JP2020064252A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
第1透明基板と、配線部と、前記配線部と電気的に接続された画素電極と、を備えた第1基板と、第2透明基板と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記配線部と対向する遮光層と、前記第2透明基板と前記遮光層との間に設けられた透明層と、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、複数の発光素子と、を備え、前記透明層は、前記第2透明基板より低い屈折率を有している、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、主面及び側面を備えた第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、前記第2透明基板と前記液晶層との間に設けられた遮光層と、前記第2透明基板と前記遮光層との間に設けられ、前記主面に接する透明層と、前記側面に対向する発光素子と、を備え、前記透明層は、開口部を有する絶縁層である、表示装置が提供される。
一例では、ポリマー31の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子32の配向方向は、液晶層LCにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層LCに電圧が印加されていない状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内でほとんど散乱されることなく透過する(透明状態)。液晶層LCに電圧が印加された状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内で散乱される(散乱状態)。
図1において拡大して示すように、各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。表示部DAに設けられる配線部WPは、走査線G、信号線S、及び、スイッチング素子SWを備えている。
走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素電極PEに対して共通に設けられている。液晶層LC(特に、液晶分子32)は、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって駆動される。容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。一例では、走査線G、信号線S、スイッチング素子SW、及び、画素電極PEは、第1基板SUB1に設けられている。共通電極CEは、第2基板SUB2に設けられている。
発光素子LDは、平面視で延出部Exに重畳している。複数の発光素子LDは、第1方向Xに沿って間隔をおいて並んでいる。
第1基板SUB1は、透明基板10と、絶縁膜11及び12と、容量電極13と、スイッチング素子SWと、画素電極PEと、配向膜AL1と、を備えている。透明基板10は、主面(下面)10Aと、主面10Aの反対側の主面(上面)10Bと、を備えている。スイッチング素子SWは、主面10B側に設けられている。配線部WPは、透明基板10と絶縁膜11との間に設けられている。図示した例では、配線部WPのうちのスイッチング素子SWが透明基板10と絶縁膜11との間に設けられているが、図1に示した走査線G及び信号線Sも同様に、透明基板10と絶縁膜11との間に設けられている。容量電極13は、絶縁膜11及び12の間に設けられている。画素電極PEは、絶縁膜12と配向膜AL1との間において、画素PX毎に設けられている。画素電極PEは、容量電極13の開口部OPを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、絶縁膜12を挟んで、容量電極13と重畳し、画素PXの容量CSを形成している。配向膜AL1は、画素電極PEを覆っている。
透明層TLは、透明基板20と遮光層BMとの間に設けられている。図示した例では、透明層TLは、主面20A及び遮光層BMにそれぞれ接している。なお、透明層TLと遮光層BMとの間に、他の部材が介在していてもよい。透明層TLは、第3方向Zにおいて画素電極PEと対向する開口部APを有する絶縁層である。
透明層TLは、例えば、シロキサン系樹脂や、フッ素系樹脂などの透明な有機材料によって形成された絶縁層である。
屈折率に関して、透明層TLの屈折率nTLは、透明基板20の屈折率n20より低い。なお、透明基板10の屈折率n10は、屈折率n20と同等である。例えば、屈折率n10及びn20は1.5程度であり、屈折率nTLは、1.0以上1.41以下である。
発光素子LDは、第2方向Yにおいて、透明基板20の側面20Cに対向している。発光素子LDは、配線基板Fに電気的に接続されている。発光素子LDは、例えば、発光ダイオードであり、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。なお、発光素子LDと、側面20Cとの間に、透明な導光体が配置されてもよい。
発光素子LDは、側面20Cに向けて光L1を出射する。発光素子LDから出射された光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って進行し、側面20Cから透明基板20に入射する。透明基板20に入射した光L1は、繰り返し反射されながら、表示パネルPNLの内部を進行する。このとき、光L1のうち、遮光層BMに向かう光L11は、透明基板20と透明層TLとの界面で反射され、遮光層BMに到達しない。また、光L1のうち、開口部APに向かう光L12は、液晶層LCに入射する。
電圧が印加されていない液晶層LCに入射した光L12は、ほとんど散乱されることなく液晶層LCを透過する。また、電圧が印加された液晶層LCに入射した光L12は、液晶層LCで散乱される。表示装置DSPは、主面10A側から観察可能であるとともに、主面20B側からも観察可能である。また、表示装置DSPは、主面10A側から観察した場合であっても、主面20B側から観察した場合であっても、表示装置DSPを介して、表示装置DSPの背景を観察可能である。
本実施形態によれば、遮光層BMにおける光吸収を抑制することにより、輝度低下を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。
また、遮光層BMが光吸収層である場合、表示装置DSPの外部からの光L2は、遮光層BMで吸収される。このため、不所望な外光の遮光層BMでの反射及び散乱を抑制することができる。
このような構成例において、遮光層BMは、例えば、共通電極CEよりも低抵抗な導電層として形成される。一例では、遮光層BMは、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。共通電極CEは、遮光層BMに接しているため、遮光層BMと電気的に接続される。これにより、共通電極CEが低抵抗化される。
なお、遮光層BMは、透明層TLの側面TLA及びTLBの双方を覆っていてもよいし、透明層TLの全体を覆っていてもよい。
本実施形態において、図6の(A)を参照して説明したように、遮光層BMは、側面TLAを覆っている。このため、透明層TLにおける不所望な散乱を抑制することができる。
透明層TLは、平面視で、配線部WPに重畳している。つまり、透明層TLは、走査線G、信号線S、及び、スイッチング素子SWに重畳している。また、透明層TLは、画素電極PEの一部分と重畳している。換言すると、透明層TLの開口部APは、画素電極の他の部分と重畳している。
第1画素PX1における透明層TLの設置面積は、第2画素PX2における透明層TLの設置面積より小さい。換言すると、第1画素PX1において画素電極PEと重畳する開口部APの面積は、第2画素PX2において画素電極PEと重畳する開口部APの面積より大きい。
各画素PXでは、発光素子LDからの光は、開口部APを通って入射する一方で、透明層TLでは反射される。第1画素PX1及び第2画素PX2が上記の通り構成されているため、第2画素PX2においては、発光素子LDからの光の液晶層LCへの入射が抑制される。一方で、第1画素PX1においては、発光素子LDからの光の液晶層LCへの入射が促進される。
上記の通り、発光素子LDからの光は、発光素子LDから離間するにしたがって減衰する傾向がある。第1画素PX1を照明する光の輝度を第1輝度と称し、第2画素PX2を照明する光の輝度を第2輝度と称する。第1輝度は、第2輝度より低い。一方で、第1画素PX1の開口部APの面積は、第2画素PX2の開口部AP2の面積より大きい。このため、第1画素PX1及び第2画素PX2において、表示に寄与する光量を同等化することができる。
このような透明層TL1が設けられたことにより、発光素子LDからの光が配線部WPに到達しにくくなる。このため、配線部WPでの光吸収を抑制することができ、輝度の低下を抑制することができる。また、不所望な光がスイッチング素子SWに入射することに起因した電流リークやスイッチング素子SWの誤動作を抑制することができる。また、不所望な光が走査線G及び信号線Sで反射されることに起因した表示品位の低下を抑制することができる。
このような構成例において、発光素子LDから出射された光L1は、側面20C及び30Cから表示パネルPNLに入射する。
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板
LC…液晶層 31…ポリマー 32…液晶分子
PE…画素電極 CE…共通電極 SW…スイッチング素子 G…走査線 S…信号線
10…透明基板 20…透明基板
TL…透明層 BM…遮光層
Claims (10)
- 第1透明基板と、配線部と、前記配線部と電気的に接続された画素電極と、を備えた第1基板と、
第2透明基板と、前記画素電極と対向する共通電極と、前記配線部と対向する遮光層と、前記第2透明基板と前記遮光層との間に設けられた透明層と、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
複数の発光素子と、を備え、
前記透明層は、前記第2透明基板より低い屈折率を有している、表示装置。 - 前記透明層は、前記画素電極と対向する開口部を有する絶縁層である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2透明基板は、前記液晶層と対向する主面と、前記複数の発光素子と対向する側面と、を備え、
前記透明層は、前記主面に接し、
前記遮光層は、前記透明層に接している、請求項2に記載の表示装置。 - 前記遮光層は、前記主面から離間している、請求項3に記載の表示装置。
- 前記遮光層は、前記開口部において前記主面に接している、請求項3に記載の表示装置。
- 前記配線部は、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、前記走査線及び前記信号線と電気的に接続されたスイッチング素子と、を備え、
前記透明層は、平面視で、前記走査線、前記信号線、及び、前記スイッチング素子と重畳している、請求項2に記載の表示装置。 - さらに、第1画素と、前記発光素子と前記第1画素との間に位置する第2画素と、を備え、
前記第1画素における前記透明層の設置面積は、前記第2画素における前記透明層の設置面積より小さい、請求項6に記載の表示装置。 - 前記開口部は、前記走査線に沿って延出している、請求項6に記載の表示装置。
- 前記開口部は、前記信号線に沿って延出している、請求項6に記載の表示装置。
- 第1透明基板と、
主面及び側面を備えた第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に設けられ、筋状のポリマー及び液晶分子を含む液晶層と、
前記第2透明基板と前記液晶層との間に設けられた遮光層と、
前記第2透明基板と前記遮光層との間に設けられ、前記主面に接する透明層と、
前記側面に対向する発光素子と、を備え、
前記透明層は、開口部を有する絶縁層である、表示装置。
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