JP2020085502A - 検出装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[概略構成]
本発明の第1実施形態に係る湿度検出装置10の構成について説明する。
次に、センサチップ20の構成について説明する。
次に、ESD保護回路60の構成について説明する。
次に、湿度検出部21の構成について説明する。
次に、センサチップ20の素子構造について説明する。
次に、ASICチップ30に構成について説明する。
ここで、Csは、湿度検出用キャパシタ80の静電容量であり、Crは、参照用キャパシタ81の静電容量である。
上記測定シーケンスでは、センサチップ20の湿度検出部21に交流の第1駆動信号及び第2駆動信号が入力されるので、湿度検出用キャパシタ80の上部電極84の電位と、参照用キャパシタ81の参照電極82の電位とが時間的に反転を繰り返す。このように、湿度検出用キャパシタ80及び参照用キャパシタ81は、電極間の電位差が常に変化するため、電極配線には電位が反転するたびに電流が流れる。
次に、第2実施形態に係る湿度検出装置について説明する。
次に、第3実施形態に係る湿度検出装置について説明する。
以下に、その他の変形例について説明する。
Claims (13)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられ、物理量に応じた信号を出力する検出部と、
前記検出部の下方における前記半導体基板内、又は前記検出部と前記半導体基板との間に設けられたノイズ抑制層と、
を有する検出装置。 - 前記ノイズ抑制層は、前記半導体基板内に設けられた前記半導体基板とは極性が反対の拡散層である請求項1に記載の検出装置。
- 前記ノイズ抑制層には、前記半導体基板との間のpn接合を逆バイアスとする固定電位が付与される請求項2に記載の検出装置。
- 前記ノイズ抑制層は、前記検出部と前記半導体基板との間に設けられた金属又は多結晶シリコンからなる導電層である請求項1に記載の検出装置。
- 前記検出部は、一対の電極間に感湿膜が配置された湿度検出用キャパシタを有し、湿度に応じた信号を出力する請求項1ないし4いずれか1項に記載の検出装置。
- 前記湿度検出用キャパシタは、
前記半導体基板の上方に形成された下部電極と、
前記感湿膜上に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に配置された前記感湿膜と、
を有する請求項5に記載の検出装置。 - 前記検出部は、
前記下部電極と、
前記ノイズ抑制層と前記下部電極との間に配置された参照電極と、
前記参照電極と前記下部電極との間に配置された絶縁膜と、
により構成された参照用キャパシタを有する請求項6に記載の検出装置。 - 前記感湿膜は、ポリイミドにより形成されている請求項5ないし7いずれか1項に記載の検出装置。
- 前記半導体基板と、前記検出部と、前記ノイズ抑制層とを含む第1半導体チップと、
前記検出部を駆動する駆動部と、前記検出部から出力される電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部とを含む第2半導体チップと、
を有し、
前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップ上に積層されている請求項1ないし7いずれか1項に記載の検出装置。 - 前記駆動部は、交流の駆動信号を前記検出部に印加する請求項9に記載の検出装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられ、物理量に応じた信号を出力する検出部と、を有する第1半導体チップと、
前記検出部を駆動する駆動部と、前記検出部から出力される電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部とを含む第2半導体チップと、
を有し、
前記第1半導体チップは、前記第2半導体チップ上に積層され、前記検出部と前記第2半導体チップの間にノイズ抑制層が設けられている検出装置。 - 前記ノイズ抑制層は、前記検出部と前記半導体基板との間に設けられている請求項11に記載の検出装置。
- 前記ノイズ抑制層は、前記検出部の下方における前記半導体基板内に設けられている請求項11に記載の検出装置。
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