JP2020071965A - フレキシブル有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】作業の複雑さを緩和できるフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとが積層された第1積層基板11、および、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとが積層された第2積層基板12を含み、第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとが対向するように積層された多層積層基板10の製造に関する。この製造方法は、第1積層基板11と第2積層基板12を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含む。前段工程は、第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方について、第1ガラス層11A、第2ガラス層12A、第1樹脂層11B、および、第2樹脂層12Bの少なくとも一つの切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。【選択図】図1
Description
本発明は、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法に関する。
有機EL(electro luminescence)ディスプレイは発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスを備える。フレキシブル有機ELディスプレイでは、基板にフレキシブル基板が用いられる。フレキシブル有機ELディスプレイの製造工程では、ガラス層に樹脂層が形成され、樹脂層に発光層等が形成される(例えば特許文献1)。
新しい構造の発光デバイスが提案されている。この発光デバイスは、対向するように設けられる第1樹脂層および第2樹脂層を有する。第1樹脂層と第2樹脂層との間に発光層等が設けられる。従来の発光デバイスとは構造が異なるため、新しい構造の発光デバイスの製造工程では、例えばガラス層および樹脂層等が積層された積層基板の切断に関して複雑な作業をともなうおそれがある。
本発明の目的は、作業の複雑さを緩和できるフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法を提供することである。
本発明に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第1ガラス層と第1樹脂層とが積層された第1積層基板、および、第2ガラス層と第2樹脂層とが積層された第2積層基板を含み、前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法であって、前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含み、前記前段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方について、前記ガラス層および前記樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。
ガラス層および樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工は、例えばガラス層を切断する加工、樹脂層を切断する加工、ガラス層をブレイクするための予備加工、および、樹脂層をブレイクするための予備加工の1つまたは複数を含む。前段工程で上記切断に関連する加工が複数の積層基板の少なくとも一方に施されることにより、複数の積層基板を積層する工程以後の工程(以下「後段工程」)において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減される。積層基板よりも構造が複雑な多層積層基板に対する加工が少ないため、作業の複雑さが緩和される。
ガラス層および樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工は、例えばガラス層を切断する加工、樹脂層を切断する加工、ガラス層をブレイクするための予備加工、および、樹脂層をブレイクするための予備加工の1つまたは複数を含む。前段工程で上記切断に関連する加工が複数の積層基板の少なくとも一方に施されることにより、複数の積層基板を積層する工程以後の工程(以下「後段工程」)において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減される。積層基板よりも構造が複雑な多層積層基板に対する加工が少ないため、作業の複雑さが緩和される。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記ガラス層を切断する。
この製造方法では、前段工程でガラス層が切断されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にレーザの照射にともない発生するガスがガラス層の切断部分から排出され、ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
この製造方法では、前段工程でガラス層が切断されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にレーザの照射にともない発生するガスがガラス層の切断部分から排出され、ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記樹脂層を切断する。
この製造方法では、前段工程で樹脂層が切断されるため、後段工程においてガラス層に挟まれた樹脂層を切断する必要がなく、作業の複雑さが緩和される。
この製造方法では、前段工程で樹脂層が切断されるため、後段工程においてガラス層に挟まれた樹脂層を切断する必要がなく、作業の複雑さが緩和される。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程をさらに含み、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の一方を切断し、前記後段工程は、切断された前記複数の積層基板の一方を切断されていない前記複数の積層基板の他方に積層する後段積層工程を含む。
この製造方法では、前段工程で一方の積層基板が切断されるため、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。切断されていない他方の積層基板に一方の積層基板を積層できるため、切断された両方の積層基板を積層する場合に比較して積層作業における各積層基板の位置管理に要求される精度が緩和される。
この製造方法では、前段工程で一方の積層基板が切断されるため、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。切断されていない他方の積層基板に一方の積層基板を積層できるため、切断された両方の積層基板を積層する場合に比較して積層作業における各積層基板の位置管理に要求される精度が緩和される。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程において前記積層基板をブレイクするための予備加工を、前記複数の積層基板の少なくとも一方に施す。
この製造方法では、前段工程で予備加工が施されることにより、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。
この製造方法では、前段工程で予備加工が施されることにより、後段工程において多層積層基板に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記予備加工では、前記ガラス層にスクライブラインを形成する。
この製造方法では、前段工程でガラス層にスクライブラインが形成されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にガスによりガラス層のスクライブラインの部分がブレイクされ、ガスが切断部分から排出される。ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
この製造方法では、前段工程でガラス層にスクライブラインが形成されるため、例えば多層積層基板の樹脂層をレーザで切断する場合にガスによりガラス層のスクライブラインの部分がブレイクされ、ガスが切断部分から排出される。ガスが樹脂層の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
前記フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の一例では、前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の両方を切断する。
この製造方法では、前段工程で両方の積層基板が切断されることにより、後段工程において多層積層基板に切断に関連する工程を施す必要がなくなり、作業の複雑さが緩和される。
この製造方法では、前段工程で両方の積層基板が切断されることにより、後段工程において多層積層基板に切断に関連する工程を施す必要がなくなり、作業の複雑さが緩和される。
本発明によれば、積層基板の切断に関する作業の複雑さを緩和できる。
(実施形態)
図面を参照してフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ELディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例はパーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例はヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
図面を参照してフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法について説明する。フレキシブル有機ELディスプレイは、据置型の機器および携帯機器等に用いられる。据置型の機器の一例はパーソナルコンピュータおよびテレビ受像機である。携帯機器の一例は携帯情報端末、ウェアラブルコンピュータ、および、ノート型パーソナルコンピュータである。携帯情報端末の一例はスマートフォン、タブレット、および、携帯ゲーム機である。ウェアラブルコンピュータの一例はヘッドマウントディスプレイおよびスマートウォッチである。
フレキシブル有機ELディスプレイは、発光層、電極、および、基板が積層された発光デバイスと、発光デバイスを一方から覆う第1保護フィルムと、発光デバイスを他方から覆う第2保護フィルムとを有する。第1保護フィルムおよび第2保護フィルムはそれぞれ、例えばPET(polyethylene terephthalate)が用いられる。なお、第1保護フィルムおよび第2保護フィルムの一方は省略してもよい。発光デバイスの製造工程では、図1に示される1枚の多層積層基板10から複数の発光デバイスが製造される。
多層積層基板10は、フレキシブル有機ELディスプレイの製造の途中段階で製造される。多層積層基板10は、第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとが積層された第1積層基板11と、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとが積層された第2積層基板12とを有する。多層積層基板10は、第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとが対向するように第1積層基板11と第2積層基板12とが積層されて構成されている。多層積層基板10は、導電層13をさらに有する。導電層13は、例えば第1積層基板11の第1樹脂層11B上に形成されている。導電層13は、第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとに挟まれている。導電層13は、OLED(Organic Light Diode)、TFT(Thin Film Transistor)等の電子デバイス用部材が形成されている。第1樹脂層11B、導電層13、および、第2樹脂層12Bは、発光デバイスを構成している。
第1積層基板11の第1ガラス層11Aと第2積層基板12の第2ガラス層12Aとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aの組成は、特に限定されないが、例えばアルカリ金属酸化物を含有するガラス、または無アルカリガラス等の種々の組成のガラスを用いることができる。アルカリ金属酸化物を含有するガラスの一例は、ソーダライムガラスである。本実施形態では、第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aは、無アルカリガラスが用いられる。第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば0.5mm程度であることが好ましい。第1ガラス層11Aは、第1樹脂層11Bが形成される第1平面14A、および、第1平面14Aと対をなす第2平面14Bを有する。第2ガラス層12Aは、第2樹脂層12Bが形成される第1平面15A、および、第1平面15Aと対をなす第2平面15Bを有する。
第1積層基板11の第1樹脂層11Bと第2積層基板12の第2樹脂層12Bとは同じ材料が用いられ、同じサイズに形成されている。第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの組成は、特に限定されないが、例えばポリイミド(PI)を用いることができる。第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの厚さはそれぞれ、特に限定されないが、例えば10μm以上30μm以下の範囲であることが好ましい。
図2は、第1積層基板11の平面図である。
図2の破線によって示される切断予定部16に沿って第1積層基板11を格子状に切断することによって第1単位積層基板21が形成される。第2積層基板12についても同様に、切断予定部17(図2では図示略、例えば図11参照)に沿って第2積層基板12を格子状に切断することによって第2単位積層基板22が形成される。第1単位積層基板21および第2単位積層基板22の平面視におけるサイズは、平面視における発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。本実施形態の第1単位積層基板21の平面視におけるサイズおよび第2単位積層基板22の平面視におけるサイズは、互いに等しい。第1単位積層基板21および第2単位積層基板22を第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとが対向するように積層することによって、多層積層基板10としての単位積層基板20(図19参照)が構成される。
図2の破線によって示される切断予定部16に沿って第1積層基板11を格子状に切断することによって第1単位積層基板21が形成される。第2積層基板12についても同様に、切断予定部17(図2では図示略、例えば図11参照)に沿って第2積層基板12を格子状に切断することによって第2単位積層基板22が形成される。第1単位積層基板21および第2単位積層基板22の平面視におけるサイズは、平面視における発光デバイスの予め決められたサイズに相当する。本実施形態の第1単位積層基板21の平面視におけるサイズおよび第2単位積層基板22の平面視におけるサイズは、互いに等しい。第1単位積層基板21および第2単位積層基板22を第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとが対向するように積層することによって、多層積層基板10としての単位積層基板20(図19参照)が構成される。
第1積層基板11および第2積層基板12の切断には、レーザ加工装置およびスクライブ加工装置の少なくとも一方が用いられる。図3は、レーザ加工装置の構成の一例であり、図4は、スクライブ加工装置の構成の一例である。図3および図4において、X軸方向、Y軸方向、および、Z軸方向を図3および図4に示すとおり規定する。なお、第1積層基板11および第2積層基板12の切断には、ダイシング加工装置(図示略)を用いてもよい。
図3に示されるように、レーザ加工装置30は、第1積層基板11および第2積層基板12を切断するためのレーザ装置31と、レーザ装置31に対して第1積層基板11および第2積層基板12を移動させるための機械駆動系32と、レーザ装置31および機械駆動系32を制御する第1制御部33とを備える。
レーザ装置31は、第1積層基板11および第2積層基板12における樹脂層およびガラス層の一方を加工する。レーザ装置31は、第1積層基板11および第2積層基板12にレーザ光を照射するためのレーザ発振器34と、レーザ光を機械駆動系32に伝送する伝送光学系35とを有する。レーザ発振器34は、例えばUV(Ultra Violet)レーザまたはCO2レーザである。レーザ加工装置30が第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを加工する場合、レーザ発振器34はUVレーザである。レーザ加工装置30が第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aを加工する場合、レーザ発振器34はCO2レーザまたはUVレーザである。伝送光学系35は、例えば集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等から構成される。また、伝送光学系35は、例えばレーザ発振器34が組み込まれたレーザ照射ヘッドをX軸方向に移動させるためのX軸方向移動機構を備える。レーザ発振器34から照射されたレーザ光は、伝送光学系35を介して第1積層基板11および第2積層基板12に向けて照射される。
機械駆動系32は、レーザ装置31とZ軸方向に対向して配置されている。機械駆動系32は、ベッド36、加工テーブル37、および、移動装置38から構成される。加工テーブル37上には、第1積層基板11または第2積層基板12が載置される。移動装置38は、加工テーブル37をベッド36に対して水平方向(X軸方向およびY軸方向)に移動させる。移動装置38は、ガイドレール、移動テーブル、モータ等を有する公知の機構である。
第1制御部33は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばCPU(Central Processing Unit)またはMPU(Micro Processing Unit)を有する。第1制御部33は、1または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第1制御部33は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第1制御部33は、レーザ装置31に設けられてもよいし、機械駆動系32に設けられてもよいし、レーザ装置31および機械駆動系32とは別に設けられてもよい。第1制御部33がレーザ装置31および機械駆動系32とは別に設けられる場合、第1制御部33の配置位置は任意に設定可能である。
図4に示されるように、スクライブ加工装置40は、スクライビングホイール50と第1積層基板11または第2積層基板12とがX軸方向およびY軸方向に相対的に移動することによって第1積層基板11または第2積層基板12にX軸方向およびY軸方向に沿うスクライブラインを形成する。スクライブ加工装置40は、第1積層基板11または第2積層基板12を加工するための加工装置41と、第1積層基板11または第2積層基板12を搬送するための搬送装置42と、加工装置41および搬送装置42を制御する第2制御部43とを備える。
搬送装置42は、一対のレール44、テーブル45、直進駆動装置46、回転装置47等から構成される。一対のレール44は、Y軸方向に沿って延びている。図4のスクライブ加工装置40では、スクライブ加工装置40のベース(図示略)に一対のレール44が配置され、直進駆動装置46によってテーブル45が一対のレール44に沿って往復移動し、回転装置47によってテーブル45が中心軸Cまわりを回転する。テーブル45には、第1積層基板11または第2積層基板12が載置される。直進駆動装置46の一例は、送りねじ装置を有する。回転装置47は、駆動源となるモータを有する。
加工装置41は、横駆動装置48、縦駆動装置49、および、スクライビングホイール50等から構成される。スクライビングホイール50は、スクライビングホイール50を保持するためのホルダユニットに取り付けられる。ホルダユニットは、ホルダユニットを保持するためのスクライブヘッドに取り付けられる。スクライブヘッドは、横駆動装置48によってX軸方向に移動し、縦駆動装置49によってZ軸方向に移動する。スクライビングホイール50がX軸方向に移動することによって、第1積層基板11および第2積層基板12にX軸方向に沿うスクライブラインを形成する。
スクライビングホイール50は、ホルダユニットに取り付けられるピン(図示略)に回転可能に支持される。スクライビングホイール50を構成する材料の一例は、焼結ダイヤモンド(Poly Crystalline Diamond)、超硬金属、単結晶ダイヤモンド、および、多結晶ダイヤモンドである。スクライビングホイール50は、例えば図5(a)に示される形状のスクライビングホイール50A、および、図5(b)に示される形状のスクライビングホイール50Bのいずれかを用いることができる。
図5(a)に示されるスクライビングホイール50Aは、円板状の本体部51と、断面V字状の刃先部52とから構成される。断面V字状とは、スクライビングホイール50Aの厚さ方向(以下「厚さ方向DT」)に沿う平面でスクライビングホイール50Aを切った断面において、スクライビングホイール50Aの外周縁に向けて先細る形状である。
本体部51の中心部には、本体部51を厚さ方向DTに貫通する挿入孔53が形成される。挿入孔53にはピンが挿入される。
刃先部52は、断面V字状を形成する2つの斜面である第1斜面52Aおよび第2斜面52Bを有する。第1斜面52Aおよび第2斜面52Bは、スクライビングホイール50Aの厚さ方向DTの中心であって、厚さ方向DTに直交する回転中心面RCに対して対称である。
刃先部52は、断面V字状を形成する2つの斜面である第1斜面52Aおよび第2斜面52Bを有する。第1斜面52Aおよび第2斜面52Bは、スクライビングホイール50Aの厚さ方向DTの中心であって、厚さ方向DTに直交する回転中心面RCに対して対称である。
図5(b)に示されるスクライビングホイール50Bは、スクライビングホイール50Aと比較して、刃先部52の形状が異なる。スクライビングホイール50Bの刃先部52における第1斜面52Aおよび第2斜面52Bは、回転中心面RCに対して非対称である。一例では、厚さ方向に沿うスクライビングホイール50Bの断面において、スクライビングホイール50Bの径方向に平行な線分L1と第1斜面52Aとがなす第1角度θ1は、線分L1と第2斜面52Bとがなす第2角度θ2よりも大きい。なお、回転中心面RCに対して線分L1に沿う方向における刃先部52の先端の位置がずれていれば、第1角度θ1は、第2角度θ2と等しくてもよい。
第2制御部43は、予め定められる制御プログラムを実行する演算処理装置を有する。演算処理装置は、例えばCPUまたはMPUを有する。第2制御部43は、1または複数のマイクロコンピュータを有してもよい。第2制御部43は、記憶部をさらに有する。記憶部には、各種の制御プログラムおよび各種の制御処理に用いられる情報が記憶される。記憶部は、例えば不揮発性メモリおよび揮発性メモリを有する。第2制御部43は、加工装置41に設けられてもよいし、搬送装置42に設けられてもよいし、加工装置41および搬送装置42とは別に設けられてもよい。第2制御部43が加工装置41および搬送装置42とは別に設けられる場合、第2制御部43の配置位置は任意に設定可能である。
〔フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法〕
次に、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図6は、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
次に、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の詳細について説明する。図6は、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法の工程の一例を示す。
フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法では、第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとが積層された第1積層基板11と、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとが積層された第2積層基板12とを有し、第1樹脂層11Bと第2樹脂層12Bとが対向するように積層された多層積層基板10が製造される。本実施形態では、第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方は、第1積層基板11と第2積層基板12とが積層される前に所定サイズに切断される。第1積層基板11および第2積層基板12がそれぞれ所定サイズに切断される場合、多層積層基板10は、所定サイズの単位積層基板20となる。第1積層基板11および第2積層基板12の一方が所定サイズに切断される場合、第1積層基板11と第2積層基板12とを積層した後、第1積層基板11および第2積層基板12の他方を所定サイズに切断して多層積層基板10としての単位積層基板20を製造する。そして単位積層基板20から第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aを除去することにより発光デバイスが製造される。そして、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bに第1保護フィルムおよび第2保護フィルムを取り付ける。これにより、フレキシブル有機ELディスプレイが製造される。
図6に示されるように、フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、第1積層基板11および第2積層基板12を積層する工程よりも前の工程である前段工程と、第1積層基板11および第2積層基板12を積層する工程以後の工程である後段工程とに区分される。前段工程は、前段積層工程および前段加工工程を含む。前段積層工程は、第1積層基板11および第2積層基板12を製造する工程である。前段加工工程は、積層工程よりも前に、第1積層基板11および第2積層基板12について、切断に関連する加工を施す工程である。後段工程は、後段積層工程および剥離工程を含む。後段積層工程は、第1積層基板11および第2積層基板12を積層する工程である。剥離工程は、レーザリフトオフ(LLO:Laser Lift Off)によって第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとを剥離し、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとを剥離する工程である。以下、各工程の詳細について説明する。
前段積層工程では、次の第1の例〜第4の例のいずれか1つを選択できる。前段積層工程は第1の例〜第4の例のそれぞれにおいて共通するため、図7〜図9については第1積層基板11および第2積層基板12に関する符号を併せて付している。第2の例〜第4の例では、前段積層工程は、前段加工工程の一部を兼ねている。
第1の例では、第1ガラス層11Aの第1平面14Aの全体にわたり第1樹脂層11Bを形成することによって第1積層基板11を製造し、第2ガラス層12Aの第1平面15Aの全体にわたり第2樹脂層12Bを形成することによって第2積層基板12を製造する。第1ガラス層11Aの第1平面14Aへの第1樹脂層11Bの形成方法、および、第2ガラス層12Aの第1平面15Aへの第2樹脂層12Bの形成方法はそれぞれ、ガラス層に樹脂層を塗布する方法、または、ガラス層に接着層を介して樹脂層をラミネートする方法を選択できる。またガラス層に樹脂層を固定する方法として、加熱硬化処理、または、プレス法による加熱および加圧処理を選択できる。
第2の例および第3の例では、第1積層基板11の第1ガラス層11Aにおける切断が予定される切断予定部16Aが第1樹脂層11Bで被覆されないように第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成する。第2積層基板12の第2ガラス層12Aにおける切断が予定される切断予定部17Aが第2樹脂層12Bで被覆されないように第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成する。
第2の例では、図7に示されるように、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aに溝18を形成し、溝18が露出するように第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成し、第2ガラス層12Aの切断予定部17Aに溝19を形成し、溝19が露出するように第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成する。溝18は、第1ガラス層11Aの第1平面14A側に開口している。溝19は、第2ガラス層12Aの第1平面15A側に開口している。例えば第1ガラス層11Aに例えばワニスからなる第1樹脂層11Bをローラ等で塗布する方法では、第1ガラス層11Aの溝18にはワニスが塗布されないため、特別な塗布方法を用いずに溝18が露出するように第1樹脂層11Bを形成できる。第2ガラス層12Aに例えばワニスからなる第2樹脂層12Bをローラ等で塗布する方法も同様である。なお、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aにのみ溝18を形成してもよいし、第2ガラス層12Aの切断予定部17Aのみに溝19を形成してもよい。
第3の例では、図8に示されるように、第1ガラス層11Aの切断予定部16AにマスクMS1を形成し、第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成する。マスクMS1は、第1ガラス層11Aの第1平面14A側に形成されている。この場合、マスクMS1によって第1樹脂層11Bにおける第1ガラス層11Aの切断予定部16Aに対応する部分に第1樹脂層11Bが形成されない。その後、マスクMS1を除去する。また第2ガラス層12Aの切断予定部17AにマスクMS2を形成し、第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成する。マスクMS2は、第2ガラス層12Aの第1平面15A側に形成されている。この場合、マスクMS2によって第2樹脂層12Bにおける第2ガラス層12Aの切断予定部17Aに対応する部分に第2樹脂層12Bが形成されない。その後、マスクMS2を除去する。なお、第1ガラス層11Aの切断予定部16AにのみマスクMS1を形成してもよいし、第2ガラス層12Aの切断予定部17AのみにマスクMS2を形成してもよい。
第4の例では、図9に示されるように、第1樹脂層11Bにおける第1ガラス層11Aの切断予定部16Aに対応する部分(切断予定部16B)を切断し、第2樹脂層12Bにおける第2ガラス層12Aの切断予定部17Aに対応する部分(切断予定部17B)を除去する。第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bは、レーザ、ブレイク、および、ダイシングのいずれかによって除去される。なお、第1樹脂層11Bにおける第1ガラス層11Aの切断予定部16Aに対応する部分および第2樹脂層12Bにおける第2ガラス層12Aの切断予定部17Aに対応する部分の一方のみを除去してもよい。
図10は、前段加工工程における第1積層基板11および第2積層基板12の加工の組み合わせ例、すなわち、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、および、第2ガラス層12Aの少なくとも1つについて切断に関連する加工を施すパターンの組み合わせ例を示す。前段加工工程では、図10に示すパターンのいずれかを選択できる。一例では、前段加工工程では、第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aの一方を切断する。一例では、前段加工工程では、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの一方を切断する。一例では、前段加工工程は、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bをそれぞれ切断する。一例では、前段加工工程は、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bをそれぞれ切断する。一例では、前段加工工程は、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2ガラス層12A、および、第2樹脂層12Bのうちの3つを切断する。一例では、前段加工工程は、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2ガラス層12A、および、第2樹脂層12Bをそれぞれ切断する。
前段加工工程は、第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方をブレイクするための予備加工を第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方に施す予備加工工程を含んでもよい。予備加工の一例は、第1積層基板11の第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのそれぞれにスクライブラインを形成し、第2積層基板12の第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのそれぞれにスクライブラインを形成する。ガラス層および樹脂層のスクライブラインの形成には、レーザ加工装置30またはスクライブ加工装置40が用いられる。
予備加工工程では、例えば、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。予備加工工程の一例では、スクライビングホイール50によって第1ガラス層11Aの切断予定部16Aをスクライブし、レーザによって第1樹脂層11Bの切断予定部16Bをスクライブする。スクライビングホイール50によって第2ガラス層12Aの切断予定部17Aをスクライブし、レーザによって第2樹脂層12Bの切断予定部17Bをスクライブする。このように、本実施形態では、ガラス層と樹脂層とで異なる手段の予備加工を施す。
なお、予備加工工程において、レーザによって第1ガラス層11Aの切断予定部16Aをスクライブし、スクライビングホイール50によって第1樹脂層11Bの切断予定部16Bをスクライブしてもよい。また予備加工工程において、レーザによって第2ガラス層12Aの切断予定部17Aをスクライブし、スクライビングホイール50によって第2樹脂層12Bの切断予定部17Bをスクライブしてもよい。
図11に示されるように、第1ガラス層11Aにおける切断が予定される切断予定部16Aおよび第1樹脂層11Bにおける切断が予定される切断予定部16Bにそれぞれスクライブラインが形成されている。第2ガラス層12Aにおける切断が予定される切断予定部17Aおよび第2樹脂層12Bにおける切断が予定される切断予定部17Bにそれぞれスクライブラインが形成されている。
なお、第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方をブレイクするための予備加工に代えて、ガラス層をブレイクするための予備加工、および、樹脂層をブレイクするための予備加工の少なくとも一方を、第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方に施してもよい。
後段積層工程では、図12に示す前段加工工程の第1加工手順および図16に示す前段加工工程の第2加工手順のいずれかを選択できる。以下では、第1加工手順で製造された第1積層基板11および第2積層基板12の積層と、第2加工手順で製造された第1積層基板11および第2積層基板12の積層とについて説明する。なお、図15、図18、および、図19に示される第1積層基板11および第2積層基板12は、前段積層工程の第1の例によって製造された第1積層基板11および第2積層基板12を示す。
図12に示されるように、第1加工手順は、第1積層基板11を所定サイズに切断する第1切断工程および第2積層基板12を所定サイズに切断する第2切断工程を含む。第1加工手順は、第1切断工程および第2切断工程の順に実行される。なお、第1工程手順は、第2切断工程および第1切断工程の順に実行されてもよい。
図13(a)に示されるように、第1切断工程において、第1積層基板11を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。第1積層基板11は、第1樹脂層11Bおよび第1ガラス層11Aの順に切断してもよいし、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bの順に切断してもよい。第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bの切断について、レーザ加工装置30およびスクライブ加工装置40のいずれかを用いてもよい。また、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bの切断について、レーザ加工装置30またはスクライブ加工装置40によって第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第1樹脂層11Bの切断予定部16Bをスクライブした後、ブレイクしてもよいし、レーザ加工装置30によって切断してもよい。
図13(b)に示されるように、第2切断工程において、第2積層基板12を切断する順番および加工種類を任意に選択できる。第2積層基板12は、第2樹脂層12Bおよび第2ガラス層12Aの順に切断してもよいし、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bの順に切断してもよい。第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bの切断について、レーザ加工装置30およびスクライブ加工装置40のいずれかを用いてもよい。また、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bの切断について、レーザ加工装置30またはスクライブ加工装置40によって第2ガラス層12Aの切断予定部17Aおよび第2樹脂層12Bの切断予定部17Bをスクライブした後、ブレイクしてもよいし、レーザ加工装置30によって切断してもよい。なお、第1切断工程および第2切断工程の少なくとも一方において、ダイシング装置によってガラス層および樹脂層を切断してもよい。
第1切断工程および第2切断工程において、ガラス層および樹脂層のそれぞれをレーザによって切断する場合、またはガラス層および樹脂層のそれぞれをスクライブする場合、図3に示されるレーザ加工装置30に代えて、図14に示されるレーザ加工装置30Aが用いられる。レーザ加工装置30Aは、レーザ加工装置30と比較して、レーザ装置の構成が異なる。以下、レーザ加工装置30Aのうちの異なる構成について説明する。
レーザ加工装置30Aのレーザ装置31Aは、第1レーザ発振器34Aおよび第2レーザ発振器34Bを有する。第1レーザ発振器34AはUVレーザであり、第2レーザ発振器34BはCO2レーザである。第1レーザ発振器34Aから照射されたレーザ光、および、第2レーザ発振器34Bから照射されたレーザ光は、伝送光学系35を介して第1積層基板11および第2積層基板12に照射される。なお、伝送光学系35は、第1レーザ発振器34Aに対応する伝送光学系と、第2レーザ発振器34Bに対応する伝送光学系とが個別に設けられてもよい。
第1制御部33は、第1積層基板11および第2積層基板12に対する加工対象の種類(ガラス層または樹脂層)に応じて第1レーザ発振器34Aおよび第2レーザ発振器34Bを選択する。例えば第1制御部33は、予め記憶された制御プログラムによって加工対象の種類であるガラス層および樹脂層の加工順番を定め、定められた加工順番に応じて第1レーザ発振器34Aおよび第2レーザ発振器34Bを選択する。
図15に示されるように、後段積層工程では、第1切断工程によって所定サイズに切断された第1積層基板11である第1単位積層基板21と、第2切断工程によって所定サイズに切断された第2積層基板12である第2単位積層基板22とが、例えば接着層SDを介して貼り合せられる。これにより、所定サイズの多層積層基板10である単位積層基板20が製造される。
図16に示されるように、本実施形態の第2加工手順では、第2切断工程のみが実行される。なお、第2工程手順では、第1切断工程のみが実行されてもよい。このように、第1積層基板11および第2積層基板12の一方が所定サイズに切断された後、第1積層基板11および第2積層基板12の他方に第1積層基板11および第2積層基板12の一方が貼り合せられる。第1積層基板11および第2積層基板12の一方の加工順番および加工方法は、図13(a)(b)に示される加工順番および加工方法を選択できる。
第2加工手順を経た後の後段積層工程は、切断された第1積層基板11および第2積層基板12の一方を切断されていない第1積層基板11および第2積層基板12の他方に積層する。一例では、図17に示されるように、後段積層工程において、第2切断工程によって所定サイズに切断された複数の第2積層基板12が所定サイズに切断される前の第1積層基板11に貼り合せられている。
第2加工手順を経た後の後段積層工程は、後段加工工程を含む。後段加工工程は、切断されていない第1積層基板11および第2積層基板12の他方を所定サイズに切断する工程である。一例では、図18に示されるように、第2切断工程において、第2積層基板12が所定サイズに切断されている。第2積層基板12の加工順番および加工方法は、図13(b)に示される加工順番および加工方法を選択できる。これにより、所定サイズの多層積層基板10である単位積層基板20が製造される。
剥離工程では、レーザリフトオフ装置(図示略)を用いる。本実施形態では、レーザリフトオフ装置のレーザとしてUVレーザが用いられる。図19(a)に示されるように、第1ガラス層11A側から第1樹脂層11Bにレーザを照射することによって第1樹脂層11Bと第1ガラス層11Aとを剥離する。第1樹脂層11Bと第1ガラス層11Aとを剥離する場合、レーザは、第1ガラス層11Aの第2平面14Bに直交するように照射される。次に、図19(b)に示されるように、第2ガラス層12A側から第2樹脂層12Bにレーザを照射することによって第2樹脂層12Bと第2ガラス層12Aとを剥離する。第2樹脂層12Bと第2ガラス層12Aとを剥離する場合、レーザは、第2ガラス層12Aの第2平面15Bに直交するように照射される。なお、単位積層基板20から第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aを剥離する順番は任意に変更可能である。例えば、第2樹脂層12Bと第2ガラス層12Aとを剥離した後、第1樹脂層11Bと第1ガラス層11Aとを剥離してもよい。
多層積層基板10から第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aが取り除かれた(図19(c)参照)後、すなわち発光デバイスの製造後、第1樹脂層11Bを覆うように第1保護フィルムが取り付けられ、第2樹脂層12Bを覆うように第2保護フィルムが取り付けられることにより、フレキシブル有機ELディスプレイが製造される。
図20は、図5(b)に示されるスクライビングホイール50Bによって第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aをスクライブした場合の所定サイズの多層積層基板10である単位積層基板20を示す。図20に示される単位積層基板20の断面において、単位積層基板20の厚さ方向Tと直交する方向を幅方向Wと規定する。単位積層基板20の断面において、単位積層基板20の幅方向Wの中心に向かう側を内側とし、幅方向Wの端部に向かう方向を外側とする。
図20に示されるように、第1切断工程では、単位積層基板20の第1ガラス層11Aの切断面23Aが第1樹脂層11Bの切断面23Bに対して外側に位置するように第1ガラス層11Aを切断する。第2切断工程では、単位積層基板20の第2ガラス層12Aの切断面24Aが第2樹脂層12Bの切断面24Bに対して外側に位置するように第2ガラス層12Aを切断する。より詳細には、第1切断工程において第1ガラス層11Aの第2平面14Bから第1平面14Aに向かうにつれて第1ガラス層11Aの幅WD1が狭くなる切断面23Aが形成されるように第1ガラス層11Aが切断されている。第2切断工程において第2ガラス層12Aの第2平面15Bから第1平面15Aに向かうにつれて第2ガラス層12Aの幅WD2が狭くなる切断面24Aが形成されるように第2ガラス層12Aが切断されている。スクライビングホイール50Bによって第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aをスクライブするため、第1切断工程では、スクライブ加工装置40は、図20に示す断面視において第1ガラス層11Aの第2平面14Bから第1平面14Aに向かうにつれて第1ガラス層11Aの幅WD1が狭くなるスクライブライン(クラック)が形成されるように第1ガラス層11Aをスクライブする。次にスクライブした第1ガラス層11Aをブレイクする。第2切断工程では、スクライブ加工装置40は、図20に示す断面視において第2ガラス層12Aの第2平面15Bから第1平面15Aに向かうにつれて第2ガラス層12Aの幅WD2が狭くなるスクライブライン(クラック)が形成されるように第2ガラス層12Aをスクライブする。次にスクライブした第2ガラス層12Aをブレイクする。なお、スクライビングホイール50Bに代えて、レーザ加工装置30によって図20に示される第1ガラス層11Aの切断面23Aおよび第2ガラス層12Aの切断面24Aを形成してもよい。
図20に示される単位積層基板20では、第1樹脂層11Bの幅方向Wの端縁まで第1ガラス層11Aの第2平面14Bが形成され、第2樹脂層12Bの幅方向Wの端縁まで第2ガラス層12Aの第2平面15Bが形成されている。すなわち、厚さ方向Tにおいて、第1樹脂層11Bの幅方向Wの端縁と第1ガラス層11Aの切断面23Aとが重ならず、第2樹脂層12Bの幅方向Wの端縁と第2ガラス層12Aの切断面24Aとが重なっていない。このため、第1樹脂層11Bの幅方向Wの端縁および第2樹脂層12Bの幅方向Wの端縁に対してレーザリフトオフ装置のレーザを照射する場合、レーザが第1ガラス層11Aの切断面23Aおよび第2ガラス層12Aの切断面24Aを通過しない。
本実施形態の作用について説明する。
前段加工工程の第1加工手順では、第1積層基板11および第2積層基板12をそれぞれ所定サイズに切断して第1単位積層基板21および第2単位積層基板22を製造した後、第1単位積層基板21と第2単位積層基板22とを貼り合せることにより多層積層基板10である単位積層基板20を製造する。例えばレーザ加工装置30,30Aによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを切断する場合、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bが露出しているため、レーザによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを加工する場合に発生するガスが第1積層基板11および第2積層基板12の外部に排出される。
前段加工工程の第1加工手順では、第1積層基板11および第2積層基板12をそれぞれ所定サイズに切断して第1単位積層基板21および第2単位積層基板22を製造した後、第1単位積層基板21と第2単位積層基板22とを貼り合せることにより多層積層基板10である単位積層基板20を製造する。例えばレーザ加工装置30,30Aによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを切断する場合、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bが露出しているため、レーザによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを加工する場合に発生するガスが第1積層基板11および第2積層基板12の外部に排出される。
前段加工工程の第2加工手順では、第1積層基板11と第2積層基板12とを貼り合せる前に第1積層基板11および第2積層基板12の一方を所定サイズに切断する。例えばレーザ加工装置30,30Aによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの一方を切断する場合、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの一方が露出しているため、レーザによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの一方を加工する場合に発生するガスが第1積層基板11および第2積層基板12の一方の外部に排出される。第1積層基板11および第2積層基板12の一方が第1積層基板11および第2積層基板12の他方に貼り合せられた状態では、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの一部が露出する。このため、レーザ加工装置30,30Aによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの他方を切断する場合、レーザによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの他方を加工する場合に発生するガスが第1積層基板11および第2積層基板12の外部に排出される。
本実施形態の効果について説明する。
(1)フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、および、第2ガラス層12Aの少なくとも1つの切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。このため、後段加工工程において多層積層基板10に必要な切断に関する工程が削除される。第1積層基板11および第2積層基板12よりも構造が複雑な多層積層基板10に対する加工が少ないため、作業の煩雑さが緩和される。
(1)フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、および、第2ガラス層12Aの少なくとも1つの切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む。このため、後段加工工程において多層積層基板10に必要な切断に関する工程が削除される。第1積層基板11および第2積層基板12よりも構造が複雑な多層積層基板10に対する加工が少ないため、作業の煩雑さが緩和される。
(2)前段加工工程において第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aの少なくとも一方を切断することによって、例えば多層積層基板10の第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの少なくとも一方をレーザで切断する場合に発生するガスが第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aのうちの切断されたガラス層から排出される。樹脂層とガラス層との間にガスが滞留することが抑制されるため、ガスが第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの少なくとも一方の品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
(3)前段加工工程において第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの少なくとも一方を切断することによって、後段工程において第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aに挟まれた第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの少なくとも一方を切断する必要がなく、作業の煩雑さが緩和される。
(4)前段加工工程において第1積層基板11および第2積層基板12の一方を切断する場合、後段積層工程は、切断された第1積層基板11および第2積層基板12の一方を切断されていない第1積層基板11および第2積層基板12の他方に積層する。前段工程において第1積層基板11および第2積層基板12の一方が切断されるため、後段工程において多層積層基板10に必要な切断に関する工程が削除され、作業の煩雑さが緩和される。切断されていない第1積層基板11および第2積層基板12の他方に切断された第1積層基板11および第2積層基板12の一方が積層されるため、第1単位積層基板21および第2単位積層基板22を積層する場合に比較して、後段積層工程における第1単位積層基板21および第2単位積層基板22の位置管理に要求される精度が緩和される。加えて、次工程を実施するために多層積層基板10を搬送する場合、第1単位積層基板21および第2単位積層基板22に分離されていない状態で搬送できるため、多層積層基板10を容易に搬送できる。
(5)前段加工工程では、後段工程において第1積層基板11および第2積層基板12をブレイクするための予備加工を第1積層基板11および第2積層基板12の少なくとも一方に施す。この製造方法では、前段工程において予備加工が施されることによって、後段工程において多層積層基板10に必要な切断に関する工程が削減され、作業の複雑さが緩和される。
(6)前段加工工程において第1積層基板11および第2積層基板12の両方を切断することによって、後段工程において多層積層基板10に切断に関する工程を施す必要がなくなり、作業の煩雑さが緩和される。
(7)前段積層工程において第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第2ガラス層12Aの切断予定部17Aの少なくとも一方が樹脂で被覆されないように第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを形成する。この製造方法では、後段工程において第1樹脂層11Bの切断予定部16Bおよび第2樹脂層12Bの切断予定部17Bの少なくとも一方を切断する必要がない。第1積層基板11および第2積層基板12よりも複雑な構成を有する多層積層基板10に対して必要な加工が少なくなり、作業の煩雑さが緩和される。
(8)前段積層工程において第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aに溝18,19を形成し、溝18が露出するように第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成し、溝19が露出するように第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成する。例えば第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aに第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの元になるワニスが塗布される場合、溝18,19が形成される部分には塗布装置のワニスが接触せず、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第2ガラス層12Aの切断予定部17Aを除いた部分にワニスが塗布される。切断予定部16A,17Aに対応する第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを除去する作業が不要となり、作業の煩雑さが緩和される。なお、第1ガラス層11Aに溝18が形成され、第2ガラス層12Aに溝19が形成されない場合では、切断予定部16Aに対応する第1樹脂層11Bを除去する作業が不要となり、多層積層基板10の加工作業の煩雑さが緩和される。第2ガラス層12Aに溝19が形成され、第1ガラス層11Aに溝18が形成されない場合では、切断予定部17Aに対応する第2樹脂層12Bを除去する作業が不要となり、多層積層基板10の加工作業の煩雑さが緩和される。
(9)前段積層工程において第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成し、第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成し、第1樹脂層11Bの切断予定部16Bおよび第2樹脂層12Bの切断予定部17Bの少なくとも一方を除去する。この製造方法では、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第2ガラス層12Aの切断予定部17Aの少なくとも一方が樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。
(10)前段積層工程において第1ガラス層11Aの切断予定部16AにマスクMS1を形成し、第1ガラス層11Aに第1樹脂層11Bを形成し、マスクMS1を除去する。第2ガラス層12Aの切断予定部17AにマスクMS2を形成し、第2ガラス層12Aに第2樹脂層12Bを形成し、マスクMS2を除去する。この製造方法では、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第2ガラス層12Aの切断予定部17Aが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。なお、第1ガラス層11Aの切断予定部16AにマスクMS1が形成され、第2ガラス層12Aの切断予定部17AにマスクMS2が形成されない場合では、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。第2ガラス層12Aの切断予定部17AにマスクMS2が形成され、第1ガラス層11Aの切断予定部16AにマスクMS1が形成されない場合では、第2ガラス層12Aの切断予定部17Aが樹脂で被覆されていない状態を正確に形成できる。
(11)前段加工工程は、第1積層基板11から所定サイズの第1単位積層基板21を切り出す第1切断工程と、第2積層基板12から所定サイズの第2単位積層基板22を切り出す第2切断工程とを含む。図20に示されるように、第1切断工程では、第1単位積層基板21の第1ガラス層11Aの切断面23Aが第1樹脂層11Bの切断面23Bに対して外側に位置するように第1ガラス層11Aを切断する。第2切断工程では、第2単位積層基板22の第2ガラス層12Aの切断面24Aが第2樹脂層12Bの切断面24Bに対して外側に位置するように第2ガラス層12Aを切断する。この製造方法では、ガラス層と樹脂層とを剥離するためのレーザが第1ガラス層11Aの切断面23Aおよび第2ガラス層12Aの切断面24Aの影響を受けることなく第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bに照射される。第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bに適切にレーザが照射されるため、第1ガラス層11Aから剥離される第1樹脂層11Bの品質および第2ガラス層12Aから剥離される第2樹脂層12Bの品質が低下しにくい。
(12)図20に示されるように、第1切断工程では、第2平面14Bから第1平面14Aに向かうにつれて第1ガラス層11Aの幅WD1が狭くなる切断面23Aが形成されるように第1ガラス層11Aを切断する。第2切断工程では、第2平面15Bから第1平面15Aに向かうにつれて第2ガラス層12Aの幅WD2が狭くなる切断面24Aが形成されるように第2ガラス層12Aを切断する。この製造方法では、傾斜した切断面23A,24Aの形成を意図して第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aを切断するため、製造誤差の影響を考慮しても意図した方向とは異なる方向に傾斜した切断面が形成されにくい。
(13)図20に示されるように、第1切断工程では、第2平面14Bから第1平面14Aに向かうにつれて第1ガラス層11Aの幅WD1が狭くなるスクライブライン(クラック)が形成されるように第1ガラス層11Aをスクライブし、スクライブされた第1ガラス層11Aをブレイクする。第2切断工程では、第2平面15Bから第1平面15Aに向かうにつれて第2ガラス層12Aの幅WD2が狭くなるスクライブライン(クラック)が形成されるように第2ガラス層12Aをスクライブし、スクライブされた第2ガラス層12Aをブレイクする。この製造方法では、第1樹脂層11Bの切断面23Bに対して外側に位置する第1ガラス層11Aの切断面23Aを効率的に形成でき、第2樹脂層12Bの切断面24Bに対して外側に位置する第2ガラス層12Aの切断面24Aを効率的に形成できる。
(14)第1切断工程および第2切断工程では、図5(b)に示される回転中心面RCに対して非対称な形状の刃先部52を有するスクライビングホイール50Bを用いて第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aをスクライブする。この製造方法では、第2平面14Bに対して傾斜する第1ガラス層11Aの切断面23Aの形状、および第2平面15Bに対して傾斜する第2ガラス層12Aの切断面24Aの形状が刃先部52の形状により規定され、第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aを容易に切断できる。
(15)レーザリフトオフによって第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとを剥離し、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとを剥離する剥離工程をさらに含む。この製造方法では、第1ガラス層11Aと第1樹脂層11Bとを効率的に剥離でき、第2ガラス層12Aと第2樹脂層12Bとを効率的に剥離できる。
(16)前段加工工程の予備加工において第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施し、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施す。この製造方法では、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのそれぞれに適した予備加工を選択でき、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのそれぞれに適した予備加工を選択できる。第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bが適切に予備加工され、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bが適切に予備加工され、切断時の品質が向上する。
(17)前段加工工程の予備加工において第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aをスクライビングホイール50によりスクライブし、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bをレーザによりスクライブする。この製造方法では、既存の装置を用いて第1ガラス層11A、第2ガラス層12A、第1樹脂層11B、および、第2樹脂層12Bをそれぞれスクライブできる。
(18)予備加工が後段積層工程よりも前の前段工程に含まれることによって、第1積層基板11および第2積層基板12が積層されていない状態で予備加工される。このため、例えば多層積層基板10の第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bをレーザで予備加工する場合とは異なり、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの予備加工にレーザを用いても、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bにレーザを照射することにともない発生するガスが多層積層基板10内に滞留することが抑制される。このため、ガスの影響により第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの品質が低下するおそれが低減される。
(変形例)
上記実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、実施形態の形態と共通する部分については、実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
上記実施形態は本開示に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法は実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、または、実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変形例において、実施形態の形態と共通する部分については、実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
・上記実施形態において、第1積層基板11に導電層13が形成されることに代えて、または第1積層基板11に導電層13が形成されることに加えて、第2積層基板12に導電層13が形成されてもよい。
・上記実施形態において、前段積層工程の第2の例〜第4の例のいずれかによって第1積層基板11および第2積層基板12が製造された場合、前段加工工程における第1切断工程および第2切断工程を省略してもよい。この場合、後段積層工程において所定サイズに切断されていない第1積層基板11と所定サイズに切断されていない第2積層基板12とを積層して多層積層基板10を製造する。図21は、前段積層工程の第3の例または第4の例によって製造された第1積層基板11および第2積層基板12を後段積層工程において積層した多層積層基板10の一例である。この場合、後段工程は、後段積層工程と剥離工程との間に実施される後段加工工程を有する。後段加工工程では、第1ガラス層11Aの切断予定部16Aおよび第2ガラス層12Aの切断予定部17Aを切断することによって単位積層基板20が製造される。
・上記実施形態の予備加工工程において、第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、および、第2ガラス層12Aに対して施す予備加工の種類は任意に変更可能である。一例では、第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施してもよいし、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bのそれぞれに対して異なる手段で予備加工を施してもよい。第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよいし、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよい。第1ガラス層11A、第1樹脂層11B、第2樹脂層12B、および、第2ガラス層12Aのそれぞれに対して同じ手段の予備加工を施してもよい。
・上記実施形態の予備加工工程において、第1ガラス層11Aおよび第1樹脂層11Bのいずれかに予備加工を施してもよいし、第2ガラス層12Aおよび第2樹脂層12Bのいずれかに予備加工を施してもよい。第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aの少なくとも一方に予備加工を施し、第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bに予備加工を施さない場合、後段工程において次のように第1ガラス層11Aおよび第2ガラス層12Aをブレイクしてもよい。すなわち、前段加工工程の第1切断工程および第2切断工程が省略され、後段積層工程において所定サイズに切断されていない第1積層基板11と所定サイズに切断されていない第2積層基板12とを積層して多層積層基板10を製造する。そして後段加工工程において例えば多層積層基板10の第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの少なくとも一方をレーザで切断する。この場合、レーザによる第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの加工時に発生するガスによってスクライブラインが形成されたガラス層がブレイクされる。ガスは、ブレイクされたガラス層の切断部分から多層積層基板10の外部に排出される。このため、ガスが第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの品質に影響を及ぼすおそれが低くなる。
・上記実施形態の後段積層工程において第1積層基板11および第2積層基板12がそれぞれ所定サイズに切断されていない場合、前段加工工程におけるレーザによる第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの切断を次のように実施してもよい。レーザによって第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bを連続して切断する場合、第1ガラス層11A側からレーザを照射して第1樹脂層11Bおよび第2樹脂層12Bの順に切断してもよいし、第2ガラス層12A側からレーザを照射して第2樹脂層12Bおよび第1樹脂層11Bの順に切断してもよい。
10 :多層積層基板
11 :第1積層基板
11A:第1ガラス層
11B:第1樹脂層
12 :第2積層基板
12A:第2ガラス層
12B:第2樹脂層
11 :第1積層基板
11A:第1ガラス層
11B:第1樹脂層
12 :第2積層基板
12A:第2ガラス層
12B:第2樹脂層
Claims (7)
- ガラス層と樹脂層とが積層された複数の積層基板を備え、前記複数の積層基板は第1ガラス層と第1樹脂層とが積層された第1積層基板、および、第2ガラス層と第2樹脂層とが積層された第2積層基板を含み、前記第1樹脂層と前記第2樹脂層とが対向するように積層された多層積層基板の製造に関するフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記複数の積層基板を積層する工程よりも前の工程である前段工程を含み、
前記前段工程は、前記複数の積層基板の少なくとも一方について、前記ガラス層および前記樹脂層の少なくとも一方の切断に関連する加工を施す前段加工工程を含む
フレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記前段加工工程では、前記ガラス層を切断する
請求項1に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記前段加工工程では、前記樹脂層を切断する
請求項1または2に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程をさらに含み、
前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の一方を切断し、
前記後段工程は、切断された前記複数の積層基板の一方を切断されていない前記複数の積層基板の他方に積層する後段積層工程を含む
請求項1〜3のいずれか一項に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記前段加工工程では、前記複数の積層基板を積層する工程以後の工程である後段工程において前記積層基板をブレイクするための予備加工を、前記複数の積層基板の少なくとも一方に施す
請求項1に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記予備加工では、前記ガラス層にスクライブラインを形成する
請求項5に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。 - 前記前段加工工程では、前記複数の積層基板の両方を切断する
請求項1に記載のフレキシブル有機ELディスプレイの製造方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003241677A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 封止用基板の取り付け方法及びその取り付け装置、表示装置の製造方法及びその製造装置、表示装置並びに電子機器 |
JP2006032057A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
JP2008053087A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2014235294A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
JP2015195106A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US20180139853A1 (en) * | 2016-11-16 | 2018-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing an electric device based on glass substrate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090030704A (ko) * | 2007-09-20 | 2009-03-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 셀의 절단 방법 및 이에 의한유기 전계 발광 표시 장치 |
WO2011030716A1 (ja) | 2009-09-08 | 2011-03-17 | 旭硝子株式会社 | ガラス/樹脂積層体、及びそれを用いた電子デバイス |
-
2018
- 2018-10-30 JP JP2018204448A patent/JP2020071965A/ja active Pending
-
2019
- 2019-06-18 KR KR1020190072002A patent/KR102307679B1/ko active IP Right Grant
- 2019-09-04 TW TW108131860A patent/TW202019000A/zh unknown
- 2019-10-18 CN CN201910994598.3A patent/CN111129357A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003241677A (ja) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 封止用基板の取り付け方法及びその取り付け装置、表示装置の製造方法及びその製造装置、表示装置並びに電子機器 |
JP2006032057A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
JP2008053087A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
JP2014235294A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
JP2015195106A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US20180139853A1 (en) * | 2016-11-16 | 2018-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing an electric device based on glass substrate |
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