JP2020043180A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板表面のシリコン含有膜をエッチングするにあたり、基板処理のスループットを向上させる。【解決手段】基板処理装置は、基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する。また、基板処理方法は、基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、フラッシュランプから前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させる昇華工程と、を有する。【選択図】図4
Description
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
特許文献1には、シリコン酸化膜のエッチング方法が開示されている。このエッチング方法は、シリコン酸化膜の表面に処理ガスを供給し、当該シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と、高温の加熱ガスによって反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有する。
本開示にかかる技術は、基板表面のシリコン含有膜をエッチングするにあたり、基板処理のスループットを向上させる。
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する。
本開示によれば、基板表面のシリコン含有膜をエッチングするにあたり、基板処理のスループットを向上させることができる。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えば特許文献1に開示されるように、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という場合がある。)の表面に形成されたシリコン酸化膜を、プラズマを用いずにドライエッチングする方法が知られている。かかるドライエッチング方法は、上述した変質工程と加熱工程を有している。
変質工程は、例えばCOR(Chemical Oxide Removal)処理であり、シリコン酸化膜の表面に処理ガスを供給し、シリコン酸化膜と処理ガスとを化学反応させ、当該シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する。加熱工程は、例えばPHT(Post Heat Treatment)であり、ウェハを収容した処理室に高温ガスを供給し、当該ウェハ上の反応生成物を昇華温度以上に加熱して気化(昇華)させる。これらCOR処理とPHT処理を連続的に行うことにより、シリコン酸化膜のエッチングが行われる。
PHT処理では、上述した高温ガスを用いる以外にも、例えばウェハを載置する載置台を加熱したり、あるいは反応生成物に赤外光を照射する場合などがある。しかしながら、いずれの場合でも、ウェハ全体が反応生成物の昇華温度以上に加熱されてしまう。そうすると、後続のプロセスを実行するためにウェハを冷却する時間が必要になり、ウェハ処理のスループットが低下する。
そこで、本開示にかかる技術は、ウェハ表面の酸化膜をエッチングするにあたり、ウェハ処理のスループットを向上させる。具体的には、酸化膜を変質させた反応生成物に対してフラッシュランプから光(以下、「フラッシュ光」という場合がある。)を照射し、当該反応生成物を昇華させる。本開示者らが鋭意検討した結果、このようにフラッシュランプを用いた場合、反応生成物を短時間で昇華させることができ、さらに反応生成物を昇華後のウェハを短時間で冷却して、結果的にウェハ処理のスループットを向上させることができることが分かった。
本開示者らは、先ず、フラッシュランプを用いた場合の、反応生成物の昇華効果について調べた。具体的には、反応生成物としてケイフッ化アンモニウム((NH4)2SiF6)、以下、「AFS」という場合がある。)がウェハ表面に生成された場合に、フラッシュランプを用いてAFSを加熱して昇華させる試験を行った。
本開示者らは、AFSの昇華効果を検証するにあたり、AFSの膜厚を測定した。図1は、ウェハ表面のAFSの膜厚分布を示す図である。図1(a)はAFSを昇華させる前の当該AFSの膜厚分布を示し、図1(b)及び(c)はフラッシュランプからAFSに光を照射した場合の当該AFSの膜厚分布を示している。また、図1(b)及び(c)では、AFSにおけるフラッシュ光の照射位置を変えている。具体的には、図1(b)のパターン1では、フラッシュ光をAFSのX軸正方向かつY軸負方向に照射した。図1(c)のパターン2では、フラッシュ光をAFSのX軸方向中央かつY軸負方向に照射した。図1(b)及び(c)を参照すると、フラッシュ光の照射位置とAFSの膜厚の減少位置が一致しており、フラッシュ光によりAFSが適切に昇華していることが分かる。
また本開示者らは、AFSの昇華効果を検証するにあたり、ウェハ表面の成分を分析した。表1は、試験条件と試験結果を示している。実施例である試験No.1〜3はそれぞれ、フラッシュランプからAFSに光を照射した場合であり、発光強度と雰囲気を変更している。具体的には、試験No.1における発光強度は小さく大気雰囲気であり、試験No.2における発光強度は小さくN2雰囲気であり、試験No.3における発光強度は大きく大気雰囲気である。なお、発光強度の大小は相対的なものであって、試験No.1〜2における発光強度は、試験No.3における発光強度より小さい。比較例である試験No.4〜5はそれぞれ、エキシマランプからAFSに光を照射した場合であり、照射時間(発光時間)を変更している。具体的には、試験No.4における照射時間は20分であり、試験No.5における照射時間は50分である。
試験は、XPS(X−ray Photoelectron Spectroscopy)法とIC(Ion Chromatography)法の2つの方法で行った。XPS法では、ウェハ表面から10nmの表層の成分を測定した。AFSはF(フッ素)とN(窒素)を含むため、FとNが0%であると、AFSが昇華していることを示す。IC法では、ウェハ表面におけるF(フッ素)イオン濃度を測定した。Fイオン濃度が10の13乗まで減少すると、AFSが昇華していることを示す。
XPS法とIC法のいずれの結果を参照しても、試験No.4〜5のエキシマランプを用いた場合、AFSを昇華させることができなかった。光の照射時間を長くしても、この結果は変わらない。一方、試験No.1〜3のフラッシュランプを用いた場合、AFSを昇華させることができた。この際、処理雰囲気は大気雰囲気でもN2雰囲気でもほぼ変わらず、AFSの昇華に影響がないことが分かった。また、発光強度は大きい方が、AFSを昇華させる効果が大きいことも分かった。
以上のように、フラッシュランプからAFSに光を照射すると、当該AFSが適切に昇華することが分かった。ここで、本開示者らはさらに鋭意検討した結果、AFSに光を照射して同じエネルギーを与える場合、光の出力、すなわち発光強度を高くし、照射時間を短くすると、AFSを昇華させた後のウェハの冷却時間(以下、「ウェハ冷却時間」という場合がある。)を短くできることが分かった。図2に示すように、パターンAとパターンBの面積(図中の斜線部)が同じであって、すなわち同じエネルギーを投入する場合、高出力で短時間のパターンAの方が、低出力で長時間のパターンBに比べて、ウェハ冷却時間を短時間にできる。以下、パターンAで照射される光を「高出力・短時間」といい、パターンBで照射される光を「低出力・長時間」という場合がある。この高出力・短時間の光を照射して、ウェハ冷却時間を短時間にできると、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。そして、この高出力・短時間の光照射を実現するのが、フラッシュランプなのである。
本開示者らは、高出力・短時間の光を照射してAFSを昇華させた場合に、ウェハの冷却時間を短くできる理由について、次の2つの理由を推察した。
1つ目の理由は、ウェハに投入されるエネルギーの体積に起因するものである。AFSを含むウェハ表面に光を照射した場合、ウェハ表層(ウェハ表面から数nmの層)が加熱されるが、その熱はある一定時間ウェハ表層にとどまり、すぐにウェハ内部に拡散するわけではない。
しかしながら、低出力・長時間の光を照射して、AFSを昇華させるための必要なエネルギーをウェハ表層に付与する場合、ウェハ表層をAFSの昇華温度まで加熱するのに時間がかかり、与えられた熱がウェハ内部に拡散してしまう。そうすると、ウェハ内部まで加熱されてしまうので、ウェハ冷却時間が長くなる。
これに対し、高出力・短時間の光を照射して、AFSを昇華させるための必要なエネルギーをウェハ表層に付与する場合、当該ウェハ表層の体積が小さいため、単位体積当たりのエネルギーが大きくなる。そうすると、ウェハ表層を短時間でAFSの昇華温度まで加熱することができ、ウェハ表層に付与された熱がウェハ内部に拡散するのを抑制できる。すなわち、ウェハ表層だけをAFSの昇華温度まで加熱することができ、AFSを昇華させることができる。かかる場合、ウェハ内部まで加熱されていないので、ウェハ冷却時間を短くすることができる。
2つ目の理由は、ウェハに投入されるエネルギーの量に起因するものである。低出力・長時間の光をウェハ表面に照射する場合、上述したようにウェハ表層に与えられた熱はウェハ内部に拡散してしまう。そうすると、ウェハ内部に拡散したエネルギーを補填するように光を照射する必要があるため、ウェハ表層をAFSの昇華温度まで加熱するのに必要なエネルギーの量が多くなる。そうすると、ウェハが内部まで加熱されてしまい。ウェハの平均温度が高くなり、ウェハ冷却時間が長くなる。
これに対し、高出力・短時間の光をウェハ表面に照射する場合、上述したようにウェハ表層を短時間でAFSの昇華温度まで加熱することができ、ウェハ表層に付与された熱がウェハ内部に拡散するのを抑制できる。このため、ウェハ表層をAFSの昇華温度まで加熱するのに必要なエネルギーの量を少なく抑えることがきる。そうすると、ウェハ全体の加熱を抑制することができ、ウェハの平均温度が低くなり、ウェハ冷却時間を短くすることができる。
以上のように、フラッシュランプからウェハ表面に高出力・短時間の光を照射することで、ウェハ冷却時間を短時間にでき、その結果ウェハ処理のスループットを向上させることができる。そして、本開示者らがさらに鋭意検討したところ、フラッシュランプから照射される光がパルス光であると、ウェハ冷却時間をさらに短時間にできることが分かった。これは、フラッシュランプからのパルス光は、より高い出力で、かつより短時間で照射されるからである。
以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図3は、本実施形態にかかるウェハ処理装置1の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置1が、基板としてのウェハWにCOR処理とPHT処理を行う処理モジュールを備える場合について説明する。なお、本開示のウェハ処理装置のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。
図3に示すようにウェハ処理装置1は、大気部10と減圧部11がロードロックモジュール20a、20bを介して一体に接続された構成を有している。大気部10では、大気圧雰囲気下においてウェハWの搬送及び処理が行われる。減圧部11では、減圧雰囲気下においてウェハWの搬送及び処理が行われる。
ロードロックモジュール20aは、大気部10の後述するローダーモジュール30から搬送されたウェハWを、減圧部11の後述するトランスファモジュール40に引き渡すため、ウェハWを一時的に保持する。ロードロックモジュール20aは、2枚のウェハWを重なるように保持する上部ストッカ21aと下部ストッカ21bを有している。
また、ロードロックモジュール20aは、ゲートバルブ22aが設けられたゲート22bを介して後述するローダーモジュール30に接続されている。このゲートバルブ22aにより、ロードロックモジュール20aとローダーモジュール30の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。また、ロードロックモジュール20aは、ゲートバルブ23aが設けられたゲート23bを介して後述するトランスファモジュール40に接続されている。このゲートバルブ23aにより、ロードロックモジュール20aとトランスファモジュール40の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
さらに、ロードロックモジュール20aにはガスを供給する給気部(図示せず)とガスを排出する排気部(図示せず)が接続され、当該給気部と排気部によって内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。すなわちロードロックモジュール20aは、大気圧雰囲気の大気部10と、減圧雰囲気の減圧部11との間で、適切にウェハWの受け渡しができるように構成されている。なお、ロードロックモジュール20bはロードロックモジュール20aと同様の構成を有しているため、説明を省略する。
大気部10は、ウェハ搬送機構(図示せず)を備えたローダーモジュール30と、複数のウェハWを保管可能なフープ31を載置するロードポート32と、を有している。
ローダーモジュール30は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール30の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば3つのロードポート32が並設されている。ローダーモジュール30の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール20a、20bが並設されている。また、ローダーモジュール30は、筐体の内部においてその長手方向に移動可能なウェハ搬送機構(図示せず)を有している。ウェハ搬送機構はロードポート32に載置されたフープ31とロードロックモジュール20a、20bとの間でウェハWを搬送できる。なお、ウェハ搬送機構の構成は、後述するウェハ搬送機構50の構成と同様である。
フープ31は複数のウェハWを等間隔で多段に重なるようにして収容する。また、ロードポート32に載置されたフープ31の内部は、例えば、大気や窒素ガス等で満たされて密閉されている。
減圧部11は、2枚のウェハWを同時に搬送するトランスファモジュール40と、トランスファモジュール40から搬送されたウェハWにCOR処理とPHT処理を順次行う処理モジュール41とを有している。トランスファモジュール40と処理モジュール41の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。なお、トランスファモジュール40には、処理モジュール41が複数、本実施形態においては例えば6つ設けられている。
トランスファモジュール40は内部が矩形の筐体からなる。トランスファモジュール40は、例えばロードロックモジュール20aに搬入されたウェハWを一の処理モジュール41に搬送し、COR処理とPHT処理を順次施す。その後、トランスファモジュール40は、ウェハWをロードロックモジュール20bを介して大気部10に搬出する。
処理モジュール41の内部には、2枚のウェハWを水平方向に並べて載置する、後述する2つの載置台101、101が設けられている。処理モジュール41は、載置台101、101にウェハWを並べて載置することにより、2枚のウェハWに対して同時にCOR処理又はPHT処理を行う。
トランスファモジュール40の内部には、ウェハWを搬送するウェハ搬送機構50が設けられている。ウェハ搬送機構50は、2枚のウェハWを重なるように保持して移動する搬送アーム51a、51bと、搬送アーム51a、51bを回転可能に支持する回転台52と、回転台52を搭載した回転載置台53とを有している。また、トランスファモジュール40の内部には、トランスファモジュール40の長手方向に延伸するガイドレール54が設けられている。回転載置台53はガイドレール54上に設けられ、ウェハ搬送機構50をガイドレール54に沿って移動可能に構成されている。
トランスファモジュール40は、上述したようにゲートバルブ23a、23aを介してロードロックモジュール20a、20bに接続されている。また、トランスファモジュール40には、ゲートバルブ55aが設けられたゲート55bを介して処理モジュール41が接続されている。かかるゲートバルブ55aにより、トランスファモジュール40と処理モジュール41の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
以上のウェハ処理装置1には制御部60が設けられている。制御部60は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置1におけるウェハWの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理をプロセッサにより制御するための制御プログラムや、処理条件に応じてウェハ処理装置1の各構成部にウェハWを処理するためのプログラム、例えば処理レシピが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部60にインストールされたものであってもよい。
次に、処理モジュール41の構成について説明する。図4は、処理モジュール41の構成の概略を示す縦断面図である。
処理モジュール41は、気密に構成された処理容器100と、処理容器100内でウェハWを載置する基板保持部としての2つの載置台101、101と、載置台101、101の上方から載置台101、101に向けて処理ガスを供給する給気部102と、各載置台101、101の上方から載置台101、101に向けて光を照射するフラッシュランプ103と、を有している。
処理容器100は、例えば略方体状の容器である。処理容器100は、平面視の形状が例えば略矩形であり、上面及び下面が開口した筒状の側壁110と、側壁110の上面を気密に覆う天井板111と、側壁110の下面を覆う底板112と、を有している。側壁110と底板112はそれぞれ、例えばアルミニウム、ステンレス等の金属からなる。天井板111は、フラッシュランプ103からの光を透過させる材料、例えば石英からなる。側壁110の上端面と天井板111との間には、処理容器100内を気密に保つシール部材(図示せず)が設けられている。また、処理容器100にはヒータ(図示せず)が設けられ、底板112には断熱材(図示せず)が設けられている。処理容器100の内部は隔壁113によって2つの処理空間Sに区画され、各処理空間Sに載置台101が配設されている。
載置台101は、略円筒形状に形成されている。載置台101の内部には、ウェハWの温度を調節する温度調節機構120が内蔵されている。温度調節機構120は、例えば水などの冷媒を循環させることにより載置台101の温度を調節し、載置台101上のウェハWの温度を所定の温度に制御する。
また、底板112における載置台101の下方の位置には、支持ピンユニット(図示せず)が設けられており、処理モジュール41の外部に設けられたウェハ搬送機構50との間でウェハWを受け渡し可能に構成されている。
給気部102は、載置台101に載置されたウェハWに処理ガスを供給するシャワーヘッド130を有している。シャワーヘッド130は、処理容器100の天井板111の下面において、各載置台101、101に対向して個別に設けられている。すなわち、隔壁113によって区画された各処理空間Sに対して、シャワーヘッド130は処理ガスを処理ガスを供給する。シャワーヘッド130は、例えば下面が開口し、天井板111の下面に支持された略円筒形の枠体131と、当該枠体131の内側面に嵌め込まれた略円板状のシャワープレート132と、を有している。シャワープレート132は、枠体131の天井部と所定の距離を離して設けられている。これにより、枠体131の天井部とシャワープレート132の上面との間には空間133が形成されている。また、シャワープレート132には、当該シャワープレート132を厚み方向に貫通する開口134が複数形成されている。なお、枠体131とシャワープレート132はそれぞれ、フラッシュランプ103からの光を透過させる材料、例えば石英からなる。
シャワーヘッド130の空間133には、ガス供給管135を介してガス供給源136が接続されている。ガス供給源136は、処理ガスとして例えばフッ化水素(HF)ガスやアンモニア(NH3)ガスなどを供給可能に構成されている。そのため、ガス供給源136から供給された処理ガスは、空間133、シャワープレート132を介して、各載置台101、101上に載置されたウェハWに向かって供給される。また、ガス供給管135には処理ガスの供給量を調節する流量調節機構137が設けられており、各ウェハWに供給する処理ガスの量を個別に制御できるように構成されている。なお、シャワーヘッド130は、例えば複数種類の処理ガスを混合することなく個別に供給可能なポストミックスタイプであってもよい。
なお、処理容器100には、各処理空間S内を排気する排気部(図示せず)が設けられている。
フラッシュランプ103は、処理容器100の天井板111の上面において、各載置台101、101に対向して個別に設けられている。すなわち、フラッシュランプ103は大気雰囲気中に設置される。上述したように天井板111とシャワーヘッド130が例えば石英から構成されているため、図4中の点線矢印に示すように、フラッシュランプ103からの光(フラッシュ光)は天井板111とシャワーヘッド130を透過する。そしてフラッシュ光は、載置台101に載置されたウェハWの表面に照射される。
フラッシュランプ103は、上述したように高出力・短時間の光であって、パルス光を、載置台101に載置されたウェハWの表面に照射する。フラッシュ光が照射される時間は、照射時間全体としては例えば数百μ秒〜数十m秒であり、その短時間のパルス幅としては例えば数百μ秒〜数m秒となる。また、フラッシュランプ103には、例えばキセノンフラッシュランプが用いられる。キセノンフラッシュランプのからの光の波長は1000nm以下であり、当該光はほぼすべて、シリコンからなるウェハWに吸収される。なお、フラッシュ光は、上述した照射時間で複数回連続して照射されてもよい。
そしてフラッシュランプ103は、ウェハWの表面を例えば80℃〜400℃に加熱する。ウェハWの表面に形成されたAFSの昇華温度は約80℃であり、フラッシュランプ103は、この昇華温度以上にウェハWの表面を加熱する。また、ウェハWの表面が400℃を超えると、ウェハWやデバイスが損傷を被るおそれがあるため、フラッシュランプ103は、400℃以下にウェハWの表面を加熱する。
ウェハ処理装置1は以上のように構成されており、次に、ウェハ処理装置1におけるウェハ処理について説明する。
先ず、複数のウェハWを収容したフープ31がロードポート32に載置される。なお、ウェハWの表面には、酸化膜としてのSiO2膜が形成されている、
その後、ローダーモジュール30によって、フープ31から2枚のウェハWが取り出され、ロードロックモジュール20aに搬入される。ロードロックモジュール20aに2枚のウェハWが搬入されると、ゲートバルブ22aが閉じられ、ロードロックモジュール20a内が密閉され、減圧される。その後、ゲートバルブ23aが開放され、ロードロックモジュール20aの内部とトランスファモジュール40の内部が連通される。
次に、ロードロックモジュール20aとトランスファモジュール40が連通すると、ウェハ搬送機構50の搬送アーム51aによって2枚のウェハWが重なるように保持され、ロードロックモジュール20aからトランスファモジュール40に搬入される。続いて、ウェハ搬送機構50が一の処理モジュール41の前まで移動する。
次に、ゲートバルブ55aが開放され、2枚のウェハWを保持する搬送アーム51aが処理モジュール41に進入する。そして、搬送アーム51aから2つの載置台101、101のそれぞれに、1枚ずつウェハWが載置される。具体的には、SiO2膜が形成されたウェハWの表面が上方を向いた状態で、当該ウェハWの裏面が載置台101に載置される。その後、搬送アーム51aは処理モジュール41から退出する。
次に、搬送アーム51aが処理モジュール41から退出すると、ゲートバルブ55aが閉じられる。そして、排気部(図示せず)により処理容器100の内部が所定の圧力まで排気されて減圧され、減圧雰囲気下で2枚のウェハWに対してCOR処理とPHT処理が順次行われる。
COR処理においては、ガス供給源136から処理空間Sに処理ガスが供給され、ウェハWの表面に形成されたSiO2膜に当該処理ガスが供給される。この際、載置台101上のウェハWは、温度調節機構120により、例えば20℃〜60℃に調節されている。そしてSiO2膜が変質して、反応生成物であるAFSが生成される。
その後、PHT処理においては、フラッシュランプ103からウェハWの表面に形成されたAFSに光を照射する。このフラッシュ光は、例えば1/1000秒の短時間照射される。また、フラッシュ光はパルス光であり、そのパルス幅は数十μ秒〜数百μ秒である。さらに、AFSにフラッシュ光を照射する際、載置台101上のウェハWは、温度調節機構120により、例えば20℃〜60℃に調節されている。そしてフラッシュ光により、ウェハWの表面は80℃〜400℃に加熱され、AFSが昇華する。
このようにPHT処理中、フラッシュランプ103から高出力・短時間の光がウェハWの表面に照射される。しかも、フラッシュ光はパルス光である。このため、上述したようにAFSを昇華させた後のウェハの冷却時間を短くすることができる。
また、PHT処理中、ウェハWは20℃〜60℃に温度調節されている。すなわち、フラッシュランプ103からウェハWの表面に光を照射した際、当該ウェハWの表面のみが瞬間的に80℃〜400℃に加熱されるが、ウェハ全体としては加熱されない。このため、AFSを昇華させた後のウェハの冷却時間をさらに短くすることができる。
次に、COR処理とPHT処理が終了すると、ゲートバルブ55aが開放され、搬送アーム51aが処理モジュール41に進入する。そして、2つの載置台101、101から搬送アーム51aに2枚のウェハWが受け渡され、搬送アーム51aで2枚のWが重なるように保持される。その後、搬送アーム51aは処理モジュール41から退出し、ゲートバルブ55aが閉じられる。
その後、ゲートバルブ23aが開放され、ウェハ搬送機構50によって2枚のウェハWがロードロックモジュール20bに搬入される。ロードロックモジュール20b内にウェハWが搬入されると、ゲートバルブ23aが閉じられ、ロードロックモジュール20b内が密閉され、大気開放される。その後、ローダーモジュール30によって、ロードポート32に載置されたフープ31に戻され、ウェハ処理装置1におけるウェハ処理が完了する。
以上、本実施形態によれば、処理モジュール41において、PHT処理中、フラッシュランプ103から高出力・短時間の光であって、パルス光がウェハWの表面に照射される。このため、例えば特許文献1に記載されたような従来のPHT処理に比べて、フラッシュ光を用いることでPHT処理自体の時間を短くすることができる。また、上述したように高出力・短時間のフラッシュ光を用いることで、AFS昇華後のウェハ冷却時間を短くすることができる。したがって、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
また、PHT処理中、ウェハWは20℃〜60℃に温度調節されているので、当該ウェハWの表層のみを瞬間的に80℃〜400℃に加熱することができる。このため、AFS昇華後のウェハ冷却時間をさらに短くすることができる。
また、COR処理は、ウェハWが例えば20℃〜60℃の低温に調節された状態で行われる。このような低温環境下でCOR処理を行う場合、高温環境下でCOR処理を行う場合に比べて、ウェハWの表面に形成されたSiO2膜の表面粗さ(ラフネス)を改善することができる。また、低温環境下でCOR処理を行う場合、次に、例えばSiN膜をマスクとしてSiO2膜をエッチングする際のSiN膜に対する選択比が高くなり、さらに高アスペクト比のエッチングにも対応することができるようになる。
ここで、高温環境下でCOR処理を行う場合、AFSを昇華させる温度での処理が行われるが、AFSの残留がゼロではない。そしてこの残留するAFSがマスクとなり、SiO2膜の表面粗さが悪化する。また、処理ガスがSiO2膜に吸着する確率が低下し、当該処理ガスが不均一に吸着することになり、かかる要因によってもSiO2膜の表面粗さが悪化する。また、処理ガスの吸着確率が低下するため、処理圧力を大きくしないとエッチングが進行しないが、処理圧力を大きくするとSiN膜が削れはじめるため、SiN膜に対する選択比が悪化する。さらに、処理圧力を大きくすると、エッチャントが穴底もしくはスリット底に到達しにくくなるため、高アスペクト比のエッチングに対して不利になる。このように高温環境下でCOR処理を行う場合、SiO2膜の表面粗さとSiN膜に対する選択比が悪化し、さらに高アスペクト比のエッチングに対応できにくくなる。これに対して本実施形態では、低温環境下でCOR処理を行い、これらを改善することができる。
また、フラッシュランプ103は処理モジュール41に設けられているので、従来のウェハ処理装置のPHTモジュールを別途設ける必要がない。すなわち、従来のPHTモジュールに代えて、COR処理とPHT処理を連続して行う処理モジュール41を設けることができ、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
また、従来のウェハ処理装置のPHTモジュールに代えて、他のモジュール、例えばウェハWに対してリモートプラズマで活性化されたラジカルを用いた処理を行うRST処理モジュールを設けてもよい。このように、ウェハ処理装置1に設置するモジュールの自由度が向上する。
ここで、上述したようにCOR処理を、ウェハWが例えば20℃〜60℃の低温に調節された状態で行う場合、一度のCOR処理でエッチングできる厚みは制限される。このため、所望のエッチング厚みを達成するために、同一のウェハWに対してCOR処理とPHT処理を複数回繰り返し行う場合がある。
また、このようにCOR処理とPHT処理を繰り返し行う場合、PHT処理で加熱されたウェハWに対して、再び低温環境下のCOR処理を行うためには、当該加熱されたウェハを冷却してから、COR処理を行う必要がある。以下、このウェハの冷却処理を、「CST(Cooling Storage)処理」という。そして、COR処理、PHT処理及びCST処理からなる処理サイクルを繰り返し行うことが要求される場合がある。
本実施形態は、このように低温環境下でCOR処理を行うための、上述した処理サイクルを繰り返し行う際にも有用である。すなわち、本実施形態ではPHT処理においてウェハWの表層のみを加熱し、ウェハ全体は加熱されない。このため、PHT処理が終了してからCST処理を行うことなく、COR処理を行うことができる。特に、本実施形態のウェハ処理装置1では、処理モジュール41においてCOR処理とPHT処理が行われるので、当該COR処理とPHT処理からなる処理サイクルを繰り返し行うことができる。したがって本実施形態では、処理サイクルを繰り返し行う場合の、ウェハ処理のスループットを向上させることができる。
次に、他の実施形態にかかるウェハ処理装置1の構成について説明する。以上の実施形態では、フラッシュランプ103は処理モジュール41に設けられていたが、当該フラッシュランプ103の設置場所はこれに限定されない。
図5は、他の実施形態にかかるウェハ処理装置200の構成の概略を示す平面図である。ウェハ処理装置200は、ウェハ処理装置1の処理モジュール41に代えて、CORモジュール201と、加熱モジュールとしてのPHTモジュール202を有している。CORモジュール201とPHTモジュール202はそれぞれ、トランスファモジュール40の長手方向に沿って、複数、本実施形態においては例えば3つ設けられている。
CORモジュール201の内部には、2枚のウェハWを水平方向に並べて載置する2つの載置台210、210が設けられている。CORモジュール201は、載置台210、210にウェハWを並べて載置することにより、2枚のウェハWに対して同時にCOR処理を行う。また、CORモジュール201には、処理ガスやパージガス等を供給する給気部(図示せず)とガスを排出する排気部(図示せず)が接続されている。
PHTモジュール202の内部には、2枚のウェハWを水平方向に並べて載置する2つの載置台211、211が設けられている。また、PHTモジュール202の天井板(図示せず)の上面には、載置台211、211に対向してフラッシュランプ103、103が設けられている。天井板には例えば石英が用いられ、フラッシュランプ103からの光は天井板を透過して、載置台211に載置されたウェハWの表面に照射される。そして、PHTモジュール202では、載置台211、211にウェハWを並べて載置することにより、2枚のウェハWに対して同時にPHT処理が行われる。
本実施形態のウェハ処理装置200でも、上記実施形態のウェハ処理装置1と同様の効果を享受できる。
図6は、他の実施形態にかかるウェハ処理装置300の構成の概略を示す平面図である。ウェハ処理装置300は、ウェハ処理装置1の処理モジュール41に代えて、CORモジュール301を有している。
CORモジュール301の内部には、2枚のウェハWを水平方向に並べて載置する2つの載置台310、310が設けられている。CORモジュール301は、載置台310、310にウェハWを並べて載置することにより、2枚のウェハWに対して同時にCOR処理を行う。また、CORモジュール301には、処理ガスやパージガス等を供給する給気部(図示せず)とガスを排出する排気部(図示せず)が接続されている。
ウェハ処理装置300において、フラッシュランプ103はウェハWの搬送経路に設けられる。フラッシュランプ103は、例えばロードロックモジュール20bに設けられてもよい。具体的にフラッシュランプ103は、ロードロックモジュール20bの天井板(図示せず)の上面において、上部ストッカ21aに対向して設けられている。天井板には例えば石英が用いられ、フラッシュランプ103からの光は天井板を透過して、上部ストッカ21a又は下部ストッカ21bに保持されたウェハWの表面に照射される。そして、ロードロックモジュール20bでは、CORモジュール301でCOR処理がされたウェハWに対してPHT処理が行われる。
本実施形態のウェハ処理装置300でも、上記実施形態のウェハ処理装置1と同様の効果を享受できる。なお、ウェハ処理装置300において、フラッシュランプ103の設置場所はロードロックモジュール20bに限定されない。例えばフラッシュランプ103は、ローダーモジュール30の天井板に設けられてもよい。あるいは、例えばフラッシュランプ103は、ローダーモジュール30に隣接した別モジュールを設け、当該別モジュールに設置されていてもよい。
以上のウェハ処理装置1、200、300のように、フラッシュランプ103の設置場所は自由に選択できる。例えばプロセス要求に応じて、フラッシュランプ103の設置場所を決定してもよい。
以上の実施形態では、フラッシュランプ103としてキセノンフラッシュランプを用いた場合について説明したが、これに限定されない。例えばフラッシュランプ103として、LEDを照射するフラッシュランプを用いてもよい。
以上の実施形態では、COR処理において酸化膜を変質させ、反応生成物としてケイフッ化アンモニウム(AFS)を生成する場合について説明してしたが、反応生成物はこれに限定されない。例えば、反応生成物として、フッ化アンモニウムを生成してもよい。
以上の実施形態では、COR処理において酸化膜を変質させる場合について説明したが、本開示の対象は酸化膜に限定されず、シリコン含有膜であればよい。例えば、SiNやSiをエッチングする場合にも、本開示は適用できる。なお、SiNをプラズマエッチングする場合には、処理ガスとしてNF3ガス、H2ガス、O2ガスを用いる。Siをプラズマエッチングする場合には、処理ガスとしてNF3ガス、H2ガスを用いる。Siをノンプラズマエッチング(ガスエッチング)する場合には、処理ガスとしてF2ガス、NH3ガスを用いる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)基板を処理する基板処理装置であって、
基板の表面に形成された酸化膜に処理ガスを供給し、当該酸化膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、
前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する、基板処理装置。
前記(1)によれば、フラッシュランプから反応生成物に高出力・短時間の光を照射するので、短時間で反応生成物を昇華させることができ、また反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間を短時間にすることができる。その結果、基板処理のスループットを向上させることができる。
(1)基板を処理する基板処理装置であって、
基板の表面に形成された酸化膜に処理ガスを供給し、当該酸化膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、
前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する、基板処理装置。
前記(1)によれば、フラッシュランプから反応生成物に高出力・短時間の光を照射するので、短時間で反応生成物を昇華させることができ、また反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間を短時間にすることができる。その結果、基板処理のスループットを向上させることができる。
(2)前記フラッシュランプから照射される前記光は、パルス光である、前記(1)に記載の基板処理装置。
前記(2)によれば、フラッシュランプからのパルス光は、より高い出力で、かつより短時間で照射されるため、反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間をさらに短時間することができる。
前記(2)によれば、フラッシュランプからのパルス光は、より高い出力で、かつより短時間で照射されるため、反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間をさらに短時間することができる。
(3)基板の温度を調節する温度調節機構を備え、当該基板の裏面を保持する基板保持部を有し、
前記フラッシュランプは、前記基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して前記光を照射する、前記(1)又は(2)に記載の基板処理装置。
前記(3)によれば、基板を所定温度に調節することができるので、フラッシュランプからの光を用いて基板の表層のみを瞬間的に加熱することができ、反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間をさらに短時間することができる。
前記フラッシュランプは、前記基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して前記光を照射する、前記(1)又は(2)に記載の基板処理装置。
前記(3)によれば、基板を所定温度に調節することができるので、フラッシュランプからの光を用いて基板の表層のみを瞬間的に加熱することができ、反応生成物を昇華させた後の基板の冷却時間をさらに短時間することができる。
(4)前記フラッシュランプは、前記処理モジュールに設けられている、前記(1)〜(3)のいずれか一に記載の基板処理装置。
前記(4)によれば、処理モジュールにおいて、酸化膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、当該反応生成物を昇華させる昇華工程とを順次行うことができる。このため、従来のように変質工程と昇華工程を別モジュールで行う場合に比べて、基板のスループットを向上させることができる。
前記(4)によれば、処理モジュールにおいて、酸化膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、当該反応生成物を昇華させる昇華工程とを順次行うことができる。このため、従来のように変質工程と昇華工程を別モジュールで行う場合に比べて、基板のスループットを向上させることができる。
(5)基板に加熱処理を行う加熱モジュールを有し、
前記フラッシュランプは、前記加熱モジュールに設けられている、前記(1)〜(3)のいずれか一に記載の基板処理装置。
(6)前記フラッシュランプは、前記処理モジュールに基板を搬送する搬送経路に設けられている、前記(1)〜(3)のいずれか一に記載の基板処理装置。
前記(5)又は(6)のように、フラッシュランプの設置場所は自由に選択することができる。
前記フラッシュランプは、前記加熱モジュールに設けられている、前記(1)〜(3)のいずれか一に記載の基板処理装置。
(6)前記フラッシュランプは、前記処理モジュールに基板を搬送する搬送経路に設けられている、前記(1)〜(3)のいずれか一に記載の基板処理装置。
前記(5)又は(6)のように、フラッシュランプの設置場所は自由に選択することができる。
(7)基板を処理する基板処理方法であって、
基板の表面に形成された酸化膜に処理ガスを供給し、当該酸化膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、
フラッシュランプから前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させる昇華工程と、を有する、基板処理装置。
(8)前記昇華工程において、前記フラッシュランプから照射される前記光は、パルス光である、前記(7)に記載の基板処理方法。
(9)前記昇華工程において、基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して、前記フラッシュランプから前記光を照射する、前記(7)又は(8)に記載の基板処理方法。
基板の表面に形成された酸化膜に処理ガスを供給し、当該酸化膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、
フラッシュランプから前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させる昇華工程と、を有する、基板処理装置。
(8)前記昇華工程において、前記フラッシュランプから照射される前記光は、パルス光である、前記(7)に記載の基板処理方法。
(9)前記昇華工程において、基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して、前記フラッシュランプから前記光を照射する、前記(7)又は(8)に記載の基板処理方法。
1 ウェハ処理装置
41 処理モジュール
103 フラッシュランプ
W ウェハ
41 処理モジュール
103 フラッシュランプ
W ウェハ
Claims (13)
- 基板を処理する基板処理装置であって、
基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する処理モジュールと、
前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させるフラッシュランプと、を有する、基板処理装置。 - 前記フラッシュランプから照射される前記光は、パルス光である、請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板の温度を調節する温度調節機構を備え、当該基板の裏面を保持する基板保持部を有し、
前記フラッシュランプは、前記基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して前記光を照射する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記フラッシュランプは、前記処理モジュールに設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に加熱処理を行う加熱モジュールを有し、
前記フラッシュランプは、前記加熱モジュールに設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記フラッシュランプは、前記処理モジュールに基板を搬送する搬送経路に設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記反応生成物は、ケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスは、フッ素含有ガスと水素含有ガスを含む、請求項7に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する基板処理方法であって、
基板の表面に形成されたシリコン含有膜に処理ガスを供給し、当該シリコン含有膜を変質して反応生成物を生成する変質工程と、
フラッシュランプから前記反応生成物に光を照射し、当該反応生成物を昇華させる昇華工程と、を有する、基板処理方法。 - 前記昇華工程において、前記フラッシュランプから照射される前記光は、パルス光である、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記昇華工程において、基板保持部に温度調節されながら保持された基板に対して、前記フラッシュランプから前記光を照射する、請求項9又は10に記載の基板処理方法。
- 前記反応生成物は、ケイフッ化アンモニウム又はフッ化アンモニウムである、請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理ガスは、フッ素含有ガスと水素含有ガスを含む、請求項12に記載の基板処理方法。
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