JP6978472B2 - Manufacturing method of multi-layer printed wiring board, resin film and multi-layer printed wiring board - Google Patents

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本発明は、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む樹脂フィルムに関する。また、本発明は、上記樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に関する。 The present invention relates to a resin film containing a thermosetting compound and an inorganic filler. The present invention also relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board using the above resin film and a multilayer printed wiring board.

多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂材料がフィルム化された樹脂フィルムが用いられることがある。上記絶縁層の表面には、一般に金属である配線が積層される。 In a multilayer printed wiring board, a resin film made of a resin material may be used to form an insulating layer for insulating the internal layers and to form an insulating layer located on the surface layer portion. be. Wiring, which is generally metal, is laminated on the surface of the insulating layer.

上記多層プリント配線板の製造方法は、一般に、以下の(1)〜(4)の工程を備える。(1)配線回路層の表面上に樹脂フィルムを積層する工程。(2)樹脂フィルムを硬化させて絶縁層を形成する工程。(3)絶縁層の表面上に配線回路層を配置する工程。(4)上記(1)〜(3)を繰り返す工程。上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であったり、レーザー方式又はインクジェット方式によって形成された配線回路であったりする。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board generally includes the following steps (1) to (4). (1) A step of laminating a resin film on the surface of a wiring circuit layer. (2) A step of curing a resin film to form an insulating layer. (3) A step of arranging a wiring circuit layer on the surface of the insulating layer. (4) A step of repeating the above (1) to (3). The wiring circuit layer may be a wiring circuit formed by a plating process and an etching process, or may be a wiring circuit formed by a laser method or an inkjet method.

上記樹脂フィルムに用いることができる樹脂組成物の一例として、下記の特許文献1には、エポキシ化合物と、活性エステル化合物と、充填材とを含む硬化性エポキシ組成物が開示されている。特許文献1には、この硬化性エポキシ組成物(樹脂フィルム)の硬化物を、多層プリント配線板等の絶縁層として用いることができることが記載されている。 As an example of the resin composition that can be used for the resin film, Patent Document 1 below discloses a curable epoxy composition containing an epoxy compound, an active ester compound, and a filler. Patent Document 1 describes that a cured product of this curable epoxy composition (resin film) can be used as an insulating layer of a multilayer printed wiring board or the like.

特開2015−143302号公報JP-A-2015-143302

多層プリント配線板の製造方法では、樹脂フィルムを加熱して硬化することにより絶縁層が形成される。したがって、上記(1)〜(3)の工程が繰り返されると、後期に積層された樹脂フィルムよりも初期に積層された樹脂フィルムの方が、より多くの回数かつより長い時間加熱される。樹脂フィルム(絶縁層)が繰り返し加熱されると、絶縁層の寸法安定性(線膨張係数)が変化することがある。この結果、得られる多層プリント配線板において、各層の絶縁層の線膨張係数に差が生じ、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れ(クラック)が生じることがある。特にビアホール周辺では、応力が集中しやすく、絶縁層及びビア部の配線回路層(配線回路層同士の接続部)のひび又は割れがより一層生じやすい。絶縁層及び配線回路層のひび又は割れが生じると、接続信頼性が低下することがある。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board, an insulating layer is formed by heating and curing a resin film. Therefore, when the above steps (1) to (3) are repeated, the resin film laminated in the early stage is heated more times and for a longer time than the resin film laminated in the later stage. When the resin film (insulating layer) is repeatedly heated, the dimensional stability (linear expansion coefficient) of the insulating layer may change. As a result, in the obtained multilayer printed wiring board, a difference may occur in the linear expansion coefficient of the insulating layer of each layer, and cracks or cracks may occur in the insulating layer and the wiring circuit layer. In particular, in the vicinity of the via hole, stress is likely to be concentrated, and cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer (connection portion between the wiring circuit layers) of the via portion are more likely to occur. Cracks or cracks in the insulation layer and wiring circuit layer can reduce connection reliability.

なお、初期に積層されて形成される絶縁層の寸法安定性(線膨張係数)の変化を抑えるために、後期段階での加熱温度を穏やかにすると、後期に積層された樹脂材料を十分に硬化させることが困難である。また、後期段階での加熱温度を緩やかにし、かつ長時間加熱することは、製造時間が長くなるため好ましくない。 If the heating temperature in the latter stage is moderated in order to suppress the change in the dimensional stability (linear expansion coefficient) of the insulating layer formed by being laminated in the initial stage, the resin material laminated in the later stage is sufficiently cured. It is difficult to make it. Further, it is not preferable to moderate the heating temperature in the latter stage and to heat for a long time because the production time becomes long.

さらに、リフロー工程時には、絶縁層が高温(例えば260℃以上)に晒されるため、積層された絶縁層の線膨張係数がそれぞれ異なる場合には、絶縁層及び配線回路層(特にビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層)のひび又は割れが生じやすい。 Further, since the insulating layer is exposed to a high temperature (for example, 260 ° C. or higher) during the reflow step, if the linear expansion coefficients of the laminated insulating layers are different, the insulating layer and the wiring circuit layer (particularly the insulating layer around the via hole). And the wiring circuit layer of the via part) is prone to cracking or cracking.

従来の樹脂材料では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層との、寸法安定性(線膨張係数)の変化を小さくすることは困難である。そのため、従来の樹脂材料では、絶縁層のひび又は割れの発生を防ぐことは困難であり、特に、ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れの発生を防ぐことはより一層困難である。また、従来の樹脂材料では、配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことは困難であり、特に、ビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことはより一層困難である。 With conventional resin materials, it is difficult to reduce the change in dimensional stability (linear expansion coefficient) between the insulating layer formed by being laminated in the early stage and the insulating layer formed by being laminated in the later stage. Therefore, with the conventional resin material, it is difficult to prevent the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer, and in particular, it is even more difficult to prevent the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole. Further, with the conventional resin material, it is difficult to prevent the occurrence of cracks or cracks in the wiring circuit layer, and in particular, it is even more difficult to prevent the occurrence of cracks or cracks in the wiring circuit layer in the via portion.

本発明の目的は、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる樹脂フィルムを提供することである。また、本発明の目的は、上記樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a resin film capable of preventing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and improving the connection reliability. Another object of the present invention is to provide a multilayer printed wiring board and a method for manufacturing a multilayer printed wiring board using the above resin film.

本発明の広い局面によれば、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃としたときに、1層目〜6層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下であり、得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、CTEのCTEに対する比を、0.75以上1.4以下にする、多層プリント配線板の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board, and a plurality of insulations are made by using a resin film. It is a method of manufacturing a multilayer printed wiring board for forming a layer, in which a first-layer insulating layer is formed on a circuit board by using a resin film, and a first-layer wiring circuit is formed on the first insulating layer. A step of forming a layer to form a first layer of an insulating-wiring circuit composite layer and a second layer of an insulating layer using a resin film on the first layer of the insulating-wiring circuit composite layer are formed. In addition, a step of forming a second wiring circuit layer on the second insulating layer to form a second insulating-wiring circuit composite layer and a step of forming a second insulating-wiring circuit composite layer on the second insulating-wiring circuit composite layer. , A third insulating layer is formed using a resin film, and a third wiring circuit layer is formed on the third insulating layer to form a third insulating-wiring circuit composite layer. And the fourth layer of the insulation circuit layer is formed on the third layer of the insulation-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fourth layer of the wiring circuit layer is formed on the fourth layer of the insulation layer. The step of forming the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer and the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer using a resin film are formed on the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer. A step of forming a fifth wiring circuit layer on the fifth insulating layer to form a fifth insulating-wiring circuit composite layer, and a resin on the fifth insulating-wiring circuit composite layer. A step of forming a sixth insulating layer using a film and forming a sixth wiring circuit layer on the sixth insulating layer to form a sixth insulating-wiring circuit composite layer. The resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. Among the exothermic peaks having the exothermic peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, when the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is T ° C., the insulation of the first to sixth layers- In each of the steps of forming the wiring circuit composite layer, the heating temperature for main curing the resin film is (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower, and the first layer of insulation in the obtained multilayer printed wiring board is insulated. When the average thermal expansion coefficient of the layer is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower is CTE 1, and the average thermal expansion coefficient of the fifth insulating layer of the obtained multilayer printed wiring board is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower is CTE 5. , The ratio of CTE 1 to CTE 5 is 0.75 or more. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a thickness of 1.4 or less is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記CTEと前記CTEとの差の絶対値を、7ppm/℃以下にする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the absolute value of the difference between the CTE 1 and the CTE 5 is set to 7 ppm / ° C. or less.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、190℃以上200℃以下である。 In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the heating temperature for main curing the resin film is 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する。 In a specific aspect of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, an insulating layer is formed on an insulating-wiring circuit composite layer using a resin film, and a wiring circuit layer is formed on the insulating layer. By repeating the process, seven or more layers of insulation-wiring circuit composite layers are formed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。 In certain aspects of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the thermosetting compound comprises an epoxy compound.

本発明の広い局面によれば、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とし、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE7.5hとしたときに、CTE7.5hのCTE1.5hに対する比が、0.75以上1.4以下である、樹脂フィルムが提供される。 According to a broad aspect of the present invention, it contains a thermosetting compound and an inorganic filler, has an exothermic peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower in measurement with a differential scanning calorimeter, and has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher. Of the heat generation peaks having a heat generation peak top temperature of 200 ° C. or lower, the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is set to T ° C., and 25 of the cured resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours. The average thermal expansion coefficient of CTE 1.5 h is defined as CTE 1.5 h or more and 150 ° C or lower, and the average thermal expansion coefficient of 25 ° C or higher and 150 ° C or lower of the cured resin film cured at (T + 50) ° C for 7.5 hours is CTE 7. A resin film is provided in which the ratio of CTE 7.5h to CTE 1.5h is 0.75 or more and 1.4 or less at 5h.

本発明に係る樹脂フィルムのある特定の局面では、前記CTE1.5hと前記CTE7.5hとの差の絶対値が、7ppm/℃以下である。 In a specific aspect of the resin film according to the present invention, the absolute value of the difference between the CTE 1.5h and the CTE 7.5h is 7 ppm / ° C. or less.

本発明に係る樹脂フィルムのある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。 In certain aspects of the resin film according to the present invention, the thermosetting compound comprises an epoxy compound.

本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The resin film according to the present invention is suitably used for forming an insulating layer by main curing the resin film by heating at 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

本発明に係る樹脂フィルムは、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The resin film according to the present invention is suitably used for forming a plurality of insulating layers in a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board.

本発明の広い局面によれば、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、前記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層と、2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層と、3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層と、4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層と、5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層と、6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、CTEのCTEに対する比が、0.75以上1.4以下である、多層プリント配線板が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer are provided, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately laminated on the circuit board. A first-layer insulation-wiring circuit composite layer composed of a first-layer insulating layer and a first-layer wiring circuit layer, and a second-layer insulating layer on the circuit board. And the second layer of insulation-wiring circuit composed of the second layer of wiring circuit layer, and the third layer of insulation-wiring circuit composed of the third layer of insulation layer and the third layer of wiring circuit layer. It is composed of a 4th insulation-wiring circuit composite layer composed of a composite layer, a 4th insulating layer and a 4th wiring circuit layer, a 5th insulating layer and a 5th wiring circuit layer. It has at least a fifth layer of insulation-wiring circuit composite layer and a sixth layer of insulation-wiring circuit composite layer composed of a sixth layer of insulation layer and a sixth layer of wiring circuit layer, and the resin. The film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter, and is the first layer of insulation. When the average thermal expansion coefficient of the layer from 25 ° C to 150 ° C is set to CTE 1 and the average thermal expansion coefficient of the fifth insulating layer from 25 ° C to 150 ° C is set to CTE 5 , the average thermal expansion coefficient of the CTE 1 is relative to CTE 5. A multilayer printed wiring board having a ratio of 0.75 or more and 1.4 or less is provided.

本発明に係る多層プリント配線板のある特定の局面では、前記CTEと前記CTEとの差の絶対値が、7ppm/℃以下である。 In a particular aspect of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the absolute value of the difference between the CTE 1 and the CTE 5 is 7 ppm / ° C. or less.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、1層目〜6層目の上記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、CTEのCTEに対する比を、0.75以上1.4以下にする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる多層プリント配線板を得ることができる。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board, and a resin film is used. This is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that forms a plurality of insulating layers. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a first insulating layer is formed on a circuit board by using a resin film, and the first wiring circuit layer is formed on the first insulating layer. The step of forming the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a second insulating layer is formed on the first insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the second insulating layer is formed. A second layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the second layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a third insulating layer is formed on the second insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the third insulating layer is formed. A third layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the third layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fourth insulating layer is formed on the third insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fourth insulating layer is formed. A step of forming a fourth layer of the wiring circuit layer and forming the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fifth insulating layer is formed on the fourth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fifth insulating layer is formed. A step of forming the fifth layer of the wiring circuit layer and forming the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a sixth insulating layer is formed on the fifth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the sixth insulating layer is formed. A step of forming the sixth layer of the wiring circuit layer and forming the sixth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, among the heat generation peaks having a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is set to T ° C. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, in each of the steps of forming the insulation-wiring circuit composite layer of the first layer to the sixth layer, the heating temperature for main curing the resin film is (1). T + 30) ° C. or higher (T + 80) ° C. or lower. The average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer in the obtained multilayer printed wiring board is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower as CTE 1, and the average thermal expansion coefficient of the fifth insulating layer in the obtained multilayer printed wiring board is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower. Let the average coefficient of thermal expansion of be CTE 5 . In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio of CTE 1 to CTE 5 is set to 0.75 or more and 1.4 or less. Since the above-mentioned configuration is provided in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and the connection reliability can be prevented. It is possible to obtain a multi-layer printed wiring board that can enhance.

本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の熱膨張係数をCTE1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の熱膨張係数をCTE7.5hとしたときに、CTE7.5hのCTE1.5hに対する比が、0.75以上1.4以下である。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。 The resin film according to the present invention contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. In the resin film according to the present invention, among the heat generation peaks having a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is defined as T ° C. In the resin film according to the present invention, the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours is set to CTE 1.5h, and the resin film cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours. When the thermal expansion coefficient of the cured product is CTE 7.5h , the ratio of CTE 7.5h to CTE 1.5h is 0.75 or more and 1.4 or less. Since the resin film according to the present invention has the above configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and it is possible to improve the connection reliability. ..

本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層。2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層。3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層。4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層。5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層。6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層。本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、CTEのCTEに対する比が、0.75以上1.4以下である。本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。 The multilayer printed wiring board according to the present invention includes a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately arranged on the circuit board. It has a laminated structure. The multilayer printed wiring board according to the present invention has at least the following first to sixth layers of insulation-wiring circuit composite layers. A first-layer insulation-wiring circuit composite layer composed of a first-layer insulating layer and a first-layer wiring circuit layer on the circuit board. A second insulating-wiring circuit composite layer composed of a second insulating layer and a second wiring circuit layer. A third-layer insulation-wiring circuit composite layer composed of a third-layer insulating layer and a third-layer wiring circuit layer. A fourth insulating-wiring circuit composite layer composed of a fourth insulating layer and a fourth wiring circuit layer. A fifth insulating-wiring circuit composite layer composed of a fifth insulating layer and a fifth wiring circuit layer. A sixth insulating-wiring circuit composite layer composed of a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film generates heat at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. Has a peak top temperature. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set to CTE 1, and the average thermal expansion of the fifth insulating layer of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set. When the coefficient is CTE 5 , the ratio of CTE 1 to CTE 5 is 0.75 or more and 1.4 or less. Since the multilayer printed wiring board according to the present invention has the above configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and to improve the connection reliability. Can be done.

図1は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer printed wiring board using a resin film according to an embodiment of the present invention. 図2(a)〜(d)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。2 (a) to 2 (d) are cross-sectional views for explaining a method of obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 1. 図3(a)〜(c)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。3A to 3C are cross-sectional views for explaining a method of obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 1. 図4(a)〜(f)は、図1に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。4 (a) to 4 (f) are cross-sectional views for explaining a method of obtaining the multilayer printed wiring board shown in FIG. 1.

以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃としたときに、1層目〜6層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、CTEのCTEに対する比を、0.75以上1.4以下にする。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board, and a resin film is used. This is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that forms a plurality of insulating layers. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a first insulating layer is formed on a circuit board by using a resin film, and the first wiring circuit layer is formed on the first insulating layer. The step of forming the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a second insulating layer is formed on the first insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the second insulating layer is formed. A second layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the second layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a third insulating layer is formed on the second insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the third insulating layer is formed. A third layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the third layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fourth insulating layer is formed on the third insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fourth insulating layer is formed. A step of forming a fourth layer of the wiring circuit layer and forming the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fifth insulating layer is formed on the fourth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fifth insulating layer is formed. A step of forming the fifth layer of the wiring circuit layer and forming the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a sixth insulating layer is formed on the fifth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the sixth insulating layer is formed. A step of forming the sixth layer of the wiring circuit layer and forming the sixth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided. In the method for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, when the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is set to T ° C. among the heat generation peaks having the heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. In each of the steps of forming the insulation-wiring circuit composite layer of the first to sixth layers, the heating temperature for main curing the resin film is (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower. The average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer in the obtained multilayer printed wiring board is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower as CTE 1, and the average thermal expansion coefficient of the fifth insulating layer in the obtained multilayer printed wiring board is 25 ° C or higher and 150 ° C or lower. Let the average coefficient of thermal expansion of be CTE 5 . In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio of CTE 1 to CTE 5 is set to 0.75 or more and 1.4 or less.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる多層プリント配線板を得ることができる。 Since the above-mentioned configuration is provided in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and the connection reliability can be prevented. It is possible to obtain a multi-layer printed wiring board that can enhance.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺以外の部分の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生も防ぐことができる。すなわち、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、絶縁層全体及び配線回路層全体のひび又は割れの発生を防ぐことができる。 Since the above-mentioned configuration is provided in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer in the portion other than the vicinity of the via hole. That is, in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the entire insulating layer and the entire wiring circuit layer.

本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。本発明に係る樹脂フィルムにおいて、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE1.5hとし、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、CTE7.5hのCTE1.5hに対する比が、0.75以上1.4以下である。 The resin film according to the present invention contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. In the resin film according to the present invention, among the heat generation peaks having a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is defined as T ° C. In the resin film according to the present invention, the average thermal expansion coefficient of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours is 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower as CTE 1.5h, and 7 at (T + 50) ° C. The average thermal expansion coefficient of the cured product of the resin film cured for 5. hours at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is defined as CTE 7.5h. In the resin film according to the present invention, the ratio of CTE 7.5h to CTE 1.5h is 0.75 or more and 1.4 or less.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。 Since the resin film according to the present invention has the above configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and it is possible to improve the connection reliability. ..

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺以外の部分の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生も防ぐことができる。すなわち、本発明に係る樹脂フィルムでは、絶縁層全体及び配線回路層全体のひび又は割れの発生を防ぐことができる。 Since the resin film according to the present invention has the above-mentioned configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer in the portion other than the vicinity of the via hole. That is, the resin film according to the present invention can prevent cracks or cracks in the entire insulating layer and the entire wiring circuit layer.

本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、6層以上の絶縁層を形成するために用いられることが好ましい。本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、5層以下の絶縁層を形成するために用いることもできる。本発明に係る樹脂フィルムを5層以下の絶縁層を形成するために用いたとしても、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。 The resin film according to the present invention is preferably used for forming an insulating layer of 6 or more in a multilayer printed wiring board. The resin film according to the present invention can also be used to form an insulating layer of 5 or less in a multilayer printed wiring board. Even if the resin film according to the present invention is used to form an insulating layer of 5 or less, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and the connection reliability is high. Can be enhanced.

本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層。2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層。3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層。4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層。5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層。6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層。本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、CTEのCTEに対する比が、0.75以上1.4以下である。 The multilayer printed wiring board according to the present invention includes a circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer, and the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately arranged on the circuit board. It has a laminated structure. The multilayer printed wiring board according to the present invention has at least the following first to sixth layers of insulation-wiring circuit composite layers. A first-layer insulation-wiring circuit composite layer composed of a first-layer insulating layer and a first-layer wiring circuit layer on the circuit board. A second insulating-wiring circuit composite layer composed of a second insulating layer and a second wiring circuit layer. A third-layer insulation-wiring circuit composite layer composed of a third-layer insulating layer and a third-layer wiring circuit layer. A fourth insulating-wiring circuit composite layer composed of a fourth insulating layer and a fourth wiring circuit layer. A fifth insulating-wiring circuit composite layer composed of a fifth insulating layer and a fifth wiring circuit layer. A sixth insulating-wiring circuit composite layer composed of a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler, and the resin film generates heat at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. Has a peak top temperature. In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set to CTE 1, and the average thermal expansion of the fifth insulating layer of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set. When the coefficient is CTE 5 , the ratio of CTE 1 to CTE 5 is 0.75 or more and 1.4 or less.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。 Since the multilayer printed wiring board according to the present invention has the above configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, and to improve the connection reliability. Can be done.

本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、ビアホール周辺以外の部分の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生も防ぐことができる。すなわち、本発明に係る多層プリント配線板では、絶縁層全体及び配線回路層全体のひび又は割れの発生を防ぐことができる。 Since the multilayer printed wiring board according to the present invention has the above configuration, it is possible to prevent cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer in the portion other than the vicinity of the via hole. That is, in the multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the entire insulating layer and the entire wiring circuit layer.

従来の多層プリント配線板、樹脂フィルム、及び多層プリント配線板の製造方法では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層とで絶縁層の寸法安定性が変化する。このため、リフロー工程時及び冷熱サイクル等の信頼性試験における温度変化によって絶縁層に応力が集中し、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れが生じることがある。この場合、ビアホール部分には特に応力が集中しやすく、ビアホール周辺の絶縁層では、ひび又は割れが生じやすく、また、ビア部の配線回路層のひび又は割れが生じやすい。さらに、スタックビアが形成されている場合には、該ビアホール周辺の絶縁層及び該スタックビア部の配線回路層において、ひび又は割れがより一層生じやすい。これに対して、本発明に係る多層プリント配線板、樹脂フィルム及び多層プリント配線板の製造方法では、特定の樹脂フィルムを用いているため、絶縁層の寸法安定性が変化し難く、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができ、接続信頼性を高めることができる。本発明に係る多層プリント配線板、樹脂フィルム及び多層プリント配線板の製造方法では、スタックビアが形成されている場合でも、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができる。 In the conventional method for manufacturing a multilayer printed wiring board, a resin film, and a multilayer printed wiring board, the dimensional stability of the insulating layer is formed by an insulating layer formed by being laminated at an early stage and an insulating layer formed by being laminated at a later stage. Changes. For this reason, stress may be concentrated on the insulating layer due to temperature changes during the reflow process and in reliability tests such as the thermal cycle, and cracks or cracks may occur in the insulating layer and the wiring circuit layer. In this case, stress is particularly likely to be concentrated on the via hole portion, cracks or cracks are likely to occur in the insulating layer around the via hole, and cracks or cracks are likely to occur in the wiring circuit layer of the via portion. Further, when the stack via is formed, cracks or cracks are more likely to occur in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer of the stack via portion. On the other hand, in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board, a resin film, and a multilayer printed wiring board according to the present invention, since a specific resin film is used, the dimensional stability of the insulating layer is unlikely to change, and the area around the via hole is not easily changed. It is possible to prevent the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer of the via portion, and it is possible to improve the connection reliability. In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board, a resin film, and a multilayer printed wiring board according to the present invention, even when stack vias are formed, cracks or cracks occur in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion. Can be prevented.

上記樹脂フィルムの示差走査熱量計での測定において、発熱ピークは、具体的には、以下のようにして測定される。 In the measurement of the resin film with the differential scanning calorimeter, the exothermic peak is specifically measured as follows.

示差走査熱量測定装置(例えば、TA・インスツルメント社製「Q2000」)を用意する。専用アルミパンに樹脂フィルム8mgを取り、専用治具を用いて蓋をする。この専用アルミパンと空のアルミパン(リファレンス)とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度3℃/分で−30℃から250℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行う。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとする。 Prepare a differential scanning calorimetry device (for example, "Q2000" manufactured by TA Instrument Co., Ltd.). Take 8 mg of resin film on a special aluminum pan and cover it with a special jig. This dedicated aluminum pan and an empty aluminum pan (reference) are installed in the heating unit and heated from -30 ° C to 250 ° C at a heating rate of 3 ° C / min under a nitrogen atmosphere, and reverse heat flow and non-reverse. Observe the heat flow. The heat generation peak observed in the non-reverse heat flow is defined as the heat generation peak of the resin film.

上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。上記発熱ピークトップ温度が130℃未満であると、樹脂フィルムの貯蔵安定性が悪化することがある。上記発熱ピークトップ温度が200℃を越えると、乾燥炉の温度のばらつきが大きくなることがあり、多層プリント配線板の製造が困難になることがある。 The resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter. If the exothermic peak top temperature is less than 130 ° C., the storage stability of the resin film may deteriorate. If the exothermic peak top temperature exceeds 200 ° C., the temperature variation of the drying furnace may become large, and it may be difficult to manufacture the multilayer printed wiring board.

樹脂フィルムの硬化反応をより一層良好にする観点からは、上記発熱ピークトップ温度は、好ましくは140℃以上、好ましくは170℃以下である。 From the viewpoint of further improving the curing reaction of the resin film, the exothermic peak top temperature is preferably 140 ° C. or higher, preferably 170 ° C. or lower.

上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とする。上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計の測定において、130℃以上200℃以下に少なくとも1つの発熱ピークトップ温度を有する。上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが1つである場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、該発熱ピークのピーク温度である。上記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが複数である場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、該発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度である。 Among the exothermic peaks having the exothermic peak top temperature at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or less, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is defined as T ° C. The resin film has at least one exothermic peak top temperature at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower in the measurement of the differential scanning calorimeter. When there is one exothermic peak having the exothermic peak top temperature at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or less, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is the peak temperature of the exothermic peak. When there are a plurality of exothermic peaks having an exothermic peak top temperature at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or less, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is the maximum peak height of the exothermic peaks. It is the peak temperature of the exothermic peak.

したがって、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tは、130℃以上200℃以下である。上記ピーク温度Tが130℃未満であると、保管時において硬化が進行しやすく、樹脂フィルムの可使時間が短くなることがある。 Therefore, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height is 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. If the peak temperature T is less than 130 ° C., curing tends to proceed during storage, and the pot life of the resin film may be shortened.

上記ピーク温度Tは、好ましくは140℃以上、好ましくは170℃以下である。上記ピーク温度Tが170℃以下であると、170℃を超える場合と比べて、製造工程での樹脂フィルムの硬化のばらつき及び硬化残りを抑えることができる。 The peak temperature T is preferably 140 ° C. or higher, preferably 170 ° C. or lower. When the peak temperature T is 170 ° C. or lower, it is possible to suppress variations in curing and residual curing of the resin film in the manufacturing process as compared with the case where the temperature exceeds 170 ° C.

また、セミアディティブ工程(SAP工程)における粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の表面の表面粗さは、200nm以下であることが好ましい。粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の表面の表面粗さの制御には、粗化処理後の樹脂フィルム(半硬化物)の硬化度が大きく影響する。粗化処理前の半硬化物の硬化度の制御、及び粗化処理後のファイナルキュアにおいて十分に硬化させる観点から、上記ピーク温度Tは上述した温度範囲であること好ましい。 Further, the surface roughness of the surface of the resin film (semi-cured product) after the roughening treatment in the semi-additive step (SAP step) is preferably 200 nm or less. The degree of curing of the resin film (semi-cured product) after the roughening treatment has a great influence on the control of the surface roughness of the surface of the resin film (semi-cured product) after the roughening treatment. The peak temperature T is preferably in the above-mentioned temperature range from the viewpoint of controlling the degree of curing of the semi-cured product before the roughening treatment and sufficiently curing the semi-cured product in the final cure after the roughening treatment.

本発明に係る樹脂フィルムの硬化物、並びに、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数(平均線膨張係数)は、以下のようにして測定することができる。 The temperature of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower of the cured product of the resin film according to the present invention, the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the present invention, and the insulating layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention. The average coefficient of thermal expansion (coefficient of linear expansion) can be measured as follows.

熱機械的分析装置(例えば、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「EXSTAR TMA/SS6100」)を用いて、引っ張り荷重33mN及び昇温速度5℃/分の条件で、樹脂フィルムの硬化物又は絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数(ppm/℃)を算出する。 Using a thermomechanical analyzer (for example, "EXSTAR TMA / SS6100" manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), a cured product of a resin film or an insulating layer under the conditions of a tensile load of 33 mN and a heating rate of 5 ° C./min. The average coefficient of thermal expansion (ppm / ° C.) of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is calculated.

なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数は、該多層プリント配線板に用いられた樹脂フィルムと同じ樹脂フィルムを硬化させて、硬化させた樹脂フィルム(絶縁層)について求めてもよい。 The average thermal expansion coefficient of the insulating layer of the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the present invention and the insulating layer of the multilayer printed wiring board according to the present invention is 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. The same resin film as the resin film used for the plate may be cured to obtain the cured resin film (insulating layer).

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板では、1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとする。また、10層以上の絶縁−配線回路複合層が形成されている場合に、10層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE10とする。なお、1層目の絶縁層、5層目の絶縁層、10層目の絶縁層はそれぞれ、本硬化後の絶縁層であることが好ましい。なお、上記本硬化後の絶縁層は、本硬化前に予備硬化されていてもよい。上記本硬化後の絶縁層は、予備硬化後に本硬化された絶縁層であることが好ましい。 In the multilayer printed wiring board obtained by the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention and the multilayer printed wiring board according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is CTE 1. The average coefficient of thermal expansion of the fifth insulating layer at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is defined as CTE 5 . When 10 or more insulation-wiring circuit composite layers are formed, the average coefficient of thermal expansion of the 10th insulation layer at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is defined as CTE 10 . It is preferable that the first insulating layer, the fifth insulating layer, and the tenth insulating layer are each the insulating layer after the main curing. The insulating layer after the main curing may be pre-cured before the main curing. The insulating layer after the main curing is preferably an insulating layer that has been finally cured after the pre-curing.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記CTEの上記CTEに対する比(CTE/CTE)が、0.75以上1.4以下である。上記比(CTE/CTE)が0.75未満であると、絶縁層のひび又は割れが生じやすい。上記比(CTE/CTE)が1.4を超えると、硬化後の加熱で樹脂成分の揮発が生じていることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、絶縁フィルムの割れ又は欠けが生じることがある。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above CTE 5 of the CTE 1 (CTE 1 / CTE 5 ) is 0.75 to 1.4 be. When the above ratio (CTE 1 / CTE 5 ) is less than 0.75, cracks or cracks in the insulating layer are likely to occur. If the above ratio (CTE 1 / CTE 5 ) exceeds 1.4, the resin component may volatilize due to heating after curing, and as a result, the flexibility of the resin film and the insulating layer decreases, and insulation is performed. The film may crack or chip.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記CTEの上記CTEに対する比(CTE/CTE)は、好ましくは0.76以上、より好ましくは0.8以上、好ましくは1.2以下、より好ましくは1.1以下である。上記比(CTE/CTE)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑えることができる。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above CTE 5 of the CTE 1 (CTE 1 / CTE 5 ) is preferably 0.76 or more, more preferably Is 0.8 or more, preferably 1.2 or less, and more preferably 1.1 or less. When the ratio (CTE 1 / CTE 5 ) is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion can be more effectively suppressed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記CTEの上記CTE10に対する比(CTE/CTE10)は、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.75以上、好ましくは1.2以下、より好ましくは1.1以下である。上記比(CTE/CTE10)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を更により一層効果的に抑えることができる。 The insulating layer used in the manufacturing method and a multilayer printed wiring board of the multilayer printed wiring board according to the present invention, the ratio above CTE 10 of the CTE 1 (CTE 1 / CTE 10 ) is preferably 0.7 or more, more preferably Is 0.75 or more, preferably 1.2 or less, and more preferably 1.1 or less. When the ratio (CTE 1 / CTE 10 ) is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, it is possible to more effectively suppress the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion. ..

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を効果的に抑える観点からは、上記CTEと上記CTEとの差の絶対値は、好ましくは7ppm/℃以下、より好ましくは5ppm/℃以下である。 From the viewpoint of effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the absolute value of the difference between the above CTE 1 and the above CTE 5 is preferably 7 ppm / ° C. or less. It is preferably 5 ppm / ° C. or lower.

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を効果的に抑える観点からは、上記CTEと上記CTE10との差の絶対値は、好ましくは7ppm/℃以下、より好ましくは5ppm/℃以下である。 From the viewpoint of effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the absolute value of the difference between the above CTE 1 and the above CTE 10 is preferably 7 ppm / ° C. or less. It is preferably 5 ppm / ° C. or lower.

なお、1層目、5層目及び10層目の絶縁層の線膨張係数(上記CTE、上記CTE及び上記CTE10)を、多層プリント配線板に備えられた絶縁層を用いて測定することは困難である。そのため、上記CTE、上記CTE及び上記CTE10は、以下のようにして測定される。 The coefficient of linear expansion of the first, fifth, and tenth insulating layers (CTE 1 , CTE 5, and CTE 10 above) is measured using the insulating layer provided on the multilayer printed wiring board. That is difficult. Therefore, the above-mentioned CTE 1 , the above-mentioned CTE 5 and the above-mentioned CTE 10 are measured as follows.

多層プリント配線板を製造する際に用いられた樹脂フィルムと同じ組成を有する樹脂フィルムを用意する。多層プリント配線板の製造工程において、1層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の線膨張係数を測定し、CTEとする。多層プリント配線板の製造工程において、5層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の線膨張係数を測定し、CTEとする。多層プリント配線板の製造工程において、10層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物(絶縁層)の線膨張係数を測定し、CTE10とする。なお、多層プリント配線板の製造工程においては、1層目の絶縁層>5層目の絶縁層>10層目の絶縁層の順で長い時間加熱される。 Prepare a resin film having the same composition as the resin film used in manufacturing the multilayer printed wiring board. A wire of a cured product (insulating layer) obtained by curing the resin film at a heating temperature and heating time equivalent to the heating temperature and time of the first insulating layer in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board. The expansion coefficient is measured and set to CTE 1 . A wire of a cured product (insulating layer) obtained by curing the resin film at a heating temperature and heating time equivalent to the heating temperature and time of the fifth insulating layer in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board. The expansion coefficient is measured and set to CTE 5 . A wire of a cured product (insulating layer) obtained by curing the resin film at a heating temperature and heating time equivalent to the heating temperature and time of the tenth insulating layer in the manufacturing process of the multilayer printed wiring board. The expansion coefficient is measured and used as CTE 10 . In the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, the heating is performed for a long time in the order of the first insulating layer> the fifth insulating layer> the tenth insulating layer.

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑える観点からは、上記CTEは、好ましくは17ppm/℃以上、好ましくは33ppm/℃以下、より好ましくは25ppm/℃以下である。 From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the CTE 1 is preferably 17 ppm / ° C. or higher, preferably 33 ppm / ° C. or lower, more preferably. Is 25 ppm / ° C or less.

本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE1.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+50)℃で15時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE15hとする。 In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours is set to CTE 1.5h at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours is set to CTE 7.5h at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 15 hours is 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower as CTE 15h .

なお、上記樹脂フィルムは、上記平均熱膨張係数の測定前に、上記ピーク温度T未満の温度で加熱されていてもよい。例えば、上記樹脂フィルムの上記ピーク温度Tが145℃である場合に、上記樹脂フィルムは、上記平均熱膨張係数の測定前に、130℃で60分間加熱されていてもよい。上記ピーク温度T未満の温度で樹脂フィルムを加熱したとしても、上記CTE1.5h、上記CTE7.5h、及び上記CTE15hの測定結果に変化は生じにくい。 The resin film may be heated at a temperature lower than the peak temperature T before the measurement of the average coefficient of thermal expansion. For example, when the peak temperature T of the resin film is 145 ° C., the resin film may be heated at 130 ° C. for 60 minutes before measuring the average coefficient of thermal expansion. Even if the resin film is heated at a temperature lower than the peak temperature T, the measurement results of the CTE 1.5h , the CTE 7.5h, and the CTE 15h are unlikely to change.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記CTE7.5hの上記CTE1.5hに対する比(CTE7.5h/CTE1.5h)は、0.75以上1.4以下である。上記比(CTE7.5h/CTE1.5h)が、0.7未満又は1.4を超えると、絶縁層及び配線回路層(特にビアホール周辺の絶縁層、ビア部の配線回路層及びビア部の付け根)にひび又は割れが生じることがある。 The resin film according to the present invention, the ratio above CTE 1.5 h the CTE 7.5h (CTE 7.5h / CTE 1.5h ) is 0.75 to 1.4. When the above ratio (CTE 7.5h / CTE 1.5h ) is less than 0.7 or more than 1.4, the insulating layer and the wiring circuit layer (particularly the insulating layer around the via hole, the wiring circuit layer of the via portion and the via portion). Cracks or cracks may occur at the base of the beer.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記CTE7.5hの上記CTE1.5hに対する比(CTE7.5h/CTE1.5h)は、好ましく0.76以上、より好ましくは0.8以上、好ましくは1.2以下、より好ましくは1.1以下である。上記比(CTE7.5h/CTE1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑えることができる。 The resin film according to the present invention, the CTE 7.5 h ratio above CTE 1.5 h of (CTE 7.5h / CTE 1.5h) is preferably 0.76 or more, more preferably 0.8 or more, preferably It is 1.2 or less, more preferably 1.1 or less. When the above ratio (CTE 7.5h / CTE 1.5h ) is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion are more effectively suppressed. be able to.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記CTE15hの上記CTE1.5hに対する比(CTE15h/CTE1.5h)は、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.75以上、好ましくは1.2以下、より好ましくは1.1以下である。上記比(CTE15h/CTE1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を更により一層効果的に抑えることができる。 The resin film according to the present invention, the ratio above CTE 1.5 h the CTE 15h (CTE 15h / CTE 1.5h ) is preferably 0.7 or more, more preferably 0.75 or more, preferably 1.2 Below, it is more preferably 1.1 or less. When the above ratio (CTE 15h / CTE 1.5h ) is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion is further effectively suppressed. Can be done.

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を効果的に抑える観点からは、上記CTE1.5hと上記CTE7.5hとの差の絶対値は、好ましくは7ppm/℃以下、より好ましくは5ppm/℃以下である。 From the viewpoint of effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the absolute value of the difference between the CTE 1.5h and the CTE 7.5h is preferably 7 ppm /. It is ℃ or less, more preferably 5 ppm / ℃ or less.

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を効果的に抑える観点からは、上記CTE1.5hと上記CTE15hとの差の絶対値は、好ましくは8ppm/℃以下、より好ましくは6ppm/℃以下である。 From the viewpoint of effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the absolute value of the difference between the above CTE 1.5h and the above CTE 15h is preferably 8 ppm / ° C. or less. , More preferably 6 ppm / ° C. or less.

ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑える観点からは、上記CTE1.5hは、好ましくは17ppm/℃以上、好ましくは33ppm/℃以下、より好ましくは25ppm/℃以下である。 From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via portion, the CTE 1.5h is preferably 17 ppm / ° C. or higher, preferably 33 ppm / ° C. or lower. More preferably, it is 25 ppm / ° C. or lower.

本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE’1.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE’7.5hとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下で15時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE’15hとする。 In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or higher (T + 80) ° C. for 1.5 hours is CTE ' 1.5h . do. In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or higher (T + 80) ° C. for 7.5 hours is CTE ' 7.5h . do. In the resin film according to the present invention, the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 30) ° C. or higher (T + 80) ° C. for 15 hours is 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower as CTE '15 h.

本発明に係る樹脂フィルムでは、上記CTE’7.5hの上記CTE’1.5hに対する比(CTE’7.5h/CTE’1.5h)は、好ましくは0.75以上、より好ましくは0.76以上、更に好ましくは0.8以上、好ましくは1.4以下、より好ましくは1.2以下、更に好ましくは1.1以下である。上記比(CTE’7.5h/CTE’1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であると、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層のひび又は割れの発生を効果的に抑えることができる。 The resin film according to the present invention, the ratio of 1.5 h 'above the CTE of 7.5 h' above CTE (CTE '7.5h / CTE' 1.5h) is preferably 0.75 or more, more preferably 0. It is 76 or more, more preferably 0.8 or more, preferably 1.4 or less, more preferably 1.2 or less, still more preferably 1.1 or less. When the ratio (CTE '7.5h / CTE' 1.5h ) is below the lower limit or more and the upper limit, effectively suppressing the occurrence cracking or breakage of the wiring circuit layer of the insulating layer and the via portion around the via hole be able to.

上記CTE’7.5hの上記CTE’1.5hに対する比(CTE’7.5h/CTE’1.5h)が上記下限以上及び上記上限以下であるとは、(T+30)℃以上(T+80)℃以下のうちの半分以上の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することを意味する。(T+30)℃以上(T+80)℃以下の全体の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することが特に好ましい。 The ratio of 1.5 h 'above the CTE of 7.5 h' above CTE (CTE '7.5h / CTE' 1.5h) is lower than the lower limit and the upper limit or less, (T + 30) ℃ least (T + 80) ℃ It means that the above ratio satisfies the above lower limit or more and the above upper limit or less in the temperature region of half or more of the following. It is particularly preferable that the ratio satisfies the lower limit or higher and the upper limit or lower in the entire temperature range of (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower.

本発明に係る樹脂フィルムは、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルムとして、好適に用いられる。 The resin film according to the present invention is suitably used as a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention and as a resin film used for a multilayer printed wiring board.

上記樹脂フィルムは、Bステージフィルムであることが好ましい。 The resin film is preferably a B stage film.

(多層プリント配線板、及び、多層プリント配線板の製造方法)
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
(Manufacturing method of multilayer printed wiring board and multilayer printed wiring board)
Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments and examples of the present invention with reference to the drawings.

図1は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a multilayer printed wiring board using a resin film according to an embodiment of the present invention.

多層プリント配線板1は、基板11と、配線回路層12とを備える。多層プリント配線板1は、1層目の絶縁層13と、1層目の配線回路層14と、2層目の絶縁層15と、2層目の配線回路層16と、3層目の絶縁層17と、3層目の配線回路層18と、4層目の絶縁層19と、4層目の配線回路層20と、5層目の絶縁層21と、5層目の配線回路層22と、6層目の絶縁層23と、6層目の配線回路層24とを備える。基板11と配線回路層12とで、回路基板が構成されている。1層目の絶縁層13と1層目の配線回路層14とで、1層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。2層目の絶縁層15と2層目の配線回路層16とで、2層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。3層目の絶縁層17と3層目の配線回路層18とで、3層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。4層目の絶縁層19と4層目の配線回路層20とで、4層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。5層目の絶縁層21と5層目の配線回路層22とで、5層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。6層目の絶縁層23と6層目の配線回路層24とで、6層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。 The multilayer printed wiring board 1 includes a substrate 11 and a wiring circuit layer 12. The multilayer printed wiring board 1 has a first layer of insulating layer 13, a first layer of wiring circuit layer 14, a second layer of insulating layer 15, a second layer of wiring circuit layer 16, and a third layer of insulation. Layer 17, third layer wiring circuit layer 18, fourth layer insulating layer 19, fourth layer wiring circuit layer 20, fifth layer insulating layer 21, fifth layer wiring circuit layer 22 And a sixth layer of the insulating layer 23 and a sixth layer of the wiring circuit layer 24. A circuit board is composed of a board 11 and a wiring circuit layer 12. The first insulating layer 13 and the first wiring circuit layer 14 form a first insulating-wiring circuit composite layer. The second insulating layer 15 and the second wiring circuit layer 16 form a second insulating-wiring circuit composite layer. The third insulating layer 17 and the third wiring circuit layer 18 form a third insulating-wiring circuit composite layer. The fourth insulating layer 19 and the fourth wiring circuit layer 20 form a fourth insulating-wiring circuit composite layer. The fifth insulating layer 21 and the fifth wiring circuit layer 22 form a fifth insulating-wiring circuit composite layer. The sixth insulating layer 23 and the sixth wiring circuit layer 24 form a sixth insulating-wiring circuit composite layer.

基板11は、穴11aを有する。基板11は、絶縁基板である。 The substrate 11 has a hole 11a. The substrate 11 is an insulating substrate.

配線回路層12,14,16,18,20,22,24は、金属層である。 The wiring circuit layers 12, 14, 16, 18, 20, 22, and 24 are metal layers.

配線回路層12は、基板11の表面上に配置されている。また、配線回路層12は、基板11の両側の表面上に部分的に配置されている。配線回路層12は、基板11の穴11a内にも配置されている。穴11a内に配置された配線回路層12部分により、両側(下側は図示せず)の表面上に位置する配線回路層12部分が導通されている。基板11の穴11aは、ビアホールとも呼ばれる。 The wiring circuit layer 12 is arranged on the surface of the substrate 11. Further, the wiring circuit layer 12 is partially arranged on the surfaces on both sides of the substrate 11. The wiring circuit layer 12 is also arranged in the hole 11a of the substrate 11. The wiring circuit layer 12 portion arranged in the hole 11a conducts the wiring circuit layer 12 portion located on the surface on both sides (the lower side is not shown). The hole 11a of the substrate 11 is also called a via hole.

配線回路層12の表面上に、絶縁層13が積層されている。絶縁層13は、配線回路層12の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。穴はビアホールとも呼ばれる。 The insulating layer 13 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 12. The insulating layer 13 has holes that are open so that the surface of the wiring circuit layer 12 is partially exposed. The hole is also called a beer hole.

絶縁層13の表面上に、配線回路層14が配置されている。絶縁層13と配線回路層14とにより、1層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層14は、絶縁層13の配線回路層12側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層14は、絶縁層13の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層14部分により、配線回路層12の表面と配線回路層14の表面とが接続されている。配線回路層12と配線回路層14とは導通されている。 The wiring circuit layer 14 is arranged on the surface of the insulating layer 13. The insulating layer 13 and the wiring circuit layer 14 form a first insulating-wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 14 is partially arranged on the surface of the insulating layer 13 opposite to the wiring circuit layer 12 side. The wiring circuit layer 14 is also arranged in the hole of the insulating layer 13. The surface of the wiring circuit layer 12 and the surface of the wiring circuit layer 14 are connected by the wiring circuit layer 14 portion arranged in the hole. The wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 are electrically connected to each other.

配線回路層14の表面上に、絶縁層15が積層されている。絶縁層15は、配線回路層14の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。 The insulating layer 15 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 14. The insulating layer 15 has holes that are open so that the surface of the wiring circuit layer 14 is partially exposed.

絶縁層15の表面上に、配線回路層16が配置されている。絶縁層15と配線回路層16とにより、2層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層16は、絶縁層15の配線回路層14側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層16は、絶縁層15の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層16部分により、配線回路層14の表面と配線回路層16の表面とが接続されている。配線回路層14と配線回路層16とは導通されている。 The wiring circuit layer 16 is arranged on the surface of the insulating layer 15. The insulating layer 15 and the wiring circuit layer 16 form a second insulating-wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 16 is partially arranged on the surface of the insulating layer 15 opposite to the wiring circuit layer 14 side. The wiring circuit layer 16 is also arranged in the hole of the insulating layer 15. The surface of the wiring circuit layer 14 and the surface of the wiring circuit layer 16 are connected by the wiring circuit layer 16 portion arranged in the hole. The wiring circuit layer 14 and the wiring circuit layer 16 are electrically connected to each other.

配線回路層16の表面上に、絶縁層17が積層されている。絶縁層17は、配線回路層16の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。 The insulating layer 17 is laminated on the surface of the wiring circuit layer 16. The insulating layer 17 has holes that are open so that the surface of the wiring circuit layer 16 is partially exposed.

絶縁層17の表面上に、配線回路層18が配置されている。絶縁層17と配線回路層18とにより、3層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層18は、絶縁層17の配線回路層16側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層18は、絶縁層17の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層18部分により、配線回路層16の表面と配線回路層18の表面とが接続されている。配線回路層16と配線回路層18とは導通されている。 The wiring circuit layer 18 is arranged on the surface of the insulating layer 17. The insulating layer 17 and the wiring circuit layer 18 form a third insulating-wiring circuit composite layer. The wiring circuit layer 18 is partially arranged on the surface of the insulating layer 17 opposite to the wiring circuit layer 16 side. The wiring circuit layer 18 is also arranged in the hole of the insulating layer 17. The surface of the wiring circuit layer 16 and the surface of the wiring circuit layer 18 are connected by the wiring circuit layer 18 portion arranged in the hole. The wiring circuit layer 16 and the wiring circuit layer 18 are electrically connected to each other.

同様にして、4〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成されている。 Similarly, the fourth to sixth layers of the insulation-wiring circuit composite layer are formed.

なお、多層プリント配線板1では、1〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成されているが、7層目以降の絶縁−配線回路複合層が更に形成されてもよい。 In the multilayer printed wiring board 1, the insulation-wiring circuit composite layer of the first to sixth layers is formed, but the insulation-wiring circuit composite layer of the seventh and subsequent layers may be further formed.

また、最表層に、ソルダーレジスト膜などを形成してもよい。 Further, a solder resist film or the like may be formed on the outermost layer.

また、回路基板自体が、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有していてもよい。特定の樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成する前の回路基板は、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有する回路基板であってもよい。上記樹脂フィルムにより形成する1層目の絶縁−配線回路複合層は、回路基板における絶縁−配線回路複合層に接するように形成されてもよい。本発明では、特定の樹脂フィルムを用いて、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成することができる。特定の樹脂フィルムを用いて、最初に形成する絶縁−配線回路複合層を、1層目の絶縁−配線回路複合層とする。 Further, the circuit board itself may have an insulation-wiring circuit composite layer of an insulating layer and a wiring circuit layer. The circuit board before forming the insulating layer using the specific resin film may be a circuit board having an insulation-wiring circuit composite layer of the insulating layer and the wiring circuit layer. The first insulating-wiring circuit composite layer formed of the resin film may be formed so as to be in contact with the insulating-wiring circuit composite layer on the circuit board. In the present invention, the first insulating-wiring circuit composite layer can be formed by using a specific resin film. The first insulating-wiring circuit composite layer formed using a specific resin film is used as the first insulating-wiring circuit composite layer.

また、プリント配線板では、基板11の両側にそれぞれ、絶縁−配線回路複合層を形成してもよい。 Further, in the printed wiring board, an insulation-wiring circuit composite layer may be formed on both sides of the substrate 11.

次に、図2(a)〜(d)、図3(a)〜(c)及び図4(a)〜(f)を参照しつつ、図1に示す多層プリント配線板1を得る方法を具体的に説明する。 Next, a method for obtaining the multilayer printed wiring board 1 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d), FIGS. 3 (a) to 3 (c) and FIGS. 4 (a) to 4 (f). This will be described in detail.

先ず、基板11の表面上に、配線回路層12が配置されている回路基板を用意する(図2(a))。 First, a circuit board in which the wiring circuit layer 12 is arranged is prepared on the surface of the board 11 (FIG. 2A).

上記回路基板の配線回路層12の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層13Aを形成する(図2(b))。 A resin film is laminated on the surface of the wiring circuit layer 12 of the circuit board, and then cured by heating to form the insulating layer 13A (FIG. 2B).

次に、絶縁層13Aにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層13Bを得る(図2(c))。上記レーザーとしては、UVレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザー等が挙げられる。 Next, the insulating layer 13A is irradiated with a laser or the like to obtain an insulating layer 13B having holes (FIG. 2 (c)). Examples of the laser include a UV laser, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser and the like.

次に、絶縁層13Bの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層13を得る(図2(d))。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層13Bの表面の粗度を高めるために、絶縁層13Bの表面を粗化処理することが好ましい。絶縁層13の表面が粗化処理されていることが好ましい。絶縁層13Bの表面の粗面化と、穴内の洗浄とが行われることが好ましい。 Next, the inside of the hole of the insulating layer 13B is desmear-treated to obtain the insulating layer 13 whose inside of the hole is desmear-treated (FIG. 2 (d)). The desmear treatment cleans the inside of the hole and removes the smear. When performing the desmear treatment, it is preferable to roughen the surface of the insulating layer 13B in order to increase the roughness of the surface of the insulating layer 13B. It is preferable that the surface of the insulating layer 13 is roughened. It is preferable that the surface of the insulating layer 13B is roughened and the inside of the hole is cleaned.

上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。 It is preferable to use the same treatment liquid for the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the surface roughness of the insulating layer, and the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the surface roughness of the insulating layer are preferable. It is preferable that the above is performed at the same time.

また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層12の表面(ランド部、粗化処理される表面)を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層12を得ることができる。穴内を洗浄するためのデスミア処理と、配線回路層12の表面を粗化処理するための粗化処理とは、別の工程として行われていてもよい。デスミア処理後の粗化処理によって、配線回路層12の粗化処理された表面の粗度が大きくなる。この結果、配線回路層12の表面と配線回路層14の表面との接触界面の接触面積が大きくなる。従って、熱衝撃に対する配線回路層12と配線回路層14との間の導通信頼性が高くなる。例えば、得られる多層プリント配線板1において、配線回路層12と配線回路層14との接触界面において、クラックが生じ難くなる。 Further, after the desmear treatment, the surface (land portion, surface to be roughened) of the wiring circuit layer 12 exposed from the opening of the hole may be roughened. Thereby, the wiring circuit layer 12 whose surface has been roughened can be obtained. The desmear treatment for cleaning the inside of the hole and the roughening treatment for roughening the surface of the wiring circuit layer 12 may be performed as separate steps. The roughness treatment after the desmear treatment increases the roughness of the roughened surface of the wiring circuit layer 12. As a result, the contact area of the contact interface between the surface of the wiring circuit layer 12 and the surface of the wiring circuit layer 14 becomes large. Therefore, the continuity reliability between the wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 against thermal shock is increased. For example, in the obtained multilayer printed wiring board 1, cracks are less likely to occur at the contact interface between the wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14.

次に、絶縁層13の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層13の表面に導電性を付与し、絶縁層13の表面上に電解めっきなどによって配線回路層14を形成することが容易になる。 Next, it is preferable to perform electroless plating on the surface of the insulating layer 13. As a result, conductivity is imparted to the surface of the insulating layer 13, and it becomes easy to form the wiring circuit layer 14 on the surface of the insulating layer 13 by electrolytic plating or the like.

次に、絶縁層13の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン51を形成する(図3(a))。但し、レジストパターン51は必ずしも形成しなくてもよい。レジストパターン51の形成によって、レジストパターン51により覆われていない部分に、電気めっきなどを行うことで、絶縁層13の表面上に、選択的に導体層(配線回路層)を形成できる。 Next, a dry film resist is laminated on the surface of the insulating layer 13 to form a resist pattern 51 (FIG. 3A). However, the resist pattern 51 does not necessarily have to be formed. By forming the resist pattern 51, a conductor layer (wiring circuit layer) can be selectively formed on the surface of the insulating layer 13 by performing electroplating or the like on a portion not covered by the resist pattern 51.

次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層13の表面上と絶縁層13の穴内とに配線回路層14を形成する(図3(b))。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層12の表面と、配線回路層14の表面とを接続することで、配線回路層12と配線回路層14とを導通させる。 Next, by performing electroplating or the like, the wiring circuit layer 14 is formed on the surface of the insulating layer 13 and in the hole of the insulating layer 13 (FIG. 3 (b)). By connecting the surface of the wiring circuit layer 12 that has been roughened after the desmear treatment and the surface of the wiring circuit layer 14, the wiring circuit layer 12 and the wiring circuit layer 14 are made conductive.

次に、レジストパターン51を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する(図3(c))。次いで、配線回路層14形成時に形成した無電解銅めっき層を酸性エッチング液(例えば、JCU社製「SACプロセス」)にて除去する。このようにして、1層目の絶縁層13と1層目の配線回路層14とから構成される1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは(T+30)℃以上(T+80)℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層13Aの形成時に行われてもよく、絶縁層13上に配線回路層14を形成した後に行われてもよい。 Next, the resist pattern 51 is peeled off with an alkaline aqueous solution or the like containing sodium hydroxide or the like and removed (FIG. 3 (c)). Next, the electroless copper plating layer formed at the time of forming the wiring circuit layer 14 is removed with an acidic etching solution (for example, "SAC process" manufactured by JCU). In this way, the first insulating-wiring circuit composite layer composed of the first insulating layer 13 and the first wiring circuit layer 14 is formed. When forming the first insulating-wiring circuit composite layer, the resin film is heated at a heating temperature of (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower in order to main cure the resin film. The main curing of the resin film may be performed at the time of forming the insulating layer 13A, or may be performed after forming the wiring circuit layer 14 on the insulating layer 13.

次に、1層目の絶縁−配線回路複合層の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層15Aを形成する(図4(a))。 Next, a resin film is laminated on the surface of the first insulating-wiring circuit composite layer, and then cured by heating to form an insulating layer 15A (FIG. 4A).

次に、絶縁層15Aにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層15Bを得る(図4(b))。 Next, the insulating layer 15A is irradiated with a laser or the like to obtain an insulating layer 15B having holes (FIG. 4 (b)).

次に、絶縁層15Bの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層15を得る(図4(c))。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層15Bの表面の粗度を高めるために、絶縁層15Bの表面を粗化処理することが好ましい。 Next, the inside of the hole of the insulating layer 15B is desmear-treated to obtain the insulating layer 15 whose inside of the hole is desmear-treated (FIG. 4 (c)). The desmear treatment cleans the inside of the hole and removes the smear. When the desmear treatment is performed, it is preferable to roughen the surface of the insulating layer 15B in order to increase the roughness of the surface of the insulating layer 15B.

上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。 It is preferable to use the same treatment liquid for the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the surface roughness of the insulating layer, and the desmear treatment and the roughening treatment for increasing the surface roughness of the insulating layer are preferable. It is preferable that the above is performed at the same time.

また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層14の表面(ランド部、粗化処理される表面)を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層14を得ることができる。 Further, after the desmear treatment, the surface (land portion, surface to be roughened) of the wiring circuit layer 14 exposed from the opening of the hole may be roughened. Thereby, the wiring circuit layer 14 whose surface has been roughened can be obtained.

次に、絶縁層15の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層15の表面に導電性を付与し、絶縁層15の表面上に電解めっきなどによって配線回路層16を形成することが容易になる。 Next, it is preferable to perform electroless plating on the surface of the insulating layer 15. As a result, conductivity is imparted to the surface of the insulating layer 15, and it becomes easy to form the wiring circuit layer 16 on the surface of the insulating layer 15 by electrolytic plating or the like.

次に、絶縁層15の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン52を形成する(図4(d))。 Next, a dry film resist is laminated on the surface of the insulating layer 15 to form a resist pattern 52 (FIG. 4 (d)).

次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層15の表面上と絶縁層15の穴内とに配線回路層16を形成する(図4(e))。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層14の表面と、配線回路層16の表面とを接続することで、配線回路層14と配線回路層16とを導通させる。 Next, by performing electroplating or the like, the wiring circuit layer 16 is formed on the surface of the insulating layer 15 and in the hole of the insulating layer 15 (FIG. 4 (e)). By connecting the surface of the wiring circuit layer 14 that has been roughened after the desmear treatment and the surface of the wiring circuit layer 16, the wiring circuit layer 14 and the wiring circuit layer 16 are made conductive.

次に、レジストパターン52を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する(図4(f))。このようにして、2層目の絶縁層15と2層目の配線回路層16とから構成される2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは(T+30)℃以上(T+80)℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層15Aの形成時に行われてもよく、絶縁層15上に配線回路層16を形成した後に行われてもよい。 Next, the resist pattern 52 is peeled off with an alkaline aqueous solution or the like containing sodium hydroxide or the like and removed (FIG. 4 (f)). In this way, the second insulating-wiring circuit composite layer composed of the second insulating layer 15 and the second wiring circuit layer 16 is formed. When forming the second insulating-wiring circuit composite layer, the resin film is heated at a heating temperature of (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower in order to actually cure the resin film. The main curing of the resin film may be performed at the time of forming the insulating layer 15A, or may be performed after forming the wiring circuit layer 16 on the insulating layer 15.

上記の工程を繰り返して、3層目以降の絶縁−配線回路複合層を形成する。このようにして、多層プリント配線板1を得ることができる。この多層プリント配線板1の製造方法において、2層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層が、2層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。3層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層及び2層目の絶縁層のそれぞれが、3層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。4層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層及び3層目の絶縁層のそれぞれが、4層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。5層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層、3層目の絶縁層及び4層目の絶縁層のそれぞれが、5層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。6層目の絶縁層を形成する際には、1層目の絶縁層、2層目の絶縁層、3層目の絶縁層、4層目の絶縁層及び5層目の絶縁層のそれぞれが、6層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。1層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数の回数で、硬化環境に晒される。2層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−1の回数で、硬化環境に晒される。3層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−2の回数で、硬化環境に晒される。4層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−3の回数で、硬化環境に晒される。5層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−4の回数で、硬化環境に晒される。6層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−5の回数で、硬化環境に晒される。n層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−(n−1)の回数で、硬化環境に晒される。CTEのCTEに対する比を、0.75以上1.4以下とすることで、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生を防ぐことができる多層プリント配線板1を得ることができる。 The above steps are repeated to form the third and subsequent insulation-wiring circuit composite layers. In this way, the multilayer printed wiring board 1 can be obtained. In the method for manufacturing the multilayer printed wiring board 1, when the second insulating layer is formed, the first insulating layer is exposed to a curing environment for forming the second insulating layer. When forming the third insulating layer, each of the first insulating layer and the second insulating layer is exposed to a curing environment for forming the third insulating layer. When forming the fourth insulating layer, each of the first insulating layer, the second insulating layer, and the third insulating layer is a curing environment for forming the fourth insulating layer. Be exposed to. When forming the fifth insulating layer, each of the first insulating layer, the second insulating layer, the third insulating layer, and the fourth insulating layer is the fifth insulating layer. Is exposed to a curing environment to form. When forming the sixth insulating layer, each of the first insulating layer, the second insulating layer, the third insulating layer, the fourth insulating layer, and the fifth insulating layer is formed. , Is exposed to a curing environment for forming the sixth insulating layer. The first insulating layer is exposed to a curing environment depending on the number of layers of the insulating layer to be formed. The second insulating layer is exposed to a curing environment as many times as the number of layers of the insulating layer to be formed-1. The third insulating layer is exposed to a curing environment as many times as the number of layers of the insulating layer formed-2. The fourth insulating layer is exposed to a curing environment as many times as the number of layers of the insulating layer formed-3. The fifth insulating layer is exposed to a curing environment as many times as the number of layers of the insulating layer to be formed-4. The sixth insulating layer is exposed to a curing environment as many times as the number of layers of the insulating layer to be formed −5. The nth insulating layer is exposed to the curing environment by the number of layers of the insulating layer formed − (n-1). By setting the ratio of CTE 1 to CTE 5 to 0.75 or more and 1.4 or less, it is possible to obtain a multilayer printed wiring board 1 capable of preventing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer.

上記したプリント配線板の製造方法のように、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 Like the method for manufacturing a printed wiring board described above, the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention forms a first insulating layer on a circuit board using a resin film, and the first layer is formed. A step of forming the first wiring circuit layer on the insulating layer of the above and forming the first insulating-wiring circuit composite layer is provided.

上記1層目の絶縁層を形成するための上記樹脂フィルムは、回路基板の表面に配置された配線(回路)上に積層される。該樹脂フィルムは、回路基板上の配線回路層(金属層)部分及び該配線回路層(金属層)が形成されていない部分と接する。 The resin film for forming the first insulating layer is laminated on the wiring (circuit) arranged on the surface of the circuit board. The resin film is in contact with a wiring circuit layer (metal layer) portion on the circuit board and a portion where the wiring circuit layer (metal layer) is not formed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a second insulating layer is formed on the first insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the second insulating layer is formed. A second layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the second layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a third insulating layer is formed on the second insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the third insulating layer is formed. A third layer of the wiring circuit layer is formed in the above, and a step of forming the third layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fourth insulating layer is formed on the third insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fourth insulating layer is formed. A step of forming a fourth layer of the wiring circuit layer and forming the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a fifth insulating layer is formed on the fourth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the fifth insulating layer is formed. A step of forming the fifth layer of the wiring circuit layer and forming the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, a sixth insulating layer is formed on the fifth insulating-wiring circuit composite layer by using a resin film, and the sixth insulating layer is formed. A step of forming the sixth layer of the wiring circuit layer and forming the sixth layer of the insulation-wiring circuit composite layer is provided.

本発明では、多層プリント配線板の絶縁−配線回路複合層の積層数は、6層に限られない。上記絶縁−配線回路複合層の積層数は、6層であってもよく、6層以上であってもよく、7層以上であってもよい。 In the present invention, the number of layers of the insulation-wiring circuit composite layer of the multilayer printed wiring board is not limited to six. The number of layers of the insulation-wiring circuit composite layer may be 6 layers, 6 layers or more, or 7 layers or more.

多層プリント配線板における絶縁−配線回路複合層の積層数が7層以上である場合において、n層目(nは、7以上の整数)の絶縁−配線回路複合層は、(n−1)層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いてn層目の絶縁層を形成し、かつ該n層目の絶縁層上にn層目の配線回路層を形成することで、形成することができる。 When the number of layers of the insulation-wiring circuit composite layer in the multilayer printed wiring board is 7 or more, the nth layer (n is an integer of 7 or more) is the (n-1) layer. Formed by forming the nth insulating layer on the insulation-wiring circuit composite layer of the eyes using a resin film and forming the nth wiring circuit layer on the nth insulating layer. can do.

上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)は、7以上であることが好ましい。すなわち、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成することが好ましい。 The number of layers (that is, n) of the insulation-wiring circuit composite layer is preferably 7 or more. That is, in the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, the steps of forming an insulating layer on an insulating-wiring circuit composite layer using a resin film and forming a wiring circuit layer on the insulating layer are repeated. Therefore, it is preferable to form an insulation-wiring circuit composite layer of 7 or more layers.

上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)は、好ましくは7以上、より好ましくは8以上、好ましくは20以下、より好ましくは15以下である。上記絶縁−配線回路複合層の層数(すなわちn)が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。 The number of layers (that is, n) of the insulation-wiring circuit composite layer is preferably 7 or more, more preferably 8 or more, preferably 20 or less, and more preferably 15 or less. When the number of layers (that is, n) of the insulation-wiring circuit composite layer is not less than the lower limit and not more than the upper limit, the transmission performance can be further improved.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、m層目(mは、1以上の整数)の絶縁層を形成した(絶縁層形成工程)後、かつ、該m層目の絶縁層上にm層目の配線回路層を形成する(配線回路層形成工程)前に、ビアホール形成工程、及びデスミア処理工程をこの順で備えることが好ましい。上記デスミア処理工程の前又は後に、膨潤処理工程が行われてもよく、粗化処理工程が行われてもよい。上記デスミア処理工程が、粗化処理工程を兼ねていてもよい。膨潤処理工程及び粗化処理工程は、ビアホール形成工程の前に行われてもよく、ビアホール形成工程の後に行われてもよい。以下、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程について、具体的に説明する。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, after the m-th layer (m is an integer of 1 or more) insulating layer is formed (insulation layer forming step), and on the m-th layer insulating layer. Before forming the wiring circuit layer of the mth layer (wiring circuit layer forming step), it is preferable to provide a via hole forming step and a desmear processing step in this order. The swelling treatment step may be performed or the roughening treatment step may be performed before or after the desmear treatment step. The desmear treatment step may also serve as a roughening treatment step. The swelling treatment step and the roughening treatment step may be performed before the via hole forming step or may be performed after the via hole forming step. Hereinafter, the insulating layer forming step, the swelling treatment step, the roughening treatment step, the via hole forming step, the desmear treatment step, the wiring circuit layer forming step, and the main curing step will be specifically described.

<絶縁層形成工程>
上記絶縁層は、樹脂フィルムを硬化させて形成される。配線回路層が形成される際の絶縁層は、樹脂フィルムの硬化を進行させることにより得られる。上記硬化は予備硬化であってもよく、本硬化であってもよい。上記硬化には、更に硬化が可能な予備硬化も含まれる。絶縁層の劣化を抑える観点からは、上記硬化は、予備硬化であることが好ましい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であってもよく、樹脂フィルムの硬化物層であってもよい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であることが好ましい。なお、上記絶縁層形成工程にて、上記硬化が予備硬化である場合には、後述の本硬化工程が行われることが好ましい。
<Insulation layer forming process>
The insulating layer is formed by curing a resin film. The insulating layer when the wiring circuit layer is formed is obtained by advancing the curing of the resin film. The above-mentioned curing may be pre-curing or main curing. The above-mentioned curing includes pre-curing that can be further cured. From the viewpoint of suppressing deterioration of the insulating layer, the above-mentioned curing is preferably pre-curing. The insulating layer may be a pre-cured product layer of a resin film or a cured product layer of a resin film. The insulating layer is preferably a pre-cured material layer of a resin film. When the curing is pre-curing in the insulating layer forming step, it is preferable that the main curing step described later is performed.

上記樹脂フィルムの硬化は、加熱によって行われる。 The curing of the resin film is performed by heating.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは90℃以上、より好ましくは100℃以上、好ましくは190℃以下、より好ましくは180℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、加熱に伴う溶剤や液状成分の急激な揮発を抑えることができる。 When the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step, the heating temperature of the resin film is preferably 90 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, preferably 190 ° C. or lower, and more preferably 180 ° C. or lower. Is. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, rapid volatilization of the solvent or liquid component due to heating can be suppressed.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理工程でのエッチングされる樹脂量を制御することができ、表面粗さを小さくすることができるため、得られる多層プリント配線板の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生を抑えることができる。 When the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step, the heating time of the resin film is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, and more preferably 1. .75 hours or less. When the heating time is equal to or more than the above lower limit and not more than the above upper limit, the amount of resin etched in the roughening treatment step can be controlled and the surface roughness can be reduced, so that the obtained multilayer printed wiring board can be obtained. It is possible to suppress the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生を抑えることができる。 When the resin film is finally cured in the insulating layer forming step, the heating temperature of the resin film is (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower. By setting the heating temperature of the resin film in the case of main curing of the resin film within the above range, it is possible to suppress the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは185℃以上、更に好ましくは190℃以上、好ましくは210℃以下、より好ましくは205℃以下、更に好ましくは200℃以下である。また、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは(T+40)℃以上、好ましくは(T+60)℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生を抑えることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。 When the resin film is finally cured in the insulating layer forming step, the heating temperature of the resin film is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 185 ° C. or higher, still more preferably 190 ° C. or higher, preferably 210 ° C. or lower. , More preferably 205 ° C or lower, still more preferably 200 ° C or lower. Further, in the case of main curing of the resin film, the heating temperature of the resin film is preferably (T + 40) ° C. or higher, preferably (T + 60) ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, it is possible to suppress the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer. In particular, the resin film according to the present invention is suitably used for forming an insulating layer by main curing the resin film by heating at 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生を抑えることができる。 When the resin film is finally cured in the insulating layer forming step, the heating time of the resin film is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, and more preferably 1. .75 hours or less. When the heating time is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is possible to suppress the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer.

上記樹脂フィルムの硬化は、窒素環境下で行われてもよく、大気環境下で行われてもよい。 The curing of the resin film may be carried out in a nitrogen environment or in an atmospheric environment.

上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であることが好ましい。上記配線回路層の形成方法は後述する。 The wiring circuit layer is preferably a wiring circuit formed by a plating process and an etching process. The method of forming the wiring circuit layer will be described later.

<膨潤処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を膨潤処理する工程(膨潤処理工程)を備えることが好ましい。上記膨潤処理を行うことにより、膨潤処理された絶縁層を得ることができる。上記膨潤処理工程を行うことにより、後述する粗化処理工程における粗化処理の効率が高くなる。なお、上記粗化処理工程を行う場合であっても、上記膨潤処理工程は、必ずしも行われなくてもよい。上記膨潤処理工程では、従来公知の膨潤処理方法を採用することができる。
<Swelling treatment process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of swelling the insulating layer (swelling treatment step). By performing the above swelling treatment, a swelling-treated insulating layer can be obtained. By performing the swelling treatment step, the efficiency of the roughening treatment in the roughening treatment step described later is increased. Even when the roughening treatment step is performed, the swelling treatment step does not necessarily have to be performed. In the swelling treatment step, a conventionally known swelling treatment method can be adopted.

上記膨潤処理としては、エチレングリコール等を主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液等の膨潤液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。 Examples of the swelling treatment include a method of treating an insulating layer (cured product (pre-cured product) of a resin film) with a swelling liquid such as an aqueous solution of a compound containing ethylene glycol or the like as a main component or an organic solvent dispersion solution. ..

上記膨潤液は、一般にpH調整剤などとして、アルカリを含む。上記膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。 The swelling liquid generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The swelling liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記膨潤処理は、具体的には、例えば、40重量%エチレングリコール水溶液等を含む膨潤液を用いて、温度30℃〜85℃で1分間〜30分間、絶縁層を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は50℃以上85℃以下であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に絶縁層と配線回路層との接着強度が低くなる傾向がある。 Specifically, the swelling treatment is carried out by treating the insulating layer at a temperature of 30 ° C. to 85 ° C. for 1 minute to 30 minutes using, for example, a swelling liquid containing a 40 wt% ethylene glycol aqueous solution or the like. The temperature of the swelling treatment is preferably 50 ° C. or higher and 85 ° C. or lower. If the temperature of the swelling treatment is too low, the swelling treatment takes a long time, and the adhesive strength between the insulating layer and the wiring circuit layer tends to be low.

<粗化処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を粗化処理する工程(粗化処理工程)を備えることが好ましい。上記粗化処理を行うことにより、粗化処理された絶縁層を得ることができる。なお、上記膨潤処理工程が行われる場合には、膨潤処理された絶縁層に対して、上記粗化処理が行われる。上記粗化処理工程を行うことで、上記絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))の表面に小さい凹凸を形成することができる。上記粗化処理工程では、従来公知の粗化処理方法を採用することができる。
<Roughening process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of roughening the insulating layer (roughening treatment step). By performing the roughening treatment, an insulating layer that has been roughened can be obtained. When the swelling treatment step is performed, the roughening treatment is performed on the swelling-treated insulating layer. By performing the roughening treatment step, small irregularities can be formed on the surface of the insulating layer (cured product (pre-cured product) of the resin film). In the roughening treatment step, a conventionally known roughening treatment method can be adopted.

上記粗化処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加された粗化液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。 The roughening treatment involves a roughening solution in which water or an organic solvent is added to a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound, and an insulating layer (a cured product of a resin film (pre-cured product)). A method of processing the above can be mentioned.

上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。 Examples of the manganese compound include potassium permanganate and sodium permanganate. Examples of the chromium compound include potassium dichromate and anhydrous potassium chromate. Examples of the persulfate compound include sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate and the like.

上記粗化液は、一般にpH調整剤などとしてアルカリを含む。上記粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。 The roughening solution generally contains an alkali as a pH adjuster or the like. The roughening solution preferably contains sodium hydroxide.

上記粗化処理の温度は、40℃以上85℃以下であることが好ましい。上記粗化処理の時間は、5分間以上45分間以下であることが好ましい。 The temperature of the roughening treatment is preferably 40 ° C. or higher and 85 ° C. or lower. The roughening treatment time is preferably 5 minutes or more and 45 minutes or less.

<ビアホール形成工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層にビアホールを形成する工程(ビアホール形成工程)を備えることが好ましい。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法が、上記膨潤処理工程及び上記粗化処理工程を備える場合には、上記粗化処理工程の後に行われることが好ましい。上記ビアホール形成工程及び配線回路層形成工程等を行うことにより、ビアホールが形成された絶縁層を得ることができ、また、層間を電気的に接続することができる。上記ビアホール形成工程では、従来公知のビアホール形成方法を採用することができる。
<Beer hall forming process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of forming a via hole in the insulating layer (a via hole forming step). When the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention includes the swelling treatment step and the roughening treatment step, it is preferable that the method is performed after the roughening treatment step. By performing the via hole forming step, the wiring circuit layer forming step, and the like, an insulating layer in which the via hole is formed can be obtained, and the layers can be electrically connected. In the via hole forming step, a conventionally known via hole forming method can be adopted.

上記ビアホールは、レーザーを照射することにより形成されることが好ましい。 The via hole is preferably formed by irradiating the laser.

上記レーザーとしては、COレーザー等が挙げられる。 Examples of the laser include a CO 2 laser and the like.

作業性の観点からは、上記レーザーはCOレーザーであることが好ましい。 From the viewpoint of workability, the laser is preferably a CO 2 laser.

形成されるビアホールの直径は、特に限定されないが、好ましくは60μm以上、好ましくは80μm以下である。 The diameter of the via hole to be formed is not particularly limited, but is preferably 60 μm or more, preferably 80 μm or less.

<デスミア処理工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記ビアホール形成工程後にデスミア処理により、上記ビアホールの内部のスミアを除去する工程(デスミア処理工程)を備えることが好ましい。上記デスミア処理を行うことにより、デスミア処理された絶縁層を得ることができる。上記デスミア処理を行うことにより、上記ビアホール形成工程で形成された樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアを効果的に除去することができる。
<Desmia processing process>
The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention preferably includes a step of removing smears inside the via hole (desmear treatment step) by a desmear treatment after the via hole forming step. By performing the desmear treatment, an insulating layer treated with desmear can be obtained. By performing the desmear treatment, smear, which is a resin residue derived from the resin component formed in the via hole forming step, can be effectively removed.

上記デスミア処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加されたデスミア処理液により、絶縁層(樹脂フィルムの硬化物(予備硬化物))を処理する方法等が挙げられる。 In the desmear treatment, an insulating layer (cured product (pre-cured product) of a resin film) is formed by a desmear treatment liquid in which water or an organic solvent is added to a chemical oxidizing agent such as a manganese compound, a chromium compound or a persulfate compound. A method of processing and the like can be mentioned.

上記デスミア処理液は、一般にアルカリを含む。上記デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。 The desmear treatment liquid generally contains an alkali. The desmear treatment liquid preferably contains sodium hydroxide.

上記デスミア処理工程は、上記粗化処理工程を兼ねていてもよい。 The desmear treatment step may also serve as the roughening treatment step.

上記デスミア処理の温度は、60℃以上100℃以下であることが好ましい。上記デスミア処理の時間は、5分間以上45分間以下であることが好ましい。 The temperature of the desmear treatment is preferably 60 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. The time for the desmear treatment is preferably 5 minutes or more and 45 minutes or less.

<配線回路層形成工程>
上記配線回路層の形成は、無電解めっき工程、電解めっき工程、及びエッチング工程により行われることが好ましい。上記無電解めっき工程により、上記ビアホール内をめっき加工でき、層間を電気的に接続することができる。上記電解めっき工程及び上記エッチング工程により、配線回路(配線回路層)を良好に形成することができる。
<Wiring circuit layer forming process>
The formation of the wiring circuit layer is preferably performed by an electroless plating step, an electrolytic plating step, and an etching step. By the electroless plating step, the inside of the via hole can be plated, and the layers can be electrically connected. The wiring circuit (wiring circuit layer) can be satisfactorily formed by the electrolytic plating step and the etching step.

上記無電解めっき工程は、無電解銅めっき工程であることが好ましい。 The electroless plating step is preferably an electroless copper plating step.

上記無電解銅めっき工程は、従来公知の無電解銅めっき方法を採用することができる。 In the electroless copper plating step, a conventionally known electroless copper plating method can be adopted.

上記無電解銅めっき工程で用いられる化学銅液としては、アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、アトテックジャパン社製「カッパープリントガントMSK」、アトテックジャパン社製「スタビライザープリントガントMSK」、及びアトテックジャパン社製「リデューサーCu」の混合液等が挙げられる。 Examples of the chemical copper liquid used in the electrolytic copper plating process include "Basic Print Gantt MSK-DK" manufactured by Atotech Japan, "Copper Print Gantt MSK" manufactured by Atotech Japan, and "Stabilizer Print Gantt MSK" manufactured by Atotech Japan. And a mixed solution of "Reducer Cu" manufactured by Atotech Japan.

上記電解めっき工程は、電解銅めっき工程であることが好ましい。 The electrolytic plating step is preferably an electrolytic copper plating step.

上記電解銅めっき工程は、従来公知の電解銅めっき方法を採用することができる。 In the electrolytic copper plating step, a conventionally known electrolytic copper plating method can be adopted.

上記電解銅めっきの方法としては、パネルめっき法及びパターンめっき法等のサブトラクティブ法、並びにセミアディティブ法等が挙げられる。 Examples of the electrolytic copper plating method include a subtractive method such as a panel plating method and a pattern plating method, and a semi-additive method.

上記電解銅めっき工程で用いられる硫酸銅水溶液としては、和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、及びアトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」の混合液等が挙げられる。 The copper sulfate aqueous solution used in the electrolytic copper plating process includes "copper sulfate pentahydrate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "sulfuric acid" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., and "basic leveler capallaside HL" manufactured by Atotech Japan. , And a mixed solution of "corrector Kapalaside GS" manufactured by Atotech Japan.

上記エッチング工程は、従来公知のエッチング方法を採用することができる。 In the etching step, a conventionally known etching method can be adopted.

上記エッチング工程で用いられるエッチング液としては、150g/Lの過硫酸ナトリウムを含む酸性エッチング液等が挙げられる。 Examples of the etching solution used in the etching step include an acidic etching solution containing 150 g / L of sodium persulfate.

<本硬化工程>
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが予備硬化されている場合には、絶縁層上に配線回路層が形成された後、以下の本硬化工程を備える。なお、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが本硬化されている場合には、以下の本硬化工程は備えなくてよい。
<Main curing process>
In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, when the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step, after the wiring circuit layer is formed on the insulating layer, the following main curing is performed. Equipped with a process. If the resin film is mainly cured in the insulating layer forming step, the following main curing step may not be provided.

上記本硬化工程における絶縁層の硬化は、加熱によって行われる。 Curing of the insulating layer in the main curing step is performed by heating.

上記本硬化工程における加熱温度は、(T+30)℃以上(T+80)℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層のCTEの差を小さく抑えることができ、得られる多層プリント配線板の絶縁層のひび又は割れの発生を抑えることができる。 The heating temperature in the main curing step is (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower. By setting the heating temperature of the resin film in the case of main curing of the resin film within the above range, the difference in CTE of the insulating layer can be suppressed to a small size, and cracks or cracks in the insulating layer of the obtained multilayer printed wiring board can be suppressed. The occurrence can be suppressed.

本硬化工程における加熱温度は、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも高い温度であることが好ましく、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも100℃未満で高い温度であることが好ましい。 The heating temperature in the main curing step is preferably a temperature higher than the heating temperature for pre-curing the resin film in the insulating layer forming step, and the resin film is pre-cured in the insulating layer forming step. It is preferable that the temperature is lower than 100 ° C. and higher than the heating temperature for the purpose.

上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは180℃以上、より好ましくは185℃以上、更に好ましくは190℃以上、好ましくは210℃以下、より好ましくは205℃以下、更に好ましくは200℃以下である。また、上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは(T+40)℃以上、好ましくは(T+60)℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層のCTEの差を小さく抑えることができ、得られる多層プリント配線板の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑えることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。 The heating temperature in the main curing step is preferably 180 ° C. or higher, more preferably 185 ° C. or higher, further preferably 190 ° C. or higher, preferably 210 ° C. or lower, more preferably 205 ° C. or lower, still more preferably 200 ° C. or lower. .. The heating temperature in the main curing step is preferably (T + 40) ° C. or higher, preferably (T + 60) ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the difference in CTE of the insulating layer can be suppressed to a small size, and cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer of the obtained multilayer printed wiring board can be further suppressed. It can be effectively suppressed. In particular, the resin film according to the present invention is suitably used for forming an insulating layer by main curing the resin film by heating at 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

上記本硬化工程における加熱時間は、好ましくは0.5時間以上、より好ましくは1時間以上、好ましくは2時間以下、より好ましくは1.75時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層のCTEの差を小さく抑えることができ、得られる多層プリント配線板の絶縁層及び配線回路層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑えることができる。 The heating time in the main curing step is preferably 0.5 hours or more, more preferably 1 hour or more, preferably 2 hours or less, and more preferably 1.75 hours or less. When the heating time is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the difference in CTE of the insulating layer can be suppressed to a small size, and the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer and the wiring circuit layer of the obtained multilayer printed wiring board is further increased. It can be effectively suppressed.

本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、例えば、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程を繰り返すことにより、多層プリント配線板を得ることができる。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, for example, the insulating layer forming step, the swelling treatment step, the roughening treatment step, the via hole forming step, the desmear treatment step, the wiring circuit layer forming step, and the wiring circuit layer forming step. By repeating this curing step, a multilayer printed wiring board can be obtained.

なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、最後の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を行った後、上記本硬化工程と同様の条件にて、更に絶縁−配線回路複合層が加熱されていてもよい。 In the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention, after the final step of forming the insulation-wiring circuit composite layer is performed, the insulation-wiring circuit composite layer is further subjected to the same conditions as the main curing step. May be heated.

以下、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルム及び本発明に係る樹脂フィルムの各成分の詳細、並びに本発明に係る樹脂フィルムの用途などを説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the present invention, the details of the resin film used for the multilayer printed wiring board, the details of each component of the resin film according to the present invention, the use of the resin film according to the present invention, and the like will be described.

[熱硬化性化合物]
上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物を含む。上記熱硬化性化合物としては、スチレン化合物、フェノキシ化合物、オキセタン化合物、エポキシ化合物、マレイミド化合物、エピスルフィド化合物、(メタ)アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、ポリフェニレンエーテル化合物、ジビニルベンジルエーテル化合物、ポリアリレート化合物、ジアリルフタレート化合物、ベンゾオキサゾール化合物、アクリレート化合物及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermosetting compound]
The resin film contains a thermosetting compound. Examples of the thermosetting compound include styrene compounds, phenoxy compounds, oxetane compounds, epoxy compounds, maleimide compounds, episulfide compounds, (meth) acrylic compounds, phenol compounds, amino compounds, unsaturated polyester compounds, polyurethane compounds, polyphenylene ether compounds, and the like. Examples thereof include divinylbenzyl ether compounds, polyarylate compounds, diallylphthalate compounds, benzoxazole compounds, acrylate compounds and silicone compounds. Only one kind of the thermosetting compound may be used, or two or more kinds may be used in combination.

熱膨張係数を良好にする観点からは、上記熱硬化性化合物は、上記エポキシ化合物又は上記マレイミド化合物を含むこと好ましく、上記エポキシ化合物を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of improving the coefficient of thermal expansion, the thermosetting compound preferably contains the epoxy compound or the maleimide compound, and more preferably contains the epoxy compound.

ビアホール周辺の絶縁層のひび又は割れの発生をより一層効果的に抑える観点からは、上記マレイミド化合物は、アルキルマレイミド化合物であることが好ましい。 From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of cracks or cracks in the insulating layer around the via hole, the maleimide compound is preferably an alkylmaleimide compound.

上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ化合物、ビスフェノールF型エポキシ化合物、ビスフェノールS型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。 Examples of the epoxy compound include bisphenol A type epoxy compound, bisphenol F type epoxy compound, bisphenol S type epoxy compound, phenol novolac type epoxy compound, biphenyl type epoxy compound, biphenyl novolac type epoxy compound, biphenol type epoxy compound, and naphthalene type epoxy compound. , Fluolene type epoxy compound, phenol aralkyl type epoxy compound, naphthol aralkyl type epoxy compound, dicyclopentadiene type epoxy compound, anthracene type epoxy compound, adamantan skeleton epoxy compound, tricyclodecane skeleton epoxy compound, naphthylene ether type Examples thereof include epoxy compounds and epoxy compounds having a triazine nucleus as a skeleton.

誘電正接をより一層低くする観点からは、上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、ナフタレン骨格又はフェニル骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有するエポキシ化合物であることがより好ましい。 From the viewpoint of further lowering the dielectric loss tangent, the epoxy compound preferably contains an epoxy compound having an aromatic skeleton, preferably contains an epoxy compound having a naphthalene skeleton or a phenyl skeleton, and an epoxy having an aromatic skeleton. More preferably, it is a compound.

誘電正接をより一層低くし、かつ樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性を高める観点からは、上記エポキシ化合物は、25℃で液状のエポキシ化合物と、25℃で固形のエポキシ化合物とを含むことが好ましい。 From the viewpoint of further lowering the dielectric loss tangent and increasing the flexibility of the resin film and the insulating layer, the epoxy compound preferably contains a liquid epoxy compound at 25 ° C. and a solid epoxy compound at 25 ° C. ..

上記25℃で液状のエポキシ化合物の25℃での粘度は、1000mPa・s以下であることが好ましく、500mPa・s以下であることがより好ましい。 The viscosity of the epoxy compound liquid at 25 ° C. at 25 ° C. is preferably 1000 mPa · s or less, and more preferably 500 mPa · s or less.

上記エポキシ化合物の粘度を測定する際には、例えば動的粘弾性測定装置(レオロジカ・インスツルメンツ社製「VAR−100」)等が用いられる。 When measuring the viscosity of the epoxy compound, for example, a dynamic viscoelasticity measuring device (“VAR-100” manufactured by Leologica Instruments) or the like is used.

上記エポキシ化合物の分子量は1000以下であることがより好ましい。この場合には、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%、無機充填材の含有量が50重量%以上であっても、絶縁層の形成時に流動性が高い樹脂材料が得られる。このため、樹脂フィルムの未硬化物又はBステージ化物を回路基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。 The molecular weight of the epoxy compound is more preferably 1000 or less. In this case, even if the component excluding the solvent in the resin film is 100% by weight and the content of the inorganic filler is 50% by weight or more, a resin material having high fluidity at the time of forming the insulating layer can be obtained. Therefore, when the uncured resin film or the B-staged product is laminated on the circuit board, the inorganic filler can be uniformly present.

上記エポキシ化合物の分子量は、上記エポキシ化合物が重合体ではない場合、及び上記エポキシ化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記エポキシ化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。 The molecular weight of the epoxy compound means a molecular weight that can be calculated from the structural formula when the epoxy compound is not a polymer and the structural formula of the epoxy compound can be specified. When the epoxy compound is a polymer, it means a weight average molecular weight.

硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高める観点からは、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは30重量%以上、好ましくは60重量%以下、より好ましくは50重量%以下である。 From the viewpoint of further increasing the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer, the content of the epoxy compound is preferably 20% by weight or more, more preferably 30% in 100% by weight of the components excluding the solvent in the resin film. By weight or more, preferably 60% by weight or less, more preferably 50% by weight or less.

[無機充填材]
上記樹脂フィルムは、無機充填材を含む。上記無機充填材の使用により、硬化物の誘電正接がより一層低くなり、電気特性を高めることができる。また、上記無機充填材の使用により、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなる。上記無機充填材は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Inorganic filler]
The resin film contains an inorganic filler. By using the inorganic filler, the dielectric loss tangent of the cured product is further lowered, and the electrical characteristics can be improved. Further, by using the inorganic filler, the dimensional change due to the heat of the cured product is further reduced. As the inorganic filler, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素等が挙げられる。 Examples of the inorganic filler include silica, talcite, clay, mica, hydrotalcite, alumina, magnesium oxide, aluminum hydroxide, aluminum nitride, and boron nitride.

硬化物の表面の表面粗さを小さくし、硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化物により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、硬化物の熱膨張率がより一層低くなり、また、硬化物の誘電正接がより一層低くなる。また、シリカの使用により、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は球状であることが好ましい。 The surface roughness of the surface of the cured product is reduced, the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is further increased, finer wiring is formed on the surface of the cured product, and better insulation reliability is achieved by the cured product. From the viewpoint of imparting properties, the inorganic filler is preferably silica or alumina, more preferably silica, and even more preferably fused silica. By using silica, the coefficient of thermal expansion of the cured product is further reduced, and the dielectric loss tangent of the cured product is further reduced. Further, by using silica, the surface roughness of the surface of the cured product is effectively reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is effectively increased. The shape of silica is preferably spherical.

硬化環境によらず、樹脂の硬化を進め、硬化物のガラス転移温度を効果的に高くし、硬化物の熱膨張係数を効果的に小さくする観点からは、上記無機充填材は球状シリカであることが好ましい。 The inorganic filler is spherical silica from the viewpoint of advancing the curing of the resin regardless of the curing environment, effectively increasing the glass transition temperature of the cured product, and effectively reducing the coefficient of thermal expansion of the cured product. Is preferable.

上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは50nm以上、より好ましくは100nm以上、更に好ましくは500nm以上、好ましくは5μm以下、より好ましくは2μm以下、更に好ましくは1μm以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理後の硬化物の表面の表面粗さを制御しやすく、絶縁層と配線回路層との密着性をより一層高めることができる。 The average particle size of the inorganic filler is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, still more preferably 500 nm or more, preferably 5 μm or less, more preferably 2 μm or less, still more preferably 1 μm or less. When the average particle size of the inorganic filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, it is easy to control the surface roughness of the surface of the cured product after the roughening treatment, and the adhesion between the insulating layer and the wiring circuit layer is further improved. It can be further enhanced.

上記無機充填材の平均粒径として、50%となるメディアン径(d50)の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。 As the average particle size of the inorganic filler, a value of median diameter (d50) of 50% is adopted. The average particle size can be measured by using a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.

上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、更に硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下である。 The inorganic filler is preferably spherical, more preferably spherical silica. In this case, the surface roughness of the surface of the cured product is effectively reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is effectively increased. When the inorganic filler is spherical, the aspect ratio of the inorganic filler is preferably 2 or less, more preferably 1.5 or less.

上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤による表面処理物であることがより好ましく、シランカップリング剤による表面処理物であることが更に好ましい。上記無機充填材が表面処理されていることにより、粗化硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。また、上記無機充填材が表面処理されていることにより、硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができ、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を硬化物に付与することができる。 The inorganic filler is preferably surface-treated, more preferably a surface-treated product with a coupling agent, and even more preferably a surface-treated product with a silane coupling agent. By surface-treating the inorganic filler, the surface roughness of the surface of the roughened cured product is further reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is further increased. Further, since the inorganic filler is surface-treated, finer wiring can be formed on the surface of the cured product, and even better inter-wiring insulation reliability and interlayer insulation reliability can be obtained in the cured product. Can be granted.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン、及びエポキシシラン等が挙げられる。 Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and the like. Examples of the silane coupling agent include methacrylsilane, acrylicsilane, aminosilane, imidazolesilane, vinylsilane, and epoxysilane.

樹脂フィルム中の溶剤を除く成分100重量%中、上記無機充填材の含有量は、好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、更に好ましくは65重量%以上、特に好ましくは68重量%以上、好ましくは90重量%以下、より好ましくは80重量%以下、更に好ましくは75重量%以下、特に好ましくは73重量%以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、誘電正接が効果的に低くなる。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくすることができ、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができる。さらに、この無機充填材量であれば、硬化物の熱膨張率を低くすることと同時に、スミア除去性を良好にすることも可能である。 The content of the inorganic filler is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, still more preferably 65% by weight or more, and particularly preferably 68% by weight in 100% by weight of the component excluding the solvent in the resin film. % Or more, preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less, still more preferably 75% by weight or less, and particularly preferably 73% by weight or less. When the content of the inorganic filler is at least the above lower limit, the dielectric loss tangent is effectively lowered. When the content of the inorganic filler is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product can be further reduced, and finer wiring can be formed on the surface of the cured product. Can be done. Further, with this amount of the inorganic filler, it is possible to reduce the coefficient of thermal expansion of the cured product and at the same time to improve the smear removal property.

[硬化剤]
上記樹脂フィルムは、硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤として、従来公知の硬化剤を使用可能である。上記硬化剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Curing agent]
The resin film preferably contains a curing agent. The above-mentioned curing agent is not particularly limited. Conventionally known curing agents can be used as the curing agent. Only one kind of the above-mentioned curing agent may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記硬化剤としては、アミン化合物(アミン硬化剤)、チオール化合物(チオール硬化剤)、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、ジシアンジアミド、フェノール化合物(フェノール硬化剤)、シアネート化合物(シアネート硬化剤)、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物(カルボジイミド硬化剤)、及びベンゾオキサジン化合物(ベンゾオキサジン硬化剤)等が挙げられる。上記硬化剤は、上記エポキシ化合物のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。 Examples of the curing agent include an amine compound (amine curing agent), a thiol compound (thiol curing agent), an imidazole compound, a phosphine compound, a dicyandiamide, a phenol compound (phenol curing agent), a cyanate compound (cyanate curing agent), and an acid anhydride. Examples thereof include an active ester compound, a carbodiimide compound (carbodiimide curing agent), and a benzoxazine compound (benzoxazine curing agent). The curing agent preferably has a functional group capable of reacting with the epoxy group of the epoxy compound.

熱寸法安定性をより一層高める観点、誘電正接を低下させる観点から、上記硬化剤は、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含むことが好ましい。すなわち、上記樹脂フィルムは、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分を含む硬化剤を含むことが好ましい。 From the viewpoint of further enhancing the thermal dimensional stability and lowering the dielectric adjacency, the curing agent is at least one of a phenol compound, a cyanate compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound. It is preferable to contain the component of. That is, the resin film preferably contains a curing agent containing at least one component of a phenol compound, a cyanate compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound.

本明細書において、「フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも1種の成分」を「成分X」と記載することがある。 In the present specification, "at least one component of a phenol compound, a cyanate compound, an acid anhydride, an active ester compound, a carbodiimide compound, and a benzoxazine compound" may be referred to as "component X".

したがって、上記樹脂フィルムは、成分Xを含む硬化剤を含むことが好ましい。上記成分Xは、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Therefore, it is preferable that the resin film contains a curing agent containing the component X. As the component X, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。 Examples of the phenol compound include novolak-type phenol, biphenol-type phenol, naphthalene-type phenol, dicyclopentadiene-type phenol, aralkyl-type phenol, and dicyclopentadiene-type phenol.

上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール(DIC社製「TD−2091」)、ビフェニルノボラック型フェノール(明和化成社製「MEH−7851」)、アラルキル型フェノール化合物(明和化成社製「MEH−7800」)、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール(DIC社製「LA1356」及び「LA3018−50P」)等が挙げられる。 Commercially available products of the above phenol compounds include novolak-type phenol (“TD-2091” manufactured by DIC), biphenyl novolac-type phenol (“MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.), and aralkyl-type phenol compound (“MEH” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.). -7800 "), and phenols having an aminotriazine skeleton ("LA1356 "and" LA3018-50P "manufactured by DIC) and the like can be mentioned.

上記シアネート化合物は、シアネートエステル化合物(シアネートエステル硬化剤)であってもよい。 The cyanate compound may be a cyanate ester compound (cyanate ester curing agent).

上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールA型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールE型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールF型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。 Examples of the cyanate ester compound include a novolak type cyanate ester resin, a bisphenol type cyanate ester resin, and a prepolymer in which these are partially triquantized. Examples of the novolak type cyanate ester resin include phenol novolac type cyanate ester resin and alkylphenol type cyanate ester resin. Examples of the bisphenol type cyanate ester resin include bisphenol A type cyanate ester resin, bisphenol E type cyanate ester resin, and tetramethyl bisphenol F type cyanate ester resin.

上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂(ロンザジャパン社製「PT−30」及び「PT−60」)、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー(ロンザジャパン社製「BA−230S」、「BA−3000S」、「BTP−1000S」及び「BTP−6020S」)等が挙げられる。 Commercially available products of the above cyanate ester compounds include a phenol novolac type cyanate ester resin (“PT-30” and “PT-60” manufactured by Lonza Japan Co., Ltd.) and a prepolymer in which a bisphenol type cyanate ester resin is triquantized (Lonza Japan). Examples thereof include "BA-230S", "BA-3000S", "BTP-1000S" and "BTP-6020S") manufactured by the same company.

上記酸無水物としては、テトラヒドロフタル酸無水物、及びアルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。 Examples of the acid anhydride include tetrahydrophthalic anhydride, alkylstyrene-maleic anhydride copolymer and the like.

上記酸無水物の市販品としては、新日本理化社製「リカシッド TDA−100」等が挙げられる。 Examples of the commercially available product of the acid anhydride include "Ricacid TDA-100" manufactured by Shin Nihon Rika Co., Ltd.

上記活性エステル化合物とは、構造体中にエステル結合を少なくとも1つ含み、かつ、エステル結合の両側に脂肪族鎖、脂肪族環又は芳香族環が結合している化合物をいう。活性エステル化合物は、例えばカルボン酸化合物又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物又はチオール化合物との縮合反応によって得られる。活性エステル化合物の例としては、下記式(1)で表される化合物が挙げられる。 The active ester compound means a compound containing at least one ester bond in the structure and having an aliphatic chain, an aliphatic ring or an aromatic ring bonded to both sides of the ester bond. The active ester compound is obtained, for example, by a condensation reaction between a carboxylic acid compound or a thiocarboxylic acid compound and a hydroxy compound or a thiol compound. Examples of the active ester compound include a compound represented by the following formula (1).

Figure 0006978472
Figure 0006978472

上記式(1)中、X1は、脂肪族鎖を含む基、脂肪族環を含む基又は芳香族環を含む基を表し、X2は、芳香族環を含む基を表す。上記芳香族環を含む基の好ましい例としては、置換基を有していてもよいベンゼン環、及び置換基を有していてもよいナフタレン環等が挙げられる。上記置換基としては、炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基の炭素数は、好ましくは12以下、より好ましくは6以下、更に好ましくは4以下である。 In the above formula (1), X1 represents a group containing an aliphatic chain, a group containing an aliphatic ring or a group containing an aromatic ring, and X2 represents a group containing an aromatic ring. Preferred examples of the group containing an aromatic ring include a benzene ring which may have a substituent, a naphthalene ring which may have a substituent, and the like. Examples of the substituent include a hydrocarbon group. The hydrocarbon group has preferably 12 or less carbon atoms, more preferably 6 or less carbon atoms, and even more preferably 4 or less carbon atoms.

X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいベンゼン環との組み合わせ、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。さらに、X1及びX2の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいナフタレン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。 The combination of X1 and X2 includes a combination of a benzene ring which may have a substituent and a benzene ring which may have a substituent, and a benzene ring which may have a substituent. Examples thereof include a combination with a naphthalene ring which may have a group. Further, examples of the combination of X1 and X2 include a combination of a naphthalene ring which may have a substituent and a naphthalene ring which may have a substituent.

上記活性エステル化合物は特に限定されない。熱寸法安定性及び難燃性をより一層高める観点からは、上記活性エステルは、2個以上の芳香族骨格を有する活性エステル化合物であることが好ましい。硬化物の誘電正接を低くし、かつ硬化物の熱寸法安定性を高める観点から、活性エステルの主鎖骨格中にナフタレン環を有することがより好ましい。 The above active ester compound is not particularly limited. From the viewpoint of further enhancing thermal dimensional stability and flame retardancy, the active ester is preferably an active ester compound having two or more aromatic skeletons. From the viewpoint of lowering the dielectric loss tangent of the cured product and increasing the thermal dimensional stability of the cured product, it is more preferable to have a naphthalene ring in the main chain skeleton of the active ester.

上記活性エステル化合物の市販品としては、DIC社製「HPC−8000−65T」、「EXB9416−70BK」及び「EXB8100−65T」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the active ester compound include "HPC-8000-65T", "EXB9416-70BK" and "EXB8100-65T" manufactured by DIC Corporation.

上記カルボジイミド化合物は、下記式(2)で表される構造単位を有する。下記式(2)において、右端部及び左端部は、他の基との結合部位である。上記カルボジイミド化合物は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The carbodiimide compound has a structural unit represented by the following formula (2). In the following formula (2), the right end and the left end are binding sites for other groups. Only one kind of the carbodiimide compound may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

Figure 0006978472
Figure 0006978472

上記式(2)中、Xは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基に置換基が結合した基、アリーレン基、又はアリーレン基に置換基が結合した基を表し、pは1〜5の整数を表す。Xが複数存在する場合、複数のXは同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the above formula (2), X is an alkylene group, a group in which a substituent is bonded to an alkylene group, a cycloalkylene group, a group in which a substituent is bonded to a cycloalkylene group, an arylene group, or a substituent bonded to an arylene group. It represents a group and p represents an integer of 1-5. When there are a plurality of X's, the plurality of X's may be the same or different.

好適な一つの形態において、少なくとも1つのXは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、又はシクロアルキレン基に置換基が結合した基である。 In one preferred embodiment, at least one X is an alkylene group, a group having a substituent attached to an alkylene group, a cycloalkylene group, or a group having a substituent attached to a cycloalkylene group.

上記カルボジイミド化合物の市販品としては、日清紡ケミカル社製「カルボジライト V−02B」、「カルボジライト V−03」、「カルボジライト V−04K」、「カルボジライト V−07」、「カルボジライト V−09」、「カルボジライト 10M−SP」、及び「カルボジライト 10M−SP(改)」、並びに、ラインケミー社製「スタバクゾールP」、「スタバクゾールP400」、及び「ハイカジル510」等が挙げられる。 Commercially available products of the above carbodiimide compounds include "carbodilite V-02B", "carbodilite V-03", "carbodilite V-04K", "carbodilite V-07", "carbodilite V-09", and "carbodilite" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Examples thereof include "10M-SP" and "Carbodilite 10M-SP (revised)", and "Stavaxol P", "Stavaxol P400" and "Hikazil 510" manufactured by Rheinchemy.

上記ベンゾオキサジン化合物としては、P−d型ベンゾオキサジン、及びF−a型ベンゾオキサジン等が挙げられる。 Examples of the benzoxazine compound include P-d type benzoxazine and Fa type benzoxazine.

上記ベンゾオキサジン化合物の市販品としては、四国化成工業社製「P−d型」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of the benzoxazine compound include "P-d type" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation.

上記熱硬化性化合物100重量部に対して、上記成分Xの含有量は、好ましくは70重量部以上、より好ましくは85重量部以上、好ましくは150重量部以下、より好ましくは120重量部以下である。上記成分Xの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高め、残存未反応成分の揮発をより一層抑制できる。 The content of the component X is preferably 70 parts by weight or more, more preferably 85 parts by weight or more, preferably 150 parts by weight or less, and more preferably 120 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the thermosetting compound. be. When the content of the component X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability is further improved, the thermal dimensional stability is further enhanced, and the volatilization of the residual unreacted component can be further suppressed.

上記樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記熱硬化性化合物と上記成分Xとの合計の含有量は、好ましくは50重量%以上、より好ましくは60重量%以上、好ましくは95重量%以下、より好ましくは90重量%以下である。上記熱硬化性化合物と上記成分Xとの合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高めることができる。 The total content of the thermosetting compound and the component X in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film is preferably 50% by weight or more, more preferably 60% by weight or more. It is preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less. When the total content of the thermosetting compound and the component X is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the curability is further improved and the thermal dimensional stability can be further improved.

[硬化促進剤]
上記樹脂フィルムは、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。樹脂フィルムを速やかに硬化させることで、硬化物における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されず、従来公知の硬化促進剤を使用可能である。上記硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Hardening accelerator]
The resin film preferably contains a curing accelerator. By using the above-mentioned curing accelerator, the curing rate becomes even faster. By rapidly curing the resin film, the crosslinked structure in the cured product becomes uniform, the number of unreacted functional groups decreases, and as a result, the crosslinked density increases. The curing accelerator is not particularly limited, and conventionally known curing accelerators can be used. As the curing accelerator, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物等のアニオン性硬化促進剤、アミン化合物等のカチオン性硬化促進剤、並びにリン化合物及び有機金属化合物等のアニオン性及びカチオン性硬化促進剤以外の硬化促進剤等が挙げられる。 Examples of the curing accelerator include anionic curing accelerators such as imidazole compounds, cationic curing accelerators such as amine compounds, and curing accelerators other than anionic and cationic curing accelerators such as phosphorus compounds and organic metal compounds. Agents and the like can be mentioned.

上記イミダゾール化合物としては、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4−メチル−5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。 Examples of the imidazole compound include 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, and 1-benzyl-. 2-Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-un Decylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2' -Methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2'-ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s -Triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-methylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-dihydroxymethylimidazole And so on.

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、4,4−ジメチルアミノピリジン及びジアザビシクロノネン等が挙げられる。 Examples of the amine compound include diethylamine, triethylamine, diethylenetetramine, triethylenetetramine, 4,4-dimethylaminopyridine, diazabicyclononene and the like.

上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。 Examples of the phosphorus compound include triphenylphosphine and the like.

上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)及びトリスアセチルアセトナートコバルト(III)等が挙げられる。 Examples of the organic metal compound include zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II) and trisacetylacetonate cobalt (III).

硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤は、上記アニオン性硬化促進剤を含むことが好ましく、上記イミダゾール化合物を含むことがより好ましい。 From the viewpoint of further lowering the curing temperature, the curing accelerator preferably contains the anionic curing accelerator, and more preferably contains the imidazole compound.

硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤100重量%中、上記アニオン性硬化促進剤の含有量は、好ましくは20重量%以上、より好ましくは50重量%以上、更に好ましくは80重量%以上、最も好ましくは100重量%(全量)である。 From the viewpoint of further lowering the curing temperature, the content of the anionic curing accelerator is preferably 20% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, still more preferably 80% by weight in 100% by weight of the curing accelerator. It is 100% by weight or more, most preferably 100% by weight (total amount).

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分100重量%中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、好ましくは5重量%以下、より好ましくは3重量%以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムが効率的に硬化する。上記硬化促進剤の含有量がより好ましい範囲であれば、樹脂フィルムの保存安定性がより一層高くなり、かつより一層良好な硬化物が得られる。 The content of the curing accelerator is not particularly limited. The content of the curing accelerator is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and preferably 5% by weight or less in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film. , More preferably 3% by weight or less. When the content of the curing accelerator is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the resin film is efficiently cured. When the content of the curing accelerator is in a more preferable range, the storage stability of the resin film is further improved, and a better cured product can be obtained.

[熱可塑性樹脂]
上記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド等が挙げられる。ポリイミドは、可溶性ポリイミドであることが好ましく、樹脂フィルム中の他の成分に可溶であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[Thermoplastic resin]
The resin film preferably contains a thermoplastic resin. Examples of the thermoplastic resin include polyvinyl acetal resin, phenoxy resin, and polyimide. The polyimide is preferably a soluble polyimide, and is preferably soluble in other components in the resin film. Only one type of the above-mentioned thermoplastic resin may be used, or two or more types may be used in combination.

硬化環境によらず、誘電正接を効果的に低くし、かつ、金属配線の密着性を効果的に高める観点からは、上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂又はポリイミドであることが好ましい。フェノキシ樹脂又はポリイミドの使用により、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化及び無機充填材の不均一化が抑えられる。また、フェノキシ樹脂又はポリイミドの使用により、溶融粘度を調整可能であるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に樹脂組成物又はBステージ化物が濡れ拡がり難くなる。 The thermoplastic resin is preferably a phenoxy resin or polyimide from the viewpoint of effectively lowering the dielectric loss tangent and effectively enhancing the adhesion of the metal wiring regardless of the curing environment. By using the phenoxy resin or polyimide, deterioration of embedding property in holes or irregularities of the circuit board of the resin film and non-uniformity of the inorganic filler can be suppressed. Further, by using the phenoxy resin or polyimide, the melt viscosity can be adjusted, so that the dispersibility of the inorganic filler is improved, and the resin composition or the B-staged product is less likely to wet and spread in an unintended region during the curing process. Become.

上記樹脂フィルムに含まれているフェノキシ樹脂は特に限定されない。上記フェノキシ樹脂として、従来公知のフェノキシ樹脂を使用可能である。上記フェノキシ樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The phenoxy resin contained in the resin film is not particularly limited. As the phenoxy resin, a conventionally known phenoxy resin can be used. Only one kind of the phenoxy resin may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型の骨格、ビスフェノールF型の骨格、ビスフェノールS型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。 Examples of the phenoxy resin include phenoxy resins having skeletons such as bisphenol A type skeleton, bisphenol F type skeleton, bisphenol S type skeleton, biphenyl skeleton, novolak skeleton, naphthalene skeleton and imide skeleton.

上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「YP50」、「YP55」及び「YP70」、並びに三菱化学社製の「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及び「YX8100BH30」等が挙げられる。 Examples of commercially available phenoxy resins include "YP50", "YP55" and "YP70" manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation, and "1256B40", "4250", "4256H40" and "4256H40" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 4275 ”,“ YX6954BH30 ”,“ YX8100BH30 ”and the like.

保存安定性により一層優れた樹脂フィルムを得る観点からは、上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは5000以上、より好ましくは10000以上、好ましくは100000以下、より好ましくは50000以下である。 From the viewpoint of obtaining a resin film having better storage stability, the weight average molecular weights of the thermoplastic resin and the phenoxy resin are preferably 5000 or more, more preferably 10,000 or more, preferably 100,000 or less, and more preferably 50,000 or less. Is.

上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。 The weight average molecular weight of the thermoplastic resin and the phenoxy resin indicates the polystyrene-equivalent weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography (GPC).

上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の上記無機充填材及び上記溶剤を除く成分100重量%中、上記熱可塑性樹脂の含有量(上記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量)は好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、樹脂フィルムの形成がより一層容易になり、より一層良好な絶縁層が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の熱膨張率がより一層低くなる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。 The contents of the thermoplastic resin and the phenoxy resin are not particularly limited. The content of the thermoplastic resin (the content of the phenoxy resin when the thermoplastic resin is a phenoxy resin) is preferably 1 weight in 100% by weight of the components excluding the inorganic filler and the solvent in the resin film. % Or more, more preferably 2% by weight or more, preferably 30% by weight or less, and more preferably 20% by weight or less. When the content of the thermoplastic resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the embedding property of the resin film in the holes or irregularities of the circuit board is improved. When the content of the thermoplastic resin is at least the above lower limit, the formation of the resin film becomes easier and a better insulating layer can be obtained. When the content of the thermoplastic resin is not more than the upper limit, the coefficient of thermal expansion of the cured product is further lowered. When the content of the thermoplastic resin is not more than the above upper limit, the surface roughness of the surface of the cured product is further reduced, and the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is further increased.

[溶剤]
上記樹脂フィルムは、溶剤を含まないか又は含む。上記溶剤の使用により、樹脂フィルムの粘度を好適な範囲に制御でき、樹脂フィルムの塗工性を高めることができる。また、上記溶剤は、上記無機充填材を含むスラリーを得るために用いられてもよい。上記溶剤は1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
[solvent]
The resin film does not contain or contains a solvent. By using the above solvent, the viscosity of the resin film can be controlled in a suitable range, and the coatability of the resin film can be improved. Further, the solvent may be used to obtain a slurry containing the inorganic filler. Only one kind of the solvent may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、2−プロパノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、2−アセトキシ−1−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、N,N−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、N−メチル−ピロリドン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。 Examples of the solvent include acetone, methanol, ethanol, butanol, 2-propanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 1-methoxy-2-propanol, 2-acetoxy-1-methoxypropane, toluene, xylene, and methyl ethyl ketone. Examples thereof include N, N-dimethylformamide, methyl isobutyl ketone, N-methyl-pyrrolidone, n-hexane, cyclohexane, cyclohexanone and naphtha as a mixture.

上記溶剤の多くは、上記樹脂組成物をフィルム状に成形するときに、除去されることが好ましい。従って、上記溶剤の沸点は好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。上記樹脂組成物における上記溶剤の含有量は特に限定されない。上記樹脂組成物の塗工性などを考慮して、上記溶剤の含有量は適宜変更可能である。 Most of the solvent is preferably removed when the resin composition is formed into a film. Therefore, the boiling point of the solvent is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The content of the solvent in the resin composition is not particularly limited. The content of the solvent can be appropriately changed in consideration of the coatability of the resin composition and the like.

[他の成分]
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂フィルムには、レベリング剤、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、及び揺変性付与剤等を添加してもよい。
[Other ingredients]
For the purpose of improving impact resistance, heat resistance, resin compatibility, workability, etc., the above resin film includes a leveling agent, a flame retardant, a coupling agent, a coloring agent, an antioxidant, an ultraviolet deterioration inhibitor, and an extinguishing agent. Foaming agents, thickening agents, rocking denaturing agents and the like may be added.

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。 Examples of the coupling agent include a silane coupling agent, a titanium coupling agent, an aluminum coupling agent, and the like. Examples of the silane coupling agent include vinylsilane, aminosilane, imidazolesilane, and epoxysilane.

(樹脂フィルム)
樹脂組成物をフィルム状に成形することにより樹脂フィルム(Bステージ化物/Bステージフィルム)が得られる。上記樹脂フィルムは、Bステージフィルムであることが好ましい。上記樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂フィルムであることが好ましい。
(Resin film)
A resin film (B-staged product / B-stage film) can be obtained by molding the resin composition into a film. The resin film is preferably a B stage film. The resin film is preferably a thermosetting resin film.

樹脂組成物をフィルム状に成形して、樹脂フィルムを得る方法としては、以下の方法が挙げられる。押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Tダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法。溶剤を含む樹脂組成物をキャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法。従来公知のその他のフィルム成形法。薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。 Examples of a method for obtaining a resin film by molding the resin composition into a film form include the following methods. An extrusion molding method in which a resin composition is melt-kneaded using an extruder, extruded, and then molded into a film by a T-die, a circular die, or the like. A casting molding method in which a resin composition containing a solvent is cast and molded into a film. Other conventionally known film forming methods. The extrusion molding method or the casting molding method is preferable because it can be made thinner. The film includes a sheet.

樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば50℃〜150℃で1分間〜10分間加熱乾燥させることにより、Bステージフィルムである樹脂フィルムを得ることができる。 A resin film as a B stage film can be obtained by molding the resin composition into a film and heating and drying it at 50 ° C. to 150 ° C. for 1 to 10 minutes to the extent that curing by heat does not proceed too much. can.

上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をBステージフィルムと称する。上記Bステージフィルムは、半硬化状態にある。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。 The film-like resin composition obtained by the drying step as described above is referred to as a B stage film. The B stage film is in a semi-cured state. The semi-cured product is not completely cured and can be further cured.

上記樹脂フィルムは、プリプレグでなくてもよい。上記樹脂フィルムがプリプレグではない場合には、ガラスクロス等に沿ってマイグレーションが生じなくなる。また、樹脂フィルムをラミネート又はプレキュアする際に、表面にガラスクロスに起因する凹凸が生じなくなる。上記樹脂フィルムは、金属箔又は基材と、該金属箔又は基材の表面に積層された樹脂フィルムとを備える積層フィルムの形態で用いることができる。上記金属箔は銅箔であることが好ましい。 The resin film does not have to be a prepreg. When the resin film is not a prepreg, migration does not occur along the glass cloth or the like. Further, when the resin film is laminated or pre-cured, unevenness due to the glass cloth does not occur on the surface. The resin film can be used in the form of a laminated film including a metal foil or a base material and a resin film laminated on the surface of the metal foil or the base material. The metal foil is preferably a copper foil.

上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルム等のオレフィン樹脂フィルム、及びポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。 Examples of the base material of the laminated film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate film and polybutylene terephthalate film, olefin resin films such as polyethylene film and polypropylene film, and polyimide resin films. The surface of the base material may be mold-released, if necessary.

樹脂フィルムの硬化度をより一層均一に制御する観点からは、上記樹脂フィルムの厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。上記樹脂フィルムを回路の絶縁層として用いる場合、上記樹脂フィルムにより形成された絶縁層の厚さは、回路を形成する導体層(配線回路層)の厚さ以上であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、好ましくは5μm以上であり、好ましくは200μm以下である。 From the viewpoint of controlling the degree of curing of the resin film more uniformly, the thickness of the resin film is preferably 5 μm or more, preferably 200 μm or less. When the resin film is used as the insulating layer of the circuit, the thickness of the insulating layer formed by the resin film is preferably equal to or larger than the thickness of the conductor layer (wiring circuit layer) forming the circuit. The thickness of the insulating layer is preferably 5 μm or more, and preferably 200 μm or less.

上記樹脂フィルムの硬化物の表面の算術平均粗さRaは好ましくは10nm以上であり、好ましくは300nm未満、より好ましくは200nm未満、更に好ましくは150nm未満である。この場合には、硬化物と配線回路層との接着強度が高くなり、更に絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、導体損失を抑えることができ、信号損失を低く抑えることができる。上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定される。 The arithmetic average roughness Ra of the surface of the cured product of the resin film is preferably 10 nm or more, preferably less than 300 nm, more preferably less than 200 nm, and further preferably less than 150 nm. In this case, the adhesive strength between the cured product and the wiring circuit layer is increased, and the surface of the insulating layer forms finer wiring. Further, the conductor loss can be suppressed and the signal loss can be suppressed low. The arithmetic mean roughness Ra is measured according to JIS B0601: 1994.

以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

(熱硬化性化合物)
エポキシ化合物:
ビフェニル型エポキシ化合物(日本化薬社製「NC−3000」)
ナフタレン型エポキシ化合物(DIC社製「HP−4032D」)
ナフトールアラルキル型エポキシ化合物(新日鐵住金化学社製「ESN−475V」) マレイミド化合物:
N−フェニルマレイミド化合物(大和化成工業社製「BMI−4000」)
N−アルキルビスマレイミド化合物(Designer Molecules Inc.製「BMI−1500」)
(Thermosetting compound)
Epoxy compound:
Biphenyl type epoxy compound ("NC-3000" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
Naphthalene type epoxy compound ("HP-4032D" manufactured by DIC Corporation)
Naphthol aralkyl type epoxy compound (“ESN-475V” manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation) Maleimide compound:
N-Phenylmaleimide compound ("BMI-4000" manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.)
N-alkylbismaleimide compound (“BMI-1500” manufactured by Designer Molecules Inc.)

(無機充填材)
シリカ含有スラリー(シリカ75重量%:アドマテックス社製「SC4050−HOA」、平均粒径1.0μm、アミノシラン処理、シクロヘキサノン25重量%)
(Inorganic filler)
Silica-containing slurry (silica 75% by weight: "SC4050-HOA" manufactured by Admatex, average particle size 1.0 μm, aminosilane treatment, cyclohexanone 25% by weight)

(硬化剤)
成分X:
フェノールノボラック化合物(DIC社製「LA−1356」)
活性エステル化合物含有液(DIC社製「EXB−9416−70BK」、固形分70重量%)
カルボジイミド化合物含有液(日清紡ケミカル社製「V−03」、固形分50重量%)
ベンゾオキサジン化合物(四国化成工業社製「P−d型」)
(Hardener)
Ingredient X:
Phenol novolac compound ("LA-1356" manufactured by DIC Corporation)
Active ester compound-containing liquid ("EXB-9416-70BK" manufactured by DIC Corporation, solid content 70% by weight)
Carbodiimide compound-containing liquid ("V-03" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., solid content 50% by weight)
Benzoxazine compound ("P-d type" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)

(硬化促進剤)
ジアザビシクロノネン(DBN)
ジメチルアミノピリジン(和光純薬工業社製「DMAP」)
2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製「2P4MZ」、アニオン性硬化促進剤)
(Hardening accelerator)
Diazabicyclononen (DBN)
Dimethylaminopyridine ("DMAP" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
2-Phenyl-4-methylimidazole ("2P4MZ" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, anionic curing accelerator)

(熱可塑性樹脂)
ポリイミド化合物(可溶性ポリイミド):
テトラカルボン酸二無水物とダイマージアミンとの反応物であるポリイミド化合物含有溶液(不揮発分26.8重量%)を以下の合成例1に従って合成した。
(Thermoplastic resin)
Polyimide compound (soluble polyimide):
A polyimide compound-containing solution (nonvolatile content 26.8% by weight), which is a reaction product of tetracarboxylic dianhydride and dimerdiamine, was synthesized according to the following Synthesis Example 1.

(合成例1)
撹拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応容器に、テトラカルボン酸二無水物(SABICジャパン合同会社製「BisDA−1000」)300.0gと、シクロヘキサノン665.5gとを入れ、反応容器中の溶液を60℃まで加熱した。次いで、反応容器中に、ダイマージアミン(クローダジャパン社製「PRIAMINE1075」)89.0gと、1,3−ビスアミノメチルシクロヘキサン(三菱ガス化学社製)54.7gとを滴下した。次いで、反応容器中に、メチルシクロヘキサン121.0gと、エチレングリコールジメチルエーテル423.5gとを添加し、140℃で10時間かけてイミド化反応を行った。このようにして、ポリイミド化合物含有溶液(不揮発分26.8重量%)を得た。得られたポリイミド化合物の分子量(下記のGPC測定により求められる重量平均分子量)は20000であった。なお、酸成分/アミン成分のモル比は1.04であった。
(Synthesis Example 1)
300.0 g of tetracarboxylic dianhydride (“BisDA-1000” manufactured by SABIC Japan GK) and 665.5 g of cyclohexanone were placed in a reaction vessel equipped with a stirrer, water divider, thermometer and nitrogen gas introduction tube. And the solution in the reaction vessel was heated to 60 ° C. Next, 89.0 g of dimer diamine (“PRIAMINE 1075” manufactured by Croda Japan Co., Ltd.) and 54.7 g of 1,3-bisaminomethylcyclohexane (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) were added dropwise to the reaction vessel. Next, 121.0 g of methylcyclohexane and 423.5 g of ethylene glycol dimethyl ether were added to the reaction vessel, and an imidization reaction was carried out at 140 ° C. for 10 hours. In this way, a polyimide compound-containing solution (nonvolatile content 26.8% by weight) was obtained. The molecular weight of the obtained polyimide compound (weight average molecular weight obtained by the following GPC measurement) was 20000. The molar ratio of the acid component / amine component was 1.04.

GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)測定:
島津製作所社製高速液体クロマトグラフシステムを使用し、テトラヒドロフラン(THF)を展開媒として、カラム温度40℃、流速1.0ml/分で測定を行った。検出器として「SPD−10A」を用い、カラムはShodex社製「KF−804L」(排除限界分子量400,000)を2本直列につないで使用した。標準ポリスチレンとして、東ソー社製「TSKスタンダードポリスチレン」を用い、重量平均分子量Mw=354,000、189,000、98,900、37,200、17,100、9,830、5,870、2,500、1,050、500の物質を使用して較正曲線を作成し、分子量の計算を行った。
GPC (Gel Permeation Chromatography) Measurement:
A high performance liquid chromatograph system manufactured by Shimadzu Corporation was used, and measurement was carried out using tetrahydrofuran (THF) as a developing medium at a column temperature of 40 ° C. and a flow velocity of 1.0 ml / min. "SPD-10A" was used as a detector, and two columns of "KF-804L" (exclusion limit molecular weight 400,000) manufactured by Shodex Co., Ltd. were connected in series. Tosoh's "TSK standard polystyrene" is used as the standard polystyrene, and the weight average molecular weight Mw = 354,000, 189,000, 98,900, 37,200, 17,100, 9,830, 5,870, 2, Calibration curves were made using 500, 1,050, and 500 materials and the molecular weight was calculated.

(実施例1〜3及び比較例1,2)
下記の表1に示す成分を下記の表1に示す配合量(単位は固形分重量部)で配合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂材料を得た。
(Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2)
The components shown in Table 1 below were blended in the blending amounts shown in Table 1 below (unit: parts by weight of solid content), and the mixture was stirred at room temperature until a uniform solution was obtained to obtain a resin material.

樹脂フィルムの作製:
アプリケーターを用いて、離型処理されたPETフィルム(東レ社製「XG284」、厚み25μm)の離型処理面上に得られた樹脂材料を塗工した後、100℃のギヤオーブン内で3分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、PETフィルム上に、厚さが40μmである樹脂フィルム(Bステージフィルム)が積層されている積層フィルム(PETフィルムと樹脂フィルムとの積層フィルム)を得た。
Preparation of resin film:
After applying the obtained resin material on the release-treated surface of the release-treated PET film (Toray Industries, Inc. "XG284", thickness 25 μm) using an applicator, it is placed in a gear oven at 100 ° C. for 3 minutes. It was dried and the solvent was volatilized. In this way, a laminated film (laminated film of PET film and resin film) in which a resin film (B stage film) having a thickness of 40 μm is laminated on the PET film was obtained.

(評価)
(1)ピーク温度T
得られた樹脂フィルム(Bステージフィルム)の硬化に伴う発熱ピークを、示差走査熱量測定装置(TA・インスツルメント社製「Q2000」)を用いて評価した。専用アルミパンに樹脂フィルム8mgを取り、専用治具を用いて蓋をした。この専用アルミパンと空のアルミパン(リファレンス)とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度3℃/分で−30℃から250℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行った。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとした。得られた発熱ピークにおいて、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Tを求めた。
(evaluation)
(1) Peak temperature T
The exothermic peak associated with the curing of the obtained resin film (B stage film) was evaluated using a differential scanning calorimetry device (“Q2000” manufactured by TA Instrument Co., Ltd.). 8 mg of the resin film was taken on a special aluminum pan and covered with a special jig. This dedicated aluminum pan and an empty aluminum pan (reference) are installed in the heating unit and heated from -30 ° C to 250 ° C at a heating rate of 3 ° C / min under a nitrogen atmosphere, and reverse heat flow and non-reverse. The heat flow was observed. The heat generation peak observed in the non-reverse heat flow was defined as the heat generation peak of the resin film. In the obtained exothermic peak, the peak temperature T of the exothermic peak having the maximum peak height was obtained among the exothermic peaks having the exothermic peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

(2)平均熱膨張係数(CTE)
得られた積層フィルムから、樹脂フィルムを剥離した。
(2) Average coefficient of thermal expansion (CTE)
The resin film was peeled off from the obtained laminated film.

この樹脂フィルムを130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で1.5時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(1)を得た。 This resin film was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. This resin film was heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours to obtain a cured product (1) of the resin film.

この樹脂フィルムを130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で7.5時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(2)を得た(樹脂フィルムの硬化物(1)を得た加熱時間よりも5倍長い加熱時間)。 This resin film was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. This resin film was heated at (T + 50) ° C. for 7.5 hours to obtain a cured product (2) of the resin film (heating time 5 times longer than the heating time obtained from the cured product (1) of the resin film). ).

この樹脂フィルムを130℃で1時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、(T+50)℃で15時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物(3)を得た(樹脂フィルムの硬化物(1)を得た加熱時間よりも10倍長い加熱時間)。 This resin film was heated at 130 ° C. for 1 hour to obtain a pre-cured resin film. This resin film was heated at (T + 50) ° C. for 15 hours to obtain a cured product (3) of the resin film (heating time 10 times longer than the heating time obtained from the cured product (1) of the resin film).

なお、上記硬化温度における上記Tは、ピーク温度Tを意味する。また、樹脂フィルムの硬化は表1に示すように、大気環境下又は窒素環境下で行った。 The T at the curing temperature means the peak temperature T. Further, as shown in Table 1, the resin film was cured in an atmospheric environment or a nitrogen environment.

得られた樹脂フィルムの硬化物(1)〜(3)について、3mm×25mm×厚み40μmの大きさに裁断した。熱機械的分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「EXSTAR TMA/SS6100」)を用いて、引っ張り荷重33mN及び昇温速度5℃/分の条件で、裁断された硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数(ppm/℃)を算出した。 The cured products (1) to (3) of the obtained resin film were cut into a size of 3 mm × 25 mm × thickness 40 μm. Using a thermomechanical analyzer (“EXSTAR TMA / SS6100” manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.), the cured product cut at 25 ° C or higher and 150 ° C under the conditions of a tensile load of 33 mN and a heating rate of 5 ° C / min. The following average coefficient of thermal expansion (ppm / ° C) was calculated.

測定された樹脂フィルムの硬化物(1)の平均熱膨張係数CTE1.5hと、樹脂フィルムの硬化物(2)の平均熱膨張係数CTE7.5hと、樹脂フィルムの硬化物(3)の平均熱膨張係数CTE15hとから、以下を算出した。 The measured average thermal expansion coefficient CTE 1.5h of the cured product (1) of the resin film, the average thermal expansion coefficient CTE 7.5h of the cured product (2) of the resin film, and the cured product (3) of the resin film. The following was calculated from the average thermal expansion coefficient CTE 15h.

CTE7.5hのCTE1.5hに対する比(CTE7.5h/CTE1.5h
CTE15hのCTE1.5hに対する比(CTE15h/CTE1.5h
CTE1.5hとCTE7.5hとの差の絶対値
CTE1.5hとCTE15hとの差の絶対値
Ratio of CTE 7.5h to CTE 1.5h (CTE 7.5h / CTE 1.5h )
Ratio of CTE 15h to CTE 1.5h (CTE 15h / CTE 1.5h )
Absolute value of the difference between CTE 1.5h and CTE 7.5h Absolute value of the difference between CTE 1.5h and CTE 15h

[平均熱膨張係数の判定基準]
A:比(CTE7.5h/CTE1.5h)が、0.75以上1.4以下
B:比(CTE7.5h/CTE1.5h)が、0.75未満、又は、1.4を超える
A:比(CTE15h/CTE1.5h)が、0.75以上1.2以下
B:比(CTE15h/CTE1.5h)が、0.75未満、又は、1.2を超える
[Criteria for determining the average coefficient of thermal expansion]
A: Ratio (CTE 7.5h / CTE 1.5h ) is 0.75 or more and 1.4 or less B: Ratio (CTE 7.5h / CTE 1.5h ) is less than 0.75 or 1.4 A: Ratio (CTE 15h / CTE 1.5h ) is 0.75 or more and 1.2 or less B: Ratio (CTE 15h / CTE 1.5h ) is less than 0.75 or more than 1.2

(3)冷熱衝撃試験
冷熱衝撃試験用の評価基板(銅張積層板と6層の絶縁−配線回路複合層とを備える評価基板)を下記に従い作製した。なお、評価基板において、各層に形成されたビアホール連なっている。すなわち、多段スタックビアを有する評価基板にて、下記の評価を行った。
(3) Cold Impact Test An evaluation board for a cold shock test (an evaluation board including a copper-clad laminate and a 6-layer insulation-wiring circuit composite layer) was produced according to the following. In the evaluation substrate, via holes formed in each layer are connected. That is, the following evaluation was performed on an evaluation board having a multi-stage stack via.

1層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a1)ラミネート工程:
両面銅張積層板(各面の銅箔の厚み18μm、基板の厚み0.7mm、基板サイズ100mm×100mm、日立化成社製「MCL−E679FG」)を用意した。この両面銅張積層板の銅箔面の両面をメック社製「Cz8101」に浸漬して、銅箔の表面を粗化処理した。粗化処理された銅張積層板の両面に、名機製作所社製「バッチ式真空ラミネーターMVLP−500/600−IIA」を用いて、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側を銅張積層板上に重ねてラミネートした。ラミネートの条件は、30秒減圧して気圧を13hPa以下とし、その後30秒間、100℃及び圧力0.4MPaでプレスする条件とした。PETフィルムを剥がした後130℃で60分間加熱し、樹脂フィルムを半硬化(予備硬化)させた。このようにして、CCL基板に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(1)を得た。
Formation of first layer of insulation-wiring circuit composite layer:
(A1) Laminating process:
A double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness of 18 μm on each side, substrate thickness of 0.7 mm, substrate size of 100 mm × 100 mm, “MCL-E679FG” manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) was prepared. Both sides of the copper foil surface of this double-sided copper-clad laminate were immersed in "Cz8101" manufactured by MEC to roughen the surface of the copper foil. The resin film (B stage film) side of the laminated film was copper-clad laminated on both sides of the roughened copper-clad laminate using "Batch type vacuum laminator MVLP-500 / 600-IIA" manufactured by Meiki Co., Ltd. It was laminated on a board. The laminating conditions were such that the pressure was reduced for 30 seconds to reduce the atmospheric pressure to 13 hPa or less, and then the pressing was performed at 100 ° C. and a pressure of 0.4 MPa for 30 seconds. After peeling off the PET film, the resin film was semi-cured (pre-cured) by heating at 130 ° C. for 60 minutes. In this way, a laminated body (1) in which a semi-cured product of a resin film was laminated on a CCL substrate was obtained.

(b1)ビアホール形成工程:
COレーザー加工機(ビアメカニクス社製「LC−4KF212」)を用いて、バーストモード、エネルギー0.4mJ、パルス27μsec、3ショットの条件で、直径約60μmのビアホールを形成した。
(B1) Via hole forming step:
Using a CO 2 laser machine (“LC-4KF212” manufactured by Via Mechanics, Inc.), a via hole having a diameter of about 60 μm was formed under the conditions of burst mode, energy of 0.4 mJ, pulse of 27 μsec, and 3 shots.

(c1)デスミア処理及び粗化処理:
(c1−1)膨潤処理:
60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントP」)に、得られた積層体(1)を入れて、10分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
(C1) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1-1) Swelling treatment:
The obtained laminate (1) was placed in a swelling solution at 60 ° C. (“Swelling Dip Securigant P” manufactured by Atotech Japan) and shaken for 10 minutes. Then, it was washed with pure water.

(c1−2)過マンガン酸塩処理(粗化処理及びデスミア処理):
80℃の過マンガン酸カリウム(アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトCP」)粗化水溶液に、膨潤処理後の積層体(1)を入れて、30分間揺動させた。次に、25℃の洗浄液(アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントP」)を用いて2分間処理した後、純水で洗浄を行い、粗化処理後の積層体(1)を得た。
(C1-2) Permanganate treatment (roughening treatment and desmear treatment):
The swelling-treated laminate (1) was placed in a crude aqueous solution of potassium permanganate (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan) at 80 ° C. and shaken for 30 minutes. Next, after treating for 2 minutes with a cleaning liquid at 25 ° C. (“Reduction Securigant P” manufactured by Atotech Japan), cleaning was performed with pure water to obtain a laminated body (1) after roughening treatment.

(c1−3)表面粗さの測定:
粗化処理後の積層体(1)(粗化処理された硬化物)の表面を、非接触3次元表面形状測定装置(Bruker社製「Contour GT−K」)を用いて、95.6μm×71.7μmの測定領域で算術平均粗さRaを測定した。なお、上記算術平均粗さRaは、JIS B0601:1994に準拠して測定した。粗化処理された硬化物の表面の表面粗さが200nm以下であることを確認した。
(C1-3) Measurement of surface roughness:
The surface of the laminated body (1) (roughened cured product) after the roughening treatment was 95.6 μm × using a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (“Contour GT-K” manufactured by Bruker). The arithmetic mean roughness Ra was measured in a measurement area of 71.7 μm. The arithmetic mean roughness Ra was measured according to JIS B0601: 1994. It was confirmed that the surface roughness of the surface of the roughened cured product was 200 nm or less.

(d1)無電解めっき処理:
粗化処理後の積層体(1)の硬化物の表面を、60℃のアルカリクリーナ(アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント902」)で5分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を25℃のプリディップ液(アトテックジャパン社製「プリディップネオガントB」)で2分間処理した。その後、上記硬化物を40℃のアクチベーター液(アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント834」)で5分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、30℃の還元液(アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントWA」)により、硬化物を5分間処理した。
(D1) Electroless plating treatment:
The surface of the cured product of the laminated body (1) after the roughening treatment was treated with an alkaline cleaner at 60 ° C. (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and degreased and washed. After washing, the cured product was treated with a predip solution (“Predip Neogant B” manufactured by Atotech Japan) at 25 ° C. for 2 minutes. Then, the cured product was treated with an activator solution at 40 ° C. (“Activator Neogant 834” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and a palladium catalyst was attached. Next, the cured product was treated with a reducing solution at 30 ° C. (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan) for 5 minutes.

次に、上記硬化物を化学銅液(アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントMSK−DK」、「カッパープリントガントMSK」、「スタビライザープリントガントMSK」、及び「リデューサーCu」)に入れ、無電解めっきをめっき厚さが0.5μm程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、120℃の温度で30分間アニール処理した。なお、無電解めっきの工程までの全ての工程は、ビーカースケールで処理液を2Lとし、硬化物を揺動させながら実施した。 Next, the cured product was placed in a chemical copper solution (Atotech Japan's "Basic Print Gantt MSK-DK", "Copper Print Gantt MSK", "Stabilizer Print Gantt MSK", and "Reducer Cu") for electroless plating. Was carried out until the plating thickness became about 0.5 μm. After electroless plating, annealing treatment was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove residual hydrogen gas. All the steps up to the electroless plating step were carried out using a beaker scale with 2 L of the treatment liquid and shaking the cured product.

(e1)レジスト形成:
ドライフィルムレジスト(日立化成社製「RY5125」)を、ホットロールラミネーターを用いて貼り付けた。ラミネート条件は、温度100℃、圧力0.4MPa及びラミネート速度1.5m/分とする条件とし、その後、15分ホールドした。次いで、85mJ/cmで露光した後、1wt%の炭酸ナトリウム水溶液を27℃で、スプレー圧1.2MPa、30秒間スプレー処理して現像を行った。
(E1) Resist formation:
A dry film resist (“RY5125” manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) was attached using a hot roll laminator. The laminating conditions were a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.4 MPa, and a laminating speed of 1.5 m / min, and then held for 15 minutes. Then, after exposure at 85 mJ / cm 2 , a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution was spray-treated at 27 ° C. at a spray pressure of 1.2 MPa for 30 seconds for development.

(f1)電解めっき処理:
次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきをめっき厚さが25μmとなるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液(和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド HL」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド GS」)を用いて、0.6A/cmの電流を流しめっき厚さが25μm程度となるまで電解めっきを実施した。
(F1) Electroplating treatment:
Next, electrolytic plating was performed on the cured product subjected to electroless plating until the plating thickness became 25 μm. Copper sulfate solution for electrolytic copper plating ("Copper sulfate pentahydrate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Sulfate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Basic Leveler Capallaside HL" manufactured by Atotech Japan, "Basic Leveler Capallaside HL" manufactured by Atotech Japan. Using the corrective agent Kapalacid GS ”), electrolytic plating was carried out by passing a current of 0.6 A / cm 2 until the plating thickness became about 25 μm.

(g1)DFR剥離及びエッチング処理:
3wt%の水酸化ナトリウム水溶液を用いてスプレー処理することによりドライフィルムレジスト(DFR)を剥離した。次いで、過水硫酸系の酸性エッチング液(JCU社製「SACプロセス」)にてクイックエッチングを行った。
(G1) DFR peeling and etching treatment:
The dry film resist (DFR) was peeled off by spray treatment with a 3 wt% sodium hydroxide aqueous solution. Next, quick etching was performed with a hydrogen peroxide-based acidic etching solution (“SAC process” manufactured by JCU).

(h1)本硬化工程:
ピーク温度Tに対し、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H1) Main curing step:
It was heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours with respect to the peak temperature T.

このようにして、銅張積層板上に1層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the first insulating-wiring circuit composite layer was formed on the copper-clad laminate.

2層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a2)ラミネート工程:
(a1)ラミネート工程で実施した粗化処理条件と同様にして、1層目の配線回路層の粗化処理を行った。その後、(a1)ラミネート工程で実施したラミネート条件で、1層目の絶縁−配線回路複合層上に、積層フィルムの樹脂フィルム(Bステージフィルム)側をラミネートした。その後、PETフィルムを剥がた後130℃で60分間加熱して樹脂フィルムを半硬化させた。このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(2)を得た。
Formation of second insulation-wiring circuit composite layer:
(A2) Laminating process:
(A1) The roughening treatment of the wiring circuit layer of the first layer was performed in the same manner as the roughening treatment conditions carried out in the laminating step. Then, the resin film (B stage film) side of the laminated film was laminated on the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer under the laminating conditions carried out in the laminating step (a1). Then, after peeling off the PET film, the resin film was semi-cured by heating at 130 ° C. for 60 minutes. In this way, a laminated body (2) in which a semi-cured resin film was laminated on the first layer of the insulating-wiring circuit composite layer was obtained.

(b2)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B2) Via hole forming step:
(B1) Via holes were formed in the same manner as in the step carried out in the via hole forming step, except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (2).

(c2)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(2)を得た。
(C2) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) The steps carried out in the desmear treatment and the roughening treatment were carried out in the same manner except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (2), and the laminated body (2) after the roughening treatment was obtained.

(d2)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(2)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D2) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating treatment was performed in the same manner as in the process carried out in the electroless plating treatment, except that the laminated body (1) after the roughening treatment was changed to the laminated body (2) after the roughening treatment. rice field.

(f2)電解めっき処理:
(d2)無電解めっき処理を行った後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F2) Electroplating treatment:
After the (d2) electroless plating treatment, the electroless plating treatment was performed in the same manner as in the (f1) electrolytic plating treatment.

(h2)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H2) Main curing step:
(H1) In the same manner as in the main curing step, the mixture was heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours.

このようにして、1層目の絶縁−配線回路複合層上に2層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the second layer of the insulation-wiring circuit composite layer was formed on the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer.

3層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、2層目の絶縁−配線回路複合層上に3層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of third insulation-wiring circuit composite layer:
A third layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the second layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.

4層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、3層目の絶縁−配線回路複合層上に4層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of 4th insulation-wiring circuit composite layer:
A fourth layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the third layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.

5層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
(a5)ラミネート工程:
(a2)ラミネート工程で実施した工程と同様にして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体(5)を得た。
Formation of 5th insulation-wiring circuit composite layer:
(A5) Laminating process:
(A2) In the same manner as in the step carried out in the laminating step, a laminated body (5) in which a semi-cured resin film was laminated on the fourth layer of the insulating-wiring circuit composite layer was obtained.

(b5)ビアホール形成工程:
(b1)ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
(B5) Via hole forming step:
(B1) Via holes were formed in the same manner as in the step carried out in the via hole forming step, except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (5).

(c5)デスミア処理及び粗化処理:
(c1)デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体(1)を積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体(5)を得た。
(C5) Desmear treatment and roughening treatment:
(C1) The steps carried out in the desmear treatment and the roughening treatment were carried out in the same manner except that the laminated body (1) was changed to the laminated body (5), and the laminated body (5) after the roughening treatment was obtained.

(d5)無電解めっき処理:
(d1)無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体(1)を粗化処理後の積層体(5)に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
(D5) Electroless plating treatment:
(D1) The electroless plating treatment was performed in the same manner as in the process carried out in the electroless plating treatment, except that the laminated body (1) after the roughening treatment was changed to the laminated body (5) after the roughening treatment. rice field.

(e5)レジスト形成:
(e1)レジスト形成で実施した工程と同様にして、現像を行った。
(E5) Resist formation:
(E1) Development was carried out in the same manner as in the process carried out in resist formation.

(f5)電解めっき処理:
ドライフィルムレジストのパターンが形成された後、(f1)電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
(F5) Electroplating treatment:
After the pattern of the dry film resist was formed, the electroless plating treatment was performed in the same manner as in the (f1) electrolytic plating treatment.

(g5)DFR剥離及びエッチング処理:
(g1)DFR剥離及びエッチング処理で実施した工程と同様にして、DFR剥離及びエッチング処理を行った。
(G5) DFR peeling and etching treatment:
(G1) The DFR peeling and etching treatments were carried out in the same manner as in the steps carried out in the DFR peeling and etching treatments.

(h5)本硬化工程:
(h1)本硬化工程と同様にして、(T+50)℃で1.5時間加熱した。
(H5) Main curing step:
(H1) In the same manner as in the main curing step, the mixture was heated at (T + 50) ° C. for 1.5 hours.

このようにして、4層目の絶縁−配線回路複合層上に5層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。 In this way, the fifth layer of the insulation-wiring circuit composite layer was formed on the fourth layer of the insulation-wiring circuit composite layer.

6層目の絶縁−配線回路複合層の形成:
2層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、5層目の絶縁−配線回路複合層上に6層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
Formation of 6th insulation-wiring circuit composite layer:
A sixth layer of insulation-wiring circuit composite layer was formed on the fifth layer of insulation-wiring circuit composite layer in the same manner as in the process performed in the formation of the second layer of insulation-wiring circuit composite layer.

このようにして、銅張積層板上に1層目〜6層目の絶縁−配線回路複合層が形成された評価基板を作製した。得られた評価基板では、1層目〜6層目の配線回路層のうち、1層目及び5層目の配線回路層のみがパターンを有している。 In this way, an evaluation substrate in which the first to sixth layers of the insulation-wiring circuit composite layer were formed on the copper-clad laminate was produced. In the obtained evaluation board, of the wiring circuit layers of the first to sixth layers, only the first and fifth wiring circuit layers have a pattern.

冷熱衝撃試験(絶縁層のひび又は割れ)の評価:
得られた評価基板において、以下の2条件で液漕冷熱衝撃試験を行った。
Evaluation of thermal shock test (cracking or cracking of insulating layer):
The obtained evaluation substrate was subjected to a liquid tank cold heat impact test under the following two conditions.

試験条件1:−55℃〜125℃、各5分、1000サイクル
試験条件2:−65℃〜150℃、各5分、1000サイクル
Test condition 1: -55 ° C to 125 ° C, 5 minutes each, 1000 cycles Test condition 2: -65 ° C to 150 ° C, 5 minutes each, 1000 cycles

(i)絶縁層及び配線回路層のひび又は割れ
液漕冷熱衝撃試験を行った評価基板において、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層を観察した。また、ビアホール周辺以外の領域の絶縁層及び配線回路層も観察した。
(I) Cracks or cracks in the insulating layer and wiring circuit layer Observe the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via part using a scanning electron microscope (SEM) on the evaluation substrate that has been subjected to the liquid tank thermal shock test. did. In addition, the insulating layer and the wiring circuit layer in the region other than the area around the via hole were also observed.

[絶縁層及び配線回路層のひび又は割れ(ビアホール周辺)の判定基準]
○:ビアホール周辺の絶縁層及びビア部の配線回路層にひび又は割れの発生がない
×:ビアホール周辺の絶縁層又はビア部の配線回路層にひび又は割れの発生がある
[Criteria for cracking or cracking (around via holes) in the insulating layer and wiring circuit layer]
◯: No cracks or cracks occur in the insulating layer around the via hole and the wiring circuit layer in the via part ×: There are cracks or cracks in the insulating layer around the via hole or the wiring circuit layer in the via part.

[絶縁層及び配線回路層のひび又は割れ(ビアホール周辺以外)の判定基準]
○:ビアホール周辺以外の領域の絶縁層及び配線回路層にひび又は割れの発生がない
×:ビアホール周辺以外の領域の絶縁層又は配線回路層にひび又は割れの発生がある
[Criteria for cracking or cracking the insulating layer and wiring circuit layer (other than around the via hole)]
◯: No cracks or cracks occur in the insulating layer or wiring circuit layer in the area other than the area around the via hole ×: Cracks or cracks occur in the insulating layer or wiring circuit layer in the area other than the area around the via hole.

(ii)接続信頼性
液漕冷熱衝撃試験の実施前後において、抵抗計(日置電機社製「RM3545」)を用いてビア接続部位の抵抗を測定した。液漕冷熱衝撃試験の実施前後にて、評価基板の抵抗値変化率(液漕冷熱衝撃試験実施後の抵抗値/液漕冷熱衝撃試験実施後の抵抗値×100)を求めた。
(Ii) Connection reliability Before and after the liquid tank thermal shock test, the resistance of the via connection part was measured using a resistance tester (“RM3545” manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.). Before and after the liquid tank cold heat impact test was carried out, the rate of change in the resistance value of the evaluation board (resistance value after the liquid tank cold heat shock test / resistance value after the liquid tank cold heat shock test × 100) was determined.

[接続信頼性の判定基準]
○:抵抗値変化率が10%未満
×:抵抗値変化率が10%以上
[Criteria for connection reliability]
◯: Resistance value change rate is less than 10% ×: Resistance value change rate is 10% or more

組成及び結果を下記の表1に示す。 The composition and results are shown in Table 1 below.

Figure 0006978472
Figure 0006978472

1…多層プリント配線板
11…基板
11a…穴
12…配線回路層
13,13A,13B…絶縁層(1層目の絶縁層)
14…配線回路層(1層目の配線回路層)
15,15A,15B…絶縁層(2層目の絶縁層)
16…配線回路層(2層目の配線回路層)
17…絶縁層(3層目の絶縁層)
18…配線回路層(3層目の配線回路層)
19…絶縁層(4層目の絶縁層)
20…配線回路層(4層目の配線回路層)
21…絶縁層(5層目の絶縁層)
22…配線回路層(5層目の配線回路層)
23…絶縁層(6層目の絶縁層)
24…配線回路層(6層目の配線回路層)
51,52…レジストパターン
1 ... Multi-layer printed wiring board 11 ... Board 11a ... Hole 12 ... Wiring circuit layer 13, 13A, 13B ... Insulation layer (first insulation layer)
14 ... Wiring circuit layer (first wiring circuit layer)
15, 15A, 15B ... Insulation layer (second insulation layer)
16 ... Wiring circuit layer (second wiring circuit layer)
17 ... Insulation layer (third insulation layer)
18 ... Wiring circuit layer (third wiring circuit layer)
19 ... Insulation layer (fourth insulation layer)
20 ... Wiring circuit layer (fourth wiring circuit layer)
21 ... Insulation layer (fifth insulation layer)
22 ... Wiring circuit layer (fifth wiring circuit layer)
23 ... Insulation layer (sixth insulation layer)
24 ... Wiring circuit layer (6th wiring circuit layer)
51, 52 ... Resist pattern

Claims (12)

回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、
樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、
回路基板上に、樹脂フィルムを用いて1層目の絶縁層を形成し、かつ該1層目の絶縁層上に1層目の配線回路層を形成して、1層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
1層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて2層目の絶縁層を形成し、かつ該2層目の絶縁層上に2層目の配線回路層を形成して、2層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
2層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて3層目の絶縁層を形成し、かつ該3層目の絶縁層上に3層目の配線回路層を形成して、3層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
3層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて4層目の絶縁層を形成し、かつ該4層目の絶縁層上に4層目の配線回路層を形成して、4層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
4層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて5層目の絶縁層を形成し、かつ該5層目の絶縁層上に5層目の配線回路層を形成して、5層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
5層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて6層目の絶縁層を形成し、かつ該6層目の絶縁層上に6層目の配線回路層を形成して、6層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃としたときに、1層目〜6層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、(T+30)℃以上(T+80)℃以下であり、
得られる多層プリント配線板における1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、
得られる多層プリント配線板における5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、
CTEのCTEに対する比を、0.75以上1.4以下にする、多層プリント配線板の製造方法。
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board.
It is a method for manufacturing a multilayer printed wiring board that forms a plurality of insulating layers using a resin film.
A resin film is used to form a first insulating layer on a circuit board, and a wiring circuit layer of the first layer is formed on the insulating layer of the first layer to form an insulating-wiring circuit of the first layer. The process of forming the composite layer and
A second insulating layer is formed on the first insulating-wiring circuit composite layer using a resin film, and a second wiring circuit layer is formed on the second insulating layer. The process of forming the second layer of insulation-wiring circuit composite layer,
A resin film is used to form a third insulating layer on the second insulating-wiring circuit composite layer, and a third wiring circuit layer is formed on the third insulating layer. The process of forming the third layer of insulation-wiring circuit composite layer,
A resin film is used to form a fourth insulating layer on the third insulating-wiring circuit composite layer, and a fourth wiring circuit layer is formed on the fourth insulating layer. The process of forming the fourth layer of insulation-wiring circuit composite layer,
A fifth insulating layer is formed on the fourth insulating-wiring circuit composite layer using a resin film, and a fifth wiring circuit layer is formed on the fifth insulating layer. The process of forming the fifth layer of insulation-wiring circuit composite layer,
A sixth insulating layer is formed on the fifth insulating-wiring circuit composite layer using a resin film, and a sixth wiring circuit layer is formed on the sixth insulating layer. The sixth layer is provided with a step of forming an insulation-wiring circuit composite layer.
The resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler.
The resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter.
Of the heat generation peaks having a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, when the peak temperature of the heat generation peak having the maximum peak height is T ° C., the insulation-wiring of the first to sixth layers. In each of the steps of forming the circuit composite layer, the heating temperature for main curing the resin film is (T + 30) ° C. or higher and (T + 80) ° C. or lower.
The average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer of the obtained multilayer printed wiring board at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set to CTE 1 .
When the average coefficient of thermal expansion of 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower of the fifth insulating layer in the obtained multilayer printed wiring board is set to CTE 5 .
A method for manufacturing a multilayer printed wiring board in which the ratio of CTE 1 to CTE 5 is 0.75 or more and 1.4 or less.
前記CTEと前記CTEとの差の絶対値を、7ppm/℃以下にする、請求項1に記載の多層プリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1 , wherein the absolute value of the difference between the CTE 1 and the CTE 5 is 7 ppm / ° C. or less. 前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、190℃以上200℃以下である、請求項1又は2に記載の多層プリント配線板の製造方法。 The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the heating temperature for main curing the resin film is 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. 絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、7層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層プリント配線板の製造方法。 By repeating the steps of forming an insulating layer on the insulating-wiring circuit composite layer using a resin film and forming the wiring circuit layer on the insulating layer, seven or more insulating-wiring circuit composite layers are formed. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 3. 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の多層プリント配線板の製造方法。 The method for producing a multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, wherein the thermosetting compound contains an epoxy compound. 熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をT℃とし、
(T+50)℃で1.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE1.5hとし、
(T+50)℃で7.5時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTE7.5hとしたときに、
CTE7.5hのCTE1.5hに対する比が、0.75以上1.4以下である、樹脂フィルム。
Contains thermosetting compounds and inorganic fillers
In the measurement with a differential scanning calorimeter, it has a heat generation peak top temperature of 130 ° C or higher and 200 ° C or lower.
Among the exothermic peaks having the exothermic peak top temperature at 130 ° C. or higher and 200 ° C. or less, the peak temperature of the exothermic peak having the maximum peak height is defined as T ° C.
The average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 1.5 hours at 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower is set to CTE 1.5h .
When the average coefficient of thermal expansion of the cured product of the resin film cured at (T + 50) ° C. for 7.5 hours is 25 ° C. or higher and 150 ° C. or lower, and the average thermal expansion coefficient is CTE 7.5h .
A resin film in which the ratio of CTE 7.5h to CTE 1.5h is 0.75 or more and 1.4 or less.
前記CTE1.5hと前記CTE7.5hとの差の絶対値が、7ppm/℃以下である、請求項6に記載の樹脂フィルム。 The resin film according to claim 6, wherein the absolute value of the difference between the CTE 1.5h and the CTE 7.5h is 7 ppm / ° C. or less. 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項6又は7に記載の樹脂フィルム。 The resin film according to claim 6 or 7, wherein the thermosetting compound contains an epoxy compound. 190℃以上200℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために用いられる、請求項6〜8のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。 The resin film according to any one of claims 6 to 8, which is used for main curing the resin film to form an insulating layer by heating at 190 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. 回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために用いられる、請求項6〜9のいずれか1項に記載の樹脂フィルム。 One of claims 6 to 9, which is used for forming a plurality of insulating layers in a multilayer printed wiring board having a structure in which insulating layers and wiring circuit layers are alternately laminated on a circuit board. The resin film described in. 回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、
前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、
前記回路基板上にて、1層目の絶縁層及び1層目の配線回路層により構成される1層目の絶縁−配線回路複合層と、2層目の絶縁層及び2層目の配線回路層により構成される2層目の絶縁−配線回路複合層と、3層目の絶縁層及び3層目の配線回路層により構成される3層目の絶縁−配線回路複合層と、4層目の絶縁層及び4層目の配線回路層により構成される4層目の絶縁−配線回路複合層と、5層目の絶縁層及び5層目の配線回路層により構成される5層目の絶縁−配線回路複合層と、6層目の絶縁層及び6層目の配線回路層により構成される6層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、130℃以上200℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
1層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとし、
5層目の絶縁層の25℃以上150℃以下の平均熱膨張係数をCTEとしたときに、
CTEのCTEに対する比が、0.75以上1.4以下である、多層プリント配線板。
A circuit board, an insulating layer formed of a resin film, and a wiring circuit layer are provided.
It has a structure in which the insulating layer and the wiring circuit layer are alternately laminated on the circuit board.
On the circuit board, the first layer of the insulation-wiring circuit composite layer composed of the first layer of the insulating layer and the first layer of the wiring circuit layer, the second layer of the insulating layer, and the second layer of the wiring circuit. The second insulation-wiring circuit composite layer composed of layers, the third insulation-wiring circuit composite layer composed of the third insulation layer and the third wiring circuit layer, and the fourth layer. Insulation-wiring circuit composite layer of the 4th layer composed of the insulation layer and the wiring circuit layer of the 4th layer, and the insulation of the 5th layer composed of the insulation layer of the 5th layer and the wiring circuit layer of the 5th layer. -Having at least a wiring circuit composite layer and a sixth insulation-wiring circuit composite layer composed of a sixth insulating layer and a sixth wiring circuit layer.
The resin film contains a thermosetting compound and an inorganic filler.
The resin film has a heat generation peak top temperature of 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower as measured by a differential scanning calorimeter.
The average coefficient of thermal expansion of the first insulating layer at 25 ° C or higher and 150 ° C or lower is defined as CTE 1 .
When the average coefficient of thermal expansion of the fifth insulating layer between 25 ° C and 150 ° C is set to CTE 5 .
A multilayer printed wiring board in which the ratio of CTE 1 to CTE 5 is 0.75 or more and 1.4 or less.
前記CTEと前記CTEとの差の絶対値が、7ppm/℃以下である、請求項11に記載の多層プリント配線板。
The multilayer printed wiring board according to claim 11, wherein the absolute value of the difference between the CTE 1 and the CTE 5 is 7 ppm / ° C. or less.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5055683B2 (en) * 2004-03-30 2012-10-24 住友ベークライト株式会社 Insulating sheet, insulating sheet with substrate, and multilayer printed wiring board
JP2010053334A (en) * 2008-07-31 2010-03-11 Sekisui Chem Co Ltd Epoxy-based resin composition, prepreg, cured product, sheet-like molded article, laminate plate, and multilayer laminate plate
JP2011219674A (en) * 2010-04-13 2011-11-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd Thermosetting resin composition for circuit board
JP5849390B2 (en) * 2010-11-10 2016-01-27 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin precursor composition, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP2013075948A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd Production method of cured product, cured product, and multilayer board
JP5344022B2 (en) * 2011-11-16 2013-11-20 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device
JP7013643B2 (en) * 2016-10-18 2022-02-01 昭和電工マテリアルズ株式会社 Thermosetting resin composition
JP6948623B2 (en) * 2016-12-09 2021-10-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 Prepreg, metal-clad laminate and printed wiring board

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