JP2020072103A - Wiring board - Google Patents

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Abstract

To provide a wiring board in which a semiconductor device can normally function.SOLUTION: A wiring board comprises: a laminate 2 in which three or more layers of insulating layers 6 including a first insulating layer 6a that is the first layer from the top and a second insulating layer 6b that is the second layer are stacked with each other; wiring areas 8 that are located between a top face and an under surface of the laminate 2 and between the insulating layers 6; electrodes 3 that are located in the wiring area 8 of the top face of the first insulating layer 6a along an outer peripheral edge of the wiring area 8; wiring conductors 4 that are located in the wiring area 8; and via holes 7 that electrically connect the upper and lower wiring conductors 4 of the insulating layer 6. The electrodes 3 are electrically connected to the wiring conductor 4 on the top face of the second insulating layer 6b with the via holes 7 located immediately below the electrodes 3, of the via holes 7, and the wiring area 8 located on at least one of the plurality of insulating layers 6 that is a layer lower than the second insulating layer 6b is located to be within the wiring area 8 located on the first insulating layer 6a in plain perspective.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、配線基板に関するものである。   The present disclosure relates to a wiring board.

近年、医療用の検査装置等に使用される積層型の配線基板において、X線等の放射線を受けた被検査物を透過するX線の撮像を行う半導体素子が搭載されるものがある。積層型の配線基板は、絶縁層と配線導体とが交互に積層された構造を有している。このような配線基板と半導体素子とは、平面視で同じ大きさの形状を有しており、互いに重なり合うように半導体素子が配線基板に実装されることがある。   2. Description of the Related Art In recent years, some laminated wiring boards used for medical inspection devices and the like are equipped with a semiconductor element that images an X-ray transmitted through an inspection object that has received radiation such as X-rays. The laminated wiring board has a structure in which insulating layers and wiring conductors are alternately laminated. Such a wiring board and a semiconductor element have the same shape in plan view, and the semiconductor element may be mounted on the wiring board so as to overlap each other.

特開2014−150087号公報JP, 2014-150087, A

検査装置内において、上記のような半導体素子が縦横の並びに隙間なく並び、放射線が互いに隣接する半導体素子間から漏れないように配置されることがある。しかしながら、配線基板の互いに積層された絶縁層同士の間から、配線導体が露出していることがある。このような場合、半導体素子と同じ大きさの形状を有する配線基板同士が縦横の並びに隙間なく並んだときに、露出している配線導体同士が短絡してしまい半導体素子が正常に機能しない虞がある。   In an inspection apparatus, the above-described semiconductor elements may be arranged vertically and horizontally without a gap, and may be arranged so that radiation does not leak from between adjacent semiconductor elements. However, the wiring conductor may be exposed from between the insulating layers that are laminated on the wiring board. In such a case, when wiring boards having the same size as the semiconductor element are arranged vertically and horizontally without any gap, exposed wiring conductors may be short-circuited and the semiconductor element may not function properly. is there.

本開示における配線基板は、上から1層目の第1絶縁層および2層目の第2絶縁層を含む3層以上の絶縁層が互いに積層している積層体と、積層体の上面、下面および絶縁層同士の間に位置している配線領域と、第1絶縁層の上面における配線領域内において配線領域の外周縁に沿って位置している電極と、配線領域内に位置している配線導体と、複数の絶縁層に位置しており、絶縁層の上下に位置している配線導体同士を電気的に接続している複数のビアホールと、を有しており、電極は、複数のビアホールのうち電極の直下に位置するビアホールによって第2絶縁層の上面に位置する配線導体と電気的に接続しているとともに、複数の絶縁層のうち第2絶縁層よりも下層の少なくとも一つに位置している配線領域は、平面透視で第1絶縁層に位置している配線領域内に収まるように位置していることを特徴とするものである。   The wiring board according to the present disclosure includes a laminated body in which three or more insulating layers including a first insulating layer that is the first layer from the top and a second insulating layer that is the second layer are laminated together, and an upper surface and a lower surface of the laminated body. And a wiring region located between the insulating layers, an electrode located along the outer peripheral edge of the wiring region in the wiring region on the upper surface of the first insulating layer, and a wiring located in the wiring region A conductor and a plurality of via holes that are located in a plurality of insulating layers and electrically connect wiring conductors located above and below the insulating layer, and the electrodes are a plurality of via holes. Is electrically connected to a wiring conductor located on the upper surface of the second insulating layer by a via hole located directly below the electrode, and is located in at least one of lower layers than the second insulating layer among the plurality of insulating layers. The wiring area that is being insulated is the first insulation when seen through a plane. And it is characterized in that it is positioned to fit with and wiring region positioned.

本開示によれば、半導体素子が正常に機能することが可能な配線基板を提供することができる。   According to the present disclosure, it is possible to provide a wiring board that allows a semiconductor element to function normally.

図1は、本開示の配線基板の実施形態例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an exemplary embodiment of a wiring board according to the present disclosure. 図2は、半導体素子が実装された本開示の配線基板が互いに隣接している状態を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the wiring boards of the present disclosure on which the semiconductor element is mounted are adjacent to each other. 図3は、本開示の配線基板の一部を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a part of the wiring board of the present disclosure. 図4は、本開示の配線基板の一部を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a part of the wiring board of the present disclosure. 図5は、本開示の配線基板の一部を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a part of the wiring board of the present disclosure.

図1〜図5を基にして、本開示の配線基板1の実施形態例を説明する。図1は、配線基板1を示す概略断面図である。図2は、半導体素子Sが実装された配線基板1が、互いの側面が接触するように並んでいる状態を示す概略断面図である。   An embodiment example of the wiring board 1 of the present disclosure will be described based on FIGS. 1 to 5. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a wiring board 1. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the wiring boards 1 on which the semiconductor elements S are mounted are lined up so that their side surfaces are in contact with each other.

図2に示すように、配線基板1は、例えば医療用の検査装置内等に互いの側面が接触する状態に並び、上面に実装された半導体素子S同士が、互いに隙間の無いように配置させる機能を有している。図2においては、説明の便宜上、配線基板1が3個並んでいる一例を示したが、実際には、配線基板1が、縦横の並びでおよそ500〜5000個程度並んでいる。   As shown in FIG. 2, the wiring boards 1 are arranged in a state in which their side surfaces are in contact with each other, for example, in a medical inspection device, and the semiconductor elements S mounted on the upper surface are arranged so that there are no gaps therebetween. It has a function. Although FIG. 2 shows an example in which three wiring boards 1 are arranged side by side for convenience of description, in reality, about 500 to 5000 wiring boards 1 are arranged vertically and horizontally.

配線基板1は、積層体2と、電極3と、配線導体4と、ソルダーレジスト5と、を有している。   The wiring board 1 includes a laminate 2, electrodes 3, wiring conductors 4, and solder resists 5.

積層体2は、上から1層目の第1絶縁層6aおよび2層目の第2絶縁層6bを含む3層以上の絶縁層6が、互いに積層して構成されている。積層体2は、絶縁層6同士の層間に配線導体4を設ける領域を確保しつつ、近接する配線導体4同士の絶縁性を確保する機能を有している。   The laminated body 2 is configured by laminating three or more insulating layers 6 including a first insulating layer 6a that is the first layer and a second insulating layer 6b that is the second layer from the top. The laminated body 2 has a function of ensuring an insulating property between adjacent wiring conductors 4 while ensuring a region where the wiring conductor 4 is provided between the insulating layers 6.

絶縁層6は、例えばアリル変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料を含んでいる。絶縁材料は、絶縁粒子を含有している。絶縁粒子は、例えばシリカ(SiO)、アルミナ(AlO)等が挙げられる。絶縁層6は、ガラス繊維を含んでいる。ガラス繊維を含んでいなくても構わないが、配線基板1の平坦性や剛性を確保する観点からは、ガラス繊維を含む方が有利である。 The insulating layer 6 contains an insulating material such as an allyl-modified polyphenylene ether resin, a polyimide resin, an epoxy resin, or a bismaleimide triazine resin. The insulating material contains insulating particles. Examples of the insulating particles include silica (SiO 2 ) and alumina (AlO 3 ). The insulating layer 6 contains glass fiber. Although it does not need to contain glass fiber, it is advantageous to contain glass fiber from the viewpoint of ensuring the flatness and rigidity of the wiring board 1.

本例においては、第1絶縁層6aおよび第2絶縁層6bを含む8層の絶縁層6が積層されている例を示しているが、必要に応じて積層数を調整すればよい。各々の絶縁層6の厚さは、例えば50〜200μmに設定されている。   In this example, an example is shown in which eight insulating layers 6 including the first insulating layer 6a and the second insulating layer 6b are stacked, but the number of stacked layers may be adjusted as necessary. The thickness of each insulating layer 6 is set to, for example, 50 to 200 μm.

各々の絶縁層6には、絶縁層6の上下に位置している配線導体4同士を電気的に接続している複数のビアホール7が位置している。ビアホール7の内側には、ビアホール導体7aが位置している。つまり、ビアホール7は、絶縁層6を介して上下に位置する配線導体4同士を電気的に接続するための導電経路である。ビアホール7の直径は、例えば50〜200μmに設定されている。   A plurality of via holes 7 that electrically connect the wiring conductors 4 located above and below the insulating layer 6 are located in each insulating layer 6. The via-hole conductor 7 a is located inside the via-hole 7. That is, the via hole 7 is a conductive path for electrically connecting the wiring conductors 4 located above and below via the insulating layer 6. The diameter of the via hole 7 is set to, for example, 50 to 200 μm.

積層体2の上面、下面および絶縁層6同士の間には、それぞれ配線領域8が位置している。配線領域8の内側には、後述する電極3、配線導体4および外部電極9が位置している。つまり、配線領域8は、配線基板1における導電経路が位置している領域である。配線領域8は、絶縁層6の外周縁から所定の間隔だけ内側に位置しており、配線基板1の側面に露出しない状態になっている。   Wiring regions 8 are respectively located between the upper surface and the lower surface of the laminated body 2 and between the insulating layers 6. Inside the wiring region 8, an electrode 3, a wiring conductor 4, and an external electrode 9 described later are located. That is, the wiring region 8 is a region where the conductive path in the wiring board 1 is located. The wiring region 8 is located inside the outer peripheral edge of the insulating layer 6 by a predetermined distance, and is not exposed to the side surface of the wiring substrate 1.

本開示においては、第2絶縁層6bよりも下層の少なくとも一つに位置している配線領域8は、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線領域8内に収まるように位置している。   In the present disclosure, the wiring region 8 located in at least one of the layers lower than the second insulating layer 6b is located so as to fit within the wiring region 8 located in the first insulating layer 6a when seen in a plan view. ing.

言い換えれば、第2絶縁層6bよりも下層の少なくとも一つに位置している配線導体4は、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線導体4よりも絶縁層6の中央寄りに位置しているといえる。   In other words, the wiring conductor 4 located in at least one layer lower than the second insulating layer 6b is closer to the center of the insulating layer 6 than the wiring conductor 4 located in the first insulating layer 6a when seen in a plan view. It can be said that it is located.

図1では、第2絶縁層6bよりも下層の全てに位置している配線領域8が、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線領域8内に収まるように位置している一例を示している。言い換えれば、第2絶縁層6bよりも下層の全てに位置している配線導体4は、第1絶縁層6aに位置している配線導体4よりも絶縁層6の中央寄りに位置しているといえる。これにより、配線基板1の外周縁と第2絶縁層6bよりも下層の配線導体4との最短間隔は、配線基板1の外周縁と第1絶縁層6a上面に位置する配線導体4との最短間隔よりも大きい。   In FIG. 1, an example in which the wiring region 8 located in all layers below the second insulating layer 6b is located so as to fit within the wiring region 8 located in the first insulating layer 6a in plan perspective Is shown. In other words, the wiring conductors 4 located in all layers below the second insulating layer 6b are located closer to the center of the insulating layer 6 than the wiring conductors 4 located in the first insulating layer 6a. I can say. As a result, the shortest distance between the outer peripheral edge of the wiring board 1 and the wiring conductor 4 below the second insulating layer 6b is the shortest distance between the outer peripheral edge of the wiring board 1 and the wiring conductor 4 located on the upper surface of the first insulating layer 6a. Greater than the interval.

図3に示すように、電極3は、第1絶縁層6a上面の配線領域8内に位置している。電極3は、半導体素子Sの電極と例えば半田によって接続される。これにより、半導体素子Sと配線基板1とが電気的に接続状態となる。電極3は例えば円形状を有している。電極3の直径は、例えば200〜400μmに設定されている。   As shown in FIG. 3, the electrode 3 is located in the wiring region 8 on the upper surface of the first insulating layer 6a. The electrode 3 is connected to the electrode of the semiconductor element S by, for example, solder. As a result, the semiconductor element S and the wiring board 1 are electrically connected. The electrode 3 has, for example, a circular shape. The diameter of the electrode 3 is set to, for example, 200 to 400 μm.

電極3は、配線領域8の外周縁に沿って位置している第1電極3a、および第1電極3aよりも中央側に位置している第2電極3bを含んでいる。言い換えれば、第1電極3aは、配線領域8において最外周に位置している。   The electrode 3 includes a first electrode 3a located along the outer peripheral edge of the wiring region 8 and a second electrode 3b located closer to the center than the first electrode 3a. In other words, the first electrode 3a is located on the outermost periphery in the wiring region 8.

第1電極3aは、直下に位置しているビアホール7によって第2絶縁層6bの上面に位置している配線導体4と電気的に接続している。これは、配線領域8内に電極3を可能な限り高密度に配置しているため、平面視で、第1電極3aから第1絶縁層6aの中央側に向けて導電経路を設ける領域を確保することが困難であることによる。   The first electrode 3a is electrically connected to the wiring conductor 4 located on the upper surface of the second insulating layer 6b through the via hole 7 located immediately below. This is because the electrodes 3 are arranged in the wiring region 8 as densely as possible, so that a region for providing a conductive path is secured from the first electrode 3a toward the center of the first insulating layer 6a in plan view. Because it is difficult to do.

図4に示すように、第2絶縁層6b上面の配線導体4は、第1電極3aと電気的に接続している第1ビアランド4a、および第2電極3bと電気的に接続している第2ビアランド4bを有している。   As shown in FIG. 4, the wiring conductor 4 on the upper surface of the second insulating layer 6b is connected to the first via land 4a electrically connected to the first electrode 3a and the first via land 4a electrically connected to the second electrode 3b. It has two via lands 4b.

第1ビアランド4aは、例えば第2絶縁層6bの外周側から中央側に向けて長手方向を持つ長円形状を有している。第1ビアランド4aは、外周側の上面で第1電極3a直下のビアホール7と接続している。また、第1ビアランド4aは、中央側の下面で下層の配線導体4と接続するビアホール7と接続している。   The first via land 4a has an oval shape having a longitudinal direction from the outer peripheral side to the central side of the second insulating layer 6b, for example. The first via land 4a is connected to the via hole 7 directly below the first electrode 3a on the upper surface on the outer peripheral side. The first via land 4a is connected to the via hole 7 connected to the wiring conductor 4 in the lower layer on the lower surface on the center side.

つまり、第2絶縁層6bにおいて、第1ビアランド4aは、外周側から中央側に向けて位置しており、外周側の導電経路を中央側に寄せる機能を有している。これは、第2ビアランド4bの面積が、電極3の面積よりも小さいことから、外周側の導電経路を中央側に寄せるための導電経路である第1ビアランド4aを設ける領域を確保することが可能であることによる。   That is, in the second insulating layer 6b, the first via land 4a is located from the outer peripheral side toward the central side, and has a function of bringing the conductive path on the outer peripheral side closer to the central side. Since the area of the second via land 4b is smaller than the area of the electrode 3, it is possible to secure a region for providing the first via land 4a which is a conductive path for bringing the conductive path on the outer peripheral side closer to the center side. Depends on.

第2ビアランド4bは、例えば円形状を有している。第2ビアランド4bは、上面で第2電極3b直下のビアホール7と接続している。また、第2ビアランド4bは、下面で下層の配線導体4と接続するビアホール7と接続している。第2ビアランド4bの直径は、例えば150〜350μmに設定されている。   The second via land 4b has, for example, a circular shape. The second via land 4b is connected to the via hole 7 directly below the second electrode 3b on the upper surface. The second via land 4b is connected to the via hole 7 which is connected to the wiring conductor 4 in the lower layer on the lower surface. The diameter of the second via land 4b is set to, for example, 150 to 350 μm.

上記のように、第1ビアランド4aが、外周側の導電経路を中央側に寄せる機能を有していることから、第2絶縁層6bよりも下層の絶縁層6に位置している配線領域8は、図5に示すように、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線領域8内に収まるように位置することが可能になる。   As described above, since the first via land 4a has a function of bringing the conductive path on the outer peripheral side closer to the center side, the wiring region 8 located in the insulating layer 6 below the second insulating layer 6b. 5 can be positioned so as to fit within the wiring region 8 located on the first insulating layer 6a as seen in a plan view, as shown in FIG.

配線導体4は、それぞれの配線領域8内に位置している。配線導体4は、主に配線基板1の導電経路を構成するものである。   The wiring conductors 4 are located in the respective wiring regions 8. The wiring conductor 4 mainly constitutes a conductive path of the wiring board 1.

配線導体4は、例えば銅箔等の良導電性金属を含んでいる。配線導体4の厚みは、例えば10〜20μmに設定されている。   The wiring conductor 4 contains a good conductive metal such as copper foil. The thickness of the wiring conductor 4 is set to, for example, 10 to 20 μm.

積層体2の下面に位置する配線導体4の一部は、外部基板と接続する外部電極9を有している。外部電極9は、外部基板と半田またはコネクターを介して接続される。これにより、半導体素子Sおよび外部基板は、それぞれ配線導体1を介して、互いに電気的に接続される。   A part of the wiring conductor 4 located on the lower surface of the laminated body 2 has an external electrode 9 connected to an external substrate. The external electrode 9 is connected to the external substrate via solder or a connector. As a result, the semiconductor element S and the external substrate are electrically connected to each other via the wiring conductor 1.

ソルダーレジスト5は、本開示においては必須の要件ではないが、積層体2の上面および下面に位置している。ソルダーレジスト5は、電極3を露出する第1開口5aおよび外部電極9を露出する第2開口5bを有している。   The solder resist 5 is located on the upper surface and the lower surface of the laminated body 2, although this is not an essential requirement in the present disclosure. The solder resist 5 has a first opening 5 a exposing the electrode 3 and a second opening 5 b exposing the external electrode 9.

ソルダーレジスト5は、例えば半導体素子Sを実装するときの熱処理により、配線導体4が受けるダメージを軽減する機能を有している。それぞれの開口は、互いに異なる形状でも構わない。異なる形状の開口は、例えば半導体素子Sを実装する際のアライメントマークとして兼用することが可能である。   The solder resist 5 has a function of reducing damage to the wiring conductor 4 due to heat treatment when mounting the semiconductor element S, for example. The respective openings may have different shapes. The openings having different shapes can also be used as alignment marks when mounting the semiconductor element S, for example.

このような配線基板1は、例えば次のような工程を経て形成される。   Such a wiring board 1 is formed through the following steps, for example.

まず、絶縁層6用のプリプレグを用意してレーザー加工によりビアホール7を形成する。ビアホール7の直径は、例えば50〜200μm程度に設定されている。   First, a prepreg for the insulating layer 6 is prepared and a via hole 7 is formed by laser processing. The diameter of the via hole 7 is set to, for example, about 50 to 200 μm.

なお、プリプレグは、複数の配線基板1が同時に複数個形成できるように、複数の製品領域を有している。   The prepreg has a plurality of product areas so that a plurality of wiring boards 1 can be simultaneously formed.

次に、ビアホール7内に導体ペーストを充填してスルーホール導体7aを形成する。   Next, the via hole 7 is filled with a conductor paste to form a through-hole conductor 7a.

次に、プリプレグの上面および下面に、導体パターンを転写埋入する。このとき、スルーホール導体7aと導体パターンとが電気的に接続される。導体パターンは、転写フィルム上に銅箔を所定のパターンに形成したものである。これにより、プリプレグの上面および下面に配線導体4を有するユニット1を形成する。   Next, conductor patterns are transferred and embedded on the upper surface and the lower surface of the prepreg. At this time, the through-hole conductor 7a and the conductor pattern are electrically connected. The conductor pattern is a copper foil formed in a predetermined pattern on a transfer film. As a result, the unit 1 having the wiring conductors 4 on the upper surface and the lower surface of the prepreg is formed.

次に、上記と同じ処理を施して、スルーホール導体7aとプリプレグの片面側にだけ配線導体4を有するユニット2を用意する。そして、ユニット2の配線導体4が形成されていない側の面と、ユニット1の上面とが重なる状態でユニット1にユニット2を積層する。   Next, the same processing as above is performed to prepare the unit 2 having the through-hole conductor 7a and the wiring conductor 4 only on one side of the prepreg. Then, the unit 2 is laminated on the unit 1 in a state where the surface of the unit 2 on which the wiring conductor 4 is not formed and the upper surface of the unit 1 overlap each other.

次に、ユニット2の上方から加熱下で加圧することでユニット1とユニット2とを密着させる。   Next, the unit 1 and the unit 2 are brought into close contact with each other by applying pressure from above the unit 2 under heating.

次に、スルーホール導体7aとプリプレグの片面側にだけ配線導体4を有するユニット3を用意する。そして、ユニット3の配線導体4が形成されていない側の面と、ユニット1の下面とが重なる状態でユニット1にユニット3を積層する。   Next, the unit 3 having the through-hole conductor 7a and the wiring conductor 4 only on one side of the prepreg is prepared. Then, the unit 3 is laminated on the unit 1 in a state where the surface of the unit 3 on which the wiring conductor 4 is not formed and the lower surface of the unit 1 overlap each other.

次に、ユニット3の上方から加圧することでユニット1とユニット3とを密着させる。   Next, pressure is applied from above the unit 3 to bring the unit 1 and the unit 3 into close contact with each other.

以下同様に、片面側にだけ配線導体4を有するユニットを用意して、必要な層数になるまで順次積層処理を行うことで、パネル状積層体が形成される。なお、パネル状積層体の最上面となるユニットには、配線導体4と同時に形成された複数の電極3が形成されている。これにより、パネル状積層体の上面には、複数の電極3が位置している。   Similarly, a panel-shaped laminated body is formed by preparing a unit having the wiring conductors 4 only on one surface side and sequentially laminating the units until the required number of layers is obtained. A plurality of electrodes 3 formed at the same time as the wiring conductors 4 are formed on the uppermost unit of the panel-shaped laminate. Thereby, the plurality of electrodes 3 are located on the upper surface of the panel-shaped laminate.

次に、パネル状積層体の上面および下面にソルダーレジスト5を形成する。ソルダーレジスト5は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂のフィルムを、パネル状積層体の上面および下面に貼着し、露光および現像により電極3を露出する第1開口5a、および外部電極9を露出する第2開口5bを形成した後に熱硬化することで形成される。   Next, the solder resist 5 is formed on the upper surface and the lower surface of the panel-shaped laminate. The solder resist 5 is, for example, a film of a thermosetting resin having a photosensitivity such as an acrylic modified epoxy resin attached to the upper surface and the lower surface of the panel-shaped laminate, and the first opening 5a exposing the electrode 3 by exposure and development. , And the second opening 5b exposing the external electrode 9 is formed, and then thermosetting is performed.

最後に、パネル状積層体を切断して個片にすることで、複数の配線基板1が同時に形成される。切断のときは、配線基板1の外周縁と電極3との間隔が所定の値になるように切断位置を決める。言い換えれば、パネル状積層体の上面側の電極3を基準として切断することで、半導体素子Sが配線基板1上面の所定の位置に実装することが可能になる。   Finally, the plurality of wiring boards 1 are formed at the same time by cutting the panel-shaped laminated body into individual pieces. At the time of cutting, the cutting position is determined so that the distance between the outer peripheral edge of the wiring board 1 and the electrode 3 becomes a predetermined value. In other words, the semiconductor element S can be mounted at a predetermined position on the upper surface of the wiring board 1 by cutting with the electrode 3 on the upper surface side of the panel-shaped laminate as a reference.

このため、配線基板1においては、第1絶縁層6aに位置している電極3および配線導体4は、配線基板1の外周縁から所定の間隔で位置している。そして、第1電極3aは、直下のビアホール7によって第2絶縁層6b上面の配線導体4と電気的に接続している。   Therefore, in the wiring board 1, the electrodes 3 and the wiring conductors 4 located on the first insulating layer 6a are located at a predetermined distance from the outer peripheral edge of the wiring board 1. Then, the first electrode 3a is electrically connected to the wiring conductor 4 on the upper surface of the second insulating layer 6b by the via hole 7 directly below.

しかしながら、第2絶縁層6bよりも下層の絶縁層6に位置している配線導体4は、例えば上述の積層工程等で積層ズレが生じていた場合、必ずしも配線基板1の外周縁から所定の間隔で位置しているとは限らない。つまり、パネル状積層体を切断するときに、第2絶縁層6b以下の絶縁層6に位置している配線導体4を基準にしていないため、配線基板1の外周縁と配線導体4とを所定の間隔に形成することができない場合がある。   However, the wiring conductors 4 located in the insulating layer 6 below the second insulating layer 6b do not necessarily have a predetermined distance from the outer peripheral edge of the wiring board 1 when, for example, a stacking deviation occurs in the above-described stacking step or the like. Not necessarily located in. That is, when the panel-shaped laminate is cut, since the wiring conductor 4 located in the insulating layer 6 below the second insulating layer 6b is not used as a reference, the outer peripheral edge of the wiring board 1 and the wiring conductor 4 are predetermined. In some cases, it may not be possible to form them at intervals of.

本開示の配線基板1は、第1絶縁層6aおよび第2絶縁層6bを含む3層以上の絶縁層6が互いに積層している積層体2と、積層体2の上面、下面および絶縁層6同士の間に位置している配線領域8と、第1絶縁層6aの上面における配線領域8内において配線領域8の外周縁に沿って位置している第1電極3aと、配線領域8内に位置している配線導体4と、複数のビアホール7とを有している。   The wiring board 1 of the present disclosure includes a laminated body 2 in which three or more insulating layers 6 including a first insulating layer 6a and a second insulating layer 6b are laminated with each other, an upper surface, a lower surface of the laminated body 2, and an insulating layer 6. In the wiring region 8, the wiring region 8 located between them, the first electrode 3a located along the outer peripheral edge of the wiring region 8 in the wiring region 8 on the upper surface of the first insulating layer 6a, It has the wiring conductor 4 located and a plurality of via holes 7.

第1電極3aは、複数のビアホール7のうち第1電極3aの直下に位置するビアホール7によって第2絶縁層6bの上面に位置する配線導体4と電気的に接続しているとともに、複数の絶縁層6のうち第2絶縁層6bよりも下層に位置している配線領域8は、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線領域8内に収まるように位置している。   The first electrode 3a is electrically connected to the wiring conductor 4 located on the upper surface of the second insulating layer 6b by the via hole 7 located directly below the first electrode 3a among the plurality of via holes 7, and also has a plurality of insulation properties. The wiring region 8 of the layer 6 which is located below the second insulating layer 6b is located so as to be included in the wiring region 8 of the first insulating layer 6a when seen in a plan view.

このため、配線基板1の外周縁と、第2絶縁層6bよりも下層の絶縁層6に位置している配線導体4とが所定の間隔で位置していない場合であっても、配線導体4が配線基板1の外周縁から露出することを低減することが可能になる。   Therefore, even if the outer peripheral edge of the wiring board 1 and the wiring conductor 4 located in the insulating layer 6 below the second insulating layer 6b are not located at a predetermined interval, the wiring conductor 4 Can be reduced from being exposed from the outer peripheral edge of the wiring board 1.

言い換えれば、第2絶縁層6bよりも下層に位置している配線領域8が、平面透視で第1絶縁層6aに位置している配線領域8内に収まるようにあらかじめ設定しておくことで、積層ズレ等による配線導体4の位置ズレの影響を小さくすることが可能になる。   In other words, by setting in advance such that the wiring region 8 located below the second insulating layer 6b fits within the wiring region 8 located in the first insulating layer 6a in plan perspective, It is possible to reduce the influence of positional deviation of the wiring conductor 4 due to stacking deviation or the like.

これにより、検査装置内において、半導体素子Sを実装した配線基板1が縦横の並びに隙間なく並び、放射線が互いに隣接する半導体素子S間から漏れないように配置された場合に、配線基板1の互いに積層された絶縁層6同士の間から、配線導体4が露出することを抑制して互いに隣接する配線導体同士が短絡することを抑制することが可能になる。その結果、半導体素子Sが正常に機能できる配線基板1を提供することができる。   As a result, when the wiring boards 1 on which the semiconductor elements S are mounted are aligned vertically and horizontally in the inspection device without any gaps and the radiation is arranged so as not to leak from between the semiconductor elements S adjacent to each other, the wiring boards 1 are separated from each other. It is possible to prevent the wiring conductors 4 from being exposed from between the stacked insulating layers 6 and to prevent the wiring conductors adjacent to each other from being short-circuited. As a result, the wiring board 1 in which the semiconductor element S can function normally can be provided.

1 配線基板
2 積層体
3 電極
4 配線導体
6 絶縁層
6a 第1絶縁層
6b 第2絶縁層
7 ビアホール
8 配線領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 wiring board 2 laminated body 3 electrode 4 wiring conductor 6 insulating layer 6a first insulating layer 6b second insulating layer 7 via hole 8 wiring area

Claims (2)

上から1層目の第1絶縁層および2層目の第2絶縁層を含む3層以上の絶縁層が互いに積層している積層体と、
前記積層体の上面、下面および前記絶縁層同士の間に位置している配線領域と、
前記第1絶縁層の上面における前記配線領域内において該配線領域の外周縁に沿って位置している電極と、
前記配線領域内に位置している配線導体と、
前記複数の絶縁層に位置しており、該絶縁層の上下に位置している前記配線導体同士を電気的に接続している複数のビアホールと、
を有しており、
前記電極は、前記複数のビアホールのうち前記電極の直下に位置するビアホールによって前記第2絶縁層の上面に位置する前記配線導体と電気的に接続しているとともに、
前記複数の絶縁層のうち前記第2絶縁層よりも下層の少なくとも一つに位置している前記配線領域は、平面透視で前記第1絶縁層に位置している前記配線領域内に収まるように位置していることを特徴とする配線基板。
A laminated body in which three or more insulating layers including a first insulating layer which is the first layer from the top and a second insulating layer which is the second layer are laminated with each other;
A wiring region located between the upper surface of the laminate, the lower surface and the insulating layers,
An electrode located along the outer peripheral edge of the wiring region in the wiring region on the upper surface of the first insulating layer;
A wiring conductor located in the wiring region,
A plurality of via holes that are located in the plurality of insulating layers and that electrically connect the wiring conductors located above and below the insulating layer,
Has
The electrode is electrically connected to the wiring conductor located on the upper surface of the second insulating layer by a via hole located directly below the electrode among the plurality of via holes, and
The wiring region located in at least one lower layer than the second insulating layer among the plurality of insulating layers fits within the wiring region located in the first insulating layer when seen in a plan view. Wiring board characterized by being located.
前記複数の絶縁層のうち前記第2絶縁層よりも下層の全てに位置している前記配線領域は、平面透視で前記第1絶縁層に位置している前記配線領域内に収まるように位置していることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。   Among the plurality of insulating layers, the wiring region located in all layers lower than the second insulating layer is located so as to fit within the wiring region located in the first insulating layer when seen in a plan view. The wiring board according to claim 1, wherein:
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0582964A (en) * 1991-09-19 1993-04-02 Fujitsu Ltd Multilayered ceramic substrate
JP2016058417A (en) * 2014-09-05 2016-04-21 日本特殊陶業株式会社 Semiconductor power module manufacturing method

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