JP2020067072A - 触媒装置および排気浄化システム - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置のHC浄化性能をより好適に向上させることを目的とする。【解決手段】内燃機関の排気通路においてマイクロ波が照射される触媒装置の触媒層において、マイクロ波吸収体が所定部分に分布している。そして、触媒層における所定部分においては、二種類の触媒物質のうちHC浄化性能が高い方の触媒物質である第1触媒物質の含有割合が、該触媒層における該所定部分以外の部分における該第1触媒物質の含有割合よりも高い。【選択図】図3
Description
本発明は、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置、および、内燃機関の排気浄化システムに関する。
特許文献1には、小容量の触媒と、該小容量の触媒より下流側に配置された大容量の触媒とを有する触媒コンバータに関する技術が開示されている。この特許文献1に記載の技術では、小容量の触媒が、貴金属からなる触媒物質およびマイクロ波吸収体を含む触媒コーティング材を、セラミック製の基材にコーティングすることで形成されている。そして、触媒コンバータに設けられたマイクロ波発振器によって小容量の触媒に対してマイクロ波が照射される。
上記のように、触媒物質の他にマイクロ波吸収体を含んで構成される触媒装置が知られている。マイクロ波吸収体を含んで構成される触媒装置に対してマイクロ波が照射されると、該マイクロ波吸収体が該マイクロ波を吸収することで発熱する。これにより、触媒装置の温度上昇が促進されるため、該触媒装置に含まれる触媒物質の早期活性化を図ることができる。そして、内燃機関においては、排気通路に設けられた触媒装置における触媒物質を早期に活性化させることで、排気エミッションを向上させることができる。ただし、触媒装置のHC(炭化水素)浄化性能に関してはさらなる向上が求められている。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであって、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置のHC浄化性能をより好適に向上させることを目的とする。
本発明の第1の態様に係る触媒装置は、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置であって、前記排気通路においてマイクロ波が照射される触媒装置であり、HC浄化性能が異なる少なくとも二種類の触媒物質と、マイクロ波を吸収することで発熱するマイクロ波吸収体と、を含んで構成される触媒層を有し、前記マイクロ波吸収体が、前記触媒層における所定部分に分布しており、且つ、前記触媒層における前記所定部分においては、前記二種類の触媒物質のうちHC浄化性能が高い方の触媒物質である第1触媒物質の含有割合が、前記触媒層における前記所定部分以外の部分における該第1触媒物質の含有割合よりも高い。
本発明に係る触媒装置は、内燃機関の排気通路に排気浄化装置として設けられる装置である。触媒装置は触媒層を有している。触媒層は、HC浄化性能が異なる少なくとも二種類の触媒物質を含んで構成される。触媒物質はいずれも貴金属である。内燃機関の排気通路に設けられた触媒装置においては、触媒層に含まれる触媒物質が活性化すると、該触媒物質によって排気が浄化される。ここで、二種類の触媒物質は、一方が他方よりもHC浄化性能が高く、且つ、他方が一方よりもNOx浄化性能が高い物質であってもよい。
また、触媒層は、触媒物質の他にマイクロ波吸収体を含んで構成される。マイクロ波吸
収体は、触媒層に含まれる触媒物質よりもマイクロ波の吸収性能が高い物質である。内燃機関の排気通路に設けられた触媒装置にはマイクロ波が照射される。マイクロ波吸収体は、触媒装置に照射されたマイクロ波を吸収することで発熱する性質を有する。そして、本発明では、マイクロ波吸収体が、触媒装置の触媒層における所定部分に分布している。つまり、マイクロ波吸収体は、触媒装置の触媒層において一様に分布しているのではなく、部分的に分布している。
収体は、触媒層に含まれる触媒物質よりもマイクロ波の吸収性能が高い物質である。内燃機関の排気通路に設けられた触媒装置にはマイクロ波が照射される。マイクロ波吸収体は、触媒装置に照射されたマイクロ波を吸収することで発熱する性質を有する。そして、本発明では、マイクロ波吸収体が、触媒装置の触媒層における所定部分に分布している。つまり、マイクロ波吸収体は、触媒装置の触媒層において一様に分布しているのではなく、部分的に分布している。
また、触媒装置の触媒層においては、HC浄化性能が異なる少なくとも二種類の触媒物質も一様には分布していない。ここで、二種類の触媒物質のうちHC浄化性能が高い方の触媒物質を第1触媒物質とする。そして、触媒層では、マイクロ波吸収体が分布している所定部分における第1触媒物質の含有割合が、該所定部分以外の部分(マイクロ波吸収体が分布していない部分)における第1触媒物質の含有割合よりも高くなっている。ここで、第1触媒物質の含有割合とは、触媒層のある部分における全ての触媒物質の量に対する第1触媒物質の量の割合である。
上記のような触媒装置が排気通路に設けられた場合、該触媒装置にマイクロ波が照射されると、触媒層においてマイクロ波吸収体が分布している所定部分の温度上昇が該所定部分以外の部分よりも促進される。そのため、触媒層において、所定部分に該所定部分以外の部分よりも高い割合で分布している第1触媒物質をより早期に活性化させることできる。つまり、本発明によれば、触媒装置の触媒層において同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合に比べて、マイクロ波が照射された際に、該第1触媒物質の活性化をより促進させることができる。そのため、触媒装置のHC浄化性能を向上させることができる。
また、触媒層において、マイクロ波吸収体を所定部分にのみ分布させることで、より多くの量のマイクロ波吸収体を触媒層において一様に分布させた場合に比べて、第1触媒物質を早期に活性化させるために必要となるマイクロ波の照射量を低減することが可能となる。したがって、触媒装置へのマイクロ波照射のために必要となる電力量を低減することができる。
また、本発明において、触媒層における所定部分は、触媒装置が排気通路に設けられた場合に排気の流れに沿って上流側に位置する部分(以下、「上流部分」と称する場合もある。)であってもよい。触媒装置が排気通路に設けられた場合、触媒層の上流部分は、排気の流れに沿って下流側に位置する部分(以下、「下流部分」と称する場合もある。)に比べて排気によって加熱され易い。したがって、触媒層における、第1触媒物質の含有割合が相対的に高い所定部分を、上流部分に形成することで、該所定部分に含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。そのため、第1触媒物質の更なる早期活性化を図ることができる。
また、触媒層の上流部分の温度が上昇すると、該上流部分で発生した熱が排気の流れによってその下流部分に伝わり易い。そのため、触媒層の上流部分の温度上昇を促進させることで、該触媒層全体の温度上昇も促進することができる。したがって、マイクロ波吸収体を含む所定部分を上流部分に形成することで、触媒層の上流部分(所定部分)に分布している第1触媒物質のみならず、該触媒層の下流部分に分布している第1触媒物質の早期活性化を図ることもできる。
また、本発明において、触媒装置は、隔壁によって区画される複数のセルを有していてもよい。この場合、複数のセルは、触媒装置において排気の流れに沿って上流側から下流側に延びるように形成される。そして、触媒層は、複数のセルを区画する隔壁上に形成されてもよい。このような構造では、触媒装置が排気通路に設けられると、複数のセルの内部を排気が流れる。このとき、触媒層における所定部分は、セル内を流れる排気に直接晒
される場所に位置する部分(以下、「排気接触部分」と称する場合もある。)であってもよい。ここで、触媒層の温度よりも排気の温度が高い場合は、該触媒層において、排気接触部分は、該排気に直接は晒されない場所に位置する部分(以下、「排気非接触部分」と称する場合もある。)に比べて該排気の熱によって加熱され易い。したがって、触媒層において、所定部分を排気接触部分に形成することによっても、該所定部分に含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。そのため、第1触媒物質の更なる早期活性化を図ることができる。
される場所に位置する部分(以下、「排気接触部分」と称する場合もある。)であってもよい。ここで、触媒層の温度よりも排気の温度が高い場合は、該触媒層において、排気接触部分は、該排気に直接は晒されない場所に位置する部分(以下、「排気非接触部分」と称する場合もある。)に比べて該排気の熱によって加熱され易い。したがって、触媒層において、所定部分を排気接触部分に形成することによっても、該所定部分に含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。そのため、第1触媒物質の更なる早期活性化を図ることができる。
一方で、触媒層における所定部分は排気非接触部分であってもよい。ここで、触媒層の温度よりも排気の温度が低い場合は、排気によって該触媒層から熱が持ち去られる。ただし、このようなときであっても、触媒層において、排気非接触部分からは、排気接触部分に比べて排気によって熱が持ち去られ難い。したがって、触媒層において、所定部分を排気非接触部分に形成することによって、該所定部分において一旦活性化した第1触媒物質の温度が、排気による熱の持ち去りによって低下してしまうことを抑制することができる。
本発明の第2の態様に係る内燃機関の排気浄化システムは、第1の態様に係る触媒装置であって、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置と、前記排気通路において前記触媒装置にマイクロ波を照射する照射装置と、を備える。
このような排気浄化システムによれば、触媒装置のHC浄化性能を向上させることができるとともに、照射装置から触媒装置へのマイクロ波照射のために必要となる電力量を低減することができる。
本発明によれば、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置のHC浄化性能をより好適に向上させることができる。
以下、本発明の具体的な実施形態について図面に基づいて説明する。本実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置等は、特に記載がない限りは発明の技術的範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
(排気系の概略構成)
図1は、本実施形態に係る内燃機関の排気系の概略構成を示す図である。内燃機関1は車両駆動用のガソリンエンジンである。内燃機関1には排気通路2が接続されている。排気通路2には触媒装置4が設けられている。この触媒装置4は、排気中のHC(炭化水素)、CO(一酸化炭素)、およびNOx(窒素酸化物)を浄化するための三元触媒である。なお、触媒装置4の構成については後述する。また、排気通路2における触媒装置4の下流側には温度センサ6が設けられている。温度センサ6は、触媒装置4から流出する排気の温度を検出するためのセンサである。
図1は、本実施形態に係る内燃機関の排気系の概略構成を示す図である。内燃機関1は車両駆動用のガソリンエンジンである。内燃機関1には排気通路2が接続されている。排気通路2には触媒装置4が設けられている。この触媒装置4は、排気中のHC(炭化水素)、CO(一酸化炭素)、およびNOx(窒素酸化物)を浄化するための三元触媒である。なお、触媒装置4の構成については後述する。また、排気通路2における触媒装置4の下流側には温度センサ6が設けられている。温度センサ6は、触媒装置4から流出する排気の温度を検出するためのセンサである。
また、排気通路2における触媒装置4よりも上流側には照射装置5が設けられている。照射装置5は、触媒装置4に対してマイクロ波を照射する装置である。照射装置5は、マイクロ波発振器およびマイクロ波放射器を備えている。マイクロ波発振器としては、例えば半導体発振器を用いることができる。そして、照射装置5は、マイクロ波発振器で発生させたマイクロ波を、マイクロ波放射器から触媒装置4に向けて放射させる。なお、本実施形態においては、触媒装置4が本発明に係る「触媒装置」に相当し、照射装置5が本発明に係る「照射装置」に相当する。
また、内燃機関1には電子制御ユニット(ECU)10が併設されている。ECU10には、内燃機関1の吸気通路に設けられたスロットル弁、内燃機関1の燃料噴射弁等の各種装置が電気的に接続されている。そして、ECU10によって、これらの装置が制御される。
また、ECU10には温度センサ6が電気的に接続されている。さらに、ECU10にはクランクポジションセンサ11及びアクセル開度センサ12が電気的に接続されている。そして、各センサの検出値がECU10に入力される。ECU10は、温度センサ6の検出値に基づいて触媒装置4の温度を推定する。また、ECU10は、クランクポジションセンサ11の検出値に基づいて内燃機関1の機関回転速度を導出する。また、ECU10は、アクセル開度センサ12の検出値に基づいて内燃機関1の機関負荷を導出する。
さらに、ECU10には照射装置5が電気的に接続されている。ECU10は、照射装置5を制御することでマイクロ波照射処理を実行する。マイクロ波照射処理は、触媒装置4に対して所定周波数のマイクロ波を照射する処理である。マイクロ波照射処理は、例えば、内燃機関1の冷間始動時のように触媒装置4の昇温要求があった場合に実行される。この場合、マイクロ波照射処理における所定周波数は、触媒装置4の昇温に適した周波数として実験等に基づいて定められている。
(触媒装置)
ここで、本実施形態に係る触媒装置の概略構成について図2および図3に基づいて説明する。図2は、触媒装置4における、排気の流れ方向に対して垂直な方向の断面の一部を拡大した図である。図3は、触媒装置4における、排気の流れ方向に沿った方向の断面の一部を拡大した図である。
ここで、本実施形態に係る触媒装置の概略構成について図2および図3に基づいて説明する。図2は、触媒装置4における、排気の流れ方向に対して垂直な方向の断面の一部を拡大した図である。図3は、触媒装置4における、排気の流れ方向に沿った方向の断面の一部を拡大した図である。
触媒装置4は、排気の流れ方向に延びる複数のセル42を有するウォールフロー型の三元触媒である。触媒装置4において、各セル42は隔壁41によって区画されている。図2に示すように、触媒装置4では、基材における隔壁41上(すなわち、セル42の壁面上)に、貴金属からなる触媒物質を含んだコーティング材によって触媒層43が形成されている。この触媒層43は、少なくとも第1触媒物質および第2触媒物質の二種類の触媒物質を含んで構成されている。ここで、第1触媒物質は、HC浄化性能およびCO浄化性能が第2触媒物質よりも高い物質である。また、第2触媒物質は、NOx浄化性能が第1触媒物質よりも高い物質である。なお、第1触媒物質としてはPd(パラジウム)を例示することができ、第2触媒物質としてはRh(ロジウム)を例示することができる。そし
て、触媒装置4では、触媒層43に含まれる各触媒物質によって、排気中のHC、CO、およびNOxが浄化される。
て、触媒装置4では、触媒層43に含まれる各触媒物質によって、排気中のHC、CO、およびNOxが浄化される。
さらに、触媒層43には、上記の触媒物質の他にマイクロ波吸収体が含まれている。マイクロ波吸収体は、触媒層43に含まれる各触媒物質よりもマイクロ波の吸収性能が高い物質である。また、マイクロ波吸収体は、照射装置5から触媒装置4に対して照射された所定周波数のマイクロ波を吸収することで発熱する性質を有する。なお、マイクロ波吸収体としてはSiC(炭化ケイ素)を例示することができる。
ただし、触媒装置4の触媒層43においては、上記二種類の触媒物質およびマイクロ波吸収体が一様に分布しているわけではない。詳細には、触媒装置4の触媒層43は、図3に示すように、含まれる物質の割合が互いに異なる第1触媒層43aおよび第2触媒層43bを有している。図3は、触媒装置4の隔壁41上に形成された触媒層43における、第1触媒層43aおよび第2触媒層43bの分布を示している。なお、図3において、白抜き矢印は、セル42内を流れる排気の流れ方向を表している。
上述したように、触媒装置4においては、排気の流れに沿って延びるセル42を区画する隔壁41上に触媒層43が形成されている。そして、この触媒層43における所定部分に第1触媒層43aが分布している。具体的には、図3に示すように、触媒層43において、排気の流れに沿って上流側に位置する上流部分であり、且つ、セル42内を流れる排気に直接晒される場所に位置する排気接触部分(すなわち、触媒層43を、隔壁41に対して垂直方向に二分割した場合に該隔壁41とは接触しない方の部分)に、第1触媒層43aが形成されている。また、触媒層43における、所定部分以外の部分(第1触媒層43aが形成されている部分以外の部分)に第2触媒層43bが形成されている。つまり、触媒層43において、第1触媒層43aが形成されている上流側部分における、セル42内を流れる排気に直接晒されない場所に位置する非接触部分(すなわち、触媒層43を、隔壁41に対して垂直方向に二分割した場合に該隔壁41と接触する方の部分)、および、第1触媒層43aが形成されている部分よりも排気の流れに沿って下流側に位置する下流側部分に、第2触媒層43bが形成されている。
そして、触媒層43では、第1触媒層43aにおける第1触媒物質の含有割合が、第2触媒層43bにおける第1触媒物質の含有割合よりも高くなっている。また、触媒層43では、第2触媒層43bにおける第2触媒物質の含有割合が、第1触媒層43aにおける第2触媒物質の含有割合よりも高くなっている。なお、第1触媒層43aには、第1触媒物質および第2触媒物質のうち第1触媒物質のみが含まれており、第2触媒層43bには、第1触媒物質および第2触媒物質のうち第2触媒物質のみが含まれている構成を採用することもできる。さらに、触媒層43では、第1触媒層43aにのみマイクロ波吸収体が含まれている。すなわち、第2触媒層43bにはマイクロ波吸収体は含まれていない。
(本実施形態に係る構成の効果)
上述したように、本実施形態では、触媒層43において、第1触媒層43aにのみマイクロ波吸収体が含まれている。したがって、照射装置5によって触媒装置4に対してマイクロ波が照射されると、第1触媒層43aに含まれるマイクロ波吸収体が発熱することに起因して、第1触媒層43aの温度上昇が第2触媒層43bの温度上昇よりも促進される。そして、上記のとおり、触媒層43においては、第1触媒層43aにおける第1触媒物質の含有割合が第2触媒層43bにおける第1触媒物質の含有割合よりも高くなっている。そのため、第1触媒層43aの温度上昇が促進されると、該第1触媒層43aにおいて第2触媒層43bよりも高い割合で分布している第1触媒物質がより早期に活性化することになる。つまり、本実施形態に係る触媒装置4の構成によれば、触媒装置4の触媒層43において、同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合(すなわち、マイクロ波吸収体
が含まれる第1触媒層43aとマイクロ波吸収体が含まれていない第2触媒層43bとにおける第1触媒物質の含有割合が均一となるように該第1触媒物質を触媒層43に分布させた場合)に比べて、マイクロ波が照射された際に、該第1触媒物質の活性化をより促進させることが可能となる。
上述したように、本実施形態では、触媒層43において、第1触媒層43aにのみマイクロ波吸収体が含まれている。したがって、照射装置5によって触媒装置4に対してマイクロ波が照射されると、第1触媒層43aに含まれるマイクロ波吸収体が発熱することに起因して、第1触媒層43aの温度上昇が第2触媒層43bの温度上昇よりも促進される。そして、上記のとおり、触媒層43においては、第1触媒層43aにおける第1触媒物質の含有割合が第2触媒層43bにおける第1触媒物質の含有割合よりも高くなっている。そのため、第1触媒層43aの温度上昇が促進されると、該第1触媒層43aにおいて第2触媒層43bよりも高い割合で分布している第1触媒物質がより早期に活性化することになる。つまり、本実施形態に係る触媒装置4の構成によれば、触媒装置4の触媒層43において、同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合(すなわち、マイクロ波吸収体
が含まれる第1触媒層43aとマイクロ波吸収体が含まれていない第2触媒層43bとにおける第1触媒物質の含有割合が均一となるように該第1触媒物質を触媒層43に分布させた場合)に比べて、マイクロ波が照射された際に、該第1触媒物質の活性化をより促進させることが可能となる。
ここで、内燃機関1の冷間始動時において、照射装置5から触媒装置4にマイクロ波を照射したときの、該触媒装置4におけるHC浄化率およびNOx浄化率の時間的推移について、図4に基づいて説明する。図4(a)において、実線は、内燃機関1から排出されるHC量(すなわち、触媒装置4に流入するHC量)Qhcの推移を表しており、一点鎖線は、内燃機関1から排出されるNOx量(すなわち、触媒装置4に流入するNOx量)Qnoxの推移を表している。また、図4(b)において、実線は触媒装置4におけるHC浄化率Rphcを表している。なお、図4(b)において、破線は、触媒装置4の触媒層43において同量の第1触媒物質を一様に分布させた構成を採用した場合の該触媒装置4におけるHC浄化率Rphcの推移を表している。また、図4(c)において、実線は触媒装置4におけるNOx浄化率Rpnoxの推移を表している。なお、図4(b)において、破線は、触媒装置4の触媒層43において同量の第1触媒物質を一様に分布させた構成を採用した場合の該触媒装置4におけるNOx浄化率Rpnoxの推移を表している。図4(a)、(b)、(c)において、横軸は時間tを表している。
図4においては、時期t1において、内燃機関1が始動されるとともに照射装置5から触媒装置4へのマイクロ波の照射が開始される。ここで、内燃機関1の冷間始動時においては、図4(a)に示すように、その始動直後に該内燃機関1からのHC排出量が急増する。これは、内燃機関1における始動直後の燃焼温度が低いためである。このとき、本実施形態では、照射装置5から触媒装置4に対してマイクロ波の照射が行われることで、該触媒装置4の第1触媒層43aにおいて第1触媒物質が急速に活性化する。その結果、図4(b)に示すように、内燃機関1からのHC排出量が急増する該内燃機関1の始動直後において、触媒装置4におけるHC浄化率を急上昇させることができる。つまり、触媒装置4の触媒層43において同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合に比べて、該触媒装置4におけるHC浄化率をより早期に且つより速やかに上昇させることができる。このように、本実施形態に係る構成によれば、触媒装置4のHC浄化性能を向上させることができる。
また、触媒層43において、マイクロ波吸収体を第1触媒層43aにのみ分布させることで、より多くの量のマイクロ波吸収体を触媒層において一様に分布させた場合に比べて、第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質を早期に活性化させるために必要となるマイクロ波の照射量を低減することが可能となる。したがって、照射装置5による触媒装置4へのマイクロ波照射のために必要となる電力量を低減することができる。
なお、本実施形態に係る構成では、触媒装置4の触媒層43において同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合に比べて、第1触媒層43aに含まれる第2触媒物質の量が少なくなり、第2触媒層43bに含まれる第2触媒物質の量が多くなる。そのため、照射装置5によってマイクロ波が照射されることで第1触媒層43aに含まれるマイクロ波吸収体が発熱したとしても、その影響を受ける第2触媒物質の量が相対的に少ないため、該第2触媒物質の活性化が促進され難い。したがって、本実施形態に係る構成では、図4(c)に示すように、触媒装置4の触媒層43において同量の第1触媒物質を一様に分布させた場合(すなわち、同等の第2触媒物質を一様に分布させた場合)に比べて、該触媒装置4におけるNOx浄化率の上昇が遅れることになる。ただし、図4(a)に示すように、内燃機関1の冷間始動時においては、その始動直後は該内燃機関1からのNOx排出量は少ない。そして、内燃機関1の始動後における燃焼温度の上昇に伴って、該内燃機関1からのNOx排出量が増加する。したがって、本実施形態に係る構成であっても、内燃機関
1からのNOx排出量が増加する時期においては、触媒装置4のNOx浄化率を上昇させることができる。よって、触媒装置4のHC浄化性能の向上の背反として該触媒装置4より下流側へのNOxの流出量が増加してしまうようなことは発生し難い。また、内燃機関1の始動後において、第2触媒層43bに含まれる第2触媒物質が活性化することで触媒装置4のNOx浄化率がある程度上昇するまでの間は、該内燃機関1の燃焼温度の上昇を抑制するための燃焼制御を実行してもよい。
1からのNOx排出量が増加する時期においては、触媒装置4のNOx浄化率を上昇させることができる。よって、触媒装置4のHC浄化性能の向上の背反として該触媒装置4より下流側へのNOxの流出量が増加してしまうようなことは発生し難い。また、内燃機関1の始動後において、第2触媒層43bに含まれる第2触媒物質が活性化することで触媒装置4のNOx浄化率がある程度上昇するまでの間は、該内燃機関1の燃焼温度の上昇を抑制するための燃焼制御を実行してもよい。
さらに、本実施形態では、上述したように、触媒層43において、上流部分であり且つ排気接触部分である位置に第1触媒層43aが形成されている。ここで、触媒層43の温度よりも排気の温度が高い場合は、該触媒層43の上流部分はその下流部分に比べて排気によって加熱され易く、また、該触媒層43の排気接触部分はその排気非接触部分に比べて排気によって加熱され易い。したがって、触媒層43において、第1触媒物質の含有割合が相対的に高い第1触媒層43aを上記のような位置に形成することで、該第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。そのため、第1触媒物質の更なる早期活性化を図ることができる。
また、触媒層43の上流部分の温度が上昇すると、該上流部分で発生した熱が排気の流れによってその下流部分に伝わり易い。そのため、触媒層43の上流部分の温度上昇を促進させることで、該触媒層43全体の温度上昇も促進することができる。したがって、マイクロ波吸収体を含む第1触媒層43aを上流部分に形成することで、該第1触媒層43aに分布している第1触媒物質のみならず、触媒層43の下流部分に形成されている第2触媒層43bに分布している第1触媒物質の早期活性化を図ることもできる。
(変形例)
触媒装置4の触媒層43における第1触媒層43aおよび第2触媒層43bの分布の仕方は、図3に示すような態様に限られるものではない。図5〜図7は、それぞれ、触媒装置4の触媒層43における第1触媒層43aおよび第2触媒層43bの分布の変形例を示す図である。なお、図5〜図7において、白抜き矢印は、図3と同様、セル42内を流れる排気の流れ方向を表している。
触媒装置4の触媒層43における第1触媒層43aおよび第2触媒層43bの分布の仕方は、図3に示すような態様に限られるものではない。図5〜図7は、それぞれ、触媒装置4の触媒層43における第1触媒層43aおよび第2触媒層43bの分布の変形例を示す図である。なお、図5〜図7において、白抜き矢印は、図3と同様、セル42内を流れる排気の流れ方向を表している。
図5に示す第1の変形例では、触媒層43において、上流部分に第1触媒層43aが形成されている。また、この第1の変形例では、図3と異なり、触媒層43の上流部分が第1触媒層43aと第2触媒層43bとに分割されておらず、該触媒層43における上流部分全体が第1触媒層43aとなっている(すなわち、触媒層43の上流部分における排気接触部分と排気非接触部分との両方が第1触媒層43aとなっている。)。このような構成の場合も、触媒層43の温度よりも排気の温度が高いときは、第1触媒層43aが排気によって加熱され易いため、該第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。したがって、第1触媒層43aに分布している第1触媒物質の更なる早期活性化を図ることができる。また、このような構成の場合も、第1触媒層43aの温度が上昇すると、該第1触媒層43aで発生した熱が排気の流れによって第2触媒層43bに伝わり易い。そのため、マイクロ波吸収体を含む第1触媒層43aに分布している第1触媒物質のみならず、第2触媒層43bに分布している第1触媒物質の早期活性化を図ることもできる。なお、図5に示す第1の変形例の更なる変形例として、第1触媒層43aが形成されている上流側の触媒装置と、第2触媒層43bが形成されている下流側の触媒装置とが別体となった構成を採用することもできる。
また、図6に示す第2変形例では、触媒層43において、排気接触部分に第1触媒層43aが形成されている。この第2の変形例では、図3と異なり、触媒層43の上流部分のみならず、その下流部分も、第1触媒層43aと第2触媒層43bとに分割されており、触媒層43における排気接触部分全体が第1触媒層43aとなっている。このような構成
の場合も、触媒層43の温度よりも排気の温度が高いときは、第1触媒層43aが排気によって加熱され易いため、該第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。
の場合も、触媒層43の温度よりも排気の温度が高いときは、第1触媒層43aが排気によって加熱され易いため、該第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質の温度上昇を更に促進させることができる。
また、図7に示す第3変形例では、触媒層43において、排気接触部分に第2触媒層43bが形成されており、排気非接触部分に第1触媒層43aが形成されている。ここで、触媒層43の温度よりも排気の温度が低い場合は、排気によって該触媒層43から熱が持ち去られる。ただし、このようなときであっても、触媒層43において、排気非接触部分からは、排気接触部分に比べて排気によって熱が持ち去られ難い。したがって、排気非接触部分に第1触媒層43aを形成することで、該第1触媒層43aにおいて一旦活性化した第1触媒物質の温度が、排気による熱の持ち去りによって低下してしまうことを抑制することができる。そのため、第1触媒層43aに含まれる第1触媒物質が活性化した状態が維持され易くなる。
なお、上記の実施形態および各変形例では、触媒層43が第1触媒層43aおよび第2触媒層43bによって構成される場合について説明したが、触媒層43の構成はこれに限られるものではない。例えば、上記の実施形態および各変形例における第2触媒層43bに相当する触媒層が、さらに、含まれる触媒物質の割合が互いに異なる二つの層に分割された構成を採用することもできる。
1・・・内燃機関
2・・・排気通路
4・・・触媒装置
41・・隔壁
42・・セル
43・・触媒層
43a・・第1触媒層
43b・・第2触媒層
5・・・照射装置
10・・ECU
2・・・排気通路
4・・・触媒装置
41・・隔壁
42・・セル
43・・触媒層
43a・・第1触媒層
43b・・第2触媒層
5・・・照射装置
10・・ECU
Claims (5)
- 内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置であって、前記排気通路においてマイクロ波が照射される触媒装置であり、
HC浄化性能が異なる少なくとも二種類の触媒物質と、マイクロ波を吸収することで発熱するマイクロ波吸収体と、を含んで構成される触媒層を有し、
前記マイクロ波吸収体が、前記触媒層における所定部分に分布しており、且つ、
前記触媒層における前記所定部分においては、前記二種類の触媒物質のうちHC浄化性能が高い方の触媒物質である第1触媒物質の含有割合が、前記触媒層における前記所定部分以外の部分における該第1触媒物質の含有割合よりも高い触媒装置。 - 前記触媒層における前記所定部分が、前記触媒装置が前記排気通路に設けられた場合に排気の流れに沿って上流側に位置する部分である請求項1に記載の触媒装置。
- 前記触媒装置が、隔壁によって区画されており、前記触媒装置が前記排気通路に設けられた場合にその内部を排気が流れる複数のセルを有しており、
前記触媒層が前記隔壁上に形成されており、
前記触媒層における前記所定部分が、前記セル内を流れる排気に直接晒される場所に位置する部分である請求項1または2に記載の触媒装置。 - 前記触媒装置が、隔壁によって区画されており、前記触媒装置が前記排気通路に設けられた場合にその内部を排気が流れる複数のセルを有しており、
前記触媒層が前記隔壁上に形成されており、
前記触媒層における前記所定部分が、前記セル内を流れる排気に直接は晒されない場所に位置する部分である請求項1に記載の触媒装置。 - 請求項1から4の何れか一項に記載の触媒装置であって、内燃機関の排気通路に設けられる触媒装置と、
前記排気通路において前記触媒装置にマイクロ波を照射する照射装置と、を備える内燃機関の排気浄化システム。
Priority Applications (4)
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