP−OES装置(品番6300−DUO、Thermo Fisher Scientific製)により評価した。それらの結果を表2に示す。
また、表2より、実施例1〜6、及び比較例1、2酸化物形成用塗布液から検出されたCr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度の合計は、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であった。一方、比較例3、4の酸化物形成用塗布液から検出されたCr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度の合計は、(CA+CB)/(1×102)mg/Lを超えていた。
また、表2より、実施例1〜4の酸化物形成用塗布液から検出されたCr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度の合計は、(CA+CB)/(1×104)mg/L以下であった。一方、実施例5、6、及び比較例1〜4の酸化物形成用塗布液から検出されたCr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、及びCuの濃度の合計は、(CA+CB)/(1×104)mg/Lを超えていた。
実施例1、3、5、及び比較例1、3で作製した電界効果型トランジスタに関して、ゲート絶縁膜形成後、酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜中の異物と、酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜をエッチングした部分のエッチング残渣とを顕微鏡(品番DM8000M、Leica製)で評価した。
また、実施例2、4、6、及び比較例2、4で作製した電界効果型トランジスタに関して、パッシベーション層形成後、酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜中の異物と、酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜をエッチングした部分のエッチング残渣とを前記顕微鏡で評価した。
顕微鏡での観察条件は、1サンプルにつき、倍率50倍の明視野観察で10箇所、倍率50倍の暗視野観察で10箇所観察した。なお、実施例1〜6、及び比較例1〜4、それぞれにつき、電界効果型トランジスタを12サンプル(12枚の基板)作製し、顕微鏡観察を行った。
表3より、実施例1〜6、及び比較例3、4の酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜には明視野観察において異物は観察されなかった。一方、比較例1、2の酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜には明視野観察において異物が観察された。
表3より、実施例1〜6、及び比較例1、2の酸化物形成用塗布液から形成した酸化物膜をエッチングした部分には明視野観察においてエッチング残渣は見られなかった。一方、比較例3、4で形成した酸化物膜をエッチングした部分には明視野観察においてエッチング残渣が確認された。なお、エッチング残渣とは、意図しない部分に膜などが残っていることを示す。つまり、エッチング残渣が観察されたサンプルはパターン不良が発生したといえる。
実施例1〜6、及び比較例1〜4で作製したキャパシタの容量計測を、LCRメータ(品番4284A、Agilent製)で評価した。表4に、計測した容量の値より算出した比誘電率εと、周波数1kHzにおける誘電損失tanδを示す。
実施例1〜6、及び比較例1〜4で作製した電界効果型トランジスタのトランジスタ特性を、半導体デバイス・パラメータ・アナライザ(B1500A、Agient社製)により評価した。トランジスタ特性は、ドレイン電極95−ソース電極94間電圧(Vds)=+1Vとした場合の、ゲート電極92−ソース電極94間電圧(Vgs)とドレイン電極95−ソース電極94間電流(Ids)との関係(Vgs−Ids)、及びゲート電極92−ソース電極94間電圧(Vgs)とゲート電極92−ソース電極94間電流(Igs)との関係(Vgs−Igs)を測定した。また、Vgs−Ids、及びVgs−Igsを測定する際には、Vgsを−5Vから+5Vの間で変化させて測定を行った。
一方、比較例1、3で作製した電界効果型トランジスタは、ゲート電流が1.0×10−10Aを超えており、on/off比が1.0×105未満と低く、十分なトランジスタ特性を示していない。
実施例2、4、6、及び比較例2、4で作製したトランジスタに対し、大気中(温度23度、相対湿度50%)でBTS(Bias Temperature Stress)試験を100時間実施した。ストレス条件は、Vgs=+5V、及びVds=+1Vとした。また、BTS試験が一定時間経過するごとに、Vds=+1Vとした場合の、VgsとIdsとの関係(Vgs−Ids)を測定し、その結果より、閾値電圧(Vth)を算出した。
一方、比較例2、4で作製した電界効果型トランジスタは、ΔVthシフトが−20V以上と大きく、BTS試験に対する信頼性が低いことが分かった。
<1> 酸化物形成用塗布液であって、
シリコン(Si)と、アルカリ土類金属の少なくともいずれかである第B元素とを含有し、
前記Siの元素濃度をCAmg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、
前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であり、
前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であることを特徴とする酸化物形成用塗布液である。
<2> 前記Siの元素濃度をCAmg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、
前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×104)mg/L以下であり、
前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×104)mg/L以下である前記<1>に記載の酸化物形成用塗布液である。
<3> 前記酸化物形成用塗布液が、さらにアルミニウム(Al)及びホウ素(B)の少なくともいずれかである第C元素を含有する前記<1>から<2>のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液である。
<4> 前記酸化物形成用塗布液が、前記Siもしくは前記第B元素の無機塩、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、金属錯体、及び有機塩のうち少なくともいずれかを含有する前記<1>から<4>のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液である。
<5> 前記無機塩が、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、及びリン酸塩の少なくともいずれかを含有する前記<4>に記載の酸化物形成用塗布液である。
<6> 前記ハロゲン化物が、フッ化物、塩化物、臭化物、及びヨウ化物の少なくともいずれかを含有する前記<4>に記載の酸化物形成用塗布液である。
<7> 前記有機塩が、カルボン酸塩、石炭酸、及びそれらの誘導体の少なくともいずれかを含有する前記<4>に記載の酸化物形成用塗布液である。
<8> 前記<1>から<7>のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて、塗布、及び熱処理を経て、酸化物膜を得ることを特徴とする酸化物膜の製造方法である。
<9> ゲート絶縁膜を備える電界効果型トランジスタを製造する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜が、酸化物膜を含み、
前記<1>から<7>のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて前記酸化物膜を形成することを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
<10> ゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、
半導体層と、
ゲート絶縁膜と、
パッシベーション層と、
を備える電界効果型トランジスタを製造する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記パッシベーション層が、酸化物膜を含み、
前記<1>から<7>のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて前記酸化物膜を形成することを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
<8>の酸化物膜の製造方法によれば、特性劣化が抑制された酸化物膜を提供できる。
<9>から<10>の電界効果型トランジスタの製造方法によれば、特性劣化が抑制された酸化物膜を用いた電界効果型トランジスタを提供できる。
22 ゲート電極
23 ゲート絶縁膜
24 ソース電極
25 ドレイン電極
26 半導体層
91 基板
92 ゲート電極
93 ゲート絶縁膜
94 ソース電極
95 ドレイン電極
96 半導体層
101 基板
102 下部電極
103 ゲート絶縁膜
104 上部電極
Claims (10)
- 酸化物形成用塗布液であって、
シリコン(Si)と、アルカリ土類金属の少なくともいずれかである第B元素とを含有し、
前記Siの元素濃度をCAmg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、
前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であり、
前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×102)mg/L以下であることを特徴とする酸化物形成用塗布液。 - 前記Siの元素濃度をCAmg/Lとし、前記第B元素の濃度の合計をCBmg/Lとしたときに、
前記酸化物形成用塗布液におけるナトリウム(Na)、及びカリウム(K)の濃度の合計が、(CA+CB)/(1×104)mg/L以下であり、
前記酸化物形成用塗布液におけるクロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、及び銅(Cu)濃度の合計が、(CA+CB)/(1×104)mg/L以下である請求項1に記載の酸化物形成用塗布液。 - 前記酸化物形成用塗布液が、さらにアルミニウム(Al)及びホウ素(B)の少なくともいずれかである第C元素を含有する請求項1から2のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液。
- 前記酸化物形成用塗布液が、前記Siもしくは前記第B元素の無機塩、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、金属錯体、及び有機塩のうち少なくともいずれかを含有する請求項1から4のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液。
- 前記無機塩が、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、及びリン酸塩の少なくともいずれかを含有する請求項4に記載の酸化物形成用塗布液。
- 前記ハロゲン化物が、フッ化物、塩化物、臭化物、及びヨウ化物の少なくともいずれかを含有する請求項4に記載の酸化物形成用塗布液。
- 前記有機塩が、カルボン酸塩、石炭酸、及びそれらの誘導体の少なくともいずれかを含有する請求項4に記載の酸化物形成用塗布液。
- 請求項1から7のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて、塗布、及び熱処理を経て、酸化物膜を得ることを特徴とする酸化物膜の製造方法。
- ゲート絶縁膜を備える電界効果型トランジスタを製造する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜が、酸化物膜を含み、
請求項1から7のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて前記酸化物膜を形成することを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - ゲート電極と、
ソース電極及びドレイン電極と、
半導体層と、
ゲート絶縁膜と、
パッシベーション層と、
を備える電界効果型トランジスタを製造する電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記パッシベーション層が、酸化物膜を含み、
請求項1から7のいずれかに記載の酸化物形成用塗布液を用いて前記酸化物膜を形成することを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
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