JP2020036010A - Method for manufacturing multilayer printed wiring board, resin film and multilayer printed wiring board - Google Patents

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Abstract

To provide a resin film capable of manufacturing a multilayer printed wiring board excellent in transmission performance.SOLUTION: A resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and has exothermic peak top temperature of 130°C or higher and 200°C or lower in measurement with a differential scanning calorimeter, in which among exothermic peaks having an exothermic peak top temperature of 130°C or higher and 200°C or lower, when a peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is represented by T°C, a dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of a resin film when being cured at (T+50)°C for 1.5 hours is represented by Df, and a dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of a resin film when being cured at (T+50)°C for 7.5 hours is represented by Df, a ratio of Dfto Dfis 0.9 or more and 1.15 or less.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む樹脂フィルムに関する。また、本発明は、上記樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に関する。   The present invention relates to a resin film containing a thermosetting compound and an inorganic filler. The present invention also relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board using the above resin film and a multilayer printed wiring board.

多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂材料がフィルム化された樹脂フィルムが用いられることがある。上記絶縁層の表面には、一般に金属である配線が積層される。   In a multilayer printed wiring board, a resin film in which a resin material is formed into a film may be used to form an insulating layer for insulating internal layers or to form an insulating layer located on a surface portion. is there. On the surface of the insulating layer, a wiring generally made of metal is laminated.

上記多層プリント配線板の製造方法は、一般に、以下の(1)〜(4)の工程を備える。(1)配線回路層の表面上に樹脂フィルムを積層する工程。(2)樹脂フィルムを硬化させて絶縁層を形成する工程。(3)絶縁層の表面上に配線回路層を配置する工程。(4)上記(1)〜(3)を繰り返す工程。上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であったり、レーザー方式又はインクジェット方式によって形成された配線回路であったりする。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board generally includes the following steps (1) to (4). (1) A step of laminating a resin film on the surface of the wiring circuit layer. (2) A step of curing the resin film to form an insulating layer. (3) A step of disposing a wiring circuit layer on the surface of the insulating layer. (4) A step of repeating the above (1) to (3). The wiring circuit layer may be a wiring circuit formed by plating and etching, or a wiring circuit formed by a laser method or an inkjet method.

上記樹脂フィルムに用いることができる樹脂組成物の一例として、下記の特許文献1には、エポキシ化合物と、活性エステル化合物と、充填材とを含む硬化性エポキシ組成物が開示されている。特許文献1には、この硬化性エポキシ組成物(樹脂フィルム)の硬化物を、多層プリント配線板等の絶縁層として用いることができることが記載されている。   As an example of a resin composition that can be used for the resin film, Patent Document 1 below discloses a curable epoxy composition containing an epoxy compound, an active ester compound, and a filler. Patent Document 1 describes that a cured product of the curable epoxy composition (resin film) can be used as an insulating layer of a multilayer printed wiring board or the like.

特開2015−143302号公報JP 2015-143302 A

多層プリント配線板の製造方法では、樹脂フィルムを加熱して硬化することにより絶縁層が形成される。したがって、上記(1)〜(3)の工程が繰り返されると、後期に積層された樹脂フィルムよりも初期に積層された樹脂フィルムの方が、より多くの回数かつより長い時間加熱される。樹脂フィルム(絶縁層)が繰り返し加熱されると、絶縁層の電気特性(誘電率及び誘電正接)が変化することがある。この結果、得られる多層プリント配線板において、伝送路のインピーダンスにミスマッチが生じ、伝送損失が大きくなることがある。また、絶縁層の誘電正接が大きくなる場合には、伝送損失がより一層大きくなることがある。   In a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, an insulating layer is formed by heating and curing a resin film. Therefore, when the above-mentioned steps (1) to (3) are repeated, the resin film laminated at an earlier stage is heated more times and for a longer time than the resin film laminated at a later stage. When the resin film (insulating layer) is repeatedly heated, the electrical characteristics (dielectric constant and dielectric loss tangent) of the insulating layer may change. As a result, in the obtained multilayer printed wiring board, a mismatch may occur in the impedance of the transmission line, and the transmission loss may increase. In addition, when the dielectric loss tangent of the insulating layer is increased, the transmission loss may be further increased.

なお、初期に積層されて形成される絶縁層の電気特性の変化を抑えるために、後期段階での加熱温度を穏やかにすると、後期に積層された樹脂材料を十分に硬化させることが困難である。また、後期段階での加熱温度を緩やかにし、かつ長時間加熱することは、製造時間が長くなるため好ましくない。   Note that if the heating temperature in the late stage is moderated in order to suppress the change in the electrical characteristics of the insulating layer formed by being laminated initially, it is difficult to sufficiently cure the resin material laminated in the latter stage. . Slowing the heating temperature in the latter stage and heating for a long time is not preferable because the production time becomes long.

さらに、リフロー工程時には、絶縁層が高温(例えば260℃以上)に晒されるため、絶縁層の電気特性が変化し、多層プリント配線板の伝送性能が低下しやすい。   Furthermore, since the insulating layer is exposed to a high temperature (for example, 260 ° C. or higher) during the reflow process, the electrical characteristics of the insulating layer change, and the transmission performance of the multilayer printed wiring board tends to deteriorate.

従来の樹脂材料では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層との双方で電気特性を良好にすることは困難である。   With a conventional resin material, it is difficult to improve the electrical characteristics of both an insulating layer formed by lamination at an early stage and an insulating layer formed by lamination at a later stage.

本発明の目的は、伝送性能に優れる多層プリント配線板を製造することができる樹脂フィルムを提供することである。また、本発明の目的は、伝送性能に優れる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a resin film capable of manufacturing a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance. Another object of the present invention is to provide a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance and a method for manufacturing the multilayer printed wiring board.

本発明の広い局面によれば、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃としたときに、1層目〜6層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下であり、得られる多層プリント配線板における1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、得られる多層プリント配線板における5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比を、0.96以上1.05以下にする、多層プリント配線板の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately stacked on a circuit board, wherein a plurality of insulating layers are formed using a resin film. A method of manufacturing a multilayer printed wiring board for forming a layer, wherein a first insulating layer is formed on a circuit board using a resin film, and a first wiring circuit is formed on the first insulating layer. Forming a layer to form a first insulating-wiring circuit composite layer, and forming a second insulating layer using a resin film on the first insulating-wiring circuit composite layer; Forming a second wiring circuit layer on the second insulating layer to form a second insulating-wiring circuit composite layer; and forming a second insulating-wiring circuit composite layer on the second insulating circuit layer. Forming a third insulating layer using a resin film, and forming a third wiring circuit layer on the third insulating layer. Forming a third insulating-wiring circuit composite layer, forming a fourth insulating layer using a resin film on the third insulating-wiring circuit composite layer, Forming a fourth wiring circuit layer on the fourth insulating layer to form a fourth insulating-wiring circuit composite layer; and forming a resin on the fourth insulating-wiring circuit composite layer. Forming a fifth insulating layer using a film, forming a fifth wiring circuit layer on the fifth insulating layer, and forming a fifth insulating-wiring circuit composite layer; And forming a sixth insulating layer using a resin film on the fifth insulating-wiring circuit composite layer, and forming a sixth wiring circuit layer on the sixth insulating layer. Forming a sixth insulating-wiring circuit composite layer, wherein the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and In the measurement with the differential scanning calorimeter, the peak has an exothermic peak top temperature of 130 ° C or higher and 200 ° C or lower, and the maximum peak height among the exothermic peaks having the exothermic peak top temperature of 130 ° C or higher and 200 ° C or lower. When the peak temperature of the heat generation peak having T is set to T ° C., in each of the steps of forming the first to sixth layers of the insulating-wiring circuit composite layer, the heating temperature for fully curing the resin film is , (T + 30) ℃ least (T + 80) ℃ or less, the transmission loss of the first-layer wiring circuit layer in a multilayer printed wiring board obtained absolute value as IL 1, 5-layer in the multilayer printed wiring board obtained in when the absolute value of the transmission loss of the wiring circuit layer has a IL 5, the ratio of IL 5 of IL 1, to 0.96 to 1.05, a method for manufacturing a multilayer printed circuit board It is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとし、得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとしたときに、DfのDfに対する比を、0.9以上1.15以下にする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the dielectric loss tangent in the frequency 10GHz of first insulating layer in the multilayer printed wiring board obtained as Df 1, in the multilayer printed wiring board obtained the dielectric loss tangent in the frequency 10GHz five-layer insulating layer when the Df 5, the ratio Df 5 of Df 1, to 0.9 to 1.15.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、190℃以上200℃以下である。   In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the heating temperature for fully curing the resin film is 190 ° C or more and 200 ° C or less.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する。   In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, an insulating layer is formed using a resin film on an insulating-wiring circuit composite layer, and a wiring circuit layer is formed on the insulating layer. By repeating the process, seven or more insulating-wiring circuit composite layers are formed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。   In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the thermosetting compound includes an epoxy compound.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とし、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf7.5hとしたときに、Df7.5hのDf1.5hに対する比が、0.9以上1.15以下である、樹脂フィルムが提供される。 According to a wide aspect of the present invention, it includes a thermosetting compound and an inorganic filler, and has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, as measured by a differential scanning calorimeter, and has a temperature of 130 ° C. or more. Among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 200 ° C. or less, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is defined as T ° C., and the frequency of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours. the dielectric loss tangent at 10GHz and Df 1.5 h, the dielectric loss tangent in the frequency 10GHz of the cured product of the resin film was cured for 7.5 hours at (T + 50) ℃ when the Df 7.5h, Df 7.5h Wherein the ratio of Df to 1.5 h is 0.9 or more and 1.15 or less.

本発明に係る樹脂フィルムのある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。   In a specific aspect of the resin film according to the present invention, the thermosetting compound includes an epoxy compound.

本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。   The resin film according to the present invention is suitably used for heating at 190 ° C. or more and 200 ° C. or less to fully cure the resin film to form an insulating layer.

本発明に係る樹脂フィルムは、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために好適に用いられる。   The resin film according to the present invention is suitably used for forming a plurality of insulating layers in a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board.

本発明の広い局面によれば、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、前記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層と、2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層と、3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層と、4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層と、5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層と、6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比が、0.96以上1.05以下である、多層プリント配線板が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer are provided, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately laminated on the circuit board. A first insulating-wiring circuit composite layer composed of a first insulating layer and a first wiring circuit layer on the circuit board, and a second insulating layer And a second insulating-wiring circuit composite layer configured by the second wiring circuit layer and a third insulating-wiring circuit configured by the third insulating layer and the third wiring circuit layer Composed of a composite layer, a fourth insulating-wiring circuit composite layer composed of a fourth insulating layer and a fourth wiring circuit layer, and a fifth insulating layer and a fifth wiring circuit layer Composed of a fifth insulating-wiring circuit composite layer, a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer At least a layer of an insulating-wiring circuit composite layer, wherein the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film has a temperature of 130 ° C. or higher, as measured by a differential scanning calorimeter. When the exothermic peak top temperature is below 200 ° C. and the absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer is IL 1 and the absolute value of the transmission loss of the fifth wiring circuit layer is IL 5 , Wherein the ratio of IL 1 to IL 5 is 0.96 or more and 1.05 or less.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、1層目〜6層目の上記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、得られる多層プリント配線板における1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、得られる多層プリント配線板における5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比を、0.96以上1.05以下にする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board, using a resin film. And a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which a plurality of insulating layers are formed. According to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a first insulating layer is formed on a circuit board using a resin film, and a first wiring circuit layer is formed on the first insulating layer. To form a first insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a second insulating layer using a resin film on the first insulating-wiring circuit composite layer, and forming the second insulating layer on the second insulating layer. Forming a second wiring circuit layer, and forming a second insulating-wiring circuit composite layer. The method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a third insulating layer using a resin film on the second insulating-wiring circuit composite layer, and forming the third insulating layer on the third insulating layer. Forming a third wiring circuit layer to form a third insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fourth insulating layer using a resin film on the third insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fourth insulating layer on the fourth insulating layer. Forming a fourth wiring circuit layer, and forming a fourth insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fifth insulating layer using a resin film on a fourth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fifth insulating layer on the fifth insulating layer. Forming a fifth wiring circuit layer, and forming a fifth insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a sixth insulating layer using a resin film on the fifth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the sixth insulating layer on the sixth insulating layer. Forming a sixth wiring circuit layer, and forming a sixth insulating-wiring circuit composite layer. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film includes a thermosetting compound and an inorganic filler. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less is defined as T ° C. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, in each of the steps of forming the first to sixth layers of the insulating-wiring circuit composite layer, the heating temperature for completely curing the resin film is ( (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resulting absolute value and IL 1 of the transmission loss of the first-layer wiring circuit layer in a multilayer printed wiring board, the fifth layer in the resulting multilayer printed circuit board wiring the absolute value of the transmission loss of the circuit layer is taken as IL 5, the ratio of IL 5 of IL 1, to 0.96 to 1.05. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, since the above configuration is provided, a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance can be obtained.

本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る樹脂フィルムにおいて、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、Df7.5hのDf1.5hに対する比が、0.9以上1.15以下である。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。 The resin film according to the present invention contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter. In the resin film according to the present invention, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less is defined as T ° C. In the resin film according to the present invention, the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours has a dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of Df 1.5h, and is cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours. The dielectric loss tangent of the cured resin film at a frequency of 10 GHz is Df 7.5h . In the resin film according to the present invention, the ratio of Df 7.5h to Df 1.5h is 0.9 or more and 1.15 or less. Since the resin film according to the present invention has the above configuration, it is possible to obtain a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance.

本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層。2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層。3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層。4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層。5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層。6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層。本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比が、0.96以上1.05以下である。本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる。 The multilayer printed wiring board according to the present invention includes a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately formed on the circuit board. It has a laminated structure. The multilayer printed wiring board according to the present invention has at least the following first to sixth insulating / wiring circuit composite layers. A first insulating-wiring circuit composite layer including a first insulating layer and a first wiring circuit layer on the circuit board. A second insulating-wiring circuit composite layer including a second insulating layer and a second wiring circuit layer. A third insulating-wiring circuit composite layer including a third insulating layer and a third wiring circuit layer. A fourth insulating-wiring circuit composite layer including a fourth insulating layer and a fourth wiring circuit layer. A fifth insulating-wiring circuit composite layer including a fifth insulating layer and a fifth wiring circuit layer. A sixth insulating-wiring circuit composite layer including a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film generates heat from 130 ° C. to 200 ° C. in a measurement with a differential scanning calorimeter. Has a peak top temperature. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, when the absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer is IL 1 and the absolute value of the transmission loss of the fifth wiring circuit layer is IL 5 , The ratio of 1 to IL 5 is 0.96 or more and 1.05 or less. The multilayer printed wiring board according to the present invention has the above-described configuration, and thus has excellent transmission performance.

図1は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer printed wiring board using a resin film according to one embodiment of the present invention. 図2(a)〜(d)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。2A to 2D are cross-sectional views for explaining a method for obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 図3(a)〜(c)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。3A to 3C are cross-sectional views for explaining a method for obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 図4(a)〜(f)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。4A to 4F are cross-sectional views illustrating a method for obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 図5は、実施例及び比較例で作製された評価基板の信号層近傍を拡大して示す模式的部分断面図である。FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view showing, in an enlarged manner, the vicinity of a signal layer of each of the evaluation substrates manufactured in Examples and Comparative Examples.

以下、本発明を詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board, using a resin film. And a method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which a plurality of insulating layers are formed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   According to a method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a first insulating layer is formed on a circuit board using a resin film, and a first wiring circuit layer is formed on the first insulating layer. To form a first insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a second insulating layer using a resin film on the first insulating-wiring circuit composite layer, and forming the second insulating layer on the second insulating layer. Forming a second wiring circuit layer, and forming a second insulating-wiring circuit composite layer. The method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a third insulating layer using a resin film on the second insulating-wiring circuit composite layer, and forming the third insulating layer on the third insulating layer. Forming a third wiring circuit layer to form a third insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fourth insulating layer using a resin film on the third insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fourth insulating layer on the fourth insulating layer. Forming a fourth wiring circuit layer, and forming a fourth insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fifth insulating layer using a resin film on a fourth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fifth insulating layer on the fifth insulating layer. Forming a fifth wiring circuit layer, and forming a fifth insulating-wiring circuit composite layer. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a sixth insulating layer using a resin film on the fifth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the sixth insulating layer on the sixth insulating layer. Forming a sixth wiring circuit layer, and forming a sixth insulating-wiring circuit composite layer.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film includes a thermosetting compound and an inorganic filler.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、1層目〜6層目の上記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less is defined as T ° C. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, in each of the steps of forming the first to sixth layers of the insulating-wiring circuit composite layer, the heating temperature for completely curing the resin film is ( (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、得られる多層プリント配線板における1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、得られる多層プリント配線板における5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比を、0.96以上1.05以下にする。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resulting absolute value and IL 1 of the transmission loss of the first-layer wiring circuit layer in a multilayer printed wiring board, the fifth layer in the resulting multilayer printed circuit board wiring the absolute value of the transmission loss of the circuit layer is taken as IL 5, the ratio of IL 5 of IL 1, to 0.96 to 1.05.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, since the above configuration is provided, a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance can be obtained.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記1層目の配線回路層及び上記5層目の配線回路層は、金属層であることが好ましく、信号層であることが好ましい。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the first wiring circuit layer and the fifth wiring circuit layer are preferably metal layers, and more preferably signal layers.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記2層目の配線回路層、上記3層目の配線回路層、上記4層目の配線回路層及び上記6層目の配線回路層はそれぞれ、金属層であることが好ましく、電源層又はグランド層であることが好ましい。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the second wiring circuit layer, the third wiring circuit layer, the fourth wiring circuit layer, and the sixth wiring circuit layer each include: , A metal layer, and a power supply layer or a ground layer.

従って、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、2つの信号層における伝送損失の比が上述した範囲であることが好ましい。   Therefore, in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, it is preferable that the ratio of the transmission loss in the two signal layers is within the above-described range.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、配線回路層(例えば信号層)の位置に関係なく、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, since the above configuration is provided, it is possible to obtain a multilayer printed wiring board excellent in transmission performance regardless of the position of a wiring circuit layer (for example, a signal layer). .

本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、Df7.5hのDf1.5hに対する比が、0.9以上1.15以下である。 The resin film according to the present invention contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter. In the resin film according to the present invention, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less is defined as T ° C. In the resin film according to the present invention, the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours has a dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of Df 1.5h, and is cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours. The dielectric loss tangent of the cured resin film at a frequency of 10 GHz is Df 7.5h . In the resin film according to the present invention, the ratio of Df 7.5h to Df 1.5h is 0.9 or more and 1.15 or less.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。   Since the resin film according to the present invention has the above configuration, it is possible to obtain a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、配線回路層(例えば信号層)の位置に関係なく、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。   Since the resin film according to the present invention has the above configuration, a multilayer printed wiring board having excellent transmission performance can be obtained regardless of the position of the wiring circuit layer (for example, the signal layer).

本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、6層以上の絶縁層を形成するために用いられることが好ましい。本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、5層以下の絶縁層を形成するために用いることもできる。本発明に係る樹脂フィルムを5層以下の絶縁層を形成するために用いたとしても、伝送性能を高めることができる。   The resin film according to the present invention is preferably used for forming six or more insulating layers in a multilayer printed wiring board. The resin film according to the present invention can also be used to form five or less insulating layers in a multilayer printed wiring board. Even if the resin film according to the present invention is used to form five or less insulating layers, transmission performance can be improved.

本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層。2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層。3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層。4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層。5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層。6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層。   The multilayer printed wiring board according to the present invention includes a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately formed on the circuit board. It has a laminated structure. The multilayer printed wiring board according to the present invention has at least the following first to sixth insulating / wiring circuit composite layers. A first insulating-wiring circuit composite layer including a first insulating layer and a first wiring circuit layer on the circuit board. A second insulating-wiring circuit composite layer including a second insulating layer and a second wiring circuit layer. A third insulating-wiring circuit composite layer including a third insulating layer and a third wiring circuit layer. A fourth insulating-wiring circuit composite layer including a fourth insulating layer and a fourth wiring circuit layer. A fifth insulating-wiring circuit composite layer including a fifth insulating layer and a fifth wiring circuit layer. A sixth insulating-wiring circuit composite layer including a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。   In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film generates heat from 130 ° C. to 200 ° C. in a measurement with a differential scanning calorimeter. Has a peak top temperature.

本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、ILのILに対する比が、0.96以上1.05以下である。 In the multilayer printed wiring board according to the present invention, when the absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer is IL 1 and the absolute value of the transmission loss of the fifth wiring circuit layer is IL 5 , The ratio of 1 to IL 5 is 0.96 or more and 1.05 or less.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる。   The multilayer printed wiring board according to the present invention has the above-described configuration, and thus has excellent transmission performance.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記1層目の配線回路層及び上記5層目の配線回路層は、金属層であることが好ましく、信号層であることが好ましい。   In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the first wiring circuit layer and the fifth wiring circuit layer are preferably metal layers, and more preferably signal layers.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記2層目の配線回路層、上記3層目の配線回路層、上記4層目の配線回路層及び上記6層目の配線回路層はそれぞれ、金属層であることが好ましく、電源層又はグランド層であることが好ましい。   In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the second wiring circuit layer, the third wiring circuit layer, the fourth wiring circuit layer, and the sixth wiring circuit layer are each a metal layer. And preferably a power supply layer or a ground layer.

従って、本発明に係る多層プリント配線板では、2つの信号層における伝送損失の比が上述した範囲であることが好ましい。   Therefore, in the multilayer printed wiring board according to the present invention, it is preferable that the ratio of the transmission loss in the two signal layers is within the above-described range.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、配線回路層(例えば信号層)の位置に関係なく、伝送性能に優れる。   Since the multilayer printed wiring board according to the present invention has the above-described configuration, the transmission performance is excellent regardless of the position of the wiring circuit layer (for example, the signal layer).

本発明者は、樹脂フィルムの硬化物(絶縁層)の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化と多層プリント配線板の伝送損失とが相関していることを見出した。本発明者は、特定の発熱ピークトップ温度を有しかつ特定の温度範囲で樹脂フィルムを硬化させれば、樹脂フィルムの硬化物(絶縁層)の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化を小さくすることができることを見出した。本発明者は、樹脂フィルムの硬化物(絶縁層)の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化を小さくすることができれば、多層プリント配線板の伝送性能を高めることができることを見出した。   The present inventor has found that a change in dielectric constant and a change in dielectric loss tangent due to heating of a cured product (insulating layer) of a resin film are correlated with a transmission loss of a multilayer printed wiring board. If the present inventors have a specific exothermic peak top temperature and cure a resin film in a specific temperature range, the change in the dielectric constant and the change in the dielectric loss tangent due to the heating of the cured product (insulating layer) of the resin film Was found to be smaller. The present inventor has found that the transmission performance of a multilayer printed wiring board can be improved if the change in the dielectric constant and the change in the dielectric loss tangent due to heating of a cured product (insulating layer) of a resin film can be reduced.

従来の多層プリント配線板及び従来の多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層との双方で、電気特性を良好にすることは困難であり、その結果、多層プリント配線板の伝送性能が低下することがある。これに対して、本発明に係る多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板では、特定の樹脂フィルムを用いているため、絶縁層の電気特性が変化し難く、伝送性能に優れる。   In a conventional multilayer printed wiring board and a multilayer printed wiring board obtained by a method for manufacturing a conventional multilayer printed wiring board, both an insulating layer formed by being initially laminated and an insulating layer formed by being laminated later are both used. Therefore, it is difficult to improve the electrical characteristics, and as a result, the transmission performance of the multilayer printed wiring board may be reduced. On the other hand, in the multilayer printed wiring board according to the present invention and the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the specific resin film is used. Hard to change and excellent in transmission performance.

上記樹脂フィルムの示差走査熱量計での測定において、発熱ピークは、具体的には、以下のようにして測定される。   In the measurement of the resin film with a differential scanning calorimeter, the exothermic peak is specifically measured as follows.

示差走査熱量測定装置(例えば、TA・インスツルメント社製「Q2000」)を用意する。専用アルミパンに樹脂フィルム8mgを取り、専用治具を用いて蓋をする。この専用アルミパンと空のアルミパン(リファレンス)とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度3℃/分で−30℃から250℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行う。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとする。   A differential scanning calorimeter (for example, “Q2000” manufactured by TA Instruments) is prepared. Take 8 mg of the resin film in a special aluminum pan and cover with a special jig. This dedicated aluminum pan and an empty aluminum pan (reference) are set in a heating unit, and heated at a rate of 3 ° C./min from −30 ° C. to 250 ° C. in a nitrogen atmosphere, reverse heat flow and non-reverse flow. Observe the heat flow. The exothermic peak observed in the non-reverse heat flow is defined as the exothermic peak of the resin film.

上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。上記発熱ピークトップ温度が130℃未満であると、樹脂フィルムの貯蔵安定性が悪化することがある。上記発熱ピークトップ温度が200℃を越えると、乾燥炉の温度のばらつきが大きくなることがあり、多層プリント配線板の製造が困難になることがある。   The resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter. If the exothermic peak top temperature is lower than 130 ° C., the storage stability of the resin film may deteriorate. If the heat generation peak top temperature exceeds 200 ° C., the temperature variation of the drying furnace may increase, and it may be difficult to manufacture a multilayer printed wiring board.

樹脂フィルムの硬化反応をより一層良好にする観点からは、上記発熱ピークトップ温度は、好ましくは140℃以上、好ましくは170℃以下である。   From the viewpoint of further improving the curing reaction of the resin film, the exothermic peak top temperature is preferably 140 ° C. or higher, and more preferably 170 ° C. or lower.

上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計の測定において、130℃以上200℃以下に少なくとも1つの発熱ピークトップ温度を有する。上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが1つである場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、該発熱ピークのピーク温度である。上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが複数である場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、該発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度である。   Among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is defined as T ° C. The resin film has at least one exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less as measured by a differential scanning calorimeter. When there is one exothermic peak having an exothermic peak top temperature between 130 ° C. and 200 ° C., the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is the peak temperature of the exothermic peak. When there are a plurality of exothermic peaks having an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is the maximum peak height among the exothermic peaks. This is the peak temperature of the exothermic peak.

したがって、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、130℃以上200℃以下である。上記ピーク温度Tが130℃未満であると、保管時において硬化が進行しやすく、樹脂フィルムの可使時間が短くなることがある。   Therefore, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is 130 ° C. or more and 200 ° C. or less. If the peak temperature T is lower than 130 ° C., curing tends to proceed during storage, and the pot life of the resin film may be shortened.

上記ピーク温度Tは、好ましくは140℃以上、好ましくは170℃以下である。上記ピーク温度Tが170℃以下であると、170℃を超える場合と比べて、製造工程での樹脂フィルムの硬化のばらつき及び硬化残りを抑えることができる。   The peak temperature T is preferably 140 ° C. or higher, preferably 170 ° C. or lower. When the peak temperature T is 170 ° C. or lower, variation in curing of the resin film in the manufacturing process and uncured residue can be suppressed as compared with a case where the peak temperature T exceeds 170 ° C.

また、セミアディティブ工程(SAP工程)における粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の表面の表面粗さは、200nm以下であることが好ましい。粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の表面の表面粗さの制御には、粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の硬化度が大きく影響する。粗化処理前の半硬化物の硬化度の制御、及び粗化処理後のファイナルキュアにおいて十分に硬化させる観点から、上記ピーク温度Tは上述した温度範囲であること好ましい。   Further, the surface roughness of the surface of the resin film (semi-cured product) after the roughening treatment in the semi-additive process (SAP process) is preferably 200 nm or less. Control of the surface roughness of the surface of the resin film (semi-cured material) after the roughening treatment is greatly affected by the degree of curing of the resin film (semi-cured material) after the roughening treatment. From the viewpoint of controlling the degree of curing of the semi-cured product before the roughening treatment and sufficiently curing in the final cure after the roughening treatment, the peak temperature T is preferably in the above-mentioned temperature range.

本発明に係る樹脂フィルムの硬化物、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接は、空洞共振法で、23℃にて測定される。   The cured product of the resin film according to the present invention, the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, and the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of the insulating layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention are hollow. Measured at 23 ° C. by the resonance method.

なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接は、該多層プリント配線板に用いられた樹脂フィルムと同じ樹脂フィルムを硬化させて、硬化させた樹脂フィルム(絶縁層)について求めてもよい。   The dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention and the insulating layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention was used for the multilayer printed wiring board. The same resin film as the resin film may be cured, and the cured resin film (insulating layer) may be determined.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとし、5層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとする。また、10層以上の絶縁−配線回路複合層が形成されている場合に、10層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDf10とする。なお、1層目の絶縁層、5層目の絶縁層、10層目の絶縁層はそれぞれ、本硬化後の絶縁層であることが好ましい。なお、上記本硬化後の絶縁層は、本硬化前に予備硬化されていてもよい。上記本硬化後の絶縁層は、予備硬化後に本硬化された絶縁層であることが好ましい。 In the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention and the multilayer printed wiring board according to the present invention, the dielectric loss tangent of the first insulating layer at a frequency of 10 GHz is Df1, and the fifth layer is dielectric loss tangent in the frequency 10GHz of the insulating layer and Df 5. When ten or more insulating-wiring circuit composite layers are formed, the dielectric loss tangent of the tenth insulating layer at a frequency of 10 GHz is Df10. Note that the first insulating layer, the fifth insulating layer, and the tenth insulating layer are preferably insulating layers after the main curing. The insulating layer after the main curing may be pre-cured before the main curing. It is preferable that the insulating layer after the main curing is an insulating layer that is fully cured after the preliminary curing.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Dfの上記Dfに対する比(Df/Df)が、0.9以上1.15以下であることが好ましい。上記比(Df/Df)が0.9未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分が過度に揮発していることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比(Df/Df)が0.9未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比(Df/Df)が1.15を超えると、伝送性能が劣ることがある。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above Df 5 of the Df 1 (Df 1 / Df 5 ) is 0.9 to 1.15 Preferably, there is. When the ratio (Df 1 / Df 5 ) is less than 0.9, the resin component may be excessively volatilized by heating after curing, and as a result, the flexibility of the resin film and the insulating layer may be reduced. The resin film and the insulating layer may be cracked or chipped. If the ratio (Df 1 / Df 5 ) is less than 0.9, the gas may accumulate inside due to the lamination of the upper layer, and blisters may be generated. If the above ratio (Df 1 / Df 5 ) exceeds 1.15, the transmission performance may be poor.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Dfの上記Dfに対する比(Df/Df)は、より好ましくは0.95以上、更に好ましくは0.99以上、特に好ましくは1.0以上、より好ましくは1.14以下、更に好ましくは1.13以下である。上記比(Df/Df)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above Df 5 of the Df 1 (Df 1 / Df 5 ) is more preferably 0.95 or more, further It is preferably at least 0.99, particularly preferably at least 1.0, more preferably at most 1.14, even more preferably at most 1.13. When the ratio (Df 1 / Df 5 ) is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the transmission performance can be further improved.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Dfの上記Df10に対する比(Df/Df10)は、好ましくは0.95以上、より好ましくは0.99以上、更に好ましくは1.0以上、好ましくは1.25以下、より好ましくは1.2以下である。上記比(Df/Df10)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能を更により一層高めることができる。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above Df 10 of the Df 1 (Df 1 / Df 10 ) is preferably 0.95 or more, more preferably Is 0.99 or more, more preferably 1.0 or more, preferably 1.25 or less, more preferably 1.2 or less. When the ratio (Df 1 / Df 10 ) is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the transmission performance can be further improved.

伝送性能をより一層高める観点からは、上記Dfは、好ましくは0.008以下、より好ましくは0.005以下である。 For enhancing a transmission performance further, it said Df 1 is preferably 0.008 or less, more preferably 0.005 or less.

なお、1層目、5層目及び10層目の絶縁層の誘電正接(上記Df、上記Df及び上記Df10)を、多層プリント配線板に備えられた絶縁層を用いて測定することは困難である。そのため、上記Df、上記Df及び上記Df10は、以下のようにして測定される。 The dielectric loss tangent (Df 1 , Df 5, and Df 10 ) of the first , fifth, and tenth insulating layers is measured using the insulating layers provided on the multilayer printed wiring board. It is difficult. Therefore, Df 1 , Df 5 and Df 10 are measured as follows.

多層プリント配線板を製造する際に用いられた樹脂フィルムと同じ組成を有する樹脂フィルムを用意する。多層プリント配線板の製造工程において、1層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の誘電正接を測定し、Dfとする。多層プリント配線板の製造工程において、5層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の誘電正接を測定し、Dfとする。多層プリント配線板の製造工程において、10層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の誘電正接を測定し、Df10とする。なお、多層プリント配線板の製造工程においては、1層目の絶縁層>5層目の絶縁層>10層目の絶縁層の順で長い時間加熱される。 A resin film having the same composition as the resin film used when manufacturing the multilayer printed wiring board is prepared. In the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, the resin film is cured at the same heating temperature and heating time as the temperature and time when the first insulating layer is heated, and the dielectric property of the obtained cured product (insulating layer) is increased. the tangent measured, and Df 1. In the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, the resin film is cured at the same heating temperature and time as the temperature and time at which the fifth insulating layer is heated, and the dielectric property of the obtained cured product (insulating layer) is increased. the tangent measured, and Df 5. In the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, the resin film is cured at a heating temperature and a heating time equivalent to the temperature and the time at which the tenth insulating layer is heated, and the dielectric property of the obtained cured product (insulating layer) is increased. the tangent measured, and Df 10. In the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, heating is performed for a long time in the order of the first insulating layer> the fifth insulating layer> the tenth insulating layer.

本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf1.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で15時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf15hとする。 In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours is set to Df 1.5h . In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours is set to Df 7.5h . In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 15 hours is Df 15h .

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Df7.5hの上記Df1.5hに対する比(Df7.5h/Df1.5h)が、0.9以上1.15以下である。上記比(Df7.5h/Df1.5h)が、0.9未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分の揮発が過度に生じていることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比(Df7.5h/Df1.5h)が、0.9未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比(Df7.5h/Df1.5h)が1.15を超えると、伝送性能が劣ることがある。 The resin film according to the present invention, the ratio above Df 1.5 h the Df 7.5h (Df 7.5h / Df 1.5h ) is 0.9 to 1.15. If the above ratio (Df 7.5h / Df 1.5h ) is less than 0.9, the resin component may be excessively volatilized by heating after curing, and as a result, the resin film and the insulating layer Of the resin film and the insulating layer may be cracked or chipped. When the ratio (Df 7.5h / Df 1.5h ) is less than 0.9, the gas is accumulated in the upper layer and blisters may be generated due to the lamination in the upper layer. If the ratio (Df 7.5h / Df 1.5h ) exceeds 1.15, the transmission performance may be poor.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Df7.5hの上記Df1.5hに対する比(Df7.5h/Df1.5h)は、好ましくは0.95以上、より好ましくは0.99以上、更に好ましくは1.0以上、好ましくは1.14以下、より好ましくは1.13以下である。上記比(Df7.5h/Df1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。 The resin film according to the present invention, the ratio above Df 1.5 h the Df 7.5h (Df 7.5h / Df 1.5h ) is preferably 0.95 or more, more preferably 0.99 or more, further Preferably it is 1.0 or more, preferably 1.14 or less, more preferably 1.13 or less. When the ratio (Df 7.5h / Df 1.5h) is below the lower limit or more and the upper limit, it is possible to further increase the transmission performance.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Df15hの上記Df1.5hに対する比(Df15h/Df1.5h)は、好ましくは0.9以上、より好ましくは0.95以上、更に好ましくは0.99以上、特に好ましくは1.0以上、好ましくは1.25以下、より好ましくは1.2以下である。上記比(Df15h/Df1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能を更により一層高めることができる。 The resin film according to the present invention, the ratio above Df 1.5 h the Df 15h (Df 15h / Df 1.5h ) is preferably 0.9 or more, more preferably 0.95 or more, more preferably 0. It is 99 or more, particularly preferably 1.0 or more, preferably 1.25 or less, and more preferably 1.2 or less. When the ratio (Df 15h / Df 1.5h ) is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the transmission performance can be further improved.

伝送性能をより一層高める観点からは、上記Df7.5hは、好ましくは0.008以下、より好ましくは0.005以下である。 From the viewpoint of further improving the transmission performance, the Df 7.5h is preferably 0.008 or less, more preferably 0.005 or less.

本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf’1.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf’7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で15時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf’15hとする。 In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or more and (T + 80) ° C. or less for 1.5 hours is Df ′ 1.5 h . In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower for 7.5 hours is Df ′ 7.5h . In the resin film according to the present invention, the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of a cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower for 15 hours is Df ′ 15h .

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Df’7.5hの上記Df’1.5hに対する比(Df’7.5h/Df’1.5h)は、好ましくは1.01以上、より好ましくは1.02以上、更に好ましくは1.03以上、好ましくは1.15以下、より好ましくは1.14以下、更に好ましくは1.13以下である。上記比(Df’7.5h/Df’1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。 The resin film according to the present invention, the ratio of 1.5 h 'above Df of 7.5 h' above Df (Df '7.5h / Df' 1.5h) is preferably 1.01 or more, more preferably 1. 02 or more, more preferably 1.03 or more, preferably 1.15 or less, more preferably 1.14 or less, and still more preferably 1.13 or less. When the ratio (Df '7.5h / Df' 1.5h ) is below the lower limit or more and the upper limit, it is possible to further increase the transmission performance.

上記Df’7.5hの上記Df’1.5hに対する比(Df’7.5h/Df’1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であるとは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下のうちの半分以上の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することを意味する。(T+30)℃以上(T+80)℃以下の全体の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することが特に好ましい。 The ratio of 1.5 h 'above Df of 7.5 h' above Df (Df '7.5h / Df' 1.5h) is lower than the lower limit and the upper limit or less, (T + 30) ℃ least (T + 80) ℃ This means that the ratio satisfies the lower limit or more and the upper limit or less in a temperature range of half or more of the following. In the entire temperature range of (T + 30) ° C. or more and (T + 80) ° C. or less, it is particularly preferable that the above ratio satisfies the above lower limit and the above upper limit.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板、及び本発明に係る多層プリント配線板の配線回路層の伝送損失は、ネットワーク・アナライザを用いて、周波数100MHzから40GHzの範囲で測定される。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板、及び本発明に係る多層プリント配線板の配線回路層の伝送損失は、少なくとも38GHzにおいて以下の比等を満足することが好ましい。なお、伝送損失が測定される配線回路層(例えば信号層)では、該配線回路層における伝送損失のみが測定できるように、該配線回路層は引き出し電極を備えることが好ましい。   The transmission loss of the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, and the transmission loss of the wiring circuit layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention are in a range of 100 MHz to 40 GHz using a network analyzer. Is measured. The multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, and the transmission loss of the wiring circuit layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention preferably satisfy the following ratio at least at 38 GHz. . In a wiring circuit layer (for example, a signal layer) where transmission loss is measured, it is preferable that the wiring circuit layer be provided with an extraction electrode so that only the transmission loss in the wiring circuit layer can be measured.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとする。また、10層以上の絶縁−配線回路複合層が形成されている場合に、10層目の絶縁層の配線回路層(10層目の配線回路層は信号層であることが好ましい)の伝送損失の絶対値をIL10とする。 In the multilayer printed wiring board according to the multilayer printed wiring board and the present invention obtained by the production method of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer and IL 1, 5-layer the absolute value of the transmission loss of the wiring circuit layer and IL 5. Further, when ten or more insulating-wiring circuit composite layers are formed, the transmission loss of the tenth insulating layer wiring circuit layer (the tenth wiring circuit layer is preferably a signal layer). to the absolute value and IL 10.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ILの上記ILに対する比(IL/IL)が、0.96以上1.05以下である。上記比(IL/IL)が0.96未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分の揮発が過度に生じていることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比(IL/IL)が0.96未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比(IL/IL)が1.05を超えると、多層プリント配線板の伝送性能が劣ることがある。 The manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above IL 5 of the IL 1 (IL 1 / IL 5 ) is 0.96 to 1.05. When the ratio (IL 1 / IL 5 ) is less than 0.96, the resin component may be excessively volatilized by heating after curing, and as a result, the flexibility of the resin film and the insulating layer is reduced. However, cracking or chipping of the resin film and the insulating layer may occur. If the above ratio (IL 1 / IL 5 ) is less than 0.96, gas may accumulate inside and blisters may occur due to the lamination of the upper layer. When the ratio (IL 1 / IL 5 ) exceeds 1.05, the transmission performance of the multilayer printed wiring board may be poor.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ILの上記ILに対する比(IL/IL)は、好ましくは1.03以下、より好ましくは1.01以下である。上記比(IL/IL)が上記上限以下であると、多層プリント配線板の伝送性能をより一層高めることができる。 The manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above IL 5 of the IL 1 (IL 1 / IL 5 ) is preferably 1.03 or less, more preferably 1.01 or less It is. When the ratio (IL 1 / IL 5 ) is equal to or less than the upper limit, the transmission performance of the multilayer printed wiring board can be further improved.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ILの上記IL10に対する比(IL/IL10)は、好ましくは1.03以下、より好ましくは1.01以下である。上記比(IL/IL10)が上記上限以下であると、多層プリント配線板の伝送性能を更により一層高めることができる。 The manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above IL 10 of the IL 1 (IL 1 / IL 10 ) is preferably 1.03 or less, more preferably 1.01 or less It is. When the ratio (IL 1 / IL 10 ) is equal to or less than the upper limit, the transmission performance of the multilayer printed wiring board can be further improved.

伝送性能をより一層高める観点からは、上記ILは、好ましくは0.2dB/mm以下、より好ましくは0.15dB/mm以下である。なお、伝送損失の測定結果は負の値であるが、上述したようにILは1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値であるため、0以上の数で表される。 From the viewpoint of further improving the transmission performance, the IL 1 is preferably 0.2 dB / mm or less, more preferably 0.15 dB / mm or less. Although the measurement result of the transmission loss is a negative value, since the IL 1 is the absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer as described above, it is represented by a value of 0 or more.

本発明に係る樹脂フィルムは、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルムとして、好適に用いられる。   The resin film according to the present invention is suitably used as a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention and a resin film used for the multilayer printed wiring board.

上記樹脂フィルムは、Bステージフィルムであることが好ましい。   The resin film is preferably a B-stage film.

(多層プリント配線板、及び、多層プリント配線板の製造方法)
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
(Multilayer printed wiring board and method of manufacturing multilayer printed wiring board)
Hereinafter, the present invention will be clarified by describing specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer printed wiring board using a resin film according to one embodiment of the present invention.

多層プリント配線板1は、基板11と、配線回路層12とを備える。多層プリント配線板1は、1層目の絶縁層13と、1層目の配線回路層14と、2層目の絶縁層15と、2層目の配線回路層16と、3層目の絶縁層17と、3層目の配線回路層18と、4層目の絶縁層19と、4層目の配線回路層20と、5層目の絶縁層21と、5層目の配線回路層22と、6層目の絶縁層23と、6層目の配線回路層24とを備える。多層プリント配線板1は、ソルダーレジスト膜31を備える。基板11と配線回路層12とで、回路基板が構成されている。1層目の絶縁層13と1層目の配線回路層14とで、1層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。2層目の絶縁層15と2層目の配線回路層16とで、2層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。3層目の絶縁層17と3層目の配線回路層18とで、3層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。4層目の絶縁層19と4層目の配線回路層20とで、4層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。5層目の絶縁層21と5層目の配線回路層22とで、5層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。6層目の絶縁層23と6層目の配線回路層24とで、6層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。   The multilayer printed wiring board 1 includes a substrate 11 and a wiring circuit layer 12. The multilayer printed wiring board 1 includes a first insulating layer 13, a first wiring circuit layer 14, a second insulating layer 15, a second wiring circuit layer 16, and a third insulating layer. Layer 17, third wiring circuit layer 18, fourth insulating layer 19, fourth wiring circuit layer 20, fifth insulating layer 21, and fifth wiring circuit layer 22 And a sixth insulating layer 23 and a sixth wiring circuit layer 24. The multilayer printed wiring board 1 includes a solder resist film 31. A circuit board is constituted by the board 11 and the wiring circuit layer 12. The first insulating layer 13 and the first wiring circuit layer 14 constitute a first insulating-wiring circuit composite layer. The second insulating layer 15 and the second wiring circuit layer 16 form a second insulating-wiring circuit composite layer. The third insulating layer 17 and the third wiring circuit layer 18 constitute a third insulating-wiring circuit composite layer. The fourth insulating layer 19 and the fourth wiring circuit layer 20 constitute a fourth insulating-wiring circuit composite layer. The fifth insulating layer 21 and the fifth wiring circuit layer 22 constitute a fifth insulating-wiring circuit composite layer. The sixth insulating layer 23 and the sixth wiring circuit layer 24 constitute a sixth insulating-wiring circuit composite layer.

基板11は、穴11aを有する。穴11aはスルーホールである。基板11は、絶縁基板である。   The substrate 11 has a hole 11a. The hole 11a is a through hole. The substrate 11 is an insulating substrate.

配線回路層12,14,16,18,20,22,24は、金属層である。配線回路層12は、電源層である。配線回路層14,24は、信号層である。配線回路層16,18,20,22は、電源層又はグランド層である。   The wiring circuit layers 12, 14, 16, 18, 20, 22, and 24 are metal layers. The wiring circuit layer 12 is a power supply layer. The wiring circuit layers 14 and 24 are signal layers. The wiring circuit layers 16, 18, 20, 22 are power supply layers or ground layers.

ソルダーレジスト膜31は、最表層を構成している。   The solder resist film 31 forms the outermost layer.

配線回路層12は、基板11の表面上に配置されている。また、配線回路層12は、基板11の両側の表面上に部分的に配置されている。配線回路層12は、基板11の穴11a内にも配置されている。穴11a内に配置された配線回路層12部分により、両側(下側は図示せず)の表面上に位置する配線回路層12部分が導通されている。基板11の穴11aは、ビアホールとも呼ばれる。   The wiring circuit layer 12 is arranged on the surface of the substrate 11. Further, the wiring circuit layers 12 are partially arranged on the surfaces on both sides of the substrate 11. The wiring circuit layer 12 is also arranged in the hole 11 a of the substrate 11. The portions of the wiring circuit layer 12 located on the surfaces on both sides (the lower side is not shown) are electrically connected by the portions of the wiring circuit layer 12 arranged in the holes 11a. The hole 11a of the substrate 11 is also called a via hole.

配線回路層12の表面上に、絶縁層13が積層されている。絶縁層13は、配線回路層12の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。穴はビアホールとも呼ばれる。   The insulating layer 13 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 12. The insulating layer 13 has a hole opened so that the surface of the wiring circuit layer 12 is partially exposed. The holes are also called via holes.

絶縁層13の表面上に、配線回路層14が配置されている。絶縁層13と配線回路層14とにより、1層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層14は、絶縁層13の配線回路層12側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層14は、絶縁層13の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層14部分により、配線回路層12の表面と配線回路層14の表面とが接続されている。配線回路層12と配線回路層14とは導通されている。   The wiring circuit layer 14 is disposed on the surface of the insulating layer 13. The insulating layer 13 and the wiring circuit layer 14 constitute a first insulating / wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 14 is partially disposed on the surface of the insulating layer 13 opposite to the wiring circuit layer 12 side. The wiring circuit layer 14 is also arranged in the hole of the insulating layer 13. The surface of the wiring circuit layer 12 and the surface of the wiring circuit layer 14 are connected by the wiring circuit layer 14 disposed in the hole. The wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 are electrically connected.

配線回路層14の表面上に、絶縁層15が積層されている。絶縁層15は、配線回路層14の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。   An insulating layer 15 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 14. The insulating layer 15 has a hole that is opened so that the surface of the wiring circuit layer 14 is partially exposed.

絶縁層15の表面上に、配線回路層16が配置されている。絶縁層15と配線回路層16とにより、2層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層16は、絶縁層15の配線回路層14側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層16は、絶縁層15の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層16部分により、配線回路層14の表面と配線回路層16の表面とが接続されている。配線回路層14と配線回路層16とは導通されている。   The wiring circuit layer 16 is arranged on the surface of the insulating layer 15. The insulating layer 15 and the wiring circuit layer 16 constitute a second insulating-wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 16 is partially disposed on the surface of the insulating layer 15 opposite to the wiring circuit layer 14 side. The wiring circuit layer 16 is also arranged in the hole of the insulating layer 15. The surface of the wiring circuit layer 14 and the surface of the wiring circuit layer 16 are connected by the wiring circuit layer 16 disposed in the hole. The wiring circuit layer 14 and the wiring circuit layer 16 are electrically connected.

配線回路層16の表面上に、絶縁層17が積層されている。絶縁層17は、配線回路層16の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。   An insulating layer 17 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 16. The insulating layer 17 has a hole that is opened so that the surface of the wiring circuit layer 16 is partially exposed.

絶縁層17の表面上に、配線回路層18が配置されている。絶縁層17と配線回路層18とにより、3層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層18は、絶縁層17の配線回路層16側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層18は、絶縁層17の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層18部分により、配線回路層16の表面と配線回路層18の表面とが接続されている。配線回路層16と配線回路層18とは導通されている。   The wiring circuit layer 18 is disposed on the surface of the insulating layer 17. The insulating layer 17 and the wiring circuit layer 18 form a third insulating-wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 18 is partially arranged on the surface of the insulating layer 17 opposite to the wiring circuit layer 16 side. The wiring circuit layer 18 is also arranged in the hole of the insulating layer 17. The surface of the wiring circuit layer 16 and the surface of the wiring circuit layer 18 are connected by the wiring circuit layer 18 disposed in the hole. The wiring circuit layer 16 and the wiring circuit layer 18 are electrically connected.

同様にして、4〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成されている。   Similarly, fourth to sixth insulating / wiring circuit composite layers are formed.

なお、多層プリント配線板1では、1〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成されているが、7層目以降の絶縁−配線回路複合層が更に形成されてもよい。   In the multilayer printed wiring board 1, the first to sixth insulating-wiring circuit composite layers are formed, but the seventh and subsequent insulating-wiring circuit composite layers may be further formed.

また、回路基板自体が、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有していてもよい。特定の樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成する前の回路基板は、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有する回路基板であってもよい。上記樹脂フィルムにより形成する1層目の絶縁−配線回路複合層は、回路基板における絶縁−配線回路複合層に接するように形成されてもよい。本発明では、特定の樹脂フィルムを用いて、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成することができる。特定の樹脂フィルムを用いて、最初に形成する絶縁−配線回路複合層を、1層目の絶縁−配線回路複合層とする。   Further, the circuit board itself may have an insulating-wiring circuit composite layer of the insulating layer and the wiring circuit layer. The circuit board before forming the insulating layer using the specific resin film may be a circuit board having an insulating-wiring circuit composite layer of the insulating layer and the wiring circuit layer. The first insulating-wiring circuit composite layer formed by the resin film may be formed so as to be in contact with the insulating-wiring circuit composite layer on the circuit board. In the present invention, the first insulating-wiring circuit composite layer can be formed using a specific resin film. Using a specific resin film, an insulating-wiring circuit composite layer formed first is defined as a first insulating-wiring circuit composite layer.

また、プリント配線板では、基板11の両側にそれぞれ、絶縁−配線回路複合層を形成してもよい。   In the printed wiring board, an insulating-wiring circuit composite layer may be formed on both sides of the substrate 11.

次に、図2(a)〜(d)、図3(a)〜(c)及び図4(a)〜(f)を参照しつつ、図1に示す多層プリント配線板1を得る方法を具体的に説明する。   Next, with reference to FIGS. 2A to 2D, 3A to 3C, and 4A to 4F, a method for obtaining the multilayer printed wiring board 1 shown in FIG. 1 will be described. This will be specifically described.

先ず、基板11の表面上に、配線回路層12が配置されている回路基板を用意する(図2(a))。   First, a circuit board on which the wiring circuit layer 12 is disposed on the surface of the board 11 is prepared (FIG. 2A).

上記回路基板の配線回路層12の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層13Aを形成する(図2(b))。   After laminating a resin film on the surface of the wiring circuit layer 12 of the circuit board, curing is advanced by heating to form an insulating layer 13A (FIG. 2B).

次に、絶縁層13Aにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層13Bを得る(図2(c))。上記レーザーとしては、UVレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザー等が挙げられる。   Next, the insulating layer 13A is irradiated with a laser or the like to obtain an insulating layer 13B having holes (FIG. 2C). Examples of the laser include a UV laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, and the like.

次に、絶縁層13Bの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層13を得る(図2(d))。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層13Bの表面の粗度を高めるために、絶縁層13Bの表面を粗化処理することが好ましい。絶縁層13の表面が粗化処理されていることが好ましい。絶縁層13Bの表面の粗面化と、穴内の洗浄とが行われることが好ましい。   Next, the inside of the hole of the insulating layer 13B is desmeared to obtain the insulating layer 13 in which the inside of the hole is desmeared (FIG. 2D). The inside of the hole is cleaned by the desmear treatment, and the smear is removed. When performing the desmear treatment, it is preferable to roughen the surface of the insulating layer 13B in order to increase the roughness of the surface of the insulating layer 13B. It is preferable that the surface of the insulating layer 13 is roughened. It is preferable that the surface of the insulating layer 13B is roughened and the inside of the hole is cleaned.

上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。   It is preferable to use the same processing liquid for the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the roughness of the surface of the insulating layer, and the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the roughness of the surface of the insulating layer are preferable. Is preferably performed simultaneously.

また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層12の表面(ランド部、粗化処理される表面)を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層12を得ることができる。穴内を洗浄するためのデスミア処理と、配線回路層12の表面を粗化処理するための粗化処理とは、別の工程として行われていてもよい。デスミア処理後の粗化処理によって、配線回路層12の粗化処理された表面の粗度が大きくなる。この結果、配線回路層12の表面と配線回路層14の表面との接触界面の接触面積が大きくなる。従って、熱衝撃に対する配線回路層12と配線回路層14との間の導通信頼性が高くなる。例えば、得られる多層プリント配線板1において、配線回路層12と配線回路層14との接触界面において、クラックが生じ難くなる。   After the desmear process, the surface (land portion, surface to be roughened) of the wiring circuit layer 12 exposed from the opening of the hole may be roughened. Thereby, the wiring circuit layer 12 whose surface has been roughened can be obtained. The desmear process for cleaning the inside of the hole and the roughening process for roughening the surface of the wiring circuit layer 12 may be performed as separate steps. By the roughening treatment after the desmearing treatment, the roughness of the roughened surface of the wiring circuit layer 12 increases. As a result, the contact area of the contact interface between the surface of the wiring circuit layer 12 and the surface of the wiring circuit layer 14 increases. Accordingly, the reliability of conduction between the wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 against thermal shock is increased. For example, in the obtained multilayer printed wiring board 1, cracks are less likely to occur at the contact interface between the wiring circuit layers 12 and 14.

次に、絶縁層13の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層13の表面に導電性を付与し、絶縁層13の表面上に電解めっきなどによって配線回路層14を形成することが容易になる。   Next, the surface of the insulating layer 13 is preferably subjected to electroless plating. Thereby, conductivity is imparted to the surface of the insulating layer 13 and it becomes easy to form the wiring circuit layer 14 on the surface of the insulating layer 13 by electrolytic plating or the like.

次に、絶縁層13の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン51を形成する(図3(a))。但し、レジストパターン51は必ずしも形成しなくてもよい。レジストパターン51の形成によって、レジストパターン51により覆われていない部分に、電気めっきなどを行うことで、絶縁層13の表面上に、選択的に導体層(配線回路層)を形成できる。   Next, a dry film resist is laminated on the surface of the insulating layer 13 to form a resist pattern 51 (FIG. 3A). However, the resist pattern 51 need not always be formed. By forming the resist pattern 51, by performing electroplating or the like on a portion not covered by the resist pattern 51, a conductor layer (wiring circuit layer) can be selectively formed on the surface of the insulating layer 13.

次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層13の表面上と絶縁層13の穴内とに配線回路層14を形成する(図3(b))。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層12の表面と、配線回路層14の表面とを接続することで、配線回路層12と配線回路層14とを導通させる。   Next, the wiring circuit layer 14 is formed on the surface of the insulating layer 13 and in the hole of the insulating layer 13 by performing electroplating or the like (FIG. 3B). The wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 are electrically connected by connecting the surface of the wiring circuit layer 12 that has been roughened after the desmear processing and the surface of the wiring circuit layer 14.

次に、レジストパターン51を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する(図3(c))。次いで、配線回路層14形成時に形成した無電解銅めっき層を酸性エッチング液(例えば、JCU社製「SACプロセス」)にて除去する。このようにして、1層目の絶縁層13と1層目の配線回路層14とから構成される1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは(T+30)℃以上(T+80)℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層13Aの形成時に行われてもよく、絶縁層13上に配線回路層14を形成した後に行われてもよい。   Next, the resist pattern 51 is removed by peeling it off with an alkaline aqueous solution containing sodium hydroxide or the like (FIG. 3C). Next, the electroless copper plating layer formed at the time of forming the wiring circuit layer 14 is removed with an acidic etching solution (for example, “SAC process” manufactured by JCU). Thus, a first insulating-wiring circuit composite layer composed of the first insulating layer 13 and the first wiring circuit layer 14 is formed. When the first insulating-wiring circuit composite layer is formed, the resin film is heated at a heating temperature of (T + 30) ° C. or more and (T + 80) ° C. or less in order to completely cure the resin film. The main curing of the resin film may be performed at the time of forming the insulating layer 13A, or may be performed after forming the wiring circuit layer 14 on the insulating layer 13.

次に、1層目の絶縁−配線回路複合層の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層15Aを形成する(図4(a))。   Next, after a resin film is laminated on the surface of the first insulating-wiring circuit composite layer, curing is advanced by heating to form an insulating layer 15A (FIG. 4A).

次に、絶縁層15Aにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層15Bを得る(図4(b))。   Next, the insulating layer 15A is irradiated with a laser or the like to obtain an insulating layer 15B having holes (FIG. 4B).

次に、絶縁層15Bの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層15を得る(図4(c))。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層15Bの表面の粗度を高めるために、絶縁層15Bの表面を粗化処理することが好ましい。   Next, the inside of the hole of the insulating layer 15B is desmeared to obtain the insulating layer 15 in which the inside of the hole is desmeared (FIG. 4C). The inside of the hole is cleaned by the desmear treatment, and the smear is removed. When performing the desmear treatment, it is preferable to roughen the surface of the insulating layer 15B in order to increase the roughness of the surface of the insulating layer 15B.

上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。   It is preferable to use the same processing liquid for the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the roughness of the surface of the insulating layer, and the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the roughness of the surface of the insulating layer are preferable. Is preferably performed simultaneously.

また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層14の表面(ランド部、粗化処理される表面)を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層14を得ることができる。   After the desmear process, the surface (land portion, surface to be roughened) of the wiring circuit layer 14 exposed from the opening of the hole may be roughened. Thereby, the wiring circuit layer 14 whose surface is roughened can be obtained.

次に、絶縁層15の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層15の表面に導電性を付与し、絶縁層15の表面上に電解めっきなどによって配線回路層16を形成することが容易になる。   Next, the surface of the insulating layer 15 is preferably subjected to electroless plating. Thereby, conductivity is imparted to the surface of the insulating layer 15 and it becomes easy to form the wiring circuit layer 16 on the surface of the insulating layer 15 by electrolytic plating or the like.

次に、絶縁層15の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン52を形成する(図4(d))。   Next, a dry film resist is laminated on the surface of the insulating layer 15 to form a resist pattern 52 (FIG. 4D).

次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層15の表面上と絶縁層15の穴内とに配線回路層16を形成する(図4(e))。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層14の表面と、配線回路層16の表面とを接続することで、配線回路層14と配線回路層16とを導通させる。   Next, the wiring circuit layer 16 is formed on the surface of the insulating layer 15 and in the hole of the insulating layer 15 by performing electroplating or the like (FIG. 4E). By connecting the surface of the wiring circuit layer 14 that has been roughened after the desmearing process and the surface of the wiring circuit layer 16, the wiring circuit layer 14 and the wiring circuit layer 16 are conducted.

次に、レジストパターン52を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する(図4(f))。このようにして、2層目の絶縁層15と2層目の配線回路層16とから構成される2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは(T+30)℃以上(T+80)℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層15Aの形成時に行われてもよく、絶縁層15上に配線回路層16を形成した後に行われてもよい。   Next, the resist pattern 52 is removed by peeling it off with an alkaline aqueous solution containing sodium hydroxide or the like (FIG. 4F). In this way, a second insulating-wiring circuit composite layer composed of the second insulating layer 15 and the second wiring circuit layer 16 is formed. When the second insulating-wiring circuit composite layer is formed, the resin film is heated at a heating temperature of (T + 30) ° C. or more and (T + 80) ° C. or less in order to fully cure the resin film. The main curing of the resin film may be performed at the time of forming the insulating layer 15A, or may be performed after forming the wiring circuit layer 16 on the insulating layer 15.

上記の工程を繰り返して、3層目以降の絶縁−配線回路複合層を形成する。このようにして、多層プリント配線板1を得ることができる。この多層プリント配線板1の製造方法において、2層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層が、2層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。3層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層及び2層目の絶縁層のそれぞれが、3層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。4層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層及び3層目の絶縁層のそれぞれが、4層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。5層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層、3層目の絶縁層及び4層目の絶縁層のそれぞれが、5層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。6層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層、3層目の絶縁層、4層目の絶縁層及び5層目の絶縁層のそれぞれが、6層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。1層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数の回数で、硬化環境に晒される。2層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−1の回数で、硬化環境に晒される。3層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−2の回数で、硬化環境に晒される。4層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−3の回数で、硬化環境に晒される。5層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−4の回数で、硬化環境に晒される。6層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−5の回数で、硬化環境に晒される。n層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−(n−1)の回数で、硬化環境に晒される。ILのILに対する比を、0.96以上1.05以下とすることで、伝送性能に優れる多層プリント配線板1を得ることができる。 By repeating the above steps, the third and subsequent insulating-wiring circuit composite layers are formed. Thus, the multilayer printed wiring board 1 can be obtained. In the method of manufacturing the multilayer printed wiring board 1, when forming the second insulating layer, the first insulating layer is exposed to a hardening environment for forming the second insulating layer. When forming the third insulating layer, each of the first insulating layer and the second insulating layer is exposed to a hardening environment for forming the third insulating layer. When forming the fourth insulating layer, each of the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer is a hardened environment for forming the fourth insulating layer. Exposed to When the fifth insulating layer is formed, each of the first insulating layer, the second insulating layer, the third insulating layer, and the fourth insulating layer becomes the fifth insulating layer. Exposed to a hardening environment to form When the sixth insulating layer is formed, each of the first insulating layer, the second insulating layer, the third insulating layer, the fourth insulating layer, and the fifth insulating layer And a hardening environment for forming a sixth insulating layer. The first insulating layer is exposed to a curing environment by the number of times of the number of insulating layers to be formed. The second insulating layer is exposed to a curing environment by the number of times of the number of insulating layers to be formed minus one. The third insulating layer is exposed to the curing environment by the number of times equal to the number of insulating layers to be formed-2. The fourth insulating layer is exposed to a hardened environment by the number of times equal to the number of insulating layers to be formed-3. The fifth insulating layer is exposed to a hardened environment by the number of times equal to the number of insulating layers to be formed-4. The sixth insulating layer is exposed to the curing environment by the number of times equal to the number of insulating layers to be formed minus five. The n-th insulating layer is exposed to a curing environment by the number of insulating layers to be formed-(n-1) times. By setting the ratio of IL 1 to IL 5 to be 0.96 or more and 1.05 or less, multilayer printed wiring board 1 having excellent transmission performance can be obtained.

上記したプリント配線板の製造方法のように、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   Like the above-described method for manufacturing a printed wiring board, the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a first insulating layer on a circuit board using a resin film, and forming the first insulating layer on the circuit board. Forming a first wiring circuit layer on the insulating layer, and forming a first insulating-wiring circuit composite layer.

上記1層目の絶縁層を形成するための上記樹脂フィルムは、回路基板の表面に配置された配線(回路)上に積層される。該樹脂フィルムは、回路基板上の配線回路層(金属層)部分及び該配線回路層(金属層)が形成されていない部分と接する。   The resin film for forming the first insulating layer is laminated on wiring (circuit) arranged on the surface of the circuit board. The resin film is in contact with a wiring circuit layer (metal layer) portion on the circuit board and a portion where the wiring circuit layer (metal layer) is not formed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a second insulating layer using a resin film on the first insulating-wiring circuit composite layer, and forming the second insulating layer on the second insulating layer. Forming a second wiring circuit layer, and forming a second insulating-wiring circuit composite layer.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   The method of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a third insulating layer using a resin film on the second insulating-wiring circuit composite layer, and forming the third insulating layer on the third insulating layer. Forming a third wiring circuit layer to form a third insulating-wiring circuit composite layer.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fourth insulating layer using a resin film on the third insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fourth insulating layer on the fourth insulating layer. Forming a fourth wiring circuit layer, and forming a fourth insulating-wiring circuit composite layer.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a fifth insulating layer using a resin film on a fourth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the fifth insulating layer on the fifth insulating layer. Forming a fifth wiring circuit layer, and forming a fifth insulating-wiring circuit composite layer.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes forming a sixth insulating layer using a resin film on the fifth insulating-wiring circuit composite layer, and forming the sixth insulating layer on the sixth insulating layer. Forming a sixth wiring circuit layer, and forming a sixth insulating-wiring circuit composite layer.

本発明では、多層プリント配線板の絶縁−配線回路複合層の積層数は、6層に限られない。上記絶縁−配線回路複合層の積層数は、6層であってもよく、6層以上であってもよく、7層以上であってもよい。   In the present invention, the number of laminated insulating-wiring circuit composite layers of the multilayer printed wiring board is not limited to six. The number of laminated insulating-wiring circuit composite layers may be six, six or more, or seven or more.

多層プリント配線板における絶縁−配線回路複合層の積層数が7層以上である場合において、n層目(nは、7以上の整数)の絶縁−配線回路複合層は、(n−1)層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いてn層目の絶縁層を形成し、かつ該n層目の絶縁層上にn層目の配線回路層を形成することで、形成することができる。   When the number of laminated insulating-wiring circuit composite layers in the multilayer printed wiring board is 7 or more, the n-th insulating layer (n is an integer of 7 or more) is (n-1) th layer. Forming an n-th insulating layer using a resin film on the insulating-wiring circuit composite layer of the eye, and forming an n-th wiring circuit layer on the n-th insulating layer; can do.

上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)は、7以上であることが好ましい。すなわち、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成することが好ましい。   The number of layers of the insulating-wiring circuit composite layer (that is, n) is preferably 7 or more. That is, in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the steps of forming an insulating layer using a resin film on the insulating-wiring circuit composite layer and forming the wiring circuit layer on the insulating layer are repeated. Thus, it is preferable to form seven or more insulating-wiring circuit composite layers.

上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)は、好ましくは7以上、より好ましくは8以上、好ましくは20以下、より好ましくは15以下である。上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。   The number of layers (that is, n) of the insulating-wiring circuit composite layer is preferably 7 or more, more preferably 8 or more, preferably 20 or less, and more preferably 15 or less. When the number of the insulating-wiring circuit composite layers (that is, n) is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the transmission performance can be further improved.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、m層目(mは、1以上の整数)の絶縁層を形成した(絶縁層形成工程)後、かつ、該m層目の絶縁層上にm層目の配線回路層を形成する(配線回路層形成工程)前に、ビアホール形成工程、及びデスミア処理工程をこの順で備えることが好ましい。上記デスミア処理工程の前又は後に、膨潤処理工程が行われてもよく、粗化処理工程が行われてもよい。上記デスミア処理工程が、粗化処理工程を兼ねていてもよい。膨潤処理工程及び粗化処理工程は、ビアホール形成工程の前に行われてもよく、ビアホール形成工程の後に行われてもよい。以下、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程について、具体的に説明する。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, after forming an m-th (m is an integer of 1 or more) insulating layer (insulating layer forming step), and on the m-th insulating layer, Before forming the m-th wiring circuit layer (wiring circuit layer forming step), it is preferable to provide a via hole forming step and a desmear processing step in this order. Before or after the desmearing step, a swelling step may be performed, or a roughening step may be performed. The desmearing process may also serve as a roughening process. The swelling step and the roughening step may be performed before the via hole forming step, or may be performed after the via hole forming step. Hereinafter, the insulating layer forming step, the swelling step, the roughening step, the via hole forming step, the desmearing step, the wiring circuit layer forming step, and the main curing step will be specifically described.

<絶縁層形成工程>
上記絶縁層は、樹脂フィルムを硬化させて形成される。配線回路層が形成される際の絶縁層は、樹脂フィルムの硬化を進行させることにより得られる。上記硬化は予備硬化であってもよく、本硬化であってもよい。上記硬化には、更に硬化が可能な予備硬化も含まれる。絶縁層の劣化を抑える観点からは、上記硬化は、予備硬化であることが好ましい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であってもよく、樹脂フィルムの硬化物層であってもよい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であることが好ましい。なお、上記絶縁層形成工程にて、上記硬化が予備硬化である場合には、後述の本硬化工程が行われることが好ましい。
<Insulating layer forming step>
The insulating layer is formed by curing a resin film. The insulating layer when the wiring circuit layer is formed can be obtained by accelerating the curing of the resin film. The above-mentioned curing may be preliminary curing or full curing. The above-mentioned curing includes pre-curing which can be further cured. From the viewpoint of suppressing the deterioration of the insulating layer, the above-mentioned curing is preferably preliminary curing. The insulating layer may be a pre-cured product layer of a resin film or a cured product layer of a resin film. The insulating layer is preferably a pre-cured layer of a resin film. In the case where the above-mentioned curing is preliminary curing in the above-described insulating layer forming step, it is preferable to perform a main curing step described later.

上記樹脂フィルムの硬化は、加熱によって行われる。   The curing of the resin film is performed by heating.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは190℃以下、より好ましくは180℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、加熱に伴う溶剤や液状成分の急激な揮発を抑えることができる。   In the insulating layer forming step, when pre-curing the resin film, the heating temperature of the resin film is preferably 90 ° C or higher, more preferably 100 ° C or higher, preferably 190 ° C or lower, more preferably 180 ° C or lower. It is. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, rapid volatilization of a solvent or a liquid component due to heating can be suppressed.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理工程でのエッチングされる樹脂量を制御することができ、表面粗さを小さくすることができるため、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。   When the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step, the heating time of the resin film is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, more preferably 1 hour or less. .75 hours or less. When the heating time is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the amount of resin to be etched in the roughening treatment step can be controlled, and the surface roughness can be reduced. Transmission performance can be improved.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。   In the case where the resin film is completely cured in the insulating layer forming step, the heating temperature of the resin film is (T + 30) ° C or more and (T + 80) ° C or less. By setting the heating temperature of the resin film when the resin film is fully cured in the above range, it is possible to suppress a decrease in the electrical characteristics of the insulating layer and to improve the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board. .

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは185℃以上、更に好ましくは190℃以上、好ましくは210℃以下、より好ましくは205℃以下、更に好ましくは200℃以下である。また、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは(T+40)℃以上、好ましくは(T+60)℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下をより一層効果的に抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能をより一層高めることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。   In the case where the resin film is fully cured in the insulating layer forming step, the heating temperature of the resin film is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 185 ° C. or higher, further more preferably 190 ° C. or higher, and preferably 210 ° C. or lower. , More preferably at most 205 ° C, even more preferably at most 200 ° C. When the resin film is fully cured, the heating temperature of the resin film is preferably (T + 40) ° C. or higher, and more preferably (T + 60) ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, a decrease in the electrical characteristics of the insulating layer can be more effectively suppressed, and the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board can be further improved. In particular, the resin film according to the present invention is suitably used for heating at 190 ° C. or more and 200 ° C. or less to fully cure the resin film to form an insulating layer.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。   In the case where the resin film is completely cured in the insulating layer forming step, the heating time of the resin film is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, more preferably 1 hour or less. .75 hours or less. When the heating time is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, a decrease in electrical characteristics of the insulating layer can be suppressed, and the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board can be increased.

上記樹脂フィルムの硬化は、窒素環境下で行われてもよく、大気環境下で行われてもよい。   The curing of the resin film may be performed in a nitrogen environment, or may be performed in an air environment.

上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であることが好ましい。上記配線回路層の形成方法は後述する。   The wiring circuit layer is preferably a wiring circuit formed by plating and etching. The method for forming the wiring circuit layer will be described later.

<膨潤処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を膨潤処理する工程(膨潤処理工程)を備えることが好ましい。上記膨潤処理を行うことにより、膨潤処理された絶縁層を得ることができる。上記膨潤処理工程を行うことにより、後述する粗化処理工程における粗化処理の効率が高くなる。なお、上記粗化処理工程を行う場合であっても、上記膨潤処理工程は、必ずしも行われなくてもよい。上記膨潤処理工程では、従来公知の膨潤処理方法を採用することができる。
<Swelling process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of swelling the insulating layer (swelling step). By performing the above-mentioned swelling treatment, a swelling-treated insulating layer can be obtained. By performing the swelling treatment step, the efficiency of the roughening treatment in the roughening treatment step described later is increased. In addition, even when performing the above-mentioned roughening process, the above-mentioned swelling process does not necessarily need to be performed. In the swelling step, a conventionally known swelling method can be employed.

上記膨潤処理としては、エチレングリコール等を主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液等の膨潤液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。   Examples of the swelling treatment include a method of treating an insulating layer (a cured product (precured product) of a resin film) with a swelling liquid such as an aqueous solution of a compound containing ethylene glycol or the like as a main component or an organic solvent dispersion. .

上記膨潤液は、一般にpH調整剤などとして、アルカリを含む。上記膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。   The swelling liquid generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The swelling liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記膨潤処理は、具体的には、例えば、40重量%エチレングリコール水溶液等を含む膨潤液を用いて、温度30℃〜85℃で1分間〜30分間、絶縁層を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は50℃以上85℃以下であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に絶縁層と配線回路層との接着強度が低くなる傾向がある。   Specifically, the swelling treatment is performed by treating the insulating layer at a temperature of 30 ° C. to 85 ° C. for 1 minute to 30 minutes using a swelling liquid containing, for example, a 40% by weight aqueous solution of ethylene glycol. The temperature of the swelling treatment is preferably 50 ° C. or more and 85 ° C. or less. If the temperature of the swelling treatment is too low, the swelling treatment requires a long time, and the adhesive strength between the insulating layer and the wiring circuit layer tends to decrease.

<粗化処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を粗化処理する工程(粗化処理工程)を備えることが好ましい。上記粗化処理を行うことにより、粗化処理された絶縁層を得ることができる。なお、上記膨潤処理工程が行われる場合には、膨潤処理された絶縁層に対して、上記粗化処理が行われる。上記粗化処理工程を行うことで、上記絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))の表面に小さい凹凸を形成することができる。上記粗化処理工程では、従来公知の粗化処理方法を採用することができる。
<Roughening process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of performing a roughening treatment (roughening treatment step) on the insulating layer. By performing the above roughening treatment, a roughened insulating layer can be obtained. When the swelling process is performed, the roughening process is performed on the swelled insulating layer. By performing the roughening treatment step, small irregularities can be formed on the surface of the insulating layer (the cured product (precured product) of the resin film). In the roughening treatment step, a conventionally known roughening treatment method can be adopted.

上記粗化処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加された粗化液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。   The above-mentioned roughening treatment is performed by using a roughening solution in which water or an organic solvent is added to a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound to form an insulating layer (a cured product (precured product) of a resin film). And the like.

上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。   Examples of the manganese compound include potassium permanganate and sodium permanganate. Examples of the chromium compound include potassium bichromate and anhydrous potassium chromate. Examples of the above persulfate compound include sodium persulfate, potassium persulfate, and ammonium persulfate.

上記粗化液は、一般にpH調整剤などとしてアルカリを含む。上記粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。   The roughening solution generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The above roughening liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記粗化処理の温度は、40℃以上85℃以下であることが好ましい。上記粗化処理の時間は、5分間以上45分間以下であることが好ましい。   The temperature of the above roughening treatment is preferably 40 ° C. or more and 85 ° C. or less. The time for the roughening treatment is preferably 5 minutes or more and 45 minutes or less.

<ビアホール形成工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層にビアホールを形成する工程(ビアホール形成工程)を備えることが好ましい。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法が、上記膨潤処理工程及び上記粗化処理工程を備える場合には、上記粗化処理工程の後に行われることが好ましい。上記ビアホール形成工程及び配線回路層形成工程等を行うことにより、ビアホールが形成された絶縁層を得ることができ、また、層間を電気的に接続することができる。上記ビアホール形成工程では、従来公知のビアホール形成方法を採用することができる。
<Via hole forming process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of forming a via hole in the insulating layer (a step of forming a via hole). When the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes the swelling step and the roughening step, the method is preferably performed after the roughening step. By performing the via hole forming step, the wiring circuit layer forming step, and the like, an insulating layer in which a via hole is formed can be obtained, and the layers can be electrically connected. In the via hole forming step, a conventionally known via hole forming method can be employed.

上記ビアホールは、レーザーを照射することにより形成されることが好ましい。   The via hole is preferably formed by irradiating a laser.

上記レーザーとしては、COレーザー等が挙げられる。 Examples of the laser include a CO 2 laser and the like.

作業性の観点からは、上記レーザーはCOレーザーであることが好ましい。 From the viewpoint of workability, the laser is preferably a CO 2 laser.

形成されるビアホールの直径は、特に限定されないが、好ましくは60μm以上、好ましくは80μm以下である。   The diameter of the via hole formed is not particularly limited, but is preferably 60 μm or more, and more preferably 80 μm or less.

<デスミア処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記ビアホール形成工程後にデスミア処理により、上記ビアホールの内部のスミアを除去する工程(デスミア処理工程)を備えることが好ましい。上記デスミア処理を行うことにより、デスミア処理された絶縁層を得ることができる。上記デスミア処理を行うことにより、上記ビアホール形成工程で形成された樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアを効果的に除去することができる。
<Desmear treatment process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step (desmear processing step) of removing smear inside the via hole by desmear processing after the via hole forming step. By performing the desmear treatment, an insulating layer subjected to the desmear treatment can be obtained. By performing the desmear treatment, it is possible to effectively remove smear, which is a resin residue derived from the resin component formed in the via hole forming step.

上記デスミア処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加されたデスミア処理液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。   As the desmear treatment, the insulating layer (cured product (precured product) of the resin film) is treated with a desmear treatment solution in which water or an organic solvent is added to a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound. There is a method of processing.

上記デスミア処理液は、一般にアルカリを含む。上記デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。   The desmear treatment liquid generally contains an alkali. The desmear treatment liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記デスミア処理工程は、上記粗化処理工程を兼ねていてもよい。   The desmearing step may also serve as the roughening step.

上記デスミア処理の温度は、60℃以上100℃以下であることが好ましい。上記デスミア処理の時間は、5分間以上45分間以下であることが好ましい。   It is preferable that the temperature of the desmear treatment is 60 ° C. or more and 100 ° C. or less. The desmearing time is preferably 5 minutes or more and 45 minutes or less.

<配線回路層形成工程>
上記配線回路層の形成は、無電解めっき工程、電解めっき工程、及びエッチング工程により行われることが好ましい。上記無電解めっき工程により、上記ビアホール内をめっき加工でき、層間を電気的に接続することができる。上記電解めっき工程及び上記エッチング工程により、配線回路(配線回路層)を良好に形成することができる。
<Wiring circuit layer forming step>
The formation of the wiring circuit layer is preferably performed by an electroless plating step, an electrolytic plating step, and an etching step. By the electroless plating step, the inside of the via hole can be plated, and the layers can be electrically connected. A wiring circuit (wiring circuit layer) can be favorably formed by the electrolytic plating step and the etching step.

上記無電解めっき工程は、無電解銅めっき工程であることが好ましい。   The electroless plating step is preferably an electroless copper plating step.

上記無電解銅めっき工程は、従来公知の無電解銅めっき方法を採用することができる。   In the electroless copper plating step, a conventionally known electroless copper plating method can be employed.

上記無電解銅めっき工程で用いられる化学銅液としては、アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、アトテックジャパン社製「カッパープリントガントMSK」、アトテックジャパン社製「スタビライザープリントガントMSK」、及びアトテックジャパン社製「リデューサーCu」の混合液等が挙げられる。   As the chemical copper solution used in the electroless copper plating process, Atotech Japan's "Basic Print Gant MSK-DK", Atotech Japan's "Copper Print Gant MSK", Atotech Japan's "Stabilizer Print Gant MSK", And a mixed solution of "Reducer Cu" manufactured by Atotech Japan.

上記電解めっき工程は、電解銅めっき工程であることが好ましい。   The electrolytic plating step is preferably an electrolytic copper plating step.

上記電解銅めっき工程は、従来公知の電解銅めっき方法を採用することができる。   For the electrolytic copper plating step, a conventionally known electrolytic copper plating method can be adopted.

上記電解銅めっきの方法としては、パネルめっき法及びパターンめっき法等のサブトラクティブ法、並びにセミアディティブ法等が挙げられる。   Examples of the electrolytic copper plating method include a subtractive method such as a panel plating method and a pattern plating method, and a semi-additive method.

上記電解銅めっき工程で用いられる硫酸銅水溶液としては、和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、及びアトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」の混合液等が挙げられる。   Examples of the aqueous solution of copper sulfate used in the electrolytic copper plating step include “copper sulfate pentahydrate” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, “sulfuric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, and “Basic Leveler Caparaside HL” manufactured by Atotech Japan. And a mixed solution of "Correcting agent Capalaside GS" manufactured by Atotech Japan.

上記エッチング工程は、従来公知のエッチング方法を採用することができる。   In the etching step, a conventionally known etching method can be adopted.

上記エッチング工程で用いられるエッチング液としては、150g/Lの過硫酸ナトリウムを含む酸性エッチング液等が挙げられる。   Examples of the etchant used in the above etching step include an acidic etchant containing 150 g / L of sodium persulfate.

<本硬化工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが予備硬化されている場合には、絶縁層上に配線回路層が形成された後、以下の本硬化工程を備える。なお、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが本硬化されている場合には、以下の本硬化工程は備えなくてよい。
<Main curing step>
In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, when the resin film is preliminarily cured in the insulating layer forming step, after the wiring circuit layer is formed on the insulating layer, Process. In the case where the resin film has been fully cured in the insulating layer forming step, the following main curing step may not be provided.

上記本硬化工程における絶縁層の硬化は、加熱によって行われる。   The curing of the insulating layer in the main curing step is performed by heating.

上記本硬化工程における加熱温度は、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。   The heating temperature in the main curing step is (T + 30) ° C or more and (T + 80) ° C or less. By setting the heating temperature of the resin film when the resin film is fully cured in the above range, it is possible to suppress a decrease in the electrical characteristics of the insulating layer and to improve the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board. .

本硬化工程における加熱温度は、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも高い温度であることが好ましく、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも100℃未満で高い温度であることが好ましい。   The heating temperature in the main curing step is preferably higher than the heating temperature for pre-curing the resin film in the insulating layer forming step, and the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step. It is preferable that the temperature is lower than 100 ° C. and higher than the heating temperature.

上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは185℃以上、更に好ましくは190℃以上、好ましくは210℃以下、より好ましくは205℃以下、更に好ましくは200℃以下である。また、上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは(T+40)℃以上、好ましくは(T+60)℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。   The heating temperature in the main curing step is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 185 ° C. or higher, still more preferably 190 ° C. or higher, preferably 210 ° C. or lower, more preferably 205 ° C. or lower, and further preferably 200 ° C. or lower. . The heating temperature in the main curing step is preferably (T + 40) ° C. or higher, and more preferably (T + 60) ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, a decrease in the electrical characteristics of the insulating layer can be suppressed, and the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board can be enhanced. In particular, the resin film according to the present invention is suitably used for heating at 190 ° C. or more and 200 ° C. or less to fully cure the resin film to form an insulating layer.

上記本硬化工程における加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。   The heating time in the main curing step is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, more preferably 1.75 hours or less. When the heating time is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, a decrease in electrical characteristics of the insulating layer can be suppressed, and the transmission performance of the obtained multilayer printed wiring board can be increased.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、例えば、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程を繰り返すことにより、多層プリント配線板を得ることができる。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, for example, the insulating layer forming step, the swelling step, the roughening step, the via hole forming step, the desmear processing step, the wiring circuit layer forming step, and By repeating the main curing step, a multilayer printed wiring board can be obtained.

なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、最後の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を行った後、上記本硬化工程と同様の条件にて、更に絶縁−配線回路複合層が加熱されていてもよい。   In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, after performing the step of forming the final insulating-wiring circuit composite layer, the insulating-wiring circuit composite layer is further formed under the same conditions as in the main curing step. May be heated.

以下、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルム及び本発明に係る樹脂フィルムの各成分の詳細、並びに本発明に係る樹脂フィルムの用途などを説明する。   Hereinafter, the method for producing the multilayer printed wiring board according to the present invention, details of the resin film used for the multilayer printed wiring board and each component of the resin film according to the present invention, and the use of the resin film according to the present invention will be described.

[熱硬化性化合物]
上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物を含む。上記熱硬化性化合物としては、スチレン化合物、フェノキシ化合物、オキセタン化合物、エポキシ化合物、マレイミド化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、ポリフェニレンエーテル化合物、ジビニルベンジルエーテル化合物、ポリアリレート化合物、ジアリルフタレート化合物、ベンゾオキサゾール化合物、アクリレート化合物及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting compound]
The resin film contains a thermosetting compound. Examples of the thermosetting compound include styrene compounds, phenoxy compounds, oxetane compounds, epoxy compounds, maleimide compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, polyphenylene ether compounds, Examples thereof include a divinylbenzyl ether compound, a polyarylate compound, a diallyl phthalate compound, a benzoxazole compound, an acrylate compound, and a silicone compound. Only one kind of the thermosetting compound may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

伝送性能を高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、上記エポキシ化合物又は上記マレイミド化合物を含むこと好ましく、上記エポキシ化合物を含むことがより好ましい。   From the viewpoint of enhancing transmission performance, the thermosetting compound preferably contains the epoxy compound or the maleimide compound, and more preferably contains the epoxy compound.

伝送性能を高める観点からは、上記マレイミド化合物は、アルキルマレイミド化合物であることが好ましい。   From the viewpoint of enhancing transmission performance, the maleimide compound is preferably an alkylmaleimide compound.

上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。   Examples of the epoxy compound include a bisphenol A epoxy compound, a bisphenol F epoxy compound, a bisphenol S epoxy compound, a phenol novolak epoxy compound, a biphenyl epoxy compound, a biphenyl novolak epoxy compound, a biphenol epoxy compound, and a naphthalene epoxy compound. , Fluorene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, epoxy compound having an adamantane skeleton, epoxy compound having a tricyclodecane skeleton, naphthylene ether type An epoxy compound and an epoxy compound having a triazine nucleus in a skeleton are exemplified.

誘電正接をより一層低くし、かつ硬化物の熱線膨張係数(CTE)を良好にする観点からは、上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、ナフタレン骨格又はフェニル骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有するエポキシ化合物であることがより好ましい。   From the viewpoint of further lowering the dielectric loss tangent and improving the coefficient of linear thermal expansion (CTE) of the cured product, the epoxy compound preferably contains an epoxy compound having an aromatic skeleton, and has a naphthalene skeleton or a phenyl skeleton. It is preferable that the epoxy compound has an epoxy compound having an aromatic skeleton.

誘電正接をより一層低くし、かつ硬化物の熱線膨張係数(CTE)を良好にする観点、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性を高める観点からは、上記エポキシ化合物は、25℃で液状のエポキシ化合物と、25℃で固形のエポキシ化合物とを含むことが好ましい。   From the viewpoint of further lowering the dielectric loss tangent and improving the thermal expansion coefficient (CTE) of the cured product and enhancing the flexibility of the resin film and the insulating layer, the epoxy compound is a liquid epoxy compound at 25 ° C. And an epoxy compound which is solid at 25 ° C.

上記25℃で液状のエポキシ化合物の25℃での粘度は、1000mPa・s以下であることが好ましく、500mPa・s以下であることがより好ましい。   The viscosity at 25 ° C. of the liquid epoxy compound at 25 ° C. is preferably 1,000 mPa · s or less, more preferably 500 mPa · s or less.

上記エポキシ化合物の粘度を測定する際には、例えば動的粘弾性測定装置(レオロジカ・インスツルメンツ社製「VAR−100」)等が用いられる。   When measuring the viscosity of the epoxy compound, for example, a dynamic viscoelasticity measuring device (“VAR-100” manufactured by Rheologicals Instruments) is used.

上記エポキシ化合物の分子量は1000以下であることがより好ましい。この場合には、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%、無機充填材の含有量が50重量%以上であっても、絶縁層の形成時に流動性が高い樹脂材料が得られる。このため、樹脂フィルムの未硬化物又はBステージ化物を回路基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。   The molecular weight of the epoxy compound is more preferably 1,000 or less. In this case, a resin material having high fluidity at the time of forming the insulating layer can be obtained even when the content of the inorganic filler in the resin film is 100% by weight and the content of the inorganic filler is 50% by weight or more. For this reason, when the uncured resin material or the B-staged resin film is laminated on the circuit board, the inorganic filler can be uniformly present.

上記エポキシ化合物の分子量は、上記エポキシ化合物が重合体ではない場合、及び上記エポキシ化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記エポキシ化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。   The molecular weight of the epoxy compound means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the epoxy compound is not a polymer or when the structural formula of the epoxy compound can be specified. When the epoxy compound is a polymer, it means a weight average molecular weight.

硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高める観点からは、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは30重量%以上、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。   From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer, the content of the epoxy compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 30% by weight, based on 100% by weight of the components excluding the solvent in the resin film. % By weight, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less.

[無機充填材]
上記樹脂フィルムは、無機充填材を含む。上記無機充填材の使用により、硬化物の誘電正接がより一層低くなり、電気特性を高めることができる。また、上記無機充填材の使用により、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなる。上記無機充填材は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Inorganic filler]
The resin film contains an inorganic filler. By using the inorganic filler, the dielectric loss tangent of the cured product is further reduced, and the electrical characteristics can be improved. In addition, the use of the inorganic filler further reduces the dimensional change of the cured product due to heat. As the inorganic filler, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素等が挙げられる。   Examples of the inorganic filler include silica, talc, clay, mica, hydrotalcite, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and boron nitride.

硬化物の表面の表面粗さを小さくし、硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化物により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、硬化物の熱膨張率がより一層低くなり、また、硬化物の誘電正接がより一層低くなる。また、シリカの使用により、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は球状であることが好ましい。   Reduces the surface roughness of the surface of the cured product, further increases the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer, forms finer wiring on the surface of the cured product, and provides better insulation reliability with the cured product From the viewpoint of imparting properties, the inorganic filler is preferably silica or alumina, more preferably silica, and even more preferably fused silica. By using silica, the coefficient of thermal expansion of the cured product is further reduced, and the dielectric loss tangent of the cured product is further reduced. In addition, by using silica, the surface roughness of the surface of the cured product is effectively reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is effectively increased. The shape of the silica is preferably spherical.

硬化環境によらず、樹脂の硬化を進め、硬化物のガラス転移温度を効果的に高くし、硬化物の熱線膨張係数を効果的に小さくする観点からは、上記無機充填材は球状シリカであることが好ましい。   Regardless of the curing environment, advance the curing of the resin, effectively increase the glass transition temperature of the cured product, from the viewpoint of effectively reducing the coefficient of linear thermal expansion of the cured product, the inorganic filler is spherical silica Is preferred.

上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上、更に好ましくは500nm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは2μm以下、更に好ましくは1μm以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理後の硬化物の表面の表面粗さを制御しやすく、絶縁層と配線回路層との密着性をより一層高めることができる。   The average particle size of the inorganic filler is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, further preferably 500 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 2 μm or less, and still more preferably 1 μm or less. When the average particle size of the inorganic filler is not less than the lower limit and not more than the upper limit, it is easy to control the surface roughness of the surface of the cured product after the roughening treatment, and the adhesion between the insulating layer and the wiring circuit layer is more improved. Can be further enhanced.

上記無機充填材の平均粒径として、50%となるメディアン径(d50)の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。   As the average particle diameter of the inorganic filler, a value of the median diameter (d50) which becomes 50% is adopted. The average particle size can be measured using a laser diffraction scattering type particle size distribution measuring device.

上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、更に硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下である。   The inorganic filler is preferably spherical, and more preferably spherical silica. In this case, the surface roughness of the surface of the cured product is effectively reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is effectively increased. When the inorganic filler is spherical, the aspect ratio of the inorganic filler is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less.

上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤による表面処理物であることがより好ましく、シランカップリング剤による表面処理物であることが更に好ましい。上記無機充填材が表面処理されていることにより、粗化硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。また、上記無機充填材が表面処理されていることにより、硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができ、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を硬化物に付与することができる。   The inorganic filler is preferably surface-treated, more preferably a surface-treated product with a coupling agent, and even more preferably a surface-treated product with a silane coupling agent. By the surface treatment of the inorganic filler, the surface roughness of the surface of the roughened and cured product is further reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is further increased. Further, since the inorganic filler is subjected to the surface treatment, finer wiring can be formed on the surface of the cured product, and more favorable inter-wiring insulation reliability and interlayer insulation reliability can be obtained in the cured product. Can be granted.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン、及びエポキシシラン等が挙げられる。   Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent. Examples of the silane coupling agent include methacryl silane, acryl silane, amino silane, imidazole silane, vinyl silane, and epoxy silane.

樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%中、上記無機充填材の含有量は、好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、更に好ましくは65重量%以上、特に好ましくは68重量%以上、好ましくは90重量%以下、より好ましくは80重量%以下、更に好ましくは75重量%以下、特に好ましくは73重量%以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、誘電正接が効果的に低くなる。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくすることができ、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができる。さらに、この無機充填材量であれば、硬化物の熱膨張率を低くすることと同時に、スミア除去性を良好にすることも可能である。   The content of the inorganic filler is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, still more preferably 65% by weight or more, particularly preferably 68% by weight, based on 100% by weight of the components excluding the solvent in the resin film. %, Preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, further preferably 75% by weight or less, particularly preferably 73% by weight or less. When the content of the inorganic filler is equal to or more than the lower limit, the dielectric loss tangent is effectively reduced. When the content of the inorganic filler is equal to or greater than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product can be further reduced, and finer wiring can be formed on the surface of the cured product. Can be. Further, with this amount of the inorganic filler, it is possible to lower the coefficient of thermal expansion of the cured product and at the same time to improve the smear removal property.

[硬化剤]
上記樹脂フィルムは、硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤として、従来公知の硬化剤を使用可能である。上記硬化剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent]
The resin film preferably contains a curing agent. The curing agent is not particularly limited. As the curing agent, a conventionally known curing agent can be used. One of the above curing agents may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

上記硬化剤としては、アミン化合物(アミン硬化剤)、チオール化合物(チオール硬化剤)、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、ジシアンジアミド、フェノール化合物(フェノール硬化剤)、シアネート化合物(シアネート硬化剤)、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物(カルボジイミド硬化剤)、及びベンゾオキサジン化合物(ベンゾオキサジン硬化剤)等が挙げられる。上記硬化剤は、上記エポキシ化合物のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。   Examples of the curing agent include amine compounds (amine curing agents), thiol compounds (thiol curing agents), imidazole compounds, phosphine compounds, dicyandiamide, phenol compounds (phenol curing agents), cyanate compounds (cyanate curing agents), acid anhydrides, Active ester compounds, carbodiimide compounds (carbodiimide curing agents), benzoxazine compounds (benzoxazine curing agents), and the like can be given. The curing agent preferably has a functional group capable of reacting with the epoxy group of the epoxy compound.

熱寸法安定性をより一層高める観点、誘電正接を低下させる観点から、上記硬化剤は、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含むことが好ましい。すなわち、上記樹脂フィルムは、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含む硬化剤を含むことが好ましい。   From the viewpoint of further increasing the thermal dimensional stability and reducing the dielectric loss tangent, the curing agent is at least one of a phenol compound, a cyanate compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound. It is preferable to include the component of That is, the resin film preferably contains a curing agent containing at least one component among phenol compounds, cyanate compounds, acid anhydrides, active ester compounds, carbodiimide compounds, and benzoxazine compounds.

本明細書において、「フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分」を「成分X」と記載することがある。   In the present specification, “at least one component among phenol compounds, cyanate compounds, acid anhydrides, active ester compounds, carbodiimide compounds, and benzoxazine compounds” may be referred to as “component X”.

したがって、上記樹脂フィルムは、成分Xを含む硬化剤を含むことが好ましい。上記成分Xは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   Therefore, the resin film preferably contains a curing agent containing the component X. As the component X, only one type may be used, or two or more types may be used in combination.

上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。   Examples of the phenol compound include novolak-type phenol, biphenol-type phenol, naphthalene-type phenol, dicyclopentadiene-type phenol, aralkyl-type phenol, and dicyclopentadiene-type phenol.

上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール(DIC社製「TD−2091」)、ビフェニルノボラック型フェノール(明和化成社製「MEH−7851」)、アラルキル型フェノール化合物(明和化成社製「MEH−7800」)、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール(DIC社製「LA1356」及び「LA3018−50P」)等が挙げられる。   Commercially available phenol compounds include novolak phenol ("TD-2091" manufactured by DIC), biphenyl novolak phenol ("MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei), and aralkyl phenol compounds ("MEH" manufactured by Meiwa Kasei). -7800 "), and phenols having an aminotriazine skeleton (" LA1356 "and" LA3018-50P "manufactured by DIC).

上記シアネート化合物は、シアネートエステル化合物(シアネートエステル硬化剤)であってもよい。   The cyanate compound may be a cyanate ester compound (cyanate ester curing agent).

上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールF型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。   Examples of the cyanate ester compound include a novolak-type cyanate ester resin, a bisphenol-type cyanate ester resin, and a prepolymer in which these are partially trimerized. Examples of the novolak type cyanate ester resin include a phenol novolak type cyanate ester resin and an alkylphenol type cyanate ester resin. Examples of the bisphenol type cyanate ester resin include a bisphenol A type cyanate ester resin, a bisphenol E type cyanate ester resin, and a tetramethyl bisphenol F type cyanate ester resin.

上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT−30」及び「PT−60」)、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA−230S」、「BA−3000S」、「BTP−1000S」及び「BTP−6020S」)等が挙げられる。   Commercially available cyanate ester compounds include phenol novolak type cyanate ester resins (“PT-30” and “PT-60” manufactured by Lonza Japan) and prepolymers obtained by trimerizing bisphenol type cyanate ester resins (Lonza Japan). “BA-230S”, “BA-3000S”, “BTP-1000S” and “BTP-6020S”).

上記酸無水物としては、テトラヒドロフタル酸無水物、及びアルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。   Examples of the acid anhydride include tetrahydrophthalic anhydride and an alkylstyrene-maleic anhydride copolymer.

上記酸無水物の市販品としては、新日本理化社製「リカシッド TDA−100」等が挙げられる。   Commercial products of the above-mentioned acid anhydride include "Rikashid TDA-100" manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.

上記活性エステル化合物とは、構造体中にエステル結合を少なくとも1つ含み、かつ、エステル結合の両側に脂肪族鎖、脂肪族環又は芳香族環が結合している化合物をいう。活性エステル化合物は、例えばカルボン酸化合物又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物又はチオール化合物との縮合反応によって得られる。活性エステル化合物の例としては、下記式(1)で表される化合物が挙げられる。   The active ester compound refers to a compound having at least one ester bond in the structure and having an aliphatic chain, an aliphatic ring, or an aromatic ring bonded to both sides of the ester bond. The active ester compound is obtained, for example, by a condensation reaction of a carboxylic acid compound or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound or a thiol compound. Examples of the active ester compound include a compound represented by the following formula (1).

Figure 2020036010
Figure 2020036010

上記式(1)中、X1は、脂肪族鎖を含む基、脂肪族環を含む基又は芳香族環を含む基を表し、X2は、芳香族環を含む基を表す。上記芳香族環を含む基の好ましい例としては、置換基を有していてもよいベンゼン環、及び置換基を有していてもよいナフタレン環等が挙げられる。上記置換基としては、炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基の炭素数は、好ましくは12以下、より好ましくは6以下、更に好ましくは4以下である。   In the above formula (1), X1 represents a group containing an aliphatic chain, a group containing an aliphatic ring, or a group containing an aromatic ring, and X2 represents a group containing an aromatic ring. Preferred examples of the group containing an aromatic ring include a benzene ring which may have a substituent and a naphthalene ring which may have a substituent. Examples of the substituent include a hydrocarbon group. The number of carbon atoms of the hydrocarbon group is preferably 12 or less, more preferably 6 or less, and still more preferably 4 or less.

X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいベンゼン環との組み合わせ、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。さらに、X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいナフタレン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。   Examples of the combination of X1 and X2 include a combination of a benzene ring which may have a substituent and a benzene ring which may have a substituent, a benzene ring which may have a substituent, And a combination with a naphthalene ring which may have a group. Further, examples of the combination of X1 and X2 include a combination of a naphthalene ring which may have a substituent and a naphthalene ring which may have a substituent.

上記活性エステル化合物は特に限定されない。熱寸法安定性及び難燃性をより一層高める観点からは、上記活性エステルは、2個以上の芳香族骨格を有する活性エステル化合物であることが好ましい。硬化物の誘電正接を低くし、かつ硬化物の熱寸法安定性を高める観点から、活性エステルの主鎖骨格中にナフタレン環を有することがより好ましい。   The active ester compound is not particularly limited. From the viewpoint of further improving thermal dimensional stability and flame retardancy, the active ester is preferably an active ester compound having two or more aromatic skeletons. From the viewpoint of reducing the dielectric loss tangent of the cured product and increasing the thermal dimensional stability of the cured product, it is more preferable that the active ester has a naphthalene ring in the main chain skeleton.

上記活性エステル化合物の市販品としては、DIC社製「HPC−8000−65T」、「EXB9416−70BK」及び「EXB8100−65T」等が挙げられる。   Commercial products of the active ester compound include “HPC-8000-65T”, “EXB9416-70BK”, and “EXB8100-65T” manufactured by DIC.

上記カルボジイミド化合物は、下記式(2)で表される構造単位を有する。下記式(2)において、右端部及び左端部は、他の基との結合部位である。上記カルボジイミド化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The carbodiimide compound has a structural unit represented by the following formula (2). In the following formula (2), the right end and the left end are binding sites to other groups. One kind of the carbodiimide compound may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

Figure 2020036010
Figure 2020036010

上記式(2)中、Xは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基に置換基が結合した基、アリーレン基、又はアリーレン基に置換基が結合した基を表し、pは1〜5の整数を表す。Xが複数存在する場合、複数のXは同一であってもよく、異なっていてもよい。   In the above formula (2), X is an alkylene group, a group having a substituent bonded to an alkylene group, a cycloalkylene group, a group having a substituent bonded to a cycloalkylene group, an arylene group, or a substituent having been bonded to an arylene group. And p represents an integer of 1 to 5. When there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.

好適な一つの形態において、少なくとも1つのXは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、又はシクロアルキレン基に置換基が結合した基である。   In a preferred embodiment, at least one X is an alkylene group, a group having a substituent bonded to an alkylene group, a cycloalkylene group, or a group having a substituent bonded to a cycloalkylene group.

上記カルボジイミド化合物の市販品としては、日清紡ケミカル社製「カルボジライト V−02B」、「カルボジライト V−03」、「カルボジライト V−04K」、「カルボジライト V−07」、「カルボジライト V−09」、「カルボジライト 10M−SP」、及び「カルボジライト 10M−SP(改)」、並びに、ラインケミー社製「スタバクゾールP」、「スタバクゾールP400」、及び「ハイカジル510」等が挙げられる。   Commercially available carbodiimide compounds include Nisshinbo Chemical's "Carbodilite V-02B", "Carbodilite V-03", "Carbodilite V-04K", "Carbodilite V-07", "Carbodilite V-09", and "Carbodilite V-09". 10M-SP "and" Carbodilite 10M-SP (revised) ", as well as" STABAXOL P "," STABAXOL P400 ", and" HIKAZIL 510 "manufactured by Rhine Chemie.

上記ベンゾオキサジン化合物としては、P−d型ベンゾオキサジン、及びF−a型ベンゾオキサジン等が挙げられる。   Examples of the benzoxazine compound include Pd-type benzoxazine and Fa-type benzoxazine.

上記ベンゾオキサジン化合物の市販品としては、四国化成工業社製「P−d型」等が挙げられる。   Commercially available benzoxazine compounds include "Pd type" manufactured by Shikoku Chemicals.

上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記成分Xの含有量は、好ましくは70重量部以上、より好ましくは85重量部以上、好ましくは150重量部以下、より好ましくは120重量部以下である。上記成分Xの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高め、残存未反応成分の揮発をより一層抑制できる。   The content of the component X is preferably 70 parts by weight or more, more preferably 85 parts by weight or more, preferably 150 parts by weight or less, more preferably 120 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. is there. When the content of the component X is equal to or higher than the lower limit and equal to or lower than the upper limit, the curability is further improved, the thermal dimensional stability is further increased, and the volatilization of the remaining unreacted component can be further suppressed.

上記樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記熱硬化性化合物と上記成分Xとの合計の含有量は、好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下である。上記熱硬化性化合物と上記成分Xとの合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高めることができる。   In 100% by weight of the component excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film, the total content of the thermosetting compound and the component X is preferably at least 50% by weight, more preferably at least 60% by weight, It is preferably at most 95% by weight, more preferably at most 90% by weight. When the total content of the thermosetting compound and the component X is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the curability is more excellent, and the thermal dimensional stability can be further improved.

[硬化促進剤]
上記樹脂フィルムは、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。樹脂フィルムを速やかに硬化させることで、硬化物における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されず、従来公知の硬化促進剤を使用可能である。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing accelerator]
The resin film preferably contains a curing accelerator. The use of the curing accelerator further increases the curing speed. By rapidly curing the resin film, the crosslinked structure in the cured product becomes uniform, and the number of unreacted functional groups decreases, resulting in a higher crosslink density. The curing accelerator is not particularly limited, and a conventionally known curing accelerator can be used. One type of the above-mentioned curing accelerator may be used alone, or two or more types may be used in combination.

上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物等のアニオン性硬化促進剤、アミン化合物等のカチオン性硬化促進剤、並びにリン化合物及び有機金属化合物等のアニオン性及びカチオン性硬化促進剤以外の硬化促進剤等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator include anionic curing accelerators such as imidazole compounds, cationic curing accelerators such as amine compounds, and curing accelerators other than anionic and cationic curing accelerators such as phosphorus compounds and organometallic compounds. Agents and the like.

上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。   Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl- 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decyl imidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2 ′ -Methyl Midazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6 [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine Isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole No.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、4,4−ジメチルアミノピリジン及びジアザビシクロノネン等が挙げられる。   Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine, and diazabicyclononene.

上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。   Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine.

上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。   Examples of the organometallic compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonatocobalt (II), and trisacetylacetonatocobalt (III).

硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤は、上記アニオン性硬化促進剤を含むことが好ましく、上記イミダゾール化合物を含むことがより好ましい。   From the viewpoint of further lowering the curing temperature, the curing accelerator preferably contains the anionic curing accelerator, and more preferably contains the imidazole compound.

硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤100重量%中、上記アニオン性硬化促進剤の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは50重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、最も好ましくは100重量%(全量)である。   From the viewpoint of further reducing the curing temperature, the content of the anionic curing accelerator in 100% by weight of the curing accelerator is preferably 20% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and further preferably 80% by weight or more. % Or more, most preferably 100% by weight (total).

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムが効率的に硬化する。上記硬化促進剤の含有量がより好ましい範囲であれば、樹脂フィルムの保存安定性がより一層高くなり、かつより一層良好な硬化物が得られる。   The content of the curing accelerator is not particularly limited. The content of the curing accelerator is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and preferably 5% by weight or less in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film. , More preferably 3% by weight or less. When the content of the curing accelerator is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the resin film is efficiently cured. When the content of the curing accelerator is in the more preferable range, the storage stability of the resin film is further increased, and a more favorable cured product is obtained.

[熱可塑性樹脂]
上記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド等が挙げられる。ポリイミドは、可溶性ポリイミドであることが好ましく、樹脂フィルム中の他の成分に可溶であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermoplastic resin]
The resin film preferably contains a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include a polyvinyl acetal resin, a phenoxy resin, and a polyimide. The polyimide is preferably a soluble polyimide, and is preferably soluble in other components in the resin film. Only one kind of the thermoplastic resin may be used, or two or more kinds may be used in combination.

硬化環境によらず、誘電正接を効果的に低くし、かつ、金属配線の密着性を効果的に高める観点からは、上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂又はポリイミドであることが好ましい。フェノキシ樹脂又はポリイミドの使用により、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化及び無機充填材の不均一化が抑えられる。また、フェノキシ樹脂又は可溶性ポリイミドの使用により、溶融粘度を調整可能であるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に樹脂組成物又はBステージ化物が濡れ拡がり難くなる。   Regardless of the curing environment, the thermoplastic resin is preferably a phenoxy resin or a polyimide from the viewpoint of effectively reducing the dielectric loss tangent and effectively improving the adhesion of the metal wiring. By using a phenoxy resin or a polyimide, it is possible to suppress deterioration of the embedding property of the resin film into holes or irregularities of the circuit board and nonuniformity of the inorganic filler. In addition, by using a phenoxy resin or a soluble polyimide, the dispersibility of the inorganic filler is improved because the melt viscosity can be adjusted, and during the curing process, the resin composition or the B-staged material spreads in an unintended area. It becomes difficult.

上記樹脂フィルムに含まれているフェノキシ樹脂は特に限定されない。上記フェノキシ樹脂として、従来公知のフェノキシ樹脂を使用可能である。上記フェノキシ樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。   The phenoxy resin contained in the resin film is not particularly limited. As the phenoxy resin, a conventionally known phenoxy resin can be used. The phenoxy resin may be used alone or in combination of two or more.

上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型の骨格、ビスフェノールF型の骨格、ビスフェノールS型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。   Examples of the phenoxy resin include a phenoxy resin having a skeleton such as a bisphenol A skeleton, a bisphenol F skeleton, a bisphenol S skeleton, a biphenyl skeleton, a novolak skeleton, a naphthalene skeleton, and an imide skeleton.

上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「YP50」、「YP55」及び「YP70」、並びに三菱化学社製の「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及び「YX8100BH30」等が挙げられる。   Commercially available phenoxy resins include, for example, "YP50", "YP55" and "YP70" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, and "1256B40", "4250", "4256H40", and "4256H40" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 4275 "," YX6954BH30 "and" YX8100BH30 ".

保存安定性により一層優れた樹脂フィルムを得る観点からは、上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは5000以上、より好ましくは10000以上、好ましくは100000以下、より好ましくは50000以下である。   From the viewpoint of obtaining a resin film having better storage stability, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin and the phenoxy resin is preferably 5,000 or more, more preferably 10,000 or more, preferably 100,000 or less, more preferably 50,000 or less. It is.

上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。   The weight average molecular weight of the thermoplastic resin and the phenoxy resin indicates a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC).

上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の上記無機充填材及び上記溶剤を除く成分100重量%中、上記熱可塑性樹脂の含有量(上記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量)は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、樹脂フィルムの形成がより一層容易になり、より一層良好な絶縁層が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の熱膨張率がより一層低くなる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。   The contents of the thermoplastic resin and the phenoxy resin are not particularly limited. The content of the thermoplastic resin (when the thermoplastic resin is a phenoxy resin, the content of the phenoxy resin) is preferably 1% in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film. %, More preferably 2% by weight or more, preferably 30% by weight or less, more preferably 20% by weight or less. When the content of the thermoplastic resin is equal to or more than the lower limit and equal to or less than the upper limit, the embedding property of the resin film into holes or irregularities of the circuit board is improved. When the content of the thermoplastic resin is equal to or more than the above lower limit, formation of a resin film is further facilitated, and a better insulating layer is obtained. When the content of the thermoplastic resin is equal to or less than the upper limit, the coefficient of thermal expansion of the cured product is further reduced. When the content of the thermoplastic resin is equal to or less than the upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product is further reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is further increased.

[溶剤]
上記樹脂フィルムは、溶剤を含まないか又は含む。上記溶剤の使用により、樹脂フィルムの粘度を好適な範囲に制御でき、樹脂フィルムの塗工性を高めることができる。また、上記溶剤は、上記無機充填材を含むスラリーを得るために用いられてもよい。上記溶剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[solvent]
The resin film does not contain or contains a solvent. By using the solvent, the viscosity of the resin film can be controlled in a suitable range, and the coating property of the resin film can be improved. Further, the solvent may be used to obtain a slurry containing the inorganic filler. The solvent may be used alone or in combination of two or more.

上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、2−プロパノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、2−アセトキシ−1−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、N−メチル−ピロリドン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。   Examples of the solvent include acetone, methanol, ethanol, butanol, 2-propanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 1-methoxy-2-propanol, 2-acetoxy-1-methoxypropane, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, Examples thereof include N, N-dimethylformamide, methyl isobutyl ketone, N-methyl-pyrrolidone, n-hexane, cyclohexane, cyclohexanone and naphtha which is a mixture.

上記溶剤の多くは、上記樹脂組成物をフィルム状に成形するときに、除去されることが好ましい。従って、上記溶剤の沸点は好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。上記樹脂組成物における上記溶剤の含有量は特に限定されない。上記樹脂組成物の塗工性などを考慮して、上記溶剤の含有量は適宜変更可能である。   Most of the solvent is preferably removed when the resin composition is formed into a film. Therefore, the boiling point of the solvent is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The content of the solvent in the resin composition is not particularly limited. The content of the solvent can be appropriately changed in consideration of the coatability of the resin composition and the like.

[他の成分]
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂フィルムには、レベリング剤、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、及び揺変性付与剤等を添加してもよい。
[Other components]
For the purpose of improving impact resistance, heat resistance, compatibility of resin, workability, and the like, the above resin film includes a leveling agent, a flame retardant, a coupling agent, a coloring agent, an antioxidant, an ultraviolet ray deterioration inhibitor, A foaming agent, a thickener, a thixotropic agent and the like may be added.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。   Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, and an aluminum coupling agent. Examples of the silane coupling agent include vinyl silane, amino silane, imidazole silane and epoxy silane.

(樹脂フィルム)
樹脂組成物をフィルム状に成形することにより樹脂フィルム(Bステージ化物/Bステージフィルム)が得られる。上記樹脂フィルムは、Bステージフィルムであることが好ましい。上記樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂フィルムであることが好ましい。
(Resin film)
By molding the resin composition into a film, a resin film (B-staged product / B-stage film) is obtained. The resin film is preferably a B-stage film. The resin film is preferably a thermosetting resin film.

樹脂組成物をフィルム状に成形して、樹脂フィルムを得る方法としては、以下の方法が挙げられる。押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Tダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法。溶剤を含む樹脂組成物をキャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法。従来公知のその他のフィルム成形法。薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。   As a method of forming the resin composition into a film shape to obtain a resin film, the following method is exemplified. An extrusion molding method in which a resin composition is melt-kneaded using an extruder, extruded, and then formed into a film by a T-die or a circular die. A casting method in which a resin composition containing a solvent is cast to form a film. Other known film forming methods. The extrusion molding method or the casting molding method is preferable because it can cope with thinning. The film includes a sheet.

樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば50℃〜150℃で1分間〜10分間加熱乾燥させることにより、Bステージフィルムである樹脂フィルムを得ることができる。   The resin composition which is a B-stage film can be obtained by forming the resin composition into a film and heating and drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 1 minute to 10 minutes to such an extent that curing by heat does not proceed excessively. it can.

上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をBステージフィルムと称する。上記Bステージフィルムは、半硬化状態にある。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。   The film-shaped resin composition obtained by the above-described drying step is referred to as a B-stage film. The B stage film is in a semi-cured state. The semi-cured product is not completely cured, and curing may proceed further.

上記樹脂フィルムは、プリプレグでなくてもよい。上記樹脂フィルムがプリプレグではない場合には、ガラスクロス等に沿ってマイグレーションが生じなくなる。また、樹脂フィルムをラミネート又はプレキュアする際に、表面にガラスクロスに起因する凹凸が生じなくなる。上記樹脂フィルムは、金属箔又は基材と、該金属箔又は基材の表面に積層された樹脂フィルムとを備える積層フィルムの形態で用いることができる。上記金属箔は銅箔であることが好ましい。   The resin film need not be a prepreg. When the resin film is not a prepreg, migration does not occur along a glass cloth or the like. Further, when laminating or pre-curing the resin film, the surface does not have irregularities due to the glass cloth. The resin film can be used in the form of a laminated film including a metal foil or a base material and a resin film laminated on the surface of the metal foil or the base material. The metal foil is preferably a copper foil.

上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルム等のオレフィン樹脂フィルム、及びポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。   Examples of the base material of the laminated film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film, olefin resin films such as polyethylene film and polypropylene film, and polyimide resin films. The surface of the base material may be subjected to a release treatment, if necessary.

樹脂フィルムの硬化度をより一層均一に制御する観点からは、上記樹脂フィルムの厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。上記樹脂フィルムを回路の絶縁層として用いる場合、上記樹脂フィルムにより形成された絶縁層の厚さは、回路を形成する導体層(配線回路層)の厚さ以上であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。   From the viewpoint of more uniformly controlling the degree of cure of the resin film, the thickness of the resin film is preferably 5 μm or more, and more preferably 200 μm or less. When the resin film is used as an insulating layer of a circuit, the thickness of the insulating layer formed by the resin film is preferably equal to or greater than the thickness of a conductor layer (wiring circuit layer) forming a circuit. The thickness of the insulating layer is preferably 5 μm or more, and more preferably 200 μm or less.

上記樹脂フィルムの硬化物の表面の算術平均粗さRaは好ましくは10nm以上であり、好ましくは300nm未満、より好ましくは200nm未満、更に好ましくは150nm未満である。この場合には、硬化物と配線回路層との接着強度が高くなり、更に絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、導体損失を抑えることができ、信号損失を低く抑えることができる。上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定される。   The arithmetic average roughness Ra of the surface of the cured product of the resin film is preferably 10 nm or more, preferably less than 300 nm, more preferably less than 200 nm, and even more preferably less than 150 nm. In this case, the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer increases, and further finer wiring is formed on the surface of the insulating layer. Furthermore, conductor loss can be suppressed, and signal loss can be suppressed low. The arithmetic average roughness Ra is measured according to JIS B0601: 1994.

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

(熱硬化性化合物)
エポキシ化合物:
ビフェニル型エポキシ化合物(日本化薬社製「NC−3000」)
ナフタレン型エポキシ化合物(DIC社製「HP−4032D」)
ナフトールアラルキル型エポキシ化合物(新日鐵住金化学社製「ESN−475V」)
マレイミド化合物:
N−フェニルマレイミド化合物(大和化成工業社製「BMI−4000」)
N−アルキルビスマレイミド化合物(Designer Molecules Inc.製「BMI−1500」)
(Thermosetting compound)
Epoxy compound:
Biphenyl type epoxy compound ("NC-3000" manufactured by Nippon Kayaku)
Naphthalene type epoxy compound ("HP-4032D" manufactured by DIC)
Naphthol aralkyl epoxy compound (“ESN-475V” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation)
Maleimide compound:
N-phenylmaleimide compound ("BMI-4000" manufactured by Daiwa Chemical Industry Co., Ltd.)
N-alkyl bismaleimide compound (“BMI-1500” manufactured by Designer Molecular Inc.)

(無機充填材)
シリカ含有スラリー(シリカ75重量%:アドマテックス社製「SC4050−HOA」、平均粒径1.0μm、アミノシラン処理、シクロヘキサノン25重量%)
(Inorganic filler)
Silica-containing slurry (silica 75% by weight: “SC4050-HOA” manufactured by Admatechs, average particle size 1.0 μm, aminosilane treatment, cyclohexanone 25% by weight)

(硬化剤)
成分X:
フェノールノボラック化合物(DIC社製「LA−1356」)
活性エステル化合物含有液(DIC社製「EXB−9416−70BK」、固形分70重量%)
カルボジイミド化合物含有液(日清紡ケミカル社製「V−03」、固形分50重量%)
ベンゾオキサジン化合物(四国化成工業社製「P−d型」)
(Curing agent)
Component X:
Phenol novolak compound ("LA-1356" manufactured by DIC)
Liquid containing active ester compound ("EXB-9416-70BK" manufactured by DIC, solid content 70% by weight)
Liquid containing carbodiimide compound (“V-03” manufactured by Nisshinbo Chemical Inc., solid content 50% by weight)
Benzoxazine compound (“Pd type” manufactured by Shikoku Chemicals)

(硬化促進剤)
ジアザビシクロノネン(DBN)
ジメチルアミノピリジン(和光純薬工業社製「DMAP」)
イミダゾール化合物(2−フェニル−4−メチルイミダゾール、四国化成工業社製「2P4MZ」、アニオン性硬化促進剤)
(Curing accelerator)
Diazabicyclononene (DBN)
Dimethylaminopyridine (“DMAP” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Imidazole compound (2-phenyl-4-methylimidazole, "2P4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals, anionic curing accelerator)

(熱可塑性樹脂)
ポリイミド化合物(可溶性ポリイミド):
テトラカルボン酸二無水物とダイマージアミンとの反応物であるポリイミド含有溶液(不揮発分26.8重量%)を以下の合成例1に従って合成した。
(Thermoplastic resin)
Polyimide compound (soluble polyimide):
A polyimide-containing solution (non-volatile content: 26.8% by weight), which is a reaction product of tetracarboxylic dianhydride and dimer diamine, was synthesized according to Synthesis Example 1 below.

(合成例1)
撹拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応容器に、テトラカルボン酸二無水物(SABICジャパン合同会社製「BisDA−1000」)300.0gと、シクロヘキサノン665.5gとを入れ、反応容器中の溶液を60℃まで加熱した。次いで、反応容器中に、ダイマージアミン(クローダジャパン社製「PRIAMINE1075」)89.0gと、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン(三菱ガス化学社製)54.7gとを滴下した。次いで、反応容器中に、メチルシクロヘキサン121.0gと、エチレングリコールジメチルエーテル423.5gとを添加し、140℃で10時間かけてイミド化反応を行った。このようにして、ポリイミド化合物含有溶液(不揮発分26.8重量%)を得た。得られたポリイミド化合物の分子量(下記のGPC測定により求められる重量平均分子量)は20000であった。なお、酸成分/アミン成分のモル比は1.04であった。
(Synthesis example 1)
In a reaction vessel equipped with a stirrer, a water separator, a thermometer and a nitrogen gas inlet tube, 300.0 g of tetracarboxylic dianhydride (“BisDA-1000” manufactured by SABIC Japan GK) and 665.5 g of cyclohexanone were placed. And the solution in the reaction vessel was heated to 60 ° C. Next, 89.0 g of dimer diamine ("PRIAMINE 1075", manufactured by Croda Japan) and 54.7 g of 1,3-bisaminomethylcyclohexane (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company) were dropped into the reaction vessel. Next, 121.0 g of methylcyclohexane and 423.5 g of ethylene glycol dimethyl ether were added to the reaction vessel, and an imidization reaction was performed at 140 ° C. for 10 hours. Thus, a polyimide compound-containing solution (non-volatile content: 26.8% by weight) was obtained. The molecular weight (weight average molecular weight determined by the following GPC measurement) of the obtained polyimide compound was 20,000. The molar ratio of the acid component / amine component was 1.04.

GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)測定:
島津製作所社製高速液体クロマトグラフシステムを使用し、テトラヒドロフラン(THF)を展開媒として、カラム温度40℃、流速1.0ml/分で測定を行った。検出器として「SPD−10A」を用い、カラムはShodex社製「KF−804L」(排除限界分子量400,000)を2本直列につないで使用した。標準ポリスチレンとして、東ソー社製「TSKスタンダードポリスチレン」を用い、重量平均分子量Mw=354,000、189,000、98,900、37,200、17,100、9,830、5,870、2,500、1,050、500の物質を使用して較正曲線を作成し、分子量の計算を行った。
GPC (gel permeation chromatography) measurement:
Using a high performance liquid chromatograph system manufactured by Shimadzu Corporation, the measurement was performed at a column temperature of 40 ° C. and a flow rate of 1.0 ml / min using tetrahydrofuran (THF) as a developing medium. "SPD-10A" was used as a detector, and two columns of "KF-804L" (exclusion limit molecular weight: 400,000) manufactured by Shodex were connected in series. The weight average molecular weight Mw = 354,000, 189,000, 98,900, 37,200, 17,100, 9,830, 5,870,2, using "TSK standard polystyrene" manufactured by Tosoh Corporation as standard polystyrene. Calibration curves were created using 500, 1,050, 500 substances and molecular weights were calculated.

(実施例1〜3及び比較例1,2)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量(単位は固形分重量部)で配合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂材料を得た。
(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2)
The components shown in Table 1 below were blended in the amounts shown in Table 1 (units: parts by weight of solids), and stirred at room temperature until a uniform solution was obtained, to obtain a resin material.

樹脂フィルムの作製:
アプリケーターを用いて、離型処理されたPETフィルム(東レ社製「XG284」、厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂材料を塗工した後、100℃のギヤオーブン内で3分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが40μmである樹脂フィルム(Bステージフィルム)が積層されている積層フィルム(PETフィルムと樹脂フィルムとの積層フィルム)を得た。
Preparation of resin film:
Using an applicator, the obtained resin material was applied on the release-treated surface of a release-treated PET film (“XG284” manufactured by Toray Industries, Inc., thickness: 25 μm), and then, in a gear oven at 100 ° C. for 3 minutes. Dry and evaporate the solvent. Thus, a laminated film (a laminated film of a PET film and a resin film) in which a resin film (B-stage film) having a thickness of 40 μm was laminated on the PET film was obtained.

(評価)
(1)ピーク温度T
得られた樹脂フィルム(Bステージフィルム)の硬化に伴う発熱ピークを、示差走査熱量測定装置(TA・インスツルメント社製「Q2000」)を用いて評価した。専用アルミパンに樹脂フィルム8mgを取り、専用治具を用いて蓋をした。この専用アルミパンと空のアルミパン(リファレンス)とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度3℃/分で−30℃から250℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行った。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとした。得られた発熱ピークにおいて、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tを求めた。
(Evaluation)
(1) Peak temperature T
The exothermic peak accompanying the curing of the obtained resin film (B-stage film) was evaluated using a differential scanning calorimeter ("Q2000" manufactured by TA Instruments). 8 mg of the resin film was placed in a special aluminum pan, and capped with a special jig. This dedicated aluminum pan and an empty aluminum pan (reference) are set in a heating unit, and heated at a rate of 3 ° C./min from −30 ° C. to 250 ° C. in a nitrogen atmosphere, reverse heat flow and non-reverse flow. The heat flow was observed. The exothermic peak observed in the non-reverse heat flow was defined as the exothermic peak of the resin film. Among the obtained exothermic peaks, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less was determined.

(2)誘電正接
得られた樹脂フィルムを幅2mm、長さ80mmの大きさに裁断して5枚を重ね合わせて、厚み200μmの積層体を得た。
(2) Dielectric loss tangent The obtained resin film was cut into a size of 2 mm in width and 80 mm in length, and five sheets were overlapped to obtain a laminate having a thickness of 200 µm.

得られた積層体を130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で1.5時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(1)を得た。   The obtained laminate was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. This resin film was heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours to obtain a cured resin film (1).

得られた積層体を130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で7.5時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(2)を得た(樹脂フィルムの硬化物(1)を得た加熱時間よりも5倍長い加熱時間)。   The obtained laminate was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. This resin film was heated at (T + 50) ° C. for 7.5 hours to obtain a cured product (2) of the resin film (a heating time five times longer than the heating time of the cured product (1) of the resin film). ).

得られた積層体を130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で15時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(3)を得た(樹脂フィルムの硬化物(1)を得た加熱時間よりも10倍長い加熱時間)。   The obtained laminate was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. The resin film was heated at (T + 50) ° C. for 15 hours to obtain a cured product (3) of the resin film (a heating time ten times longer than the heating time of the cured product (1) of the resin film).

なお、上記硬化温度における上記Tは、ピーク温度Tを意味する。また、樹脂フィルムの硬化は表1に示すように、大気環境下又は窒素環境下で行った。   The above T at the above curing temperature means a peak temperature T. As shown in Table 1, the resin film was cured in an air environment or a nitrogen environment.

得られた樹脂フィルムの硬化物(1)〜(3)について、関東電子応用開発社製「空洞共振摂動法誘電率測定装置CP521」及びキーサイトテクノロジー社製「ネットワークアナライザーN5224A PNA」を用いて、空洞共振法で常温(23℃)にて、周波数10GHzにて誘電正接を測定した。   For the cured products (1) to (3) of the obtained resin films, using “Cavity Resonance Perturbation Method Permittivity Measurement Apparatus CP521” manufactured by Kanto Electronics Application Development Co., Ltd. and “Network Analyzer N5224A PNA” manufactured by Keysight Technology, Inc. The dielectric loss tangent was measured at room temperature (23 ° C.) at a frequency of 10 GHz by the cavity resonance method.

測定された樹脂フィルムの硬化物(1)の誘電正接Df1.5hと、樹脂フィルムの硬化物(2)の誘電正接Df7.5hと、樹脂フィルムの硬化物(3)の誘電正接Df15hとから、以下を算出した。 The measured dielectric loss tangent Df of the cured resin film (1) is 1.5 h , the dielectric loss tangent Df of the cured resin film (2) is 7.5 h, and the dielectric loss tangent Df of the cured resin film (3) is 15 h. From the above, the following was calculated.

Df7.5hのDf1.5hに対する比(Df7.5h/Df1.5h
Df15hのDf1.5hに対する比(Df15h/Df1.5h
The ratio of Df 7.5h to Df 1.5h (Df 7.5h / Df 1.5h )
Ratio of Df 15h to Df 1.5h (Df 15h / Df 1.5h )

[誘電正接の判定基準]
A:比(Df7.5h/Df1.5h)が、0.9以上1.15以下
B:比(Df7.5h/Df1.5h)が、0.9未満、又は、1.15を超える
A:比(Df15h/Df1.5h)が、0.9以上1.2以下
B:比(Df15h/Df1.5h)が、0.9未満、又は、1.2を超える
[Judgment criteria for dielectric loss tangent]
A: Ratio (Df 7.5h / Df 1.5h ) is 0.9 or more and 1.15 or less B: Ratio (Df 7.5h / Df 1.5h ) is less than 0.9 or 1.15 A: ratio (Df 15h / Df 1.5h ) is 0.9 or more and 1.2 or less B: ratio (Df 15h / Df 1.5h ) is less than 0.9 or exceeds 1.2

(3)伝送損失
伝送損失測定用の評価基板(銅張積層板と6層の絶縁−配線回路複合層とを備える評価基板)を下記に従い作製した。
(3) Transmission Loss An evaluation board for measuring a transmission loss (an evaluation board including a copper-clad laminate and six insulating-wiring circuit composite layers) was prepared as follows.

1層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a1)ラミネート工程:
両面銅張積層板(各面の銅箔の厚み18μm、基板の厚み0.7mm、基板サイズ100mm×100mm、日立化成社製「MCL−E679FG」)を用意した。この両面銅張積層板の銅箔面の両面をメック社製「Cz8101」に浸漬して、銅箔の表面を粗化処理した。粗化処理された銅張積層板の両面に、名機製作所社製「バッチ式真空ラミネーターMVLP−500/600−IIA」を用いて、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側を銅張積層板上に重ねてラミネートした。ラミネートの条件は、30秒減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃及び圧力0.4MPaでプレスする条件とした。PETフィルムを剥がした後130℃で60分間加熱し、樹脂フィルムを半硬化(予備硬化)させた。このようにして、CCL基板に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(1)を得た。
Formation of the first insulation-wiring circuit composite layer:
(A1) Laminating step:
A double-sided copper-clad laminate (a copper foil thickness of 18 μm on each surface, a substrate thickness of 0.7 mm, a substrate size of 100 mm × 100 mm, “MCL-E679FG” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was prepared. Both surfaces of the copper foil surface of this double-sided copper-clad laminate were immersed in “Cz8101” manufactured by MEC to roughen the surface of the copper foil. The resin film (B stage film) side of the laminated film is copper-clad laminated on both sides of the roughened copper-clad laminate using “Machine Seisakusho's“ batch type vacuum laminator MVLP-500 / 600-IIA ””. They were laminated on a board. The laminating conditions were such that the pressure was reduced to 13 hPa or less by reducing the pressure for 30 seconds, and then the pressing was performed at 100 ° C. and a pressure of 0.4 MPa for 30 seconds. After peeling off the PET film, it was heated at 130 ° C. for 60 minutes to semi-cure (preliminarily cure) the resin film. Thus, a laminate (1) in which the semi-cured resin film was laminated on the CCL substrate was obtained.

(b1)ビアホール形成工程:
COレーザー加工機(ビアメカニクス社製「LC−4KF212」)を用いて、バーストモード、エネルギー0.4mJ、パルス27μsec、3ショットの条件で、直径約60μmのビアホールを形成した。
(B1) Via-hole forming step:
Using a CO 2 laser beam machine (“LC-4KF212” manufactured by Via Mechanics Co., Ltd.), a via hole having a diameter of about 60 μm was formed under the conditions of burst mode, energy 0.4 mJ, pulse 27 μsec, and 3 shots.

(c1)デスミア処理及び粗化処理:
(c1−1)膨潤処理:
60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントP」)に、得られた積層体(1)を入れて、10分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
(C1) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1-1) Swelling treatment:
The obtained laminate (1) was placed in a swelling liquid at 60 ° C. (“Swelling Dip Securiganto P” manufactured by Atotech Japan) and rocked for 10 minutes. Thereafter, the substrate was washed with pure water.

(c1−2)過マンガン酸塩処理(粗化処理及びデスミア処理):
80℃の過マンガン酸カリウム(アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトCP」)粗化水溶液に、膨潤処理後の積層体(1)を入れて、30分間揺動させた。次に、25℃の洗浄液(アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントP」)を用いて2分間処理した後、純水で洗浄を行い、粗化処理後の積層体(1)を得た。
(C1-2) Permanganate treatment (roughening treatment and desmear treatment):
The layered product (1) after the swelling treatment was put into a roughened aqueous solution of potassium permanganate (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan) at 80 ° C. and rocked for 30 minutes. Next, after treating for 2 minutes using a cleaning liquid at 25 ° C. (“Reduction Securiganto P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), the substrate was washed with pure water to obtain a laminate (1) after a roughening treatment.

(c1−3)表面粗さの測定:
粗化処理後の積層体(1)(粗化処理された硬化物)の表面を、非接触3次元表面形状測定装置(Bruker社製「Contour GT−K」)を用いて、95.6μm×71.7μmの測定領域で算術平均粗さRaを測定した。なお、上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定した。粗化処理された硬化物の表面の表面粗さが200nm以下であることを確認した。
(C1-3) Measurement of surface roughness:
The surface of the layered product (1) (cured material subjected to the roughening treatment) after the roughening treatment was measured using a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (“Contour GT-K” manufactured by Bruker) to 95.6 μm × The arithmetic average roughness Ra was measured in a measurement area of 71.7 μm. The arithmetic average roughness Ra was measured in accordance with JIS B0601: 1994. It was confirmed that the surface roughness of the roughened cured product was 200 nm or less.

(d1)無電解めっき処理:
粗化処理後の積層体(1)の硬化物の表面を、60℃のアルカリクリーナ(アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント902」)で5分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を25℃のプリディップ液(アトテックジャパン社製「プリディップネオガントB」)で2分間処理した。その後、上記硬化物を40℃のアクチベーター液(アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント834」)で5分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、30℃の還元液(アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントWA」)により、硬化物を5分間処理した。
(D1) Electroless plating treatment:
The surface of the cured product of the laminate (1) after the roughening treatment was treated with an alkaline cleaner at 60 ° C. (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes, and degreased and washed. After washing, the cured product was treated with a pre-dip liquid at 25 ° C. (“Pre-Dip Neo Gant B” manufactured by Atotech Japan) for 2 minutes. Thereafter, the cured product was treated with an activator solution ("Activator Neo Gant 834" manufactured by Atotech Japan) at 40 ° C for 5 minutes to attach a palladium catalyst. Next, the cured product was treated with a reducing solution at 30 ° C. (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes.

次に、上記硬化物を化学銅液(アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、「カッパープリントガントMSK」、「スタビライザープリントガントMSK」、及び「リデューサーCu」)に入れ、無電解めっきをめっき厚さが0.5μm程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、120℃の温度で30分間アニール処理した。なお、無電解めっきの工程までの全ての工程は、ビーカースケールで処理液を2Lとし、硬化物を揺動させながら実施した。   Next, the cured product is placed in a chemical copper solution (“Basic Print Gant MSK-DK”, “Copper Print Gant MSK”, “Stabilizer Print Gant MSK”, and “Reducer Cu” manufactured by Atotech Japan), and electroless plating is performed. Was carried out until the plating thickness became about 0.5 μm. After the electroless plating, annealing was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove the remaining hydrogen gas. In addition, all the processes up to the process of the electroless plating were performed while making the treatment liquid 2 L on a beaker scale and oscillating the cured product.

(e1)レジスト形成:
ドライフィルムレジスト(日立化成社製「RY5125」)を、ホットロールラミネーターを用いて貼り付けた。ラミネート条件は、温度100℃、圧力0.4MPa及びラミネート速度1.5m/分とする条件とし、その後、15分ホールドした。次いで、85mJ/cmで露光した後、1wt%の炭酸ナトリウム水溶液を27℃で、スプレー圧1.2MPa、30秒間スプレー処理して現像を行った。
(E1) Resist formation:
A dry film resist (“RY5125” manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was attached using a hot roll laminator. The laminating conditions were such that the temperature was 100 ° C., the pressure was 0.4 MPa, and the laminating speed was 1.5 m / min. Next, after exposure at 85 mJ / cm 2 , development was performed by spraying a 1 wt% aqueous solution of sodium carbonate at 27 ° C. and a spray pressure of 1.2 MPa for 30 seconds.

(f1)電解めっき処理:
次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきをめっき厚さが25μmとなるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液(和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」)を用いて、0.6A/cmの電流を流しめっき厚さが25μm程度となるまで電解めっきを実施した。
(F1) Electroplating treatment:
Next, electrolytic plating was performed on the cured product subjected to the electroless plating until the plating thickness became 25 μm. Copper sulfate solution ("Copper sulfate pentahydrate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, "Sulfuric acid" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, "Basic Leveler Capparaside HL" manufactured by Atotech Japan, "Atotech Japan" A current of 0.6 A / cm 2 was passed using a compensating agent Capparaside GS ”) to perform electrolytic plating until the plating thickness became about 25 μm.

(g1)DFR剥離及びエッチング処理:
3wt%の水酸化ナトリウム水溶液を用いてスプレー処理することによりドライフィルムレジスト(DFR)を剥離した。次いで、過水硫酸系の酸性エッチング液(JCU社製「SACプロセス」)にてクイックエッチングを行った。
(G1) DFR peeling and etching treatment:
The dry film resist (DFR) was peeled off by spraying using a 3 wt% aqueous solution of sodium hydroxide. Next, quick etching was performed using a persulfuric acid-based acidic etching solution (“SAC process” manufactured by JCU).

(h1)本硬化工程:
ピーク温度Tに対し、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H1) Full curing step:
It heated at (T + 50) degreeC with respect to the peak temperature T for 1.5 hours.

このようにして、銅張積層板上に1層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。   Thus, the first insulating-wiring circuit composite layer was formed on the copper-clad laminate.

2層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a2)ラミネート工程:
(a1)ラミネート工程で実施した粗化処理条件と同様にして、1層目の配線回路層の粗化処理を行った。その後、(a1)ラミネート工程で実施したラミネート条件で、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側をラミネートした。その後、PETフィルムを剥がた後130℃で60分間加熱して樹脂フィルムを予備硬化させた。このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(2)を得た。
Formation of the second insulation-wiring circuit composite layer:
(A2) Laminating step:
(A1) The first wiring circuit layer was subjected to the roughening treatment under the same conditions as the roughening treatment performed in the laminating step. Thereafter, the resin film (B-stage film) side of the laminated film was laminated on the first insulating-wiring circuit composite layer under the laminating conditions performed in the (a1) laminating step. Then, after peeling off the PET film, the resin film was pre-cured by heating at 130 ° C. for 60 minutes. Thus, a laminate (2) in which a semi-cured resin film was laminated on the first insulating-wiring circuit composite layer was obtained.

(b2)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B2) Via hole forming step:
(B1) A via hole was formed in the same manner as in the step of forming the via hole except that the layered product (1) was changed to the layered product (2).

(c2)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(2)を得た。
(C2) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) The laminate (2) after the roughening treatment was obtained in the same manner as the steps performed in the desmear treatment and the roughening treatment, except that the laminate (1) was changed to the laminate (2).

(d2)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D2) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating treatment was performed in the same manner except that the step performed in the electroless plating treatment was changed from the roughened laminate (1) to the roughened laminate (2). Was.

(f2)電解めっき処理:
(d2)無電解めっき処理を行った後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F2) Electroplating treatment:
(D2) After performing the electroless plating treatment, the electroless plating treatment was performed in the same manner as in (f1) electrolytic plating treatment.

(h2)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H2) Full curing step:
(H1) Heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours in the same manner as in the main curing step.

このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に2層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。   Thus, a second insulating-wiring circuit composite layer was formed on the first insulating-wiring circuit composite layer.

3層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、2層目の絶縁−配線回路複合層上に3層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of third insulating-wiring circuit composite layer:
A third insulating-wiring circuit composite layer was formed on the second insulating-wiring circuit composite layer in the same manner as in the step of forming the second insulating-wiring circuit composite layer.

4層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、3層目の絶縁−配線回路複合層上に4層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of fourth insulation-wiring circuit composite layer:
A fourth insulating-wiring circuit composite layer was formed on the third insulating-wiring circuit composite layer in the same manner as in the step of forming the second insulating-wiring circuit composite layer.

5層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a5)ラミネート工程:
(a2)ラミネート工程で実施した工程と同様にして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(5)を得た。
Formation of the fifth insulation-wiring circuit composite layer:
(A5) Laminating step:
(A2) A laminate (5) was obtained in which a semi-cured resin film was laminated on the fourth insulating-wiring circuit composite layer in the same manner as in the laminating step.

(b5)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B5) Via hole forming step:
(B1) A via hole was formed in the same manner as in the step of forming the via hole, except that the laminate (1) was changed to the laminate (5).

(c5)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(5)を得た。
(C5) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) A laminate (5) after the roughening treatment was obtained in the same manner as the steps performed in the desmear treatment and the roughening treatment, except that the laminate (1) was changed to the laminate (5).

(d5)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D5) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating was performed in the same manner except that the step performed in the electroless plating was changed from the layered body (1) after the roughening to the layered body (5) after the roughening. Was.

(e5)レジスト形成:
(e1)レジスト形成で実施した工程と同様にして、現像を行った。
(E5) Resist formation:
(E1) Development was performed in the same manner as in the step of forming the resist.

(f5)電解めっき処理:
ドライフィルムレジストのパターンが形成された後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F5) Electroplating treatment:
After the pattern of the dry film resist was formed, an electroless plating process was performed in the same manner as the (f1) electrolytic plating process.

(g5)DFR剥離及びエッチング処理:
(g1)DFR剥離及びエッチング処理で実施した工程と同様にして、DFR剥離及びエッチング処理を行った。
(G5) DFR peeling and etching treatment:
(G1) DFR peeling and etching were performed in the same manner as in the steps performed in DFR peeling and etching.

(h5)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H5) Main curing step:
(H1) Heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours in the same manner as in the main curing step.

このようにして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に5層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。   Thus, a fifth insulating-wiring circuit composite layer was formed on the fourth insulating-wiring circuit composite layer.

6層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、5層目の絶縁−配線回路複合層上に6層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of sixth insulation-wiring circuit composite layer:
A sixth insulating-wiring circuit composite layer was formed on the fifth insulating-wiring circuit composite layer in the same manner as in the step of forming the second insulating-wiring circuit composite layer.

このようにして、銅張積層板上に1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成された評価基板を作製した。得られた評価基板では、1層目〜6層目の配線回路層のうち、1層目及び5層目の配線回路層のみがパターンを有している。1層目及び5層目の配線回路層は信号層である。   In this way, an evaluation substrate having the first to sixth insulating-wiring circuit composite layers formed on the copper-clad laminate was produced. In the obtained evaluation board, only the first and fifth wiring circuit layers among the first to sixth wiring circuit layers have patterns. The first and fifth wiring circuit layers are signal layers.

図5は、実施例及び比較例で作製された評価基板の信号層近傍を拡大して示す模式的部分断面図である。図5において、符号43は配線回路層(信号層)を示し、符号41,45は信号層とは異なる配線回路層(グランド層)を示し、符号42,44は絶縁層を示す。得られた評価基板において、信号層43の上面の幅W1及び下面の幅W2はそれぞれ20μmであり、信号層43の厚みtは15μmであり、絶縁層の厚みH1,H2はそれぞれ30μmであった。   FIG. 5 is a schematic partial cross-sectional view showing, in an enlarged manner, the vicinity of a signal layer of each of the evaluation substrates manufactured in Examples and Comparative Examples. In FIG. 5, reference numeral 43 indicates a wiring circuit layer (signal layer), reference numerals 41 and 45 indicate wiring circuit layers (ground layers) different from the signal layer, and reference numerals 42 and 44 indicate insulating layers. In the obtained evaluation substrate, the width W1 of the upper surface and the width W2 of the lower surface of the signal layer 43 were each 20 μm, the thickness t of the signal layer 43 was 15 μm, and the thicknesses H1 and H2 of the insulating layer were each 30 μm. .

1層目の配線回路層(信号層)の伝送路と、5層目の配線回路層(信号層)の伝送路とについて、下記に手順に従い、伝送損失を測定した。   The transmission loss of the transmission line of the first wiring circuit layer (signal layer) and the transmission line of the fifth wiring circuit layer (signal layer) were measured according to the following procedure.

伝送損失の評価:
40GHz エア・コプレナ・プローブ(カスケード・マイクロテック社製「ACP40−A−GSG−150」)をセットしたプローブステーションM150(カスケード・マイクロテック社製)の測定テーブルに、得られた評価基板を静置した。次いで、LRMインピーダンス基準基板(カスケード・マイクロテック社製)及びキーサイトテクノロジー社製「ベクトル型ネットワークアナライザーN5224A」を用いて、測定システムの校正を行った後、評価基板の測定ポイントに40GHz エア・コプレナ・プローブを伝送路の両端パッドに接触させた。キーサイトテクノロジー社製「ベクトル型ネットワークアナライザーN5224A」を用いて、周波数100MHzから40GHzの範囲で、1層目の配線回路層(信号層)の伝送損失の絶対値IL及び5層目の配線回路層(信号層)の伝送損失の絶対値ILを測定した。なお、伝送損失は、ベクトル型ネットワークアナライザーで測定されたS12(TouchStone Formatより算出)から、20Log(S21)を求めることにより得た。
Evaluation of transmission loss:
The obtained evaluation board is placed on a measurement table of a probe station M150 (manufactured by Cascade Microtech) on which a 40 GHz air coplanar probe (“ACP40-A-GSG-150” manufactured by Cascade Microtech) is set. did. Next, after calibrating the measurement system using an LRM impedance reference substrate (manufactured by Cascade Microtech) and “Vector Network Analyzer N5224A” manufactured by Keysight Technology, a 40 GHz air coplanar is placed at a measurement point on the evaluation substrate. -The probe was brought into contact with both end pads of the transmission path. Using the key site Technologies Inc. "Vector Network Analyzer N5224A", in the range of 40GHz the frequency 100 MHz, the absolute value IL 1 and 5 layer wiring circuit of the transmission loss of the first wiring circuit layer (signal layer) the absolute value IL 5 of the transmission loss of the layer (signal layer) was measured. Note that the transmission loss was obtained by calculating 20 Log (S21) from S12 (calculated from Touchstone Format) measured by a vector network analyzer.

[伝送損失の判定基準]
○:38GHzにおけるILのILに対する比(IL/IL)が0.96以上1.05以下
×:38GHzにおけるILのILに対する比(IL/IL)が1.05を超える
[Transmission loss criteria]
:: The ratio of IL 1 to IL 5 at 38 GHz (IL 1 / IL 5 ) was 0.96 or more and 1.05 or less. ×: The ratio of IL 1 to IL 5 at 38 GHz (IL 1 / IL 5 ) was 1.05. Exceed

組成及び結果を下記の表1に示す。今回の評価では、実験的に各層の伝送測定を行っているが、この値に大きな差異があると、実基板における伝送損失も大きくなると考えられる。   The composition and results are shown in Table 1 below. In this evaluation, the transmission measurement of each layer is experimentally performed, but if there is a large difference in this value, it is considered that the transmission loss in the actual substrate also increases.

Figure 2020036010
Figure 2020036010

1…多層プリント配線板
11…基板
11a…穴
12…配線回路層
13,13A,13B…絶縁層(1層目の絶縁層)
14…配線回路層(1層目の配線回路層)
15,15A,15B…絶縁層(2層目の絶縁層)
16…配線回路層(2層目の配線回路層)
17…絶縁層(3層目の絶縁層)
18…配線回路層(3層目の配線回路層)
19…絶縁層(4層目の絶縁層)
20…配線回路層(4層目の配線回路層)
21…絶縁層(5層目の絶縁層)
22…配線回路層(5層目の配線回路層)
23…絶縁層(6層目の絶縁層)
24…配線回路層(6層目の配線回路層)
31…ソルダーレジスト膜
41…配線回路層(グランド層)
42…絶縁層
43…配線回路層(信号層)
44…絶縁層
45…配線回路層(グランド層)
51,52…レジストパターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Multilayer printed wiring board 11 ... Substrate 11a ... Hole 12 ... Wiring circuit layer 13, 13A, 13B ... Insulating layer (1st insulating layer)
14. Wiring circuit layer (first wiring circuit layer)
15, 15A, 15B ... insulating layer (second insulating layer)
16. Wiring circuit layer (second wiring circuit layer)
17 ... insulating layer (third insulating layer)
18. Wiring circuit layer (third wiring circuit layer)
19 ... insulating layer (fourth insulating layer)
20: Wiring circuit layer (fourth wiring circuit layer)
21 ... insulating layer (fifth insulating layer)
22. Wiring circuit layer (fifth wiring circuit layer)
23 ... insulating layer (sixth insulating layer)
24. Wiring circuit layer (sixth wiring circuit layer)
31: Solder resist film 41: Wiring circuit layer (ground layer)
42: insulating layer 43: wiring circuit layer (signal layer)
44: insulating layer 45: wiring circuit layer (ground layer)
51, 52 ... resist pattern

Claims (10)

回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、
樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、
回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃としたときに、1層目〜6層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下であり、
得られる多層プリント配線板における1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、
得られる多層プリント配線板における5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、
ILのILに対する比を、0.96以上1.05以下にする、多層プリント配線板の製造方法。
A method of manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately stacked on a circuit board,
A method of manufacturing a multilayer printed wiring board to form a plurality of insulating layers using a resin film,
Forming a first insulating layer using a resin film on a circuit board, and forming a first wiring circuit layer on the first insulating layer, forming a first insulating-wiring circuit; Forming a composite layer;
Forming a second insulating layer using a resin film on the first insulating-wiring circuit composite layer, and forming a second wiring circuit layer on the second insulating layer; Forming a second insulating-wiring circuit composite layer;
Forming a third insulating layer using a resin film on the second insulating-wiring circuit composite layer, and forming a third wiring circuit layer on the third insulating layer; Forming a third insulating-wiring circuit composite layer;
Forming a fourth insulating layer using a resin film on the third insulating-wiring circuit composite layer, and forming a fourth wiring circuit layer on the fourth insulating layer; Forming a fourth insulation-wiring circuit composite layer;
Forming a fifth insulating layer using a resin film on the fourth insulating-wiring circuit composite layer, and forming a fifth wiring circuit layer on the fifth insulating layer; Forming a fifth insulating-wiring circuit composite layer;
Forming a sixth insulating layer using a resin film on the fifth insulating-wiring circuit composite layer, and forming a sixth wiring circuit layer on the sixth insulating layer; Forming a sixth insulation-wiring circuit composite layer;
The resin film includes a thermosetting compound and an inorganic filler,
The resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, as measured by a differential scanning calorimeter,
When the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height among the exothermic peaks having exothermic peak top temperatures of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less is T ° C., the insulation-wiring of the first to sixth layers is used. In each of the steps of forming the circuit composite layer, a heating temperature for fully curing the resin film is (T + 30) ° C or more and (T + 80) ° C or less,
The absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layers in the resulting multi-layer printed wiring board as IL 1,
The absolute value of the transmission loss of 5-layer wiring circuit layer in a multilayer printed wiring board when the IL 5 obtained,
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, wherein the ratio of IL 1 to IL 5 is 0.96 or more and 1.05 or less.
得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとし、
得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の周波数10GHzでの誘電正接をDfとしたときに、
DfのDfに対する比を、0.9以上1.15以下にする、請求項1に記載の多層プリント配線板の製造方法。
The dielectric loss tangent in the frequency 10GHz of first insulating layers in the resulting multi-layer printed wiring board as Df 1,
The dielectric loss tangent in the frequency 10GHz five-layer insulating layer when the Df 5 in the resulting multi-layer printed wiring board,
The ratio Df 5 of Df 1, to 0.9 to 1.15, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1.
前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、190℃以上200℃以下である、請求項1又は2に記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for producing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the heating temperature for fully curing the resin film is 190 ° C. or more and 200 ° C. or less. 絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層プリント配線板の製造方法。   Forming an insulating layer using a resin film on the insulating-wiring circuit composite layer and repeating the process of forming the wiring circuit layer on the insulating layer to form seven or more insulating-wiring circuit composite layers The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 3. 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層プリント配線板の製造方法。   The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the thermosetting compound includes an epoxy compound. 熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とし、
(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf1.5hとし、
(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数10GHzでの誘電正接をDf7.5hとしたときに、
Df7.5hのDf1.5hに対する比が、0.9以上1.15以下である、樹脂フィルム。
Including a thermosetting compound and an inorganic filler,
In the measurement with a differential scanning calorimeter, the exothermic peak top temperature is 130 ° C or more and 200 ° C or less,
Of the exothermic peak having an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, a peak temperature of an exothermic peak having a maximum peak height is defined as T ° C.,
The dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours is Df 1.5h ,
When the dielectric loss tangent at a frequency of 10 GHz of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours is Df 7.5h ,
A resin film wherein the ratio of Df 7.5h to Df 1.5h is 0.9 or more and 1.15 or less.
前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項6に記載の樹脂フィルム。   The resin film according to claim 6, wherein the thermosetting compound includes an epoxy compound. 190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために用いられる、請求項6又は7に記載の樹脂フィルム。   The resin film according to claim 6, wherein the resin film is heated to 190 ° C. or more and 200 ° C. or less to fully cure the resin film to form an insulating layer. 回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために用いられる、請求項6〜8のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。   The multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately stacked on a circuit board, the multilayer printed wiring board being used to form a plurality of insulating layers. 3. The resin film according to 1. 回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、
前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、
前記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層と、2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層と、3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層と、4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層と、5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層と、6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
1層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとし、
5層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をILとしたときに、
ILのILに対する比が、0.96以上1.05以下である、多層プリント配線板。
Comprising a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer,
On the circuit board, having a structure in which the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately laminated,
A first insulating-wiring circuit composite layer composed of a first insulating layer and a first wiring circuit layer, and a second insulating layer and a second wiring circuit on the circuit board. A second insulating-wiring circuit composite layer composed of layers, a third insulating-wiring circuit composite layer composed of a third insulating layer and a third wiring circuit layer, and a fourth layer The fourth insulation-wiring circuit composite layer composed of the insulating layer and the fourth wiring circuit layer, and the fifth insulation layer composed of the fifth insulating layer and the fifth wiring circuit layer -Having at least a wiring circuit composite layer and a sixth insulating-wiring circuit composite layer composed of a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer;
The resin film includes a thermosetting compound and an inorganic filler,
The resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or more and 200 ° C. or less, as measured by a differential scanning calorimeter,
The absolute value of the transmission loss of the first wiring circuit layer and IL 1,
The absolute value of the transmission loss of 5-layer wiring circuit layer is taken as IL 5,
A multilayer printed wiring board, wherein the ratio of IL 1 to IL 5 is 0.96 or more and 1.05 or less.
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