JP2020058162A - 送電装置 - Google Patents

Abstract

【課題】受電装置へ非接触で送電する送電装置において、送電装置内部の高電磁界領域に異物が侵入することを抑制することである。【解決手段】送電装置は、筐体と、筐体に収容された送電コイルと、筐体内に設けられた侵入防止部材とを備える。筐体は、金属製の本体と、本体の上方から本体を覆うように設けられた樹脂製の蓋体とを含む。蓋体は、天板部と、スロープ形状に形成された周壁部とを含む。周壁部には、筐体内に外部の空気を導入するためのスリットが形成される。送電コイルから受電装置に電力を送電するときに、送電コイルの周囲に、スリット内よりも磁束密度が高い領域が形成される。侵入防止部材は、スリットから上記領域までの経路に設けられる。【選択図】図６

Description

本開示は、受電装置へ非接触で送電する送電装置に関する。

特開２０１６−１１５７８９号公報（特許文献１）には、金属製の本体と樹脂製の蓋体とを含む筐体に送電コイルを収容した送電装置が開示されている。この筐体本体の外周部には、複数の放熱フィンが設けられている。蓋体のうち、放熱フィンを覆う部分には、外部の空気を導入するためのスリットが形成されている。スリットから導入された空気によって放熱フィンが冷却されることで、送電装置が効率よく冷却される。

特開２０１６−１１５７８９号公報

たとえば、送電時において、送電装置に交流電流が供給されると、送電装置に含まれる送電コイルに交流電流が流れて、送電コイルの周囲に磁束が形成される。磁束密度は、送電コイルの周囲の領域において高く、送電コイルから離れるに連れて小さくなる。送電コイルの周囲の領域においては、磁束密度が高いため、たとえば、金属などの異物が入り込むと、磁束が異物を貫通して大きな渦電流が誘導される。当該渦電流が流れることに起因して、当該異物が所定温度を超えて発熱し得る。以下においては、異物の所定温度を超えた発熱を「異常発熱」ともいう。また、以下においては、異物が異常発熱し得る領域を「高電磁界領域」ともいう。

特許文献１に開示された送電装置は、スリットから筐体内部に異物が入り込んだ場合に、当該異物が高電磁界領域に到達して、異常発熱してしまう可能性がある。特許文献１には、高電磁界領域に異物が入り込むことに対する対策は何ら開示されていない。スリットを形成しないようにすることも考えられるが、この場合、送電装置の放熱が蓋体によって阻害され、効果的な放熱ができない可能性がある。

本開示は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、受電装置へ非接触で送電する送電装置において、送電装置内部の高電磁界領域に異物が侵入することを抑制することである。

本開示に係る送電装置は、受電装置へ非接触で送電する送電装置であって、金属製の本体と、本体の上方から本体を覆うように設けられた樹脂製の蓋体とを含む筐体と、筐体に収容され、受電装置へ磁界を通じて送電する送電コイルと、筐体内に設けられた侵入防止部材とを備える。蓋体は、天板部と、天板部の外周縁部から下方に向けて延びるように形成された周壁部とを含む。周壁部には、筐体内に外部の空気を導入するためのスリットが形成されている。送電コイルは、本体の上面側に配置されている。送電コイルから受電装置に電力を送電するときに、送電コイルの周囲に、スリット内よりも磁束密度が高い領域が形成される。侵入防止部材は、スリットから筐体内の前記領域までの経路に設けられている。

上記構成によれば、スリットから筐体内の高電磁界領域までの経路に侵入防止部材が設けられる。このように侵入防止部材が設けられることによって、スリットを通って外部から筐体内部へ入り込んだ異物が筐体内部の高電磁界領域に到達することを抑制することができる。また、蓋体には外部の空気を導入するためのスリットが形成されているので、蓋体によって送電装置の放熱が阻害されることはない。このように、本開示の送電装置によれば、効果的な放熱を実現するとともに、外部から筐体内部に入り込んだ異物が高電磁界領域に到達することを抑制することができる。

本開示によれば、受電装置へ非接触で送電する送電装置において、送電装置内部の高電磁界領域に異物が侵入することを抑制することができる。

実施の形態に係る送電装置が適用される電力伝送システムの全体図である。 電力伝送システムの電気的な構成を示した図である。 送電装置を示す分解斜視図である。 異物検出用コイルの一例を概略的に示す図である。 送電装置の斜視図である。 実施の形態に係る送電装置のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。 変形例１に係る送電装置のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。 変形例２に係る送電装置のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。 変形例３に係る送電装置のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。

以下、本実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

＜全体構成＞
図１は、本実施の形態に係る送電装置が適用される電力伝送システムの全体図である。図１を参照して、電力伝送システム１は、車両２と、送電装置３とを備える。送電装置３は、地面に設置される。

なお、以下では、送電装置３が設置される駐車スペースにおいて、車両２の移動方向をＦ方向およびＢ方向とし、地面に対して上向きをＵ方向、下向きをＤ方向とする。なお、図１では示されていないが、駐車スペースにおける車両２の左右方向をＲ方向およびＬ方向とする。また、以下では、Ｕ方向を単に「上方」や「上面」等と称し、Ｄ方向を単に「下方」や「下面」等と称する場合がある。

車両２は、受電装置４と、蓄電装置５とを備える。蓄電装置５は、車両２のフロアパネルの下面に設けられる。受電装置４は、蓄電装置５のケースの下面に取付けられる。

送電装置３は、交流電源８（たとえば商用系統電源）から電力の供給を受ける。そして、送電装置３は、車両２の受電装置４が送電装置３に対向するように車両２の位置合わせが行なわれた状態において、受電装置４へ磁界を通じて非接触で送電するように構成される。

図２は、図１に示した電力伝送システム１の電気的な構成を示した図である。図２を参照して、送電装置３は、電源部２５と、フィルタ回路２４と、共振回路２１と、制御装置１００とを含む。

電源部２５は、力率改善（ＰＦＣ（Power Factor Correction））回路２６と、インバータ２７とを含む。ＰＦＣ回路２６は、制御装置１００によって制御され、交流電源８から受ける電力を整流および昇圧してインバータ２７へ供給するとともに、入力電流と入力電圧の位相差を小さくすることで、力率の改善を図る機器である。ＰＦＣ回路２６には、公知の種々のＰＦＣ回路を採用し得る。

インバータ２７は、制御装置１００によって制御され、ＰＦＣ回路２６から受ける直流電力を、所定の周波数（たとえば数十ｋＨｚ）を有する送電電力（交流）に変換する。インバータ２７は、たとえば単相フルブリッジ回路によって構成される。

フィルタ回路２４は、インバータ２７と共振回路２１との間に設けられ、インバータ２７から発生する高調波ノイズを抑制する。フィルタ回路２４は、たとえば、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣ回路によって構成される。

共振回路２１は、送電コイル２３と、キャパシタ２２とを含む。キャパシタ２２は、送電コイル２３に直列に接続されて送電コイル２３と共振器を形成する。なお、キャパシタ２２は、送電コイル２３に並列に接続されてもよいし、送電コイル２３のみで所望の共振状態が形成される場合には、キャパシタ２２を設けなくてもよい。なお、共振回路２１のＱ値は１００以上であることが望ましい。

制御装置１００は、ＰＦＣ回路２６およびインバータ２７を駆動する駆動回路（図示せず）を含んで構成される。制御装置１００は、送電装置３から受電装置４への送電時に、所望の送電電力（交流）が生成されるようにＰＦＣ回路２６およびインバータ２７を制御する。なお、制御装置１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリ等を含んで構成されるＥＣＵ（Electronic Control Unit）を含んでもよい。

車両２は、受電装置４と、リレー１５と、蓄電装置５とを含む。受電装置４は、共振回路１１と、機器１０とを含む。機器１０は、フィルタ回路１２と、整流回路１４とを含む。

共振回路１１は、受電コイル１６と、キャパシタ１７とを含む。キャパシタ１７は、受電コイル１６に直列に接続されて受電コイル１６と共振器を形成する。なお、キャパシタ１７は、受電コイル１６に並列に接続されてもよいし、受電コイル１６のみで所望の共振状態が形成される場合には、キャパシタ１７を設けなくてもよい。なお、共振回路１１のＱ値は１００以上であることが望ましい。

フィルタ回路１２は、共振回路１１と整流回路１４との間に設けられ、共振回路１１による受電時に発生する高調波ノイズを抑制する。フィルタ回路１２は、たとえば、インダクタおよびキャパシタを含むＬＣ回路によって構成される。整流回路１４は、共振回路１１によって受電された交流電力を整流して蓄電装置５へ出力する。整流回路１４は、整流器とともに平滑用のキャパシタを含んで構成される。

蓄電装置５は、再充電可能な直流電源であり、たとえばリチウムイオン電池やニッケル水素電池などの二次電池を含んで構成される。蓄電装置５は、受電装置４による受電中に整流回路１４から出力される電力を蓄える。そして、蓄電装置５は、その蓄えられた電力を図示しない車両駆動装置（走行モータ等）へ供給する。

リレー１５は、整流回路１４と蓄電装置５との間に設けられる。リレー１５は、受電装置４による受電時にオン（導通状態）にされる。リレー１５は、たとえば蓄電装置５のケース内に設けられる。

この電力伝送システム１においては、送電装置３において、交流電源８から受ける電力がＰＦＣ回路２６により整流されてインバータ２７に供給される。インバータ２７は、所定の伝送周波数を有する交流電力を生成して共振回路２１へ供給する。インバータ２７から共振回路２１へ交流電力が供給されると、共振回路２１の送電コイル２３と受電装置４の受電コイル１６との間に形成される磁界を通じて、共振回路２１から共振回路１１へエネルギー（電力）が移動する。そして、共振回路１１へ移動したエネルギー（電力）は、機器１０を通じて蓄電装置５へ供給される。

＜送電装置＞
図３は、送電装置３を示す分解斜視図である。送電装置３は、筐体３０と、フェライト３２と、ボビン３３と、基板３４と、カメラ３５と、異物検出用コイル９０とを含む。筐体３０は、金属製のケース本体５０と、樹脂カバー５１とを含む。なお、ケース本体５０は、本開示に係る「本体」の一例に相当する。また、樹脂カバー５１は、本開示に係る「蓋体」の一例に相当する。

ケース本体５０は、たとえば、アルミニウムなどの金属材料によって形成されている。ケース本体５０は、底板部５２と、周壁部５３と、金属基板３１とを含む。

底板部５２は、略長方形形状に形成されている。周壁部５３は、底板部５２の外周縁部からＵ方向に立ち上がるように形成されている。周壁部５３は、長側壁６０，６１と、短側壁６２，６３とを含む。

長側壁６０，６１は、車両２のＦ，Ｂ方向に配列されている。各長側壁６０，６１はＬ，Ｒ方向に延びるように形成されている。短側壁６２，６３は、Ｌ，Ｒ方向に配列されている。各短側壁６２，６３は、Ｆ，Ｂ方向に延びるように形成されている。長側壁６０，６１の外側面には、複数の放熱フィン５４が間隔をあけて形成されている。放熱フィン５４が設けられることによって、各種電気機器において発生した熱を送電装置３の外部へ効果的に逃がすことができる。

金属基板３１は、底板部５２よりもＵ方向側に配置されている。なお、金属基板３１は、底板部５２に形成された図示されていない支持壁によって支持されている。金属基板３１は、たとえば、アルミニウムなどによって形成されている。また、金属基板３１は長方形形状に形成されている。金属基板３１の中央には、貫通孔５８が形成されている。

ケース本体５０の底板部５２および金属基板３１の間には隙間が形成されている。共振回路２１のキャパシタ２２と、フィルタ回路２４と、インバータ２７と、ＰＦＣ回路２６と、回路基板２８，２９と、カメラ３５の一部とは、ケース本体５０の底板部５２および金属基板３１の間の隙間に配置されている。回路基板２８，２９には、制御装置１００や、図示されない各種センサ等が搭載される。カメラ３５は、撮像素子４３と、レンズ４４とを含み、撮像素子４３がケース本体５０内に収容されている。

フェライト３２は、環状に配置された複数の分割フェライト６４を含み、フェライト３２の中央には、中空部６５が形成されている。そして、貫通孔５８は中空部６５内に位置している。

ボビン３３は、フェライト３２のＵ方向側に配置されている。ボビン３３は、板状に形成されており、樹脂等によって形成されている。ボビン３３の上面（Ｕ方向側の面）には、送電コイル２３を収容するコイル溝が形成されており、このコイル溝内に送電コイル２３が配置されている。ボビン３３は、略長方形形状に形成されており、ボビン３３の中央には、貫通孔５９が形成されている。

基板３４は、送電コイル２３のＵ方向側に配置されている。基板３４も長方形形状に形成されており、基板３４の中央部にも図示されていない貫通孔が形成されている。

レンズ４４は、基板３４の上面に配置されており、基板３４に形成された貫通孔を覆うように設けられている。

樹脂カバー５１は、基板３４のＵ方向側に配置されると共に、ケース本体５０に固定されている。樹脂カバー５１は、天板６６および周壁６７を含み、天板６６の中央には、貫通孔６８が形成されている。

周壁６７は、長側壁７０，７１と、短側壁７２，７３とを含む。短側壁７２，７３は、Ｌ，Ｒ方向に配列されている。各短側壁７２，７３は、Ｆ，Ｂ方向に延びるように形成されている。

長側壁７０，７１は、Ｆ，Ｂ方向に配列されている。長側壁７０は、天板６６の外周縁部からＦ方向に離れるに連れて、高さが小さくなるように形成されている。長側壁７１は、天板６６の外周縁部からＢ方向に離れるに連れて、高さが小さくなるように形成されている。つまり、長側壁７０，７１は、スロープ形状に形成されている。

長側壁７０，７１には、スリット７５が形成されている。スリット７５は、長側壁７０において、長側壁７０の下端部側から天板６６に向けて延びると共に、Ｂ方向における長側壁７０の中央部に達するように形成されている。スリット７５は、長側壁７１において、長側壁７１の下端部側から天板６６に向けて延びると共に、Ｆ方向における長側壁７１の中央部に達するように形成されている。スリット７５が形成されることによって、筐体３０内に外部の空気を導入することができる。スリット７５から導入された空気によって放熱フィン５４が冷却されることで、筐体３０内で発生した熱を外部へ効果的に逃がすことができる。以下においては、長側壁７０，７１のうち、スリット７５が形成されている領域（中央部から下端部側）をそれぞれ長側壁７０ａ，７１ａと示し、スリット７５が形成されていない領域（中央部から上端部側）を長側壁７０ｂ，７１ｂと示す。

撮像素子４３と、貫通孔５８，５９と、レンズ４４と、貫通孔６８とは、Ｕ，Ｄ方向に配列している。そして、樹脂カバー５１がケース本体５０に組み付けられると、レンズ４４の一部が貫通孔６８から外部に突出する（図５参照）。

カメラ３５が送電装置３の外部環境を撮像する際には、レンズ４４に入り込んだ光が、レンズ４４によって集光される。集光された光は、貫通孔５９および貫通孔５８を通って、撮像素子４３に入射する。そして、撮像素子４３は入射した光を電気信号に変換する。

撮像素子４３が変換した電気信号を受けて、制御装置１００は、天板６６に異物があるか否かを判定する。たとえば、天板６６上に異物がある場合、異物によって一部の光が遮られる。そのため、天板６６上に異物がある場合に制御装置１００がカメラ３５から受ける電気信号と、天板６６上に異物がない場合に制御装置１００がカメラ３５から受ける電気信号とは、異なる信号レベルとなる。制御装置１００は、電気信号の信号レベルに基づいて、天板６６上の異物の有無を判定する。

また、送電コイル２３と樹脂カバー５１との間の空間には、複数の異物検出用コイル９０が配置さている。異物検出用コイル９０は、送電装置３の樹脂カバー５１のＵ方向側の面に存在する金属箔などの金属異物を磁気的に検出するように構成される。図４は、異物検出用コイル９０の一例を概略的に示す図である。たとえば、異物検出用コイル９０は、第１コイル９１と、第１コイル９１に対向して設けられる第２コイル９２とを含む。異物検出用コイル９０は、たとえば、樹脂カバー５１のＤ方向側の面に配設される。たとえば、異物検出用コイル９０のＵ方向側（樹脂カバー５１のＵ方向側の面）に異物が存在する場合、金属異物の存在によって、第１コイル９１と第２コイル９２との結合係数が変化する。そして、結合係数の変化に起因した異物検出用コイル９０の出力（たとえば、誘導電圧や誘導電流）の変化を制御装置１００が検出することによって、金属異物を検出する。つまり、異物検出用コイル９０を用いて、異物検出用コイル９０の近傍に存在する金属異物を検出することができる。

図５は、送電装置３の斜視図である。図６は、図５におけるＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。図５および図６を参照して、送電時において、送電コイル２３に交流電流が流れると、送電コイル２３の周囲に磁束が形成される。磁束密度は、送電コイル２３の周囲の領域において高く、送電コイル２３から離れるに連れて小さくなる。具体的には、図６に示される実線Ｂ１、二点鎖線Ｂ２、一点鎖線Ｂ３および破線Ｂ４は、それぞれ磁束密度毎の領域を表わしている。Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４は、それぞれ磁束密度の大きさを表し、Ｂ１＜Ｂ２＜Ｂ３＜Ｂ４の関係となっている。つまり、送電コイル２３に近い領域ほど、磁束密度が高くなっている。

たとえば、破線Ｂ４より内の領域は、磁束密度がＢ４以上の領域である。破線Ｂ４と一点鎖線Ｂ３とで囲われる領域は、磁束密度の大きさがＢ４より低く、かつ、Ｂ３以上の領域である。一点鎖線Ｂ３と二点鎖線Ｂ２とで囲われる領域は、磁束密度の大きさがＢ３より低く、かつ、Ｂ２以上の領域である。二点鎖線Ｂ２と実線Ｂ１とで囲われる領域は、磁束密度の大きさがＢ２より低く、かつ、Ｂ１以上の領域である。実線Ｂ１より外の領域は、磁束密度がＢ１より低い領域である。

磁束密度が高い領域（高電磁界領域）に、たとえば、金属などの異物が入り込んだ場合、磁束が異物を貫通することによって大きな渦電流が誘導される。当該渦電流が流れることに起因して、当該異物が所定温度を超えて発熱し得る。そのため、異物の異常発熱を回避するためには、高電磁界領域に異物が存在するような場合には、送電を行なわないようにすることが望ましい。なお、高電磁界領域は、送電コイル２３に流れる電流の大きさなどによって、変化し得る。高電磁界領域は、送電装置３の仕様などに基づいて、領域毎の磁束密度を実験などにより求めておくことによって、予め定めておくことができる。本実施の形態においては、一点鎖線Ｂ３に含まれる領域を高電磁界領域とする例について説明する。

上述したとおり、天板６６上に異物がある場合、カメラ３５および異物検出用コイル９０を用いて天板６６上に異物があることを検出することが可能である。制御装置１００は、天板６６上に異物があることを検出した場合、送電を開始しない、あるいは、送電を停止する。

また、周壁６７（長側壁７０，７１）に異物がある場合、長側壁７０，７１がスロープ形状に形成されていることによって、異物が地面まで転がり落ちる。そのため、異物が高電磁界領域にある状態で送電を開始することを抑制することができる。

しかしながら、長側壁７０，７１に設けられたスリット７５から金属箔などの異物が筐体３０内に侵入する可能性がある。この場合、筐体３０内への異物の侵入を検出することができない。筐体３０内に侵入した異物は、筐体３０内の高電磁界領域に到達する可能性がある。このような場合、高電磁界領域に異物が存在する状態で送電が開始される可能性がある。

本実施の形態においては、図６に示されるように、樹脂カバー５１には、送電コイル２３、フェライト３２およびその他各種の電気機器等（キャパシタ２２と、フィルタ回路２４など、図６においては図示せず）に外部から浸水しないように、天板６６からケース本体５０に向けてＤ方向に延びるように壁部９が設けられている。そして、壁部９の先端とケース本体５０の長側壁６０との間は、接着剤などのシール部材Ｓでシールされている。そのため、たとえ、異物が筐体３０内に侵入したとしても、壁部９よりも筐体３０内部側に異物が到達することはない。つまり、本実施の形態に示す例においては、壁部９よりも筐体３０外側（Ｆ方向方向側）であって、かつ、一点鎖線Ｂ３に含まれる領域、すなわち、図６に示される領域Ａに異物が到達することが問題となる。そこで、領域Ａに異物が到達することを防ぐことが望ましい。

そこで、本実施の形態に係る送電装置３は、スリット７５から筐体３０内の高電磁界領域Ｂ３までの経路に侵入防止部材８０を設ける。本実施の形態に係る侵入防止部材８０は、樹脂カバー５１と一体的に成型される。侵入防止部材８０は、Ｖ−Ｖ断面において、長側壁７０ｂの下端側からケース本体５０に向けてＢ方向に延びるように設けられる。侵入防止部材８０の先端は、ケース本体５０と当接するように形成されている。侵入防止部材８０は、紙面前後方向（Ｒ，Ｌ方向）に向かって延びるように形成されている。侵入防止部材８０は、長側壁７１ａ側においても同様に形成される。なお、侵入防止部材８０は、長側壁７０，７１および短側壁７２，７３に渡って環状に形成されてもよい。なお、侵入防止部材８０の先端とケース本体５０とは、接着剤などのシール部材などによってシールされてもよい。

上記のように、侵入防止部材８０が設けられることによって、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材８０よりも筐体３０内側へ入り込むことが抑制される。ゆえに、筐体３０内に侵入した異物が領域Ａに到達することが抑制される。

以上のように、本実施の形態に係る送電装置３は、樹脂カバー５１の長側壁７０ａ，７１ａにスリット７５が形成される。スリット７５が形成されることによって、筐体３０内に外部の空気を導入することができる。スリット７５から導入された空気によって放熱フィン５４が冷却されることで、筐体３０内で発生した熱を外部へ効果的に逃がすことができる。ゆえに、効果的な送電装置３の放熱が可能となる。

筐体３０内には、スリット７５から筐体３０内の高電磁界領域Ｂ３（領域Ａ）までの経路に侵入防止部材８０が設けられる。これによって、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材８０よりも筐体３０内側へ入り込むことが抑制される。ゆえに、筐体３０内に侵入した異物が領域Ａに到達することを抑制することができる。

（変形例１）
実施の形態においては、侵入防止部材の一例の形状を示したが、侵入防止部材は、スリット７５から筐体３０内の高電磁界領域Ｂ３までの経路に設けられ、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材よりも筐体３０内側へ入り込むことを防ぐことができればよい。変形例１においては、侵入防止部材８０とは異なる形状を有する侵入防止部材８０ａについて説明する。

図７は、変形例１に係る送電装置３のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。侵入防止部材８０ａは、Ｖ−Ｖ断面において、長側壁７０ｂの中央部よりも上端部側からケース本体５０に向けてＤ方向に延びるように設けられている。侵入防止部材８０ａの先端は、ケース本体５０と当接している。侵入防止部材８０ａは、紙面前後方向（Ｒ，Ｌ方向）に向かって延びるように形成されている。

筐体３０内に侵入防止部材８０ａが設けられることによって、実施の形態と同様に、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材８０ａよりも筐体３０内側へ入り込むことが抑制される。ゆえに、筐体３０内に侵入した異物が領域Ａに到達することを抑制することができる。

（変形例２）
変形例２においては、侵入防止部材８０，８０ａとは異なる形状を有する侵入防止部材８０ｂについて説明する。図８は、変形例２に係る送電装置３のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。侵入防止部材８０ｂは、Ｖ−Ｖ断面において、Ｌ字状に形成されており、長側壁７０ｂの下端側からケース本体５０に向けてＢ方向に延びるとともに、先端がケース本体５０と当接するように設けられる。侵入防止部材８０ｂは、紙面前後方向（Ｒ，Ｌ方向）に向かって延びるように形成されている。

筐体３０内に侵入防止部材８０ｂが設けられることによって、実施の形態と同様に、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材８０ｂよりも筐体３０内側へ入り込むことが抑制される。ゆえに、筐体３０内に侵入した異物が領域Ａに到達することを抑制することができる。

（変形例３）
変形例３においては、侵入防止部材８０，８０ａ，８０ｂとは異なる形状を有する侵入防止部材８０ｃを説明する。図９は、変形例３に係る送電装置３のＶ−Ｖ断面を模式的に示した図である。侵入防止部材８０ｃは、Ｖ−Ｖ断面において、Ｌ字状に形成されており、一端が長側壁７０ｂの下端側からケース本体５０に向けてＢ方向に延びるとともに、他端が長側壁７０ｂの中央部よりも上端部側からケース本体５０に向けてＤ方向に延びるように設けられている。侵入防止部材８０は、紙面前後方向（Ｒ，Ｌ方向）に向かって延びるように形成されている。Ｂ方向に延びた面のＤ方向側の面の一部が筐体３０と当接している。

筐体３０内に侵入防止部材８０ｃが設けられることによって、実施の形態と同様に、スリット７５から侵入した異物が侵入防止部材８０ｃよりも筐体３０内側へ入り込むことが抑制される。ゆえに、筐体３０内に侵入した異物が領域Ａに到達することを抑制することができる。

（変形例４）
実施の形態および変形例１〜３においては、侵入防止部材が樹脂カバー５１と一体に形成される例について説明した。しかしながら、侵入防止部材は、樹脂カバー５１と一体に形成されることに限定されるものではない。たとえば、侵入防止部材は、別個の部材として構成されて、樹脂カバー５１および／またはケース本体５０に取り付けられる態様であってもよい。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 電力伝送システム、２ 車両、３ 送電装置、４ 受電装置、５ 蓄電装置、８ 交流電源、９ 壁部、１０ 機器、１１，２１ 共振回路、１２，２４ フィルタ回路、１４ 整流回路、１５ リレー、１６ 受電コイル、１７，２２ キャパシタ、２３ 送電コイル、２５ 電源部、２６ ＰＦＣ回路、２７ インバータ、２８，２９ 回路基板、３０ 筐体、３１ 金属基板、３２ フェライト、３３ ボビン、３４ 基板、３５ カメラ、４３ 撮像素子、４４ レンズ、５０ ケース本体、５１ 樹脂カバー、５２ 底板部、５３ 周壁部、５４ 放熱フィン、５８，５９，６８ 貫通孔、６０，６１，７０，７０ａ，７０ｂ，７１，７１ａ 長側壁、６２，６３，７２，７３ 短側壁、６４ 分割フェライト、６５ 中空部、６６ 天板、６７ 周壁、７５ スリット、８０，８０ａ，８０ｂ，８０ｃ 侵入防止部材、９０ 異物検出用コイル、９１ 第１コイル、９２ 第２コイル、１００ 制御装置、Ａ 領域、Ｓ シール部材。

Claims (1)

1. 受電装置へ非接触で送電する送電装置であって、
   金属製の本体と、前記本体の上方から前記本体を覆うように設けられた樹脂製の蓋体とを含む筐体と、
   前記筐体に収容され、前記受電装置へ磁界を通じて送電する送電コイルと、
   前記筐体内に設けられた侵入防止部材とを備え、
   前記蓋体は、天板部と、前記天板部の外周縁部から下方に向けて延びるように形成された周壁部とを含み、
   前記周壁部には、前記筐体内に外部の空気を導入するためのスリットが形成されており、
   前記送電コイルは、前記本体の上面側に配置されており、
   前記送電コイルから前記受電装置に電力を送電するときに、前記送電コイルの周囲に、前記スリット内よりも磁束密度が高い領域が形成され、
   前記侵入防止部材は、前記スリットから前記筐体内の前記領域までの経路に設けられている、送電装置。

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