JP2020051840A - 光電センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる光電センサを提供する。【解決手段】光電センサは、第1端から第2端まで一列に並んで配置されている複数の受光部と、複数の受光部のいずれかに対応する閾値を設定する閾値設定部と、対象物によって反射された光を受光する基準受光部が第1端に位置する受光部から閾値に対応する受光部までに含まれるか否かに基づいて、閾値に対応する距離内に対象物が存在するか否かを判定する判定部と、閾値設定部により設定する閾値を変更しながら判定部による判定を繰り返し、基準受光部に対応する基準閾値を探索する探索部と、基準閾値を対象物までの距離に変換する変換部と、を備える。【選択図】図1

Description

本開示は、光電センサに関する。
従来、所定の距離内に対象物が存在するか否かを判定する光電センサが用いられている。光電センサは、LED(Light Emitting Diode)等によって対象物に光を照射し、対象物で反射された光がフォトダイオードによって検出されるか否かに応じて、所定の距離内に対象物が存在するか否かを判定することがある。
下記特許文献1には、少なくとも投光レンズが、レンズ本体とその裏面の一部から突出する突出部とを有する反射型光電センサが記載されている。特許文献1に記載の反射型光電センサによれば、近距離での検出及び遠距離での検出の双方が可能となる。
特開2014−96036号公報
対象物の有無だけでなく、対象物までの距離が測定できる光電センサとして、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)レーザセンサが用いられている。CMOSレーザセンサは、対象物にレーザ光を照射して、反射された光をCMOSイメージセンサで受光して、受光位置に基づいて対象物までの距離を算出する。
しかしながら、CMOSレーザセンサは、対象物で反射した光を精密に集光してCMOSイメージセンサで検出する必要があるため、対象物で反射した光を比較的粗く集光してフォトダイオードで検出する構成に比べて高価になる。
そこで、本発明は、比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる光電センサを提供する。
本開示の一態様に係る光電センサは、第1端から第2端まで一列に並んで配置されている複数の受光部と、複数の受光部のいずれかに対応する閾値を設定する閾値設定部と、対象物によって反射された光を受光する基準受光部が第1端に位置する受光部から閾値に対応する受光部までに含まれるか否かに基づいて、閾値に対応する距離内に対象物が存在するか否かを判定する判定部と、閾値設定部により設定する閾値を変更しながら判定部による判定を繰り返し、基準受光部に対応する基準閾値を探索する探索部と、基準閾値を対象物までの距離に変換する変換部とを備える。
この態様によれば、対象物によって反射された光を受光する基準受光部に対応する基準閾値を探索して、基準閾値を対象物までの距離に変換することで、比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる。
上記態様において、探索部は、判定部により閾値に対応する距離内に対象物が存在すると判定された場合に、閾値に対応する位置を新しい第2端とし、閾値設定部により、第1端と閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させ、判定部により閾値に対応する距離内に対象物が存在しないと判定された場合に、閾値に対応する位置を新しい第1端とし、閾値設定部により、第2端と閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させてもよい。
この態様によれば、二分探索によって基準閾値を求めることができ、複数の受光部の数が多くなっても高速に基準閾値を探索することができる。
上記態様において、探索部は、新しい第1端と新しい第2端が隣接するまで探索を継続し、新しい第1端に位置する受光部及び新しい第2端に位置する受光部のゲインを変化させながら判定部による判定を繰り返し、新しい閾値に対応する受光部によって対象物によって反射された光が検出される基準ゲインを探索し、変換部は、基準閾値及び基準ゲインを対象物までの距離に変換してもよい。
この態様によれば、対象物によって反射された光が2つの受光部の間に入射する場合に、入射位置のずれをゲインによって補正して、より正確に対象物までの距離を測定することができる。
上記態様において、変換部は、基準閾値が基準値以下である場合に第1変換式によって基準閾値を距離に変換し、基準閾値が基準値より大きい場合に第2変換式によって基準閾値を距離に変換してもよい。
この態様によれば、基準閾値の大きさによって変換式を変えることで、基準閾値から距離への変換をより正確に行うことができる。
上記態様において、判定部によって閾値に対応する距離内に対象物が存在するか否かを判定する第1モードと、判定部、探索部及び変換部によって対象物までの距離を測定する第2モードとを切り替える入力を受け付ける入力部をさらに備えてもよい。
この態様によれば、対象物の有無を判定する第1モードと、対象物までの距離を測定する第2モードとを目的に応じて使い分けることができ、利便性が向上する。
上記態様において、対象物に光を照射するLEDをさらに備えてもよい。
この態様によれば、レーザではなくLEDを用いて、比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる。
本発明によれば、比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる光電センサが提供される。
本発明の実施形態に係る光電センサの機能ブロックを示す図である。 本実施形態に係る光電センサの物理的構成を示す図である。 本実施形態に係る光電センサにより対象物までの距離を測定する処理の概略を示す図である。 本実施形態に係る光電センサにより対象物までの距離を測定する処理の第1フローチャートである。 本実施形態に係る光電センサにより対象物までの距離を測定する処理の第2フローチャートである。
以下、本発明の一側面に係る実施の形態(以下、「本実施形態」と表記する。)を、図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。
図1は、本発明の実施形態に係る光電センサ10の機能ブロックを示す図である。光電センサ10は、複数の受光部10d、LED10f、閾値設定部11、判定部12、探索部13及び変換部14を備える。
複数の受光部10dは、第1端から第2端まで一列に並んで配置されている。本実施形態では、複数の受光部10dは、128個のPD(Photo Diode)を含む。第1PD10d1は第1端に位置し、第2PD10d2は第1PD10d1に隣接し、第128PD10d128は第2端に位置する。なお、PDの数は任意である。
LED10fは、対象物100に光を照射する。LED10fは、レーザ光に比べてスポット径が大きい光を対象物100に照射してよい。また、光電センサ10は、LED10fにより照射され、対象物100によって反射された光を複数のPD10dに集光する受光レンズを備える。受光レンズは、複数のPD10dに正確に集光するものでなくてもよく、光源としてレーザを用いる場合よりも簡易な構成のものであってよい。このように、本実施形態に係る光電センサ10は、レーザではなくLED10fを用いて、比較的安価な構成で対象物100までの距離が測定できる。
閾値設定部11は、複数の受光部10dのいずれかに対応する閾値を設定する。本例の場合、閾値設定部11は、第1PD10d1から第128PD10d128までのいずれかに対応する閾値を設定する。この場合、閾値は、0から127の整数値であってよい。
判定部12は、対象物100によって反射された光を受光する基準受光部が第1端に位置する受光部から閾値に対応する受光部までに含まれるか否かに基づいて、閾値に対応する距離内に対象物100が存在するか否かを判定する。対象物100で反射され、複数の受光部10dに入射した光は、第1PD10d1から第128PD10d128のうち少なくとも第nPD(nは1〜128のいずれか)によって検出される。ここで、閾値設定部11により設定された閾値が、第mPD(mは1〜128のいずれか)である場合、判定部12は、n≦mであるか否かを判定し、n≦mである場合には閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定し、n≦mでない場合(n>mの場合)には閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定する。
なお、対象物100が光電センサ10から遠すぎたり、近すぎたりする場合、対象物100で反射された光が複数の受光部10dに入射しないため、判定部12は、複数の受光部10dによる受光が検出されていないと判定してよい。また、対象物100で反射され、複数の受光部10dに入射した光は、隣接する2つのPDによって検出されることがあってもよい。
探索部13は、閾値設定部11により設定する閾値を変更しながら判定部12による判定を繰り返し、対象物100によって反射された光を受光する基準受光部に対応する基準閾値を探索する。例えば、対象物100によって反射された光が第nPD(nは、1〜128のいずれか)によって検出される場合、探索部13は、閾値mを変更しながら判定部12による判定を繰り返し、基準閾値m=nを探索する。
より具体的には、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定された場合に、閾値に対応する位置を新しい第2端とし、閾値設定部11により、第1端と閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させてよい。また、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定された場合に、閾値に対応する位置を新しい第1端とし、閾値設定部11により、第2端と閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させてよい。例えば、対象物100によって反射された光が第nPD(nは1〜128のいずれか)によって検出されており、閾値がm(mは1〜128のいずれか)である場合、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定された場合(n≦mである場合)に、閾値に対応する第mPDを新しい第2端とし、閾値設定部11により新しい閾値を1+(m−1)/2と設定してよい。ここで、小数点以下は四捨五入又は切り捨てしてよい。また、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定された場合(n>mの場合)に、閾値に対応する第mPDを新しい第1端とし、閾値設定部11により新しい閾値をm+(128−m)/2と設定してよい。
より一般的には、探索部13は、閾値c(cは1〜128のいずれか)と表し、第1端をpn(pnは1〜128のいずれか)と表し、第2端をpf(pfは1〜128のいずれか)と表すとき、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定された場合に、pn←cによって第1端を更新し、c←pn+(pf−pn)/2によって閾値を更新してよい。また、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定された場合に、pf←cによって第2端を更新し、c←pn+(pf−pn)/2によって閾値を更新してよい。
本実施形態に係る光電センサ10によれば、二分探索によって基準閾値を求めることができ、複数の受光部の数が多くなっても高速に基準閾値を探索することができる。具体的には、複数の受光部の数がNの場合に、O(log2N)程度で基準閾値を探索することができる。
変換部14は、基準閾値を対象物100までの距離に変換する。また、変換部14は、基準閾値及び基準ゲインを対象物100までの距離に変換してよい。その場合、探索部13は、新しい第1端と新しい第2端が隣接するまで探索を継続し、新しい第1端に位置する受光部及び新しい第2端に位置する受光部のゲインを変化させながら判定部12による判定を繰り返し、新しい閾値に対応する受光部によって対象物100によって反射された光が検出される基準ゲインを探索してよい。
例えば、受光部のゲインを0〜255のいずれかの整数とする場合、探索部13によって新しい第1端と新しい第2端が隣接するまで探索を継続した後、新しい第1端に位置する受光部のゲインをPOTN=129に設定し、新しい第2端に位置する受光部のゲインをPOTF=129に設定する。そして、探索部13は、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定された場合であって、POTF<200である場合に、POTN←POTN+1及びPOTF←POTF+1とインクリメントする。その後、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定されるか又はPOTF≧200となるまでゲインのインクリメントを続ける。最終的に、探索部13は、新しい閾値に対応する受光部(新しい第1端に位置する受光部又は新しい第2端に位置する受光部)のゲインを基準ゲインとする。
変換部14は、X=基準閾値×16+(基準ゲイン−128)によって、単位がmmである距離値Xを算出してよい。そして、変換部14は、X≦Z1の場合、L=B1/(A1−X)−C1によって、単位が10μmである対象物100までの距離を算出してよい。また、変換部14は、X>Z1の場合、L=B2/(A2−X)−C2によって、単位が10μmである対象物100までの距離を算出してよい。ここで、A1、A2、B1、B2、C1及びC2は、あるXに対するLを他の手段で実測して、その関係を再現するように予め定められる係数である。
このように、変換部14は、基準閾値が基準値以下である場合に第1変換式によって基準閾値を距離に変換し、基準閾値が基準値より大きい場合に第2変換式によって基準閾値を距離に変換してよい。このように、基準閾値の大きさによって変換式を変えることで、基準閾値から距離への変換をより正確に行うことができる。
また、本実施形態に係る光電センサ10によれば、対象物100によって反射された光を受光する基準受光部に対応する基準閾値を探索して、基準閾値を対象物100までの距離に変換することで、比較的安価な構成で対象物までの距離が測定できる。また、対象物100によって反射された光が2つの受光部の間に入射する場合に、入射位置のずれをゲインによって補正して、より正確に対象物までの距離を測定することができる。
図2は、本実施形態に係る光電センサ10の物理的構成を示す図である。光電センサ10は、演算部に相当するCPU(Central Processing Unit)10aと、記憶部に相当するRAM(Random Access Memory)10bと、記憶部に相当するROM(Read Only Memory)10cと、複数の受光部10dと、入力部10eと、LED10fと、を有する。これらの各構成は、バスを介してデータ送受信可能に接続される。
CPU10aは、RAM10b又はROM10cに記憶されたプログラムの実行に関する制御やデータの演算、加工を行う制御部である。CPU10aは、複数の受光部10dにより検出されるデータに基づいて対象物100までの距離を測定するプログラム(測定プログラム)を実行する演算部である。CPU10aは、入力部10eや複数の受光部10dから種々のデータを受け取り、データの演算結果を外部機器に出力したり、RAM10bやROM10cに格納したりする。
RAM10bは、記憶部のうちデータの書き換えが可能なものであり、例えば半導体記憶素子で構成されてよい。RAM10bは、CPU10aが実行する測定プログラム、閾値及びゲイン等を記憶してよい。なお、これらは例示であって、RAM10bには、これら以外のデータが記憶されていてもよいし、これらの一部が記憶されていなくてもよい。
ROM10cは、記憶部のうちデータの読み出しが可能なものであり、例えば半導体記憶素子で構成されてよい。ROM10cは、例えば測定プログラムや、書き換えが行われないデータを記憶してよい。
複数の受光部10dは、第1端から第2端まで一列に並んで配置されている受光素子である。複数の受光部10dは、PDで構成されてよいが、その他の素子で構成されてもよい。
入力部10eは、ユーザからデータの入力を受け付けるものであり、例えば、プッシュボタンやタッチパネルを含んでよい。入力部10eは、判定部12によって閾値に対応する距離内に対象物100が存在するか否かを判定する第1モードと、判定部12、探索部13及び変換部14によって対象物100までの距離を測定する第2モードとを切り替える入力を受け付ける。第1モードは、従来の光電センサも備えるモードであり、第2モードは、本実施形態に係る光電センサ10に特有のモードである。入力部10eによって、対象物100の有無を判定する第1モードと、対象物100までの距離を測定する第2モードとを目的に応じて使い分けることができ、利便性が向上する。
LED10fは、対象物100に光を照射する。LED10fは、他の発光素子に置き換えられてもよいが、比較的な安価な素子であるLED10fを用いることで、光電センサ10の製造コストを低く抑えることができる。
測定プログラムは、RAM10bやROM10c等のコンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されて提供されてもよいし、光電センサ10が通信部を備える場合には、通信ネットワークを介して提供されてもよい。光電センサ10では、CPU10aが測定プログラムを実行することにより、図1を用いて説明した閾値設定部11、判定部12、探索部13及び変換部14の動作が実現される。なお、これらの物理的な構成は例示であって、必ずしも独立した構成でなくてもよい。例えば、光電センサ10は、CPU10aとRAM10bやROM10cが一体化したLSI(Large-Scale Integration)を備えていてもよい。
図3は、本実施形態に係る光電センサ10により対象物100までの距離を測定する処理の概略を示す図である。光電センサ10は、第1端から第2端まで一列に並んで配置されている複数の受光部10dを備える。対象物100により反射された光は、対象物100までの距離に応じて複数の受光部10dへの入射位置が変わる。また、対象物100が光電センサ10から遠すぎたり、近すぎたりする場合、対象物100で反射された光は、複数の受光部10dに入射しない。ここで、第1端に対応する距離が最小検出距離となり、第2端に対応する距離が最大検出距離となる。
本例では、光電センサ10によって第1閾値Th1が設定された場合に、対象物100によって反射された光を受光する基準受光部が第1端に位置する受光部から閾値に対応する受光部までに含まれないため、閾値に対応する距離内に対象物100が存在しないと判定される。図3では、対象物100の距離(未知)と、第1閾値Th1に対応する距離とを図示している。
その後、光電センサ10は、第1閾値Th1に対応する位置を新しい第1端とし、第2端と第1閾値Th1を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値(第2閾値Th2)を設定する。図3では、対象物100の距離(未知)と、第2閾値Th2に対応する距離と、新しい第1端に対応する距離とを図示している。
このように、判定部12により閾値に対応する距離内に対象物100が存在すると判定されるか否かに応じて、対象物100の距離を絞り込むように閾値及び第1端又は第2端を更新していき、光電センサ10は、第N回目の探索で、対象物100によって反射された光を受光する基準受光部に対応する基準閾値Thを探索する。ここで、Nは、複数の受光部10dの数をMと表すとき、log2M以下の値である。図3では、対象物100の距離(未知)と、基準閾値Thに対応する距離とを図示している。光電センサ10は、このようにして二分探索された基準閾値を、所定の変換式に代入して、対象物100までの距離を算出する。
図4は、本実施形態に係る光電センサ10により対象物100までの距離を測定する処理の第1フローチャートである。光電センサ10は、第1端と第2端を2分する位置に閾値を設定する(S10)。具体的には、第1PD10d1から第128PD10d128まで一列に並んでいる場合、光電センサ10は、閾値を63又は64に設定してよい。ここでは、仮に、閾値を64に設定したとする。
光電センサ10は、閾値に対応する距離内に対象物100が存在する場合(S11:YES)、閾値に対応する位置を新しい第2端に設定し(S12)、第1端と閾値を2分する位置に新しい閾値を設定する(S13)。具体的には、新しい第2端を第64PDに設定し、新しい閾値を31又は32に設定する。
一方、閾値に対応する距離内に対象物100が存在しない場合(S11:NO)、光電センサ10は、閾値に対応する位置を新しい第1端に設定し(S14)、第2端と閾値を2分する位置に新しい閾値を設定する(S15)。具体的には、新しい第1端を第64PDに設定し、新しい閾値を96に設定する。
その後、光電センサ10は、新しい第1端と新しい第2端が隣接するか否かを判定する(S16)。新しい第1端と新しい第2端が隣接しない場合(S16:NO)、光電センサ10は、新しい閾値に対応する距離内に対象物が存在するか判定し(S11)、上記処理を繰り返す。一方、新しい第1端と新しい第2端が隣接する場合(S16:YES)、すなわち、これ以上二分探索を繰り返すことができない場合、最新の閾値を基準閾値と決定する(S17)。ここで、最新の閾値に対応する受光部は、第1端の受光部又は第2端の受光部となる。
図5は、本実施形態に係る光電センサ10により対象物100までの距離を測定する処理の第2フローチャートである。第2フローチャートは、第1フローチャートに続いて実行される。そのため、第1端と第2端は隣接しており、基準閾値に対応する受光部は、第1端の受光部又は第2端の受光部となっている。
光電センサ10は、第1端に位置する受光部のゲインと、第2端に位置する受光部のゲインとを初期設定する(S20)。具体的には、ゲインを0〜255の範囲で調整できるとき、第1端に位置する受光部のゲインと、第2端に位置する受光部のゲインとをそれぞれ129に設定してよい。
その後、光電センサ10は、閾値に対応する距離内に対象物が存在するか判定する(S21)。ここで、対象物100によって反射された光は、第1端に位置する受光部と、第2端に位置する受光部との間に集光されている。
閾値に対応する距離内に対象物が存在しない場合(S21:NO)、光電センサ10は、第2端に位置する受光部のゲインが所定値以上であるか判定する(S22)。ここで、所定値は、例えば200であってよい。第2端に位置する受光部のゲインが所定値以上でない場合(S22:NO)、光電センサ10は、第1端に位置する受光部のゲインと、第2端に位置する受光部のゲインを一単位増加させる。すなわち、第1端に位置する受光部のゲインを+1し、第2端に位置する受光部のゲインを+1する。その後、光電センサ10は、増加させたゲインの下で閾値に対応する距離内に対象物が存在するか判定し(S21)、閾値に対応する距離内に対象物が存在すると判定されるか(S21:YES)、第2端に位置する受光部のゲインが所定値以上であると判定されるまで(S22:YES)、以上の処理を繰り返す。
閾値に対応する距離内に対象物が存在すると判定されるか(S21:YES)、第2端に位置する受光部のゲインが所定値以上であると判定された場合(S22:YES)、光電センサ10は、最新のゲインを基準ゲインと決定する(S24)。そして、光電センサ10は、基準閾値及び基準受光ゲインを対象物100までの距離に変換する。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
[附記1]
第1端から第2端まで一列に並んで配置されている複数の受光部(10d)と、
前記複数の受光部(10d)のいずれかに対応する閾値を設定する閾値設定部(11)と、
対象物(100)によって反射された光を受光する基準受光部が前記第1端に位置する受光部から前記閾値に対応する受光部までに含まれるか否かに基づいて、前記閾値に対応する距離内に前記対象物が存在するか否かを判定する判定部(12)と、
前記閾値設定部により設定する前記閾値を変更しながら前記判定部(12)による判定を繰り返し、前記基準受光部に対応する基準閾値を探索する探索部(13)と、
前記基準閾値を前記対象物までの距離に変換する変換部(14)と、
を備える光電センサ(10)。
10…光電センサ、10a…CPU、10b…RAM、10c…ROM、10d…複数の受光部、10d1…第1PD、10d2…第2PD、10d128…第128PD、10e…入力部、10f…LED、11…閾値設定部、12…判定部、13…探索部、14…変換部

Claims (6)

  1. 第1端から第2端まで一列に並んで配置されている複数の受光部と、
    前記複数の受光部のいずれかに対応する閾値を設定する閾値設定部と、
    対象物によって反射された光を受光する基準受光部が前記第1端に位置する受光部から前記閾値に対応する受光部までに含まれるか否かに基づいて、前記閾値に対応する距離内に前記対象物が存在するか否かを判定する判定部と、
    前記閾値設定部により設定する前記閾値を変更しながら前記判定部による判定を繰り返し、前記基準受光部に対応する基準閾値を探索する探索部と、
    前記基準閾値を前記対象物までの距離に変換する変換部と、
    を備える光電センサ。
  2. 前記探索部は、
    前記判定部により前記閾値に対応する距離内に前記対象物が存在すると判定された場合に、前記閾値に対応する位置を新しい第2端とし、前記閾値設定部により、前記第1端と前記閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させ、
    前記判定部により前記閾値に対応する距離内に前記対象物が存在しないと判定された場合に、前記閾値に対応する位置を新しい第1端とし、前記閾値設定部により、前記第2端と前記閾値を二分する位置の受光部に対応するように新しい閾値を設定させる、
    請求項1に記載の光電センサ。
  3. 前記探索部は、前記新しい第1端と前記新しい第2端が隣接するまで探索を継続し、前記新しい第1端に位置する受光部及び前記新しい第2端に位置する受光部のゲインを変化させながら前記判定部による判定を繰り返し、前記新しい閾値に対応する受光部によって前記対象物によって反射された光が検出される基準ゲインを探索し、
    前記変換部は、前記基準閾値及び前記基準ゲインを前記対象物までの距離に変換する、
    請求項1又は2に記載の光電センサ。
  4. 前記変換部は、
    前記基準閾値が基準値以下である場合に第1変換式によって前記基準閾値を前記距離に変換し、
    前記基準閾値が基準値より大きい場合に第2変換式によって前記基準閾値を前記距離に変換する、
    請求項1から3のいずれか一項に記載の光電センサ。
  5. 前記判定部によって前記閾値に対応する距離内に前記対象物が存在するか否かを判定する第1モードと、前記判定部、前記探索部及び前記変換部によって前記対象物までの距離を測定する第2モードとを切り替える入力を受け付ける入力部をさらに備える、
    請求項1から4のいずれか一項に記載の光電センサ。
  6. 前記対象物に光を照射するLEDをさらに備える、
    請求項1から5のいずれか一項に記載の光電センサ。
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